JPS5825234A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
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- JPS5825234A JPS5825234A JP56124319A JP12431981A JPS5825234A JP S5825234 A JPS5825234 A JP S5825234A JP 56124319 A JP56124319 A JP 56124319A JP 12431981 A JP12431981 A JP 12431981A JP S5825234 A JPS5825234 A JP S5825234A
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- JP
- Japan
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- exposure
- pattern
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウニノ−などの基板面に所定形状のレジ
ストパターンを形成する方法に関するもものである。
ストパターンを形成する方法に関するもものである。
各種デバイス、主に半導体装置の高密度化、高集積化に
伴ない、パターン寸法の微細化が要求されている。半導
体装置製造工程において各種薄膜を所定のパターン形状
にエツチング処理するためのエツチングマスクの微細化
が重要な課題となっている。このエツチングマスクは１
通常有機ポリマーレジストに所定形状のマスクパターン
を光転写し、現像処理を行うことによシ形成される。
伴ない、パターン寸法の微細化が要求されている。半導
体装置製造工程において各種薄膜を所定のパターン形状
にエツチング処理するためのエツチングマスクの微細化
が重要な課題となっている。このエツチングマスクは１
通常有機ポリマーレジストに所定形状のマスクパターン
を光転写し、現像処理を行うことによシ形成される。
なお、光転写の方法として従来は、マスクと半導体ウェ
ハーを密着させ、紫外光により一括転写する方法が主流
であった。その後半導体ウェハーが大口径化し、半導体
装置の高密度化、高集積化に伴ないチップ面積も大型化
し、パターン寸法の微細化が進み光転写方法も密着露光
方式から反射投影型露光方式さらに縮小投影型露光方式
へと移行しつつある。
ハーを密着させ、紫外光により一括転写する方法が主流
であった。その後半導体ウェハーが大口径化し、半導体
装置の高密度化、高集積化に伴ないチップ面積も大型化
し、パターン寸法の微細化が進み光転写方法も密着露光
方式から反射投影型露光方式さらに縮小投影型露光方式
へと移行しつつある。
しかし光を使用した露光方式では、使用する光の波長の
関係で１μｍ程度の解像力を得るのが限界である。この
ため、遠紫外光を用いた露光方式や電子ビームによるウ
ェハー直接露光方式、Ｘ線を使用した露光方式が検討さ
れているがいずれも実用段階には至っていない。
関係で１μｍ程度の解像力を得るのが限界である。この
ため、遠紫外光を用いた露光方式や電子ビームによるウ
ェハー直接露光方式、Ｘ線を使用した露光方式が検討さ
れているがいずれも実用段階には至っていない。
本発明は、２〜３μｍルールデバイスの主流といわれる
縮小投影型露光方式を用い、同一マスクを半導体ウェハ
ー等の基板上でシフトさせて２回以上露光処理を行うこ
とによ９１μｍ以下の微細レジストパターンを精度良く
形成しようとするものである。
縮小投影型露光方式を用い、同一マスクを半導体ウェハ
ー等の基板上でシフトさせて２回以上露光処理を行うこ
とによ９１μｍ以下の微細レジストパターンを精度良く
形成しようとするものである。
以下に１本発明の方法により微細レジストパターンを形
成する場合について実施例の断面図を参照しつつ説明す
る。
成する場合について実施例の断面図を参照しつつ説明す
る。
まず第１図に示すように、シリコン基板１上に厚さ約１
μｍのポジ型フォトレジスト２を形成・シたものを準備
する。このレジスト２のうちｄで示す部分が最終的に残
したい部分である。このシリコン基板１に縮小投影型露
光装置で所定パターンを転写する。
μｍのポジ型フォトレジスト２を形成・シたものを準備
する。このレジスト２のうちｄで示す部分が最終的に残
したい部分である。このシリコン基板１に縮小投影型露
光装置で所定パターンを転写する。
第２図はパターン転写後の様子を示す図であり図中３は
紫外光により分離し、アルカリ可溶になったレジスト部
分である。その後、シリコン基板２を露光ｉｔより取出
すことなく露光位置を第１露光位置より所定寸法（たと
えば１μｍ以下の寸法）シフトさせ上記と同一のパター
ンを転写する。
紫外光により分離し、アルカリ可溶になったレジスト部
分である。その後、シリコン基板２を露光ｉｔより取出
すことなく露光位置を第１露光位置より所定寸法（たと
えば１μｍ以下の寸法）シフトさせ上記と同一のパター
ンを転写する。
この時のシフト量の精度は、縮小投影型露光装置のステ
ージ精度で決定されるが、本装置のステージ精度は０．
０６μｍ以下と高精度である。第３図に２度目め露光後
のレジスト状態を示す。図中４は２度目の露光により光
分解しアルカリ可溶となっタレシスト部分を示す。この
後、シリコン基板を露光装置よシ欧り出し、現像処理を
行う。
ージ精度で決定されるが、本装置のステージ精度は０．
０６μｍ以下と高精度である。第３図に２度目め露光後
のレジスト状態を示す。図中４は２度目の露光により光
分解しアルカリ可溶となっタレシスト部分を示す。この
後、シリコン基板を露光装置よシ欧り出し、現像処理を
行う。
第４図に現像処理後のレジスト断面を示す。この現像処
理では二度の露光処理によっても光照射がなされなかっ
た部分を残し他の全てのレジストの露光作業によシ得ら
れるパターンに比較して非常に寸法精度の良いものであ
った。又本実施例でハホシ型フォトレジストを使用した
がネガ型フォトレジストにおいても同様の効果をうろこ
とができる。
理では二度の露光処理によっても光照射がなされなかっ
た部分を残し他の全てのレジストの露光作業によシ得ら
れるパターンに比較して非常に寸法精度の良いものであ
った。又本実施例でハホシ型フォトレジストを使用した
がネガ型フォトレジストにおいても同様の効果をうろこ
とができる。
なお、マスクの移動は一方向ならびにこれと直角の方向
に任意に動かすことができ、高精度に様々なフォトレジ
ストパターンを形成することができる。
に任意に動かすことができ、高精度に様々なフォトレジ
ストパターンを形成することができる。
以上説明してきたように、本発明の方法により半導体基
板上に形成されたレジストノ（ターンは通常の露光によ
シ得られるレジストノ（ターンに比較して精度が良く、
シかも再現性の良いものである。
板上に形成されたレジストノ（ターンは通常の露光によ
シ得られるレジストノ（ターンに比較して精度が良く、
シかも再現性の良いものである。
また本発明の方法によれば微小寸法のレジストパターン
を容易に得ることができるとともに、露光位置のシフト
量を自由に制御できることから種々の寸法を持つレジス
トパターンを任意に得られるすぐれた効果を発揮するこ
とができる。
を容易に得ることができるとともに、露光位置のシフト
量を自由に制御できることから種々の寸法を持つレジス
トパターンを任意に得られるすぐれた効果を発揮するこ
とができる。
以上１本発明を半導体基板上へのレジストノ（ターンの
形成を例に説明したのであるが、本発明の方法は他の基
板上へのレジストノ（ターンの形成にも適用できること
勿論である。また、第２の露光処理も１回である必要は
なく、２回以上であってもよい。
形成を例に説明したのであるが、本発明の方法は他の基
板上へのレジストノ（ターンの形成にも適用できること
勿論である。また、第２の露光処理も１回である必要は
なく、２回以上であってもよい。
第１〜第４図は本発明の一実施例にかかるレジストパタ
ーンの形成工程断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・ポジ型フ
ォトレジストｈ３・・・・・・第１露光により感光され
たフォトレジスト部分、４・・・・・・第２露光により
感光されたフォトレジスト部分。
ーンの形成工程断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・ポジ型フ
ォトレジストｈ３・・・・・・第１露光により感光され
たフォトレジスト部分、４・・・・・・第２露光により
感光されたフォトレジスト部分。
Claims (2)
- （１）基板面に被着したフォトレジスト膜に露光マスク
を介して縮小投影露光法でパタンを形成するに際し、前
記基板面の１位置に露光マスクを整合して露光を行う第
１の露光処理を施したのち前記位置から前記露光マスク
を所定寸法シフトさせて露光を行う第２の露光処理を施
し、こののち現像処理を施すことを特徴とするレジスト
パターンの形成方法。 - （２）第２の露光処理が、露光マスクの平行シフトと露
光とからなるステップを２回以上含んでいることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載のレジストパターン
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56124319A JPS5825234A (ja) | 1981-08-08 | 1981-08-08 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56124319A JPS5825234A (ja) | 1981-08-08 | 1981-08-08 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5825234A true JPS5825234A (ja) | 1983-02-15 |
Family
ID=14882385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56124319A Pending JPS5825234A (ja) | 1981-08-08 | 1981-08-08 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5825234A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358825A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Sony Corp | パタ−ン形成方法 |
-
1981
- 1981-08-08 JP JP56124319A patent/JPS5825234A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358825A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Sony Corp | パタ−ン形成方法 |
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