JPS5823873B2 - 置換フェニル酢酸誘導体の製造方法 - Google Patents
置換フェニル酢酸誘導体の製造方法Info
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- JPS5823873B2 JPS5823873B2 JP54010485A JP1048579A JPS5823873B2 JP S5823873 B2 JPS5823873 B2 JP S5823873B2 JP 54010485 A JP54010485 A JP 54010485A JP 1048579 A JP1048579 A JP 1048579A JP S5823873 B2 JPS5823873 B2 JP S5823873B2
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Description
【発明の詳細な説明】
i 本発明は一般式
〔式中 R1は低級アルキル基である。
〕で表わされる置換フェニル酢酸の製造方法に関する。
更に詳しくは非プロトン性極性溶媒中、一般式(式中、
Rはアルキル基又は三者のRが一体きなってアルキレン
基を形成し、R1は低級アルキル基である。
Rはアルキル基又は三者のRが一体きなってアルキレン
基を形成し、R1は低級アルキル基である。
)で表わされるハロゲン化物と金属シアン化物とを反応
させ、一般式 (式中、R及びR1は前記に同じである。
させ、一般式 (式中、R及びR1は前記に同じである。
)で表わされるシアン化合物を得、次いで鉱酸の存在下
、このシアン化合物を加水分解することにより前記一般
式(1)で表わされる置換フェニル酢酸誘導体を製造す
る方法に関する。
、このシアン化合物を加水分解することにより前記一般
式(1)で表わされる置換フェニル酢酸誘導体を製造す
る方法に関する。
本発明により得られる前記一般式(I)で表わされる置
換フェニル酢酸誘導体としては、すぐれた鎮痛、抗炎症
作用を有するスプロフエンCP、 G、 H。
換フェニル酢酸誘導体としては、すぐれた鎮痛、抗炎症
作用を有するスプロフエンCP、 G、 H。
Van Daele et al、、Arzneim−
Forscb+25゜1495(1975)参照〕等が
知られている。
Forscb+25゜1495(1975)参照〕等が
知られている。
これらの化合物を製造する方法として例えばスプロフエ
ンを例に従来法を列挙すれば、代表例として下記のもの
が挙げられる。
ンを例に従来法を列挙すれば、代表例として下記のもの
が挙げられる。
(1) P−フルオロ安息香酸クロリドを原料として
チオフェン、及びメチルマロン酸エステルを順次反応さ
せる方法CGer 、Of fen 2 、353 、
357参照〕。
チオフェン、及びメチルマロン酸エステルを順次反応さ
せる方法CGer 、Of fen 2 、353 、
357参照〕。
(2)フルオロベンゼンと2−テノイルクロリドを反応
させ、さらにメチルマロン酸エステルを反応させる方法
(C,A、、84,43737X参照〕。
させ、さらにメチルマロン酸エステルを反応させる方法
(C,A、、84,43737X参照〕。
(3)フェニルアセチレン誘導体に硝酸タリウムを作用
させる方法〔特開昭52−36642号参照〕。
させる方法〔特開昭52−36642号参照〕。
(4)ジエステルをアルキル化したのち加水分解、脱炭
酸させる方法〔特開昭49−93346号参照〕。
酸させる方法〔特開昭49−93346号参照〕。
(5)アセトフェノン誘導体にロダニン存在下、ウイル
ゲロート反応を行なうことにより得る方法〔特開昭49
−93346号参照〕。
ゲロート反応を行なうことにより得る方法〔特開昭49
−93346号参照〕。
(6)α−ハロエチルベンゼン誘導体をシアノ化し、加
水分解する方法〔特開昭49−93346号、P、 G
−H,Van Daele et al、 tArzn
eim−Forsch、25,1495(1975)参
照〕。
水分解する方法〔特開昭49−93346号、P、 G
−H,Van Daele et al、 tArzn
eim−Forsch、25,1495(1975)参
照〕。
しかしながらこれらの方法においては、反応工程が長い
こと、あるいは原料化合物が入手し難いこと、また反応
収率の低い工程を含んでいること*・等の欠点があり、
容易には工業的に採用し難いものであった。
こと、あるいは原料化合物が入手し難いこと、また反応
収率の低い工程を含んでいること*・等の欠点があり、
容易には工業的に採用し難いものであった。
これらの方法の内では(6)の方法が工業的製造法とし
ては最も有利であろうと考えられる。
ては最も有利であろうと考えられる。
(6)の方法を反応式で示すと以下の通りである。
(式中、Yはハロゲン原子である。
)ところが、この方法を詳細に追試検討してみたところ
、以下に述べる如く、化合物@)にシアン化ナトリウム
を作用させて化合物(ロ)を合成する工程において構造
式 で表わされる副生成物G−)が相当量副生ずるため、化
合物(ロ)の収率が非常に低いことが判明した。
、以下に述べる如く、化合物@)にシアン化ナトリウム
を作用させて化合物(ロ)を合成する工程において構造
式 で表わされる副生成物G−)が相当量副生ずるため、化
合物(ロ)の収率が非常に低いことが判明した。
この事実はVan Dacleらの文献に記載されてい
る如く化合物C4)よりスプロフエンへの収率が僅かに
10係であることと符合する。
る如く化合物C4)よりスプロフエンへの収率が僅かに
10係であることと符合する。
すなかち、本発明者等は特開昭49−93346号に示
された方法に基づいて、化合物0)よりの化合物(ロ)
への工程を詳細に検討してみたが、化合物(ロ)の収率
はたかだか25優にすぎず、常に副生成物(A)が45
fb以上の収率で反応系に存在することが判った(下記
比較例参照)。
された方法に基づいて、化合物0)よりの化合物(ロ)
への工程を詳細に検討してみたが、化合物(ロ)の収率
はたかだか25優にすぎず、常に副生成物(A)が45
fb以上の収率で反応系に存在することが判った(下記
比較例参照)。
この副生成物II?X)は原料である化合物(/1′)
と目的化合物(ロ)とのカップリング生成物であり、(
/八)の副生は化合物(ロ)を高収率で得るためには非
常に大きな障害であり、工業的製造法としては到底採用
し得るものではない。
と目的化合物(ロ)とのカップリング生成物であり、(
/八)の副生は化合物(ロ)を高収率で得るためには非
常に大きな障害であり、工業的製造法としては到底採用
し得るものではない。
本発明者等はこの副生成物Qつの生成を排除し、目的化
合物である(口)又はその誘導体のみを高収率で得るた
めの方法について、理論及び実験の両面から種々検討し
た結果パラ位のカルボニル基をケタール化することによ
り、高収率でケタール化されたシアン化合物に誘導でき
ることを見い出し、このもの及び種々の化合物について
同様に検討した結果、一段階でスプロフエン及びその他
の化合物、即ち前記一般式(I)で表わされる置換芳香
族酢酸誘導体を製造するための本発明を完成するに至っ
たものである。
合物である(口)又はその誘導体のみを高収率で得るた
めの方法について、理論及び実験の両面から種々検討し
た結果パラ位のカルボニル基をケタール化することによ
り、高収率でケタール化されたシアン化合物に誘導でき
ることを見い出し、このもの及び種々の化合物について
同様に検討した結果、一段階でスプロフエン及びその他
の化合物、即ち前記一般式(I)で表わされる置換芳香
族酢酸誘導体を製造するための本発明を完成するに至っ
たものである。
本発明を反応式で表わすと以下の通りである。
(式中、R及びR1は前記と同じであり、Yはハロゲン
原子である。
原子である。
)前記一般式(V)で表わされる化合物は前記一般式(
IV)で表わされるケトン誘導体とアルコール又はオル
ソエステルとを反応させることにより得られる。
IV)で表わされるケトン誘導体とアルコール又はオル
ソエステルとを反応させることにより得られる。
前記一般式(■)の化合物はアルキルベンゼンと2−テ
ノイルクロリドとをフリーデル・クラフッ反応条件下に
おいて反応させることにより容易に得られるものである
〔下記参考側参照及びN。
ノイルクロリドとをフリーデル・クラフッ反応条件下に
おいて反応させることにより容易に得られるものである
〔下記参考側参照及びN。
P、 Buu−Hoi et al 、 、 Bul
1. Soc、 Chem。
1. Soc、 Chem。
Fr、、447(1959)参照〕。
前記一般式(II)の化合物は前記一般式(V)で表わ
される化合物とハロゲン化試剤とを反応させることによ
り得られる。
される化合物とハロゲン化試剤とを反応させることによ
り得られる。
ハロゲン化試剤としては、N−−y’ロモコハクサン酸
イミド、N−クロロコハク酸イミド等のハロゲン化イミ
ド、塩素、臭素、t−ブチルハイポプロミド、トリクロ
ロメタンスルホニルクロリド、トリクロロブロモメタン
等を例示することができる。
イミド、N−クロロコハク酸イミド等のハロゲン化イミ
ド、塩素、臭素、t−ブチルハイポプロミド、トリクロ
ロメタンスルホニルクロリド、トリクロロブロモメタン
等を例示することができる。
本工程は反応を促進させ、生成物を収率良く得るために
ラジカル発生条件下に行うことが好ましい。
ラジカル発生条件下に行うことが好ましい。
ラジカル発生条件としては、例えばラジカル発生剤を存
在させるか又は光照射下において容易に達成することが
できる。
在させるか又は光照射下において容易に達成することが
できる。
ラジカル発生剤としては、過酸化ベンゾイル、過酸化ジ
アセチル又はジー1−ブチルパーオキシド等の有機過酸
化物、アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物、塩
化鉄、塩化銅、酸化銅、パラジウム錯体、ロジウム錯体
等の遷移金属化合物等を例示できる。
アセチル又はジー1−ブチルパーオキシド等の有機過酸
化物、アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物、塩
化鉄、塩化銅、酸化銅、パラジウム錯体、ロジウム錯体
等の遷移金属化合物等を例示できる。
反応の実施にあたっては、溶媒を使用することが望まし
い。
い。
溶媒としては、四塩化炭素、クロロホルム等のハロゲン
化炭化水素、ベンゼン等の芳香族炭化水素、ヘキサン、
シクロヘキサン等の炭化水素等の反応に関与しない溶媒
を好適に使用することができる。
化炭化水素、ベンゼン等の芳香族炭化水素、ヘキサン、
シクロヘキサン等の炭化水素等の反応に関与しない溶媒
を好適に使用することができる。
反応は、条件によっても異なるが、室温乃至150℃で
行なうことができる。
行なうことができる。
操作が簡便な点で室温乃至溶媒の還流温度付近で行なう
ことが望ましい。
ことが望ましい。
前記一般式(III)で表わされるシアノ化合物は、前
記一般式(II)で表わされるハロゲン化物とシアン化
ナトリウム、シアン化カリウム、シアン化銅等の金属シ
アン化物とを反応させることにより得られ、この前記一
般式(III)の化合物としては、(4−シアンメチル
フェニル)(2−チェニル)ジメトキシメタン、(4−
(1−シアノエチル)フェニル)(2−チェニル)ジメ
トキシメタン、〔4−(1−シアンエチル)フェニル)
(2−チェニル)ジェトキシメタン、2−(C4−(1
−シアンエチル)フェニル)(2−−)エニル))1.
3−ジオキソラン等を例示することができる。
記一般式(II)で表わされるハロゲン化物とシアン化
ナトリウム、シアン化カリウム、シアン化銅等の金属シ
アン化物とを反応させることにより得られ、この前記一
般式(III)の化合物としては、(4−シアンメチル
フェニル)(2−チェニル)ジメトキシメタン、(4−
(1−シアノエチル)フェニル)(2−チェニル)ジメ
トキシメタン、〔4−(1−シアンエチル)フェニル)
(2−チェニル)ジェトキシメタン、2−(C4−(1
−シアンエチル)フェニル)(2−−)エニル))1.
3−ジオキソラン等を例示することができる。
非プロトン性極性溶媒の使用が必須である。
非プロトン性極性溶媒としてはジメチルスルホキシド、
ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホルアミド等
が挙げられる。
ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホルアミド等
が挙げられる。
本発明は前記した一般式(III)で表わされるシアン
化合物の加水分解を鉱酸存在下に行なうことを必須要件
とするものである。
化合物の加水分解を鉱酸存在下に行なうことを必須要件
とするものである。
鉱酸の使用量は条件により限定的でないが、原料の前記
一般式(III)のシアン化合物に対して触媒量乃至大
過剰量使用するものである。
一般式(III)のシアン化合物に対して触媒量乃至大
過剰量使用するものである。
反応の実施にあたっては、原料化合物に対して3当量以
上の水を使用し、必要に応じて水と混和し得る溶媒、例
えばギ酸、酢酸あるいはジオキサン、ジメトキシエタン
等のエーテル系溶媒を共存溶媒として使用することがで
きる。
上の水を使用し、必要に応じて水と混和し得る溶媒、例
えばギ酸、酢酸あるいはジオキサン、ジメトキシエタン
等のエーテル系溶媒を共存溶媒として使用することがで
きる。
反応は室温〜150℃で行なうことができるが、約10
0℃あるいは溶媒の還流温度で好適に進行する。
0℃あるいは溶媒の還流温度で好適に進行する。
以下、本発明を比較例、参考例及び実施例により更に詳
細に説明する。
細に説明する。
比較例
シアン化ナトリウム0.2899を乾燥ジメチルスルホ
キシド3.2!lに加え60℃に加熱して溶解させる。
キシド3.2!lに加え60℃に加熱して溶解させる。
この溶液に特開昭49−93346号に記載の方法に従
って合成した(1−ブロモエチル)フェニルチェニルケ
トン0.59 gヲ−iR:加え、60℃でさらに4.
5時間攪拌した。
って合成した(1−ブロモエチル)フェニルチェニルケ
トン0.59 gヲ−iR:加え、60℃でさらに4.
5時間攪拌した。
その後反応混合物を特開昭49−93346号の実施例
17と同様に後処理し、粗生成物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより精製した。
17と同様に後処理し、粗生成物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより精製した。
この結果、目的トした(1−シアノエチル)フェニルチ
ェニルケトンの収量は0.12g(収量25 % )
テあった。
ェニルケトンの収量は0.12g(収量25 % )
テあった。
同時に副生成物である2、3−ジ(4−(2−テノイル
)フェニル)−2−メチルブチロニトリルが0.22g
(原料消費率:48%)えられた。
)フェニル)−2−メチルブチロニトリルが0.22g
(原料消費率:48%)えられた。
副生成物の核磁気共鳴吸収スペクトル(重クロロフォル
ム) 一方のジアステレオ異性体:δ795〜7.0(m。
ム) 一方のジアステレオ異性体:δ795〜7.0(m。
14H)、3.25(q、IH)、156(s、3H)
、1.29(d 、3H)。
、1.29(d 、3H)。
他方のジアステレオ異性体:δγ9〜6.95(m。
14H)、3.22(q、IH)、1.90(s 、3
H)、1.60(d 、3H)。
H)、1.60(d 、3H)。
参考例 1
エチルベンゼン20TLlと2−テノイルクロリド73
3gを混合し、室温で粉末状無水塩化アルミニウム10
gを少しづつ加えた。
3gを混合し、室温で粉末状無水塩化アルミニウム10
gを少しづつ加えた。
加え終った後、さらに2時間室温で攪拌を続けた後、反
応混合物を氷水にあけ、エーテル抽出した。
応混合物を氷水にあけ、エーテル抽出した。
エーテル層を水、希塩酸、重曹水、食塩水の順に洗浄し
た後、乾燥した。
た後、乾燥した。
濾過後、濃縮し、粗生成物を減圧蒸留することにより、
沸点144〜145°C/ 0.3 tnrnHgを有
する4−(2−テノイル)エチルベンゼン8.97gを
得た。
沸点144〜145°C/ 0.3 tnrnHgを有
する4−(2−テノイル)エチルベンゼン8.97gを
得た。
収率83係。生成物の核磁気共鳴吸収スペクトル(四塩
化炭素):δ7.8−7.4 (m 、 4H) 、
7.35〜6.9(m、3H)、2.65 (q 、2
H)、1.17(t 、3H)。
化炭素):δ7.8−7.4 (m 、 4H) 、
7.35〜6.9(m、3H)、2.65 (q 、2
H)、1.17(t 、3H)。
参考例 2
4−(2−テノイル)エチルベンゼン2.4gと・オル
トギ酸エチル51rLlとを無水エタノールに溶解し、
濃硫酸を3滴加えた。
トギ酸エチル51rLlとを無水エタノールに溶解し、
濃硫酸を3滴加えた。
この溶液を10時間攪拌しながら加熱還流した。
冷却後、粉末状炭酸ナトリウムを加えて中和した後、減
圧下濃縮し、残渣を重曹水にあけエーテル抽出した。
圧下濃縮し、残渣を重曹水にあけエーテル抽出した。
エーテル層を食塩水で洗浄した後、無水炭酸ナトリウム
で乾燥した。
で乾燥した。
濾過、濃縮後、粗生成物を減圧蒸留して、沸点117℃
/ 0.2 mmHgを有する(4−エチルフェニル)
(2−チェニル)ジェトキシメタンを2.935g得た
。
/ 0.2 mmHgを有する(4−エチルフェニル)
(2−チェニル)ジェトキシメタンを2.935g得た
。
収率91係。生成物の核磁気共鳴吸収スペクトル(四塩
化炭素):δ7.5〜6.9 (m 、 5 H) 、
6.9〜6.7(m。
化炭素):δ7.5〜6.9 (m 、 5 H) 、
6.9〜6.7(m。
2H)、3.35(q 、4H)、2.62(q。
2H)、1.22(t 、3H)、1.20(t。
6H)。
参考例 3
(4−エチルフェニル)(2−f−エニル)ジェトキシ
メタン1.45gとN−ブロモコハク酸イミド0.98
gを四塩化炭素10m1に混合し、そこへ過酸化ベンゾ
イル(30即)を加えた。
メタン1.45gとN−ブロモコハク酸イミド0.98
gを四塩化炭素10m1に混合し、そこへ過酸化ベンゾ
イル(30即)を加えた。
この混合;物をアルゴン雰囲気下加熱し、80℃で1時
間攪拌を続けた。
間攪拌を続けた。
冷却後、炭酸すl−IJウムの粉末を加えしばらく攪拌
した後、不溶物を濾過し、濾液を減圧下濃縮して、1.
845gの(4−(1−ブロモエチル)フェニル、1(
2−チェニル)ジェトキシメタンの粗生成物を得た。
した後、不溶物を濾過し、濾液を減圧下濃縮して、1.
845gの(4−(1−ブロモエチル)フェニル、1(
2−チェニル)ジェトキシメタンの粗生成物を得た。
臭化物の核磁気共鳴吸収スペクトル(四塩化炭素):δ
7.44(d 、 IH) 、 7.27(d 、 I
H) 。
7.44(d 、 IH) 、 7.27(d 、 I
H) 。
7.07(t 、LH)、6.78(d 、2H)。
5.05(q、LH)、3.32(q、4H)。
’ 1.97(d、3H)、1.18(t、6H
)。
)。
実施例 1
乾燥ジメチルスルホキシド7、5 rul!に7257
′nI?のシアン化ナトリウムを加え、60℃に加熱し
て溶解させる。
′nI?のシアン化ナトリウムを加え、60℃に加熱し
て溶解させる。
この溶液に、参考例3で得られた粗生放物1.785g
乾燥ジメチルスルホキシド1mlに溶解させた溶液を6
0°Cですはやく滴下し、約1時間加熱、攪拌を続けた
。
乾燥ジメチルスルホキシド1mlに溶解させた溶液を6
0°Cですはやく滴下し、約1時間加熱、攪拌を続けた
。
冷却後、水にあけ、エーテル抽出(3回)シ、エーテル
層は水、食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。
層は水、食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。
濾過後、濾液を濃縮し、粗生成物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製することにより、960■の〔
4−(1−シアンエチル)フェニル〕(2−チェニル)
ジェトキシメタンを得た。
ロマトグラフィーで精製することにより、960■の〔
4−(1−シアンエチル)フェニル〕(2−チェニル)
ジェトキシメタンを得た。
臭素化、シアノ化を通しての収率63%。
副生成物の核磁気共鳴吸収スペクトル(四塩化炭素):
δ7.50(d、2H)、7.19 (d、2H)。
δ7.50(d、2H)、7.19 (d、2H)。
7.06(t 、IH)、6.79(d、2H)。
3.71(q、IH)、3.30(q、4H)1.53
(d 、3H)、1.37(t、6H)得うれた(4−
(1−シアノエチル)フェニル(2−fエニル)ジェト
キシメタン317m9をジオキサン1 mlに溶解した
。
(d 、3H)、1.37(t、6H)得うれた(4−
(1−シアノエチル)フェニル(2−fエニル)ジェト
キシメタン317m9をジオキサン1 mlに溶解した
。
この溶液に50%硫酸4mlを加えて攪拌下、加熱還流
を2時間続けた。
を2時間続けた。
その抜水4mlを新たに加えて、更に2時間攪拌下加熱
還流を行なった。
還流を行なった。
冷却後、大量の水を加えて酢酸エチルで抽出し、有機層
を食塩水で洗浄した後乾燥した。
を食塩水で洗浄した後乾燥した。
濾過後濃縮して245m9の粗生成物を得た。
このものをアセトニトリルより再結晶して、220■の
α−メチル−4−(2−テノイル)フェニル酢酸を得た
。
α−メチル−4−(2−テノイル)フェニル酢酸を得た
。
収率85係。融点:120〜121°C
生成物の核磁気共鳴吸収スペクトル(重クロロフォルム
):δ11.5(s、IH)、7.77(d。
):δ11.5(s、IH)、7.77(d。
2H)、7.62(d、IH)、7.57(d 、IH
)、7.43(d 、2H)。
)、7.43(d 、2H)。
7.07(t 、 IH) 、 3.79 (q 。
IH)、1.53 (d 、3H)。
参考例 4
4−(2−テノイル)エチルベンゼン1..1gを乾燥
ベンゼン10m1に溶解させ、そこえエチレン/7”
IJコール2mlを加えさらにp−トルエンスルホン酸
を10mg加えて加熱攪拌した。
ベンゼン10m1に溶解させ、そこえエチレン/7”
IJコール2mlを加えさらにp−トルエンスルホン酸
を10mg加えて加熱攪拌した。
反応の進行により生成する水はディーン・スターク型反
応装置により糸外に除去した。
応装置により糸外に除去した。
一夜反応後、反応混合物を重曹水にあけエーテル抽出し
た。
た。
エーテル層を水、食塩水で洗浄後乾燥し、濾過、濃縮に
より、1.29gの2−((4−エチルフェニル)(2
−チェニル))−1,3−ジオキソランをえた。
より、1.29gの2−((4−エチルフェニル)(2
−チェニル))−1,3−ジオキソランをえた。
沸点:173〜174°C/ 1.2 mmHg参考例
5 参考例4でえられた生成物1.23gと、N−ブロモコ
ハク酸イミド925〜とを四塩化炭素10m1に混合し
、過酸化ベンゾイル20mgを加えた。
5 参考例4でえられた生成物1.23gと、N−ブロモコ
ハク酸イミド925〜とを四塩化炭素10m1に混合し
、過酸化ベンゾイル20mgを加えた。
この混合物をアルゴン雰囲気下、約3時間、加熱還流し
た。
た。
冷却後、乾燥ヘキサン約5mlを加えたのち、不溶物を
濾別し、濾液を減圧下濃縮することにより、1゜55g
の2−((4−(1−ブロモエチル)フェニル〕(2−
チェニル)))−L3−ジオキソランをえた。
濾別し、濾液を減圧下濃縮することにより、1゜55g
の2−((4−(1−ブロモエチル)フェニル〕(2−
チェニル)))−L3−ジオキソランをえた。
生成物の核磁気共鳴吸収スペクトル(四塩化炭素):δ
7.43 (d 、 2H) 、 7.32(d 、
2H)。
7.43 (d 、 2H) 、 7.32(d 、
2H)。
7.10 (m 、 IH) 、 6.9〜6.7 (
m 、 2H)5.03 (q 、 IH) 、 4.
15〜3.7 (m 。
m 、 2H)5.03 (q 、 IH) 、 4.
15〜3.7 (m 。
4H)、 1..94(a 、3H)。
実施例 2
参考例5でえられた生成物150gを乾燥ジメチルスル
ホキシド2rdに溶解した。
ホキシド2rdに溶解した。
この溶液をあらかじめ90°Cに加熱した、シアン化す
トリウム0.5gを溶解させた乾燥ジメチルスルホキシ
ド2mlにすばやく滴下した。
トリウム0.5gを溶解させた乾燥ジメチルスルホキシ
ド2mlにすばやく滴下した。
約40分間加熱攪拌を続けたのち、実施例1と同様の後
処理を行なった。
処理を行なった。
粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
することにより0.74gの2−((4−(1−−fj
’、’エチル))フェニル)(2−チェニル))−1,
3−ジオキソランをえた。
することにより0.74gの2−((4−(1−−fj
’、’エチル))フェニル)(2−チェニル))−1,
3−ジオキソランをえた。
臭素化、シアン化を通しての収率57係。
生成物の核磁気共鳴吸収スペクトル(四塩化炭素):δ
7.52(d 、 2H) 、 7.20(d、2H)
。
7.52(d 、 2H) 、 7.20(d、2H)
。
7.15 (m 、 IH) 、 6.9〜6.65
(m 。
(m 。
2H)、4゜15〜3.8 (m 、 4 H) 、
3.73(q 、IH)、1.47(d 、3H)。
3.73(q 、IH)、1.47(d 、3H)。
えられたシアノ化合物2857719を用いて実施例1
と同様の操作を行ない、α−メチル−4−(2−テノイ
ル)フェニル酢酸2057/19をえた。
と同様の操作を行ない、α−メチル−4−(2−テノイ
ル)フェニル酢酸2057/19をえた。
収率79%。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 非プロトン性極性溶媒中、一般式 で表わされるハロゲン化物と金属シアン化物とを反応さ
せ、一般式 で表わされるシアン化合物を得、次いで鉱酸の存在下、
このシアノ化合物を加水分解することを特徴とする、一
般式 で表わされる置換フェニル酢酸の製造方法〔式中、Rは
アルキル基又は三者のRが一体となってアルキレン基を
形成し R1は低級アルキル基であり、Yはハロゲン原
子である。 〕。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54010485A JPS5823873B2 (ja) | 1979-02-02 | 1979-02-02 | 置換フェニル酢酸誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54010485A JPS5823873B2 (ja) | 1979-02-02 | 1979-02-02 | 置換フェニル酢酸誘導体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55104216A JPS55104216A (en) | 1980-08-09 |
JPS5823873B2 true JPS5823873B2 (ja) | 1983-05-18 |
Family
ID=11751459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54010485A Expired JPS5823873B2 (ja) | 1979-02-02 | 1979-02-02 | 置換フェニル酢酸誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5823873B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2604910Y2 (ja) * | 1993-12-31 | 2000-06-12 | 東洋電装株式会社 | プッシュ・プッシュスイッチのロック構造 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4970959A (ja) * | 1972-10-05 | 1974-07-09 | ||
JPS4993346A (ja) * | 1972-10-24 | 1974-09-05 |
-
1979
- 1979-02-02 JP JP54010485A patent/JPS5823873B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4970959A (ja) * | 1972-10-05 | 1974-07-09 | ||
JPS4993346A (ja) * | 1972-10-24 | 1974-09-05 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55104216A (en) | 1980-08-09 |
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