JPS5824517B2 - 直流電解による連続コイルアルマイトの片面専用処理装置 - Google Patents
直流電解による連続コイルアルマイトの片面専用処理装置Info
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- JPS5824517B2 JPS5824517B2 JP55042947A JP4294780A JPS5824517B2 JP S5824517 B2 JPS5824517 B2 JP S5824517B2 JP 55042947 A JP55042947 A JP 55042947A JP 4294780 A JP4294780 A JP 4294780A JP S5824517 B2 JPS5824517 B2 JP S5824517B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は連続コイルアルマイトの片面だけを直流電解に
よって処理する片面専用処理装置に係る。
よって処理する片面専用処理装置に係る。
第1図Aにより従来の両面アルマイトの電解槽内におけ
る電流e′の流れ方と、被処理物(シート)S′に対す
る陽極酸化皮膜(アルマイト膜)H/の出来具合の説明
図である。
る電流e′の流れ方と、被処理物(シート)S′に対す
る陽極酸化皮膜(アルマイト膜)H/の出来具合の説明
図である。
通常的に(1)に架電された被処理物S′を、電解液中
で(→架電の各電極F1間に挟設した状況では電流e′
が矢印のごとく流れるが、この場合端部に電流集中が生
じ生成被膜も端部が厚くなる。
で(→架電の各電極F1間に挟設した状況では電流e′
が矢印のごとく流れるが、この場合端部に電流集中が生
じ生成被膜も端部が厚くなる。
ただし、鍍金の場合は被処理物と電極との梨型々位(1
)、(→が入れ換った形となるが、電解現象は同様であ
る。
)、(→が入れ換った形となるが、電解現象は同様であ
る。
第1図Bは被処理物S′をH梨型電極F、と(イ)梨型
電極F2に挟んだ状況における電流e′の流れ方と被処
理物S′の表面に発生するアルマイト膜H′の説明図で
ある。
電極F2に挟んだ状況における電流e′の流れ方と被処
理物S′の表面に発生するアルマイト膜H′の説明図で
ある。
この場合は後記する本発明の電解槽内における電極配置
と共通であるが、マスクセパレーターやスリット板等に
よる対策がきられていない場合を示している。
と共通であるが、マスクセパレーターやスリット板等に
よる対策がきられていない場合を示している。
即ち(罰、(ハ)の電極間に発生する電流e′は被処理
物S′の周囲を迂回して電解液中を流れる部分(リーク
電流−ロス電流) e /が非常に大きく、電解効率は
極端に低くなり、被処理物表面の端面部における生成皮
膜は殆んど出来なくなる。
物S′の周囲を迂回して電解液中を流れる部分(リーク
電流−ロス電流) e /が非常に大きく、電解効率は
極端に低くなり、被処理物表面の端面部における生成皮
膜は殆んど出来なくなる。
この現象は電解液種による固有抵抗値と被処理物表面で
必要とされる分極電圧値との関係において決定的要因と
なる。
必要とされる分極電圧値との関係において決定的要因と
なる。
アルマイト処理における電解液は導電性の良いものが多
く、ロス電流が発生し易いのが通常である。
く、ロス電流が発生し易いのが通常である。
第1図C1第1図りは第1図Bに示す極性配置の電解特
性に対して従来使用されて来たやり方で、被処理物の端
部に集中し易い電流に対して邪魔物を設けることにより
、電流密度を加減して皮膜生成のムラを排する場合の説
明図である。
性に対して従来使用されて来たやり方で、被処理物の端
部に集中し易い電流に対して邪魔物を設けることにより
、電流密度を加減して皮膜生成のムラを排する場合の説
明図である。
即ち、第1図Cでは鍍金時における被処理物Spを挟ん
で(1)梨型の極F2を配置した場合、コ形M面の遮蔽
板M1 により電極F2面の有効作用面を加減すると共
に、被処理物Spの端部を囲むように蔽うことにより集
中現象(e /は発生電流の流れ)の緩和を計るもので
ある。
で(1)梨型の極F2を配置した場合、コ形M面の遮蔽
板M1 により電極F2面の有効作用面を加減すると共
に、被処理物Spの端部を囲むように蔽うことにより集
中現象(e /は発生電流の流れ)の緩和を計るもので
ある。
第1図りでは遮蔽板M2の断面形状をY字状に替えたも
ので、前者M1 と同様な効果を目的としている。
ので、前者M1 と同様な効果を目的としている。
このような程度のものを第1図Bのどとき極配置のもの
に適用した時、前述のe′を減らすためには被処理物S
pの端部と遮蔽板M1又はM2 とは殆んど摺接させな
ければ、隙間(遮蔽板と被処理物との隙間)から電流e
′が洩れ、その背中側(外側から槽壁までの間にも連続
して分割板が必要きなり、又連続コイルの進行前層方向
にもリーク電流が生じるため、この防止対策も追加の必
要がある。
に適用した時、前述のe′を減らすためには被処理物S
pの端部と遮蔽板M1又はM2 とは殆んど摺接させな
ければ、隙間(遮蔽板と被処理物との隙間)から電流e
′が洩れ、その背中側(外側から槽壁までの間にも連続
して分割板が必要きなり、又連続コイルの進行前層方向
にもリーク電流が生じるため、この防止対策も追加の必
要がある。
このため同一電解槽内に(l−)H両極を対向配設する
形式のものでは、高効率のものは得られない状況にあっ
た。
形式のものでは、高効率のものは得られない状況にあっ
た。
そのため第1図に示すような連続コイルの前層方向に給
電槽、電解槽を配設したものが従来の主体であった。
電槽、電解槽を配設したものが従来の主体であった。
第1図、第2図、第3図により現在使用の連続コイルア
ルマイト片面処理装置の欠点を説明する。
ルマイト片面処理装置の欠点を説明する。
同処理装置は給電槽A/(電解液1′が満されている)
、槽間槽B′電解槽C/(電解液2′が満されている)
からなり、3′はスリット板、4′は前記電解液1′中
に設置した両面給電々極、5′は電解液2′中に設置さ
れた2つの片面電解電極、S′はAl又はA1合金のコ
イルシートの被処理物で、同被処理物S′は一対の押込
ロール6′により前記給電々極4′間から槽間槽両側の
スリット板3′のスリットを経て、電解電極5′の下面
側を通って移送される。
、槽間槽B′電解槽C/(電解液2′が満されている)
からなり、3′はスリット板、4′は前記電解液1′中
に設置した両面給電々極、5′は電解液2′中に設置さ
れた2つの片面電解電極、S′はAl又はA1合金のコ
イルシートの被処理物で、同被処理物S′は一対の押込
ロール6′により前記給電々極4′間から槽間槽両側の
スリット板3′のスリットを経て、電解電極5′の下面
側を通って移送される。
f′は第1の電解電源で配線a′により給電々極4′と
初めの電解電極5′に接続し、■′は第2の電解電源で
配線b′により同じく給電々極4′と次の電解電極5′
に接続している。
初めの電解電極5′に接続し、■′は第2の電解電源で
配線b′により同じく給電々極4′と次の電解電極5′
に接続している。
直流電解による陽極酸化皮膜処理(アルマイト処理)時
の電流の流れは、 電解電源I′、■′→配線a′、b′→給電々極(イ)
4′→電解液1′→給電槽A′内の被処理物S′→電解
槽C′内の被処理物S′→電解液2′→電解電極5′→
配線a′、b′→電解電源r/、n/と流れ、被処理物
S′は給電槽A′において電源I/、n/により(1)
に梨型されている給電々極4′間を通る間に(1)に梨
型され、それが槽間槽B′(通電中間部)を経て電解槽
C′に導入され、電解液2′中に設置の(→梨型の2つ
の片面電解電極5′の下面側を通過する間に、被処理物
S′の上面にのみアルマイト皮膜H/(第3図参照)を
形成しようとするものである。
の電流の流れは、 電解電源I′、■′→配線a′、b′→給電々極(イ)
4′→電解液1′→給電槽A′内の被処理物S′→電解
槽C′内の被処理物S′→電解液2′→電解電極5′→
配線a′、b′→電解電源r/、n/と流れ、被処理物
S′は給電槽A′において電源I/、n/により(1)
に梨型されている給電々極4′間を通る間に(1)に梨
型され、それが槽間槽B′(通電中間部)を経て電解槽
C′に導入され、電解液2′中に設置の(→梨型の2つ
の片面電解電極5′の下面側を通過する間に、被処理物
S′の上面にのみアルマイト皮膜H/(第3図参照)を
形成しようとするものである。
電解液2′中において被処理物S′が(1)、対極つま
り電解電極5′が(→に梨型されてアルマイト皮膜を形
成する点においては、アルマイト皮膜を形成する基本的
条件にン合致しているが、この場合片面処理(片面皮膜
)のため電解電極5′も片面側(この場合は上側)にの
み配置されて電解処理を行うもので、この時電流は第3
図に示す矢印e′の方向に流れているが、第2図にも示
す通り処理不要の裏面(下側)・からもf′で示すよう
に一部の電流がリーク電流として電解液中を迂回して流
れ、このため下面の1部にもH“のように電解処理がな
され、(a)結果的には部分的な両面処理(アルマイト
皮膜形成)がなされてしまう欠点があった。
り電解電極5′が(→に梨型されてアルマイト皮膜を形
成する点においては、アルマイト皮膜を形成する基本的
条件にン合致しているが、この場合片面処理(片面皮膜
)のため電解電極5′も片面側(この場合は上側)にの
み配置されて電解処理を行うもので、この時電流は第3
図に示す矢印e′の方向に流れているが、第2図にも示
す通り処理不要の裏面(下側)・からもf′で示すよう
に一部の電流がリーク電流として電解液中を迂回して流
れ、このため下面の1部にもH“のように電解処理がな
され、(a)結果的には部分的な両面処理(アルマイト
皮膜形成)がなされてしまう欠点があった。
又、第1図乃至第3図々示の現行装置においては、アル
マイト処理に必要な電流は被処理物S′中を縦方向(処
理ラインセンターに平行)に流れて電解槽C′中に至り
、同電解槽C′で皮膜が形成される。
マイト処理に必要な電流は被処理物S′中を縦方向(処
理ラインセンターに平行)に流れて電解槽C′中に至り
、同電解槽C′で皮膜が形成される。
給電槽A′部分と電解槽07部分がタンデム配列となり
、両者A′、e′の分離にストリット板3′或は槽間槽
B′部分が設けられている。
、両者A′、e′の分離にストリット板3′或は槽間槽
B′部分が設けられている。
(b)即ち、現行装置は処理ライセンターに平行の縦方
向分割が基本となっているため、槽構造から言ってスペ
ースが大きくなる等の欠点があった。
向分割が基本となっているため、槽構造から言ってスペ
ースが大きくなる等の欠点があった。
本発明は上記現行装置の欠点を除去することを目的とし
、電解槽内の電解液中に(1)給電々極と(→電解電極
を平行平面状に対極させ、同対極間を通過する連続帯状
被処理物の進行方向に対極に対してスリット板を近接さ
せて設けると共に、そのスリット部から連続して被処理
物の両側端耳部に並行接近した状態にマスクセパレータ
ーを平面状に配置して被処理物の表裏を別々に囲んで区
画し、マスクセパレーターの先端溝部と両側耳部との間
隙は約1nm程度、同区画を電気的に独立させることに
より被処理物内を流れる電解電流を表裏方向に流し、ス
リット板とマスクセパレーターによりリーク電流を防止
して、連続コイルアルマイトの片面のみを処理するよう
にしたものである。
、電解槽内の電解液中に(1)給電々極と(→電解電極
を平行平面状に対極させ、同対極間を通過する連続帯状
被処理物の進行方向に対極に対してスリット板を近接さ
せて設けると共に、そのスリット部から連続して被処理
物の両側端耳部に並行接近した状態にマスクセパレータ
ーを平面状に配置して被処理物の表裏を別々に囲んで区
画し、マスクセパレーターの先端溝部と両側耳部との間
隙は約1nm程度、同区画を電気的に独立させることに
より被処理物内を流れる電解電流を表裏方向に流し、ス
リット板とマスクセパレーターによりリーク電流を防止
して、連続コイルアルマイトの片面のみを処理するよう
にしたものである。
以下、本発明を第4図乃至第9図に示された実施例に基
いて説明する。
いて説明する。
第1の実施例(第4図乃至第1図参照)
第4図は本発明装置の概略縦断正面図、第5図は第4図
のY−Y線に沿った矢視方向側断面図で給電槽と電解槽
は同居している形(槽間槽が無いになっており、1つの
電解槽C中に電解液10が満たされている。
のY−Y線に沿った矢視方向側断面図で給電槽と電解槽
は同居している形(槽間槽が無いになっており、1つの
電解槽C中に電解液10が満たされている。
SはA[又はA1合金コイルシートなる被処理物、11
,12は同被処理物Sの押込ロール、13はスリット板
、14a、14bは上記スリット板13とマスクセパレ
ーター2021で夫々隔離されて電解液10中に浸漬設
置した給電々極(1)、15a、15bは前記給電々極
と同様に隔離設置された電解電極(→であり、上記給電
々極14aと電解電極15a及び給電々極14bと電解
電極15bは夫々対極をなし、上記スリット板13のス
リット部と対極間を被処理物Sが通過する。
,12は同被処理物Sの押込ロール、13はスリット板
、14a、14bは上記スリット板13とマスクセパレ
ーター2021で夫々隔離されて電解液10中に浸漬設
置した給電々極(1)、15a、15bは前記給電々極
と同様に隔離設置された電解電極(→であり、上記給電
々極14aと電解電極15a及び給電々極14bと電解
電極15bは夫々対極をなし、上記スリット板13のス
リット部と対極間を被処理物Sが通過する。
前記対極に対して設けられたスリット板13は、そのス
リット部と被処理物Sとの間隙を数mm以内にきわめて
近接させて設置すると共に、上記スリット部から連続し
て被処理物Sの両側端耳部に並行接近した状態で、マス
クセパレーター20.21(槽壁まで平面状に延長され
ている)を配置している。
リット部と被処理物Sとの間隙を数mm以内にきわめて
近接させて設置すると共に、上記スリット部から連続し
て被処理物Sの両側端耳部に並行接近した状態で、マス
クセパレーター20.21(槽壁まで平面状に延長され
ている)を配置している。
そして両側端耳部と被処理物の厚さ方向の間隙を約1m
m程度、かつ耳部への嵌り込みの深さを通板機能の精度
と関連して数mm以内として、上記マスクセパレータ2
0.21を平面状に配置して被処理物Sの表裏を別々に
各電極の電場を囲んで区画しており、同区画を電気的に
独立させることにより被処理物S内を流れる電解電流を
表裏方向に流し、被処理物Sの両側端耳部分(左右の横
方向)から洩れる(第5図にして示す部分)リーク電流
の流れを上記被処理物へ近接設置したスリット板13と
、同じく両側端耳部へ近接設置したマスクセパレーター
20.21により防止するようになっている。
m程度、かつ耳部への嵌り込みの深さを通板機能の精度
と関連して数mm以内として、上記マスクセパレータ2
0.21を平面状に配置して被処理物Sの表裏を別々に
各電極の電場を囲んで区画しており、同区画を電気的に
独立させることにより被処理物S内を流れる電解電流を
表裏方向に流し、被処理物Sの両側端耳部分(左右の横
方向)から洩れる(第5図にして示す部分)リーク電流
の流れを上記被処理物へ近接設置したスリット板13と
、同じく両側端耳部へ近接設置したマスクセパレーター
20.21により防止するようになっている。
■は第1の電解電源、■は第2の電解電源で、同電源I
、lは配線イ22ロ、ハ介して給電々極14a、14b
に接続し、又配線イ、二、ホを介して電解電極15a、
15bに接続されている。
、lは配線イ22ロ、ハ介して給電々極14a、14b
に接続し、又配線イ、二、ホを介して電解電極15a、
15bに接続されている。
直流電解による陽極酸化皮膜を形成するための通電順序
は、 電解電源1、l→配線イ2口、ハ→(1)給電々極14
a、14b→電解液10→被処理物Sの下面給電側→被
処理物S内(上面電解側に向って)→電解液io−+=
電解電極15a、15b−+配線二。
は、 電解電源1、l→配線イ2口、ハ→(1)給電々極14
a、14b→電解液10→被処理物Sの下面給電側→被
処理物S内(上面電解側に向って)→電解液io−+=
電解電極15a、15b−+配線二。
ホ、イ→電解電源■、H
となる。
即ち、最初の押込ロール11により電解槽Cの電解液1
0中に入った被処理物Sは、同電解液10中に設置され
た最初の下側(イ)給電々極14aと上側の(→電解電
極15a間を通過する時、下側の(イ)給電々極14a
によって(イ)に梨型(電流は矢印e方向に流れる)さ
れ、その(1)被処理物Sと上側の(→電解電極15a
によって初期電解処理され、第6図のように被処理物S
の上面側にアルマイト皮膜Hが形成され、続いて次の(
イ)給電々極14bど(へ)電解電極15b間を通過す
る間に、上記同様の給電電解作用によるアルマイト皮膜
Hは次第に厚さを増してゆく。
0中に入った被処理物Sは、同電解液10中に設置され
た最初の下側(イ)給電々極14aと上側の(→電解電
極15a間を通過する時、下側の(イ)給電々極14a
によって(イ)に梨型(電流は矢印e方向に流れる)さ
れ、その(1)被処理物Sと上側の(→電解電極15a
によって初期電解処理され、第6図のように被処理物S
の上面側にアルマイト皮膜Hが形成され、続いて次の(
イ)給電々極14bど(へ)電解電極15b間を通過す
る間に、上記同様の給電電解作用によるアルマイト皮膜
Hは次第に厚さを増してゆく。
上記の状態が持続すると、前に現在装置について述べた
ように被処理物Sの処理不要の裏面(下側)から一部の
電流がリーク電流として流れると、第3図のH“が加わ
り部分的な両面処理(アルマイト皮膜形成)がなされて
しまうが、本発明においては被処理物の左右横方向に対
しては第5図、第7図のごとく電解槽C内において押込
ロール11から押込ロール12側へ押込まれる被処理物
Sの左右両側端耳部に僅かの間隔をおいて対接し夫々そ
の耳部分を囲むようにマスクセパレーター20.21を
配設しており、又前層長手方向には第4図に示すごとく
被処理物Sの進行方向に配置した15a、15b、14
a、14bの各電極の前后夫々を電気的に独立させるよ
うに囲んだ状態(電解液を通じて相互に導通してしまわ
ない状態)にマスクセパレーターによりセパレートして
いるので、被処理物Sの裏面から前厄左右の端部を通っ
て上面側へ洩れ出ようとするリーク電流を防止でき、被
処理物Sの上面のみにアルマイト皮膜が形成されること
になる。
ように被処理物Sの処理不要の裏面(下側)から一部の
電流がリーク電流として流れると、第3図のH“が加わ
り部分的な両面処理(アルマイト皮膜形成)がなされて
しまうが、本発明においては被処理物の左右横方向に対
しては第5図、第7図のごとく電解槽C内において押込
ロール11から押込ロール12側へ押込まれる被処理物
Sの左右両側端耳部に僅かの間隔をおいて対接し夫々そ
の耳部分を囲むようにマスクセパレーター20.21を
配設しており、又前層長手方向には第4図に示すごとく
被処理物Sの進行方向に配置した15a、15b、14
a、14bの各電極の前后夫々を電気的に独立させるよ
うに囲んだ状態(電解液を通じて相互に導通してしまわ
ない状態)にマスクセパレーターによりセパレートして
いるので、被処理物Sの裏面から前厄左右の端部を通っ
て上面側へ洩れ出ようとするリーク電流を防止でき、被
処理物Sの上面のみにアルマイト皮膜が形成されること
になる。
第2の実施例(第8図、第9図参照)
この実施例は給電槽と電解槽が同居した形式である事は
第1実施例と同じであるが、前例において被処理物を水
平方向に移送してアルマイト処理したものを、縦方向に
繰返し曲折蛇行させてアルマイト処理を行うものである
。
第1実施例と同じであるが、前例において被処理物を水
平方向に移送してアルマイト処理したものを、縦方向に
繰返し曲折蛇行させてアルマイト処理を行うものである
。
1つの電解槽C内の電解液10中には相互等間隔の4本
の給電々極14a、14b、14c、14dが縦方向に
並列して浸漬されており、同各給電々極は配線を介して
第1、第2の電解電源I、■か6(−1−)の電気が架
電される。
の給電々極14a、14b、14c、14dが縦方向に
並列して浸漬されており、同各給電々極は配線を介して
第1、第2の電解電源I、■か6(−1−)の電気が架
電される。
文旦いに隣接する給電々極14aと14b及び14bと
14c及び14cと14dの中間には夫々電解電極15
a、15b、15cが図示のごとく挿入設置され、前記
各電解電源I。
14c及び14cと14dの中間には夫々電解電極15
a、15b、15cが図示のごとく挿入設置され、前記
各電解電源I。
■から(→の電気が架電される。
被処理物Sは押込ロール11により上記各給電々極と電
解電極で形成する各対極間を通過移送される。
解電極で形成する各対極間を通過移送される。
通電順序、アルマイト処理作用並びにスリット板13と
被処理物Sの関係、両側端耳部とマスクセパレーターの
関係、スリット板13とマスクセパレーター2021に
よりリーク電流の流れを防止する点は第1実施例の場合
と同じである。
被処理物Sの関係、両側端耳部とマスクセパレーターの
関係、スリット板13とマスクセパレーター2021に
よりリーク電流の流れを防止する点は第1実施例の場合
と同じである。
要するに本発明は電解液が満たされている電解槽内にお
いて(1)の電気を架電する給電電極と、(へ)の電気
が架電される電解電極を平行平面状に対極させ、同対極
間を通過する連続帯状の被処理物の進行方向に、上記対
極に対して夫々スリット板を、そのスリット部と被処理
物との間隙を数mm以内に近接配設して仕切ると共に、
上記スリット部から連続して被処理物の両側端耳部に、
先端溝部を上記耳部と被処理物の厚さ方向の間隙は約1
關程度、かつ耳部への嵌り込みの深さは通板機能の精度
と関:連して数mvt以内にしてマスクセパレーターを
平面状に配置して被処理物の表裏を別々に各電極の電場
を囲むように区画せしめ、同区画部を電気的に独立させ
ることにより上記被処理物内を流れる電解電流を表裏方
向に流すことを特徴とする直流電解による連続コイルア
ルマイトの片面専用処理装置である。
いて(1)の電気を架電する給電電極と、(へ)の電気
が架電される電解電極を平行平面状に対極させ、同対極
間を通過する連続帯状の被処理物の進行方向に、上記対
極に対して夫々スリット板を、そのスリット部と被処理
物との間隙を数mm以内に近接配設して仕切ると共に、
上記スリット部から連続して被処理物の両側端耳部に、
先端溝部を上記耳部と被処理物の厚さ方向の間隙は約1
關程度、かつ耳部への嵌り込みの深さは通板機能の精度
と関:連して数mvt以内にしてマスクセパレーターを
平面状に配置して被処理物の表裏を別々に各電極の電場
を囲むように区画せしめ、同区画部を電気的に独立させ
ることにより上記被処理物内を流れる電解電流を表裏方
向に流すことを特徴とする直流電解による連続コイルア
ルマイトの片面専用処理装置である。
即ち、本発明にあっては(1)現行装置に比し、給電槽
と電解槽は同居しており、被処理物を挟んだ形で両者が
電気的に分離される形となっており、電流は被処理物の
裏から表へ(横方向)流れる。
と電解槽は同居しており、被処理物を挟んだ形で両者が
電気的に分離される形となっており、電流は被処理物の
裏から表へ(横方向)流れる。
つまり被処理物内を通過する電流は横方向(裏から表)
であるから、通電距離が最短であり、従つ。
であるから、通電距離が最短であり、従つ。
て電気抵抗によるロス分が最少である。
(11)電気は被処理物中を縦方向(処理ラインセンタ
ーに平行)に流れないので、大電流を容易に支障なく通
電させられる。
ーに平行)に流れないので、大電流を容易に支障なく通
電させられる。
即ち、高速電解が容易となる。
(iii)上記のごとく、給電槽と電解槽は同居してい
る、つまり給電槽部分と電解槽部分が重なった形となっ
ているので、槽構造スペースが少くなる。
る、つまり給電槽部分と電解槽部分が重なった形となっ
ているので、槽構造スペースが少くなる。
6v)+’−1−)給電電極とH電解電極の対極に対し
て配設されるスリット板のスリット部と、被処理物との
間隙を数rnrIt以内に近接配設して仕切ると共に、
被処理物両側端耳部に配設されるマスクセパレーターは
、その先端溝部を上記両側端耳部と被処理物の厚さ方向
の間隙は約1mm程度、かつ耳部への嵌り込みの深さは
数龍以内として設け、被処理物の表面側と裏面側が夫々
異なる電位の場((−+−)側、(へ)側)にセパレー
ト板によりセパレートされるため、処理不要の裏面(下
側)から一部の電流がリーク電流として電解液中に迂回
して流れることを防止し得て、(1)なる電位の場(被
処理物の裏面)には絶対的に皮膜が形成されることなく
、片面の表面にのみ皮膜処理がなされることになる。
て配設されるスリット板のスリット部と、被処理物との
間隙を数rnrIt以内に近接配設して仕切ると共に、
被処理物両側端耳部に配設されるマスクセパレーターは
、その先端溝部を上記両側端耳部と被処理物の厚さ方向
の間隙は約1mm程度、かつ耳部への嵌り込みの深さは
数龍以内として設け、被処理物の表面側と裏面側が夫々
異なる電位の場((−+−)側、(へ)側)にセパレー
ト板によりセパレートされるため、処理不要の裏面(下
側)から一部の電流がリーク電流として電解液中に迂回
して流れることを防止し得て、(1)なる電位の場(被
処理物の裏面)には絶対的に皮膜が形成されることなく
、片面の表面にのみ皮膜処理がなされることになる。
第1図Aは両面アルマイトの電解槽内における電流の流
れ方と被処理物に対するアルマイト膜の出来具合を示す
説明図、第1図Bは被処理物の(ハ)梨型電極d田架電
電極間に挟設した状況における電流の流れ方々被処理物
の表面に発生するアルマイトIIIの説明図、第1図C
及び第1図りは夫々第1図Bに示す極性配置の電解特性
に対して従来利用されて来た方法で、被処理物の端部に
遮蔽板を設けて、皮膜生成のムラを除去する場合の説明
図である。 第1図乃至第3図;ま現行の片面専用アルマイト処理装
置を示し、第1図は概略縦断正面図、第2図は第1図の
X−X線に沿った矢視方向側断面図、第3図は第1図の
部分拡大をした電流の流れ方向とアルマイト皮膜の形成
を示す縦断説明図である。 第4図乃至第7図は本発明の第1実施例を示し、第4図
は概略縦断正面図、第5図は第4図のY−Y線に沿った
矢視方向側断面図、第6図は第4図の部分拡大をした本
発明における電流の流れ方向とアルマイト皮膜の成長状
況を示す説明図、第7図は第5図の部分拡大をした本発
明のリーク電流防止部材を設置した場合の電流の流れ方
向とアルマイト皮膜形成状態を説明するための図面であ
る。 第8図、第9図は本発明の第2の実施例を示し、第8図
は概略縦断正面図、第9図は第8図のZ−Z線に沿って
切断し矢視方向に見た断面図である。 図において、S・・・被処理物、C・・・電解槽、10
・・・電解液、14a、14b、14c、 14ct−
給電々極、15a、15b、15cm電解電極、13・
・・スリット板、20,21・・・マスクセパレーター
で、上記スリット板13と協同してリーク電 流を防
止する。
れ方と被処理物に対するアルマイト膜の出来具合を示す
説明図、第1図Bは被処理物の(ハ)梨型電極d田架電
電極間に挟設した状況における電流の流れ方々被処理物
の表面に発生するアルマイトIIIの説明図、第1図C
及び第1図りは夫々第1図Bに示す極性配置の電解特性
に対して従来利用されて来た方法で、被処理物の端部に
遮蔽板を設けて、皮膜生成のムラを除去する場合の説明
図である。 第1図乃至第3図;ま現行の片面専用アルマイト処理装
置を示し、第1図は概略縦断正面図、第2図は第1図の
X−X線に沿った矢視方向側断面図、第3図は第1図の
部分拡大をした電流の流れ方向とアルマイト皮膜の形成
を示す縦断説明図である。 第4図乃至第7図は本発明の第1実施例を示し、第4図
は概略縦断正面図、第5図は第4図のY−Y線に沿った
矢視方向側断面図、第6図は第4図の部分拡大をした本
発明における電流の流れ方向とアルマイト皮膜の成長状
況を示す説明図、第7図は第5図の部分拡大をした本発
明のリーク電流防止部材を設置した場合の電流の流れ方
向とアルマイト皮膜形成状態を説明するための図面であ
る。 第8図、第9図は本発明の第2の実施例を示し、第8図
は概略縦断正面図、第9図は第8図のZ−Z線に沿って
切断し矢視方向に見た断面図である。 図において、S・・・被処理物、C・・・電解槽、10
・・・電解液、14a、14b、14c、 14ct−
給電々極、15a、15b、15cm電解電極、13・
・・スリット板、20,21・・・マスクセパレーター
で、上記スリット板13と協同してリーク電 流を防
止する。
Claims (1)
- 1 電解液が満たされている電解槽内において(ト)の
電気を架電する給電電極と、(→の電気が架電される電
解電極を平行平面状に対極させ、同対極間を通過する連
続帯状の被処理物の進行方向に、上記対極に対して夫々
スリット板をそのスリット部と被処理物との間隙を数量
以内に近接配設して仕切るさ共に、上記スリット部から
連続して被処理物の両側端耳部に、先端溝部を上記耳部
と被処理物の厚さ方向の間隙を約1mvt程度、かつ端
耳部への嵌り込みの深さを通板機能の精度と関連して数
朋以内にしてマスクセパレーク−を平面状に配置して被
処理物の表裏を別々に各電極の電場を囲むように区画せ
しめ、同区画部を電気的に独立させることにより上記被
処理物内を流れる電解電流を表裏方向に流すことを特徴
とする直流電解による連続コイルアルマイトの片面専用
処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55042947A JPS5824517B2 (ja) | 1980-04-02 | 1980-04-02 | 直流電解による連続コイルアルマイトの片面専用処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55042947A JPS5824517B2 (ja) | 1980-04-02 | 1980-04-02 | 直流電解による連続コイルアルマイトの片面専用処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56139697A JPS56139697A (en) | 1981-10-31 |
JPS5824517B2 true JPS5824517B2 (ja) | 1983-05-21 |
Family
ID=12650200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55042947A Expired JPS5824517B2 (ja) | 1980-04-02 | 1980-04-02 | 直流電解による連続コイルアルマイトの片面専用処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5824517B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1625944A1 (en) | 2004-08-13 | 2006-02-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of manufacturing lithographic printing plate support |
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EP2100677A1 (en) | 2008-03-06 | 2009-09-16 | Fujifilm Corporation | Method of manufacturing aluminum alloy plate for lithographic printing plate, aluminum alloy plate for lithographic printing plate obtained thereby and lithographic printing plate support |
WO2010150810A1 (ja) | 2009-06-26 | 2010-12-29 | 富士フイルム株式会社 | 光反射基板およびその製造方法 |
WO2011037005A1 (ja) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
WO2011078010A1 (ja) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁基板、絶縁基板の製造方法、配線の形成方法、配線基板および発光素子 |
EP2420869A2 (en) | 2010-08-16 | 2012-02-22 | Fujifilm Corporation | Radiation reflection plate for LED |
WO2013005717A1 (ja) | 2011-07-04 | 2013-01-10 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁反射基板およびその製造方法 |
EP2586621A1 (en) | 2011-10-28 | 2013-05-01 | Fujifilm Corporation | Manufacturing method and manufacturing apparatus of support for planographic printing plate |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2646042B2 (ja) * | 1991-03-07 | 1997-08-25 | 富士写真フイルム株式会社 | アルミニウム製品の連続電解処理装置 |
US8757181B2 (en) * | 2006-03-14 | 2014-06-24 | Yanmar Co., Ltd. | Submersible cleaning robot |
Citations (6)
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JPS4825619A (ja) * | 1971-08-06 | 1973-04-03 | ||
JPS4866042A (ja) * | 1971-12-13 | 1973-09-11 | ||
JPS4925544A (ja) * | 1972-06-30 | 1974-03-07 | ||
JPS5332825B2 (ja) * | 1975-02-17 | 1978-09-11 | ||
JPS5442668A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-04 | Hitachi Ltd | Disconnecting terminal stand |
JPS5482337A (en) * | 1977-12-14 | 1979-06-30 | Nippon Light Metal Co | Treatment such as anodizing |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5528769Y2 (ja) * | 1976-08-30 | 1980-07-09 |
-
1980
- 1980-04-02 JP JP55042947A patent/JPS5824517B2/ja not_active Expired
Patent Citations (6)
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JPS4825619A (ja) * | 1971-08-06 | 1973-04-03 | ||
JPS4866042A (ja) * | 1971-12-13 | 1973-09-11 | ||
JPS4925544A (ja) * | 1972-06-30 | 1974-03-07 | ||
JPS5332825B2 (ja) * | 1975-02-17 | 1978-09-11 | ||
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JPS5482337A (en) * | 1977-12-14 | 1979-06-30 | Nippon Light Metal Co | Treatment such as anodizing |
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EP1712368A1 (en) | 2005-04-13 | 2006-10-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of manufacturing a support for a lithographic printing plate |
EP2100677A1 (en) | 2008-03-06 | 2009-09-16 | Fujifilm Corporation | Method of manufacturing aluminum alloy plate for lithographic printing plate, aluminum alloy plate for lithographic printing plate obtained thereby and lithographic printing plate support |
WO2010150810A1 (ja) | 2009-06-26 | 2010-12-29 | 富士フイルム株式会社 | 光反射基板およびその製造方法 |
WO2011037005A1 (ja) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
WO2011078010A1 (ja) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁基板、絶縁基板の製造方法、配線の形成方法、配線基板および発光素子 |
EP2420869A2 (en) | 2010-08-16 | 2012-02-22 | Fujifilm Corporation | Radiation reflection plate for LED |
WO2013005717A1 (ja) | 2011-07-04 | 2013-01-10 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁反射基板およびその製造方法 |
EP2586621A1 (en) | 2011-10-28 | 2013-05-01 | Fujifilm Corporation | Manufacturing method and manufacturing apparatus of support for planographic printing plate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56139697A (en) | 1981-10-31 |
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