JPS5828539B2 - 温度検出装置 - Google Patents
温度検出装置Info
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- JPS5828539B2 JPS5828539B2 JP53069507A JP6950778A JPS5828539B2 JP S5828539 B2 JPS5828539 B2 JP S5828539B2 JP 53069507 A JP53069507 A JP 53069507A JP 6950778 A JP6950778 A JP 6950778A JP S5828539 B2 JPS5828539 B2 JP S5828539B2
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- Japan
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- voltage
- value
- temperature detection
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
- G01K7/24—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、温度検出装置に関し、更に詳しくいえば、温
度検出素子としてサーミスタを用いた温度検出装置に関
する。
度検出素子としてサーミスタを用いた温度検出装置に関
する。
広い温度範囲内のある温度で何らかの装置の制御を行な
おうとする場合、温度検出装置が必要である。
おうとする場合、温度検出装置が必要である。
上記温度検出装置としては、従来第１図に示したものが
知られている。
知られている。
しかし、この方法であると電圧比較回路は、検出する温
度の数だけ必要である。
度の数だけ必要である。
そのため図の検出回路を、他の機能を有する回路と共に
集積化すると、そのＩＣチップ内に占める面積が大きい
。
集積化すると、そのＩＣチップ内に占める面積が大きい
。
そのため第２図に示した温度検出回路が考えられる。
これは、前記第１図の温度検出回路で複数個必要とされ
た電圧比較回路を１個にした回路である。
た電圧比較回路を１個にした回路である。
しかしながら、第２図に示した回路においても、０．Ｍ
ＯＳＩＣ化する場合には十分でない。
ＯＳＩＣ化する場合には十分でない。
これについて説明すると、Ｃ，ＭＯＳで構成される電圧
比較回路は、ＭＯＳトランジスタのスレッショルド電圧
により、入力動作電圧範囲が制限され、また温度検出素
子としてのサーミスタの非直線性により、第２図中のｖ
Ｔの温度に対する変化は第３図のようである。
比較回路は、ＭＯＳトランジスタのスレッショルド電圧
により、入力動作電圧範囲が制限され、また温度検出素
子としてのサーミスタの非直線性により、第２図中のｖ
Ｔの温度に対する変化は第３図のようである。
ｖＴの温度に対する変化で、温度が高くなると、単位温
度（１℃）に対する電圧■Ｔの変化幅△ｖＴが極端に小
さくなってしまう。
度（１℃）に対する電圧■Ｔの変化幅△ｖＴが極端に小
さくなってしまう。
そのため、上記ｖＴと比較するための温度基準電圧の精
度が高くなくてはならない。
度が高くなくてはならない。
故に基準電圧発生のための抵抗分動比を正確にとると共
にスイッチング素子のオン抵抗を小さくしなければなら
ない。
にスイッチング素子のオン抵抗を小さくしなければなら
ない。
スイッチング素子としてＭＯＳトランジスタを用いるな
らばそのオン抵抗を小さくするためにはチャネルの幅の
広いトランジスタが必要でありＩＣチップ内に占める面
積が大きい。
らばそのオン抵抗を小さくするためにはチャネルの幅の
広いトランジスタが必要でありＩＣチップ内に占める面
積が大きい。
本発明は、上記の欠点をなくし、Ｃ，ＭＯ８ＩＯチッＩ
Ｃチップ内、大きな面積を占めることなく、作ることの
できる検出精度の高い温度検出回路を提供するものであ
る。
Ｃチップ内、大きな面積を占めることなく、作ることの
できる検出精度の高い温度検出回路を提供するものであ
る。
以下、図面に示す一実施例に基づき、本発明を説明する
。
。
本発明による温度検出回路の一実施例を第４図に示す。
本発明による温度検出回路は、サーミスタＲ，ｔと前記
サーミスタＲｔに直列に接続される、複数の並列に接続
されたＰ型ＭＯＳトランジスタＱ７゜ＱＢ 、Ｑ９より
なる温度検出部１１と抵抗Ｒ１゜Ｒ２により構成され、
前記抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗比により一定電圧を作る基準
電圧部１２、および前記温度検出部１１の電圧ｖＴと前
記基準電圧部で作られる基準電圧ＶＢとの電圧を比較す
る電圧比較回路１３とで構成される。
サーミスタＲｔに直列に接続される、複数の並列に接続
されたＰ型ＭＯＳトランジスタＱ７゜ＱＢ 、Ｑ９より
なる温度検出部１１と抵抗Ｒ１゜Ｒ２により構成され、
前記抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗比により一定電圧を作る基準
電圧部１２、および前記温度検出部１１の電圧ｖＴと前
記基準電圧部で作られる基準電圧ＶＢとの電圧を比較す
る電圧比較回路１３とで構成される。
更に、上記温度検出回路の前記電圧比較回路１３の出力
を記憶し、制御を行なうための記憶回路としてのラッチ
回路により構成される。
を記憶し、制御を行なうための記憶回路としてのラッチ
回路により構成される。
次に第４図の本発明による温度検出回路の基本的動作の
説明を行なう。
説明を行なう。
トランジスタＱ５．Ｑ６はスイッチ用のトランジスタで
あり、Ｑ６のゲートには第５図の信号φ１が印加され、
またトランジスタＱ５には前記信号φ１をインバータ回
路１４で反転させた信号φ１が印加される。
あり、Ｑ６のゲートには第５図の信号φ１が印加され、
またトランジスタＱ５には前記信号φ１をインバータ回
路１４で反転させた信号φ１が印加される。
また、トランジスタＱ？ 、Ｑ８ 。Ｑ９．にはそれぞ
れ信号φ１２．φ１３．φ１４がそれぞれのゲ゛−トに
印加されており、φ１２゜φ１３．φ１４の各タイミン
グでトランジスタＱ７ 、Ｑ８ 、Ｑ９を順次オン状態
にする。
れ信号φ１２．φ１３．φ１４がそれぞれのゲ゛−トに
印加されており、φ１２゜φ１３．φ１４の各タイミン
グでトランジスタＱ７ 、Ｑ８ 、Ｑ９を順次オン状態
にする。
このとき、トランジスタＱ７ 、ＱＢ 、Ｑ９の両端間
の電圧は、温度１５℃のときトランジスタＱ７がオン状
態の場合にｖＴ二ｖＢとなるようにトランジスタＱ７を
設計する。
の電圧は、温度１５℃のときトランジスタＱ７がオン状
態の場合にｖＴ二ｖＢとなるようにトランジスタＱ７を
設計する。
また、温度２５℃のときトランジスタＱ８がオン状態の
場合にｖＴ二ＶＢとなるようにトランジスタＱ８を設計
し、温度３５℃のときにトランジスタＱ９がオン状態の
場合にｖＴ＝ｖ８となるようにトランジスタＱ９を設計
する。
場合にｖＴ二ＶＢとなるようにトランジスタＱ８を設計
し、温度３５℃のときにトランジスタＱ９がオン状態の
場合にｖＴ＝ｖ８となるようにトランジスタＱ９を設計
する。
上記のように各トランジスタＱ７ 、ＱＢ 、Ｑ９を設
計したとき、各トランジスタＱ７ 、Ｑ８ 、Ｑ９両端
間の電圧は温度により第６図に示すように変化する。
計したとき、各トランジスタＱ７ 、Ｑ８ 、Ｑ９両端
間の電圧は温度により第６図に示すように変化する。
すると、今、温度が３０℃であるとする場合を考えてみ
る。
る。
トランジスタＱ７ 、Ｑ８ 、Ｑ８がそれぞれ信号φ１
２．φ１３．φ１４のタイミングでオン状態に順次なっ
たとき、それぞれのタイミングでトランジスタ両端間の
電圧ｖＴは第６図のΔ印の電圧値をとる。
２．φ１３．φ１４のタイミングでオン状態に順次なっ
たとき、それぞれのタイミングでトランジスタ両端間の
電圧ｖＴは第６図のΔ印の電圧値をとる。
そのためトランジスタＱ７ 、Ｑ８がそれぞれオン状態
にあるタイミングでは、ＶＴ＞ＶＢであり、トランジス
タＱ９がオン状態にあるときは、ＶＴ＜ＶＢとなる。
にあるタイミングでは、ＶＴ＞ＶＢであり、トランジス
タＱ９がオン状態にあるときは、ＶＴ＜ＶＢとなる。
そこで、電圧比較回路１３の出力信号φｏｕｔは、第５
図に示したφｏｕｔ出力信号となる。
図に示したφｏｕｔ出力信号となる。
すなわち、信号φ１２．φ１３がＬＯＷレベルの時には
φｏｕｔはＨｉｇｈレベルにあり、φ１４がＬＯＷレベ
ルになった時にはφｏｕｔはＬＯＷレベルとなる。
φｏｕｔはＨｉｇｈレベルにあり、φ１４がＬＯＷレベ
ルになった時にはφｏｕｔはＬＯＷレベルとなる。
そこで、φｏｕｔはφ１３がＬＯＷレベルにある時とφ
１４がＬＯＷレベルにある時とで出力信号φｏｕｔのレ
ベルが違っており、更に、信号φ１３で制御されるトラ
ンジスタＱ８は２５℃で■Ｔ−ＶＢとなるように設計し
たのであり、また信号φ１４で制御されるトランジスタ
Ｑ９は３５℃で■Ｔ＝■３となるように設計したのであ
るから、出力信号φｏｕｔが、温度が、いま２５℃と３
５℃の間にあることを教えている。
１４がＬＯＷレベルにある時とで出力信号φｏｕｔのレ
ベルが違っており、更に、信号φ１３で制御されるトラ
ンジスタＱ８は２５℃で■Ｔ−ＶＢとなるように設計し
たのであり、また信号φ１４で制御されるトランジスタ
Ｑ９は３５℃で■Ｔ＝■３となるように設計したのであ
るから、出力信号φｏｕｔが、温度が、いま２５℃と３
５℃の間にあることを教えている。
温度検知部１１について更に説明すると、電圧比較回路
１３はＣ−ＭＯＳで構成されているため、その入力電圧
が制限されるが、いま、トランジスタＱ７ 、ＱＢ 、
Ｑ９を飽和領域で動作させると、トランジスタ両端間の
電圧ｖＴは ＶＴ−Ｖｃ Ｋｐ 、Ｒｔ（Ｔ）（ＹＧｓ−■Ｔｐ）
２−−−・（１）で与えられる。
１３はＣ−ＭＯＳで構成されているため、その入力電圧
が制限されるが、いま、トランジスタＱ７ 、ＱＢ 、
Ｑ９を飽和領域で動作させると、トランジスタ両端間の
電圧ｖＴは ＶＴ−Ｖｃ Ｋｐ 、Ｒｔ（Ｔ）（ＹＧｓ−■Ｔｐ）
２−−−・（１）で与えられる。
ここでＶｃは電源電圧
Ｋｐはトランジスタの導電係数
Ｒ，ｔ （Ｔ）はサーミスタＲ，ｔの温度Ｔ℃における
抵抗値 ＶＧＳはトランジスタのゲートソース間 電圧 ＶＴＩ）はトランジスタのスレッショルド電圧である。
抵抗値 ＶＧＳはトランジスタのゲートソース間 電圧 ＶＴＩ）はトランジスタのスレッショルド電圧である。
更に、Ｋｐは各トランジスタＱ７ 、ＱＢ 、Ｑ９にお
いて、前述したように各設定検出温度１５℃。
いて、前述したように各設定検出温度１５℃。
２５℃、３０℃で■Ｔ−ＶＢとなるように設計する。
この時、サーミスタＲｔの温度、抵抗値の関係は、
１
Ｒｔ（Ｔ）−Ｒ＋（ｔｏ）７ＸｐＢ（−） ”−（２
）Ｔ Ｔ。
）Ｔ Ｔ。
ただし、Ｔは絶対温度でありＯ℃＝２７３．１５ＫＴＯ
は基準温度、たとえば２９８．１５Ｋ（２５℃）であり
、Ｒｔ （Ｔｏ ）は上記基準温度Ｔ。
は基準温度、たとえば２９８．１５Ｋ（２５℃）であり
、Ｒｔ （Ｔｏ ）は上記基準温度Ｔ。
でのサーミスタＲｔの抵抗値である。
となる。
すると、式（１）、式（２）より各温度に対応した、サ
ーミスタＲ，ｔの抵抗値よりＫｐの値を算出することが
できる。
ーミスタＲ，ｔの抵抗値よりＫｐの値を算出することが
できる。
しかしながら、トランジスタのＫｐ値および、ＶＴＩ）
値は個々のＩＣチップによりプロセスのバラツキから、
ネライ値からズレることかある。
値は個々のＩＣチップによりプロセスのバラツキから、
ネライ値からズレることかある。
しかし、これは、式（１）から、サーミスタＲ１の抵抗
値Ｒｔを適当に選択してやることにより前記Ｋｐ値およ
びＶＴＩ）値のばらつきを補正吸収することができる。
値Ｒｔを適当に選択してやることにより前記Ｋｐ値およ
びＶＴＩ）値のばらつきを補正吸収することができる。
また、トランジスタＱ７ 、ＱＢ 、Ｑ９の各Ｋｐ値は
設計のネライ値から上記のようにズレることはあるが、
各Ｋｐ値の相対比すなわちトランジスタＱ７のＫｐ値Ｋ
ｐ７、トランジスタＱ８のＫｐ値Ｋｐ８、トランジスタ
Ｑ９のＫｐ値Ｋｐ９の比Ｋｐ７ ：Ｋｐ８ ：Ｋｐ９は
プロセスのバラツキにより変化することなく、各トラン
ジスタを作ることは容易に可能である。
設計のネライ値から上記のようにズレることはあるが、
各Ｋｐ値の相対比すなわちトランジスタＱ７のＫｐ値Ｋ
ｐ７、トランジスタＱ８のＫｐ値Ｋｐ８、トランジスタ
Ｑ９のＫｐ値Ｋｐ９の比Ｋｐ７ ：Ｋｐ８ ：Ｋｐ９は
プロセスのバラツキにより変化することなく、各トラン
ジスタを作ることは容易に可能である。
さて、前記トランジスタのパラメータとしてのＶＴｐ値
、およびＫｐ値は温度により若干の変化をするが、これ
は半導体の移導度の変化によるものであり、前記ＶＴｐ
値およびＫｐ値の温度変化を定量的に把握されている。
、およびＫｐ値は温度により若干の変化をするが、これ
は半導体の移導度の変化によるものであり、前記ＶＴｐ
値およびＫｐ値の温度変化を定量的に把握されている。
そこで、この前記ＶＴＩ）値およびＫｐ値に温度変化を
も考慮した各トランジスタＱ７〜Ｑ９のＫｐ値の設計は
容易である。
も考慮した各トランジスタＱ７〜Ｑ９のＫｐ値の設計は
容易である。
しかし、前述したようにｖＴｐ値はプロセスにより若干
のバラツキがあり、かつＶＴｐ値が温度によって変化す
るために、サーミスタＲ１の抵抗値をある温度で前述し
たように合せ込んでやったとしても、その合せ込んだ温
度からはずれた温度になると、ネライのＶＴ値からズレ
ることになる。
のバラツキがあり、かつＶＴｐ値が温度によって変化す
るために、サーミスタＲ１の抵抗値をある温度で前述し
たように合せ込んでやったとしても、その合せ込んだ温
度からはずれた温度になると、ネライのＶＴ値からズレ
ることになる。
すなわちいま、トランジスタＱ７ 、ＱＢ 、Ｑ９の各
トランジスタはＶＴｐ値はネライ値でＫｐ値を設計した
が、サーミスタＲ１の合せ込みを２５℃においてトラン
ジスタＱ８で■Ｔ−■８となるようにしたとすると、１
５℃および３５℃ではＶＴ＼■８となってしまう。
トランジスタはＶＴｐ値はネライ値でＫｐ値を設計した
が、サーミスタＲ１の合せ込みを２５℃においてトラン
ジスタＱ８で■Ｔ−■８となるようにしたとすると、１
５℃および３５℃ではＶＴ＼■８となってしまう。
しかしながら、前記ＶＴＩ）値のバラツキによる温度検
出の誤差は、Ｏ℃〜５０℃においてたかだか±０．３℃
の範囲内にある。
出の誤差は、Ｏ℃〜５０℃においてたかだか±０．３℃
の範囲内にある。
これは検出温度を１５℃、２５℃、３５℃とした場合に
おいては更に小さな誤差となり±０．１℃以下である。
おいては更に小さな誤差となり±０．１℃以下である。
上述の事柄を説明する図を第７図に示した。
このように、本発明においては、第６図に示したＶＴ’
Ｗ性を、前述したように順次、電圧比較回路１３で基準
電圧■３と比較している。
Ｗ性を、前述したように順次、電圧比較回路１３で基準
電圧■３と比較している。
そのため、ＶＴ特性の基準電圧ＶＢ近辺の温度に対する
変化幅は大きく、基準電圧ＶＢは第１図および第２図に
示したような温度検出回路で要求される程の精度は必要
なく、精度としては第１図および第２図で示した検出回
路と同程度の温度検出精度を要する場合にはＶＢの精度
は１桁ゆるいもので良い。
変化幅は大きく、基準電圧ＶＢは第１図および第２図に
示したような温度検出回路で要求される程の精度は必要
なく、精度としては第１図および第２図で示した検出回
路と同程度の温度検出精度を要する場合にはＶＢの精度
は１桁ゆるいもので良い。
上記のことは検出すべき温度が低温域から高温域までの
広い範囲に渡っている場合に著しく、５０℃の温度で検
出しようとする場合、第１図および第２図でのＶＢの精
度が±１℃／±０．００１■必要とする時、本発明によ
る検出回路では±１℃／±ｏ、 ｏ ｓ ｖと１桁以上
の余裕がある。
広い範囲に渡っている場合に著しく、５０℃の温度で検
出しようとする場合、第１図および第２図でのＶＢの精
度が±１℃／±０．００１■必要とする時、本発明によ
る検出回路では±１℃／±ｏ、 ｏ ｓ ｖと１桁以上
の余裕がある。
そのため、スイッチ用トランジスタＱ６のチップ内で占
める面積は小さくて良い。
める面積は小さくて良い。
以上、Ｐチャネル型ＭＯ８Ｉ−ランジスタの飽和領域動
作での場合について述べてきたが、ｎチャネル型ＭＯＳ
トランジスタとサーミスタとの組合せでも可能であり、
その時の温度検出精度についてはＰチャネル型ＭＯＳト
ランジスタの場合と同程度である。
作での場合について述べてきたが、ｎチャネル型ＭＯＳ
トランジスタとサーミスタとの組合せでも可能であり、
その時の温度検出精度についてはＰチャネル型ＭＯＳト
ランジスタの場合と同程度である。
以上述べてきたように、本発明によれば、電圧比較回路
を１つで、かつ全体の回路としての素子の数を少なく、
更にチップ内に占める面積の小さな高精度温度検出回路
を０−Ｍ０８ＩＯ内に他の機能の回路と共に１チツプで
構成することが可能となるのである。
を１つで、かつ全体の回路としての素子の数を少なく、
更にチップ内に占める面積の小さな高精度温度検出回路
を０−Ｍ０８ＩＯ内に他の機能の回路と共に１チツプで
構成することが可能となるのである。
第１図、第２図は従来例を示す回路図であり、第３図は
従来例におけるｖＴ電圧の温度による変化を示した特性
図である。 第４図は本発明による実施例を示す回路図であり、第５
図、第６図、第７図は本発明実施例による温度検出回路
の動作を説明するためのタイムチャートおよび温度−電
圧特性図である。 １１・・・・・・温度検知部、１２・・・・・・基準電
圧部、１３・・・・・・電圧比較回路、１５，１６，１
７・・・・・・ラッチ回路である。
従来例におけるｖＴ電圧の温度による変化を示した特性
図である。 第４図は本発明による実施例を示す回路図であり、第５
図、第６図、第７図は本発明実施例による温度検出回路
の動作を説明するためのタイムチャートおよび温度−電
圧特性図である。 １１・・・・・・温度検知部、１２・・・・・・基準電
圧部、１３・・・・・・電圧比較回路、１５，１６，１
７・・・・・・ラッチ回路である。
Claims (1)
- １ 温度検出素子としてサーミスタ等の感温素子の感温
抵抗を用いた装置において、前記サーミスタに１つある
いは２つ以上の、設定温度に対応したＯＮ抵抗を持つＭ
ＯＳトランジスタを並列に接続したものを直列に接続し
、前記ＭＯＳトランジスタをオン状態に、あるいは前記
複数のＭＯＳ ）ランジスタを時分割的にオン状態にし
たときの、サーミスタ両端間の電圧あるいはＭＯＳトラ
ンジスタ間の電圧と、一定の電圧を保つ定電圧源の電圧
とを電圧比較回路で比較し、前記電圧比較回路の出力信
号によって温度の検出を行なうことを特徴とする温度検
出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53069507A JPS5828539B2 (ja) | 1978-06-09 | 1978-06-09 | 温度検出装置 |
| US06/046,053 US4281544A (en) | 1978-06-09 | 1979-06-06 | Temperature detecting device |
| CH544879A CH633885A5 (fr) | 1978-06-09 | 1979-06-11 | Dispositif detecteur de temperatures. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53069507A JPS5828539B2 (ja) | 1978-06-09 | 1978-06-09 | 温度検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54161381A JPS54161381A (en) | 1979-12-20 |
| JPS5828539B2 true JPS5828539B2 (ja) | 1983-06-16 |
Family
ID=13404714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53069507A Expired JPS5828539B2 (ja) | 1978-06-09 | 1978-06-09 | 温度検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4281544A (ja) |
| JP (1) | JPS5828539B2 (ja) |
| CH (1) | CH633885A5 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR910007657B1 (ko) * | 1989-05-23 | 1991-09-30 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 온도검출회로 |
| US4965547A (en) * | 1989-06-09 | 1990-10-23 | General Electric Company | Signal converter circuit |
| DE102013221210A1 (de) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verfahren zum Messen einer Temperatur |
| CN104571196B (zh) * | 2014-03-04 | 2018-01-12 | 湖南新韶光电器有限公司 | 一种时间和温度可控的电加热管 |
| US10582854B2 (en) * | 2016-08-05 | 2020-03-10 | Vital Connect, Inc. | Temperature sensor for measuring thermistor resistance |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5340279B2 (ja) * | 1975-02-27 | 1978-10-26 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850292Y2 (ja) * | 1976-09-10 | 1983-11-16 | 松下電器産業株式会社 | 温度検出装置 |
| US4121461A (en) * | 1977-11-17 | 1978-10-24 | General Electric Company | Electronic temperature sensor |
| US4165642A (en) * | 1978-03-22 | 1979-08-28 | Lipp Robert J | Monolithic CMOS digital temperature measurement circuit |
-
1978
- 1978-06-09 JP JP53069507A patent/JPS5828539B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-06-06 US US06/046,053 patent/US4281544A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-06-11 CH CH544879A patent/CH633885A5/fr not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5340279B2 (ja) * | 1975-02-27 | 1978-10-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4281544A (en) | 1981-08-04 |
| CH633885A5 (fr) | 1982-12-31 |
| JPS54161381A (en) | 1979-12-20 |
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