JPS58177479A - 水性システムの腐食および沈積抑制方法および組成物 - Google Patents
水性システムの腐食および沈積抑制方法および組成物Info
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- JPS58177479A JPS58177479A JP58003273A JP327383A JPS58177479A JP S58177479 A JPS58177479 A JP S58177479A JP 58003273 A JP58003273 A JP 58003273A JP 327383 A JP327383 A JP 327383A JP S58177479 A JPS58177479 A JP S58177479A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F5/00—Softening water; Preventing scale; Adding scale preventatives or scale removers to water, e.g. adding sequestering agents
- C02F5/08—Treatment of water with complexing chemicals or other solubilising agents for softening, scale prevention or scale removal, e.g. adding sequestering agents
- C02F5/10—Treatment of water with complexing chemicals or other solubilising agents for softening, scale prevention or scale removal, e.g. adding sequestering agents using organic substances
- C02F5/14—Treatment of water with complexing chemicals or other solubilising agents for softening, scale prevention or scale removal, e.g. adding sequestering agents using organic substances containing phosphorus
- C02F5/145—Treatment of water with complexing chemicals or other solubilising agents for softening, scale prevention or scale removal, e.g. adding sequestering agents using organic substances containing phosphorus combined with inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F11/00—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
- C23F11/08—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
蝕およびスケール沈積を抑制する組成物および方法、更
に詳しくは、再循環冷却水システムの腐蝕およびスケー
ルの防止技術に関する。特に本発明は、水溶性亜鉛塩、
水溶性セルロースガムポリマー、および有１９１ １Ｊ
ン酸成分またはその水溶性塩から成る組成物の使用に関
する。またかかる組成物に必要に応じて、腐蝕防止を増
大するためアゾール化合物や可溶モリブデン酸塩を添加
されてよい。
に詳しくは、再循環冷却水システムの腐蝕およびスケー
ルの防止技術に関する。特に本発明は、水溶性亜鉛塩、
水溶性セルロースガムポリマー、および有１９１ １Ｊ
ン酸成分またはその水溶性塩から成る組成物の使用に関
する。またかかる組成物に必要に応じて、腐蝕防止を増
大するためアゾール化合物や可溶モリブデン酸塩を添加
されてよい。
本発明の組成物は、各種広範な冷却水システムにおいて
腐蝕およびスケール沈積の両方を同時にコントロールす
るのに有効であることが認められ、また高いスケールポ
テンシャル（ｓｃａｌｉｎｇ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）を
有し且つ低流量および／または高熱負荷の条件下で作動
する冷却水システムにおいて非常に有効である。今まで
、上記後者の条件によれば、腐蝕およびスケール形成の
両方を同時に有効且つ経済的に防止することがたとえ不
可能でなくとも、難かしい問題とされてきた。
腐蝕およびスケール沈積の両方を同時にコントロールす
るのに有効であることが認められ、また高いスケールポ
テンシャル（ｓｃａｌｉｎｇ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）を
有し且つ低流量および／または高熱負荷の条件下で作動
する冷却水システムにおいて非常に有効である。今まで
、上記後者の条件によれば、腐蝕およびスケール形成の
両方を同時に有効且つ経済的に防止することがたとえ不
可能でなくとも、難かしい問題とされてきた。
用語１冷却水１は、熱を吸収しこれを持去る装置間を水
か循環する場合に常に適用される。この定義には、空気
調和システム、エンジンジャケットシステム、冷蔵シス
テム並びに精油所、化学プラント、製鋼所等に見られる
多数の工業熱交換器が包含される。
か循環する場合に常に適用される。この定義には、空気
調和システム、エンジンジャケットシステム、冷蔵シス
テム並びに精油所、化学プラント、製鋼所等に見られる
多数の工業熱交換器が包含される。
再循環システム（ここで、冷却塔、噴霧油、蒸発復水器
等は熱の放散に役立つ。）の使用によって、組成水の需
要において多大な節約か可能となる。冷却塔を用いる冷
却水システムにおいて、水は熱伝達装置を循環し、次い
で冷却塔を通過する時循環水の一部の蒸発によって冷却
される。冷却中に起こる蒸発によって、水中の溶解固体
および懸濁固体は濃縮されるようになる。この蒸発損失
に基づき、循環水は組成水（ ｍａｋｅ−ｕｐ ｗａｒ
ｅｒ ）よりも濃縮されるようになる。
等は熱の放散に役立つ。）の使用によって、組成水の需
要において多大な節約か可能となる。冷却塔を用いる冷
却水システムにおいて、水は熱伝達装置を循環し、次い
で冷却塔を通過する時循環水の一部の蒸発によって冷却
される。冷却中に起こる蒸発によって、水中の溶解固体
および懸濁固体は濃縮されるようになる。この蒸発損失
に基づき、循環水は組成水（ ｍａｋｅ−ｕｐ ｗａｒ
ｅｒ ）よりも濃縮されるようになる。
ｗ濃縮のサイクル１とは、組成水と比較して循環水の濃
縮程度を示すのに用いる語句である。例・えは、２．０
サイクルの濃縮は循環水が組成水の２倍の濃度であるこ
とを示す。循環水をある一部サイクルの濃縮に維持する
ため、一部の循環水をシステムから物理的に除去し、新
鮮な組成水と置換して定常状態の条件を維持しなければ
ならない。
縮程度を示すのに用いる語句である。例・えは、２．０
サイクルの濃縮は循環水が組成水の２倍の濃度であるこ
とを示す。循環水をある一部サイクルの濃縮に維持する
ため、一部の循環水をシステムから物理的に除去し、新
鮮な組成水と置換して定常状態の条件を維持しなければ
ならない。
システムから除去した循環水を“ブローダウン（排出水
）Ｉと指称する。
）Ｉと指称する。
再循環システムに用いる組成水は、地上水または井戸水
源から得られる。これらの水は通常各種の溶解塩を含有
するか、その量および組成は勿論組成水の源に左右され
るだろう。一般に組成水は、アルカリ土類金属カチオン
（主としてカルシウムおよびマグネシウム）、およびケ
イ酸塩、硫酸塩、重炭酸塩および炭酸塩などのアニオン
を含有する。
源から得られる。これらの水は通常各種の溶解塩を含有
するか、その量および組成は勿論組成水の源に左右され
るだろう。一般に組成水は、アルカリ土類金属カチオン
（主としてカルシウムおよびマグネシウム）、およびケ
イ酸塩、硫酸塩、重炭酸塩および炭酸塩などのアニオン
を含有する。
蒸発プロセスによって水が濃縮されると、カチオン／ア
ニオン化合物（例えば炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウ
ム、ケイ酸マグネシウム等）の沈殿が起こるか、これは
個々のカチオン／アニオン化合物の溶解性の限度が越え
るためである。金属表向に沈殿（晶出）が起こり、該表
面に付着する場合、生成する沈積を１スケール”と指称
する。スケール形成に影響を及ぼす要因の幾つかとして
は、温度、熱伝達速度、水速度、溶解固体濃度、濃縮サ
イクル、システム滞留時間および水ｐＨが挙げられる。
ニオン化合物（例えば炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウ
ム、ケイ酸マグネシウム等）の沈殿が起こるか、これは
個々のカチオン／アニオン化合物の溶解性の限度が越え
るためである。金属表向に沈殿（晶出）が起こり、該表
面に付着する場合、生成する沈積を１スケール”と指称
する。スケール形成に影響を及ぼす要因の幾つかとして
は、温度、熱伝達速度、水速度、溶解固体濃度、濃縮サ
イクル、システム滞留時間および水ｐＨが挙げられる。
天然産出水の幾つかは、その未サイクル状態において類
似のスケールポテンシャルを有する。
似のスケールポテンシャルを有する。
冷却システムの能率的および経済的作業に対し、工業熱
伝達装置の腐蝕およびスケールの防止は必須である。金
属表面の過剰腐蝕はプロセス装置の早期破損を引起こし
、これによって装置の交換または修理のため停止時間が
必要となる。加えて、熱伝達表面の腐蝕生成物の蓄積は
水の流れを妨害し、熱伝達効率を下げ、これによって生
産を制限したりあるいは清浄のため停止時間を必要とす
る。
伝達装置の腐蝕およびスケールの防止は必須である。金
属表面の過剰腐蝕はプロセス装置の早期破損を引起こし
、これによって装置の交換または修理のため停止時間が
必要となる。加えて、熱伝達表面の腐蝕生成物の蓄積は
水の流れを妨害し、熱伝達効率を下げ、これによって生
産を制限したりあるいは清浄のため停止時間を必要とす
る。
また熱伝達を阻止し水流を妨げるスケール沈積によって
も、効率の減少がもたらされる。
も、効率の減少がもたらされる。
またスケールは、特異酸素濃度気泡の形成を介して局部
腐蝕を急速に付与し、次いで金属表面の貫通を引起こす
。沈積から生じる特異酸素濃度気泡によってもたらされ
る局部腐蝕を通常、１沈積下腐蝕（ｕｎｄｅｒ−ｄｅｐ
ｏｓｉｔ ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ ） ”と指称する。
腐蝕を急速に付与し、次いで金属表面の貫通を引起こす
。沈積から生じる特異酸素濃度気泡によってもたらされ
る局部腐蝕を通常、１沈積下腐蝕（ｕｎｄｅｒ−ｄｅｐ
ｏｓｉｔ ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ ） ”と指称する。
連邦政府、州および都市の厳しい環境管理および水不足
の到来により、再循環冷却水システムは多くの場合、よ
り高い濃縮サイクルで作動して水消費量およびシステム
からのブローダウン量を減少するように強制される。濃
縮サイクルが増大するにつれて、スケールおよび腐蝕の
問題はよりきひしくなるが、それは遭遇する溶解塩濃度
がより高くなるからである。一般に冷却水は、アルカリ
性ｐＨ（ｐＨ） ７．５ ）で腐蝕よりもスケールを生
じる傾向にあり、また中性ｐＨ（ｐＨ＝６〜７．５）で
スケールよりも腐蝕を生じる傾向にある。
の到来により、再循環冷却水システムは多くの場合、よ
り高い濃縮サイクルで作動して水消費量およびシステム
からのブローダウン量を減少するように強制される。濃
縮サイクルが増大するにつれて、スケールおよび腐蝕の
問題はよりきひしくなるが、それは遭遇する溶解塩濃度
がより高くなるからである。一般に冷却水は、アルカリ
性ｐＨ（ｐＨ） ７．５ ）で腐蝕よりもスケールを生
じる傾向にあり、また中性ｐＨ（ｐＨ＝６〜７．５）で
スケールよりも腐蝕を生じる傾向にある。
スケール問題を回避するため冷却水に酸を加え、スケー
ルを制御しうる範囲のｐＨに維持することができる。し
かしながら、酸（通常、硫酸または塩化水素酸）の添加
は攻撃的な塩化物または硫酸塩イオンの濃度を増大し、
このため腐蝕の問題は更に悪化する。また酸を加える場
合、その添加を注意深く調整しなければならない。何故
なら、供給過剰はｐＨをきびしい腐蝕が起こりうるポイ
ントまで下げ、一方供給不足はｐＨをスケールがコント
ロールされえないポイントまで増大せしめるからである
。
ルを制御しうる範囲のｐＨに維持することができる。し
かしながら、酸（通常、硫酸または塩化水素酸）の添加
は攻撃的な塩化物または硫酸塩イオンの濃度を増大し、
このため腐蝕の問題は更に悪化する。また酸を加える場
合、その添加を注意深く調整しなければならない。何故
なら、供給過剰はｐＨをきびしい腐蝕が起こりうるポイ
ントまで下げ、一方供給不足はｐＨをスケールがコント
ロールされえないポイントまで増大せしめるからである
。
水性システムの腐蝕およびスケール抑制剤として有機リ
ン酸化合物の使用は周知である。またボイラーシステム
の沈積を防止または減少するためカルボキシメチルセル
ロースの使用も、［Ｊ、Ｓ、特許第３１８８２８９（カ
ーラー等）に示す如く公知である。
ン酸化合物の使用は周知である。またボイラーシステム
の沈積を防止または減少するためカルボキシメチルセル
ロースの使用も、［Ｊ、Ｓ、特許第３１８８２８９（カ
ーラー等）に示す如く公知である。
冷却水システムの腐蝕抑制剤として、有機リン酸化合物
単独では十分満足にその機能を果すことはできす、腐蝕
コントロール能力を改良するため添加成分が必要である
。かかるリン酸化合物の使用ニツイテハ、Ｕ、Ｓ、特許
第３８３７８０３、第４１４９９６９、第４００３０４
７および第３８０３０４８に開示されている。
単独では十分満足にその機能を果すことはできす、腐蝕
コントロール能力を改良するため添加成分が必要である
。かかるリン酸化合物の使用ニツイテハ、Ｕ、Ｓ、特許
第３８３７８０３、第４１４９９６９、第４００３０４
７および第３８０３０４８に開示されている。
リン酸化合物を通常用いられる腐蝕抑制剤（例えは無機
リン酸塩、亜鉛等）と併用すると、改良腐蝕コントロー
ルが得られる。しがし、これらの併用によってもその能
力に限界があり、腐蝕をコントロールし同時にスケール
のない熱伝達表面を維持することは困難である。更に、
有機リン酸化合物併用によって達成しうる腐蝕およびス
ケール防止の程良は、冷却水化学（ＰＨ、カルシウム硬
度、炭酸塩濃度、重炭酸塩濃度）および冷却システム作
業条件（水速度、熱負荷、水温、濃縮サイクル）の両方
に左右される。
リン酸塩、亜鉛等）と併用すると、改良腐蝕コントロー
ルが得られる。しがし、これらの併用によってもその能
力に限界があり、腐蝕をコントロールし同時にスケール
のない熱伝達表面を維持することは困難である。更に、
有機リン酸化合物併用によって達成しうる腐蝕およびス
ケール防止の程良は、冷却水化学（ＰＨ、カルシウム硬
度、炭酸塩濃度、重炭酸塩濃度）および冷却システム作
業条件（水速度、熱負荷、水温、濃縮サイクル）の両方
に左右される。
亜鉛と有機リン酸化合物の併用を含む処理剤プログラム
の性能は特に、冷却水化学および作業条件に左右される
が、それは亜鉛と有機リン酸化合物の両方が不溶塩とし
て沈−殿し、これによって腐蝕およびスケール制御に悪
影響を及ぼすからである。亜鉛は温度とｐＨの増大によ
って過度に不溶性となる。冷却水における可溶亜鉛の沈
殿は、亜鉛の予定腐蝕抑制機能を果す能力を最小化また
は削減する。加えて、ホットな熱伝達表面の不溶亜鉛塩
の沈殿および沈積は熱伝達を阻止し、沈積上腐蝕を引起
こす。また不溶ホスホン酸カルシウムの沈殿は、ｐＨお
よび／またはカルシウム硬度の十分に高い水中に生じつ
る。亜鉛の沈殿と同様に、リン酸カルシウム塩の溶解性
はｐＨおよび温度の増大に伴って減少する。循環水のホ
スホン酸塩の沈殿はホスホネート濃度を、有効なスケー
ル抑制に必要な濃度以下に減少せしめ、これによって自
然発生塩（例えば炭酸カルシウム）の過剰スケールがも
たらされる。ホスホン酸カルシウムによって起こる、ス
ケールおよび付随的沈積上腐蝕も既存の高い温度により
、熱伝達表面に生じうる。ホスホン酸塩および亜鉛塩の
両方の限られた溶解性に基づき、ＰＨ，２Ｍ度、カルシ
ウム硬度等のいずれの所定条件Ｉこおいても、有機リン
酸成分および亜鉛塩の画濃度を厳重にコントロールしな
ければならない。何故なら、いずれの物質の供給過剰も
化学スケールを引起こし、一方その供給不足は自然発生
塩の腐蝕および／またはスケールをもたらすからである
。逆に、亜鉛およびホスホン酸化合物の所定濃度におい
て、ポテンンヤル問題を回避するため、水化学およびシ
ステム作業パラメーターを密にコントロールしなければ
ならない。
の性能は特に、冷却水化学および作業条件に左右される
が、それは亜鉛と有機リン酸化合物の両方が不溶塩とし
て沈−殿し、これによって腐蝕およびスケール制御に悪
影響を及ぼすからである。亜鉛は温度とｐＨの増大によ
って過度に不溶性となる。冷却水における可溶亜鉛の沈
殿は、亜鉛の予定腐蝕抑制機能を果す能力を最小化また
は削減する。加えて、ホットな熱伝達表面の不溶亜鉛塩
の沈殿および沈積は熱伝達を阻止し、沈積上腐蝕を引起
こす。また不溶ホスホン酸カルシウムの沈殿は、ｐＨお
よび／またはカルシウム硬度の十分に高い水中に生じつ
る。亜鉛の沈殿と同様に、リン酸カルシウム塩の溶解性
はｐＨおよび温度の増大に伴って減少する。循環水のホ
スホン酸塩の沈殿はホスホネート濃度を、有効なスケー
ル抑制に必要な濃度以下に減少せしめ、これによって自
然発生塩（例えば炭酸カルシウム）の過剰スケールがも
たらされる。ホスホン酸カルシウムによって起こる、ス
ケールおよび付随的沈積上腐蝕も既存の高い温度により
、熱伝達表面に生じうる。ホスホン酸塩および亜鉛塩の
両方の限られた溶解性に基づき、ＰＨ，２Ｍ度、カルシ
ウム硬度等のいずれの所定条件Ｉこおいても、有機リン
酸成分および亜鉛塩の画濃度を厳重にコントロールしな
ければならない。何故なら、いずれの物質の供給過剰も
化学スケールを引起こし、一方その供給不足は自然発生
塩の腐蝕および／またはスケールをもたらすからである
。逆に、亜鉛およびホスホン酸化合物の所定濃度におい
て、ポテンンヤル問題を回避するため、水化学およびシ
ステム作業パラメーターを密にコントロールしなければ
ならない。
上述の亜鉛塩およびホスホン酸成分を仔する組成物に遭
遇する問題は特に、アルカリ性ｐＨ（一般ＧＣＰ）（＞
８ ）で作動し、且つ高い炭酸力ルンウムスケールポテ
ンシャルを有する冷却水システムに厄介である。
遇する問題は特に、アルカリ性ｐＨ（一般ＧＣＰ）（＞
８ ）で作動し、且つ高い炭酸力ルンウムスケールポテ
ンシャルを有する冷却水システムに厄介である。
即ち、当該分野において、高スケールポテンシャルの冷
却水システムの金属表面の腐蝕およびスケールを有効且
つ同時に抑制しうる処理ブロク゛ラムを提供することか
必要である。
却水システムの金属表面の腐蝕およびスケールを有効且
つ同時に抑制しうる処理ブロク゛ラムを提供することか
必要である。
水溶性亜鉛塩（１）、水溶性セルロースガムポＩＪマー
物質（２）、有機リン酸化合物（３）、および必要をこ
応してアゾール化合物（４）および／また（ま可溶モ１
ノブデート塩（５）を導入する処理剤ブロク゛ラム番こ
よれＧ−ｉ′意外にも、冷却水システムなどの水システ
ムの増強腐蝕制御を過剰なスケール形成（こ導くことな
く付与することがわかった。本発明の処理剤１プログラ
ムは、各種広範な冷却水化学番こ適用しうるものであり
、また驚くべきことに高スケールポテンシャルを有する
水システムに有効である。
物質（２）、有機リン酸化合物（３）、および必要をこ
応してアゾール化合物（４）および／また（ま可溶モ１
ノブデート塩（５）を導入する処理剤ブロク゛ラム番こ
よれＧ−ｉ′意外にも、冷却水システムなどの水システ
ムの増強腐蝕制御を過剰なスケール形成（こ導くことな
く付与することがわかった。本発明の処理剤１プログラ
ムは、各種広範な冷却水化学番こ適用しうるものであり
、また驚くべきことに高スケールポテンシャルを有する
水システムに有効である。
上記開示の処理剤プログラムは、ｐＨ＞８で作動し炭酸
カルシラ台に関して過飽和の冷４１水システムに極めて
有効であるが、一般番こ約７〜９．５の州および≧０．
８のランゲリア・す゛ンレーション・インデクス（Ｌａ
ｎｇｅｌｉｅｒ ５ａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｉｎｄｅｘ
）を有する冷却水に適用しつる（ベンツの「ハンドブッ
ク・オブ・インクストリアル・ウォーター・コンディシ
ョニング」（８版、１９８０年、１７７〜１７８頁）参
照）。
カルシラ台に関して過飽和の冷４１水システムに極めて
有効であるが、一般番こ約７〜９．５の州および≧０．
８のランゲリア・す゛ンレーション・インデクス（Ｌａ
ｎｇｅｌｉｅｒ ５ａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｉｎｄｅｘ
）を有する冷却水に適用しつる（ベンツの「ハンドブッ
ク・オブ・インクストリアル・ウォーター・コンディシ
ョニング」（８版、１９８０年、１７７〜１７８頁）参
照）。
本発明に関連して有用な有機リン酸化合物は、炭素−リ
ン結合、即ち Ｃ−Ｐ ＯＭ 晶 を有する化合物である。
ン結合、即ち Ｃ−Ｐ ＯＭ 晶 を有する化合物である。
上記範囲に属する化合物は、多分下記一般式（６，７，
８および９）でそれぞれ示される４種の１つに包含され
る。
８および９）でそれぞれ示される４種の１つに包含され
る。
（６）Ｏ
−Ｐ−ＯＭ
０Ｍ
〔式中、ｋは炭素数的１〜７の低級アルキル（例えばメ
チル、エチル、ブチル、プロピル、イソプロピル、ペン
チル、インペンチル、ヘキシルおよびヘプチル）、炭素
数１〜７の置換低級アルキル（例えばヒドロキシル、カ
ルボキシル、アミノ置換アルキル）、単環式芳香族基（
アリール）（例えばフェニル）、または置換単環式芳香
族基（例工ばヒドロキシル、アミノ、低級アルキル置換
芳香族基）（トリルホスホン酸の場合）、およびＭは水
溶性カチオン（例えばナトリウム、カリウム、アンモニ
ウム、リチウム等）または水素である。〕 この式（６）によって包囲される化合物の特定の具体例
としては、以下のものが包含される。
チル、エチル、ブチル、プロピル、イソプロピル、ペン
チル、インペンチル、ヘキシルおよびヘプチル）、炭素
数１〜７の置換低級アルキル（例えばヒドロキシル、カ
ルボキシル、アミノ置換アルキル）、単環式芳香族基（
アリール）（例えばフェニル）、または置換単環式芳香
族基（例工ばヒドロキシル、アミノ、低級アルキル置換
芳香族基）（トリルホスホン酸の場合）、およびＭは水
溶性カチオン（例えばナトリウム、カリウム、アンモニ
ウム、リチウム等）または水素である。〕 この式（６）によって包囲される化合物の特定の具体例
としては、以下のものが包含される。
ＣＨ３ＰＯ３Ｈ２（メチルホスホン酸）ＣＨ３ＣＨ２Ｐ
Ｏ３Ｈ２（エチルホスホン酸）Ｈ ＣＨ２ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２ ＮＨ２（２−アミノエチルホスホン酸）Ｈ２Ｃ−ＣＯＯ
Ｈ ＨｏｏＣ−Ｃ−ＰＯ３Ｈ２（２−ホスホノブタン１，２
゜ＣＨ２４−１−リカルボン酸） Ｈ２Ｃ−ＣＯＯＨ ＣＲ３ ＣＨ３−ＣＨ−Ｐｏ３Ｈ２（イソプロピルホスポン酸）
Ｃ６Ｈｓ Ｐ ０３ Ｒ２（ベンゼンホスポン酸）Ｃ６
Ｈ５ＣＨ２Ｐｏ３Ｈ２（ベンジルホスホン酸）（７）
０ ０ Ｍｏ−Ｐ−Ｒ−Ｐ−ＯＭ １ ０Ｍ ＯＭ 〔式中、ｋは炭素数的１〜１２のアルキレンまま たは炭素数的１〜１２の置換アルキレン（例えばヒドロ
キシル、アミノ置換アルキレン）、およびＭは前記式（
６）の場合と同意義である。〕上記式（７）で包囲され
る化合物の特定具体例およびその式は、：以下の通りで
ある。
Ｏ３Ｈ２（エチルホスホン酸）Ｈ ＣＨ２ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２ ＮＨ２（２−アミノエチルホスホン酸）Ｈ２Ｃ−ＣＯＯ
Ｈ ＨｏｏＣ−Ｃ−ＰＯ３Ｈ２（２−ホスホノブタン１，２
゜ＣＨ２４−１−リカルボン酸） Ｈ２Ｃ−ＣＯＯＨ ＣＲ３ ＣＨ３−ＣＨ−Ｐｏ３Ｈ２（イソプロピルホスポン酸）
Ｃ６Ｈｓ Ｐ ０３ Ｒ２（ベンゼンホスポン酸）Ｃ６
Ｈ５ＣＨ２Ｐｏ３Ｈ２（ベンジルホスホン酸）（７）
０ ０ Ｍｏ−Ｐ−Ｒ−Ｐ−ＯＭ １ ０Ｍ ＯＭ 〔式中、ｋは炭素数的１〜１２のアルキレンまま たは炭素数的１〜１２の置換アルキレン（例えばヒドロ
キシル、アミノ置換アルキレン）、およびＭは前記式（
６）の場合と同意義である。〕上記式（７）で包囲され
る化合物の特定具体例およびその式は、：以下の通りで
ある。
メチレンジホスホン酸
Ｈ２Ｏ５ＰＣＨ２Ｐｏ３Ｈ２
エチリデンジホスホン酸
Ｈ２Ｏ５ＰＣＨ（ＯＨ３）Ｐｏ３Ｈ２
イソプロビリデンジポスポン酸
（ＣＨ３）２Ｃ（ＰＯ３Ｈ２）２
１−ヒドロキシエチリデン１．１−ジホスホン酸（ＨＥ
ＤＰ） ＯＨ Ｒ２０３Ｐ−Ｃ（ＣＨ３）−ＰＯ３Ｈ２（これが好まし
い。） ヘキサメチレンジホスホン酸 Ｈ２Ｏ５ＰＣＨ２（ＣＨ２）４ＣＨ２Ｐｏ３Ｈ２トリメ
チレンジホスホン酸 Ｒ２０３Ｐ （ＣＲ２） ａ Ｐ ０３Ｈ２デカメチレ
ンジホスホン酸 Ｈ２Ｏ５Ｐ（ＣＨ２）１ｏＰ０３Ｈ２ １−ヒドロキシプロピリデン１，１−ジホスホン酸
ＣＨ３ＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（Ｐｏ３Ｈ２）２１．６−シ
ヒドロキシー１，６−ジメチルへキサメチレン−１，６
−ジホスホン酸 Ｈ２Ｏ５ＰＣ（ＣＨ３）（ＯＨ）（ＯＨ２）４ｃ（ＯＨ
３）（ｏＨ）Ｐ０３ＦＩ２１．２−ジヒドロキシ−１，
２−ジエチルエチレン−１，２−ジホスホン酸 〔式中、Ｒ２は炭素数的１〜４の低級アルキレンまたは
アミノもしくはヒドロキシ置換低級アルキレン、Ｒ３は
〔Ｒ２−２０３Ｍ２〕、ＦＩ、ＯＨ，ＮＲ２、置換アミ
ノ、炭素数１〜６のアルキル、炭素数１〜６の置換アル
キル（置換基として例えはＯＨ，ＮＲ２）、単環式芳香
族基または置換単環式芳香族基（置換基として例えは０
ＨＳＮＨ２）、Ｒ４はＲ３または式： （ここで、Ｒ５およびに６はそれぞれ水素、炭素数的１
〜６の低級アルキル、置換低級アルキル（置換基として
例えば０Ｈ１ＮＨ２）、水素、ヒドロキシル、アミノ、
置換アミノ、単環式芳香族基、または置換単環式芳香族
基（置換基として例えばＯＨ、アミン）、Ｒ７はに５、
Ｒ６または式：に２−２０３Ｍ２の基、ｎは約１〜１５
、およびｙは約１〜１４である。）、およびＭは式（６
）の場合と同意義。〕上記式（８）に対し具体例と考え
られる化合物およびその化学式は、以下の通りである。
ＤＰ） ＯＨ Ｒ２０３Ｐ−Ｃ（ＣＨ３）−ＰＯ３Ｈ２（これが好まし
い。） ヘキサメチレンジホスホン酸 Ｈ２Ｏ５ＰＣＨ２（ＣＨ２）４ＣＨ２Ｐｏ３Ｈ２トリメ
チレンジホスホン酸 Ｒ２０３Ｐ （ＣＲ２） ａ Ｐ ０３Ｈ２デカメチレ
ンジホスホン酸 Ｈ２Ｏ５Ｐ（ＣＨ２）１ｏＰ０３Ｈ２ １−ヒドロキシプロピリデン１，１−ジホスホン酸
ＣＨ３ＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（Ｐｏ３Ｈ２）２１．６−シ
ヒドロキシー１，６−ジメチルへキサメチレン−１，６
−ジホスホン酸 Ｈ２Ｏ５ＰＣ（ＣＨ３）（ＯＨ）（ＯＨ２）４ｃ（ＯＨ
３）（ｏＨ）Ｐ０３ＦＩ２１．２−ジヒドロキシ−１，
２−ジエチルエチレン−１，２−ジホスホン酸 〔式中、Ｒ２は炭素数的１〜４の低級アルキレンまたは
アミノもしくはヒドロキシ置換低級アルキレン、Ｒ３は
〔Ｒ２−２０３Ｍ２〕、ＦＩ、ＯＨ，ＮＲ２、置換アミ
ノ、炭素数１〜６のアルキル、炭素数１〜６の置換アル
キル（置換基として例えはＯＨ，ＮＲ２）、単環式芳香
族基または置換単環式芳香族基（置換基として例えは０
ＨＳＮＨ２）、Ｒ４はＲ３または式： （ここで、Ｒ５およびに６はそれぞれ水素、炭素数的１
〜６の低級アルキル、置換低級アルキル（置換基として
例えば０Ｈ１ＮＨ２）、水素、ヒドロキシル、アミノ、
置換アミノ、単環式芳香族基、または置換単環式芳香族
基（置換基として例えばＯＨ、アミン）、Ｒ７はに５、
Ｒ６または式：に２−２０３Ｍ２の基、ｎは約１〜１５
、およびｙは約１〜１４である。）、およびＭは式（６
）の場合と同意義。〕上記式（８）に対し具体例と考え
られる化合物およびその化学式は、以下の通りである。
ニトリロ−トリス（メチレンホスホン酸）Ｎ（ＣＨ２Ｐ
Ｏ３Ｈ２）３ イミノージ（メチレンホスホン酸） ＮＨ（ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２）２ ｎ−ブチルアミノ−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホスホン酸） Ｃ４Ｈ９Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２）２ デシルアミノ−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホスホン酸）Ｃ１
ｏ Ｒ２１Ｎ （ＣＨ２Ｐ ０３ Ｒ２）２トリソジウ
ムペンタデシルアミノ−Ｎ、Ｎ−ジメチレンホスホネー
ト −Ｃ１５Ｈ３１Ｎ（０（２ＰＯ３ＨＮａ）（ＣＲ２ＰＯ
３Ｈ２）ｎ−ブチルアミノ−Ｎ、Ｎ−ジ（エチレンホス
ホン酸） Ｃ４Ｈ９Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２）２テトラソジウ
ム−ｎ−ブチルアミノ−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホスホネ
ート） Ｃ４Ｈ９Ｎ（ＣＲ２ＰＯ３Ｈ２）２ トリアンモニウムテトラデシルアミノ−Ｎ、Ｎ −ジ（
メチレンホスホネート） Ｃ１４Ｈ２９Ｎ（ＯＩ２ＰＯ３（ＮＩ（４）２）ＣＨ２
ＰＯ３ＨＮＩ（４フェニルアミノ−Ｎ、Ｎ −シ（メチ
レンホスホン酸） Ｃ６Ｈ５Ｎ （ＣＨ２Ｐ ０３ Ｈ２）２４−ヒドロキ
シフェニルアミノ−Ｎ、Ｎ −シ（メチレンホスホン酸
） − Ｈ２ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２）２ Ｎ−プロピルフェニルアミノ−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホ
スホン酸） Ｃ６Ｈ５（ＣＨ２）３Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｆ２）２テトラ
ソジウムメチルフエニルアミノ−Ｎ、Ｎ −ジ（メチレ
ンホスホン酸） Ｃ６８５（ＣＨ２） ２ Ｎ （ＣＨ２Ｐ ０３ Ｎ
ａ ２ ） ２エチレンジアミン−Ｎ、Ｎ、Ｎ′、Ｎ’
−テトラ（メチレンホスホン酸） ′ （Ｈ２０３ＰＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２）２Ｎ（Ｃ１１２Ｐ
０３１Ｉ２）２トリメチレンジアミン−Ｎ、Ｎ、Ｎ’、
Ｎ’−テトラ（メチレンホスホン酸） （Ｈ２０３ＰＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２）３Ｎ（ＣＨ２ＰＯ
３Ｆ２）２ヘフタメチレンジアミン−Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ
’−テトラ（メチレンホスホン酸） （Ｈ２０３ＰＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２）７Ｎ（ＣＨ２ＰＯ
３Ｈ２）２デカメチレンジアミン−Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’
−テトラ（メチレンホスホン酸） （Ｈ２０３ＰＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２）１ＯＮ（ＣＨ２Ｐ
Ｏ３Ｆ２）２ヘキサメチレンジアミン−Ｎ、Ｎ、Ｎ’、
Ｎ’ −テトラ（メチレンホスホン酸） （Ｈ２０３Ｐ（Ｈ２）２Ｎ（ＣＨ２）６Ｎ（ＣＨ２ＰＯ
３Ｆ２）２テトラデカメチレンジアミン−Ｎ、Ｎ、Ｎ’
、Ｎ’ −テトラ（メチレンホスホン酸） （８２０３Ｐ Ｃ）（２）２Ｎ （ＣＨ２）１４ Ｎ
（ＣＨ２Ｐ Ｃ）３Ｈ２） ２エチレンジアミン−Ｎ、
Ｎ、？’ −１−リ（メチレンホスホン酸） （Ｈ２０３ＰＣｉＩ２）２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨＣＨ２Ｐ
０３Ｈ２エチレンジアミン−Ｎ、Ｎ’−ジ（メチレンホ
スホン酸） ）Ｉ２０３ＰＣＨ２ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨＣＨ２ＰＯ３
Ｈ２ｎ−ヘキシルアミン−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホスホ
ン酸） Ｃ６Ｈ１３Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｆ２）２ ジエチレントリアミン−Ｎ 、Ｎ 、Ｎ’ 、Ｎ″、
Ｎ″−ペンタ（メチレンホスホン酸） （Ｈシ０３ＰＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ
３■１２）−（ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２）２エ
タノールアミン−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホスホン酸） ＨＯ（ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｆ２）２ｎ−へキシ
ルアミノ−Ｎ−（インプロピリデンホスホン酸）−Ｎ−
メチレンホスホン酸Ｃ６Ｈ０３Ｎ（Ｃ（ＣＨ３）２ＰＯ
３Ｈ２）（ＣＨ２ＰＯ３Ｆ（２）トリヒドロキシメチル
メチルアミノ−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホスホン酸） （ＨＯＣＨ２）３ＯＮ（ＣＨ２ＰＯ３Ｆ２）２トリエチ
レンテトラアミン−へＩ Ｎ ｌへＺ Ｎ ／／ 、
Ｎ ／／Ｚへ″′−ヘキサ（メチレンホスホン酸）（Ｈ
２０３ＰＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｆ
２）−（ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２）（ＣＨ２）
２Ｎ（０８２円へ−Ｈ２）２ Ｎ−モノエタノニルジエチレントリアミン−Ｎ。
Ｏ３Ｈ２）３ イミノージ（メチレンホスホン酸） ＮＨ（ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２）２ ｎ−ブチルアミノ−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホスホン酸） Ｃ４Ｈ９Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２）２ デシルアミノ−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホスホン酸）Ｃ１
ｏ Ｒ２１Ｎ （ＣＨ２Ｐ ０３ Ｒ２）２トリソジウ
ムペンタデシルアミノ−Ｎ、Ｎ−ジメチレンホスホネー
ト −Ｃ１５Ｈ３１Ｎ（０（２ＰＯ３ＨＮａ）（ＣＲ２ＰＯ
３Ｈ２）ｎ−ブチルアミノ−Ｎ、Ｎ−ジ（エチレンホス
ホン酸） Ｃ４Ｈ９Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２）２テトラソジウ
ム−ｎ−ブチルアミノ−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホスホネ
ート） Ｃ４Ｈ９Ｎ（ＣＲ２ＰＯ３Ｈ２）２ トリアンモニウムテトラデシルアミノ−Ｎ、Ｎ −ジ（
メチレンホスホネート） Ｃ１４Ｈ２９Ｎ（ＯＩ２ＰＯ３（ＮＩ（４）２）ＣＨ２
ＰＯ３ＨＮＩ（４フェニルアミノ−Ｎ、Ｎ −シ（メチ
レンホスホン酸） Ｃ６Ｈ５Ｎ （ＣＨ２Ｐ ０３ Ｈ２）２４−ヒドロキ
シフェニルアミノ−Ｎ、Ｎ −シ（メチレンホスホン酸
） − Ｈ２ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２）２ Ｎ−プロピルフェニルアミノ−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホ
スホン酸） Ｃ６Ｈ５（ＣＨ２）３Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｆ２）２テトラ
ソジウムメチルフエニルアミノ−Ｎ、Ｎ −ジ（メチレ
ンホスホン酸） Ｃ６８５（ＣＨ２） ２ Ｎ （ＣＨ２Ｐ ０３ Ｎ
ａ ２ ） ２エチレンジアミン−Ｎ、Ｎ、Ｎ′、Ｎ’
−テトラ（メチレンホスホン酸） ′ （Ｈ２０３ＰＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２）２Ｎ（Ｃ１１２Ｐ
０３１Ｉ２）２トリメチレンジアミン−Ｎ、Ｎ、Ｎ’、
Ｎ’−テトラ（メチレンホスホン酸） （Ｈ２０３ＰＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２）３Ｎ（ＣＨ２ＰＯ
３Ｆ２）２ヘフタメチレンジアミン−Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ
’−テトラ（メチレンホスホン酸） （Ｈ２０３ＰＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２）７Ｎ（ＣＨ２ＰＯ
３Ｈ２）２デカメチレンジアミン−Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’
−テトラ（メチレンホスホン酸） （Ｈ２０３ＰＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２）１ＯＮ（ＣＨ２Ｐ
Ｏ３Ｆ２）２ヘキサメチレンジアミン−Ｎ、Ｎ、Ｎ’、
Ｎ’ −テトラ（メチレンホスホン酸） （Ｈ２０３Ｐ（Ｈ２）２Ｎ（ＣＨ２）６Ｎ（ＣＨ２ＰＯ
３Ｆ２）２テトラデカメチレンジアミン−Ｎ、Ｎ、Ｎ’
、Ｎ’ −テトラ（メチレンホスホン酸） （８２０３Ｐ Ｃ）（２）２Ｎ （ＣＨ２）１４ Ｎ
（ＣＨ２Ｐ Ｃ）３Ｈ２） ２エチレンジアミン−Ｎ、
Ｎ、？’ −１−リ（メチレンホスホン酸） （Ｈ２０３ＰＣｉＩ２）２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨＣＨ２Ｐ
０３Ｈ２エチレンジアミン−Ｎ、Ｎ’−ジ（メチレンホ
スホン酸） ）Ｉ２０３ＰＣＨ２ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨＣＨ２ＰＯ３
Ｈ２ｎ−ヘキシルアミン−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホスホ
ン酸） Ｃ６Ｈ１３Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｆ２）２ ジエチレントリアミン−Ｎ 、Ｎ 、Ｎ’ 、Ｎ″、
Ｎ″−ペンタ（メチレンホスホン酸） （Ｈシ０３ＰＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ
３■１２）−（ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２）２エ
タノールアミン−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホスホン酸） ＨＯ（ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｆ２）２ｎ−へキシ
ルアミノ−Ｎ−（インプロピリデンホスホン酸）−Ｎ−
メチレンホスホン酸Ｃ６Ｈ０３Ｎ（Ｃ（ＣＨ３）２ＰＯ
３Ｈ２）（ＣＨ２ＰＯ３Ｆ（２）トリヒドロキシメチル
メチルアミノ−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホスホン酸） （ＨＯＣＨ２）３ＯＮ（ＣＨ２ＰＯ３Ｆ２）２トリエチ
レンテトラアミン−へＩ Ｎ ｌへＺ Ｎ ／／ 、
Ｎ ／／Ｚへ″′−ヘキサ（メチレンホスホン酸）（Ｈ
２０３ＰＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｆ
２）−（ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２）（ＣＨ２）
２Ｎ（０８２円へ−Ｈ２）２ Ｎ−モノエタノニルジエチレントリアミン−Ｎ。
ＮＱ、Ｎ’／−トリ（メチレンホスホン酸）ＨＯＣＨ２
ＣＨ２Ｎ゛（ＣＨ２ＰＯ３Ｆ２）（ＣＨ２）２ＮＨ−（
ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２）２クロルエチレンア
ミン−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホスホン酸） Ｃｌ（Ｈ２ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ（ＯＨ）２）２（９）
Ｏ ｋ８−Ｐ−（ＣＨ２Ｃｋ１ｏ）□・・１１．・ＣＨ２Ｃ
Ｈｋ１ｏＣ０２）（１ に９Ｃ０２Ｈ 〔式中、ｋｌｏはＨ，ＣＨ３またはＣ２Ｈ５、ＲｓはＨ
１炭素数１〜１８の直鎖もしくは分枝鎖アルキル、炭素
数５〜１２のシクロアルキル、アリール、アルキルアリ
ール、または式： ％式％ （ここで、’１０は前記と同意義、ｎ（！：ｍの合計が
１００以下の整数である。） の基、または式ニーＯＸ（ここで、Ｘは水素または炭素
数１〜４の直鎖もしくは分枝鎖アルキルである。）の基
、およびに９は式ニーＯＸの基である。
ＣＨ２Ｎ゛（ＣＨ２ＰＯ３Ｆ２）（ＣＨ２）２ＮＨ−（
ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ３Ｈ２）２クロルエチレンア
ミン−Ｎ、Ｎ−ジ（メチレンホスホン酸） Ｃｌ（Ｈ２ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＰＯ（ＯＨ）２）２（９）
Ｏ ｋ８−Ｐ−（ＣＨ２Ｃｋ１ｏ）□・・１１．・ＣＨ２Ｃ
Ｈｋ１ｏＣ０２）（１ に９Ｃ０２Ｈ 〔式中、ｋｌｏはＨ，ＣＨ３またはＣ２Ｈ５、ＲｓはＨ
１炭素数１〜１８の直鎖もしくは分枝鎖アルキル、炭素
数５〜１２のシクロアルキル、アリール、アルキルアリ
ール、または式： ％式％ （ここで、’１０は前記と同意義、ｎ（！：ｍの合計が
１００以下の整数である。） の基、または式ニーＯＸ（ここで、Ｘは水素または炭素
数１〜４の直鎖もしくは分枝鎖アルキルである。）の基
、およびに９は式ニーＯＸの基である。
〕またはその塩。
上記式（９）の範囲内に属する化合物の１つは商業上入
手可能で、チバ・ガイギーより「Ｂｅ１ｃｌｅｎｅ５０
０」で市販されている。この化合物は下記式の構造を有
している。
手可能で、チバ・ガイギーより「Ｂｅ１ｃｌｅｎｅ５０
０」で市販されている。この化合物は下記式の構造を有
している。
Ｈ−（ＣＨ−ＣＨ２輻−Ｐ−（ＣＨ２ＣＨ）。−ＺＩ
・ １１ｃｏｏｚ
ｏｚ ｃｏｏｚ〔式中、ＺはＨまたはカチオン、ｎ
とｍの合計は約２〜６である。〕 かかる化合物は、ホスフィノカルボン酸化合物と指称さ
れている。式（９）の化合物はＵ、Ｓ、特許第４２３９
６４８ （マーシャル等）に列挙されており、該特許の
全内容を本開示を完結にするのに必要な程度までここに
導入する。
・ １１ｃｏｏｚ
ｏｚ ｃｏｏｚ〔式中、ＺはＨまたはカチオン、ｎ
とｍの合計は約２〜６である。〕 かかる化合物は、ホスフィノカルボン酸化合物と指称さ
れている。式（９）の化合物はＵ、Ｓ、特許第４２３９
６４８ （マーシャル等）に列挙されており、該特許の
全内容を本開示を完結にするのに必要な程度までここに
導入する。
本発明に従って用いられる亜鉛化合物に関し、２ｎ＋＋
イオンを付与する水溶性亜鉛塩が言及されてよい。亜鉛
塩の具体例として、硝酸亜鉛、塩化亜鉛、硫酸亜鉛、酢
酸亜鉛、リン酸アルカリ金属−亜鉛塩ガラス状物、結晶
性ボＩＪ ＩＪン酸アルカリ金属−亜鉛塩等が包含され
る。また、溶液中に２０＋＋を遊離する他の亜鉛化合物
（例えば酸化亜鉛）も使用可能である。最も重要な基準
は可溶亜鉛の源が存在することである。例えば、亜鉛塩
を添加することに加えて、可溶亜鉛を含有するプロセス
流または廃水流を用いることによってこの基準を滴定さ
せてよい。
イオンを付与する水溶性亜鉛塩が言及されてよい。亜鉛
塩の具体例として、硝酸亜鉛、塩化亜鉛、硫酸亜鉛、酢
酸亜鉛、リン酸アルカリ金属−亜鉛塩ガラス状物、結晶
性ボＩＪ ＩＪン酸アルカリ金属−亜鉛塩等が包含され
る。また、溶液中に２０＋＋を遊離する他の亜鉛化合物
（例えば酸化亜鉛）も使用可能である。最も重要な基準
は可溶亜鉛の源が存在することである。例えば、亜鉛塩
を添加することに加えて、可溶亜鉛を含有するプロセス
流または廃水流を用いることによってこの基準を滴定さ
せてよい。
本発明に好適なセルロース物質を、当明細書でセルロー
スガムと指称する。当該分野で公知の如く、セルロース
はセロビオース単位の繰返しで構成される。セロビオー
ス単位は順次、３つのヒドロキシ官能価を有する各無水
グルコース単位の２個で構成される。ヒドロキシ官能基
のＨ原子の幾つカラアルキル基で置換することにより、
セルロースガムか得られる。無水グルコース単位当りの
置換されるヒドロキシ基の平均数は、置換度（ＤＳと略
す）として公知である。各無水グルコース単位に３つの
ヒドロキシ官能基が含まれているので、最大理論ＤＳは
３，０である。
スガムと指称する。当該分野で公知の如く、セルロース
はセロビオース単位の繰返しで構成される。セロビオー
ス単位は順次、３つのヒドロキシ官能価を有する各無水
グルコース単位の２個で構成される。ヒドロキシ官能基
のＨ原子の幾つカラアルキル基で置換することにより、
セルロースガムか得られる。無水グルコース単位当りの
置換されるヒドロキシ基の平均数は、置換度（ＤＳと略
す）として公知である。各無水グルコース単位に３つの
ヒドロキシ官能基が含まれているので、最大理論ＤＳは
３，０である。
セルロースガムの重合度は整数ｎで示すことができ、該
ｎは無水グルコース単位の数を意味する。
ｎは無水グルコース単位の数を意味する。
セルロースガムは長鎖ポリマーであるので、その相対鎖
長は無水グルコース単位数、分子針または粘度値によっ
て特徴づけることができる。
長は無水グルコース単位数、分子針または粘度値によっ
て特徴づけることができる。
本発明による語句″セルロースガム“とは、カルボキシ
低級アルキルセルロース、変性カルボキシ低級アルキル
セルロースおよびこれらの水溶性塩を指称する。水溶性
塩としては、就中Ｎａ、Ｋ、Ｎ［Ｉ４およびＣａの塩が
包含され、Ｎａ塩が好ましい。
低級アルキルセルロース、変性カルボキシ低級アルキル
セルロースおよびこれらの水溶性塩を指称する。水溶性
塩としては、就中Ｎａ、Ｋ、Ｎ［Ｉ４およびＣａの塩が
包含され、Ｎａ塩が好ましい。
ここで用いるカルボキシ低級アルキルセルロースとは、
セルロース分子のヒドロキシ官能基のＨ原子の幾つかが
、炭素数２〜４の低級アルキルカルボキシ基の１つもし
くはそれ以上で置換されたセルロースポリマーを指称す
る。例えば、ヒドロキシ基のＨ原子はカルボキシメチル
（ＣＨ２ＣＯＯＨ）、カルボキシエチル（ＣＨ２ＣＨ２
ＣＯＯＨ）またはカルホキ／プロピル（ＣＨ２ＣＨ２Ｃ
Ｈ２Ｃ００Ｈ）で置換されてよい。更に、アルキル基は
それ自体他のヒドロキシ基などの置換基を包含していて
よい。後者の具体例としては、例えばカルボキシ２−ヒ
ドロキシエチル（ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＣＯＯＨ）やカル
ボキシ２−ヒドロキシプロピル（ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）Ｃ
Ｈ２ＣＯＯＨ）である。
セルロース分子のヒドロキシ官能基のＨ原子の幾つかが
、炭素数２〜４の低級アルキルカルボキシ基の１つもし
くはそれ以上で置換されたセルロースポリマーを指称す
る。例えば、ヒドロキシ基のＨ原子はカルボキシメチル
（ＣＨ２ＣＯＯＨ）、カルボキシエチル（ＣＨ２ＣＨ２
ＣＯＯＨ）またはカルホキ／プロピル（ＣＨ２ＣＨ２Ｃ
Ｈ２Ｃ００Ｈ）で置換されてよい。更に、アルキル基は
それ自体他のヒドロキシ基などの置換基を包含していて
よい。後者の具体例としては、例えばカルボキシ２−ヒ
ドロキシエチル（ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＣＯＯＨ）やカル
ボキシ２−ヒドロキシプロピル（ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）Ｃ
Ｈ２ＣＯＯＨ）である。
変性カルボキシ低級アルキルセルロースとは、上記カル
ボキシ低級アルキルセルロース分子において、ヒドロキ
シ官能基のＨ原子の１つもしくはそれ以上の低級アルキ
ルカルボキシ基の置換に加えて、無水グルコース単位の
残存ヒドロキシ官能基のＨ原子の幾つかの代わりに置換
される“第２１の官能基を包含するものを指称する。こ
れらの“第２°官能基は、炭素数１〜４の置換もしくは
非置換低級アルキル基であって、例えばメチル、エチル
、プロピル、ヒドロキシエチルペ ２−ヒドロキシプロ
ピル、ブチルまたは２−ヒドロキシブチルが挙げられる
。
ボキシ低級アルキルセルロース分子において、ヒドロキ
シ官能基のＨ原子の１つもしくはそれ以上の低級アルキ
ルカルボキシ基の置換に加えて、無水グルコース単位の
残存ヒドロキシ官能基のＨ原子の幾つかの代わりに置換
される“第２１の官能基を包含するものを指称する。こ
れらの“第２°官能基は、炭素数１〜４の置換もしくは
非置換低級アルキル基であって、例えばメチル、エチル
、プロピル、ヒドロキシエチルペ ２−ヒドロキシプロ
ピル、ブチルまたは２−ヒドロキシブチルが挙げられる
。
セルロースガムは周知の方法で製造することができる。
例えば、アルカリセルロースをモノクロル酢酸ナトリウ
ムと反応させることにより、カルポキシメチル誘導体の
ナトリウム塩を製する。また他のカルボキシ低級アルキ
ル種のナトリウム塩も同様に、アルカリセルロース物質
をそれぞれモノクロルプロピオン酸ナトリウムやモノク
ロル酪酸ナトリウムと反応させることにより製造される
。
ムと反応させることにより、カルポキシメチル誘導体の
ナトリウム塩を製する。また他のカルボキシ低級アルキ
ル種のナトリウム塩も同様に、アルカリセルロース物質
をそれぞれモノクロルプロピオン酸ナトリウムやモノク
ロル酪酸ナトリウムと反応させることにより製造される
。
本発明に好適なセルロースガムは、置換度的０゜３８〜
２．５および分子量約５ｏｏｏｏ〜２５００００を有す
る。これらのガムは、重合度（ｎ）約３００〜１２００
および粘度２０センチポイズ（カム溶液濃度２係、Ｂｒ
ｏｏｋｆｉｅｌｄ 粘度計で２５゛Ｃにて測定）〜約１
０００センチポイズ（ガム溶液濃度２％、Ｂｒｏｏｋｆ
ｉｅｌｄ粘度計で２５゛Ｃにて測定）以下を有するポリ
マーに相当する。
２．５および分子量約５ｏｏｏｏ〜２５００００を有す
る。これらのガムは、重合度（ｎ）約３００〜１２００
および粘度２０センチポイズ（カム溶液濃度２係、Ｂｒ
ｏｏｋｆｉｅｌｄ 粘度計で２５゛Ｃにて測定）〜約１
０００センチポイズ（ガム溶液濃度２％、Ｂｒｏｏｋｆ
ｉｅｌｄ粘度計で２５゛Ｃにて測定）以下を有するポリ
マーに相当する。
好ましいセルロースガムは、２００センチボイズ（ガム
溶液濃度２％、２５゛Ｃで測定）以下の粘度を有するカ
ルボキシメチルセルロースのナトリウム塩である。これ
らのガムは、ハーキュルズ（Ｈｅｒｃｕｌｅｓ）より商
業的に入手可能である。好ましいセルロースガム物質は
ハーキュルズのＣＭＣ−７Ｌシリーズで選定され、これ
にはハーキュルズ製品ＣＭＣ７ＬＴ、ＣＭＣ−７Ｌ３Ｔ
、ＣＭＣ−７ＬＩＴＳ ＣＭＣ−７ＬＩＳＴ、ＣＭＣ−
７Ｌ２ＮＴ等が包含される。ＣＭＣ−７Ｌシリーズのポ
リマーは、約１０００００以下の平均分子量および０．
７のＤＳを有すると思われる。かかるガムの粘度は約２
０センチボイズ（ガム濃度２％、２５°Ｃで測定）〜約
１００センチポイズ（ガム濃度、２５°Ｃで測定）の範
囲にある。好ソしいセルロースガムは名称［Ｈｅｒｃｕ
ｌｅｓＣＭＣ−７Ｌ ３ ＴＪ）下で市販されている。
溶液濃度２％、２５゛Ｃで測定）以下の粘度を有するカ
ルボキシメチルセルロースのナトリウム塩である。これ
らのガムは、ハーキュルズ（Ｈｅｒｃｕｌｅｓ）より商
業的に入手可能である。好ましいセルロースガム物質は
ハーキュルズのＣＭＣ−７Ｌシリーズで選定され、これ
にはハーキュルズ製品ＣＭＣ７ＬＴ、ＣＭＣ−７Ｌ３Ｔ
、ＣＭＣ−７ＬＩＴＳ ＣＭＣ−７ＬＩＳＴ、ＣＭＣ−
７Ｌ２ＮＴ等が包含される。ＣＭＣ−７Ｌシリーズのポ
リマーは、約１０００００以下の平均分子量および０．
７のＤＳを有すると思われる。かかるガムの粘度は約２
０センチボイズ（ガム濃度２％、２５°Ｃで測定）〜約
１００センチポイズ（ガム濃度、２５°Ｃで測定）の範
囲にある。好ソしいセルロースガムは名称［Ｈｅｒｃｕ
ｌｅｓＣＭＣ−７Ｌ ３ ＴＪ）下で市販されている。
システム金属質か例えばアドミラル黄銅、二成分黄銅、
二成分青銅中の銅である場合、本発明の混合処理剤にア
ゾール化合物などの水溶性銅腐蝕抑制剤を加えることか
望ましい。銅腐蝕抑制剤の具体例として、式： の１，２．３− ） ！Ｊアゾール化合物が包含される
。また本発明の範囲内に、Ｎ−アルキル置換１，２．３
−トリアゾール、または環の４位および／または５位が
置換されている水溶性置換１，２．３− トリアゾール
が含まれる。好ましい１，２．３−１−リアゾールは、
式： （ の１．２．３−トリルトリアゾールである。１，２．３
−トリアゾール類の他の具体例としては、ベンゾトリア
ゾール、４−フェノール−１，２，３−）リアゾール、
４−メチル−１，２，３−）リアソール、４＝エチル−
１，２，３−）リアゾール、５−メチル−１゜２．３−
トリアゾール、５−エチル−１，２，３−）リアゾール
、５−プロピル−１，２，３−）リアゾール、および５
−ブチル−１，２，３−）リアゾールが包含される。ま
たこれらの化合物のアルカリ金属またはアンモニウム塩
も使用されてよい。
二成分青銅中の銅である場合、本発明の混合処理剤にア
ゾール化合物などの水溶性銅腐蝕抑制剤を加えることか
望ましい。銅腐蝕抑制剤の具体例として、式： の１，２．３− ） ！Ｊアゾール化合物が包含される
。また本発明の範囲内に、Ｎ−アルキル置換１，２．３
−トリアゾール、または環の４位および／または５位が
置換されている水溶性置換１，２．３− トリアゾール
が含まれる。好ましい１，２．３−１−リアゾールは、
式： （ の１．２．３−トリルトリアゾールである。１，２．３
−トリアゾール類の他の具体例としては、ベンゾトリア
ゾール、４−フェノール−１，２，３−）リアゾール、
４−メチル−１，２，３−）リアソール、４＝エチル−
１，２，３−）リアゾール、５−メチル−１゜２．３−
トリアゾール、５−エチル−１，２，３−）リアゾール
、５−プロピル−１，２，３−）リアゾール、および５
−ブチル−１，２，３−）リアゾールが包含される。ま
たこれらの化合物のアルカリ金属またはアンモニウム塩
も使用されてよい。
銅腐蝕抑制剤の他の具体例としては、式：のチアゾール
化合物が含まれる。適当なチアゾール類としては、チア
ゾール、２−メルカプトチアゾール、２−メルカプトベ
ンゾチアゾール、ベンゾチアゾール等が挙げられる。
化合物が含まれる。適当なチアゾール類としては、チア
ゾール、２−メルカプトチアゾール、２−メルカプトベ
ンゾチアゾール、ベンゾチアゾール等が挙げられる。
また腐蝕防止の増強に、可溶モリブデート化合物も使用
されてよい。適当なモリブデン酸類としてはモリブデン
酸アルカリ塩が含まれる。その具体例として、就中モリ
ブデン酸ナトリウム、モリブデン酸カリウム、モリブデ
ン酸リチウムが挙げられる。更にジモリブデン酸アンモ
ニウムやヘプタモリブデン酸アンモニウムなとのモリブ
デン酸アンモニウム化合物も挙げることができる。
されてよい。適当なモリブデン酸類としてはモリブデン
酸アルカリ塩が含まれる。その具体例として、就中モリ
ブデン酸ナトリウム、モリブデン酸カリウム、モリブデ
ン酸リチウムが挙げられる。更にジモリブデン酸アンモ
ニウムやヘプタモリブデン酸アンモニウムなとのモリブ
デン酸アンモニウム化合物も挙げることができる。
本発明の方法における各化合物の実施可能用量範囲（水
性システムに対して）は、以下の通りである。
性システムに対して）は、以下の通りである。
亜鉛化合物 ０．１〜１５ ｐｐｍ（
Ｚｎイオンで） 有機リン化合物 ０．２〜５０ ｐｐｍセ
ルロースガム ｏ、５〜５ｏＰＰｍアゾ
ール（存在する場合） ０．２〜３０ ＰＰｍモリ
ブデート塩 ０．１〜１０１００ｐｐ存在
する場合） （モリブデートイオンで） 好ましい範囲は以下の通りである。
Ｚｎイオンで） 有機リン化合物 ０．２〜５０ ｐｐｍセ
ルロースガム ｏ、５〜５ｏＰＰｍアゾ
ール（存在する場合） ０．２〜３０ ＰＰｍモリ
ブデート塩 ０．１〜１０１００ｐｐ存在
する場合） （モリブデートイオンで） 好ましい範囲は以下の通りである。
亜鉛化合物 ０．１〜ｉｏｐｐｍ（Ｚ
ｎ″２で） 有機リン化合物 ０．２〜１５ ｐｐｍセ
ルロースガム １〜２５ ｐｐｍアゾ
ール（存在する場合） ０．２〜１０ ｐｐｍモリ
ブデート ０．１〜１５ｐｐｍ（存在す
る場合） （モリブヂートイオンで） 有Ｔｈ ＩＪン化合物、ＣＭＣおよびアゾールを合して
システムに供給し、Ｚｎ２＋イオン源を別途供給するこ
とが好ましい。これに代え、全ての成分を混合し、単一
物として供給されてよい。
ｎ″２で） 有機リン化合物 ０．２〜１５ ｐｐｍセ
ルロースガム １〜２５ ｐｐｍアゾ
ール（存在する場合） ０．２〜１０ ｐｐｍモリ
ブデート ０．１〜１５ｐｐｍ（存在す
る場合） （モリブヂートイオンで） 有Ｔｈ ＩＪン化合物、ＣＭＣおよびアゾールを合して
システムに供給し、Ｚｎ２＋イオン源を別途供給するこ
とが好ましい。これに代え、全ての成分を混合し、単一
物として供給されてよい。
現在有効な資料に基づき、最適な腐蝕防止およびスケー
ル制御の両方が望まれる場合、ＣＭＣ（カルホキジメチ
ルセルロースナトリウム）、亜鉛、１−ヒドロキシェチ
リデンジホスホン酸およびトリル） ＩＪアゾールから
なる処理剤組成物を用いることが好ましい。
ル制御の両方が望まれる場合、ＣＭＣ（カルホキジメチ
ルセルロースナトリウム）、亜鉛、１−ヒドロキシェチ
リデンジホスホン酸およびトリル） ＩＪアゾールから
なる処理剤組成物を用いることが好ましい。
本発明の組成物は、１つのタルまたは２つのタルに荷造
りされてよい。現在の所、二重タルを採用し、亜鉛を別
のタルに入れることか好ましい。
りされてよい。現在の所、二重タルを採用し、亜鉛を別
のタルに入れることか好ましい。
意図される組成濃度範囲（重量％）は、以下の通りであ
る。
る。
水溶性セルロースガム １〜８％有機リン
化合物 １〜５銅腐蝕抑制剤
０〜３亜鉛
０．５〜１．０水
残り（水を加えて全体を１００％とする） 各種組成分の溶解性を増大するため、塩基性物質（例え
ば苛性ソーダ）を加えてよい。現在有効な資料によれば
、許容しうる苛性ソーダ濃度範囲は約５〜２０重量％で
あることが示される。
化合物 １〜５銅腐蝕抑制剤
０〜３亜鉛
０．５〜１．０水
残り（水を加えて全体を１００％とする） 各種組成分の溶解性を増大するため、塩基性物質（例え
ば苛性ソーダ）を加えてよい。現在有効な資料によれば
、許容しうる苛性ソーダ濃度範囲は約５〜２０重量％で
あることが示される。
次に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、こ
れら実施例は本発明の説明のためのみ意図されるもので
、該実施例によって本発明の技術的範囲やその実施態様
が制限されると見るべきてはない。
れら実施例は本発明の説明のためのみ意図されるもので
、該実施例によって本発明の技術的範囲やその実施態様
が制限されると見るべきてはない。
手順
冷却水システムの腐蝕およびスケール制御剤としての本
発明処理剤の性能を評価するため、再循環器テストシス
テム（Ｒｅｃｉｒｃｕｌａｔｏｒ Ｔｅ５ｔ Ｓｙｓｔ
ｅｍ）で試験を行った。再循環器システムは、熱伝達条
件下で腐蝕および汚染を防止しうる処理剤の能力の現実
的目安を付与するよう設計されている。
発明処理剤の性能を評価するため、再循環器テストシス
テム（Ｒｅｃｉｒｃｕｌａｔｏｒ Ｔｅ５ｔ Ｓｙｓｔ
ｅｍ）で試験を行った。再循環器システムは、熱伝達条
件下で腐蝕および汚染を防止しうる処理剤の能力の現実
的目安を付与するよう設計されている。
このシステムにおいて、被処理水は遠心ポンプにより腐
蝕クーポンバイパス台を通って循環し、該台の中には腐
蝕クーポン（アドミラル黄銅および／または軟鋼）が挿
入され、そして被処理水はプレキシグラスのブロックに
入った軟鋼（ＡＩＳＩ−１０１０）熱交換管を通過する
。熱交換管に電気ヒーターが取付けられ、このため管の
熱負荷は０〜１６０００ ＢＴＵ／平方フィート／ ｈ
ｒに変化し且つコントロールされるようになっている
。
蝕クーポンバイパス台を通って循環し、該台の中には腐
蝕クーポン（アドミラル黄銅および／または軟鋼）が挿
入され、そして被処理水はプレキシグラスのブロックに
入った軟鋼（ＡＩＳＩ−１０１０）熱交換管を通過する
。熱交換管に電気ヒーターが取付けられ、このため管の
熱負荷は０〜１６０００ ＢＴＵ／平方フィート／ ｈ
ｒに変化し且つコントロールされるようになっている
。
腐蝕クーポンおよび熱交換管を通る水速度はいずれの所
定流速においても等しく、またいずれの地点においても
Ｏ〜４．５フイート／ｓｅｃにコントロールすることか
できる。
定流速においても等しく、またいずれの地点においても
Ｏ〜４．５フイート／ｓｅｃにコントロールすることか
できる。
循環水のｐＨおよび温度を自動コントロールする。
脱イオン水に化学薬品を加えて、被処理水を調製する。
供給タンクからユニットの水溜めへ新鮮な被処理水をポ
ンプで送って、連続的な組成調整およびブローダウンの
準備を行い、オーバーフローはブローダウンとして機能
する。再循環システムの全システム容量は約１１４であ
る。酸素飽和を確保するため、循環水を曝気する。
ンプで送って、連続的な組成調整およびブローダウンの
準備を行い、オーバーフローはブローダウンとして機能
する。再循環システムの全システム容量は約１１４であ
る。酸素飽和を確保するため、循環水を曝気する。
予備清浄し計量した金属試験片を一定期間露出して腐蝕
速度を測定し、その後取出し、清浄および再計量する。
速度を測定し、その後取出し、清浄および再計量する。
腐蝕速度は重量損失法で計算する。
この一定期間の重量損失は腐蝕速度を計算するのに用い
られ、ミル７年（ｍｐｙ）で報告される。
られ、ミル７年（ｍｐｙ）で報告される。
実施例１
本発明組成物によって得られるユニークで予想外の結果
を証明するため、再循環器の研究を用いた。カルシラＡ
６００ ＰＰｍ （ＣａＣ０ａ ｐｐｍとして）、マ
グネシウム２００ ＰＰｍ （ＣａＣＯ３ＰＰ”として
）およびアルカリ度” ’ ２３０ ＰＰ” （Ｃａ
（０３ＰＰｍとして）を有する、炭酸カルシウムに関し
て過飽和のｐＨ８，５冷却水システムで研究を行った。
を証明するため、再循環器の研究を用いた。カルシラＡ
６００ ＰＰｍ （ＣａＣ０ａ ｐｐｍとして）、マ
グネシウム２００ ＰＰｍ （ＣａＣＯ３ＰＰ”として
）およびアルカリ度” ’ ２３０ ＰＰ” （Ｃａ
（０３ＰＰｍとして）を有する、炭酸カルシウムに関し
て過飽和のｐＨ８，５冷却水システムで研究を行った。
１日当り１システム容量の割合で、システムに冷却水を
供給し、これは１，４日の滞留時間（７５％減少）に相
当する。循環水の全体をＴ＝１２０°Ｆに維持した。腐
蝕クーポンおよび熱交換管の両方を通る水速度は１．５
フイ一ト／秒に維持した。熱伝達表面として軟鋼（ＡＩ
ＳＩ−１０１０）熱交換管を用い、管の熱負荷（熱輻射
束）は１６０００ＢＴＵ／平方フイート／ ｈ ｒであ
った。上述の水化学および試験条件によってこのシステ
ムはスケールの傾向か高められ、また軟鋼腐蝕に対する
処理が困難となる。これらの研究結果を表■に示す。
供給し、これは１，４日の滞留時間（７５％減少）に相
当する。循環水の全体をＴ＝１２０°Ｆに維持した。腐
蝕クーポンおよび熱交換管の両方を通る水速度は１．５
フイ一ト／秒に維持した。熱伝達表面として軟鋼（ＡＩ
ＳＩ−１０１０）熱交換管を用い、管の熱負荷（熱輻射
束）は１６０００ＢＴＵ／平方フイート／ ｈ ｒであ
った。上述の水化学および試験条件によってこのシステ
ムはスケールの傾向か高められ、また軟鋼腐蝕に対する
処理が困難となる。これらの研究結果を表■に示す。
表中、
ＣＭＣ−７Ｌ３Ｔ＝カルボキシメチルセルロースナトリ
ウムポリマー（ＤＳｏ、７．２５°Ｃの２％溶液の粘度
３０センチポイズ）。
ウムポリマー（ＤＳｏ、７．２５°Ｃの２％溶液の粘度
３０センチポイズ）。
ポリマーＡ−ポリメタクリル酸ナトリウム塩（ＭＷ６０
００〜８０００）。
００〜８０００）。
ポリマーＢ＝スルホン化ポリスチレン（ＭＷ７００００
）。
）。
ポリマーＣ−ジイソブチレン／無水マレイン酸コポリ７
−（ＭＷｌｏｏｏ 〜２４００）。
−（ＭＷｌｏｏｏ 〜２４００）。
ポリマーロ一部分加水分解ポリアクリルアミド（ＭＷ５
０００）。
０００）。
ポリマーＥ−ポリ無水マレイン酸（ＭＷｌｏｏＯ）。
ポリマーＦ−ポリアクリル酸（ＭＷ５０００）。
ポリマーＧ＝２−ヒドロキシプロピルメチルセルｏ−ス
（Ｄ Ｓ １．８〜２．０．２０°ｃの２％溶液の粘度
５センチポイズ）。
（Ｄ Ｓ １．８〜２．０．２０°ｃの２％溶液の粘度
５センチポイズ）。
ＨＥＤＰ＝ヒドロキシェチリデンジホスホン酸。
１”ｒＡ＝１．２．３−トリルトリアゾール。
ＭＢＴ−メルカプトベンゾチアゾール。
Ｚｎ ＝ＺｎＳ０４−Ｈ２０゜
表工の考察
試験１．３および５によって明らかな如く、亜鉛（Ｚ
ｎ ）、および１−ヒドロキシエチリデン１．１−ジホ
スホン酸（ＨＥＤＰ ）の組合せは、腐蝕およびスケー
ルを有効に制御しなかった。こ扛とは明確に相違し、本
発明のカルボキシメチルセルロースナートリウム／Ｚｎ
／ＨＥＤＰ組成物は、試験２．４および６から明らかな
如く、すはらしい腐蝕およびスケール制御を同時に提供
する。史に、試験１．３および５．７および８に対して
試験２、および４の比較は、本発明の組合せかスケール
および軟鋼腐蝕を制御する能力において相剰することを
証明する。
ｎ ）、および１−ヒドロキシエチリデン１．１−ジホ
スホン酸（ＨＥＤＰ ）の組合せは、腐蝕およびスケー
ルを有効に制御しなかった。こ扛とは明確に相違し、本
発明のカルボキシメチルセルロースナートリウム／Ｚｎ
／ＨＥＤＰ組成物は、試験２．４および６から明らかな
如く、すはらしい腐蝕およびスケール制御を同時に提供
する。史に、試験１．３および５．７および８に対して
試験２、および４の比較は、本発明の組合せかスケール
および軟鋼腐蝕を制御する能力において相剰することを
証明する。
更に本発明組成物の特異性および全く予期しえない挙動
を証明するため、本発明のセルロースガムポリマーの代
用物として当該分野で公知の各種広範なポリマー分散剤
を評価した。試験９〜１６から明らかな如く、本発明の
セルロースガムポリマー成分の代用は、軟鋼腐蝕および
／またはスケール沈積の有意的な増大をもたらす。更に
セルロースガム組合せの特異性は、セルロースガムポリ
？−を２−ヒドロキシプロピルメチルセルロースポリマ
ーで置換した試験１７によって証明される。
を証明するため、本発明のセルロースガムポリマーの代
用物として当該分野で公知の各種広範なポリマー分散剤
を評価した。試験９〜１６から明らかな如く、本発明の
セルロースガムポリマー成分の代用は、軟鋼腐蝕および
／またはスケール沈積の有意的な増大をもたらす。更に
セルロースガム組合せの特異性は、セルロースガムポリ
？−を２−ヒドロキシプロピルメチルセルロースポリマ
ーで置換した試験１７によって証明される。
試験１７で示される如く、２′−ヒドロキシプロピルメ
チルセルロースを有する組合せは許容しうるスケール抑
制または軟鋼腐蝕制御を付与しなかった。従って、満足
な性能を達成するのにカルボキシ機能が重要であること
が明らかである。
チルセルロースを有する組合せは許容しうるスケール抑
制または軟鋼腐蝕制御を付与しなかった。従って、満足
な性能を達成するのにカルボキシ機能が重要であること
が明らかである。
試験１８．１９および２０は、セルロースガムをモリブ
デート含有配合物と共に用いる場合に得られる性能の増
強を証明するのに役立つ。
デート含有配合物と共に用いる場合に得られる性能の増
強を証明するのに役立つ。
実施例■
種々の冷却水において並ひに熱負荷および水速度の各種
条件下で、本発明の幾つかの組成物について追加の再循
環器の研究を遂行し、本発明の一般的範囲および適応性
を証明した。試験に供した処理剤プログラムを下記表■
の後に要約する。かかる研究に採用した水化学、水速度
および熱負荷と共に、試験結果を表■に示す。実施例工
と同様、循環水の温度は１２０’Ｆ、組成調製速度は１
システム容量／日、熱交換器管は軟鋼金属質（ＡＩＳＩ
−１０１０）であった。研究に用いる水化学の全ては、
廃酸カルシウムにより過飽和であった。加えて水化学お
よび試験条件は、システムが化学的および天然スケール
の沈積の傾向にある如きものであった。
条件下で、本発明の幾つかの組成物について追加の再循
環器の研究を遂行し、本発明の一般的範囲および適応性
を証明した。試験に供した処理剤プログラムを下記表■
の後に要約する。かかる研究に採用した水化学、水速度
および熱負荷と共に、試験結果を表■に示す。実施例工
と同様、循環水の温度は１２０’Ｆ、組成調製速度は１
システム容量／日、熱交換器管は軟鋼金属質（ＡＩＳＩ
−１０１０）であった。研究に用いる水化学の全ては、
廃酸カルシウムにより過飽和であった。加えて水化学お
よび試験条件は、システムが化学的および天然スケール
の沈積の傾向にある如きものであった。
処理剤 濃度Ａ、ｌ−
ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤ
Ｐ） ６ ＰＰｍトリルトリー゛ゾ
ール（−ｒ Ｔ Ａ ） ５ ｐｐｍ硫酸亜
鉛・１水和物 ５．５ｐｐｍ（Ｚｎ＋２
２ＰＰ” ） カルボキシメチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ−７Ｌ
Ｔ１） １５ ＰＰｍＢ、ニ
トリロ−トリ（メチレンホスホン酸） ＰＰｍ ベンゾトリアゾール（ＢＺＴ） ５ ｐｐｍ
硫酸亜鉛・１水和物 ５．５ｐｐｍ（Ｚ
ｎ＋２２ＰＰｍ ） カルボキシメチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ７Ｌ
Ｔ２） １５ ｐｐｒｒｉＣ，
ヘキサメチレンジアミン−Ｎ 、Ｎ 、Ｎ’、Ｎ’ −
テトラ（メチレンホスホン酸） ６
ｐｐｍ２−メルカプトベンゾチアゾール ５ ＰＰ
ｍ硫酸亜鉛・１水和物 ５．５ｐｐｍ（
ｚｎ−＋２２ＰＰｍ ） カルボキシメチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ−７Ｌ
Ｔ１） １５ ＰＰｍＤ、ｌ−ヒドロキ
シエチリデン−１，１−ジホスホン酸
３ ｐｐｍニトリロ−
トリ（メチレンポスポン酸）３ ｐｐｍ ２−メルカプトベンゾチアゾール ５ ＰＰｍＰｍ
硫酸亜鉛和水和物 ５．５ｐｐｍカルボキシ
メチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ−７Ｌ３Ｔ２）
１５ ＰＰｍＥ、２−ホスホノ−ブタン１
，２．４−）リヵルボン酸 ｐｐｍ トリルトリアゾール ５ ｐｐｍ硫
酸硫酸亜鉛和水和物 ５．５ｐｐｍ（ｚｎ＋
２２ｐｐｍ ） カルボキシメチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ−７Ｌ
３ Ｔ２） １５ ＰＰｍＦ、ホス
フィ／カルホン酸（Ｂｅ１ｃｌｅｎｅ ” ５ＱＱ
” ） ＰＰｍ １−ヒドロキンエチリデン１．１−ジホスホン酸 ｐ
ｐｍ トリルトリアゾール ５ ｐｐｍ
、硫酸亜鉛・１水和物 ５．５ｐｐｍ（
”＋２２ｐｐｍ ） カルボキシメチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ７ＬＴ
１） １５ ｐｐｍＧ、１−ヒドロ
キシエチリデン１．１−ジホスホン酸 ｐｐｍ トリルトリアゾール ３ ｐｐｍ硫
酸硫酸亜鉛和水和物 ８．２５ｐｐｍ（”＋
２３ｐｐｍ ） カルホキジメチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ−７Ｌ
３Ｔ２） １５ ｐｐｍＨ，１−ヒ
ドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸
６１．。
ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤ
Ｐ） ６ ＰＰｍトリルトリー゛ゾ
ール（−ｒ Ｔ Ａ ） ５ ｐｐｍ硫酸亜
鉛・１水和物 ５．５ｐｐｍ（Ｚｎ＋２
２ＰＰ” ） カルボキシメチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ−７Ｌ
Ｔ１） １５ ＰＰｍＢ、ニ
トリロ−トリ（メチレンホスホン酸） ＰＰｍ ベンゾトリアゾール（ＢＺＴ） ５ ｐｐｍ
硫酸亜鉛・１水和物 ５．５ｐｐｍ（Ｚ
ｎ＋２２ＰＰｍ ） カルボキシメチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ７Ｌ
Ｔ２） １５ ｐｐｒｒｉＣ，
ヘキサメチレンジアミン−Ｎ 、Ｎ 、Ｎ’、Ｎ’ −
テトラ（メチレンホスホン酸） ６
ｐｐｍ２−メルカプトベンゾチアゾール ５ ＰＰ
ｍ硫酸亜鉛・１水和物 ５．５ｐｐｍ（
ｚｎ−＋２２ＰＰｍ ） カルボキシメチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ−７Ｌ
Ｔ１） １５ ＰＰｍＤ、ｌ−ヒドロキ
シエチリデン−１，１−ジホスホン酸
３ ｐｐｍニトリロ−
トリ（メチレンポスポン酸）３ ｐｐｍ ２−メルカプトベンゾチアゾール ５ ＰＰｍＰｍ
硫酸亜鉛和水和物 ５．５ｐｐｍカルボキシ
メチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ−７Ｌ３Ｔ２）
１５ ＰＰｍＥ、２−ホスホノ−ブタン１
，２．４−）リヵルボン酸 ｐｐｍ トリルトリアゾール ５ ｐｐｍ硫
酸硫酸亜鉛和水和物 ５．５ｐｐｍ（ｚｎ＋
２２ｐｐｍ ） カルボキシメチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ−７Ｌ
３ Ｔ２） １５ ＰＰｍＦ、ホス
フィ／カルホン酸（Ｂｅ１ｃｌｅｎｅ ” ５ＱＱ
” ） ＰＰｍ １−ヒドロキンエチリデン１．１−ジホスホン酸 ｐ
ｐｍ トリルトリアゾール ５ ｐｐｍ
、硫酸亜鉛・１水和物 ５．５ｐｐｍ（
”＋２２ｐｐｍ ） カルボキシメチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ７ＬＴ
１） １５ ｐｐｍＧ、１−ヒドロ
キシエチリデン１．１−ジホスホン酸 ｐｐｍ トリルトリアゾール ３ ｐｐｍ硫
酸硫酸亜鉛和水和物 ８．２５ｐｐｍ（”＋
２３ｐｐｍ ） カルホキジメチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ−７Ｌ
３Ｔ２） １５ ｐｐｍＨ，１−ヒ
ドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸
６１．。
トリルトリアゾール ３ ｐｐｍ硫
酸亜鉛・１水和物 ５．５ ｐｐｍ（Ｚ
ｎ＋２２ｐｐｍ ） カルボキシメチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ−７Ｌ
３ Ｔ２ ） １５ｐｐｍ１．２−ホ
スホノ−ブタン１，２．４−トリカルボン酸２．５ｐｐ
ｍ １−ヒドロキシエチリデン１．１−ジホスホン酸 Ｐ
Ｐｍ トリルトリアゾール ３ ＰＰｍ硫
酸亜鉛・１水和物 ５．５ｐｐｍ（Ｚｎ
＋２２ＰＰｍ） カルボキンメチルセルロース（ＣＭＣ−７Ｌ３Ｔ２）
１０ ＰＰｍＪ、１
−ヒドロキシエチリデン１．１−ジホスホン酸 ＰＰ
ｍ トリルトリアソール ３ ＰＰｍ
硫酸亜鉛・１水和物 ５．５ｐｐｍ（Ｚ
ｎ＋２２ｐｐｍ ） カルボキシメチルセルロースナトリウム２０ ｐｐｍ 但し、 １）ＣＭＣ−７ＬＴ ：ハーキュルズ、Ｄ Ｓ −＝
０．７．２５゛Ｃの２％溶液の粘度＝３０〜１００ Ｃ
ｐｓ０２）ＣＭＣ−７Ｌ３Ｔ：ハーキュルズ、Ｄ Ｓ
＝ Ｑ。
酸亜鉛・１水和物 ５．５ ｐｐｍ（Ｚ
ｎ＋２２ｐｐｍ ） カルボキシメチルセルロースナトリウム（ＣＭＣ−７Ｌ
３ Ｔ２ ） １５ｐｐｍ１．２−ホ
スホノ−ブタン１，２．４−トリカルボン酸２．５ｐｐ
ｍ １−ヒドロキシエチリデン１．１−ジホスホン酸 Ｐ
Ｐｍ トリルトリアゾール ３ ＰＰｍ硫
酸亜鉛・１水和物 ５．５ｐｐｍ（Ｚｎ
＋２２ＰＰｍ） カルボキンメチルセルロース（ＣＭＣ−７Ｌ３Ｔ２）
１０ ＰＰｍＪ、１
−ヒドロキシエチリデン１．１−ジホスホン酸 ＰＰ
ｍ トリルトリアソール ３ ＰＰｍ
硫酸亜鉛・１水和物 ５．５ｐｐｍ（Ｚ
ｎ＋２２ｐｐｍ ） カルボキシメチルセルロースナトリウム２０ ｐｐｍ 但し、 １）ＣＭＣ−７ＬＴ ：ハーキュルズ、Ｄ Ｓ −＝
０．７．２５゛Ｃの２％溶液の粘度＝３０〜１００ Ｃ
ｐｓ０２）ＣＭＣ−７Ｌ３Ｔ：ハーキュルズ、Ｄ Ｓ
＝ Ｑ。
７．２５゛Ｃの２チ溶液の粘度＝３Ｑｃｐｓ（最大）。
表■から明らかなように、本発明の組成物は各種広範な
条件下でスケール沈積を伴なわずにすばらしい腐蝕防止
を提供しうることが示される。例えば、本発明組成物は
ケイ酸カルシウムおよびケイ酸マグネシウムが形成して
いると思われる水システム（表Ｈの行程＃３参照）にお
いて有効であることが注目される。
条件下でスケール沈積を伴なわずにすばらしい腐蝕防止
を提供しうることが示される。例えば、本発明組成物は
ケイ酸カルシウムおよびケイ酸マグネシウムが形成して
いると思われる水システム（表Ｈの行程＃３参照）にお
いて有効であることが注目される。
実施例■
更に本発明組成物のユニークで予想外の挙動を示すため
に、ｐＨ＝ ｓ、 ５の脱イオン水で再循環器の研究を
行った。これらの研究で、腐蝕クーポンおよび軟銅熱交
換管を通る水速度を３フイ一ト／秒にコントロールした
。熱交換管の熱負荷（熱流量）は８０００ ＢＴＩＪ／
平方フィート／ ｈ ｒに維持した。先の実施例と同様
に、循環水の温度は１２０°Ｆ、組成調製速度は１シス
テム容量／日である。
に、ｐＨ＝ ｓ、 ５の脱イオン水で再循環器の研究を
行った。これらの研究で、腐蝕クーポンおよび軟銅熱交
換管を通る水速度を３フイ一ト／秒にコントロールした
。熱交換管の熱負荷（熱流量）は８０００ ＢＴＩＪ／
平方フィート／ ｈ ｒに維持した。先の実施例と同様
に、循環水の温度は１２０°Ｆ、組成調製速度は１シス
テム容量／日である。
下記表■から認められるように、本発明組成物はスケー
ル形成イオンの水ボイドのすばらしい腐蝕制御を付与し
た。一方、セルロースガムボリマ−を欠く同級合せは、
効果が無いばかりか軟鋼腐蝕を実際に促進するものであ
った。
ル形成イオンの水ボイドのすばらしい腐蝕制御を付与し
た。一方、セルロースガムボリマ−を欠く同級合せは、
効果が無いばかりか軟鋼腐蝕を実際に促進するものであ
った。
表■
表中、
ＨＥＤＰ−１−ヒドロキシエチリデン１．１−ジホスホ
ン酸。
ン酸。
ＴＴＡ＝トリルトリアゾール。
ＣＭＣ−７Ｌ ３ ’ｌ”＝カルボキシメチルセルロー
スナトリウム。
スナトリウム。
以上の如く、本発明の特定の冥施態様について記載した
が、本発明の精神および範囲を逸脱しないで成しうるあ
らゆる変更または改変が十分に保護されることが意図さ
れる。
が、本発明の精神および範囲を逸脱しないで成しうるあ
らゆる変更または改変が十分に保護されることが意図さ
れる。
特許出１１人 ペッツ・インターナショナル・インコ
ーホレイテッド
ーホレイテッド
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、水性システムと接触する金属表面の腐蝕およびスケ
ール沈積を抑制する組成物であって、（１）Ｚｎ２＋イ
オンを溶液中に遊離するのに適した水溶性亜鉛化合物、 （２）水溶性セルロースガム、および （３）有機リン酸化合物またはその水溶性塩から成るこ
とを特徴とする組成物。 ２、上記有機リン酸化合物（３）が、式：％式％ （ 〔式中、ｋは炭素数１〜６の低級アルキル、炭素数１〜
６の置換低級アルキル、単環式アリールまたは置換単環
式芳香族基、Ｍは水溶性カチオン、ｎ ハ１〜１５、ｋ
ｌは炭素数１〜１２のアルキレンまたは炭素数１〜１２
の置換アルキレン、Ｒ２は炭素数１〜４の低級アルキレ
ン、またはアミンもしくはヒドロキシ置換低級アルキレ
ン、Ｒ３は（Ｒ２−Ｐ ０３ Ｍ２ 〕、Ｈ１ＯＨ，Ｎ
Ｈ２、置換アミ八炭素数１〜６のアルキル、炭素数１〜
６の置換アルキル、単環式芳香族基または置換単環式芳
香族基、Ｒ４はちまたは式： （ここで、ｎ 、 Ｒ２、Ｍは前記と同意義、Ｒ５およ
びＲ６はそれぞれ水素、炭素数１〜６の低級アルキル、
置換低級アルキル、水素、ヒドロキシル、アミ°）、置
換アミへ単環式芳香族基、または置換単環式芳香族基、
Ｒ７はＲ５、Ｒ６または酸二Ｒ２−Ｐ０３Ｍ２：Ｒ２，
Ｍは前記と同意義）の基、およびｙは１〜１４である。 ）、ｋｌｏはＨ，ＣＨ３またはＣ２［１５、ｋ８はＨ１
炭素数１〜１８の直鎖もしくは分枝鎖アルキル、 炭素
＆５〜１２のシクロアルキル、アリール、アルキルアリ
ールまたは式： ％式％ （ここで、ｋｌｏは前記と同意義、ｎとｍの合計が１０
０以下である。）の基、または式ニーＯＸ（ここで、Ｘ
は水素または炭素数１〜４の直鎖もしくは分枝鎖アルキ
ルである。）の基、並ひにに９は式： −ＯＸ （ここ
で、Ｘは前記と同意義）の基である。〕 で示される化合物の群から選はれる化合物またはその水
溶性塩である前記第１項記載の組成物。 ３、上記有機リン酸が１−ヒドロキシエチリデン１．１
−ジホスホン酸である前記第２項記載の組成物。 ４、上記有機リン酸が２−ホスホノブタン１．２．４ト
リカルボン酸である前記第２項記載の組成物。 ５、上記有機リン酸がニトリロ−トリス（メチレンホス
ホン酸）である前記第２項記載の組成物。 ６、上記有機リン酸が式： ％式％ 〔式中、ｌはＨまたはカチオン、ｎとｍの合計が２〜６
である。〕 を有するホスフィノカルボン酸化合物である前記第２項
記載の組成物。 ７、上記有機リン酸化合物がヘキサメチレンジアミン−
Ｎ、Ｎ、Ｎ′、Ｎ’−テトラ（メチレンホスホン酸）で
ある前記第２項記載の組成物。 ８、上記セルロースガムがカルボキシメチルセルロース
ナトリウムである前記第２項記載の組成物。 ９、上記カルボキシメチルセルロースナトリウムが約２
００センチボイズ（ガム溶液濃度２％、２５”Ｃで測定
）以下の・粘、度を有する前記第８項記載の組成物。 １０、上記を機リン酸化合物が１−ヒドロキシエチリデ
ン１，１−ジホスホン酸と２−ホスホノブタン１．２．
４〜トリカルボン酸の混合物であるｈｊノ記第２項記載
の組成物。 １１、腐蝕抑制剤として有効なアゾール化合物およびモ
リブデート化合物の群から選ばれる化合物を更に包含す
る前記第２項記載の組成物。 １２、上記腐蝕抑制剤がトリルトリアゾールである前記
第１１項記載の組成物。 １３上記腐蝕抑制剤がメルカプトベンゾチアゾールであ
る前記第１１項記載の組成物。 １４、上記腐蝕抑制剤かベンゾトリアゾールである前記
第１１項記載の組成物。 １５、上記腐蝕抑制剤かモリブデン酸すｌ−ＩＪウムで
ある前記第１１項記載の組成物。 １６、上記水性システムに対して、有機リン酸化合物（
３）が０．２〜５０ｐｐｍの量、亜鉛化合物（１）カ０
．１〜１５ ｐｐｍの置およびセルロースガム物質（２
）が０．５〜５０ ｐｐｍの量で存在する前記第２項Ｊ
己載の組成物。 １７、上記有機リン酸化合物（３）が０．２〜１５ｐｐ
ｍの量、亜鉛化合物（１）が０．１〜ｉｏｐｐｍの置お
よびセルロースガム物質（２）が１〜２５ ｐｐｍノ量
で存在する前記第１３項記載の組成物。 １８、金属表面の腐蝕およびスケール沈積を抑制する組
成物であって、水溶性セルロースガム物質１〜８重置％
、水溶性リン酸成分１〜５重量％、水溶液にＺｎ２＋イ
オンを遊離するのに適した水溶性亜鉛化合物０．５〜１
．０重量％および残部水から成ることを特徴とする組成
物。 １９、塩基性物質６〜２０重量％を更に包含する前記第
１８項記載の組成物。 ２０、上記塩基性物質が苛性ソーダである前記第１９項
記載の組成物。 ２１、水溶性アゾール化合物およびモリブデート化合物
の群から選ばれる腐蝕抑制化合物３重置％以下を更に包
含する前記第２０項記載の組成物。 ２２、上記セルロースガム物質がカルボキシメチルセル
ロースナトリウムポリマーである前記第１９項記載の組
成物。 ２３、冷却水システムと接触する金属部のスケール形成
および腐蝕の傾向にあるタイプの上記システムを処理す
る方法であって、該冷却水システムに有効量の、 （１）溶液にＺｎ２＋イオンを遊離するのに適した水溶
性亜鉛化合物、 （２）水溶性セルロースガム物質、および（３）有機リ
ン酸化合物またはその水溶性塩を添加する工程から成る
ことを特徴とする方法。 ２４、上記有機リン酸化合物が、式： ％式％ 〔式中、ｋは炭素数１〜６の低級アルキル、炭素数１〜
６の置換低級アルキル、単環式アリールまたは置換単環
式芳香族基、Ｍは水溶性カチオン、ｎは１〜１５、Ｒ１
は炭素数１〜１２のアルキレンまたは炭素数１〜１２の
置換アルキレン、Ｒ２は炭素数１〜４の低級アルキレン
、またはアミンもしくはヒドロキシ置換低級アルキレン
、Ｒ３は〔Ｒ２−Ｐ ０３ Ｍ２ ）、Ｈ，ＯＨ，ＮＨ
２、置換アミ八炭素数１〜６のアルキル、炭素数１〜６
の置換アルキル、単環式芳香族基または置換単環式芳香
族基、Ｒ４はへまたは式： （ここで、ｎ、Ｒ２、Ｍは前記と同意義、Ｒ５および１
６はそれぞれ水素、炭素数１〜６の低級アルキル、置換
低級アルキル、水素、ヒドロキシル、アミノ、置換アミ
ン、単環式芳香族基または置換単環式芳香族基、Ｒ７は
に５、Ｒ６または式：に２−２０３Ｍ２（Ｒ２、Ｍは前
記と同意義）の基、ｎは１〜１５、およびｙは１〜１４
である。）、’１０はＨ１ＣＨ３またはＣ２Ｈ５、Ｒｓ
はＨ１炭素数１〜１８の直鎖もしくは分枝鎖アルキル、
炭素数５〜１２のシクロアルキル、アリール、アルキル
アリールまたは式％式％ （ここで、ｋｌｏは前記と同意義、ｎとｍの合計が１０
０以下である。）の基、または式： −０Ｘ（ここで、
Ｘは水素または炭素数１〜４の直鎖もしくは分枝鎖アル
キルである。）の基、並ひにへは式ニーＯＸ（ここで、
Ｘは前記と同意義）の基である。〕 で示される化合物の群から選ばれる化合物またはその水
溶性塩である前記第２３項記載の方法。 ２５、上記有機リン酸が１−ヒドロキンエチリデン１，
１−ジホスホン酸である前記第２４項記載の方法。 ２６、上記有機リン酸化合物が２−ホスホノブタン１，
２．４− トＩＪカルボン酸である前記第２４項記載の
方法。 ２７３上記有機リン酸化合物がニトリロ−トリス（メチ
レンホスホン酸）である前記第２４項記載の方法。 ２８上記有機リン酸化合物が式： ％式％ 〔式中、２はＨまたはカチオン、ｎとｎ〕の合計が２〜
６である。〕 を有するホスフィノカルボン酸化合物である前記第２４
項記載の方法。 ２９、上記有機リン酸化合物がへキサメチレンジアミン
−Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラ（メチレンホスホン酸）
である前記第２４項記載の方法。 ３０、上記有機リン酸化合物が１−ヒドロキシエチリデ
ン１．１−ジホスホン酸と２−ホスホノブタン１，２，
４− ） ＩＪカルボン酸の混合物である前記第２４項
記載の方法。 ３１、上記セルロースガム物質かカルボキシメチルセル
ロースナトリウムである前記第２４項記載の方法。 ３２、上記カルボキシメチルセルロースナトリウムが約
２００センチポイズ（ゴム溶液濃度２％、２５°Ｃで測
定）以下の粘度を有する前記第３１項記載の方法。 ３３．腐蝕抑制剤として有効なアゾール化合物およびモ
リブテート化合物の群から選ばれる化合物の有効量を更
に水システムに添加する前記第２４項記載の方法。 ３４、上記腐蝕抑制剤がトリル） ＩＪアゾールである
前記第３３項記載の方法。 ３５、上記腐蝕抑制剤がメルカプトベンゾチアゾールで
ある前記第３３項記載の方法。 ３６、上記水性システムに対して、有機リン酸化合物（
３）を０．２〜５０ｐｐｍの量、亜鉛化合物（１）を０
．１〜１５ ｐｐｍの量およびセルロースガム物質（２
）を０．５〜５０ ｐｐｍの量で添加する前記第２４項
記載の方法。 ３７、上記有機リン酸化合物（３）を０．２〜１５ｐｐ
ｍの量、亜鉛化合物（１）を０．１〜１０ ｐｐｍの量
およびセルロースガム物質（２）を１〜２５ ｐｐｍの
量で添加する前記第３６項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/364,562 US4497713A (en) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | Method of inhibiting corrosion and deposition in aqueous systems |
| US364562 | 1982-04-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58177479A true JPS58177479A (ja) | 1983-10-18 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0091763A1 (ja) |
| JP (1) | JPS58177479A (ja) |
| AU (1) | AU550832B2 (ja) |
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