JPS5827911B2 - Magnetic bubble memory device magnetization/demagnetization device and its manufacturing method - Google Patents
Magnetic bubble memory device magnetization/demagnetization device and its manufacturing methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリデバイスの着減磁装置および
その製造方法、特に磁気バブルメモリチップに均一なバ
イアス磁界を印加する磁石ブロックの着減磁装置および
その製造方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a device for magnetizing and demagnetizing a magnetic bubble memory device and a method for manufacturing the same, and more particularly to a device for magnetizing and demagnetizing a magnet block that applies a uniform bias magnetic field to a magnetic bubble memory chip and a method for manufacturing the same. It is.
第1図a、bは磁気バブルメモリデバイス、特に磁気バ
ブルメモリチップを搭載した絶縁基板上に均一なバイア
ス磁界を印加する磁石ブロックの代表的な一例を示す要
部上面図、要部断面図である。Figures 1a and 1b are a top view and a cross-sectional view of a typical part of a magnetic bubble memory device, particularly a typical example of a magnet block that applies a uniform bias magnetic field onto an insulating substrate on which a magnetic bubble memory chip is mounted. be.
これらの図において、1は例えばパーマロイ等の金属板
からなるシールドケースであり、このシールドケース1
はその空隙部Aに生じる磁界のノクーンパスおよび外部
からの磁界を遮蔽する機能を有している。In these figures, 1 is a shield case made of a metal plate such as permalloy, and this shield case 1
has the function of shielding the magnetic field generated in the gap A and the external magnetic field.
そして、このシールドケース1の内側上面、下面には磁
石板2が密着配置され、上記空隙部Aに所要の磁界を発
生、印加させている。Magnet plates 2 are closely arranged on the inner upper and lower surfaces of the shield case 1 to generate and apply a required magnetic field to the gap A.
また、この磁石板2の対向面には、空隙部Aに生じる上
記磁石板2の磁界の一様性を高める整磁板3が密着配置
されている。Further, on the opposing surface of the magnet plate 2, a magnetic shunt plate 3 is arranged in close contact with the magnet plate 3, which enhances the uniformity of the magnetic field of the magnet plate 2 generated in the gap A.
このような横取による磁石ブロックにおいて、上記磁石
板2の静磁界は情報の保存のために不可欠であり、永久
磁石を用いることにより情報保存用のエネルギーを不要
とすることが磁気バブルメモリデバイスの特徴となって
いる。In such a magnet block based on usurpation, the static magnetic field of the magnet plate 2 is essential for storing information, and the use of permanent magnets eliminates the need for energy for storing information, which is the advantage of the magnetic bubble memory device. It has become a feature.
したがって、磁気バブルメモリデバイスにおいては、上
記静磁界の値は極めて精密に設定されなければならない
。Therefore, in a magnetic bubble memory device, the value of the static magnetic field must be set extremely precisely.
一般に、磁気バブルが存在、動作可能である外部静磁界
の大きさの幅(これを通常バイアス磁界マージンと呼ぶ
)は、通常100〜110エルステツド、すなわちマー
ジンとして約10エルステツド程度であり、飽和着磁し
た磁石の表面の磁束密度が数1000エルステツドであ
ることから比較して極めて小さな値である。In general, the width of the external static magnetic field in which magnetic bubbles can exist and operate (this is usually called the bias magnetic field margin) is usually 100 to 110 oersteds, that is, about 10 oersteds as a margin, and saturation magnetization This is an extremely small value compared to the fact that the magnetic flux density on the surface of a magnet is several thousand Oersteds.
したがって、磁気バブルメモリデバイス用磁石ブロック
では内部の静磁界の値を極めて正確に設定しなければな
らない。Therefore, in a magnet block for a magnetic bubble memory device, the value of the internal static magnetic field must be set extremely accurately.
従来、第1図に示したような磁石ブロックの着減磁は、
以下に示す方法で行なわれていた。Conventionally, magnetization and demagnetization of a magnet block as shown in Fig.
This was done using the method shown below.
すなわち
(1)一様な静磁界を与える電磁石のポールピース間に
磁石ブロックを設置し、該電磁石に一定の電流を流し、
飽和着磁する。That is, (1) a magnet block is installed between the pole pieces of an electromagnet that provides a uniform static magnetic field, and a constant current is passed through the electromagnet,
Saturation magnetization.
(2)電流方向を(1)と逆にし、一定電流Ioを流し
減磁する。(2) Reverse the current direction to (1) and apply a constant current Io to demagnetize.
(3)磁石ブロックを該電磁石から外し、ガウスメータ
によりバイアス磁界を測定する。(3) Remove the magnet block from the electromagnet and measure the bias magnetic field with a Gaussmeter.
この値が所望の値より大きい場合には再度(1)の工程
を行ない、(2)の工程におけるIoの値を少し増加さ
せる。If this value is larger than the desired value, step (1) is performed again, and the value of Io in step (2) is slightly increased.
またバイアス磁界が小さい場合には、上記(2)の工程
におけるIoの値を少し減少させる。Further, when the bias magnetic field is small, the value of Io in the step (2) above is slightly decreased.
このような工程によって形成された磁石ブロックは、減
磁界を一定にしたときにバイアス磁界のばらつきが大き
くなるなどの問題点を有していた例えば、減磁界を26
00±10エルステツドにした場合に減磁された磁石ブ
ロックのバイアス磁界は、50〜130エルステツドに
ばらついていた。Magnet blocks formed by such a process have problems such as large variations in the bias magnetic field when the demagnetizing field is kept constant.
The bias magnetic field of the demagnetized magnet block varied from 50 to 130 oersted when the magnet block was set to 00±10 oersted.
したがって、(1) 、 (2)の工程を繰り返し行な
わなければならないため、1個の磁石ブ狛ツクの着減磁
に多大な時間を要するなどの欠点を有していた。Therefore, since steps (1) and (2) have to be repeated, there is a drawback that it takes a long time to magnetize and demagnetize one magnet block.
またこのばらつきの原因は、永久磁石の特性のばらつき
であり、本質的なものであった。Moreover, the cause of this variation was the variation in the characteristics of the permanent magnet, which was essential.
したがって本発明の目的は上記の欠点を除去し短時間で
着減磁でき、しかも着磁精度の高い磁気バブルメモリデ
バイスの着減磁装置およびその製造方法を提供すること
にある。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide an apparatus for magnetizing and demagnetizing a magnetic bubble memory device, which eliminates the above-mentioned drawbacks, can magnetize and demagnetize in a short time, and has high magnetization accuracy, and a method for manufacturing the same.
このような目的を達成するために本発明による磁気バブ
ルメモリデバイスの着減磁装置およびその製造方法は、
電磁石のポールピース間に減磁素子を介在させた磁石ブ
ロックを配設し、この感磁素子の出力値を電磁石の電源
にフィードバックすることによって自動的に着減磁を行
なうようにしたものである。In order to achieve such objects, the present invention provides a magnetic bubble memory device magnetization/demagnetization device and a manufacturing method thereof.
A magnet block with a demagnetizing element interposed between the pole pieces of the electromagnet is arranged, and the output value of this magnetic sensing element is fed back to the power supply of the electromagnet to automatically demagnetize it. .
以下図面を用いて本発明による磁気バブルメモリデバイ
スの着減磁装置およびその製造方法について詳細に説明
する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A device for magnetizing and demagnetizing a magnetic bubble memory device according to the present invention and a method for manufacturing the same will be described in detail below with reference to the drawings.
第2図は本発明による磁気バブルメモリデバイス、特に
磁石ブ田ンクの着減磁装置の一例を示す一部断面構成図
である。FIG. 2 is a partial cross-sectional configuration diagram showing an example of a magnetic bubble memory device, particularly a magnetization/demagnetization device for a magnetic bubble memory device according to the present invention.
同図において、4は電磁石であり、この電磁石4のポー
ルピース4a間には、前記シールドケース1内面に磁石
板2を密着配置した磁石ブ冶ツク5を装着させるガイド
レール6およびその中心部に磁界を感知させる例えばG
aAsよりなる半導体ホール素子によって構成された感
磁素子7が配設されている。In the figure, 4 is an electromagnet, and between the pole pieces 4a of the electromagnet 4, there is a guide rail 6 on which a magnet block 5 having a magnet plate 2 closely arranged on the inner surface of the shield case 1 is attached, and a guide rail 6 at the center thereof. For example, G to sense a magnetic field
A magnetic sensing element 7 made of a semiconductor Hall element made of aAs is provided.
また、この電磁石4には、2個のコイル8が直列に巻設
され、その一端側リード線はアース接地され、その他端
側リード線は切替スイッチ9の可動接点9aに接続され
ている。Two coils 8 are wound in series around the electromagnet 4, one end of which is grounded, and the other end of which is connected to a movable contact 9a of a changeover switch 9.
またこの切替スイッチ9の固定接点9bは一端がアース
接地された着磁電源10に接続され、また固定接点9c
は一端がアース接地された減磁電源11に接続され、さ
らに固定接点9dは一端がアース接地された交流電源1
2に接続されている。Further, the fixed contact 9b of this changeover switch 9 is connected to a magnetized power supply 10 whose one end is grounded, and the fixed contact 9c
is connected to the demagnetizing power supply 11 whose one end is grounded, and the fixed contact 9d is connected to the AC power supply 1 whose one end is grounded.
Connected to 2.
また上記減磁電源11には上記電磁石4および感磁素子
7の出力電圧を所定の値と比較するコントロール部13
が接続されている。Further, the demagnetizing power source 11 includes a control section 13 that compares the output voltages of the electromagnet 4 and the magneto-sensitive element 7 with predetermined values.
is connected.
このように構成された着減磁装置において、まず、電磁
石4のポールピース4a間にシールドケース1内面に磁
石板2を対向配設させた磁石ブロック5がガードレール
6に装着され、この磁石ブロック5の空隙部Aの中心部
には、感磁素子7が配設され、磁石ブロック5のバイア
ス磁界を検知できる構成となっている。In the magnetization/demagnetization device configured as described above, first, the magnet block 5 in which the magnet plates 2 are arranged facing each other on the inner surface of the shield case 1 between the pole pieces 4a of the electromagnets 4 is mounted on the guardrail 6. A magnetic sensing element 7 is disposed in the center of the gap A, and is configured to be able to detect the bias magnetic field of the magnet block 5.
このような構成において、磁石ブ殖ツク5つまり磁石板
2への着減磁プロセスは、
(1)まず、切替スイッチ9の可動接点9aを固定接点
9bに切替え、着磁電源10よりパルス幅50m5の着
磁パルス電流を電磁石4のコイル8に供給し、磁石ブロ
ック5を飽和着磁する。In such a configuration, the process of magnetizing and demagnetizing the magnet block 5, that is, the magnet plate 2, is as follows: (1) First, the movable contact 9a of the changeover switch 9 is switched to the fixed contact 9b, and a pulse width of 50 m5 is applied from the magnetizing power source 10. The magnetizing pulse current is supplied to the coil 8 of the electromagnet 4, and the magnet block 5 is magnetized to saturation.
(2)次に、可動接点9aを固定接点9c側に切替え、
減磁電源11より減磁パルス電流をコイル8に供給し、
磁石ブロック5を所定の値まで減磁する。(2) Next, switch the movable contact 9a to the fixed contact 9c side,
Supplying a demagnetizing pulse current to the coil 8 from the demagnetizing power supply 11,
The magnet block 5 is demagnetized to a predetermined value.
(3)このとき、感磁素子7によりバイアス磁界の値を
検知し、この値が所望の値になるまで(2)の減磁を行
なう。(3) At this time, the value of the bias magnetic field is detected by the magneto-sensitive element 7, and the demagnetization in (2) is performed until this value reaches the desired value.
この場合、順次繰り返して供給される減磁パルス電流の
振幅は、一定の増加率を有して増加するようになってい
る。In this case, the amplitude of the demagnetizing pulse current that is sequentially and repeatedly supplied increases at a constant rate of increase.
(4)そして、感磁素子7が所望のバイアス磁界の値を
検知したときに可動接点9aを固定接点9dに切替え、
交流電源12よりコイル8に交流電流を供給し、交流磁
界により交流枯しを行ない、磁石板2の着減磁性を磁気
的に安定化させ、磁石ブ石ツク5の着減磁を完了する。(4) Then, when the magnetic sensing element 7 detects the desired bias magnetic field value, the movable contact 9a is switched to the fixed contact 9d,
An alternating current is supplied from the alternating current power source 12 to the coil 8, and an alternating current is depleted by an alternating magnetic field to magnetically stabilize the magnetization and demagnetization of the magnet plate 2, thereby completing the magnetization and demagnetization of the magnet block 5.
この場合、電磁石4の着減磁用磁界の印加およびそのタ
イミング、感磁素子7の出力電圧と所望値との比較、切
替スイッチ9の切替等の制御はコントロール部13によ
り行なわれる。In this case, the control unit 13 controls the application and timing of the magnetic field for magnetizing and demagnetizing the electromagnet 4, comparing the output voltage of the magneto-sensitive element 7 with a desired value, switching the changeover switch 9, etc.
この状態を第3図に示す着減磁工程タイミング図を用い
てさらに詳細に説明する。This state will be explained in more detail using the timing diagram of the magnetization and demagnetization process shown in FIG.
同図は横軸に工程時間、縦軸にポールピース4aから磁
石ブロック5に印加される磁界強度をとったものである
。In this figure, the horizontal axis represents the process time, and the vertical axis represents the magnetic field strength applied from the pole piece 4a to the magnet block 5.
同図において、上記(1)の工程により時刻t。In the figure, time t is reached by the step (1) above.
のときに着磁用磁界Hmを1回印加して飽和着磁を行な
った後、上記(2)の工程にまり減磁用磁界Hdを順次
印加する。At this time, the magnetizing magnetic field Hm is applied once to perform saturation magnetization, and then the demagnetizing magnetic field Hd is sequentially applied in step (2) above.
この場合、この減磁用磁界Hdは、時刻t7.t2.t
3・・・・・・の変化に伴なって少しづつ磁界強度を増
加させた減磁用磁界Hct+ 、 Hd2゜Hd3・・
・・・・を印加させるとともに、磁石ブロック5内の磁
界強度を時刻t1.t2.t3・・・・・・に感磁素子
7により検知し、例えば、時刻t4において検知した値
が所望の値となったときに上記(4)の工程により交流
磁界を印加して磁石板2の磁化安定性を向上させ、時刻
t、で着減磁を終了する。In this case, this demagnetizing magnetic field Hd is applied at time t7. t2. t
3. Magnetic field for demagnetization Hct+, Hd2゜Hd3... whose magnetic field strength was increased little by little in accordance with changes in...
... is applied, and the magnetic field strength within the magnet block 5 is set at time t1. t2. When the value detected by the magneto-sensitive element 7 at time t3 becomes a desired value, for example, the value detected at time t4 is applied to the magnetic plate 2 by applying an alternating magnetic field according to the step (4) above. Magnetization stability is improved and demagnetization is completed at time t.
第4図は本発明による磁石ブロックの着減磁の他の実施
例を示す着減磁工程タイミング図である。FIG. 4 is a timing diagram of the magnetization and demagnetization process showing another embodiment of magnetization and demagnetization of the magnet block according to the present invention.
同図において、第3図と異なる点は、上記(1)の工程
により時刻t。In this figure, the difference from FIG. 3 is that the time t is changed due to the step (1) above.
のときに着磁用磁界Hmを印加して飽和着磁を行なった
後に必らず減磁用磁界Hdを印加させるようにしたもの
である。In this case, after the magnetizing magnetic field Hm is applied to perform saturation magnetization, the demagnetizing magnetic field Hd is always applied.
つまり着磁用磁界Hmと減磁用磁界Hdとを時刻tl。In other words, the magnetizing magnetic field Hm and the demagnetizing magnetic field Hd are set at time tl.
12.13・・・・・・に交互に印加させるとともに、
減磁用磁界Hdの磁界強度を順次Hd 1. Hd 2
、Hd s・・・・・・と増加させて印加する。12.13.... are applied alternately, and
The magnetic field strength of the magnetic field Hd for demagnetization is sequentially changed to Hd 1. Hd2
, Hd s..., and so on.
このとき、時刻11+t2.t3・・・・・・に感磁素
子γにより磁石ブロック5内の磁界強度を検知し、例え
ば、時刻t4において、検知した値が所望の値となった
ときに上記(4)の工程により交流磁界を印加し、磁石
板2の磁化を安定させ、時刻t5で着減磁を終了する。At this time, time 11+t2. At time t3..., the magnetic field strength within the magnet block 5 is detected by the magnetic sensing element γ, and for example, at time t4, when the detected value reaches a desired value, the alternating current is turned on by the step (4) above. A magnetic field is applied to stabilize the magnetization of the magnet plate 2, and the magnetization and demagnetization are completed at time t5.
ここで、上記実施例における着磁用磁界Hm。Here, the magnetizing magnetic field Hm in the above embodiment.
減磁用磁界HdおよびHd2−Hd、の値は、可変でき
るように構成されており、この着磁用磁界Hm、減磁用
磁界HdおよびHd2−Hd、の値を適切な値に設定す
ることにより、着減磁工程を数秒で行なうことができる
。The values of the demagnetizing magnetic fields Hd and Hd2-Hd are configured to be variable, and the values of the magnetizing magnetic field Hm, demagnetizing magnetic fields Hd and Hd2-Hd are set to appropriate values. Therefore, the magnetization and demagnetization process can be carried out in a few seconds.
例えば、上記磁石ブロック5に着磁用磁界Hm−=I0
000ガウス、減磁用磁界Hd、=3000エルステッ
ド、Hd2Ha、=30エルステッドを印加した場合、
所望の値105エルステッドを得るのに平均24秒と極
めて短時間で着減磁することができた。For example, the magnetizing magnetic field Hm-=I0 is applied to the magnet block 5.
When applying 000 Gauss, magnetic field for demagnetization Hd = 3000 Oe, Hd2Ha = 30 Oe,
It was possible to magnetize and demagnetize in an extremely short time of 24 seconds on average to obtain the desired value of 105 oersteds.
またこの場合、設定値105エルステツドに対して得ら
れた値は104.8〜1051エルステツドの範囲とな
り、極めて精度よく着減磁することができた。Further, in this case, the values obtained for the set value of 105 oersted were in the range of 104.8 to 1051 oersted, and magnetization and demagnetization could be achieved with extremely high accuracy.
以上説明したように本発明による磁気バブルメモリデバ
イスの着減磁装置およびその製造方法によれば、静磁界
を発生させる磁石ブロックを極めて短時間でしかも高精
度に着減磁することができる極めて優れた効果が得られ
る。As explained above, according to the device for magnetizing and demagnetizing a magnetic bubble memory device and the method for manufacturing the same according to the present invention, it is possible to magnetize and demagnetize a magnet block that generates a static magnetic field in an extremely short time and with high precision. You can get the same effect.
第1図a、bは磁石ブロックの一例を示す要部上面図、
要部断面図、第2図は本発明による磁気バブルメモリデ
バイスの着減磁装置の一例を示す一部断面構成図、第3
図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの製造方法
特に磁石ブロックの着減磁方法の一実施例を示す着減磁
工程タイミング図、第4図は本発明による磁気バブルメ
モリデバイスの製造方法特に磁石ブロックの着減磁方法
の他の実施例を示す着減磁工程タイミング図1である。
1・・・・・・シールドケース、2・・・・・・磁石板
、3・・・・・・整磁板、4・・・・・・電磁石、4a
・・・・・・ポールピース、5・・・・・・磁石ブロッ
ク、6・・・・・・ガイドレール、7・・・・・・感磁
素子、8・・・・・・コイル、9・・・・・・切替スイ
ッチ、9a・・・・・・可動接点、9b、9c、9a・
・・・・・固定接点、10・・・・・・着磁電源、11
・・・・・・減磁電源、12・・・・・・交流電源、1
3・・・・・・コントロール部。Figures 1a and 1b are top views of essential parts showing an example of a magnet block;
FIG. 2 is a partial sectional view showing an example of the magnetization/demagnetization device for a magnetic bubble memory device according to the present invention; FIG.
The figure is a timing chart of the magnetization and demagnetization process showing an example of the method for manufacturing a magnetic bubble memory device according to the present invention, particularly the method for magnetizing and demagnetizing a magnet block. FIG. FIG. 1 is a timing chart 1 of the magnetization/demagnetization process showing another embodiment of the magnetization/demagnetization method. 1... Shield case, 2... Magnet plate, 3... Magnetic shunt plate, 4... Electromagnet, 4a
... Pole piece, 5 ... Magnet block, 6 ... Guide rail, 7 ... Magnetic sensing element, 8 ... Coil, 9 ......Selector switch, 9a...Movable contact, 9b, 9c, 9a.
...Fixed contact, 10... Magnetizing power supply, 11
... Demagnetizing power supply, 12 ... AC power supply, 1
3...Control section.
Claims (1)
ールピース間に配設された感磁素子と、前記励磁コイル
に着磁パルス電流を供給する着磁電源と、前記励磁コイ
ルに減磁パルス電流を供給する減磁電源と、前記励磁コ
イルに交流電流を供給する交流電源とを備え、前記電磁
石のポールピース間に磁石ブロックを配置することによ
って該磁石ブロックを着減磁させるようにしたことを特
徴とする磁気バブルメモリデバイスの着減磁装置。 2 磁石ブロックの内部に感磁素子を配設し、該磁石ブ
ロックを飽和着磁した後に減磁界を印加し、該減磁界印
加後の磁石ブロック内部の静磁界の強度を該感磁素子で
検知し、予じめ設定しておいた所望の値と比較して検知
した値が所望の仏となるまで上記着減磁工程を繰り返し
行なうようにしたことを特徴とする磁気バブルメモリデ
バイスの製造方法。[Scope of Claims] 1. An electromagnet around which an excitation coil is wound, a magnetic sensing element disposed between pole pieces of the electromagnet, a magnetization power source that supplies a magnetization pulse current to the excitation coil, A demagnetizing power supply that supplies a demagnetizing pulse current to an excitation coil, and an AC power supply that supplies an alternating current to the excitation coil, and a magnet block is disposed between the pole pieces of the electromagnet to demagnetize the magnet block. A device for magnetizing and demagnetizing a magnetic bubble memory device, characterized in that it is magnetized. 2 A magneto-sensitive element is arranged inside the magnet block, a demagnetizing field is applied after the magnet block is saturated and magnetized, and the strength of the static magnetic field inside the magnet block after the demagnetizing field is applied is detected by the magneto-sensitive element. A method for manufacturing a magnetic bubble memory device, characterized in that the above-mentioned magnetization and demagnetization process is repeated until the detected value becomes the desired value by comparison with a preset desired value. .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7321878A JPS5827911B2 (en) | 1978-06-19 | 1978-06-19 | Magnetic bubble memory device magnetization/demagnetization device and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7321878A JPS5827911B2 (en) | 1978-06-19 | 1978-06-19 | Magnetic bubble memory device magnetization/demagnetization device and its manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS551615A JPS551615A (en) | 1980-01-08 |
JPS5827911B2 true JPS5827911B2 (en) | 1983-06-13 |
Family
ID=13511793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7321878A Expired JPS5827911B2 (en) | 1978-06-19 | 1978-06-19 | Magnetic bubble memory device magnetization/demagnetization device and its manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5827911B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58132785A (en) * | 1982-02-02 | 1983-08-08 | 松下電器産業株式会社 | Graphic japanese character pattern generator |
JPS58223074A (en) * | 1982-06-21 | 1983-12-24 | Fujitsu Ltd | Testing of demagnetization |
-
1978
- 1978-06-19 JP JP7321878A patent/JPS5827911B2/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS551615A (en) | 1980-01-08 |
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