JPS58181869A - エツチング法 - Google Patents
エツチング法Info
- Publication number
- JPS58181869A JPS58181869A JP6110882A JP6110882A JPS58181869A JP S58181869 A JPS58181869 A JP S58181869A JP 6110882 A JP6110882 A JP 6110882A JP 6110882 A JP6110882 A JP 6110882A JP S58181869 A JPS58181869 A JP S58181869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- etching
- oxide film
- constitution
- dry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエツチング法に係り、例えばアルミニウム又は
アルミニウム合金のエツチングを行なうに際して、アル
ミニウム又はアルミニウム合金表面が酸化されてエツチ
ングの困難な酸化膜になる前に、例えばＭｏ、Ｔｉ、Ｔ
ａ等の薄膜層を形成しておき、その後所定のエツチング
を行なうものとすることによって、エツチングがスムー
ズに行なえ、例えばエツチングに要する時間が短縮でき
、しかもエツチングによってできる所定のバター／が高
精度なものとなるエツチング法を提供することを目的と
する。
アルミニウム合金のエツチングを行なうに際して、アル
ミニウム又はアルミニウム合金表面が酸化されてエツチ
ングの困難な酸化膜になる前に、例えばＭｏ、Ｔｉ、Ｔ
ａ等の薄膜層を形成しておき、その後所定のエツチング
を行なうものとすることによって、エツチングがスムー
ズに行なえ、例えばエツチングに要する時間が短縮でき
、しかもエツチングによってできる所定のバター／が高
精度なものとなるエツチング法を提供することを目的と
する。
ＶＬＳＩ等の半導体デバイスの高密度化に伴ない、配線
材料としてのアルミニウム又はアルミニウム合金（以下
単にアルミニウム）膜をドライエツチングによって微細
加工することが行なわれている。このドライエツチング
は、ＣＣｌ４又はＢＣｌ３等の塩化物気体の雰囲気下に
おいて高周波放電を行ない、この高周波放電によって得
られる塩素ラディカルによるプラズマ反応を利用して行
なうものである。
材料としてのアルミニウム又はアルミニウム合金（以下
単にアルミニウム）膜をドライエツチングによって微細
加工することが行なわれている。このドライエツチング
は、ＣＣｌ４又はＢＣｌ３等の塩化物気体の雰囲気下に
おいて高周波放電を行ない、この高周波放電によって得
られる塩素ラディカルによるプラズマ反応を利用して行
なうものである。
しかし、ドライエツチングに際して、アルミニウムが大
気中の酸素に触れたり、あるいはエツチング初期のプラ
ズマ中の酸素に触れたりすると、アルミニウム表面には
極くわずかではあるが酸化膜が生成し、この酸化膜がド
ライエツチングに大きな悪影響を生じさせるものである
ことを見い出した。すなわち、アルミニウムの酸化膜は
、プラズマ中のイオ／による物理的反応によって除去さ
れ得るものではあるが、ドライエツチングの雰囲気■に
おけるイオンエツチングによる除去効果は弱く、酸化膜
の除去が不充分であったり、あるいは除去に要する時間
が一定せず、再現性に極めて乏しいエツチングしか行な
えていない。又、酸化膜の除去効果を上げる為にイオン
の加速電圧を増すような手段をとると、イオン衝撃によ
るダメージが大きく、デバイスに大きな損傷を及ぼし、
好ましくない。
気中の酸素に触れたり、あるいはエツチング初期のプラ
ズマ中の酸素に触れたりすると、アルミニウム表面には
極くわずかではあるが酸化膜が生成し、この酸化膜がド
ライエツチングに大きな悪影響を生じさせるものである
ことを見い出した。すなわち、アルミニウムの酸化膜は
、プラズマ中のイオ／による物理的反応によって除去さ
れ得るものではあるが、ドライエツチングの雰囲気■に
おけるイオンエツチングによる除去効果は弱く、酸化膜
の除去が不充分であったり、あるいは除去に要する時間
が一定せず、再現性に極めて乏しいエツチングしか行な
えていない。又、酸化膜の除去効果を上げる為にイオン
の加速電圧を増すような手段をとると、イオン衝撃によ
るダメージが大きく、デバイスに大きな損傷を及ぼし、
好ましくない。
本発明は上記欠点を除去したものであり、以Ｆその実施
例について説明する。
例について説明する。
すなわち、第１図に示す如く、ンリコ／ウェハー１面上
に、ドライエツチングによって所定のパターンを形成す
る為のアルミニウム層２を蒸着又はスパッタ法等で形成
した後、直ちに同一真空槽内においてＭｏ、Ｔｉ、Ｔａ
等の金属膜３を蒸着又はスパッタ法で約５００Ｘ厚形成
する。すなわち、アルミニウム層２を形成した後、この
アルミニウム層表面が酸化膜となる前にアルミニウム層
２表面に金属膜３を設けたものである。
に、ドライエツチングによって所定のパターンを形成す
る為のアルミニウム層２を蒸着又はスパッタ法等で形成
した後、直ちに同一真空槽内においてＭｏ、Ｔｉ、Ｔａ
等の金属膜３を蒸着又はスパッタ法で約５００Ｘ厚形成
する。すなわち、アルミニウム層２を形成した後、この
アルミニウム層表面が酸化膜となる前にアルミニウム層
２表面に金属膜３を設けたものである。
この金属膜３を構成する元素は、すなわち例えげＭｏ、
Ｔｉ、Ｔａ 等の元素は、大気中における自然雰囲気下
においては塩素ラディカル等のプラズマによるドライエ
ツチングが困難なものとなる酸化膜を作りにくいもので
あり、又、酸化膜ができたとしても塩素ラディカルによ
って容易に除去できるものであり、さらにこれらの元素
は塩素ラディカルによってドライエツチングが容易なも
のである。すなわち、アルミニウム層の表面がドライエ
ノチノダ困難な酸化膜となるのを防ぐ保護膜としての機
能を有すると共に、ドライエツチングによって簡単にエ
ツチングされる性質を有する膜を設けたものである。
Ｔｉ、Ｔａ 等の元素は、大気中における自然雰囲気下
においては塩素ラディカル等のプラズマによるドライエ
ツチングが困難なものとなる酸化膜を作りにくいもので
あり、又、酸化膜ができたとしても塩素ラディカルによ
って容易に除去できるものであり、さらにこれらの元素
は塩素ラディカルによってドライエツチングが容易なも
のである。すなわち、アルミニウム層の表面がドライエ
ノチノダ困難な酸化膜となるのを防ぐ保護膜としての機
能を有すると共に、ドライエツチングによって簡単にエ
ツチングされる性質を有する膜を設けたものである。
そして、アルミニウム層上に酸化防止及びドライエツチ
ング容易な膜を形成したものを、ドライエツチングの装
置に配し、例えばＣＣｌ４又はＢＣｌ３等の・・ロゲ／
化物を含む気体雰囲気下において高周波放電等によって
プラズマ反応を起こさせ、ドライエツチングを行ない、
所定のバター／を形成する。
ング容易な膜を形成したものを、ドライエツチングの装
置に配し、例えばＣＣｌ４又はＢＣｌ３等の・・ロゲ／
化物を含む気体雰囲気下において高周波放電等によって
プラズマ反応を起こさせ、ドライエツチングを行ない、
所定のバター／を形成する。
このようにして行なわれるドライエツチングは、例えば
塩素ラデイカルによるプラズマエツチングの困難な層は
形成されていないので、極めてスムーズに進行する。す
なわち、上記のようにして行なわれるドライエツチング
は、エツチング時間とエツチング深さとの関係を第２図
の実線で示すようにエツチングのデッドタイムはなく、
エツチングの再現性に富んだものであり、加工寸法精度
は著しく向上したものである。とれに対して、本発明の
ようにアルミニウム層表面に酸化膜生成防止膜を形成し
ていない場合には、所定深さのエツチングが開始される
までにある程度の時間、すなわちデッドタイムがあり、
しかもこのデッドタイムは第２図中一点鎖線、二点鎖線
又は三点鎖線で示すように一定したものでなく、再現性
に乏しく、エツチング精度に劣ったものである。
塩素ラデイカルによるプラズマエツチングの困難な層は
形成されていないので、極めてスムーズに進行する。す
なわち、上記のようにして行なわれるドライエツチング
は、エツチング時間とエツチング深さとの関係を第２図
の実線で示すようにエツチングのデッドタイムはなく、
エツチングの再現性に富んだものであり、加工寸法精度
は著しく向上したものである。とれに対して、本発明の
ようにアルミニウム層表面に酸化膜生成防止膜を形成し
ていない場合には、所定深さのエツチングが開始される
までにある程度の時間、すなわちデッドタイムがあり、
しかもこのデッドタイムは第２図中一点鎖線、二点鎖線
又は三点鎖線で示すように一定したものでなく、再現性
に乏しく、エツチング精度に劣ったものである。
又、アルミニウムのドライエツチングに際して用いられ
るエツチング装置は、常に大気と遮断されたロードロッ
ク方式の犬がかりな装置でなく、その都度大気にさらさ
れるバッチ方式の装置でも行なえるので、極めて簡単に
行なえるものとなる。
るエツチング装置は、常に大気と遮断されたロードロッ
ク方式の犬がかりな装置でなく、その都度大気にさらさ
れるバッチ方式の装置でも行なえるので、極めて簡単に
行なえるものとなる。
上述の如く１本発明に係るエツチング法は、エツチング
構成層を形成した後、該エツチング構成層表面がエツチ
ング困難層に変質する前にエツチング困難層に変質する
ことを防止するエツチング容易層をエツチング構成層上
に設け、しかる後エツチングを行なって所定のパター／
を形成するものであるので、エツチングに際してのデッ
ドタイムがなく、再現性に優れたエツチングが行なえ、
微細加工精度に優れたエツチングがスムーズに行なえ、
しかもエツチング装置は大がかりなものでなく、例えば
バッチ方式の装置ででも行なえるようになり、極めて簡
単に実施できる等の特長を有する。
構成層を形成した後、該エツチング構成層表面がエツチ
ング困難層に変質する前にエツチング困難層に変質する
ことを防止するエツチング容易層をエツチング構成層上
に設け、しかる後エツチングを行なって所定のパター／
を形成するものであるので、エツチングに際してのデッ
ドタイムがなく、再現性に優れたエツチングが行なえ、
微細加工精度に優れたエツチングがスムーズに行なえ、
しかもエツチング装置は大がかりなものでなく、例えば
バッチ方式の装置ででも行なえるようになり、極めて簡
単に実施できる等の特長を有する。
第１図は本発明に係るエツチングの行なわれる基板の説
明図、第２図はエツチング時間とエツチング深さとの関
係を示すグラフである。 １−７１）コノウエノ・−１２・アルミニウム、代 理
人 宇 高 克 ｉ巳第 １
図 第 ２ 図 二工
明図、第２図はエツチング時間とエツチング深さとの関
係を示すグラフである。 １−７１）コノウエノ・−１２・アルミニウム、代 理
人 宇 高 克 ｉ巳第 １
図 第 ２ 図 二工
Claims (1)
- エツチング構成層を形成した後、該エツチング構成層表
面がエツチング困難層に変質する前にエツチング困難層
に変質することを防止するエツチング容易層をエツチン
グ構成層上に設け、しかる後エツチングを行なって所定
のバター／を形成することを特徴とするエツチング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6110882A JPS58181869A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | エツチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6110882A JPS58181869A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | エツチング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58181869A true JPS58181869A (ja) | 1983-10-24 |
Family
ID=13161548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6110882A Pending JPS58181869A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | エツチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58181869A (ja) |
-
1982
- 1982-04-14 JP JP6110882A patent/JPS58181869A/ja active Pending
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