JPS58207048A - マスクの製造方法 - Google Patents
マスクの製造方法Info
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- JPS58207048A JPS58207048A JP57090286A JP9028682A JPS58207048A JP S58207048 A JPS58207048 A JP S58207048A JP 57090286 A JP57090286 A JP 57090286A JP 9028682 A JP9028682 A JP 9028682A JP S58207048 A JPS58207048 A JP S58207048A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマスクの製造方法に係り、とりわけＸ線露光用
マスクの製造方法に関する。
マスクの製造方法に関する。
従来、Ｘ線露光用マスクの製造方法としては、第１図に
示すとと（、ｌａ＋シリコン・ウェーハ１の表面から、
（６１ボロン拡散を２μｍ程度行ない、ボロン拡散層２
を形成する。次でＣｃ）金パターン層３を通常のホトリ
ゾグラフィー法によシバターン状レジストを形成後、シ
リコン・ウェーハを陰極にしたメッキ法で、レジスト溝
部に形成する。
示すとと（、ｌａ＋シリコン・ウェーハ１の表面から、
（６１ボロン拡散を２μｍ程度行ない、ボロン拡散層２
を形成する。次でＣｃ）金パターン層３を通常のホトリ
ゾグラフィー法によシバターン状レジストを形成後、シ
リコン・ウェーハを陰極にしたメッキ法で、レジスト溝
部に形成する。
次で、Ｉｄｌシリコン会ウェーハの裏面の周辺にレジス
ト膜を塗布してＫＯＨ水溶液でエツチングすると、ボロ
ン拡散層でエツチングが止まシ、２μｍ厚のシリコンタ
ンブレン膜４上に金パターン層が形成され、シリコン枠
５が形成されたＸ線露光用マスクが製作される。裏面レ
ジスト膜はシリコン−ウェーハの裏面エツチング後除去
される。
ト膜を塗布してＫＯＨ水溶液でエツチングすると、ボロ
ン拡散層でエツチングが止まシ、２μｍ厚のシリコンタ
ンブレン膜４上に金パターン層が形成され、シリコン枠
５が形成されたＸ線露光用マスクが製作される。裏面レ
ジスト膜はシリコン−ウェーハの裏面エツチング後除去
される。
しかし、上記従来技術等によるｘ＃露光用マスクは、一
般にメンプラン自体の熱膨張率が大きく、例えばシリコ
ン・メングラン・マスクの場合、１００ｗφのマスクで
、１℃の温度変化で、パターンがマスク端で０゜５μｍ
ずれることとなる欠点がある。
般にメンプラン自体の熱膨張率が大きく、例えばシリコ
ン・メングラン・マスクの場合、１００ｗφのマスクで
、１℃の温度変化で、パターンがマスク端で０゜５μｍ
ずれることとなる欠点がある。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくしパター上記目的
を達成するための本発明の基本的な構成は、マスクの製
造法において、合成樹脂膜表面には金あるいは馬等のＸ
線阻止能を有する材ｊ＃＋を主体としたパターン状膜が
形成され、該パターン状膜を有する合成樹脂膜′表面に
石英材からなる枠状石英をのせ、前記パターン状膜を有
する合成樹脂表面と、該枠状石英の表面からスパッタ蒸
着法、化学蒸着法あるいは８ｉ（○Ｈ）４等の液体塗布
によるｓｈｏ、膜形成等を行ない、極めて薄い５ｉ０２
膜を形成し、）なぐとも前記パターン状膜と、前記石英
枠とを固着することによシ、メングラン状マスクとなす
事を特徴とする。
を達成するための本発明の基本的な構成は、マスクの製
造法において、合成樹脂膜表面には金あるいは馬等のＸ
線阻止能を有する材ｊ＃＋を主体としたパターン状膜が
形成され、該パターン状膜を有する合成樹脂膜′表面に
石英材からなる枠状石英をのせ、前記パターン状膜を有
する合成樹脂表面と、該枠状石英の表面からスパッタ蒸
着法、化学蒸着法あるいは８ｉ（○Ｈ）４等の液体塗布
によるｓｈｏ、膜形成等を行ない、極めて薄い５ｉ０２
膜を形成し、）なぐとも前記パターン状膜と、前記石英
枠とを固着することによシ、メングラン状マスクとなす
事を特徴とする。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明によるＸＳｉ光、用マスクの製造方法の
一実施例を示す工程毎の断面図である。
一実施例を示す工程毎の断面図である。
まず（αＩ５μｍ厚のポリイミド膜ｌｌ上に、ｔｂ＋
２００ Ｘ白金層を全面スパッタ蒸着し、通常のホトリ
ゾグラフィー技術によりパターン状レジストを形成し、
パターン溝に前記白金膜を陰極として０．５μｍ厚の金
メッキ層１３をパターン状に形成後、レジスト除去し、
スパッタ・エツチングにより、白金膜を金パターン層３
をマスクとして行ない、金パターン層１３の下に白金層
１２を残存させる。次に、ＩＣｌリング状の石英枠１４
（厚さ１聰）を前記パターン状金属層が形成されたポ
リイミド膜表面にのせる。
２００ Ｘ白金層を全面スパッタ蒸着し、通常のホトリ
ゾグラフィー技術によりパターン状レジストを形成し、
パターン溝に前記白金膜を陰極として０．５μｍ厚の金
メッキ層１３をパターン状に形成後、レジスト除去し、
スパッタ・エツチングにより、白金膜を金パターン層３
をマスクとして行ない、金パターン層１３の下に白金層
１２を残存させる。次に、ＩＣｌリング状の石英枠１４
（厚さ１聰）を前記パターン状金属層が形成されたポ
リイミド膜表面にのせる。
この場合、ポリイミド膜の裏表面に石英枠１４るのせて
、以後の工程の処理を行なってもよい。次で、ｌｄｌス
パッタ蒸着法あるいは化学蒸着（ＣＵＤ）法あるいは８
４．（ＯＴＩ）液の塗布法等により、前記石英枠をのせ
た、金パターン膜付きのポリイミド膜等の表面から、Ｓ
ｉＯ２膜１５全１５ｍ厚で形成する。５ｓ（ｏａ）４灘
の塗布法では、石英枠内に液体を塗布するため、少なく
とも、石英枠とポリイミド膜の接する部分迄は該液体が
塗布され、以後のベーキング（約３００℃）等の処理に
よりｓｅａ、膜が形成される。この段階で一応Ｘ１ｆｌ
光用メングラン・マスクは形成される訳であるが、本例
では、１ｇｌ工程として、ポリイミド膜をヒドラジン等
にょシ除去してｓｈｏ。
、以後の工程の処理を行なってもよい。次で、ｌｄｌス
パッタ蒸着法あるいは化学蒸着（ＣＵＤ）法あるいは８
４．（ＯＴＩ）液の塗布法等により、前記石英枠をのせ
た、金パターン膜付きのポリイミド膜等の表面から、Ｓ
ｉＯ２膜１５全１５ｍ厚で形成する。５ｓ（ｏａ）４灘
の塗布法では、石英枠内に液体を塗布するため、少なく
とも、石英枠とポリイミド膜の接する部分迄は該液体が
塗布され、以後のベーキング（約３００℃）等の処理に
よりｓｅａ、膜が形成される。この段階で一応Ｘ１ｆｌ
光用メングラン・マスクは形成される訳であるが、本例
では、１ｇｌ工程として、ポリイミド膜をヒドラジン等
にょシ除去してｓｈｏ。
メングラン・マスクとした。
本発明によるＸ線露光用マスクでは、石英（Ｓｚｏ２）
の熱膨張率が従来のＸ線露光用マスク材料よシー桁小さ
く、殆んどパターンずれないマスクとなすことができる
効果があると共に、マスク製造が容易であるという効果
もする。
の熱膨張率が従来のＸ線露光用マスク材料よシー桁小さ
く、殆んどパターンずれないマスクとなすことができる
効果があると共に、マスク製造が容易であるという効果
もする。
尚、本発明によるＸ線露光用マスクＦｉＸ線露光のみな
らず光露光にも用いることができ、Ｘ線露光と光露光を
混用する場合にはなお効果的に用いることができる。
らず光露光にも用いることができ、Ｘ線露光と光露光を
混用する場合にはなお効果的に用いることができる。
第１図（α１１６１１ｃｌ ｆｄｌは従来のマスクの製
造方法、第２図１ａ１１ｂ１１ｃｌ （ｄｉ Ｉｇ＋は
本発明によるマスクの製造方法を工程毎の断面図で示し
たものである。 １１１・・シリコン−ウェーハ ２・・・ボロン拡散層 ３ ＊ ｅ会合パターン ４−１１・メンプラン膜 ５・・・枠 １〕・・・合成樹脂膜 １２・・・下地金属層 １３・・争金パターン １４・・・石英枠 １５・・・ｓｉｏ、膜 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 第２図 ７１ケ （Ｃ）飄ｄへ壁（ト々
造方法、第２図１ａ１１ｂ１１ｃｌ （ｄｉ Ｉｇ＋は
本発明によるマスクの製造方法を工程毎の断面図で示し
たものである。 １１１・・シリコン−ウェーハ ２・・・ボロン拡散層 ３ ＊ ｅ会合パターン ４−１１・メンプラン膜 ５・・・枠 １〕・・・合成樹脂膜 １２・・・下地金属層 １３・・争金パターン １４・・・石英枠 １５・・・ｓｉｏ、膜 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 第２図 ７１ケ （Ｃ）飄ｄへ壁（ト々
Claims (1)
- 合成樹脂膜表面には金あるいはＭｏ等のＸ線阻止能を有
する材料を主体としたパターン状膜が形成され、該パタ
ーン状膜を有する合成樹脂膜表面に石英材からなる枠状
石英をのせ、前記パターン状膜を有する合成樹脂表面と
該枠状石英の表面からスパッタ蒸着法、化学蒸着法ある
いは５Ｚ（ＯＨ）４等の液体頒布による５ｈｏ２膜形成
等を行ない、極めて薄いｓｈｏ、膜を形成し、少なくと
も前記パターン状膜と、前記石英枠とを固着することに
より、メングラン状マスクとなす事を特徴とするマスク
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57090286A JPS58207048A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57090286A JPS58207048A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207048A true JPS58207048A (ja) | 1983-12-02 |
| JPH0322686B2 JPH0322686B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=13994275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57090286A Granted JPS58207048A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207048A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674991B1 (ko) * | 2005-09-02 | 2007-01-29 | 삼성전자주식회사 | 토폴로지를 갖는 보상층을 구비한 바이너리 포토 마스크 및그 제조방법 |
| US7745072B2 (en) | 2006-06-06 | 2010-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of correcting critical dimension in photomask and photomask having corrected critical dimension using the method |
-
1982
- 1982-05-27 JP JP57090286A patent/JPS58207048A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674991B1 (ko) * | 2005-09-02 | 2007-01-29 | 삼성전자주식회사 | 토폴로지를 갖는 보상층을 구비한 바이너리 포토 마스크 및그 제조방법 |
| US7745068B2 (en) | 2005-09-02 | 2010-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Binary photomask having a compensation layer |
| US7745072B2 (en) | 2006-06-06 | 2010-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of correcting critical dimension in photomask and photomask having corrected critical dimension using the method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0322686B2 (ja) | 1991-03-27 |
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