JPS58182685A - 表示体パネル - Google Patents
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- JPS58182685A JPS58182685A JP57065698A JP6569882A JPS58182685A JP S58182685 A JPS58182685 A JP S58182685A JP 57065698 A JP57065698 A JP 57065698A JP 6569882 A JP6569882 A JP 6569882A JP S58182685 A JPS58182685 A JP S58182685A
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- display panels
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13392—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers dispersed on the cell substrate, e.g. spherical particles, microfibres
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は、絶縁＠實ヵ・らなる表屡体用ギャップ剤をメ
タライズしたことから敗る上下Ｓａ削に関し・更に詳し
くは、無１［屏メッキによってメタライズされた表示体
パネル用上下４４通削に関している。
タライズしたことから敗る上下Ｓａ削に関し・更に詳し
くは、無１［屏メッキによってメタライズされた表示体
パネル用上下４４通削に関している。
現任表示体パネルとしてに、その多くが液晶パネルでる
るため、液晶パネルを生体にして述べるカ、エレクトロ
クロミツ、クバ不ル、エレクトロルミ洋ツセンス用パネ
ル等各種表示体にも通用可能で必ることは云うまでもな
い。
るため、液晶パネルを生体にして述べるカ、エレクトロ
クロミツ、クバ不ル、エレクトロルミ洋ツセンス用パネ
ル等各種表示体にも通用可能で必ることは云うまでもな
い。
液晶パネルは現在時針用表が１電卓用表ボ体テレビ、１
６Ｉｊ器等の表不俸として広く使用されている。最近は
、液晶パネルの表が６菫が大きくなる順回があり、ここ
で第１凶、第２図に従来の液晶パネルの上下導通部のａ
略因を示す。第１図は上下Ｓ板の上下導潰を取るために
軟金槁を用いた場合のものである。上着板に穴會關けて
おき、５のコモン［極のリード端子５へ４通を取るため
Ｖ（、穴の中に軟金属であるインジウムボール６を人ｎ
て、つぶした状態のものである。このように、インジウ
ムボールによって上下導通を取った場合、３のコモン電
極と６のインジウムボールのコンタクトが取れないこと
が多く、また、工θもかかり生成性が悪〃１つた。この
欠点を改良して、鉋ペースト９を上下基板のどちらかに
印刷丁−ることによって、１叡を減したものが第２図の
彷總でおる。
６Ｉｊ器等の表不俸として広く使用されている。最近は
、液晶パネルの表が６菫が大きくなる順回があり、ここ
で第１凶、第２図に従来の液晶パネルの上下導通部のａ
略因を示す。第１図は上下Ｓ板の上下導潰を取るために
軟金槁を用いた場合のものである。上着板に穴會關けて
おき、５のコモン［極のリード端子５へ４通を取るため
Ｖ（、穴の中に軟金属であるインジウムボール６を人ｎ
て、つぶした状態のものである。このように、インジウ
ムボールによって上下導通を取った場合、３のコモン電
極と６のインジウムボールのコンタクトが取れないこと
が多く、また、工θもかかり生成性が悪〃１つた。この
欠点を改良して、鉋ペースト９を上下基板のどちらかに
印刷丁−ることによって、１叡を減したものが第２図の
彷總でおる。
ところが、このような状態の液晶パネルも、上Ｆ導通部
の不良が液晶パネルの歩留り低下の大きな原因となって
いた。これは、７のシール剤と９の銀ペーストの乾燥温
度が異ること。また、Ｓ菖歇晶パネルＦｉ羊品で製造す
るのでになく、二枚のガラス板を貼り合わせ、第３図の
ような形にしたあと破線部に切り込みを入れ、割ること
によって率品の液晶パネル１０を製造している。このた
め液晶パネルの端部には力が加わＶ、シール剤の外部に
ある縁ペーストかはがｎ上下４遍不良を起重原因となっ
ていた。そこで鯖ペーストの接着性を高くする次めに樹
脂分を多くすると、銀ペースト内での銀粒子の接触が取
れにくくなり、上下導通不良を四重こととなった。また
躍ペースト中の銀粒子を多くすると、当然のことながら
接着性が悪くなった。史に、過当の割合であっても、製
造時の湿度、温度、乾燥時の温に等によっても歩留りが
大きく変動し、その原因の解析も山−を極めているのが
現状である。
の不良が液晶パネルの歩留り低下の大きな原因となって
いた。これは、７のシール剤と９の銀ペーストの乾燥温
度が異ること。また、Ｓ菖歇晶パネルＦｉ羊品で製造す
るのでになく、二枚のガラス板を貼り合わせ、第３図の
ような形にしたあと破線部に切り込みを入れ、割ること
によって率品の液晶パネル１０を製造している。このた
め液晶パネルの端部には力が加わＶ、シール剤の外部に
ある縁ペーストかはがｎ上下４遍不良を起重原因となっ
ていた。そこで鯖ペーストの接着性を高くする次めに樹
脂分を多くすると、銀ペースト内での銀粒子の接触が取
れにくくなり、上下導通不良を四重こととなった。また
躍ペースト中の銀粒子を多くすると、当然のことながら
接着性が悪くなった。史に、過当の割合であっても、製
造時の湿度、温度、乾燥時の温に等によっても歩留りが
大きく変動し、その原因の解析も山−を極めているのが
現状である。
また縁ペーストを用いた場合、銀粒子の僅が一足でなく
、大きい粒子の住が７μ以上であるのが一般的なもので
ある。このため、ギャップ厚が５μｍの液晶パネルをｔ
韮することが困禰でめった。
、大きい粒子の住が７μ以上であるのが一般的なもので
ある。このため、ギャップ厚が５μｍの液晶パネルをｔ
韮することが困禰でめった。
第４図にこの状態をボテ。１１は一粒子、１２ぼ鯛ペー
スト中の接ｙｔｉ樹脂である。
スト中の接ｙｔｉ樹脂である。
そこで不発明はこのような欠点を解消″ｆるため１）粒
径が液晶パネルのギャップを確保するために用いられる
ギャップ剤に無ｗ１解メッキをすることで導伝性ｔ−句
与した上下導通剤、あるいは２）粒径が液晶パネルのギ
ャップと同じかあるいはそれ以上で且つ一力性のあ心杷
縁吻買に無蝋購メッキをすることによって導伝性ｆｔ１
１与した上Ｆ導通剤を用いたことを％優としている。
径が液晶パネルのギャップを確保するために用いられる
ギャップ剤に無ｗ１解メッキをすることで導伝性ｔ−句
与した上下導通剤、あるいは２）粒径が液晶パネルのギ
ャップと同じかあるいはそれ以上で且つ一力性のあ心杷
縁吻買に無蝋購メッキをすることによって導伝性ｆｔ１
１与した上Ｆ導通剤を用いたことを％優としている。
１）の上下導通剤としては、グラスファイバー、アルミ
ナ、無情ガラスピーズ等があり、これｔｌ″便用した場
合液晶パネルのギャップによって、導通剤がはさみ込１
れた形となって、上下導通の一点不良が解消される訳で
ある。この仏慈を第５図に示す。１３はメタライジング
され友グラスファイバー、 １４は接着剤である。筐
た。２）の上下４遍剤としては、プラスチックボール、
１ラスチツクフアイバーがある。これを使用した場合、
プラスチックボールあるいはプラスチックファイバーＶ
ユ液晶パネルのギャップ厚と同じ径から、２倍までの径
をもつものが良い。こｎに１）と同様の増白によって接
点不良ｆ：解消する間開のよ’ＦＪ遍削であるが、液晶
パネルのギャップよりプラスチックボール４，６いはプ
ラスチックファイバーが大きいと液晶パネルのギャップ
厚が変動しても姉カ性に富むためメタライズされた上下
導通剤が変化し、導通部と強く、且つ面状に接醸するこ
とになって接点不良がなくなる訳である。
ナ、無情ガラスピーズ等があり、これｔｌ″便用した場
合液晶パネルのギャップによって、導通剤がはさみ込１
れた形となって、上下導通の一点不良が解消される訳で
ある。この仏慈を第５図に示す。１３はメタライジング
され友グラスファイバー、 １４は接着剤である。筐
た。２）の上下４遍剤としては、プラスチックボール、
１ラスチツクフアイバーがある。これを使用した場合、
プラスチックボールあるいはプラスチックファイバーＶ
ユ液晶パネルのギャップ厚と同じ径から、２倍までの径
をもつものが良い。こｎに１）と同様の増白によって接
点不良ｆ：解消する間開のよ’ＦＪ遍削であるが、液晶
パネルのギャップよりプラスチックボール４，６いはプ
ラスチックファイバーが大きいと液晶パネルのギャップ
厚が変動しても姉カ性に富むためメタライズされた上下
導通剤が変化し、導通部と強く、且つ面状に接醸するこ
とになって接点不良がなくなる訳である。
この状態を第６図にボテ。絹６凶中１５はメタライジン
グされたプラスチックボール、１６は接７ｔＩ剤である
。
グされたプラスチックボール、１６は接７ｔＩ剤である
。
ここで、プラスチックボール、プラスチックファイバー
の径が液晶パネルのギャップ厚の２倍を越えるとパネル
が組み立てられると棒に圧縮されるためメタル層にキ裂
が入り易くなり、かえって上下導通不良の原因を起重Ｃ
とになる、好寸しくにプラスチックボール径をギャップ
４の１．１〜１．３倍程である。
の径が液晶パネルのギャップ厚の２倍を越えるとパネル
が組み立てられると棒に圧縮されるためメタル層にキ裂
が入り易くなり、かえって上下導通不良の原因を起重Ｃ
とになる、好寸しくにプラスチックボール径をギャップ
４の１．１〜１．３倍程である。
次に不発明の上下導通剤の表瑣カ法について述べる。
これらの絶縁＠質にメッキをするために、通常法のよう
な無１！解前処堆工程會用いる。
な無１！解前処堆工程會用いる。
１）アルカリ脱月旨
２）酸中和
５） ＥｎＣ１ｔｍ液におけるセンシタイジング４）
ｆ’ａｃＪｍ皺液におけるアク千ベイチングである
。センシタイジングに、絶−吻買の表ｆｆ１ｌＫ例えば
ｓｎ”＋イオンを吸着させる工程であり、アクチベイ千
ングは？１１えば Ｓｎ” ＋ Ｐｄ” −４８ｎ’＋Ｐｄ’の反応を絶縁
＠１Ｍ表囲に起し、Ｐｄ０を無ｌｌ［鱗メッキの触媒核
とする工程である。
ｆ’ａｃＪｍ皺液におけるアク千ベイチングである
。センシタイジングに、絶−吻買の表ｆｆ１ｌＫ例えば
ｓｎ”＋イオンを吸着させる工程であり、アクチベイ千
ングは？１１えば Ｓｎ” ＋ Ｐｄ” −４８ｎ’＋Ｐｄ’の反応を絶縁
＠１Ｍ表囲に起し、Ｐｄ０を無ｌｌ［鱗メッキの触媒核
とする工程である。
無電解メッキ１処理工程を杓つ罠必と、ｓｉの方法に従
って建浴、加温さｆｉた無電解メッキ浴に浸漬丁ればメ
タライジングできる。
って建浴、加温さｆｉた無電解メッキ浴に浸漬丁ればメ
タライジングできる。
無電解メッキ浴としては、Ａｕ Ｉ Ｎｉ ＋ Ｃｕ
＋ Ａｇ ＋Ｏｏ＋Ｓｎ等のメッキ浴があり、上下導通
剤として使用可能でにあるが、メッキ被膜の密着性は、
Ｎ１が最も良く、そのため絶縁性＠負のメタライジング
には無電解ニッケル浴が最も丁ぐ几ている。
＋ Ａｇ ＋Ｏｏ＋Ｓｎ等のメッキ浴があり、上下導通
剤として使用可能でにあるが、メッキ被膜の密着性は、
Ｎ１が最も良く、そのため絶縁性＠負のメタライジング
には無電解ニッケル浴が最も丁ぐ几ている。
メッキ膜厚は、液晶パネルのギャップ剤を使用すル場合
ｒ、ｘｚｏｏＸ 〜５ｏｏｏＸが艮い、２００λ以下で
あるとギャップ剤にメッキ被験の形成されていない部分
が生じたり、また抵抗が人きくなるため実際的ではない
。５００ｏ＾以上になると上下導通部と液晶ギャップ厚
が１μｍ以上の差ができ、液晶層が不均一となり駆動電
圧の変化、おるいは干渉色に工９色ムラが出てし１つ。
ｒ、ｘｚｏｏＸ 〜５ｏｏｏＸが艮い、２００λ以下で
あるとギャップ剤にメッキ被験の形成されていない部分
が生じたり、また抵抗が人きくなるため実際的ではない
。５００ｏ＾以上になると上下導通部と液晶ギャップ厚
が１μｍ以上の差ができ、液晶層が不均一となり駆動電
圧の変化、おるいは干渉色に工９色ムラが出てし１つ。
また萌述のプラスチックボール、プラス千ツクファイバ
ーをメタライズする場合にメッキ膜厚は２００又〜４μ
ｍが良い。上紐と同様の理由により２００１以下のメッ
キ厚は適してなく、４μｍ以上メッキ被膜を形成すると
メッキ層にパネル組み立て時にキレンが入りゃ丁＜ｚ、
ｐ晋通不良の原因となりや丁い。またＣれ以上メッキ被
膜を形成すると液晶パネルのギャッフコントローＩルカ
困難になる。
ーをメタライズする場合にメッキ膜厚は２００又〜４μ
ｍが良い。上紐と同様の理由により２００１以下のメッ
キ厚は適してなく、４μｍ以上メッキ被膜を形成すると
メッキ層にパネル組み立て時にキレンが入りゃ丁＜ｚ、
ｐ晋通不良の原因となりや丁い。またＣれ以上メッキ被
膜を形成すると液晶パネルのギャッフコントローＩルカ
困難になる。
また、Ｍ！３ｍ性＠負にニッケル被膜等金形成した場合
、抵抗値が大きい場合は、ニッケル等の表囲Ｖｃ無電Ｗ
ｓ嫁メッキ、無電解筈メッキ等の電気導通件の良い責金
禰被ｍを形成するとよい。賞金禰無電解メッキの被膜厚
みはＳＯ′に〜１μｍが好ましい。
、抵抗値が大きい場合は、ニッケル等の表囲Ｖｃ無電Ｗ
ｓ嫁メッキ、無電解筈メッキ等の電気導通件の良い責金
禰被ｍを形成するとよい。賞金禰無電解メッキの被膜厚
みはＳＯ′に〜１μｍが好ましい。
□
このようにしてメタライズされた絶縁性＠ＩｊＩを接着
剤に加え均一に分赦さゼる、 ａＳ剤としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を使用
した。
剤に加え均一に分赦さゼる、 ａＳ剤としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を使用
した。
上記接着剤中へのメタライズされた絶−性物翼の割合は
α１ｗｔ１ｗｔチル ｗｔ ％が適当であり、ＣＬｌｗ
ｔ ％以下であると導通部の抵抗が大きくなったり、ば
らついたりしやすくなる、また６０ ｗｔ％以上になる
と接着性に問題がでやすくなる。’Ｆ７Ｃギャップ剤の
分散状態は、漱晶）（ネルの少なくとも上下導通部にお
いて５ケ／−〜５００ケ／−が良い。上限、下限の１１
１は上ｄピと同様の理由でめる。
α１ｗｔ１ｗｔチル ｗｔ ％が適当であり、ＣＬｌｗ
ｔ ％以下であると導通部の抵抗が大きくなったり、ば
らついたりしやすくなる、また６０ ｗｔ％以上になる
と接着性に問題がでやすくなる。’Ｆ７Ｃギャップ剤の
分散状態は、漱晶）（ネルの少なくとも上下導通部にお
いて５ケ／−〜５００ケ／−が良い。上限、下限の１１
１は上ｄピと同様の理由でめる。
もちろん、これらの甑は、ｅ縁性物貞の径により多少異
る。
る。
このようにして作られた上下導Ｊ剤に１印刷ＶＣよって
液晶パネルの上下導通部につｉ′ｊられ、液晶パネルに
組み込憧れた。
液晶パネルの上下導通部につｉ′ｊられ、液晶パネルに
組み込憧れた。
液晶パネルの基板は通常ガラスが用いられているが、プ
ラスチックフィルムに遣明電惨（ｓｎｏ、 ｊＩｎ、○
８等）ヲパターニングしたものを用いてもよい プラス
チックフィルムの場合に、上下導通材の接触し九部分が
、組立時の〃０圧によりへこみ′、それによって上下導
通材との接ｐ！５面積か大きくな９傷幀性が増重ことに
なる。
ラスチックフィルムに遣明電惨（ｓｎｏ、 ｊＩｎ、○
８等）ヲパターニングしたものを用いてもよい プラス
チックフィルムの場合に、上下導通材の接触し九部分が
、組立時の〃０圧によりへこみ′、それによって上下導
通材との接ｐ！５面積か大きくな９傷幀性が増重ことに
なる。
次に実施偶を用いて１ｉｆ−細に説明する。
実施例１
径５μｍのグラスファイバー粒子ｉ、１ＯＮの水酸化ナ
トリウム塔数に５分１ｉｊｌ浸漬し、水洗後中沌を行っ
た。これらの粒子に、穴径１μのミクロフィルターによ
ってそれぞ１しの工程でろ過さ才した。
トリウム塔数に５分１ｉｊｌ浸漬し、水洗後中沌を行っ
た。これらの粒子に、穴径１μのミクロフィルターによ
ってそれぞ１しの工程でろ過さ才した。
次に、５ｎＣｊ１１ ｔ ／ ｊ ＋ ＨＣｌ１ ｃｃ
／ ｊの混合溶液中にこれらの粒子を分散させ、ろ過、
水洗波、所だの方法によって建浴されたカニゼン社製の
レッドシューマー中にこれらの粒子を分散し、ろ過、水
洗した。そして、所属の力ぬＶＣよって建府されたカニ
ゼン社製の１−１−６８０浴欣（４５℃）に６分間分散
させ、ろ過、水洗した。これによってグラスファイバー
上に５５００大のニッケルーリンメッキができた。これ
をエポキシ樹脂中に２５ｗｔ％の割合で分散さぜホウケ
イ最ガラスの液晶パネルの上下導通剤として使用したと
ころ、抵抗９ｔｉは９にΩ（抵抗値はネサガラスを介し
て測だし７’ｃ）となった６また所属の加速試＠會有っ
ても抵抗値の変化はなかった。
／ ｊの混合溶液中にこれらの粒子を分散させ、ろ過、
水洗波、所だの方法によって建浴されたカニゼン社製の
レッドシューマー中にこれらの粒子を分散し、ろ過、水
洗した。そして、所属の力ぬＶＣよって建府されたカニ
ゼン社製の１−１−６８０浴欣（４５℃）に６分間分散
させ、ろ過、水洗した。これによってグラスファイバー
上に５５００大のニッケルーリンメッキができた。これ
をエポキシ樹脂中に２５ｗｔ％の割合で分散さぜホウケ
イ最ガラスの液晶パネルの上下導通剤として使用したと
ころ、抵抗９ｔｉは９にΩ（抵抗値はネサガラスを介し
て測だし７’ｃ）となった６また所属の加速試＠會有っ
ても抵抗値の変化はなかった。
実施例２
’ｄ１ｍ１１と同様に７μｍのクラスファイノく一粒子
上に２００λのニッケルーリンメッキ＝ｍした後、日本
エンゲルールト社製のアトメソクス金メッキ浴で、５０
０Ａのニッケルーリンｒｍ（ｆ−金と置換メッキした。
上に２００λのニッケルーリンメッキ＝ｍした後、日本
エンゲルールト社製のアトメソクス金メッキ浴で、５０
０Ａのニッケルーリンｒｍ（ｆ−金と置換メッキした。
つまり１ｓｏｏＸ４ゴニッケル−リン層、その上層とし
て５００＾ｒｔ雀１−が形成さｎた。これをエポキシ樹
脂申に５ｗｔチ分散させ、液晶パネルの上下４通剤とし
て使用したところ上ド導違の抵抗１１ｉ！は８にΩとな
った。、また功疋Ｑ〕加速試験全何っても、抵抗の変化
はなかった。
て５００＾ｒｔ雀１−が形成さｎた。これをエポキシ樹
脂申に５ｗｔチ分散させ、液晶パネルの上下４通剤とし
て使用したところ上ド導違の抵抗１１ｉ！は８にΩとな
った。、また功疋Ｑ〕加速試験全何っても、抵抗の変化
はなかった。
実権例５
実施例２でメタライズされた７μｍのグラスファイバー
粒子をＵＶ硬化（第外嶽硬化）性のアクリル樹脂中に１
５ｗｔ％分散させ、上下４遍剤としテポリエチレンフイ
ルムからなる液晶パネルに使用した。上下導通の抵抗値
は７にΩとな９、加速試験にも抵抗値の変化はなかった
。
粒子をＵＶ硬化（第外嶽硬化）性のアクリル樹脂中に１
５ｗｔ％分散させ、上下４遍剤としテポリエチレンフイ
ルムからなる液晶パネルに使用した。上下導通の抵抗値
は７にΩとな９、加速試験にも抵抗値の変化はなかった
。
実権例４
実権例２でメタライズされ／こ７μｍのグラスファイバ
ー粒子を２ｗｔ％、銀ペースト中に分散させて、液晶パ
ネルの上下導通Ｒ」として使用した。抵抗値は一ペース
トよりやや下がり、加速試験での抵抗の変化はなかつ比
。
ー粒子を２ｗｔ％、銀ペースト中に分散させて、液晶パ
ネルの上下導通Ｒ」として使用した。抵抗値は一ペース
トよりやや下がり、加速試験での抵抗の変化はなかつ比
。
実権例５
実施例４と同様にグラスファイバー粒子を１０ｗｔ％−
ペーストに分散さぜ、液晶バ坏ルの上ド４遍剤として便
用したところ、同様の結果が得らｎた。
ペーストに分散さぜ、液晶バ坏ルの上ド４遍剤として便
用したところ、同様の結果が得らｎた。
央り例６
１０μｍのアルミナ粒子に実施例１と同様の刀法でニッ
ケルーリン無ａ＝メッキを３０００＾の厚さＶｃＯい、
実施？１１２と同様の力泳で６００又の無鴫鱗金メッキ
を豹った、これをエポキシ樹脂に１０ｗｔ％分散させ、
液晶パネルの上下導通剤に使用したところ抵抗値は８Ｋ
Ｋｌとなり、加速試験でもその１直の変化框なかった。
ケルーリン無ａ＝メッキを３０００＾の厚さＶｃＯい、
実施？１１２と同様の力泳で６００又の無鴫鱗金メッキ
を豹った、これをエポキシ樹脂に１０ｗｔ％分散させ、
液晶パネルの上下導通剤に使用したところ抵抗値は８Ｋ
Ｋｌとなり、加速試験でもその１直の変化框なかった。
実施例７
径１２μｍのスチレンボールをクロム醗混液の中へ５分
間浸漬し、穴径２μｍのミクロフィルターによって、ろ
過後充分水洗した。次にｄｎｃｌ。
間浸漬し、穴径２μｍのミクロフィルターによって、ろ
過後充分水洗した。次にｄｎｃｌ。
１ ｆｌ／ｌ 、 ＨＣｊ Ｉ ＣＣ／ｊの混合浴衣中
にこｎらの粒子を分散させ、ろ過、水洗後、Ｉ’／ＩＶ
の力泳によって建浴されたカニゼン社製のレッドシュー
マー甲に分散させ、ろ過、水洗しｆｃ、、そしてＭａｔ
の力泳によって建浴されたカニゼン社製ｌ１ｌｌ−６８
０（４５℃）浴液中に６分間分散させろ過、水洗した。
にこｎらの粒子を分散させ、ろ過、水洗後、Ｉ’／ＩＶ
の力泳によって建浴されたカニゼン社製のレッドシュー
マー甲に分散させ、ろ過、水洗しｆｃ、、そしてＭａｔ
の力泳によって建浴されたカニゼン社製ｌ１ｌｌ−６８
０（４５℃）浴液中に６分間分散させろ過、水洗した。
これによってスチレンボール上ＩＣ３５００Ｘのニッケ
ルーリンメッキができた。これをエポキシ４８脂中に２
０ｗｔ％全分散させ、ギャップ厚１０μの液晶パネルの
上下４通剤として便用したところ、上下導通部の抵抗値
に８にΩとなった。１だ所だの加速試験を行ってもその
埴に変化はなかった。
ルーリンメッキができた。これをエポキシ４８脂中に２
０ｗｔ％全分散させ、ギャップ厚１０μの液晶パネルの
上下４通剤として便用したところ、上下導通部の抵抗値
に８にΩとなった。１だ所だの加速試験を行ってもその
埴に変化はなかった。
実権例８
実施例１でメタライズされたスチレンボールを紫外線硬
化性のアクリル樹脂中に１ｏｗｔ％分散芒せて、実施例
１と同様のギャップ厚１０μｍの成品パネルを炸裂し次
。液晶パネルの上下導通部の＃ｈ抗埴に９にΩであり、
１′９Ｔ建の加速試験を盲ってもその値は変化なかった
ー 爽め−Ｉ９ 実施例１と同様に径１０μｍのナイロンボールに、２５
００Ｘのニッケルーリンメッキをイｊった。
化性のアクリル樹脂中に１ｏｗｔ％分散芒せて、実施例
１と同様のギャップ厚１０μｍの成品パネルを炸裂し次
。液晶パネルの上下導通部の＃ｈ抗埴に９にΩであり、
１′９Ｔ建の加速試験を盲ってもその値は変化なかった
ー 爽め−Ｉ９ 実施例１と同様に径１０μｍのナイロンボールに、２５
００Ｘのニッケルーリンメッキをイｊった。
その彼、８李エンゲルハルト４ｉ級の了トメックス無罐
解金メッキ液にてＳＯＯ，：の置換金メッキを施した。
解金メッキ液にてＳＯＯ，：の置換金メッキを施した。
これをエポキシ樹脂に５ｗｔチ分散させ、ギャップ厚１
０μｍの液晶パネルの上下４通剤として使用したところ
、その上下導通部の抵抗値は６にΩでめり、所定の加運
試馴會０った後もその１直に変化にな力為った。
０μｍの液晶パネルの上下４通剤として使用したところ
、その上下導通部の抵抗値は６にΩでめり、所定の加運
試馴會０った後もその１直に変化にな力為った。
実施’Ｆ！１１０
実権例６と同様に径１０μｍのスチレンボールＶＣｌ２
００ＤＸの無電解ニッケルメッキと６０ＯＡの無に解金
メッキを施し、輩ペーストに５ｗｔ％分散させ、ギャッ
プ厚７μｍの液晶パネルの上下４２１ｉｌ剤とし次。そ
の上下導通部の抵抗値は６にΩでめ９、Ｊ９ｒ足の加速
試験を仔った猿もそめ埴に框変化はなη為った。
００ＤＸの無電解ニッケルメッキと６０ＯＡの無に解金
メッキを施し、輩ペーストに５ｗｔ％分散させ、ギャッ
プ厚７μｍの液晶パネルの上下４２１ｉｌ剤とし次。そ
の上下導通部の抵抗値は６にΩでめ９、Ｊ９ｒ足の加速
試験を仔った猿もそめ埴に框変化はなη為った。
実施例１１
実施例４でメタライズされたスチレンボールを紫外線硬
化性のアクリル情瘤に１０ｗｔ嘩分散さぜ。
化性のアクリル情瘤に１０ｗｔ嘩分散さぜ。
ギャップ厚１０μｍの液晶パネルの上ド導通薊として使
用したところ、上下導通部の抵抗値は８にΩとなり、７
ｊ１足の加速試験ｒ行った彼にも七の値は変化しなかっ
た。
用したところ、上下導通部の抵抗値は８にΩとなり、７
ｊ１足の加速試験ｒ行った彼にも七の値は変化しなかっ
た。
″Ｉｉｌ施？ＩＪ１２
液晶パネルの石英ガラスからなる基叡に於て、透明ｗ１
極の所属のバターニング後、上下４遍部全レジスト材で
マスクしｆｃｍ、その他の４７部分倉絶絶−るためにス
パッタＩｂｒｔＶ（、て４［ＪＤＯＸの８１０、被ＩＩ
Ｉを形成した。シール材として便用されるエポキシｍ脂
中に夷ｔｓ例１・〜６までの上下導通剤を１５ｗｔ１分
散させて、シール材としてそれぞれ使用した。これによ
って、上下導通部とシール部が一体化された簡単な構造
をもつ歌晶パネルができた。これは印刷工数ｔ−減丁こ
とができ、歩誓り同上につながった。筐た、シール部と
上下導通部を別々にした液晶パネルと比較して特性は１
つたく変化しなかった。
極の所属のバターニング後、上下４遍部全レジスト材で
マスクしｆｃｍ、その他の４７部分倉絶絶−るためにス
パッタＩｂｒｔＶ（、て４［ＪＤＯＸの８１０、被ＩＩ
Ｉを形成した。シール材として便用されるエポキシｍ脂
中に夷ｔｓ例１・〜６までの上下導通剤を１５ｗｔ１分
散させて、シール材としてそれぞれ使用した。これによ
って、上下導通部とシール部が一体化された簡単な構造
をもつ歌晶パネルができた。これは印刷工数ｔ−減丁こ
とができ、歩誓り同上につながった。筐た、シール部と
上下導通部を別々にした液晶パネルと比較して特性は１
つたく変化しなかった。
実施例１〜１２までの上下導通剤を使用した場合、上下
導通不良は合着での上Ｆ４通剤と比較して鵠に減少した
。
導通不良は合着での上Ｆ４通剤と比較して鵠に減少した
。
本発明により液晶パネルの大巾なコストダウ／が可能と
なった。
なった。
褐１図 液晶パネル断面図
１．２・・・土下晶板
５、ａ・・・上下透明醸慢
５・・・上ＩＩ檜〃為らの導通端子
６・・・軟金属（インジウムボールン
７・・・ギヤツブ酌を含んだシール部−８・・・液晶
第２図 液晶パネル＃Ｍｒ１図
９・・・上下導通剤
第５図
１Ｇ・・・単品の液晶パネル
第４図 上下導通部の断面図（従来例）１１・・・銀粒
子 １２・・・嫁ペースト中の接４樹脂 第５図 上下導通部の断面図（本発明ニゲラスファイバ
ー） １３・・・グラスファイバー １４・・・接着材 第６図 上下導通部の断面図（本発明ニブラスチックボ
ール） １５・・・プラスチックボール １６・・・猛層材 以 上 牙４響 手続補正古（方式） ％式％ ２ 究明の？、称 懺示パネル用上下導通剤 、づ １Ｉｌｌ ＋ｌを−づる名 代表取締役中村恒也 ４ 代 理 ノ、 ５、 ｈ１口Ｂ＋Ｂｉのｌｌ１士
子 １２・・・嫁ペースト中の接４樹脂 第５図 上下導通部の断面図（本発明ニゲラスファイバ
ー） １３・・・グラスファイバー １４・・・接着材 第６図 上下導通部の断面図（本発明ニブラスチックボ
ール） １５・・・プラスチックボール １６・・・猛層材 以 上 牙４響 手続補正古（方式） ％式％ ２ 究明の？、称 懺示パネル用上下導通剤 、づ １Ｉｌｌ ＋ｌを−づる名 代表取締役中村恒也 ４ 代 理 ノ、 ５、 ｈ１口Ｂ＋Ｂｉのｌｌ１士
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌ＋ 絶縁′ａ質の表面に導伝性／＠員１−を形成
したことを待９とする表示パネル用土下溝通則。 イ２、特許請求の範囲ｍ１項において、表示パネル用上
下導通剤として、表示パネルのギャップを確保丁／）た
めに用いる絶縁性＠貝から成るギャップ剤の表面あるい
はギャップ剤よりヤや大きめの弾力性のある絶縁響質の
表面に無電解メッキ破膜を形成したことを％書とする表
示パネル用土下溝通則。 （３１％軒請求の範囲第２項に２いて、無嘔屏メッキ被
膜がニッケル合金あるいに、ニッケル合金上に貴金属核
ａｔ積層させたものであることを脣命とする表示パネル
用土下溝通則。 （４）％許饋求の範囲第１項乃至第５項の少なくとも１
項において、表面に導伝性物實盾を形成した絶縁＠′ｉ
Ｌヵ・ら成るギーヤノプ剤を接着剤中に分散したことｔ
−特命とする表示パネル用上下導通剤。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57065698A JPS58182685A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 表示体パネル |
| US06/486,608 US4600273A (en) | 1982-04-20 | 1983-04-19 | Display panel having conductive contact media |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57065698A JPS58182685A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 表示体パネル |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10480590A Division JPH02291680A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 回路の接続構造 |
| JP3285709A Division JPH0834761B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 表示体パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58182685A true JPS58182685A (ja) | 1983-10-25 |
| JPH0126069B2 JPH0126069B2 (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=13294483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57065698A Granted JPS58182685A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 表示体パネル |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4600273A (ja) |
| JP (1) | JPS58182685A (ja) |
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| JPS62206772A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | 日立化成工業株式会社 | 回路の接続構造体 |
| JPS62218937A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネル |
| JPS62218938A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネル |
| JPS6447084U (ja) * | 1987-09-16 | 1989-03-23 | ||
| JPH01232735A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の実装体 |
| US7443478B2 (en) | 1997-03-27 | 2008-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
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| JP2765140B2 (ja) * | 1989-12-22 | 1998-06-11 | 三菱電機株式会社 | 液晶ディスプレイ装置 |
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| FR2704073B1 (fr) * | 1993-04-15 | 1995-05-19 | France Telecom | Procédé de réalisation d'une cellule d'affichage avec reprise de contact de contre-électrode. |
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1982
- 1982-04-20 JP JP57065698A patent/JPS58182685A/ja active Granted
-
1983
- 1983-04-19 US US06/486,608 patent/US4600273A/en not_active Expired - Lifetime
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