JPS58180024A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents

電子ビ−ム露光方法

Info

Publication number
JPS58180024A
JPS58180024A JP6337882A JP6337882A JPS58180024A JP S58180024 A JPS58180024 A JP S58180024A JP 6337882 A JP6337882 A JP 6337882A JP 6337882 A JP6337882 A JP 6337882A JP S58180024 A JPS58180024 A JP S58180024A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
deflection
conversion circuit
region
electron beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6337882A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0328811B2 (ja
Inventor
Takayuki Miyazaki
宮崎 隆之
Haruo Tsuchikawa
土川 春穂
Hiroshi Yasuda
洋 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP6337882A priority Critical patent/JPS58180024A/ja
Publication of JPS58180024A publication Critical patent/JPS58180024A/ja
Publication of JPH0328811B2 publication Critical patent/JPH0328811B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の技術分野 本発明は、比較的大きな領域に対して電子ビームtm向
する第1の偏向(以下、大偏向と略記)装置と、比較的
小さな領域に対して電子ビームを偏向する第2の偏向(
以下、小・−同と略記)装置の両方を備えた電子ビーム
露光装置を用いた電子ビーム露光方法に関する。
(2)技術の背景 電子ビーム露光装置には電磁偏向方式や、静電偏向方式
がある。電磁偏向方式は、磁界によってビームを偏向さ
せる方式であり、大きな偏向を行なうことができ、すな
わち偏向利得が大きく、また偏向精度も良かった。しか
しながら電磁偏向方式は磁界を発生させるためにコイル
を用いており、前記コイルの影響によって高速偏向を行
なうことが困難であった。静電偏向方式は高速偏向が可
能であり、さらにff&も良いが、偏向感度が低いため
大きな偏向を得ることが−しかった。
前記二つの偏向方式の欠点をおぎなう方法として、電磁
偏向方式と静電偏向方式の四時に用がある0 カソード1%グリッド2、アノード3より成る電手続4
によって発射した電子ビーム5は′s1スリット6、第
ルンズ7、ブランキング装置8.第2−”Jyト9、$
2v:yX10. #I3vンズ11を通過して短形の
電子ビームになる。前記短形の電子ビームをItffl
偏向器に、静電偏向器13で偏光させ対物レンズ14を
介してウェハーWに照射する。第1図に示した電子ビー
ム露光装置は、比較的太面槓全有する第1の領域(以下
、大領域と略d己)に対して電子ビームを偏向し得る電
磁偏向場囲器と?備え、前記電磁偏向器によって、露光
の4葉位置を設足し、次いで前記基準位置全基準として
n’d記靜屯偏向器によって電子ビーム全高速−向させ
て露光処4金行なう%at有している。
(3)従来技術と問題点 比較的大きな領域に対して電子ビームを偏向する大圓向
方式と比較的小さな領域に対して電子ビームを偏向する
小圓向方式の両方を備えた電子ビームdi装置?用いて
大きい範囲金高種度で露光するには、ビット数の多いデ
ジタル−アナログ変換回路(以下、DAC!と略記)が
必要である。
例えばlommフィールド七00125μm率位で表わ
すには20ビツトのDACが必要であるが。
現在市販、開発されているDACはせいぜい多くて18
ビット程度である。
そこで次に、18ビツト以下のDAC’i用いた従来の
電子ビームの偏向補正方法t−説明する。第2図は従来
の成子ビームの偏向補正方法を示す図である。
同図に於いて、15はデータ発生f&直、18は10m
mフィールドを005声m単位で表わす18ビツトのD
AC!、20は補正変換回路、23は00125μm率
位で樅わす16ビツトのDAC。
26は増幅器、2フはIE4ia偏向器、30は小領域
変換回路%33は02mmフィールドを00125μm
率位で表わす14ビツトのDAC,35は壇( 幅器、36は静電偏向器をそれぞれ示す。
データ発生装置15の大領域データ出力(X。
Y)16はDAC18の入力17に入る。一方。
データ発生装置160大領域データ出力(X、Y)16
′は補正変換回w!20の入力19に入り、補正変換回
路2oの変換出力(Ox、 oり 21はDAC23の
人力22に入る。前記DAC18σmの出力24及び前
記nAcg3の出力25は増幅器26を介してアナログ
量で加算され、電磁偏向器2)に接続される。また前記
データ発生装置15の小領域データ出力(x、y)2B
は小領域変換回路30の入力29に入り、小領域変換回
路30の出力(x′、y′)31はDAC!33の入力
32に入り、更にDAO33の出力34は増幅器35を
介して靜1偏同器36に接続される。
補正変侯回V620では大領域に於ける、あらかじめ求
められ、前記補正変換回路20にセットさnている偏向
利得補正係数、回転補正係数、台形歪係数、ノット量等
補正係数を用いて(1) 、 (2)式に示す補正デー
タの計算をデジタルで行なう。
ox−=G、 j X + R1−Y +a、 ” X
−Y +v(X 、Y )+ot (1)QY=Q、 
−Y十R,4−4−f(、4−Y+ξ(X、Y)+02
 (2)(1)、(2)式においてX、Yはデータ発生
装置より発生するX軸方向、Y軸方向の偏向データ5c
Ox*○りは変換後の偏向補正データ、G、、 G、は
偏向利得補正係数s RI、R,は回転補正係数、”I
 r Hlは台形歪形数、ol、o冨はシフト量、W(
X、Y)、ξ(x、y)は大領域における上記以外の歪
補正関数である。
前記偏向データ即ちX、Y及び前記偏向補正データ即ち
OX* orはDAC1B及び23によってそれぞれア
ナログ量に変換され、更に増till!器26によって
増幅且つアナログ量で加算即ちX+Ox%Y+0!とさ
れて、電磁偏向器2フに入る。
ま夷、データ発生装置15より発生した小領域偏向デー
タは小領域変換回路33に入る。この時同時に、前記大
領域偏向データで指定さnた小領域の各補正係数すなわ
ち前記指定された小領域の偏向利得補正係数、回転補正
係数、台形歪係数、シフト量がデータ発生装置より小領
域変換回路に入る。
小領域変換回路では前記補正係数音用いて(3)、(4
)式に示す変換を行なう。
x’ =x十g+ ・x+r+ ”7+ht ・x−y
−)−o、      (3)y’ =y+gt ・y
+rt 6 x−)−h、 −x−y+o、     
 (4)(3)、(4)式において、X’7はデータ発
生装置より発生する小領域のX軸、y軸方向の偏向デー
タ、X’l V′は変換後の偏向データ、gt+ gt
は偏向利得補正係数、rl+ r2は回転補正係数、h
fehlは台形歪係数、01,0□はシフト童である。
前記補正係数すなわちgl r g2+ rIt ”2
+ hIg ”4r O1i+ o、はそれぞCの小領
域によって異っている。前記補正された一同データ、す
なわちx′、7はデジタル−アナログ変換回路33によ
ってアナログ値に変換さn、さらに増1−器35によっ
て増幅されて静電偏向器36へ入る。
しかしながら、上記電子ビームの偏向補正方法では、大
領域でDAClBの出力24とDAO23の出力25と
をアナログ値で加算している為、アナログ1直が複雑に
なるばかりでなく、アナログ回路の素子の温度が上昇す
るに伴って、アナログ1直が不安定となり、大領域に於
いて高精度な電子ビームの一同が行なえないという欠点
を有している。そしてこの欠点は大領域を分割した小領
域内の偏向器[1も低下させる。
(4)発明の目的 本発明は#記問題点を解決するものであり、その目的と
するところは大領域にわたって摺度が良く、高速偏向が
可能な電子ビーム露光装置を実現する電子ビームの偏向
補正方法會提供することにある。
(5)発明の構成 本発明は、比較的大面積を有する第1の領域に対して電
子ビームを偏向し得る第1のビーム偏向手段と、比較的
小面積を有する#I2の領域に対して電子ビームを偏向
する82のビーム偏向手段とを備え、前記第1のビーム
偏向手段によって、露光の基準位ft−設定し、次いで
前記基準位置を基準としてm記第2のビーム偏向手段に
よりて所望の露光処理を行なう方法に於いて、llI記
第1の偏向手段における位置情報の余剰分を前記第2の
ビーム偏向手段の制御情報にデジタル盪として加算して
、かかる112のビーム偏向手段を制御すること全特徴
とするものである。
(6)発明の実施例 以F1本発明の実施例を用いて詳細な説明を行なう。第
3図は本発明の実施例を示す。
同図に於いて、37はデータ発生装置、40は大領域変
換回路、43は10mmフィールドを005μm単位で
表わす18ビツトのDAC%45はJI幅器、46は電
磁偏向器、49は小領域変換回路、52はデジタル加算
器、55はα2mmフィー々ドを00125μm単位で
表わす14ビツトのDAC15フは増幅器、58は静電
偏向器をそCぞnボす。
本発明によれば、データ発生装置37の大領域データ出
力(X、Y’)38は大領域変換回路40の人力39に
入り、大領域変換回路40の変換出力(X’、Y’)4
1i(105xm以上と005μm未満の2つのデータ
に分け、その内005μm以りのデータ(X’Los 
p Y5−oII)がDAC43の入力42に入り、更
に前記DAC!43の出力44は増)@器45を介して
、llLi11偏向器46に接続される。
また前記データ発生装置37の小領域データ出力(x、
y)47は小領域変換回路49の入力4Bに入り、小領
域変換回路49の変換出力(X’、y’)50は大領域
変換回路40の変換出力(X/、 X/ )41の内の
前記α05 sm未満のデータ(X”、 Y″)51と
デジタル加算器62でデジタルの値で加算される。
そして前記デジタル加算器52の出力53FiDA O
55t7)入力54に入り、DAC55(1)出力56
は増幅器57金介して静電偏向658に接続さnる0尚
、zZ  y/は’ = x′、、os + X“* 
Y’= Y′0.05 + Y“の関係を示す。
大領域変換回路40では(5)、(6)式に示すデータ
の補正を行なう。
X’e4+G、−X+H,”Y+H,’X”Y+v(X
、Y)+O,(5)Y’ −Y+G、 −Y+R,−X
+H,−X −Y+ξ(X、Y)+O,(6)(5)、
(6)式に於いて、!’、 Y’は変換後の偏向データ
を示す。
補正さnた偏向データ即ち・11. y/の内α05μ
m以上のデータXLos l M5.osはDACt4
3によってアナログの値に変換され、更に増幅器45に
よって増幅されて、電磁偏向器46に入る。前記動作に
よって大填域中の小領域の位置が設定される。
またデータ発生装#37より発生した小領域偏1gJデ
ータは小領域変換回路49に入る。小領域変換回路では
前記(3)、(4)式に示す変換を行なう。前記補正さ
n念を崗向データ、即ちx /、 y/と大領域変換回
路40で補正さnた偏向データX′、Y′の内の005
未満のf−タf、Y“とはデジタル加算器52で加算さ
fl、DAC55によって変換され、更に増S器57に
よって増幅されて静電偏向器5日へ人力される。
IgtI記動作は電磁偏向器46によって大きく電子ビ
ーム金閣向させ、ついで高速で静電偏向させて、大領域
にわたって高速で高精度な電子ビームの偏向補正及び露
光を行うことができ、しかも前記補正値x ′、 y 
/とX“、Y“とはデジタルの値で加算されている為、
回路はアナログ回路はど複雑になることはなく、安定で
高精度な電子ビームの偏向が行なうことができる。
(6)  発明の実施列 本発明を用いることにより電磁偏向方式と静電偏向方式
の二つを用い友従来得られなかった大領域にわたって高
精度な偏向が可能となる電子ビーム偏向装置を得ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は電子ビーム露光装置金示す図、第2図従来の電
子ビーム露光方法における偏向利御系を示す図、第3図
は本発明による電子ビーム露光方法における偏向制御軍
の実施例を示す図である。 15.37・・・・・・データ発生装置、18.23.
33.43.55・・・・・・DAC,20・・・・・
・補正変換回路、27.46・・・・・・電磁偏向器、
26.35゜45.57・・・・・・増幅器、30.4
9・・・・・・小領域変換回路、36.58・・・・・
・静電偏向器、40・・・・・・大領域変換回路、52
・・・・・・デジタル加算器。 兆1図 晃2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 比較的大面積を有する第1の領域に対して電子ビーム全
    偏向し得る第1のビーム偏向手段と、比較的小面積を有
    する第2の領域に対して電子ビームt″偏向する#I2
    のビーム偏向手段とを備え、前d己第1のビーム偏向手
    段によって、露光の基準位Itを設定し、次いで前記基
    準位置を基準として前記第2のビーム偏向手段によって
    所望の露光処理を行なう方法に於いて、前記第1の偏向
    手段における位11情報の余剰分を前記第2のビーム偏
    向手段の制御11g1f′iv報にデジタル量として加
    算して、かかる第2のビーム偏向手段を制御することを
    特徴とする′1子ビーム露光方法。
JP6337882A 1982-04-16 1982-04-16 電子ビ−ム露光方法 Granted JPS58180024A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6337882A JPS58180024A (ja) 1982-04-16 1982-04-16 電子ビ−ム露光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6337882A JPS58180024A (ja) 1982-04-16 1982-04-16 電子ビ−ム露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58180024A true JPS58180024A (ja) 1983-10-21
JPH0328811B2 JPH0328811B2 (ja) 1991-04-22

Family

ID=13227568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6337882A Granted JPS58180024A (ja) 1982-04-16 1982-04-16 電子ビ−ム露光方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58180024A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017143034A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 東方晶源微電子科技(北京)有限公司 画像取得方法及び電子ビーム検査・測長装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017143034A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 東方晶源微電子科技(北京)有限公司 画像取得方法及び電子ビーム検査・測長装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0328811B2 (ja) 1991-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3914608A (en) Rapid exposure of micropatterns with a scanning electron microscope
US4362942A (en) Electron beam exposure system and an apparatus for carrying out the same
US4853870A (en) Electron beam exposure system
US3753034A (en) Electron beam apparatus
US4870286A (en) Electron beam direct drawing device
JPH0621902B2 (ja) ビームポジショナ
US4692579A (en) Electron beam lithography apparatus
US5285074A (en) Dynamic compensation of non-linear electron beam landing angle in variable axis lenses
US4249112A (en) Dynamic focus and astigmatism correction circuit
JPS58218117A (ja) 電子ビ−ム制御装置
JPS58180024A (ja) 電子ビ−ム露光方法
JP3372356B2 (ja) 電子ビーム偏向方法及び電子ビーム描画装置
JPH0883740A (ja) 電子線描画装置
JPS636140B2 (ja)
SU680195A1 (ru) Устройство формировани сигнала коррекции фокусировки луча электронно-лучевой трубки
JPH06132205A (ja) 荷電粒子ビーム露光装置
JP3245201B2 (ja) 電子ビーム露光装置
JPS62229743A (ja) 電子ビ−ムの偏向制御回路
JPS60173834A (ja) マルチ荷電ビ−ム露光装置
SU840916A2 (ru) Цифрова машина дл управлени про-цЕССАМи элЕКТРОННОлучЕВОй МиКРООбРА-бОТКи
JPS586130A (ja) 電子ビ−ムの偏向補正方法
JPH077742B2 (ja) 電子ビーム露光方法
JPS62144323A (ja) 荷電ビ−ム露光装置
SU720565A1 (ru) Система дл отклонени электронного луча
JPS61105838A (ja) 電子ビ−ム露光装置、電子ビ−ムリソグラフイ−装置及び粒子ビ−ムリングラフイ−方法