JPS5821925A - 交流スイツチ回路 - Google Patents

交流スイツチ回路

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Publication number
JPS5821925A
JPS5821925A JP12100081A JP12100081A JPS5821925A JP S5821925 A JPS5821925 A JP S5821925A JP 12100081 A JP12100081 A JP 12100081A JP 12100081 A JP12100081 A JP 12100081A JP S5821925 A JPS5821925 A JP S5821925A
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JP
Japan
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circuit
triac
gate
switch
current
Prior art date
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Pending
Application number
JP12100081A
Other languages
English (en)
Inventor
Matsuhiko Hirano
平野 松彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPS5821925A publication Critical patent/JPS5821925A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/725Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for ac voltages or currents

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  • Power Conversion In General (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプログラマブルコントローラ(pc)の出力回
路として利用される交流スイッチ回路に係り、特に外部
と直流的に絶縁された論理回路を含むゲート回路により
、トライアックのスイッチを行う交流スイッチ回路に関
する。
従来、PCの出力回路、特に交流電源に直列に挿入され
た負荷の電流を開閉するスイッチ回路として、トライア
ックが使用されている。該トライアックは、これと並列
接続された抵抗、スイッチ素子及びゲート抵抗により分
流された電流を、低圧側回路と分離制御された上記スイ
ッチメチの開閉制御により、0N−OFF制御されるも
ので、これにより、負荷の電流制御を行っている。
第1図及び第2図に上記従来の交流スイッチ回路の例を
示す。これは交流電源戦。に直列に接続された負荷8の
電流を、それに直列に接続したトライアック5で0N−
OFF制御するものである。
第1図及び第2図では前記トライアック5のゲート回路
の構成が異っている。第1図は、トライアツク5両端の
交流電流を、バイアス抵抗13a及びゲート抵抗1’8
 bを介して整流器4で整流した後、光サイリスタ3b
に導き、−次ぐ低圧)側に設けられた発光ダイオード3
aの発光を制御することによりトライアック5のゲート
回路の電流を制御し、トライアック5を0N−OFF制
御する構成になっている。第2図は第1図でゲート回路
に整流器4と1個の光サイリスタ3bを用いていたもの
を、整流器を除き互に逆並列接続された2個の光サイリ
スタa b 、 a b’を用いて構成したものである
。又1両回路共5−次側にデータレジスタ1が設けられ
その出力でドライバー2を介して前記発光ダイオード3
aを駆動している。尚、図で12a、12bはそれぞれ
光サイリスタ8bのバイアス抵抗とバイアスコンデンサ
、11は保護ダイオード、10は出力表示用発光ダイオ
ード、6はサージ電圧吸収素子及び7は複数回路に1個
の割合で設けられたヒユーズである。
一般にPCは、予め定められたプログラムに従って複数
入力の組合せで、複数出力を制御することにより、外部
の機械、製造ライン等の被制御対象を制御するものであ
る。そのため、第1図は第2図回路の複数、例えば64
点(回路)或いは128点力月台のPCの出力部として
使用される。
従って、入出力回路の価格低減は、PC全体の低価格化
に大きな影響を及ぼすことになる。低価格化という観点
から上記従来回路をみた場合、比較的高価な整流器4と
光サイリスタ3(第1図)或いは、2個を互に逆並列に
接続した光サイリスタ18b、13b(第2図′)−を
各出力回路毎に必要としていること、及び光サイリスタ
として高耐圧なるものが必要であること等のため上記回
路図(第1図、第2図)のままでの低価格化は困難と考
えられる。
又、出力回路の0N−OF F動作状態を表示する方法
についても、従来回路においては、表示用ダイオードI
Oが光サイリスタの1次側の発光ダイオード3aに直列
に設けられているため、必ずしも出力素子(トライアッ
ク)の動作状態を直接表示しているとは限らない。
本発明は、以上の点に鑑みなされたもので、トライアッ
クのゲート回路にスイッチ素子とその前段にメモリ部を
有し、該メモリ部とPC制御部間の制御信号及び直列デ
ータ転送をホトカプラーで行いホトカプラーの使用個数
を減らし、且つ耐圧の低いスイッチ素子でゲート回路の
制御が可能な構成にすることにより、複数出力回路の低
価格化を計ることを目的としたものである。又、トライ
アックのゲート回路に直接発光ダイオードを接続出来る
構成にすることにより、トライアックの0N−OFFの
状態を直接表示する様にしたものである。
以下、本発明の交流スイッチ回路を、図面に従って詳細
に説明する。
第8図は本発明に係る交流スイッチ回路の1出力回路図
で一部にブロック図を含んだものである。
交流電圧源vAc(ACloov)に直列に接続された
負荷15が端子台50の一対の端子を構成する個別端子
50bと共通端子50aに接続され、直列接続されたヒ
ユーズ16及びトライアック17で主電流回路を構成す
る。サージ電圧を吸収するためトライアックI7と並列
に通常コンデンサと抵抗を直列接続した複合部品から成
るサージ電圧吸収回路18を接続している。共通端子5
0aは、数量力(例えば4出力)毎に設けられ、直列接
続されたヒユーズ16で各出力毎に過電流の保護を計っ
ている。トライアック17のゲー1−(G)端子は電流
制限抵抗19、出力表示用発光ダイオード20を介して
スイッチ素子35を含めた制御回路素子30に接続され
ている。従って、トライアック17を0N−OFF制御
するためのゲート回路は、トライアック17のT1端子
とゲート(G)端子間に電流制限抵抗19、発光ダイオ
ード20゜スイッチ素子35及び電源回路40から成る
ループ回路で構成されている。スイッチ素子35はその
前段に設けられたスイッチ制御回路3ooからのラッチ
出力にて開閉制御される構成で、トライアック17のゲ
ート電流を制御し、主回路の電流をスイッチする。
本回路に於てはトライアック17のT1端子とゲート(
G)端子で構成されるPN接合に、ゲート電流を流すこ
とにより、トライアックのメイン回路を制御する構成に
なっているため、耐圧の低いスイッチ素子で主(メイン
)回路の高圧電流の制御が可能である。例えば、’r、
−c端子間の順方向電圧VPN (約0.7V)、スイ
ッチ素子35両端のON電圧VON 、抵抗19の抵抗
値をR及びゲ〒ト電流をIgとした場合、ゲート回路の
電源電圧E は、Eg=IgR+VPN+VONで表わ
される。Ig−30mA、R−120Ω、VPN= 0
.7V−VON=0.8V+7)場合はEg=4.6V
となり、ICの駆動電圧5−Vで十分制御可能となる。
また、スイッチ素子の耐圧も通常の素子の耐圧レベルで
あれば十分間に合う。このことから、スイッチ素子35
を含めたゲート回路の制御回路のIC化も普通のICと
同様に容易になり、引いては、スイッチ回路全体の低価
格化に貢献するものである。
又、表示用発光ダイオード20をトライアック17のゲ
ート回路に直列に挿入することにより、従来回路に比較
しトライアック17の0N−OFF状態をより直接的に
表示することができる。
上述の回路構成において、スイッチ制御回路300は、
例えばプログラムコントローラ(PC)より出力される
負荷11の駆動制御信号を一時記憶するもので、この記
憶した制御信号をスイッチ素子35に供給することで、
該スイッチ素子の開閉制御を行うものである。つまり、
スイッチ素子35を導通させるための信号がスイッチ制
御回路より出力されれば、トライアック17のゲート電
流が流れ、これによりトライアック17がONし、負荷
15に電流が流れ駆動されることになる。この時、発光
ダイオード2oは、トライアック17がON状態である
ことを表示するために発光する。
次にスイッチ素子35の前段に設けられ、該スイッチ素
子を開閉制御するスイッチ制御回路3o。
の構成例を第4図を参照して詳細に説明する。点線で囲
まれたスイッチ制御回路3oo及びスイッチ素子35を
含めた部分が、本構成例では1個の制御用IC80から
成っている。このスイッチ制′御回路に供するIC80
内(よ、IC外から直列に転送されるデータ特に、PC
からの負荷の駆動信号を並列データに変換出力するため
のシフトレジスタ31、該シフトレジスタからの並列デ
ータを一時記憶するラッチ回路32、該ラッチ回路の記
憶出力と外部(特にPC)から転送されるクリア及びス
トローブ信号と論理的にアンド及びオアをとるためのア
ンドゲート33、オアゲート34、及びオアゲート34
の出力で駆動されるスイッチ素子85より構成される。
本回路図においては、スイッチ素子35としてオープン
ドレインのMOSトランジスタを示しているが、オープ
ンコレクタのトランジスタでもゲート電流(例えば80
mA)以上の電流を制御出来るものであれば十分使用出
来る。外部の制御ユニット等からの複数の制御信号及び
直列データ信号は入力端子22からホトカプラー39を
通して、電気的に絶縁した状態で上記制御用IC30に
入力される。制御信号入力端子22及びホトカプラー8
9は複数で構成される。
本実施例では、直列データ入力22a、クロック人力2
2b、ラッチ入力22C1ストローブ入力22d及びク
リア入力22eの5入力端子と夫々に対応した発光ダイ
オードのドライバー38a。
88b、88c、38d、38eを設け、これに夫々対
応してホトカプラー89a、89b、89c、89d、
39eを設けている。
そこで、入力端子22aより入力される直列データ(負
荷制御用の直列データ)は、ホトカプラー39aを介し
て制御用IC80の端子37aよりシフトレジスタ31
に供給される。この時、へ力端子22bからのクロック
信号に従って、シフトレジスタ81に供給される直列デ
ータが順次シフトされ、シフトレジスタ31に例えば3
2♂ット分のデータが収納される。そして、ラッチ入力
によりシフトレジスタ31内の収納データがラッチ回路
32に転送されそのデータが一時記憶される。このラッ
チ回路32からの記憶出力は、入力端子22dより供給
されるストローブ信号により、アンドゲート38.オア
ゲート34を介してスイッチ素子35を開閉制御するこ
とになる。尚、クリア信号が供給されれば、上記ラッチ
回路32の記憶出力に関係なくオアゲートの出力が全て
同一となり、スイッチ素子35は例えば閉成状態となる
本実施例では、アイソレート用ホトカプラー8jを介し
て直列データを並列出力するシフトレジスタ31を制御
用IC側に設けていることから、複数の制御信号が入力
されるにもかかわらず、従来の出力回路に較べて、全体
として少数のホトカプラーで構成することができ従来の
ものに較べて出力回路の低価格化が可能である。即ち、
ホトカブ? ラーBSの数は一定で、シフトレジスタの容量及びラッ
チ回路の容量を大きくすることで、複数の制御信号の入
力に対して対処できる。
続いて第8図の実施回路例における電源回路40の回路
例を第5図に示しており、電源回路40について説明す
る。図において、交流電源のVACの一端は、保護用ヒ
ユーズ42を介して電源トランス41の一次巻線の一端
に接続され、他端は前記電源トランス41の他端に接続
され、−次回路を構成する。電気的に絶縁されたトラン
ス41の2次巻線側に誘起される電圧は、整流器43で
余波整流され、コンデンサ44aで平滑された後、ツェ
ナダイオード45bとトランジスタ45a等で構成され
る定電圧回路45を経て制御用IC30等の電源として
供給される。又、本実施例に於て、トライアック17の
ゲート回路の電源は、全波整流後の平滑電圧部から供給
しているが、これはゲート回路に使用するスイッチ素子
85の種類とトライアック17のゲート電流により決ま
るもので。
使用スイッチ素子によっては定電圧回路45を経た後の
電圧を供給するようにしても良い。(例えばトランジス
タをスイッチ素子として使用する場合は5vで可能) 尚トライアック開閉制御はそのゲート電流として連続し
た直流電流を流すことによっても勿論可能であるが、パ
ルス状態の電流を流すことによっても可能である。その
パルス幅、デユーティ−は負荷により異るが、プログラ
マブルコントローラ(pc)の負荷として良く用いられ
るソレノイドを負荷とした場合、パルス幅10μsec
 、デユーティl/40のパルス電流で十分制御可能で
ある。
従って電源用トランス41の大きさもパルス動作で制御
するようにすれば小形のもので間に合う。
第6図は、82出力を有する制御用ICAOを用いた、
本発明の実施例を示すブロック図である。
制御信号と共に入力端22より供給される直列データ信
号は、ホトカプラー39を経て、制御用IC30に入力
される。ここで前記諸口路(31゜32.83.84)
により並列出力データに変換された後、トライアック1
7のゲート回路を制御する。トライアック17には並列
にサージ吸収回路18が設けられその出力端は端子台5
0に導かれ、夫々外部負荷と接続される。
以上の説明で明らかな通り、本発明によれば直列データ
信号をホトカプラーでアイソレートされたトライアック
のゲート回路に設けた直列入力並列出力シフトレジスタ
に入力することにより、アイソレート用ホトカプラーの
個数を減らし、トライアックのT1端子−ゲート端子間
に、低圧側回路とはアイソレートされたゲート回路を設
けることにより通常耐圧のスイッチ素子でトライアック
の0N−OFF制御を可能にできる。又、パルス動作を
併用することによりゲート回路の電源容量の小形化を計
ることも可能となる。又、トライアックのゲート回路に
直接表示用発光ダイオードを挿入出来るので、より直接
的にトライアックの0N−OFF状態を表示することが
可能である。
従って、本発明を実施することにより交流スイッチ回路
の集積化小型化及低価格化を図ることができる。尚本発
明は共通の電源及びホトカプラーを必要とするため、出
力回路数の多いもの程より大きい価格低減効果が期待出
来るものである。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は従来の交流スイッチ回路例。 第3図は本発明における実施交流スイッチ回路の一具体
例を示す回路図、第4図は本発明の交流スイッチ回路の
制御部回路図、第5図は本発明にかかる電源部の回路図
、第6図は32出力の場合の本発明の一実施例を示すブ
ロック図である。 15;負荷、17;トライアック、19;電流制限用抵
抗、20;出力表示用発光ダイオード、22;制御デー
タ入力端子、30;制御回路素子、800;スイッチ制
御回路、81;シフトレジスタ、82;ラッチ回路、3
5:スイッチ素子、40;電源回路。 代理人 弁理士  福 士 愛 彦

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、交流電源に直列に接続された負荷を、直列に挿入さ
    れたトライアックを0N−OFF制御することにより駆
    動制御する交流スイッチ回路において、上記トライアッ
    クのゲート端子に接続されトライアックを0N−OFF
    するためのスイッチ回路、ホトカプラーを介して外部か
    ら直列入力される制御信号を並列出力するシフトレジス
    タ、該シフトレジスタの並列出力を一時記憶するラッチ
    回路、該ラッチ回路の出力で上記スイッチ回路を駆動す
    る駆動回路を備え、上記スイッチ回路の開閉制御により
    上記トライアックをスイッチすることを特徴とする交流
    スイッチ回路。 2、トライアックのゲート端子に直列に出力表示用発光
    ダイオードを挿入したことを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の交流スイッチ回路。
JP12100081A 1981-07-31 1981-07-31 交流スイツチ回路 Pending JPS5821925A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62501601A (ja) * 1984-12-05 1987-06-25 ラ テレメカニク エレクトニク 電力スイッチ
US8097545B2 (en) 2006-10-06 2012-01-17 Hitachi Chemical Company, Ltd. Phase-separation-controlled polybutadiene resin composition and printed wiring board using the resin composition
JP2013098915A (ja) * 2011-11-04 2013-05-20 Omron Corp ソリッドステートリレー及び負荷駆動回路
KR20200030581A (ko) 2017-07-27 2020-03-20 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 교류 스위치 그리고 그것을 구비하는 무정전 전원 장치 및 순저 보상 장치

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