JPS58180043A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS58180043A JPS58180043A JP57063145A JP6314582A JPS58180043A JP S58180043 A JPS58180043 A JP S58180043A JP 57063145 A JP57063145 A JP 57063145A JP 6314582 A JP6314582 A JP 6314582A JP S58180043 A JPS58180043 A JP S58180043A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wax
- pellet
- wafer
- pellets
- plate
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4822—Beam leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はビームリード型半導体装置の製造方法に関する
。
。
従来、ビームリード型半導体装置の製造方法は所望のビ
ームリード型半導体素子の形成された半導体基板の上面
にワックスを塗布後、骸ウェハー裏面にレジストにてパ
ターン【形成し、混酸液で半導体つ、バーを選択的に工
、チング除去してペレット状に分離し、次にペレット1
個ずつ分離して再配列するため[100〜200”0の
温度0ホ、ドブレート上でワックスを溶しベレット吸着
用治具にてペレットと石英板とを分離後、半導体ペレッ
トに付着しているワックスを、有機溶剤をスプレーガン
で6〜8秒間吹付けて除去し別の配列板に並べていた。
ームリード型半導体素子の形成された半導体基板の上面
にワックスを塗布後、骸ウェハー裏面にレジストにてパ
ターン【形成し、混酸液で半導体つ、バーを選択的に工
、チング除去してペレット状に分離し、次にペレット1
個ずつ分離して再配列するため[100〜200”0の
温度0ホ、ドブレート上でワックスを溶しベレット吸着
用治具にてペレットと石英板とを分離後、半導体ペレッ
トに付着しているワックスを、有機溶剤をスプレーガン
で6〜8秒間吹付けて除去し別の配列板に並べていた。
しかし上記従来のペレットハンドリング方法には以下に
述べるよ5″&欠点があった。
述べるよ5″&欠点があった。
ペレットハンドリングする場合にペレットと石英板とが
ワックスによって貼〕合わさってお〕、このワックスを
100〜200”0の温度のホウドブレート上で石英板
を暖めてワックスを溶かし、ペレット吸着用治具にてペ
レットと石英板とを分離後、半導体ペレットの配線面及
び裏面に付着しているワックスを15〜!9℃室温の有
機溶剤をスプレーガンにて6〜8秒間吹付けてワックス
t除去し別の配列板に並ぺているがワックス洗浄に時間
がかか夛ま九ワックスが完全に取ル奮れない場合もあり
喪。
ワックスによって貼〕合わさってお〕、このワックスを
100〜200”0の温度のホウドブレート上で石英板
を暖めてワックスを溶かし、ペレット吸着用治具にてペ
レットと石英板とを分離後、半導体ペレットの配線面及
び裏面に付着しているワックスを15〜!9℃室温の有
機溶剤をスプレーガンにて6〜8秒間吹付けてワックス
t除去し別の配列板に並ぺているがワックス洗浄に時間
がかか夛ま九ワックスが完全に取ル奮れない場合もあり
喪。
ベレットの配線面及び裏面にワックスが残っているとベ
レットの信頼性及び歩留りを悪くし又ベレットハンドリ
ングの洗浄時間が長いために作業能率を悪くする欠点管
持ってい九。
レットの信頼性及び歩留りを悪くし又ベレットハンドリ
ングの洗浄時間が長いために作業能率を悪くする欠点管
持ってい九。
本発明は上記欠点を除去し、半導体装置の信頼性及び製
造歩留5t−大幅に向上させることのてきる半導体装置
の製造方法を提供するものである。
造歩留5t−大幅に向上させることのてきる半導体装置
の製造方法を提供するものである。
本発明の特徴は、ビームリード聾半導体素子の形成され
たウェハーを裏返してワックスを平板に貼付けする工程
と、前記つ、バーを裏面から選択的に工、チング除去し
てペレッ)K分割する工程と、加熱によシワ、クスを溶
しベレット吸着用治具にて前記平板からベレットを分離
する工程と。
たウェハーを裏返してワックスを平板に貼付けする工程
と、前記つ、バーを裏面から選択的に工、チング除去し
てペレッ)K分割する工程と、加熱によシワ、クスを溶
しベレット吸着用治具にて前記平板からベレットを分離
する工程と。
前記ベレットに付着しているワックスを暖めた有機溶剤
にて除去する工程と、前記ペレツlf配列する工程とを
含む半導体装置の製造方法にある。
にて除去する工程と、前記ペレツlf配列する工程とを
含む半導体装置の製造方法にある。
以下実施例に基づき図面を参照して本発明の詳細な説明
する。
する。
まず第1図に示すように、所望のビームリード型素子の
形成された半導体ウェハー1を、前記ビームリード4が
下になるように裏返して1例えばスカイコート表どのワ
ックス21用いて石英などの平板3に貼り付ける。
形成された半導体ウェハー1を、前記ビームリード4が
下になるように裏返して1例えばスカイコート表どのワ
ックス21用いて石英などの平板3に貼り付ける。
次に前記牛導体りエハー20裏面にレジストパターンを
形成し、該パターンをマスクにして混酸液を用いて該ク
エハー會選択的にエツチング除去し、第2図に示すよう
にベレットに分離する0次に100〜200℃のホ、ド
ブレート7上で石英板3t−暖めてワックス2を溶かし
ペレット吸着用治A6會用いてベレット5を石英板3か
ら分離する。
形成し、該パターンをマスクにして混酸液を用いて該ク
エハー會選択的にエツチング除去し、第2図に示すよう
にベレットに分離する0次に100〜200℃のホ、ド
ブレート7上で石英板3t−暖めてワックス2を溶かし
ペレット吸着用治A6會用いてベレット5を石英板3か
ら分離する。
次に第3図に示すようにベレット15の配線面及び裏面
に付着しているワックス12?50〜100℃の温度範
囲の御熱ヒーター19にて予め有機溶剤を暖めスプレー
ガン20で吹付時30〜35℃範囲の有機溶剤を3〜5
秒間吹付けてワックスを除去し死後、別の配列板z1上
にペレッ)15¥r配列する。
に付着しているワックス12?50〜100℃の温度範
囲の御熱ヒーター19にて予め有機溶剤を暖めスプレー
ガン20で吹付時30〜35℃範囲の有機溶剤を3〜5
秒間吹付けてワックスを除去し死後、別の配列板z1上
にペレッ)15¥r配列する。
上記のように本発明方法によればベレットの配線面及び
裏面に付着しているワックスを予め暖め九有機溶剤をス
プレーガンにて吹付けるので、短時間でワックスが除去
でキ、シかもベレットにワ、クスが残ることなく、製造
歩留シ及び製品の信頼性が良くなり、しかも短時間のハ
ンドリングが可能になる。
裏面に付着しているワックスを予め暖め九有機溶剤をス
プレーガンにて吹付けるので、短時間でワックスが除去
でキ、シかもベレットにワ、クスが残ることなく、製造
歩留シ及び製品の信頼性が良くなり、しかも短時間のハ
ンドリングが可能になる。
第1図乃至第4図は不発1jliを説明するための断面
図である。 1・・・・・・半導体チェバー、2.12・・・・・・
ワックス、3・・・・・・石英板、4.14・・・・・
・ビームリード、5゜15・・・・・・ベレット、6.
16・・・・・・ペレツ) l1着用治具、7・・・・
・・ホットプレート、18・・・・・・有機溶剤、19
・・・・・・加熱ヒーター、20・・・・・・スプレー
ガン、21・・・・・・ガラス板である。
図である。 1・・・・・・半導体チェバー、2.12・・・・・・
ワックス、3・・・・・・石英板、4.14・・・・・
・ビームリード、5゜15・・・・・・ベレット、6.
16・・・・・・ペレツ) l1着用治具、7・・・・
・・ホットプレート、18・・・・・・有機溶剤、19
・・・・・・加熱ヒーター、20・・・・・・スプレー
ガン、21・・・・・・ガラス板である。
Claims (1)
- ビームリード型半導体素子の形成されたウェハーを裏返
してワックスで平板に貼付けする工程と、前記ウェハー
を裏面から選択的にエツチング除去してペレットに分割
する工程と、前記ワックスをだしペレット吸着用治具に
て前記平板から前記ペレットを分離する工程と、前記ペ
レットに付着しているワックスを除去する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57063145A JPS58180043A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57063145A JPS58180043A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58180043A true JPS58180043A (ja) | 1983-10-21 |
Family
ID=13220782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57063145A Pending JPS58180043A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58180043A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61102046A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2015505736A (ja) * | 2011-11-18 | 2015-02-26 | ルクスビュー テクノロジー コーポレイション | マイクロデバイスを転写する方法 |
US9463613B2 (en) | 2011-11-18 | 2016-10-11 | Apple Inc. | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
US9831383B2 (en) | 2011-11-18 | 2017-11-28 | Apple Inc. | LED array |
US10297712B2 (en) | 2011-11-18 | 2019-05-21 | Apple Inc. | Micro LED display |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP57063145A patent/JPS58180043A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61102046A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2015505736A (ja) * | 2011-11-18 | 2015-02-26 | ルクスビュー テクノロジー コーポレイション | マイクロデバイスを転写する方法 |
US9463613B2 (en) | 2011-11-18 | 2016-10-11 | Apple Inc. | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
US9620478B2 (en) | 2011-11-18 | 2017-04-11 | Apple Inc. | Method of fabricating a micro device transfer head |
US9831383B2 (en) | 2011-11-18 | 2017-11-28 | Apple Inc. | LED array |
US10121864B2 (en) | 2011-11-18 | 2018-11-06 | Apple Inc. | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
US10297712B2 (en) | 2011-11-18 | 2019-05-21 | Apple Inc. | Micro LED display |
US10607961B2 (en) | 2011-11-18 | 2020-03-31 | Apple Inc. | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
US11552046B2 (en) | 2011-11-18 | 2023-01-10 | Apple Inc. | Micro device transfer head assembly |
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