JPS5817185B2 - ０↓−アミノメチルフエニル酢酸の製造方法 - Google Patents
０↓−アミノメチルフエニル酢酸の製造方法Info
- Publication number
- JPS5817185B2 JPS5817185B2 JP48029118A JP2911873A JPS5817185B2 JP S5817185 B2 JPS5817185 B2 JP S5817185B2 JP 48029118 A JP48029118 A JP 48029118A JP 2911873 A JP2911873 A JP 2911873A JP S5817185 B2 JPS5817185 B2 JP S5817185B2
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- JP
- Japan
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- acid
- lactam
- add
- amine
- chloroform
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D217/00—Heterocyclic compounds containing isoquinoline or hydrogenated isoquinoline ring systems
- C07D217/22—Heterocyclic compounds containing isoquinoline or hydrogenated isoquinoline ring systems with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to carbon atoms of the nitrogen-containing ring
- C07D217/24—Oxygen atoms
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Other In-Based Heterocyclic Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Cephalosporin Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は３−オキソテトラヒドロイソキノリン（３−ヒ
ドロキシ−１，２−ジヒドロイソキノリンとも称される
）、１，４−ジヒドロ−３（２Ｈ）−イソキノロンおよ
び０−アミノメチルフェニル酢酸ラクタムを経るその０
−アミンメチルフェニル酢酸およびその塩への変換のた
めの改良された化学的方法に関する。
ドロキシ−１，２−ジヒドロイソキノリンとも称される
）、１，４−ジヒドロ−３（２Ｈ）−イソキノロンおよ
び０−アミノメチルフェニル酢酸ラクタムを経るその０
−アミンメチルフェニル酢酸およびその塩への変換のた
めの改良された化学的方法に関する。
１．４−ジヒドロ−３（２Ｈ）−イソキノロン（Ｃｈｅ
ｍ Ａｂｓｔ ４７．３８１３ｆ）は構造を有する。
ｍ Ａｂｓｔ ４７．３８１３ｆ）は構造を有する。
それは例えば、ＣｈｅｍｉｃａｌＡｂｓｔｒａｃｔｓ
２０、３９２中、Ｂｅ１１ｓｔｅｉｎ ２１゜ｎ、２５
５中、■０．ブラウン等、Ａｎｎａｌｅｎ ４４５゜２
４０（１９２５）により、またＲ、フイスゲン等、Ａｎ
ｎａｌｅｎ ５７５、１９７〜２１６ （Ｃ，Ａ。
２０、３９２中、Ｂｅ１１ｓｔｅｉｎ ２１゜ｎ、２５
５中、■０．ブラウン等、Ａｎｎａｌｅｎ ４４５゜２
４０（１９２５）により、またＲ、フイスゲン等、Ａｎ
ｎａｌｅｎ ５７５、１９７〜２１６ （Ｃ，Ａ。
４７．３８１３ｆ）により報告されている。
Ｏ−アミンメチルフェニル酢酸は構造
を有している。
それは、例えば、■、ブラウンにより製造された。
それはまたＪ、ハギニワ等、Ｊ。Ｐｈａｒｍ、Ｓｏｃ、
Ｊａｐａｎ、 ７９（１２） 、 １５７８〜１５
８１（１９５９）により長い厄介な合成に；よって製造
された。
Ｊａｐａｎ、 ７９（１２） 、 １５７８〜１５
８１（１９５９）により長い厄介な合成に；よって製造
された。
ハギニワ等は次にこのアミノ基をアシル化し、得られた
アミドをソーダ石灰と共に加熱して一連の３一置換−イ
ソキノリンを製造した。
アミドをソーダ石灰と共に加熱して一連の３一置換−イ
ソキノリンを製造した。
０−アミンメチルフェニル酢酸の遊離アミノ基１の適当
な保護の後、この酸を使用して７−アミン基の適当な保
護の後、この酸を使用して７−アミノセファロスポラン
酸およびその誘導体をアシル化して、かくして、保護基
の除去の後、式の化合物のような強力な抗菌剤を製造す
ることも知られている。
な保護の後、この酸を使用して７−アミン基の適当な保
護の後、この酸を使用して７−アミノセファロスポラン
酸およびその誘導体をアシル化して、かくして、保護基
の除去の後、式の化合物のような強力な抗菌剤を製造す
ることも知られている。
本発明は簡単な操作により高収率に０−アミノメチルフ
ェニル酢酸を製造する方法を提供するものである。
ェニル酢酸を製造する方法を提供するものである。
本発明は、実質的に無水の有機溶媒、好適にはクロロホ
ルム中２−インダノンオキシムの懸濁液を００Ｃ以下、
好適には約−３０°Ｃに冷却し、次に混合物の温度を０
℃以下、好適には一２８℃〜−３２℃の範囲に保ちなが
ら該混合物に五塩化リン（を徐々に添加して０−アミン
メチルフェニル酢酸ラクタムをつくり、次いでかくして
得られた。
ルム中２−インダノンオキシムの懸濁液を００Ｃ以下、
好適には約−３０°Ｃに冷却し、次に混合物の温度を０
℃以下、好適には一２８℃〜−３２℃の範囲に保ちなが
ら該混合物に五塩化リン（を徐々に添加して０−アミン
メチルフェニル酢酸ラクタムをつくり、次いでかくして
得られた。
０−アミンメチルフェニル酢酸ラクタムと濃塩酸の混合
物を加熱、好適には還流し、その後所望の場合には水酸
化アンモニウムでこの塩酸塩を中和することを特徴とす
る０−アミンメチルフェニル酢酸塩酸塩の製法に関する
。
物を加熱、好適には還流し、その後所望の場合には水酸
化アンモニウムでこの塩酸塩を中和することを特徴とす
る０−アミンメチルフェニル酢酸塩酸塩の製法に関する
。
本発明の改良操作は次の式による２−インダノンオキシ
ムのベックマン転位、その次に得られたラクタムの加水
分解により提供される。
ムのベックマン転位、その次に得られたラクタムの加水
分解により提供される。
Ｊ、 Ｏｒｇ、 Ｃｈｅｍ、 ９、３８０〜３９１ （
１９４４）および２８．２７９７〜２８０４（Ｌ９６３
）。
１９４４）および２８．２７９７〜２８０４（Ｌ９６３
）。
かくして有用な中間体であるＯ−アミンメチルフェニル
酢酸を、従来法とは異なる２−インダノンオキシムを出
発原料とし選択された方法に供することにより、簡単且
つ高収率で得ることが可能となった。
酢酸を、従来法とは異なる２−インダノンオキシムを出
発原料とし選択された方法に供することにより、簡単且
つ高収率で得ることが可能となった。
１．２−インダノンオキシム１００’ｉを２０〜２５℃
においてクロロホルム３１６００ｒｆＬｌに溶解する。
においてクロロホルム３１６００ｒｆＬｌに溶解する。
：、この溶液を一３０’Ｃに冷却する〔２−インダノン
オキシム溶液を一３０℃に冷却すると、若干のオキシム
が結晶化する。
オキシム溶液を一３０℃に冷却すると、若干のオキシム
が結晶化する。
〕；、この懸濁液にはげしく攪拌しながら五塩化リン１
４８２．？を少量づつ添加する。
４８２．？を少量づつ添加する。
固体五塩化リンの添加の速度により反応の温度を一２８
°Ｃ〜−３２℃に調節する〔反応を一３０℃において行
なうと最良の結果が得られた。
°Ｃ〜−３２℃に調節する〔反応を一３０℃において行
なうと最良の結果が得られた。
−１０〜−５°Ｃあるいは多分よ、り高い温度において
行なって成功することもできるが、より多いタールおよ
び副生物を生じ、その時にはラクタムの単離を複雑にす
る。
行なって成功することもできるが、より多いタールおよ
び副生物を生じ、その時にはラクタムの単離を複雑にす
る。
〕：、添加完了後反応物を約−３０℃において１０分間
攪拌し、次にそれを３部４時間に亘って２５℃に加温す
る。
攪拌し、次にそれを３部４時間に亘って２５℃に加温す
る。
この間固体は溶解し、新しい固体が析出する。
：１反応物を２５℃において更に３時間加温し、次に十
分混和しなから０〜５℃においてそれに水３１６００ｍ
ｌを添加する。
分混和しなから０〜５℃においてそれに水３１６００ｍ
ｌを添加する。
〔反応はＴＩ、Ｃ（薄層クロマトグラフィー）により追
跡することができる。
跡することができる。
８部のベンゼンと２部の酢酸の系中ラクタムはＲｆ＝０
．３６を有し、オキシムＲｆ＝０．６４を有する。
．３６を有し、オキシムＲｆ＝０．６４を有する。
これらのスポットは０．０５％過マンガン酸カリ噴霧に
より展開される。
より展開される。
オキシムのスポットは完全には消失しないかも知れない
が、全く淡くなるべきである。
が、全く淡くなるべきである。
〕次の洗浄操作は２０〜２５℃において実施した。
６、層を分離し、クロロホルム相を水１５８００ｍｌで
洗浄する。
洗浄する。
７、水フラクションを合し、クロロホルム１５８００ｍ
ｌで抽出する。
ｌで抽出する。
８、クロロホルム層を合し、水１５８００■で重層し、
よく混合しながら１０％カセイソーダ溶液で混合物を滴
定してｐＨ約７とする。
よく混合しながら１０％カセイソーダ溶液で混合物を滴
定してｐＨ約７とする。
このことはカセイソーダ溶液的６８０ｍ１を要し、滴定
はゆっくりである。
はゆっくりである。
〔この塩基の洗浄はタールを生じる副生物の除去に重要
である。
である。
滴定は１〜２時間を要する。
〕９、層を分離し、クロロホルム層を水１５８００ｍｌ
で洗浄する。
で洗浄する。
１０、水フラクションを合し、クロロホルム９２００ｍ
Ａ！で洗浄し、クロロホルムフラクションを合する。
Ａ！で洗浄し、クロロホルムフラクションを合する。
１１、約２５°において１５〜３０分間活性炭（「ダル
コＫＢＩ）１０．０１でクロロホルム溶液を炎処理する
。
コＫＢＩ）１０．０１でクロロホルム溶液を炎処理する
。
１２、珪藻土を通してスラリを沢過し、ケーキをクロロ
ホルムで洗浄し、減圧下沢液を濃縮すると乾燥固体とし
て０−アミンメチルフェニル酢酸ラクタムが残る。
ホルムで洗浄し、減圧下沢液を濃縮すると乾燥固体とし
て０−アミンメチルフェニル酢酸ラクタムが残る。
１３、粗ラクタムの収量は１００％に近い、それは黄色
結晶性の固体である。
結晶性の固体である。
〔タール形成材料が洗浄により除かれない場合には、こ
の生成物は暗色となる。
の生成物は暗色となる。
最初氷スラリをｐＨ７，０に調節して後熱水から、ある
いはトルエン−へブタンから再結晶することができる。
いはトルエン−へブタンから再結晶することができる。
〕例２
材 料 重量ｇ 容量ｍｌ モル数組０−
アミノメチル フェニル 約１０００ 約６．７８酢酸
ラクタム（２− インダノンオキシム １００１９から） ［ダルコＫＢＪ活性 炭 １００ 材 料 重量ｇ 容量ｍｌ モル数塩化メ
チレン ｓｏｏ。
アミノメチル フェニル 約１０００ 約６．７８酢酸
ラクタム（２− インダノンオキシム １００１９から） ［ダルコＫＢＪ活性 炭 １００ 材 料 重量ｇ 容量ｍｌ モル数塩化メ
チレン ｓｏｏ。
メチルイソブチルケト 必要に
ン（ＭＩ ＢＫ ） 応じ
６Ｎ水酸化アンモニウ
ム 〃濃
塩酸 ８０００操作 １、オキシム転位から得られた粗うクタム約１００１に
濃塩酸８０００ｍｌを添加する。
塩酸 ８０００操作 １、オキシム転位から得られた粗うクタム約１００１に
濃塩酸８０００ｍｌを添加する。
２、混合物を攪拌し、注意して加熱して３時間還流させ
る。
る。
〔この反応物を加熱すると過剰のＨＣＩが離脱するので
過量の抱が生成する。
過量の抱が生成する。
それはシリコン消泡剤によって減少させることができる
。
。
最初の発泡段階が過ぎると、反応物を困難なく還流させ
ることができる。
ることができる。
〕３、暗色のスラリを約４０〜５０℃に冷却し、活性炭
（「ダルコＫＢｊ）１００ｇを添加し、攪拌を継続する
。
（「ダルコＫＢｊ）１００ｇを添加し、攪拌を継続する
。
４、１５〜２０分間炭処理し、スラリを「ダイカライド
Ｊ （” Ｄｉｃａｌ ｉ ｔｅ”）ケーキを通して沢
過し、ケーキを熱水的４０００ｍ１で洗浄する。
Ｊ （” Ｄｉｃａｌ ｉ ｔｅ”）ケーキを通して沢
過し、ケーキを熱水的４０００ｍ１で洗浄する。
ダイカライドはグレート レークス カーボンカンパニ
ーから市販されている珪藻土である。
ーから市販されている珪藻土である。
５、透明な黄色の涙液を塩化メチレン６０００ｍ１（１
／２容）で抽出し、塩化メチレンを分離する。
／２容）で抽出し、塩化メチレンを分離する。
未変化のラクタムの回収の可能性を調べるためにＣＨ２
Ｃｌ。
Ｃｌ。
層をとっておく。６、水相を減圧下に濃縮して固体の。
−アミンメチルフェニル酢酸塩酸塩を得る。
７、湿った固体にＭＩＢＫを添加し、すべての水が固体
から除かれるまで減圧蒸留とＭＩＢＫ添加とを継続する
。
から除かれるまで減圧蒸留とＭＩＢＫ添加とを継続する
。
８、すべてのＭＩＢＫが固体から除かれるまで減圧蒸留
を継続する。
を継続する。
［ＭＩＢＫ蒸留は水を共沸蒸留するのみならずそれと共
に過剰のＨＣＩをも留出させる。
に過剰のＨＣＩをも留出させる。
］９、固体を水３９００ＴＬｌに再溶解し、ＭＩＢＫ６
５０ｍｌを添加する。
５０ｍｌを添加する。
１０．２０〜２５°Ｃに攪拌しながら６Ｎ水酸化アンモ
ニウムで溶液のｐＨを５．０に調節する。
ニウムで溶液のｐＨを５．０に調節する。
約ｐＨ３５において０−アミンメチルフェニル酢酸双生
イオンは結晶化し始める。
イオンは結晶化し始める。
１１、双生イオンスラリを攪拌し、ケーキを氷冷水約１
０００ｍ１１次にＭＩ ＢＫ２０００ｒｒｔ１次に氷冷
アセトン５０００ｍｌで注意深く洗浄する。
０００ｍ１１次にＭＩ ＢＫ２０００ｒｒｔ１次に氷冷
アセトン５０００ｍｌで注意深く洗浄する。
涙液および洗液を合してラクタムの含量を調べなければ
ならない。
ならない。
１２、スラリを沢過し、ケーキを約１０００７７１１の
氷で冷やした水で注意深く洗浄し、次いで２０００ｍ１
のＭＩＢＫで洗浄し、次いで５０００ｍｌの氷で冷やし
たアセトンで洗浄する。
氷で冷やした水で注意深く洗浄し、次いで２０００ｍ１
のＭＩＢＫで洗浄し、次いで５０００ｍｌの氷で冷やし
たアセトンで洗浄する。
合わせた涙液および洗浄物を試験してラクタム含量を調
べるべきである。
べるべきである。
１３、ケーキを吸引乾燥し、次に４５℃において空気循
環炉中乾燥する。
環炉中乾燥する。
収量は６７０〜７３０ ｇ；オキシムを基にして６０〜
６５％である。
６５％である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 実質的に無水の有機溶媒中２−インダノンオキシム
の混合物を０℃より低い温度に冷却し、その後混合物を
０℃より低い温度に維持しつつこれに五塩化リンを添加
し、ついでかくして得られた生成物を濃塩酸と加熱する
ことを特徴とする。 −アミンメチルフェニル酢酸の製法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US23542272A | 1972-03-16 | 1972-03-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS49275A JPS49275A (ja) | 1974-01-05 |
| JPS5817185B2 true JPS5817185B2 (ja) | 1983-04-05 |
Family
ID=22885431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP48029118A Expired JPS5817185B2 (ja) | 1972-03-16 | 1973-03-14 | ０↓−アミノメチルフエニル酢酸の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3796717A (ja) |
| JP (1) | JPS5817185B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4001326A (en) * | 1972-06-14 | 1977-01-04 | American Home Products Corporation | Benzobicycloalkane imines |
| US3944876A (en) * | 1974-09-30 | 1976-03-16 | Chadwick-Helmuth Company, Inc. | Rapid starting of gas discharge lamps |
| JPS5183545U (ja) * | 1974-12-26 | 1976-07-05 | ||
| JPS55139796A (en) * | 1979-04-17 | 1980-10-31 | Moriyama Sangyo Kk | Device for firing preheat starting fluorescent discharge tube |
| JPS5878395A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-11 | 日立照明株式会社 | 螢光灯点灯回路 |
| JPS5887297U (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-13 | 日立照明株式会社 | 螢光灯点灯回路 |
-
1972
- 1972-03-16 US US00235422A patent/US3796717A/en not_active Expired - Lifetime
-
1973
- 1973-03-14 JP JP48029118A patent/JPS5817185B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS49275A (ja) | 1974-01-05 |
| US3796717A (en) | 1974-03-12 |
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