JPS5826607B2 - Hannoin Kiyoku - Google Patents

Hannoin Kiyoku

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JPS5826607B2
JPS5826607B2 JP50127873A JP12787375A JPS5826607B2 JP S5826607 B2 JPS5826607 B2 JP S5826607B2 JP 50127873 A JP50127873 A JP 50127873A JP 12787375 A JP12787375 A JP 12787375A JP S5826607 B2 JPS5826607 B2 JP S5826607B2
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JP
Japan
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cathode
reaction
diffusion
monoatomic layer
forming
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ゲツシンゲル ゲルノート
ブツクスバウム チヤーリー
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BBC Brown Boveri France SA
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BBC Brown Boveri France SA
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Publication date
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Publication of JPS5826607B2 publication Critical patent/JPS5826607B2/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/13Solid thermionic cathodes
    • H01J1/14Solid thermionic cathodes characterised by the material
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    • H01J1/13Solid thermionic cathodes
    • H01J1/20Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
    • H01J1/28Dispenser-type cathodes, e.g. L-cathode

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は単原子層を形成する元素の化合物を含み、この
化合物から陰極の動作状態で進行する供給反応によって
単原子層を形成する元素が遊離される、とくに電子管用
の熱電子放出の高い反応陰極に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention comprises a compound of an element forming a monoatomic layer, from which the element forming the monoatomic layer is liberated by a supply reaction that proceeds in the operating state of a cathode, particularly for electron tubes. This invention relates to a reaction cathode with high thermionic emission.

単原子層(単原子の表面層)を有するこの公知概念の陰
極の場合、陰極の寿命の間、単原子層を形成する元素は
化学的に結合した形で貯蔵され、供給反応によってこの
化合物から遊離され、すなわち陰極寿命の間つねに動作
速度における単原子層の蒸発速度に適合し、かつ定常状
態で所望の電子放出電流密度に十分な、陰極表面上の単
原子層の拡がりを可能にする反応速度をもって遊離され
る。
In the case of cathodes of this known concept with a monoatomic layer (a surface layer of monoatomic atoms), during the lifetime of the cathode, the elements forming the monoatomic layer are stored in chemically bound form and are removed from this compound by a feeding reaction. a reaction that is liberated, i.e., allows a spreading of the monoatomic layer on the cathode surface that is always compatible with the evaporation rate of the monoatomic layer at the operating speed during the lifetime of the cathode and sufficient for the desired electron emission current density in the steady state. released at high speed.

この単原子層形成反応陰極の概念は放出動作中(すなわ
ちいずれにせよ放出動作に先行する場合による活性化の
後)反応のない陰極の概念とは異なる。
This concept of a monoatomic layer-forming reactive cathode differs from the concept of a cathode that is unreactive during the ejection operation (ie after activation, which may in any case precede the ejection operation).

この後者の概念には単原子層なしに直接放出する陰極(
たとえば耐熱金属よりなる直接放出陰極)のほかに特定
の単原子層陰極すiわち合金陰極釦よび単原子層形成金
属が物理的に毛管作用によって蓄積されている蓄積陰極
が属する。
This latter concept involves a cathode that emits directly without a monolayer (
In addition to the direct-emitting cathodes (for example, made of refractory metals), there are also specific monolayer cathodes, i.e., gold cathode buttons, and storage cathodes in which the monolayer-forming metals are physically accumulated by capillary action.

放出状態で無反応の陰極に共通な特徴は放出または単原
子層形成物質が直接放出可能の形または物理的に蓄積さ
れた形で陰極内に存在し、供給反応によって連続的に化
合物から遊離される必要がないことである。
A common feature of cathodes that are unreactive in the emitted state is that the emitted or monolayer-forming substance is present in the cathode in directly releasable or physically accumulated form and is continuously liberated from the compound by feeding reactions. There is no need to do so.

小さい放出電流密度しか可能でない耐熱性純金属陰極に
比し、たとえば合金陰極によれば高い放出電流密度が達
成されるけれど、電子管に使用するには寿命が不十分で
あり、たとえば常用のタングステン−炭化タングステン
−酸化トリウム陰極の寿命とは比較にならない。
Compared to heat-resistant pure metal cathodes, which are capable of only low emission current densities, alloy cathodes, for example, achieve high emission current densities, but their lifetimes are insufficient for use in electron tubes; It cannot be compared with the lifespan of a tungsten carbide-thorium oxide cathode.

第1表にはこれ1で述べた種類の陰極の概観釦よび単原
子層−反応陰極の概念の細分類が示される。
Table 1 shows an overview of the cathodes of the type mentioned above and a subclassification of the concept of monoatomic layer-reactive cathodes.

後者の概念(第1表右側の範囲)は単原子層形成元素を
遊離する活性物質の熱分解により動作する陰極(“熱分
解陰極”と略称する)の群および反応成分との化学的供
給反応および遊離反応により動作する陰極(“反応陰極
”と略称する)の群を含む。
The latter concept (range on the right side of Table 1) refers to a group of cathodes (abbreviated as "pyrolytic cathodes") operating by thermal decomposition of an active substance to liberate monoatomic layer-forming elements and chemical supply reactions with reactive components. and cathodes that operate by free reaction (abbreviated as "reaction cathodes").

熱分解陰極の場合、単原子層形成元素はほとんどまたは
1つたく熱に基く分解反応によって活性物質から遊離さ
れる。
In the case of pyrolytic cathodes, most or all of the monolayer-forming elements are liberated from the active substance by thermally based decomposition reactions.

その例は還元剤なしの公知タングステン−酸化トリウム
陰極および同様公知の6ホウ化ランタン陰極であり、両
方とも動作状態にかける供給反応に関して単原子層を形
成するトリウムまたはランタンの遊離のために還元性ま
たはその他の反応成分を必要としない。
Examples are the known tungsten-thorium oxide cathode without reducing agent and the likewise known lanthanum hexaboride cathode, both of which are reducible due to the liberation of thorium or lanthanum forming a monoatomic layer upon feeding reactions subjected to operating conditions. or other reaction components.

反応陰極の場合、陰極の動作状態にpける供給ネーよび
遊離反応は反応成分参加のもとに、酸化物−還元剤陰極
の場合たとえば炭素含有還元剤により進行する。
In the case of a reactive cathode, the feed and release reactions in the operating state of the cathode proceed with the participation of the reactants, in the case of an oxide-reducing agent cathode, for example with a carbon-containing reducing agent.

本発明の目的は上記成縮された概念の反応陰極に関し、
この陰極の放出電流密度を長寿命を維持しながら上昇す
ることにある。
The object of the present invention is to relate to a reaction cathode of the above-mentioned condensed concept,
The objective is to increase the emission current density of this cathode while maintaining a long life.

この目的は本発明により前記概念の陰極が、単原子層形
成元素としてのイツトリウム釦よびランタンのうちの少
なくとも1つの元素の化合物耘よび拡散促進剤としての
パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウムのうちの少な
くとも1つの金属を含むことによって解決される。
According to the present invention, the cathode of the above concept is a compound of at least one of yttrium and lanthanum as a monoatomic layer-forming element and at least one of palladium, platinum, rhodium, and ruthenium as a diffusion promoter. This is solved by including one metal.

本発明は反応陰極における陰極表面への単原子層形成元
素の供給は一般にほとんど反応によって遊離する元素の
粒界拡散による輸送に依存し、この拡散は前記金属Pd
、PI、RhXRuにより促進されるのみならず、陰極
の動作条件下に長時間安定に維持されるという広範な研
究によって固められた認識に基く。
In the present invention, the supply of monoatomic layer-forming elements to the cathode surface in a reaction cathode generally depends on the transport of the elements liberated by the reaction through grain boundary diffusion, and this diffusion is caused by the metal Pd.
, PI, Rh

これは原則的には反応成分のない反応陰極に対しても同
様である。
This also applies in principle to reaction cathodes without reaction components.

というのはこの場合も遊離反応は、すなわちこの場合は
単原子層形成元素の化合物の熱分解は直接表面層に限定
されず、深い範囲でもある程度進行するからである。
This is because in this case as well, the liberation reaction, that is, the thermal decomposition of the compound of the monoatomic layer-forming element in this case, is not limited directly to the surface layer, but proceeds to some extent even in a deep range.

それゆえこの場合も粒界拡散による単原子層形成元素の
供給が重要である。
Therefore, in this case as well, it is important to supply monoatomic layer-forming elements through grain boundary diffusion.

これに反し前述の毛管蓄積陰極の場合、単原子層形成元
素の供給は粒界の拡散または陰極体結晶内の容積拡散に
はほとんど関係がない。
In contrast, in the case of the capillary storage cathode described above, the supply of monoatomic layer-forming elements has little to do with grain boundary diffusion or volumetric diffusion within the cathode body crystal.

この場合供給は陰極体(基質)の中空空間にかける単原
子層形成元素の拡散または流動によってのみ行われるの
で、本発明による固体に内蔵された拡散促進剤には作用
の余地が与えられない。
In this case, the supply takes place only by diffusion or flow of the monoatomic layer-forming elements across the hollow space of the cathode body (substrate), so that the diffusion promoter incorporated in the solid according to the invention has no room for action.

本発明の有利な実施例によれば酸化イツトリウム卦よび
酸化ランタン反応陰極の特殊な群に対して前記拡散促進
剤が使用され、それゆえこの場合単原子層形成元素は酸
化物内に蓄積されて存在し、反応陰極の前記細分類の意
味にオする熱分解によるか、または還元剤との反応によ
るかにかかわらず、遊離後粒界拡散によって陰極表面へ
達する。
According to an advantageous embodiment of the invention, the diffusion promoter is used for a special group of yttrium oxide and lanthanum oxide reaction cathodes, so that in this case the monolayer-forming elements are accumulated in the oxide. If present, it reaches the cathode surface by grain boundary diffusion after liberation, whether by thermal decomposition in the sense of the above subclassification of reaction cathodes or by reaction with a reducing agent.

この酸化物−反応陰極における長時間−放出電流密度に
関する本発明による拡散促進剤の顕著な効果は還元の際
の前記金属PdXPtXRh5 R’uの付加的触媒機
能に関係があると推定される。
It is assumed that this significant effect of the diffusion promoter according to the invention on the long-term emission current density at the oxide-reactive cathode is related to the additional catalytic function of the metal PdXPtXRh5 R'u during the reduction.

本発明は前記細分類の反応陰極に属する酸化イツトリウ
ム督よび酸化ランタン−還元剤陰極にとくに有利に使用
することができる。
The present invention can be particularly advantageously used for yttrium oxide and lanthanum oxide-reducing agent cathodes that belong to the above-mentioned subcategories of reaction cathodes.

1つまたは多数の拡散促進金属Pd、Pt、RhXRu
を担体としてモリブデン卦よびタンタルを含む陰極系へ
添加することにより、さらにとの担体金属の炭化物を還
元剤として含むこのような陰極系の場合、長い寿命とと
もに放出電流密度の優れた値が得られた。
One or more diffusion promoting metals Pd, Pt, RhXRu
By adding molybdenum and tantalum as carriers to cathode systems containing molybdenum and tantalum as carriers, excellent values of the emission current density as well as long lifetimes can be obtained for such cathode systems containing carbides of the carrier metals as reducing agents. Ta.

その際放出電流に関する加熱能力における進歩も達成さ
れた。
Advances in the heating capacity with respect to the emission current were also achieved.

本発明による陰極の活性物質としてはとくに前記種類の
拡散促進剤を含むランタン化合物(場合により還元剤を
含む)がとくに耐熱金属Moよりなる担体とともに使用
され、これは還元剤としてこの金属の炭化物を含む前記
方式のためにとくに有利である(作業の最善の態様)。
As the active substance of the cathode according to the invention, a lanthanum compound containing a diffusion promoter of the abovementioned type (optionally containing a reducing agent) is used, in particular together with a support consisting of the refractory metal Mo, which contains a carbide of this metal as the reducing agent. It is particularly advantageous for said method to include (best mode of operation).

次に本発明を実施例釦よび実験結果により説明する。Next, the present invention will be explained using examples and experimental results.

例1: モリブデン粉末フィッシャ サブシープ サイプ(Fi
sher 5ubsieve 5izer による粒
子サイズ1.2μm)98重量φをあらかじめボールミ
ルで湿式磨砕(粒子サイズ0.5μff1)したLa2
O32重量φとタンブラ□クサで30分混合する。
Example 1: Molybdenum powder Fischer Subseep Sipe (Fi
Sher 5ubsieve 5izer particle size 1.2μm) 98 weight φ was wet-milled in advance with a ball mill (particle size 0.5μff1) La2
Mix for 30 minutes using O32 weight φ and tumbler □shaft.

次に粉末混合物を第1工程でアイソスタチックプレスに
より円筒形のゴム型内で粗成形体を形成するように30
00パールの圧力で圧縮する。
Next, in the first step, the powder mixture is isostatically pressed in a cylindrical rubber mold to form a rough compact for 30 minutes.
Compress with 00 par pressure.

続いてとの粗成形体を第2工程で1000℃の水素気流
中で12時間予備還元し、酸素をモリブデンから除去す
る。
Subsequently, in a second step, the crude compact is pre-reduced for 12 hours in a hydrogen stream at 1000° C. to remove oxygen from the molybdenum.

第3工程で粗成形体を1700℃で1時間、水素を充て
んした真空溶解炉内で誘導加熱し、理論密度の98%の
密度に焼結する。
In the third step, the crude compact is induction heated at 1700° C. for 1 hour in a vacuum melting furnace filled with hydrogen, and sintered to a density of 98% of the theoretical density.

焼結したブロックを第4工程で放電加工により寸法5×
1×12frrrrlの小板に分割し、その表面を研磨
し九続く第6エ程で分割した小板を電解浴中で拡散促進
剤としての白金により厚さ1〜10μmに被覆する。
In the fourth step, the sintered block is processed by electrical discharge machining to create a size of 5×.
The platelets are divided into 1.times.12 frrrrrl platelets, the surface of which is polished, and in a sixth step, the divided platelets are coated with platinum as a diffusion promoter in an electrolytic bath to a thickness of 1 to 10 .mu.m.

被覆した小板を第7エ程で真空中またけ保護雰囲気中で
1300℃、数分間拡散焼鈍する。
In a seventh step, the coated platelets are placed under vacuum and diffusion annealed in a protective atmosphere at 1300 DEG C. for several minutes.

次に第8工程として小板を湿炭する。Next, in the eighth step, the small plates are wet carbonized.

そのため小板を1700℃で10分間ベンゾ−ルー水素
混合物にさらし、それによって白金層とモリブデン−酸
化ランタン心材の間に炭化モリブデン(Mo2C)層が
形成した。
For this purpose, the platelets were exposed to a benzo-hydrogen mixture at 1700 DEG C. for 10 minutes, whereby a molybdenum carbide (Mo2C) layer was formed between the platinum layer and the molybdenum-lanthanum oxide core.

この白金−酸化ランタンー炭化モリブデン−モリブデン
陰極で達成された電子放出電流密度と陰極温度の関係は
第1図に示される。
The relationship between the electron emission current density and cathode temperature achieved with this platinum-lanthanum oxide-molybdenum carbide-molybdenum cathode is shown in FIG.

第1図の曲線60部分はこの例により製造された陰極お
よび比較のため製造した拡散促進剤のない酸化ランタン
−炭化モリブデン−モリブデン陰極の電子放出電流密度
の経過を示す。
The curve 60 in FIG. 1 shows the course of the electron emission current density of the cathode produced according to this example and of the lanthanum oxide-molybdenum carbide-molybdenum cathode produced for comparison without diffusion promoter.

曲線部分6の範囲で両陰極の電子放出電流密度は同じで
ある。
The electron emission current densities of both cathodes are the same within the curve section 6.

1830’にの温度で曲線は2つの部分7と8に分れる
At a temperature of 1830' the curve splits into two parts 7 and 8.

曲線部分7は2150°にの温度以上で白金を含1ない
陰極の放出電流密度が曲線9によって示すモリブデン担
体の電流密度壕で低下することを示す。
Curve section 7 shows that above a temperature of 2150 DEG the emission current density of the platinum-free cathode decreases in the current density trench of the molybdenum support shown by curve 9.

白金−酸化ランタンー炭化モリブデン−モリブデン陰極
の放出電流密度は曲線部分8に従う。
The emission current density of the platinum-lanthanum oxide-molybdenum carbide-molybdenum cathode follows curve section 8.

すなわちこの陰極は粒界拡散の強化によって1830°
Kから2100°Kを超える温度範囲で比較陰極より著
しく高い電子放出電流密度を示す。
In other words, this cathode has an angle of 1830° due to enhanced grain boundary diffusion.
It exhibits a significantly higher electron emission current density than the comparative cathode in the temperature range from K to over 2100°K.

これは高温にかける強化された拡散−供給輸送お;よび
相応する蒸発速度のため平衡状態で安定したランタン単
原子層に帰せられる。
This is attributed to the lanthanum monolayer being stable in equilibrium due to enhanced diffusion-feed transport and corresponding evaporation rates subjected to high temperatures.

例2: この例では初め例1と同様に実施した。Example 2: This example was initially carried out in the same manner as Example 1.

例1と異ガリ第8工程すiわちペンゾールと水素による
浸炭を第6エ程すなわち白金メッキの前に行った。
Different from Example 1, the eighth step, carburizing with penzole and hydrogen, was carried out before the sixth step, platinum plating.

それによって達成された電子放出電流密度と温度の関係
は第1図の曲線部分6と8に相当した。
The relationship between electron emission current density and temperature thus achieved corresponds to curve sections 6 and 8 in FIG.

例3: モリブデン粉末を粒子サイズ0.5μmのLa2O32
重量%釦よびP1粉末0.5重量多と混合した。
Example 3: Molybdenum powder with particle size of 0.5μm La2O32
It was mixed with 0.5% by weight of P1 powder.

混合物を第1工程でアイソスタチックに3000バール
の圧力で粗成形体に圧縮した。
The mixture was compressed isostatically in a first step at a pressure of 3000 bar to give a compact.

第2工程で粗成形体を5時間、1000℃の水素気流中
で還元する。
In the second step, the crude compact is reduced for 5 hours in a hydrogen stream at 1000°C.

次に粗成形体を1600℃で1時間焼結し、理論密度の
99.8%の密度が得られた。
Next, the crude compact was sintered at 1600° C. for 1 hour to obtain a density of 99.8% of the theoretical density.

焼結したブロックから第4工程で放電加工により5XI
X12mの小板を分割した。
5XI is produced from the sintered block by electrical discharge machining in the fourth step.
A small plate of x12m was divided.

第5工程で小板を1700℃で10分間ベンゾ−ルー水
素混合物中で浸炭した。
In a fifth step, the platelets were carburized in a benzo-hydrogen mixture at 1700 DEG C. for 10 minutes.

この小板を陰極として達成された電子放出電流密度は同
様第1図に曲線部分6督よび8に示す値に相当する。
The electron emission current density achieved with this platelet as a cathode likewise corresponds to the values shown in curve sections 6 and 8 in FIG.

例4: 粒子サイズ1μmの高純度メンタル粉末を粒子サイズ0
.2μmのY2O3粉末2重量多と混合し、次に第1工
程で3000バールの圧力によりアイソスタチックに冷
間圧縮して粗成形体を得る。
Example 4: High purity mental powder with a particle size of 1 μm is converted into a particle size of 0.
.. It is mixed with 2 weights of 2 μm Y2O3 powder and then cold-pressed isostatically at a pressure of 3000 bar in a first step to obtain a rough compact.

焼結ブロックを形成するため第2工程で粗成形体を真空
下に2300℃で1時間焼結した。
In a second step, the crude compact was sintered under vacuum at 2300° C. for 1 hour to form a sintered block.

その際理論密度の89%の密度が得られた。A density of 89% of the theoretical density was obtained.

第3工程で放電加工により焼結ブロックから5XIX1
2間の小板を分割した。
5XIX1 from sintered block by electrical discharge machining in the third process
The platelets between the two were divided.

第4工程でこの小板をペンゾール−アルゴン混合物中で
1700℃、15分間浸炭した。
In a fourth step, the platelets were carburized in a penzole-argon mixture at 1700 DEG C. for 15 minutes.

その際小板の表面に炭化タンタル層が形成された。During this process, a tantalum carbide layer was formed on the surface of the platelets.

第5工程で小板に電解的に厚さ10μmのパラジウム層
を被覆した。
In a fifth step, the platelets were electrolytically coated with a 10 μm thick layer of palladium.

次の第6エ程で小板を真空下に1600℃で2時間焼鈍
し、その際パラジウムはメンタル内へ拡散した。
In a subsequent sixth step, the platelets were annealed under vacuum at 1600° C. for 2 hours, during which the palladium diffused into the mental.

こうして得られた拡散促進剤としてPdを有する酸化イ
ツトリウム−炭化タンタル−タンタル電極は第2図に曲
線部分14をもって示す放出電流密度を示した。
The thus obtained yttrium oxide-tantalum carbide-tantalum electrode with Pd as a diffusion promoter exhibited an emission current density shown by curved line 14 in FIG.

1970°に1での温度範囲で得られる曲線部分14に
よる電子放出電流密度は比較に使用する拡散促進剤なし
の酸化イツトリウム−炭化タンタル−メンタル電極と同
じ経過を示す。
The electron emission current density obtained with curve section 14 in the temperature range 1970 DEG exhibits the same behavior as the yttrium oxide-tantalum carbide mental electrode without diffusion promoter used for comparison.

曲線部分16はパラジウムを有する酸化イツトリウム炭
化タンタル−タンタル−パラジウム電極が1970°に
以上で高い電子放出電流密度を与えることを示す。
Curve section 16 shows that the yttrium oxide tantalum carbide-tantalum-palladium electrode with palladium gives high electron emission current density above 1970°.

それはパラジウムがこの温度範囲でイツトリウムの高い
蒸発速度にもかかわらず、パラジウムなしの電極に比し
て電極表面へのイツトリウムの大きい拡散供給によって
十分なイツトリウム単原子層を維持するからである。
This is because palladium maintains a sufficient yttrium monolayer in this temperature range despite the high evaporation rate of yttrium due to the greater diffuse supply of yttrium to the electrode surface compared to electrodes without palladium.

2200’に以上で初めてパラジウムを有する電極の電
子放出電流密度は低下し、純メンタルの放出曲線17と
等しくなる。
For the first time above 2200', the electron emission current density of the electrode with palladium decreases and becomes equal to the pure mental emission curve 17.

パラジウムなしの比較電極の場合、曲線部分15に示す
ように放出電流密度の飽和へ移行する活性剤欠乏はすで
に約1970°Kから始筐り、タンタルの放出曲線17
への低下は約2150°Kから始捷る。
In the case of the reference electrode without palladium, the activator depletion leading to the saturation of the emission current density begins already at about 1970°K, as shown in curve section 15, and the tantalum emission curve 17.
The drop in temperature begins at about 2150°K.

パラジウムを有する電極の飽和レベルはパラジウムなし
の場合の2倍以上である。
The saturation level of electrodes with palladium is more than twice that without palladium.

他の実験の結果、担体として使用する金属モリブデンお
よびメンタルをランタンおよびイツトリウムの化合物な
らびに拡散促進剤として使用する金属パラジウム、白金
、ロジウムおよびルテニウムと選択的に組合わせる場合
、原則的に促進剤なしで達成される電子放出電流密度の
改善が得られることが明らかになった。
Other experiments have shown that when selectively combining the metals molybdenum and mental used as supports with compounds of lanthanum and yttrium and the metals palladium, platinum, rhodium and ruthenium used as diffusion promoters, it is possible in principle to do without promoters. It has been found that an improvement in the achieved electron emission current density is obtained.

この種類の研究された陰極はすべて公知のトリウム−タ
ングステン陰極に相当する寿命を示した。
All studied cathodes of this type showed lifetimes comparable to known thorium-tungsten cathodes.

とくにモリブデン−ランタン陰極は線材への加工性が良
好であった。
In particular, the molybdenum-lanthanum cathode had good workability into wire rods.

この場合焼結体から出発し、これをハンマで固く叩き、
最後に線材に引くのが適当である。
In this case, start with a sintered body, pound it firmly with a hammer,
Finally, it is appropriate to draw it into a wire rod.

次の研究は担体における単原子層形成元素−化合物およ
び拡散促進剤の配置がどの程度に重要であるかの問題に
関する。
The next study concerns the question of how important the arrangement of monolayer-forming element-compounds and diffusion promoters in the carrier is.

これに関連して以下の実験が行われた。In this regard, the following experiments were conducted.

最初耐熱性金属よりなる担体の表面に単原子層形成元素
化合物を場合により還元剤とともに含む層をつくった。
First, a layer containing a monoatomic layer-forming elemental compound, optionally together with a reducing agent, was formed on the surface of a support made of a heat-resistant metal.

この上に外側層として拡散促進剤を被覆した。A diffusion promoter was coated on top of this as an outer layer.

したがって促進剤はとくに外層に含1れているにもかか
わらず、促進剤はその特殊な効果を深い層である程度発
揮する。
Therefore, although the accelerator is particularly contained in the outer layer, the accelerator exerts its special effect to some extent in the deeper layers.

それゆえ一般に拡散促進剤の陰極深層への浸入が必要で
ある。
Therefore, penetration of the diffusion enhancer into the deep layers of the cathode is generally necessary.

これけ例1で述べた陰極製造の際の拡散焼鈍によって達
成することができる。
This can be achieved by diffusion annealing during cathode production as described in Example 1.

第2図はとくに白金を含む外層を有する白金−酸化ラン
タンー炭化モリブデン−モリブデン型の陰極−線材の動
作開始状態にかける縦断面研磨像を100倍の倍率で示
し、第3図は2000’にで2000時間作動した後の
状態における相当する研磨像を200倍の倍率で示す。
In particular, Figure 2 shows a longitudinal cross-sectional polished image at 100x magnification of a platinum-lanthanum oxide-molybdenum carbide-molybdenum type cathode-wire having an outer layer containing platinum at a magnification of 100x. The corresponding polished image after 2000 hours of operation is shown at 200x magnification.

これからとくに拡散促進剤を含む外層の消耗したがって
この外層の貯蔵および保護機能が明らかである。
This clearly shows in particular the depletion of the outer layer containing the diffusion promoter and thus the storage and protective function of this outer layer.

第2の実験では担体の表面に拡散促進剤の層をつくり、
その上に単原子層形成元素化合物を配置したので、拡散
促進剤はとくに中間層に含1れている。
In the second experiment, a layer of diffusion enhancer was created on the surface of the carrier,
Since the monoatomic layer-forming element compound is placed thereon, the diffusion promoter is particularly contained in the intermediate layer.

この場合も一般に拡散促進剤の単原子層形成元素化合物
の層への侵入が必要である。
In this case as well, it is generally necessary for the diffusion promoter to penetrate into the layer of the monoatomic layer-forming elemental compound.

前記2つの場合、とくに拡散促進剤を含む層の形で、動
作中蒸発によって生ずる損失を補償しうる貯蔵量が利用
される。
In both cases, reserves are utilized, in particular in the form of a layer containing a diffusion promoter, which can compensate for losses caused by evaporation during operation.

第3の実験の場合、拡散促進剤は担体中に分散して配置
され、単原子層形成元素化合物はとくに外側層に配置さ
れた。
In the case of the third experiment, the diffusion promoter was arranged dispersedly in the carrier, and the monolayer-forming elemental compound was arranged especially in the outer layer.

第4実験の場合、単原子層形成元素化合物は担体中に分
散して配置され、拡散促進剤はとくに外側層に配置され
た。
In the case of the fourth experiment, the monoatomic layer-forming elemental compound was arranged dispersedly in the carrier, and the diffusion promoter was arranged especially in the outer layer.

2つの実験とくに後者はいくつかの製造技術上の利点を
示すけれど、一般に拡散促進剤を単原子層形成元素化合
物の範囲へ侵入させるための拡散焼鈍が必要である。
Although the two experiments, the latter in particular, exhibit some manufacturing technology advantages, they generally require a diffusion anneal to penetrate the diffusion promoter into the monoatomic layer-forming elemental compound.

第5実験の場合、活性剤も促進剤も分散して担体内に配
置した。
In the case of the fifth experiment, both the activator and the accelerator were dispersed and placed within the carrier.

この方式は材料加工の点で最適ということができる。This method can be said to be optimal in terms of material processing.

陰極の量的組成に関して次に単原子層形成元素化合物と
拡散促進剤の有利な含量範囲を決定した。
Regarding the quantitative composition of the cathode, then the advantageous content ranges of monolayer-forming elemental compounds and diffusion promoters were determined.

単原子層形成元素−化合物: 0.05〜10重量多 拡散促進剤: 0.01〜5重量多電子
放出電流密度、寿命および陰極材料の線材への加工性に
関する最適値は次のとむり示される:活性剤の化合物:
0.5〜3重量多 拡散促進剤:0,3〜0.6重量多 次に本発明の要旨および実施態様を列記する:1)単原
子層を形成する元素の化合物を含み、この化合物から単
原子層を形成する元素が陰極の動作状態で進行する供給
反応によって遊離される、とくに電子管用の熱電子放出
の高い反応陰極に釦いて、単原子層形成元素としてのイ
ツトリウムおよびランタンのうちの少なくとも1つの元
素の化合物、および拡散促進剤としてパラジウム、白金
、ロジウム、ルテニウムのうちの少なくとも1つの金属
を含むことを特徴とする反応陰極。
Monoatomic layer forming element/compound: 0.05 to 10 weight Multi-diffusion promoter: 0.01 to 5 weight Optimum values regarding multi-electron emission current density, lifetime, and processability of cathode material into wire rod are shown in the following column. Included: Activator compound:
0.5-3 weight multi-diffusion promoter: 0.3-0.6 weight multi-diffusion promoter The gist and embodiments of the present invention are listed below: 1) Contains a compound of an element forming a monoatomic layer, and from this compound The elements forming the monoatomic layer are liberated by the supply reaction that proceeds in the operating state of the cathode, especially for reaction cathodes with high thermionic emission for electron tubes. A reaction cathode characterized in that it contains a compound of at least one element and at least one metal among palladium, platinum, rhodium and ruthenium as a diffusion promoter.

2)単原子層形成元素としてのイツトリウムおよびラン
タンのうちの少なくとも1つの元素の酸化物を含む上記
1項の反応陰極。
2) The reaction cathode according to item 1 above, which contains an oxide of at least one element among yttrium and lanthanum as monoatomic layer forming elements.

3)単原子層形成元素の酸化物に対する陰極の動作温度
で有効な還元剤を含む上記2項の反応陰極。
3) The reaction cathode of item 2 above, which contains a reducing agent effective at the operating temperature of the cathode for oxides of monoatomic layer-forming elements.

4)還元剤として炭化物を含む上記3項の反応陰極。4) The reaction cathode of item 3 above, which contains a carbide as a reducing agent.

5)還元剤としてモリブデンおよびタンタルのうちの少
なくとも1つの金属の少なくとも1つの炭化物を含む上
記4項の反応陰極。
5) The reaction cathode according to item 4 above, which contains at least one carbide of at least one metal selected from molybdenum and tantalum as a reducing agent.

6)担体がモリブデンおよびタンタルのうちの少なくと
も1つの金属よりなる上記1〜5項の反応陰極。
6) The reaction cathode of items 1 to 5 above, wherein the carrier is made of at least one metal selected from molybdenum and tantalum.

7)拡散促進却カとくに陰極体の外側層に存在する上記
1〜6項の反応陰極。
7) A reaction cathode according to items 1 to 6 above, in which a diffusion promoting agent is present, particularly in the outer layer of the cathode body.

8)拡散促進剤が分散して陰極内に含1れている上記1
〜6項の反応陰極。
8) The above 1 in which the diffusion promoter is dispersed and contained in the cathode.
- Reaction cathode of item 6.

9)単原子層形成元素の化合物が分散して陰極内に含1
れている上記1〜8項の反応陰極。
9) A compound of a monoatomic layer-forming element is dispersed and contained in the cathode.
The reaction cathode of items 1 to 8 above.

10)単原子層形成元素の化合物0.2〜15重量多む
よび拡散促進剤0.01〜0.75重量多を含む上記1
〜9項の反応陰極。
10) The above-mentioned 1 containing 0.2-15% by weight of the monoatomic layer-forming element compound and 0.01-0.75% by weight of the diffusion promoter.
- Reaction cathode of item 9.

11)単原子層形成元素の化合物を最高3重量多音む上
記10項の反応陰極。
11) The reaction cathode according to item 10 above, containing a compound of a monoatomic layer-forming element of up to 3 weights.

12)拡散促進剤を少なくとも0.25重量優含む上記
10項の反応陰極。
12) The reaction cathode of item 10 above, containing at least 0.25% by weight of a diffusion promoter.

13)拡散促進剤を最高0.6重量多音む上記10項項
の反応陰極。
13) The reaction cathode of item 10 above containing a diffusion promoter of up to 0.6 weight.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は電子放出電流密度と温変の関係を示す図、第2
図は白金外層を有する白金−酸化ランタンー炭化モリブ
デン−モリブデン型陰極−線材の動作初期の100倍の
縦断面図、第3図は第2図陰極が2000°にで200
0時間動作した後の200倍縦断面図である。
Figure 1 shows the relationship between electron emission current density and temperature change, Figure 2 shows the relationship between electron emission current density and temperature change.
The figure is a 100 times vertical cross-sectional view of a platinum-lanthanum oxide-molybdenum carbide-molybdenum type cathode wire with a platinum outer layer at the initial stage of operation.
It is a 200x vertical cross-sectional view after operating for 0 hours.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 単原子層を形成する元素の化合物を含み、この化合
物から単原子層を形成する元素が陰極の動作状態で進行
する供給反応によって遊離される、とくに電子管用の熱
電子放出の高い反応陰極において、単原子層形成元素と
してのイツトリウムおよびランタンのうちの少なくとも
1つの元素の化合物、釦よび拡散促進剤としてパラジウ
ム、白金、ロジウム、ルテニウムのうちの少なくとも1
つの金属を含むことを特徴とする反応陰極。
1 Contains a compound of an element forming a monoatomic layer, from which the element forming the monoatomic layer is liberated by a supply reaction that proceeds in the operating state of the cathode, especially in a reaction cathode with high thermionic emission for an electron tube. , a compound of at least one element among yttrium and lanthanum as a monoatomic layer-forming element, at least one of palladium, platinum, rhodium, and ruthenium as a button and a diffusion promoter.
A reaction cathode characterized by containing two metals.
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