JPS58210074A - チアゾ−ル酢酸誘導体およびその製造法 - Google Patents

チアゾ−ル酢酸誘導体およびその製造法

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JPS58210074A
JPS58210074A JP57094444A JP9444482A JPS58210074A JP S58210074 A JPS58210074 A JP S58210074A JP 57094444 A JP57094444 A JP 57094444A JP 9444482 A JP9444482 A JP 9444482A JP S58210074 A JPS58210074 A JP S58210074A
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Hiroaki Yanagisawa
宏明 柳沢
Koichi Fujimoto
光一 藤本
Eiji Nakayama
英司 中山
Sadao Ishihara
石原 貞夫
Shigeki Muramatsu
村松 重基
Akiko Ando
安東 秋子
Junya Ide
井手 純也
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は抗菌剤の原料化合物として有用なチアゾール酢
酸誘導体およびその製造法に関するものである。
本発明で供するチアゾール酢酸誘導体は一般式 (上記式中、Rは水素原子またはカルボキシル基の保藤
基を示し R2およびR6は水素原子またはアミ7基の
保tφ基を示す。)で表わされる新規なチアゾール酢酸
誘導体またはその塩である。
前記一般式(IJ中のR1,R2およびR3について更
に具体的に説明すると、Rとしては水素原子または通常
よく使われるカルボキシル保護基であり、保護基として
は炭素数1乃至6個のアルキル基(例えばメチル、エチ
ル、n−プロピル、イソプロピル、D−ブチル、ターン
ヤリ−ブチル、ペンチル、ヘキシル等)、アラルキル基
(例えばベンジル、ジフェニルメチル等)、アリール基
(例えばフェニル等)、トリ低級アルキルシリル基(例
えばトリメチルシリル、ターシャリ−ブチルジメチルシ
リル等)などがあげられる。上記カルボキシル保護基に
は、アルキル、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、ア
シルオキシ、シアノ、アルキルチオ、アリールチオ、ア
ルキルスルホニル、アリールスルホニル、ニトロ等の置
換基が存在してもよい。(例えばシアノエチル、p−)
ルエンスルホニルエチル、p−メトキンベンジル、p−
ニトロベンジル等)これらカルボキシル保護基は保護の
目的を達する限り、この発明の要旨を変更することなく
広範な変化が可能でおる。
さらに本化合物(1)のカルボン酸塩も本発明に含まれ
るが、そのような塩としては金属塩(例えばナトリウム
塩、カリウム塩、リチウム塩、カルシウム塩等)、有機
塩(トリエチルアミン塩、テトラブチルアンモニウム塩
等)があげられる。
R,Rとしては水素原子またはアミ7基の保護基であυ
、ここで保護基とは脂肪族アシル基、芳香族若しくは複
素項な有するアシル基または炭酸アシルのようなアシル
基、ま/こけアラルキル基のことで、例えば低級アルカ
ノイル(例えばアセチル、プロピオニル、ブチロイル等
)、アロイル(例えばベンゾイル、ナフトイル等)、ア
リールアルカ/イル(例えばフェニルアセチル、フェニ
ルプロピオニル等) 、+v 累m 式カルボニル(伝
えばテノイル、フロイル、ニッチ/イル吟)、アリール
アルホニル(例えばメトキンカルボニル、エトギシ力ル
ボニル、ターシャリーフトキシ力ルボニル等)、アラル
コキシカルボニル(例えばベンジルオキ7カルボニル等
)またけアラルコキシカルボニル(例エバフェノキ/カ
ルボニル等)のような炭Atアシル基、トリフェニルメ
チIし基のようなアラルコキシJtがあ1rられる。十
6己アシル基は適当な置換基を有していてもよく、その
ような置換1店とじてはハロゲン、ヒドロキシ、低級ア
ルコキシ、ニトロ、アミノ、シアノ、カルボキシ、アル
コキシカルボニル、メルカプト、アルキルスルホニル、
アリールアルホニル、低級アルキル等があげられ、これ
らけさらに組合わされていてもよい。(例えはクロルア
セチル、シアノエトキシカルボニル、1:l−)ルエン
スルホニルエトキシカルボニル等)。さらに、R1およ
びR2けジアシル基または一緒になって二塩基性酸アシ
ル基(例エバフタロイル、マレオイルまたはスクシニル
等)を形成していてもよい。
つぎに本発明化合物(夏)の製造方法について、詳しく
説明する。化合物(I)の内、カルボキシル基が法論さ
れた化合物、すなわち一般式(式中 R2およびR5は
前述したものと同意義を有し R4はカルボキシル保護
基を示す。)で表わされる化合物は次の工程式によシ製
造しうる。
(In)             (VlR2、 (VD               Ml(式中、R
2,R3およびR4は前述したものと同意義を有し、Y
は求核性脱離法を示し、Xけハロゲン原子を示す。) 本工程の出発原料(2)の置換基R4は、すでに具体的
に詳しく述べた化合物(1)のRの説明におけるカルボ
キシルfLJ基と同一である。化合物(財)における求
核性脱離基Yはアニオンとして脱離する残基のことであ
り、ハロゲン(例えばクロル、フロム、ヨード等)、ア
ルキルスルホニルオキシ基(例えばメタンスルホニルオ
キシ、エタンスルホニルオキシ等)、アリールスルホニ
ルオキシ基(例えばペンセンスルホニルオキシ、p−)
ルエンスルホニルオキシ等)、アルキルスルホニルオキ
シ基(例えばベンジルスルホニルオキシ等)アルカノイ
ルオキシ基(例えばアセトキシ、プロピオニルオキシ等
)、アロイルオキシ基(例えばペンヅイルオキシ、p−
ニトロベンゾイルオキシ等)、アリールアルカノイルオ
キシ基(例えばフェニルアセトキシ@=)があげられる
■程Aは化合物側と化合物動とを溶媒中、塩基の存在下
で反応させて行なわれる。使用される溶媒としては例え
ばヘキサン、ベンゼンのような炭化水素類、ジクロルメ
タン、1,2−ジクロルエタンのようなハロゲン化炭化
水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランのよう
なエーテル類、酢酸エチルのようなエステル類、アセト
ンのようなケトン類、N、N−ジメチルアセトアミド、
N、N−ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホル
トリアミドのようなアミド類、ジメチルスルホキシドの
ようなスルホキシド類等があげられるが、本反応に影響
を与えない溶媒であればいずれも制限をうけるものでは
ない。使用される塩基としては特に限定はないが、アル
カリ若しくはアルカリ土類金属炭酸塩若しくけ重炭酸塩
(例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウ
ム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等)、アル
カリ若しくはアルカリ土類金属水酸化物(例えば水酸化
−ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム尋)、
アルカリ金属水素化物(例えば水素化ナトリウム等〕、
アルカリ金属アミド(例えばリチウムジイソプロピルア
ミド、リチウムヘキサメチルジシラザン、リチウムアミ
ド、ナトリウムアミド等)、アルキルリチウム(例えば
n −ブチルリチウム、メチルリチウム等)、有機アザ
ビシクロ[4,3,0] ]/ナー5−エンi、5−ジ
アザビシクロ[5,4,0]]ウンデカー5−エン)、
四級アンモニウムヒドロキシド類(例えばテトラブチル
アンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリエチルアンモ
ニウムヒドロキシド等)があげられる。またトリメチル
シリル化アミド知〔例えばビス(トリメチルシリル)ア
セトアミド、ビス(トリメチルシリル)トリフルオロア
セトアミド等〕も塩基として使用できる。反応温度は特
に限定はないが、通常0乃至100℃で行われ、反応時
間は30分乃至24時間でおる。本反応において、相間
移動触媒(例えばベンジルトリエチルアンモニウムクロ
ライド、テトラn−ブチルアンモニウムブロマイド等の
四級アンモニウム塩等)の存在下では、≠髪抽#ハロゲ
ン化炭化水素(例えばジクロルメタン、1.2−ジクロ
ルエタン等〕中、アルカリ金属炭酸塩(例えば炭酸カリ
ウム、炭酸ナトリウム等)、アルカリ金属水酸化物(例
えば水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等)の水溶液と
攪拌することによっても容易に進行する。
反応終了後、本反応の目的物(V)は、有機溶媒で抽出
し、水洗後、乾燥し、有機溶媒を留去することによシ得
ることができ、さらに場合によっては減出蒸留でN製す
ることも可能である。
本発明の工程Bは、一般式(7)で示される化合物を溶
媒中、ハロゲン化剤と反応させることにより行われる。
使用される溶媒としてはへキサン、ベンセンのような炭
化水素類、ジクロルメタン、クロロホルム、1,2−ジ
クロルエタン、四塩化炭素のようなノ10ゲン化炭化水
素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランのような
エーテル類、酢酸エチルのようなエステル類があげられ
るか、本反応に影響を及ぼさない溶媒か望ましい。ハロ
ゲン化剤としては、分子状ノ10ゲン(例えば塩素、臭
素等)、スルフリルハライド(例えば塩化スルフリル等
)、N−ノ10ゲン化アミド(例えばN−ブロムコノA
り酸イミド、N−クロルコハク酸イミド、N−ブロムア
セトアミド、1.3−ジブロム−5,5−ジメチルヒダ
ントイン叫)等があげられる。使用されるハロゲン化剤
は化合物(至)に対して等モル鼠か望ましい。反応温度
はハロゲン化剤の種類にもよるが、通常0乃至100℃
で行われる。反応時間は30分乃至24時間で行われる
。反応終了後、本反応の目的物は、反応溶液を水洗し、
乾燥後、溶媒を留去することによって得ることができる
本発明の工gcは一般式(ロ)で示される化合物を溶媒
中、チオ尿累誘導体■と反応させることにより行われる
。使用される溶媒としてはヘキサン、ベンセンのような
炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジオキサンのような
エーテル類、メタノール エタノールのようなアルコー
ル類、酢酸エチルのようなエステル鵡、アセトンのより
なケトン’Jk4、” # N−ジメチルアセトアミド
、N、N−ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホ
ルアミドのようなアミド類、ジメチルスルホキシドのよ
うなスルホキシド類哲・があけられるが、本反応に影響
を及ぼさない浴ρ騒が好ましい。反応温度は0乃至10
0℃で行われる。反応時間は30分乃至24時間である
。反応終了後、反応混合物に炭酸水素カリウム、炭酸水
素ナトリウム等の水溶液を加えて中和し、本反応目的物
−が析出しCいる場合には、これur取し、析出し°C
いない場合には、酢酸エチルのよりな有機溶媒で抽出し
、水洗、乾燥、溶媒の留去により目的物を得ることがで
きる。
不発8Aは、このようにしで得られる化合物帽のカルボ
キシル保護基を除去して、一般式(式中 R2およびR
3は前述したものと同意義を有する。)で表わされる化
合物を製造する方法を含む。脱保設の方法としては、廟
゛機化学でよく知られている方法であり、例えばメチル
、エチル若しくはベンジルエステル咎のアルカリ加水分
解または酸加水分解、ターシャリ−ブチル、ジフェニル
メチル若しくはp−メトキシベンジルエステル等のトリ
フルオロ酢酸、塩化アルミニウム等のルイス酸処理によ
る脱保護、ベンジル若しくはp−ニトロベンジルエステ
ル等の接触還元による脱保護法等があげられる。
さらに本発明は、一般式 (式中、Rは前述したものと同意義を有する。)で表わ
される化合物のアミノ基をアシル化剤またはアルキル化
剤で処理して、一般式 (式中、Rは前述したものと同意義を有し、R5は水素
原子またはアミ7基の保護基を示し、R6はアミ/の保
護基を示す。)で表わされる化合物を製造する方法を含
む。一般式(至)中のR5およびR6は、すでに記述し
た一般式(1)中のR2およびRの説明におけるアミ7
基の保護基と同一である。化合物(3)を広く知られて
いる方法により、ギ酵−酢厳混合無水物、無水酢酸、無
水フタル酸のような酸無水物、アセナルクロライド、ク
ロルアセチルクロライド、ベンゾイルクロライド、ベン
ジルオキシカルボニルクロライド、2゜2、2− ト!
J クロルエトキシカルボニルクロライドのような酸ハ
ライド、トリフェニルメチルクロライドのようなアラル
キルハライド等と反応させて、N−保酩百ヒ合物(至)
が製造される。本反応は無溶媒−または溶媒中、反応温
度−20乃至100℃、反応時間は30分乃至24時向
で行われる。使用される溶媒はヘキサノ、ベンセンのよ
うな炭化水累類、ジクロルメタン、クロロポルム、1.
2−ジクロルエタンのようなハロゲン化炭化水素類、ジ
エチルエーテル、テトラヒドロフランのようなエーテル
叉!、酢酸エチルのようなエステル類、アセトンのよう
なケトン類、NjN−ジメチルアセトアミド、N、N−
ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホルトリアミ
ドのようなアミド類、ジメチルスルホキシドのようなス
ルホキシド類等があげられるが、本反応に影響を辱えな
い溶媒が好ましい。本反応はギ酸−酢醒混合醒無水物、
無水酢酸、クロルアセチルクロライド等のように塩基を
加えなくても進行するが、ベンジルオキシカルボニルク
ロライド、トリフェニルメチルクロライド等のような試
薬の使用にはピリジン、トリエチルアミン、炭酸カリウ
ム等の塩基を加えることにより反応が速やかに進行する
本発明化合物(1)け神々の新規な抗菌作用を有するβ
−ラクタム什合物を合成するために重要な中間体である
が、−例として経口用セファロスポリン誘導体の製造例
を下式に示す。
(Xlll) すなわち、本発明のカルボン酸化合物@またはその反応
性誘導体を7−アミノセファロスポリン誘導体(Xll
)と反応させ、一般式(■)を有する化合物を製造し、
これより常法に従ってアミ7基の保循基を除去すること
によって、目的とする経口用セファロスポリン誘導体を
得ることができる。
次に実施例および参考例をあげて、本発明なさらに具体
的に説明するが、本発明はこれによって限定されるもの
ではない。
実施例1 (Z)−2−(2−ヒドロキシイミノ)−3−オキソ−
酪酸・メチル26?と2−フルオロ−1=(メタンフル
ホニルオキシ)エタン261と無水炭酸カリウム452
とをN、N−ジメチルホルムアミド200m1中、室温
で2時間、50℃で3時間攪拌する。反応混合物に酢酸
エチルと水を加え、酢酸エチル層を分離し、水洗、無水
硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去する。残留物を
減圧蒸留して目的化合物27.1 Fを得た。
沸点=82℃(1酎Hf )。
N M R(CDOL、)δ:2.38(3H,s、C
o−0H5)。
3.85(3H,a 、OOH,) 、 4.24(2
H,s)と4.6〜5.1 (2H、m 、 0CH2
0H2F)実施例2 3−オキソ酪酸メチル CZ)−2−(2−ヒドロキンイミ/)−3−オキソ−
酪酸メチル571と1−ブロモ−2−フルオロエタン5
ftと無水炭酸カリウム7vとをN、N−ジメチルアセ
トアミド20M中、室温で8時間攪拌する。反応混合物
を実施例1と同様に処理して沸点82℃(iasmHp
)の目的化合物4. Orを得た。この化合物の物理定
数は実施例1で得たfヒ合物と全く一致した。
実施例3 (Z)−2−(2−フルオロエトキシイミノ〕−3−オ
キソ−醋酸メチル92のジクロルメタン50 rne 
@ 液に沸騰還流しながら、臭素2.41 mlのジク
ロルメタン5 ml溶液のナルを加え、約20分攪拌し
ていると急速に反応が開始し臭素の色が消失するので、
さらに臭素溶液を全縫滴加する。を両加後1時間還流し
た後、冷却し、水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後
溶媒を留去して、液状の目的化合物126vを得た。
NMR(CDOL)δ: 3.87 (3H、S 、 
0CIH,)、 4.32(7H,s、Br0H200
)、4.15〜5.2(4H,m。
F(1!H2OH2O) 実施例4 メチル チオ尿素43?と無水酢酸ナトリウム5vの水40m1
懸渕液に氷冷下、4−ブロモ−(Z) −2−(2−フ
ルオロエトキシイミノ)−3−オキソ酪酸メチル126
vのメタノール30m1溶液を加え、室温で2時間攪拌
する。反応混合物は一度溶液状態となり、再び結晶が析
出する。反応混合物に水冷下、炭酸水素カリウム72の
水70m1溶液を少しずつ加えたあと、さらに30分攪
拌した後、析出する結晶を戸数、水洗、ジイソプロピル
エーテルで洗浄して、目的化合物87Vを得た。
融点180〜182℃ N M R(DMSO−4)δ:3.80(3H,θ、
 0OH3) 。
6 41〜5.0(4H,m、FCH20H20)、6.9
0(IH。
θ、ナアゾール猿プロ)ン) 、 7.22 (2H、
br、s  。
NH2) 実施例5 2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−(Zl−2
−(2−フルオロエトキンイミノ)酢酸メチル202を
水酸化ナトリウム482の水50m1. メタノール1
00ml溶液に加え、室温で20時間攪拌する。メタノ
ールを留去し、残留の水溶液に濃塩酸および3N塩酸を
加えてpH2,9に調整する。この溶液を約50m1寸
で減圧濃縮すると淡茶色の結晶性粉末3.4?が析出す
る。粉末を戸数した母液を冷帖庫中に一夜放置すると、
淡黄色の結晶として目的物が析出する。加数し、冷水、
アセトンで洗浄して、目的化合物13.7fを得た。
融点152〜154℃(分解) N M R(DMSO−d6)δ: 3.9〜5.1 
(4H、m 。
FOR20H20)、6.[l 1 (l I 8.チ
アゾール環プロ■ トン)、T、16(3H1br、8.NH3)実施例6 2−(2−アミノナアゾール−4−イル)−(Z)−2
−(2−フルオロエトキシイミノ)酢酸メチル30りの
N、N−ジメチルアセトアミド10m1溶液に氷塩浴で
冷却下、クロルアセチルクロリド1.1 m1f−5〜
3℃で加える。混合物を室温で1時間攪拌後、反応液に
水、酢酸エチルを加え、酢酸エチル層を分離する。酢酸
エチル層を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶
媒を留去すると、目的物が結晶として得られる。これを
ジエチルエーテルを用いてP取して目的化合物3.59
を得た。
融点131℃ NMR(CDOL )δ:3.85(3H,s、OOH
,)。
4.34 (2H、B 、 CLCH200) 、 4
.1〜5.2(4H。
m、FOROHO)、7.81 (lH,a 、チア・
/−、a[12 プロトン) 実施例7゜ 2−(2−クロルアセトアミノチアゾール−4−’rル
)−(Z)−2−(2−フルオロエトキシイミノ〕酢酸
メチル2.01を水酸化カリウム2,07の水20 m
lとエタノール2Qrnl溶液に氷冷下加え、つぎに室
温で2時間攪拌する。酢酸エチル、水を加え、水層を分
離する。水層に酢酸エチルを加えておき、濃塩酸を加え
てpH21cして、酢酸エチル層を分離する。無水硫酸
マグ坏シウムで乾燥後、溶媒を留去し、結晶として目的
物を得る。ジエチルエーテルを用いて戸数して、目的化
合物1842を得た。
融点150℃で着色し、166℃で発泡分解。
N M R(DMSO−(16)δ:438(2H1s
、CtCH20o)、4、Q 〜5,1(4H,tn、
FOH20H20)、7.54(IHjθ、チアゾール
項プロトン) 実施例8 酢酸 無水酢酸11罰と98〜100%ギ酸4.s meの混
合物を40℃、1時間攪拌した後、氷冷し、これンζ2
−(2−アミノチアゾール−4−イル〕−(Z) −2
−(2−フルオロエトキシイミノ)酢酸691を加え、
室温で4時間11拌する。叉応混合物は約1時間後には
ゾ均一な溶液となり、つぎに目的物が結晶として析出し
てくる。ジエチルエーテル7 ml お加え、1時間攪
拌後、結晶を戸数し、ジエチルエーテルでよく洗浄する
結晶を再度ジエチルエーテル・中で%F ?Dし、攪拌
後、V−取しで、目的化合物5.21を慴た。
融演158℃(分w4) N M R(DMSO−d6)δ: 4.0〜5.2 
(4H、m 。
FLT!HOHO)、7.’56(IH,8,チrシー
/LJJプロト2 ン)、8.55(IH,s、NH)、12.45(IH
br、s、HOO) 参考例1゜ N、N−ジメチルホルムアミド0.30 mlとオキシ
塩化リン0.35mJ混合物を40℃、1時間伶拌後、
減圧下(5mmHP)30分間放買する。こハに酢酸エ
チル5me加え、さらに2−(2−クロルアセトアミ/
チアゾール−4−イル)−(Z)−2−(2−フルオロ
エトキンイミノ)酢シ2117Vυ口え、室温で5分間
子に拝して均一な溶液とする。この溶液をピバロイルオ
キシメチル 7−アミノ−3−メトキンメチル−3−セ
フェム−4−カルボキンレートのp−トルエンスルホン
酸塩2.02とN、N−ジエチルアニリ> 2.1 m
lのジクロルメタン15m1溶液に一10℃で加える。
混合物を30分間−5〜−10℃で攪拌後、酢酸エチル
、水を加え、酢酸エチル層を分離する。酢酸エチル層を
硫酸水素カリウム水溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液で
順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留
去する。
残留物をクロロホルム−酢酸エチル1:1を溶媒系とす
るシリカゲル・カラムクロマトに付して、粉末状の目的
物1.63 fを得た。
N M R(ODOt、)δ:1.22C9H,e、t
、−ブチル)。
3.29(3Hj8.○CH3) 、352 (2H、
br、s 。
2位H2)、4.2〜4.3(6H,m、3位CI(。
C4CHCOIFOH2CH20〕内の2個分) 、 
4.5〜5.05(2H、m 、 FOH20H20の
内の2個分)、5.01(IH。
cl、J−5Hz、6位H)j5.80(2H,8,エ
ステルCH2)、582(1H1d、d、JIIll−
5,8,5H2,1位H)、7.24CIH,F3.チ
アゾール猿プロトン)。
7.64(IH,d、、T−8,5H2,7位NH)−
3−メトキシメチル−3−セフェム−4−カピバロイル
オキシメチル 7−[2−(2−クロルアセトアミノチ
アゾール−4−イル)−(Z) −2−(2−フルオロ
エトキシイミノ)アセトアミ/’:1−3−メトキシメ
チル−3−セフェム−4−カルボキシレート1.53 
tとN、N−ジ−n−ブチルチオ尿素886 m9のN
、N−ジメチルアセトアミド1oml溶液を40℃、8
時間攪拌する。反応液に酢酸エチルを加え、炭酸水素ナ
トリウム水溶液、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、溶媒を留去する。残留物をクロロホルム−メタ
ノール20:1をfe 媒M トするシリカゲル・カラ
ムクロマトに付して、粉末状の目的化合物を得た。
N M R(ODOt3)δ:1.23(SR,θ、t
−ブチル)、33+(3H,8、ocl(3) 、3.
55(2H,a 、HeCH2)、4.22(2H,I
I+、 )aH2−o−)、4.29(2)1 、9.
0OH2−) 、 4.5−4.8(1、m 。
−C−F ) 、 4.9−5.2(IH、m 、 −
C−F ) 。
古 5.02(IH,d、6位のH、J−5,8H2) 、
 5.83(2H、a 、 −Co○OH2000) 
r 572 (2H、b r 、s 。
NH2)、5.92(IH,(1,7位のH,、r−5
,8,10Hz ) 、 6T 9 (I H1θrチ
アゾール+7)H) 、 7.511(IH,d、0O
NH,J=lOHz)参考例2゜ 2−(2−ホルムアミノチアゾール−4−イル) −(
Z) −2−(2−フルオロエトキシイミノ)酢酸41
8 mg、!:ピバロイルオキシメチル 7−アミノ−
3−メトキンメチル−3−セフェム−4−カルボキシレ
ートのp−トルエンスルホン酸塩848 In9とを参
考例1. (A)と同様の方法によシ反応させて、粉末
状の表題化合物870mgを得た。
N M R(ODOtt5−DMSO−d6)δ:L2
2CB1r、B、t−ブチル)、3.29(3H,θ、
0CH3) 、3.54(2H。
br、s、2位H)、4.22(2H,8,3位CH2
)j2 41〜505(4H1m、FCH2C■(20)j5,
06(IHl(1,、T−5H2,6位H)、5.80
(2H,e、ニスフルCH2) I 5−82 (j 
Hjd h d 、J =1−5 + 3,5 Hz 
7位H)、7.30(IH,θ、チアヅール猿プロトン
)、8.41(IH,d、アミドNH)、9.41(I
H,brd。
J−8,5Hz、7位NH)12.31(IH,brs
HCO) ヒバロイルオキシメチル 7−[:2−(2−ホルムア
ミノチアグールー4−イル)−(Z)−2−(2−フル
オロエトキシイミ/)アセトアミノ〕−3−メトキシメ
チル−3−セフェム−4−カルホキシレー) 0.82
9のメタ/−ルー5ml懸濁液に濃塩酸0.5 mlを
加え、室温、1.5時間攪拌する。反応液に酢酸エチル
を加え、炭酸水素ナトリウム水溶液で中和する。酢酸エ
チル層を分離し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を留去して、粉末状の目的化合物0,8vを得た。その
NMRスペクトルは参考例1で得られた数値と一致した
特許出願人 三共株式会社 代理人 弁理士樫出庄治 第1頁の続き 0発 明 者 井手純也 東京部品用区広町1丁目2番58 号三共株式会社化学研究所内 5

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 (式中 R1は水素原子またはカルボキシル基の保簡基
    を示し、R2およびR3は水素原子またはアミノツ凹已
    基の保護基を示す。)で表わされるチアゾール酢酸誘導
    体またはその塩。
  2. (2)  一般式 (式中 R4はカルボキシル基の保護基を示す。)で表
    わされる化合物を一般式 %式% (式中、Yは求核性脱離基を示す。)で表わされるフッ
    素化合物と反応させて、一般式%式% (式中、R4は前述したものと同意義を有する。)を有
    する化合物とし、この化合物をハロゲン化剤で処理して
    、一般式 %式% (式中 R4は前述したものと同意義を有し、Xはハロ
    ゲン原子を示す。)を有する化合物とし、この化合物を
    一般式 (式中、R2およびR3は水素原子またはアミ7基の保
    護基を示す。)を有するチオ尿素誘導体と反応させるこ
    とを特徴とする特許 (式中、R2,R3およびR4は前述したものと同意義
    を有する。)を有するチアゾール酸[9導体の製造法。
  3. (3)  一般式 %式% (式中 R4はカルボキシル基の保護基を示し、R2お
    よびR3は水素原子丑たはアミ7基の保護基を示す。〕
    で表わされる化合物をカルボキシル基の保−基の除去反
    応に付することを特徴とする一般式 (式中、R2およびR3け前述したものと同意義を有す
    る。)を有するチアゾール酢酸誘導体の製造法。
  4. (4)  一般式 (式中、Rは水素原子またはカルボキシル基の保護基を
    示す。)で表わされる化合物をアシル化剤″!、たけア
    ルキル化剤と反応させることを特徴とする一般式 %式% (式中、Rは前述したものと同意義を有し、R5は水素
    原子またはアミ7基の保鰻基を示し、R6はアミ7基の
    保霞基を示す。)で表わされるチアゾール酢酸誘導体の
    製造法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS53137988A (en) * 1977-03-14 1978-12-01 Fujisawa Pharmaceut Co Ltd Cephem and cepham compounds and process for their preparation

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS53137988A (en) * 1977-03-14 1978-12-01 Fujisawa Pharmaceut Co Ltd Cephem and cepham compounds and process for their preparation

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