JPS58180043A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS58180043A
JPS58180043A JP57063145A JP6314582A JPS58180043A JP S58180043 A JPS58180043 A JP S58180043A JP 57063145 A JP57063145 A JP 57063145A JP 6314582 A JP6314582 A JP 6314582A JP S58180043 A JPS58180043 A JP S58180043A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wax
pellet
wafer
pellets
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57063145A
Other languages
English (en)
Inventor
Akio Nawamaki
縄巻 章雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP57063145A priority Critical patent/JPS58180043A/ja
Publication of JPS58180043A publication Critical patent/JPS58180043A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/4822Beam leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はビームリード型半導体装置の製造方法に関する
従来、ビームリード型半導体装置の製造方法は所望のビ
ームリード型半導体素子の形成された半導体基板の上面
にワックスを塗布後、骸ウェハー裏面にレジストにてパ
ターン【形成し、混酸液で半導体つ、バーを選択的に工
、チング除去してペレット状に分離し、次にペレット1
個ずつ分離して再配列するため[100〜200”0の
温度0ホ、ドブレート上でワックスを溶しベレット吸着
用治具にてペレットと石英板とを分離後、半導体ペレッ
トに付着しているワックスを、有機溶剤をスプレーガン
で6〜8秒間吹付けて除去し別の配列板に並べていた。
しかし上記従来のペレットハンドリング方法には以下に
述べるよ5″&欠点があった。
ペレットハンドリングする場合にペレットと石英板とが
ワックスによって貼〕合わさってお〕、このワックスを
100〜200”0の温度のホウドブレート上で石英板
を暖めてワックスを溶かし、ペレット吸着用治具にてペ
レットと石英板とを分離後、半導体ペレットの配線面及
び裏面に付着しているワックスを15〜!9℃室温の有
機溶剤をスプレーガンにて6〜8秒間吹付けてワックス
t除去し別の配列板に並ぺているがワックス洗浄に時間
がかか夛ま九ワックスが完全に取ル奮れない場合もあり
喪。
ベレットの配線面及び裏面にワックスが残っているとベ
レットの信頼性及び歩留りを悪くし又ベレットハンドリ
ングの洗浄時間が長いために作業能率を悪くする欠点管
持ってい九。
本発明は上記欠点を除去し、半導体装置の信頼性及び製
造歩留5t−大幅に向上させることのてきる半導体装置
の製造方法を提供するものである。
本発明の特徴は、ビームリード聾半導体素子の形成され
たウェハーを裏返してワックスを平板に貼付けする工程
と、前記つ、バーを裏面から選択的に工、チング除去し
てペレッ)K分割する工程と、加熱によシワ、クスを溶
しベレット吸着用治具にて前記平板からベレットを分離
する工程と。
前記ベレットに付着しているワックスを暖めた有機溶剤
にて除去する工程と、前記ペレツlf配列する工程とを
含む半導体装置の製造方法にある。
以下実施例に基づき図面を参照して本発明の詳細な説明
する。
まず第1図に示すように、所望のビームリード型素子の
形成された半導体ウェハー1を、前記ビームリード4が
下になるように裏返して1例えばスカイコート表どのワ
ックス21用いて石英などの平板3に貼り付ける。
次に前記牛導体りエハー20裏面にレジストパターンを
形成し、該パターンをマスクにして混酸液を用いて該ク
エハー會選択的にエツチング除去し、第2図に示すよう
にベレットに分離する0次に100〜200℃のホ、ド
ブレート7上で石英板3t−暖めてワックス2を溶かし
ペレット吸着用治A6會用いてベレット5を石英板3か
ら分離する。
次に第3図に示すようにベレット15の配線面及び裏面
に付着しているワックス12?50〜100℃の温度範
囲の御熱ヒーター19にて予め有機溶剤を暖めスプレー
ガン20で吹付時30〜35℃範囲の有機溶剤を3〜5
秒間吹付けてワックスを除去し死後、別の配列板z1上
にペレッ)15¥r配列する。
上記のように本発明方法によればベレットの配線面及び
裏面に付着しているワックスを予め暖め九有機溶剤をス
プレーガンにて吹付けるので、短時間でワックスが除去
でキ、シかもベレットにワ、クスが残ることなく、製造
歩留シ及び製品の信頼性が良くなり、しかも短時間のハ
ンドリングが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第4図は不発1jliを説明するための断面
図である。 1・・・・・・半導体チェバー、2.12・・・・・・
ワックス、3・・・・・・石英板、4.14・・・・・
・ビームリード、5゜15・・・・・・ベレット、6.
16・・・・・・ペレツ) l1着用治具、7・・・・
・・ホットプレート、18・・・・・・有機溶剤、19
・・・・・・加熱ヒーター、20・・・・・・スプレー
ガン、21・・・・・・ガラス板である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ビームリード型半導体素子の形成されたウェハーを裏返
    してワックスで平板に貼付けする工程と、前記ウェハー
    を裏面から選択的にエツチング除去してペレットに分割
    する工程と、前記ワックスをだしペレット吸着用治具に
    て前記平板から前記ペレットを分離する工程と、前記ペ
    レットに付着しているワックスを除去する工程とを含む
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP57063145A 1982-04-15 1982-04-15 半導体装置の製造方法 Pending JPS58180043A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61102046A (ja) * 1984-10-25 1986-05-20 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP2015505736A (ja) * 2011-11-18 2015-02-26 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション マイクロデバイスを転写する方法
US9463613B2 (en) 2011-11-18 2016-10-11 Apple Inc. Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US9831383B2 (en) 2011-11-18 2017-11-28 Apple Inc. LED array
US10297712B2 (en) 2011-11-18 2019-05-21 Apple Inc. Micro LED display

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61102046A (ja) * 1984-10-25 1986-05-20 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP2015505736A (ja) * 2011-11-18 2015-02-26 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション マイクロデバイスを転写する方法
US9463613B2 (en) 2011-11-18 2016-10-11 Apple Inc. Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US9620478B2 (en) 2011-11-18 2017-04-11 Apple Inc. Method of fabricating a micro device transfer head
US9831383B2 (en) 2011-11-18 2017-11-28 Apple Inc. LED array
US10121864B2 (en) 2011-11-18 2018-11-06 Apple Inc. Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US10297712B2 (en) 2011-11-18 2019-05-21 Apple Inc. Micro LED display
US10607961B2 (en) 2011-11-18 2020-03-31 Apple Inc. Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US11552046B2 (en) 2011-11-18 2023-01-10 Apple Inc. Micro device transfer head assembly

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