JPS581887A - Refresh controlling system of main memory - Google Patents

Refresh controlling system of main memory

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JPS581887A
JPS581887A JP56099200A JP9920081A JPS581887A JP S581887 A JPS581887 A JP S581887A JP 56099200 A JP56099200 A JP 56099200A JP 9920081 A JP9920081 A JP 9920081A JP S581887 A JPS581887 A JP S581887A
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    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
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    • G11C11/406Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles

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Abstract

PURPOSE:To eliminate an effect due to an increment of the number of interleaves, by giving a simultaneous access to all interleaves in the refresh mode and refreshing the cells in each memory element with each line. CONSTITUTION:A main memory MS of 256MB capacity (MB: megabyte) is divided into 256IL (IL: interleave). In this case, 1IL has 8B (B: byte). The access throughput to be given to the memory MS from a memory control unit MCU has 8BX8 megacycle. Each memory access controller MAC controls 32IL. Then 256ILX8BX2 is refreshed all at once. With a refresh action, the unit MCU starts the refresh at one time to the controllers MAC#0-#7. Thus each MAC refreshes 1IL of all RAM elements of 32ILX8BX2 which are connected to the own MAC. In this case, the MCU inhibits an access to the MS until the BUSY state caused by the refresh is released.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ダイナき、り型MO8RAMを用いたメイン
メモリのりフレッシー制御方弐に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a main memory flexible control method using a dynamo-type MO8RAM.

一般の汎用計算機システムに於けるメインメモリのす7
レツシ、制御は、できるだけ処理装置(例えば中央処理
装置CPU或いはチャネルプロセッサCHP)のアクセ
スの支障とならない様に低い優先度でインターリーブ単
位すなわれ、ある一定の期間内にILlll(LNはラ
イン)分が終了する様に時間監視を行なっている。ここ
でインターリーブとは、経済性等の理由で比較的動作速
度の遅いRAMを用いたとき等に、スループットを向上
させる目的でメインメモリを個々に制御可能な多数のブ
ロックに分割して扱う、その各プロ、りを指し、11L
(ILはインターリーブ)は例えば81(Bはバイト)
毎の区切)と定義される。また1LJIとは、例えば4
4”RAMであれば256”x256b(bはビット)
のマトリクスで構成されるのでそのうちのビ、つまjl
)256bのセル列を指□す。゛但し、一般に大容量の
メインメモリは多数のRAM素子(6a”RAM等を指
す)を用いるので、各RAM素子に共通のラインを総称
して単に1%′″という。
Main memory in a general-purpose computer system 7
Receive and control are performed in interleave units with a low priority so as not to interfere with the access of the processing unit (for example, central processing unit CPU or channel processor CHP), and ILllll (LN is line) minutes are processed within a certain period of time. The time is monitored to ensure that the process is completed. Here, interleaving refers to a process in which main memory is divided into a large number of individually controllable blocks for the purpose of improving throughput, such as when using relatively slow RAM for economical reasons. Each professional refers to 11L
(IL is interleaved) is for example 81 (B is byte)
each interval). Also, 1LJI means, for example, 4
4” RAM is 256” x 256b (b is bit)
Since it is composed of a matrix of
) 256b cell column □. However, since a large-capacity main memory generally uses a large number of RAM elements (6a'' RAM, etc.), the line common to each RAM element is collectively referred to simply as 1%''.

上述し念す7レクシ、制御方式は、時間監視の結果残り
の時間が少なくなってくると、低い優先度を高い方へ変
更し、一定期間内K Qフレ、シ。
The above-mentioned control system changes the low priority to the high priority when the remaining time becomes short as a result of time monitoring, and the KQ frequency and shift are performed within a certain period of time.

が終了する事を保障している。ところがこのリフレッシ
ュ方式を科学技術専用の特殊な計算機、例えばベクトル
プロセッサにそのま\適用すると次の様な問題を生じる
。(1)一般にベクトル演算に於けるメインメモリのア
クセスは、アドレス上連続するデータを高速に、かつ高
いスループ、トでアクセスする事が要求される。しかし
、リフレッシュをインターリーブ単位で行なうと、上期
一定期間に於て全インターリーブ数と等しい回数だけ特
定インターリーブを“BUSY ”にしなければならな
い。従って、ベクトルユニ、トからメインメモリへのア
クセス途リフレッシュによって邪魔される確率は汎用計
算機と比較して高くなる。(2)シかも、ベクトルプロ
セッサではメインメモリへのアクセスのスループッ)を
向上させるために1インターリーブ数を増加する傾向に
あるので(1)の問題がより大きくなる。
is guaranteed to end. However, if this refresh method is directly applied to a special computer dedicated to science and technology, such as a vector processor, the following problems arise. (1) In general, main memory access in vector operations requires accessing consecutive data at high speed and with a high throughput. However, if refresh is performed in units of interleave, a specific interleave must be set to "BUSY" a number of times equal to the total number of interleaves in a certain period of the first half. Therefore, the probability that access from the vector unit to the main memory will be interrupted by refresh is higher than in a general-purpose computer. (2) However, in vector processors, the number of interleaves tends to be increased in order to improve the throughput of access to the main memory, so the problem in (1) becomes even more serious.

本発明は、ベクトルユニセ、すのようにメインメモリに
頻繁にアクセスする性質を持つシステムで、該アクセス
に対する妨害を極力抑圧する形でリフレッシュしようと
するもので、その特徴とするところはダイナミ、り型の
ランダムアクセスメモリ素子で構成されたメインメモリ
を複数のインタリープに分割して各インタリープ管独立
にアクセス可能としたシステムの該メインメモリのす7
し、シュ制御方式において、リフレ、シ1時には全ての
インタリープに同時にアクセスして各メモリ素子内のセ
ルをライン単位でリフレッシュするようにし、また各ラ
イン毎に割当てられた一定のリフレ、ン1周期内では必
ず1回該当するラインのりフレッノ、を行ない、さらに
通常のメモリアクセスに対するリフレッシュの優先度t
−mリフレ、シ1周期の始めは低くそして終りにかけて
高く 。
The present invention attempts to refresh a system that frequently accesses the main memory, such as a vector unice, in a manner that suppresses interference with the access as much as possible. The main memory of the system is divided into a plurality of interleaps, each of which is made up of random access memory elements of the same type, and each of the interleaves can be accessed independently.
However, in the refresh control method, all interleaps are accessed simultaneously at the time of refresh, and cells in each memory element are refreshed line by line, and a constant refresh rate is assigned to each line. The corresponding line is refreshed once within the memory, and the refresh priority relative to normal memory access is set to t.
-m reflation, low at the beginning of the 1 cycle and high towards the end.

なる様に時間監視して、紋り7レクシ1周期内の最適す
7し、シ1時期を決定する点にある。以下、図示の実施
例を参照しながらこれを詳細に説明する。
The point is to monitor the time so as to determine the optimum timing within one cycle of the pattern and the timing of the pattern. This will be explained in detail below with reference to illustrated embodiments.

前述したように641ビ、) RAM素子は256L″
×256 のマトリクスで構成され、1回のリフレ、シ
ュで1L′(256b)がりフレッシュされる。
As mentioned above, the RAM element is 256L''
It consists of a ×256 matrix, and 1L' (256b) is refreshed with one refresh.

従って1個のRAM素子全体をリフレッシュしようとす
ると256回のり7し、クユが必要となる。
Therefore, if one attempts to refresh the entire RAM element, it will take 256 times and a memory will be required.

例えば1個のRAM素子全体のりフレ、シュ間隔が最大
16rnIとすれば、このRAM素子に対して16””
内に25,6151、つtす62μm内VC1回f)1
11合いで各ラインに対するリフレッシ、処理を順番に
行なわなければならない。一般のリフレッシ1時間監視
制御は、ハードウェア量の減少と制御の簡単化の九めに
ILN単位に行なわれている。つまり、システム内に存
在するすべての上記RAM素子の1Lゞが62μsでリ
フレッシュされるように制御する。
For example, if the total slope and spacing of one RAM element is a maximum of 16 rnI, then 16"" for this RAM element.
25,6151 within, 1 VC within 62μm f) 1
At the 11th stage, each line must be refreshed and processed in turn. General refresh one-hour monitoring control is performed on an ILN basis in order to reduce the amount of hardware and simplify control. In other words, control is performed so that 1L of all the above-mentioned RAM elements existing in the system are refreshed every 62 μs.

wE1図は256”容量(MBはメガバイト)のメイン
メモIJM8の構成図で、256 VC分割された例で
ある。11Lは81(本例では72ビ、ト)であり、ま
た斜線部は1個の64  RAM  素子である。
Figure wE1 is a configuration diagram of the main memory IJM8 with a capacity of 256" (MB is megabyte), and is an example in which it is divided into 256 VCs. 11L is 81 (72 bits in this example), and the shaded area is one memory. 64 RAM elements.

従ってs 2 fLは52X8”X2X64’ピツトで
ある。
Therefore, s 2 fL is a 52X8''X2X64' pit.

メモリコントロールユニ、)MCu*にらメインメモリ
MSへのアクセススループットは81×8メサイクルで
あ抄、各メモリアクセスコントローラMACはそれぞれ
321Lを制御対象とする。MCUには256”の°B
UOY”状態を個々に監視する。
The access throughput to the main memory MS is 81×8 memory cycles, and each memory access controller MAC controls 321L. MCU has 256”°B
UOY” status individually.

256ピツトの@BUSY ’フラグFGe〜F’c*
si力IJて、このフラグが1オフ”のインタリープに
対してのみアクセスを起動する事ができる。8台のMA
Cφ0〜÷7はMCUによって指定されたアト。
256 pit @BUSY 'flag FGe~F'c*
With power IJ, access can only be activated for interleaps with this flag set to 1 off. 8 MAs
Cφ0 to ÷7 are addresses specified by the MCU.

Vスを使って各321&の中の1個に対して毎サイクル
8″単位のアクセス管起動する事ができる。
Using the Vs, access tubes can be activated in units of 8'' every cycle for one of each 321&.

本発明では1度[2561LX8”(72ビツト)×2
をリフレッシ、する。この領域が破線で示すA R1+
 A R雪であシ、1回当シのリフレッシ、では従来の
256倍に相当するM CU 7518台のMACφ0
〜φ7に対して同時にリフレ、シxfi−起動すると、
それぞれのMACは自分自身に接続されている52”X
 8” (72ビツト)×2のすべてのRhM素子の1
 tリフレッシ、する。このときMCUはり7し、シ、
による@BU8Y”が解除されるまでの一定期間メイン
メモリMSへのアクセスを禁止する。又、MCUはリフ
レッシュを起動する際にも一定期間メインメモリMSの
アクセスを禁止する。これはりフレッシーが通常のアク
セスと重ならないようにするためであるが、あまり禁止
する時間が長くなると性能上の問題が生じるため、MC
UがメインメモリM8に対してアクセスを起動していな
い期間を時間監視して、できるだけ空き時間を使ってり
7し、シ、するようにする。
In the present invention, once [2561L x 8” (72 bits) x 2
Refresh yourself. This area is indicated by the broken line A R1+
A R snow, one-time refresh, MCU 7518 MACφ0, which is 256 times the conventional number.
~ When reflation and si xfi- are started for φ7 at the same time,
Each MAC is connected to its own 52”
8” (72 bits) x 1 of all RhM elements
T refresh. At this time, the MCU beam is 7, and
@BU8Y” is disabled for a certain period of time until it is released. Also, when the MCU starts refreshing, it also prohibits access to the main memory MS for a certain period of time. This is to avoid overlapping accesses, but if the prohibition time is too long, performance problems will occur, so the MC
The time period during which U does not start accessing the main memory M8 is monitored and the free time is used as much as possible.

第2図はMCUがアクセスを起動していない期間の時間
監視回路である。メインメモリを構成する1個のインタ
ーリーブのサイクルタイムラ24サイクルとすると、パ
ーシャルライトでは48サイクルとなる。第2図の回路
ではパーシャルライトが48サイクル起動されなかった
ことをカウンタCNTlで、またすべてのアクセスが2
4サイクル起動されなかりたことをカウンタCNT鵞で
検出する。リフレッシ、を起動する際には、すべてのイ
ンターリーブが”BUSY”でない状態を作る必メモリ
MSへのアクセスを禁止しなければならない。この禁止
期間を短縮化するため、ある一定期間(本例では62μ
1I)K上記アクセスが起動されていないサイクル数を
検出することにより、空き。
FIG. 2 shows a time monitoring circuit during a period when the MCU is not activating access. Assuming that one interleave cycle timer constituting the main memory has 24 cycles, the partial write requires 48 cycles. In the circuit shown in Figure 2, the counter CNTl indicates that the partial write was not activated for 48 cycles, and all accesses are
It is detected by the counter CNT that it has not been activated for 4 cycles. When activating refresh, access to the memory MS that creates a state in which all interleaves are not "BUSY" must be prohibited. In order to shorten this prohibition period, a certain period (in this example, 62μ
1I) K Free by detecting the number of cycles in which the above access is not activated.

時間に積極的K IJフレッシ、を起動する。第3図は
このリフレッシュの起動アルゴリズムを表ワしたもので
ある。つまりNPW検出用カウンタCNT。
Actively start K IJ fresh in time. FIG. 3 shows the refresh activation algorithm. In other words, the counter CNT for detecting NPW.

はオアゲー) Gtの出力が0のときにカウントア。(or game) Counter when the output of Gt is 0.

プ(+1)L、1のときにリセットされる (AI、L
@01が書込まれる)。オアゲートG1の出力が0とな
るのは2.入力+PWGi、+REFGiが共KOのと
きで、これ以外では出力は1である。十PWGiはパー
シャルライトが起動されたときに1になシ、また+RI
FGiはリフレッシュが起動されたときに1となる。従
ってカウンタCNT、の出力NPW48はパーシャルラ
イトが起動されない期間が連続して48サイクルになる
と1となる。これに対しNMA検出検出用カン9ンタC
NTパーシャルライト、ストア、フルストア、フェッチ
等の全てのアクセスを監視する本ので、オアゲートG鵞
の0出力でカウントアツプ(+1)l、、1出力でリセ
ットされる(At、I、@0”が書込まれる)。オアゲ
ートらの2人力は+MAGiであり、+MAG@は何ら
かのメモリアクセスがあれば1となる。従って、カウン
タCNT、の出力NMム24は全てのアクセスがない期
間が連続して24サイクルに達すると1になる。
(+1)L, reset when 1 (AI,L
@01 is written). 2. The output of OR gate G1 becomes 0. When both inputs +PWGi and +REFGi are KO, the output is 1 in other cases. 10PWGi is set to 1 when the partial write is activated, and +RI
FGi becomes 1 when refresh is activated. Therefore, the output NPW48 of the counter CNT becomes 1 when the period in which partial write is not activated reaches 48 consecutive cycles. On the other hand, NMA detection detection counter C
Since this book monitors all accesses such as NT partial write, store, full store, and fetch, the count goes up (+1)l when the OR gate G's output is 0, and is reset when it outputs 1 (At, I, @0” is written).The two-man power of ORGATE is +MAGi, and +MAG@ becomes 1 if there is any memory access.Therefore, the output NM24 of the counter CNT is a continuous period in which there is no access. It becomes 1 when it reaches 24 cycles.

第5図に示すす7し、シ、の起動アルゴリズムは3s類
のモード(期間)ム、B、Ct−有する。
The activation algorithm of 7, C and C shown in FIG. 5 has three modes (periods) of M, B and Ct.

期間ムは62μ”oat早い時期であ択この間はりフレ
ッシ、の優先度を最も低くして51、他のアクセスを優
先する。但し、こO期間で4他のアクセスが全くなけれ
ばリフレッシ、してもよいので、NPW48 、NMム
24が共に1となれば全インターリーブが’BUSY’
でないので直ちにす7し、シ1起動のためにアクセスを
禁止する期間は下表に示すように不要である。
The period is 62μ" oat, which is an early option. During this time, the priority of "Fresh" is set to the lowest, and priority is given to other accesses. However, if there are no other accesses during this period, "Refresh" is performed. Therefore, if both NPW48 and NMMU24 become 1, all interleaving becomes 'BUSY'.
Therefore, the period for prohibiting access to start the server is unnecessary as shown in the table below.

期間Bは62ハの中間的な期間で、期間Aよりはり7レ
ツシ、の優先度を高くする。つま9.  NPW48 
、NMA24の一方が1になったら以後のアクセスを禁
止し、その後NPW48.NMA24が共に1になりた
時点でリフレッシ−を起動する。従って、この場合には
リフレッシ。起動のためのアクセス禁止期間は上表に示
すように1〜24サイクルであり、この期間が時間監視
される。期間Cは62FIの最終的な期間で、最も優先
度が高い。っオシ、期間A、Bで見送られたりフレアシ
ーは、期間Cで必ず実行しなければならない。このため
に□はNPW4B 、NMA24が上表に示すように共
[0でも強制的に以後のメモリアクセスを禁止し、その
後2〜4B9イクルを経てNPW48 、NMA24が
共KIKなりたらリフレ、シ、f起動する。
Period B is an intermediate period of 62 days, and has a higher priority of 7 days than period A. Toe 9. NPW48
, NMA24 becomes 1, subsequent access is prohibited, and then NPW48. When both NMA24 become 1, refresh is activated. Therefore, in this case, refresh. The access prohibition period for activation is 1 to 24 cycles as shown in the table above, and this period is time-monitored. Period C is the final period of 62FI and has the highest priority. However, flare seas that are postponed in periods A and B must be executed in period C. For this purpose, □ forcibly prohibits future memory access even if NPW4B and NMA24 are both [0] as shown in the table above, and after 2 to 4B9 cycles, when both NPW48 and NMA24 become KIK, refrench, switch, f to start.

以上述べたように本発明によれば、す7し、シ1t−起
動した際のプロセッ+IC対する1回の影響度は大きく
なるが、その回数は減少するので、全体としての悪影響
は小さくなる。特にベクトルプロセ、すのように1常時
メインメモリに対しアクセスする可能性の高いシステム
に於ては、その効果が大きい。ま九ベクトルプロセ、す
では、メインメモリへのアクセスのスループ、ト向上を
させるため、インターリーブ数を大きな値に設定するが
、本発明によればインターリーブ数に無関係にリフレク
タ、を行なうので、インターリーブ数増加による悪影響
はなくなる。
As described above, according to the present invention, although the degree of influence on the processor and IC when the system is started up increases once, the number of times it occurs decreases, so the overall adverse effect becomes smaller. This is particularly effective in systems where there is a high possibility of one always accessing the main memory, such as a vector processor. In a vector processor, the number of interleaves is set to a large value in order to improve the throughput and speed of access to the main memory, but according to the present invention, the reflector is performed regardless of the number of interleaves, so the number of interleaves is set to a large value. The increase will have no negative effects.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す説明図、@2図は時間
監視回路の構成図、第3図はりフレッタ^の起動アルゴ
リズムを示す説明図である。 図中、M8はメインメモリ、ILはインターリーブであ
る。 出願人 富士通株式会社
Fig. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a configuration diagram of a time monitoring circuit, and Fig. 3 is an explanatory diagram showing a starting algorithm of a beam fretter. In the figure, M8 is the main memory, and IL is the interleave. Applicant Fujitsu Limited

Claims (1)

【特許請求の範囲】 ダイナミック型のランダムアクセスメモリ素子で構成さ
れたメインメモリを複数のインタリープに分割して各イ
ンタリープを独立にアクセス可能としたシステムの該メ
インメモリのりフレッタ。 制御方式において、リフレ、シュ時には全てのインタリ
ープに同時にアクセスして各メモリ素子内のセルをライ
ン単位でリフレッシ、するようKし、また各ライン毎に
割当てられた一定のり7し、シュ周期内では必ず1回該
当するラインのリフレッシュを行ない、さらに通常のメ
モリアクセスに対するりフレッシュの優先度を該リフレ
ッシュ周期の始めは低くそして終りにかけて高くなる様
に時間監視して、該リフレッシュ周期内の最適リフレ、
シ1時期を決定すること全特徴とするメインメモリのり
7し、シュ制御方式。
[Scope of Claim] A main memory frame for a system in which a main memory composed of dynamic random access memory elements is divided into a plurality of interleaves and each interleap can be accessed independently. In the control method, all interleaps are accessed at the same time during refresh and refresh, and the cells in each memory element are refreshed line by line. The relevant line is refreshed without fail once, and the refresh priority relative to normal memory access is monitored so that it is low at the beginning of the refresh cycle and becomes high towards the end, and the optimal refresh within the refresh cycle is determined.
The main memory is determined by the main memory control method, which determines the timing.
JP56099200A 1981-06-26 1981-06-26 Refresh controlling system of main memory Granted JPS581887A (en)

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JPS581887A true JPS581887A (en) 1983-01-07
JPH0241108B2 JPH0241108B2 (en) 1990-09-14

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59156262A (en) * 1983-02-25 1984-09-05 Eitaro Suzuki Method and apparatus for automatic control of rolling of noodle web
JP2006512717A (en) * 2002-12-31 2006-04-13 インテル コーポレイション Dynamic memory refresh port

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5345944A (en) * 1976-10-06 1978-04-25 Nec Corp Refresh control system
JPS5461845A (en) * 1977-10-27 1979-05-18 Toshiba Corp Refresh control system

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5345944A (en) * 1976-10-06 1978-04-25 Nec Corp Refresh control system
JPS5461845A (en) * 1977-10-27 1979-05-18 Toshiba Corp Refresh control system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59156262A (en) * 1983-02-25 1984-09-05 Eitaro Suzuki Method and apparatus for automatic control of rolling of noodle web
JP2006512717A (en) * 2002-12-31 2006-04-13 インテル コーポレイション Dynamic memory refresh port
JP4738814B2 (en) * 2002-12-31 2011-08-03 インテル コーポレイション Dynamic memory refresh port

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