JPS58171563A - チユ−ブ型プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
チユ−ブ型プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS58171563A JPS58171563A JP5349182A JP5349182A JPS58171563A JP S58171563 A JPS58171563 A JP S58171563A JP 5349182 A JP5349182 A JP 5349182A JP 5349182 A JP5349182 A JP 5349182A JP S58171563 A JPS58171563 A JP S58171563A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- reaction chamber
- electrodes
- inside wall
- deposited film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造に用いるチューブ証フラズマ
ＣＶＤ装置に関するものである。
ＣＶＤ装置に関するものである。
一般にデラズ？ ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏａｌｔｌｏｎ）装置は、良好なステップヵ
パレ，ジや低温での膜形成が可能なため、半導体装置の
製造工程において、多結晶シリコン膜や、シリコン酸化
膜、シリコン窒化膜などの膜形成工程に広く導入されて
いる。
ｒ Ｄｅｐｏａｌｔｌｏｎ）装置は、良好なステップヵ
パレ，ジや低温での膜形成が可能なため、半導体装置の
製造工程において、多結晶シリコン膜や、シリコン酸化
膜、シリコン窒化膜などの膜形成工程に広く導入されて
いる。
特にプラズマＣＶＤ装置のうち、テユープ型あるいは拡
散型と呼ばれる装置は大量のウェハ処理が可能であるた
め多く利用されている。
散型と呼ばれる装置は大量のウェハ処理が可能であるた
め多く利用されている。
このチューブ型プラズマＣｖＤｖｃｌｉｌは、第１図お
よび第２図に示すように石英製の円筒状をなす反応室１
の内部に、複数枚の平板状をなす電極２・・・が、反応
室１の長手方向に沿って所定の間隔で平行に並設されて
いる。前記各電極２・・・は、その縦方向の幅が等しく
形成され、ここにウェハ３を取付けて、反応室１内を減
圧し、反応ガスを祷大した状態で電源４から各電極２・
・・に高周波電力を印加することにより反応ガスはプラ
ズマ励起され、ウェハ３の表面に薄膜が堆積する。
よび第２図に示すように石英製の円筒状をなす反応室１
の内部に、複数枚の平板状をなす電極２・・・が、反応
室１の長手方向に沿って所定の間隔で平行に並設されて
いる。前記各電極２・・・は、その縦方向の幅が等しく
形成され、ここにウェハ３を取付けて、反応室１内を減
圧し、反応ガスを祷大した状態で電源４から各電極２・
・・に高周波電力を印加することにより反応ガスはプラ
ズマ励起され、ウェハ３の表面に薄膜が堆積する。
ところが上記装置では、瞬接する各電極２，２の隙間か
らもプラズマ化された反応ガスが飛散するため、反応室
１の上下内壁面にも薄膜が堆積する。このように処理を
繰り返し行なっていると、反応室１の上下内壁面に付着
した堆積膜５が次第に成長して厚くなっていき、この結
果反応条件が変２と共に、処理中に堆積膜５の一部が剥
離してウェハ３を損傷するなどの問題があった。
らもプラズマ化された反応ガスが飛散するため、反応室
１の上下内壁面にも薄膜が堆積する。このように処理を
繰り返し行なっていると、反応室１の上下内壁面に付着
した堆積膜５が次第に成長して厚くなっていき、この結
果反応条件が変２と共に、処理中に堆積膜５の一部が剥
離してウェハ３を損傷するなどの問題があった。
このため適宜、反応室１の上下内壁面に付着した堆積膜
５を除去する作業が行なわれるが、これはフッ化炭素系
の反応ガスしよりプラズマエツチングする方法が行なわ
れている。
５を除去する作業が行なわれるが、これはフッ化炭素系
の反応ガスしよりプラズマエツチングする方法が行なわ
れている。
しかしながら、各電極２・・・は同じ幅で形成されてい
るので、プラズマ領域が電極群に沿りて直方体状となシ
、反応室１の堆積膜５が形成された上下内壁面まで十分
なプラズマ領域とならない。このため、例えば堆積膜５
が厚さ５μｍに付着した場合、これを完全にクリーニン
グ除去するのに、従来は約５〜６時間程度プラズマエツ
チングしなければならず、極めて作業性が悪かった。
るので、プラズマ領域が電極群に沿りて直方体状となシ
、反応室１の堆積膜５が形成された上下内壁面まで十分
なプラズマ領域とならない。このため、例えば堆積膜５
が厚さ５μｍに付着した場合、これを完全にクリーニン
グ除去するのに、従来は約５〜６時間程度プラズマエツ
チングしなければならず、極めて作業性が悪かった。
本発明は上記問題点を改善し、短時間で反応室内壁に付
着した堆積膜を除去して、クリーニング作業を容易にし
たチューブ型プラズマＣＶＤ装置を提供するものである
。
着した堆積膜を除去して、クリーニング作業を容易にし
たチューブ型プラズマＣＶＤ装置を提供するものである
。
本発明は円筒状をなす反応室内に複数枚の電極に！赦し
、前記各電極を反応室の内周形状に沿ってその幅を順次
変え、電極端部を反応室内壁ＶＣ近接させることにより
、クリーニング時に、反応寥全体’ｔｆラズマ領域とし
て、内壁面に付着した堆積膜を短時間にエツチング除去
するようにしたものである。
、前記各電極を反応室の内周形状に沿ってその幅を順次
変え、電極端部を反応室内壁ＶＣ近接させることにより
、クリーニング時に、反応寥全体’ｔｆラズマ領域とし
て、内壁面に付着した堆積膜を短時間にエツチング除去
するようにしたものである。
本発明における電極はクリーニング専用の電極に限らず
、ウェハ取付部を設けてデポジットとクリーニング兼用
型としたものでも良い。
、ウェハ取付部を設けてデポジットとクリーニング兼用
型としたものでも良い。
以下本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
第３図および第４図はクリーニング専用１を極を用いた
場合の一災施例をだすものである。本発明によるチュー
ブ型プラズマＣＶＤ装置は、石英製の円筒状をなす反応
室１の内部に、順次幅の異なる被数枚の電極６・・・を
、反応室１の長手方向に沿って所定の間隔で平行に並設
し、電極６・・・の上下両端が反応室１の内壁に近接す
るように反応ｉ！１の内周形状に沿って配置されている
。
場合の一災施例をだすものである。本発明によるチュー
ブ型プラズマＣＶＤ装置は、石英製の円筒状をなす反応
室１の内部に、順次幅の異なる被数枚の電極６・・・を
、反応室１の長手方向に沿って所定の間隔で平行に並設
し、電極６・・・の上下両端が反応室１の内壁に近接す
るように反応ｉ！１の内周形状に沿って配置されている
。
ウェハ３０処理は第１図および第２図に示すように同形
状の電極２・・・を並設し、ここにウェハ３を取付けて
反応ガス中でプラズマ励起して誤形成するが、処理を繰
り返し行なっているうちに反応室１の上下内壁面に次第
に堆積膜５が形成される。このような状態になったとき
、電極２−・・を取シ出して、本発明の電極６・・・十
÷充室１内に挿着し、フッ化炭素系の反応ガスを導入し
て、電極６に電源４から高周波電力を印加して、堆積膜
５をプラズマエツチングする。この場合、プラズマエツ
チングは、反応室１の内壁に近接して電極６が設けられ
ているため、反応室全体にプラズマ領域が形成され、堆
積膜５を短時間にエツチング除去することができる。
状の電極２・・・を並設し、ここにウェハ３を取付けて
反応ガス中でプラズマ励起して誤形成するが、処理を繰
り返し行なっているうちに反応室１の上下内壁面に次第
に堆積膜５が形成される。このような状態になったとき
、電極２−・・を取シ出して、本発明の電極６・・・十
÷充室１内に挿着し、フッ化炭素系の反応ガスを導入し
て、電極６に電源４から高周波電力を印加して、堆積膜
５をプラズマエツチングする。この場合、プラズマエツ
チングは、反応室１の内壁に近接して電極６が設けられ
ているため、反応室全体にプラズマ領域が形成され、堆
積膜５を短時間にエツチング除去することができる。
本発明装置で“ 堆積膜５０厚さが約５μｍＫ成長した
状態で、約１時間のプラズマエツチングにより、堆積膜
５を完全に除去することができ、従来装置に比べてクリ
ーニング作業時間を約１１５に短縮することができた。
状態で、約１時間のプラズマエツチングにより、堆積膜
５を完全に除去することができ、従来装置に比べてクリ
ーニング作業時間を約１１５に短縮することができた。
以上説明した如く、本発明に係わるチ、 −ｆ型プラズ
マＣＶＤ装置によれば反応室内に付着した堆積膜を短時
間でエツチング除去し、クリー二ンダ作業を容易に行な
うことができるものである。
マＣＶＤ装置によれば反応室内に付着した堆積膜を短時
間でエツチング除去し、クリー二ンダ作業を容易に行な
うことができるものである。
第１図は従来の一チ、−プ屋プラズマＣＶＤ装置１１を
示す縦断面図、第２＠は第１図０Ａ−Ａ線に沿９て破断
じた断面図、第３図は本発明の一実施例によるチューブ
型プラズマＣＶＤ装置の縦断面図、１ｇ４図は１ｇ３図
０Ｂ−Ｂ線に沿って破断した断面図である。 １・・・反応室、！−・・電極、３・・・ウェハ、４・
・・電源、５・・・堆積膜、６・・・電極。
示す縦断面図、第２＠は第１図０Ａ−Ａ線に沿９て破断
じた断面図、第３図は本発明の一実施例によるチューブ
型プラズマＣＶＤ装置の縦断面図、１ｇ４図は１ｇ３図
０Ｂ−Ｂ線に沿って破断した断面図である。 １・・・反応室、！−・・電極、３・・・ウェハ、４・
・・電源、５・・・堆積膜、６・・・電極。
Claims (1)
- 円筒状をなす反応室内に、複数枚の電極を並設したチュ
ーブ型プラズマＣＶＤ装置において、前記各電極管反応
室内の内周形状に沿ってその幅１ａ次変え、電極端部を
反応室内壁に近接させたことを特徴とするチューブ型プ
ラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5349182A JPS58171563A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | チユ−ブ型プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5349182A JPS58171563A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | チユ−ブ型プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171563A true JPS58171563A (ja) | 1983-10-08 |
Family
ID=12944306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5349182A Pending JPS58171563A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | チユ−ブ型プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58171563A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4657616A (en) * | 1985-05-17 | 1987-04-14 | Benzing Technologies, Inc. | In-situ CVD chamber cleaner |
| US4786352A (en) * | 1986-09-12 | 1988-11-22 | Benzing Technologies, Inc. | Apparatus for in-situ chamber cleaning |
| JPH02175875A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-09 | Tokyo Electron Ltd | 反応管の洗浄方法及びその装置 |
| JPH03140470A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-14 | Hitachi Ltd | プラズマｃｖｄ装置およびその反応室内クリーニング方法 |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP5349182A patent/JPS58171563A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4657616A (en) * | 1985-05-17 | 1987-04-14 | Benzing Technologies, Inc. | In-situ CVD chamber cleaner |
| US4786352A (en) * | 1986-09-12 | 1988-11-22 | Benzing Technologies, Inc. | Apparatus for in-situ chamber cleaning |
| JPH02175875A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-09 | Tokyo Electron Ltd | 反応管の洗浄方法及びその装置 |
| JPH03140470A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-14 | Hitachi Ltd | プラズマｃｖｄ装置およびその反応室内クリーニング方法 |
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