JPS58169854A - 荷電粒子線装置 - Google Patents
荷電粒子線装置Info
- Publication number
- JPS58169854A JPS58169854A JP57052550A JP5255082A JPS58169854A JP S58169854 A JPS58169854 A JP S58169854A JP 57052550 A JP57052550 A JP 57052550A JP 5255082 A JP5255082 A JP 5255082A JP S58169854 A JPS58169854 A JP S58169854A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- electrode
- lens
- extraction
- accelerating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
- H01J37/243—Beam current control or regulation circuits
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明（、Ｌ電子顕微鏡、イオン顕微鏡、電子あるいは
一イＡンに上る露光装置、イＡンン］入に直′：ｔ、
、ｉ）？１す電粒子線猛冒に関し、狛に電界放出１４°
ノの６１ｊ電ト″Ｉ了源を使用した荷電粒子ＰＱ装置に
関づる。
一イＡンに上る露光装置、イＡンン］入に直′：ｔ、
、ｉ）？１す電粒子線猛冒に関し、狛に電界放出１４°
ノの６１ｊ電ト″Ｉ了源を使用した荷電粒子ＰＱ装置に
関づる。
電界ｂ’！出型開型荷電粒子源いでは、］ミッータど該
エミッタに対向して配置される引出し電極どの１ハ１１
５例えば２０ＫＶ程度の電１Ｆを印ＪＪＩＩ Ｌ、イれ
により−「ミッタから引出された６；１電粒子を、１ミ
ツタとの間に例えば１００に程度の電Ｆ１−か印加され
るＩＩＩＩ速電極にＪ、って加速している１、践（’ｑ
市電“ｔｉ′はエミッタ、引出し電極、加速電極間のレ
ンズ１１用により−１り［］スオーバ点に収束された後
、他のレンズ手段を介して試料上へ照射される。ど６−
ろて゛、このような電界放出型市電粒子源を１史用ｌ５
１Ｊ荷電粒子線装置では、試料あるいは祠利ｌ＼照ＩＪ
−１される荷電粒子の量を一定（こ紺持１Ｊるために拘
゛１“ｈ粉了源から発生し、加速された荷電粒子の＝一
部を検出し、該検出信号に応じて引出し電極に印加され
る引出し電圧を制御し、常に該検出部ｇか一’ｒ（１と
なるように制御している。ところが、該引出］。
エミッタに対向して配置される引出し電極どの１ハ１１
５例えば２０ＫＶ程度の電１Ｆを印ＪＪＩＩ Ｌ、イれ
により−「ミッタから引出された６；１電粒子を、１ミ
ツタとの間に例えば１００に程度の電Ｆ１−か印加され
るＩＩＩＩ速電極にＪ、って加速している１、践（’ｑ
市電“ｔｉ′はエミッタ、引出し電極、加速電極間のレ
ンズ１１用により−１り［］スオーバ点に収束された後
、他のレンズ手段を介して試料上へ照射される。ど６−
ろて゛、このような電界放出型市電粒子源を１史用ｌ５
１Ｊ荷電粒子線装置では、試料あるいは祠利ｌ＼照ＩＪ
−１される荷電粒子の量を一定（こ紺持１Ｊるために拘
゛１“ｈ粉了源から発生し、加速された荷電粒子の＝一
部を検出し、該検出信号に応じて引出し電極に印加され
る引出し電圧を制御し、常に該検出部ｇか一’ｒ（１と
なるように制御している。ところが、該引出］。
′；′４ｉｎを変化させろと、上記レンズ作用が変イヒ
・Ｊるため、［記り［ｌスＡ−ハ〆ルの位置が大幅に変
化し。
・Ｊるため、［記り［ｌスＡ−ハ〆ルの位置が大幅に変
化し。
Ｃしよう。このクロ６Ａ−八点の１ψｌ冒の変化は結果
どして試料あるいは材料上に収束された荷電粒子線の径
の変動をＬｌじさせることになり、電子顕微鏡にあって
は分解能の低下、露光、加Ｔあるい１３１マスクレスイ
オン汀入装置にあっては露光や加工粒数の劣化に−）な
がる。
どして試料あるいは材料上に収束された荷電粒子線の径
の変動をＬｌじさせることになり、電子顕微鏡にあって
は分解能の低下、露光、加Ｔあるい１３１マスクレスイ
オン汀入装置にあっては露光や加工粒数の劣化に−）な
がる。
本発明はト述した点に鑑みてなされたもので、常に試料
あるいは祠刺十の荷電粒子線の径を一定に保へ、８分解
能の像の観察あるいは高粕痘の（４料の露光あるいは如
上を行い得る荷電粒子線装ｄを提供づることを目的とす
る。
あるいは祠刺十の荷電粒子線の径を一定に保へ、８分解
能の像の観察あるいは高粕痘の（４料の露光あるいは如
上を行い得る荷電粒子線装ｄを提供づることを目的とす
る。
本発明に基づく荷電粒子線装置はエミッタと、該１ミツ
タ先端近傍に強電界を形成するための引出し電極と、該
強電界により引出された荷電粒子を加速りるための加速
電極と、該引出し電極に引出し電圧を印加ケろｋめ、の
引出し電源と、該１１１１速電神に加速電圧を印加づる
ための加速電源と、該加速された荷電粒子を収束するた
めの１ノンズと、１、曳レンズの電源と、該引出し電Ｕ
Ｆと加速電圧との比を求めるための手段と、該求められ
１．−比１．− ’ｖ５、じた制御（６弓を発生づる手
段とを備え、該Ｒａｔ １１１１ ｆｔ、 ｉ；によつ
（該レンズの電源を制御りる」、う（ご構成ｌ〜でいる
。
タ先端近傍に強電界を形成するための引出し電極と、該
強電界により引出された荷電粒子を加速りるための加速
電極と、該引出し電極に引出し電圧を印加ケろｋめ、の
引出し電源と、該１１１１速電神に加速電圧を印加づる
ための加速電源と、該加速された荷電粒子を収束するた
めの１ノンズと、１、曳レンズの電源と、該引出し電Ｕ
Ｆと加速電圧との比を求めるための手段と、該求められ
１．−比１．− ’ｖ５、じた制御（６弓を発生づる手
段とを備え、該Ｒａｔ １１１１ ｆｔ、 ｉ；によつ
（該レンズの電源を制御りる」、う（ご構成ｌ〜でいる
。
以−ト本発明の一実施例を添付図面に基づき訂述りる。
第１図は本発明に基づくイオンビーム装置を示（、てお
り、１は内部に例えば、カリウムの如き液１へ金属を一
貯ｊｉｌｉＬｊるリザーバである。２（、を該ＩＪす゛
−ハ１内部を口通し、リザーバ先端の間「１を通）（０
己Ｈされ（いるエミッタ部＋Ａであり、該［ミ・ツク部
材２の先端は鋭くされている。該リリ゛−ハ１ ｋｌフ
ィラメン！−３，４によつ（゛克持され、７）１１熱電
流を該フィラメントに流すことによ−）で該リザーバ。
り、１は内部に例えば、カリウムの如き液１へ金属を一
貯ｊｉｌｉＬｊるリザーバである。２（、を該ＩＪす゛
−ハ１内部を口通し、リザーバ先端の間「１を通）（０
己Ｈされ（いるエミッタ部＋Ａであり、該［ミ・ツク部
材２の先端は鋭くされている。該リリ゛−ハ１ ｋｌフ
ィラメン！−３，４によつ（゛克持され、７）１１熱電
流を該フィラメントに流すことによ−）で該リザーバ。
内部の液状金属、Ｔミッタ部祠は加熱される」、う（二
構成されている。５は該エミッタ部祠２と対向配置され
Ｉこ引出し電極であり、６（ま接地されたＩＩ＋１速電
極て−ある。該エミッタ部材２と加速電極６との間には
加速電源７によって例えば、１０ｔ”）ＫＶ稈麿の加速
電圧が印加され、又該エミッタ部＋Ａ ２と引出し電極
５との間には引出し電源８（こよっＣ２（’）ＫＶ程瓜
の引出し電１ｆが印加されでいる。該引出（、電極５に
よっ（引出され、加速電極６にＪ。
構成されている。５は該エミッタ部祠２と対向配置され
Ｉこ引出し電極であり、６（ま接地されたＩＩ＋１速電
極て−ある。該エミッタ部材２と加速電極６との間には
加速電源７によって例えば、１０ｔ”）ＫＶ稈麿の加速
電圧が印加され、又該エミッタ部＋Ａ ２と引出し電極
５との間には引出し電源８（こよっＣ２（’）ＫＶ程瓜
の引出し電１ｆが印加されでいる。該引出（、電極５に
よっ（引出され、加速電極６にＪ。
って加速されたイオンビームの一部はイオン検出器９に
よっＣ検出される。該検出信号は増幅器１０によって増
幅された後、差動増幅器１１に供給され、基準電′に！
１２の出力電圧と比較され、そのに１ハ舅が発生される
１、該差動増幅器１ ’Ｉ ＋ＪよっτＶ７られた差Ｎ
、： Ｓ３１よ引出し電源８に供給され、引出し電源８
から引出し電極５に印加される電Ｖ１を制御ｌ（Ｊる。
よっＣ検出される。該検出信号は増幅器１０によって増
幅された後、差動増幅器１１に供給され、基準電′に！
１２の出力電圧と比較され、そのに１ハ舅が発生される
１、該差動増幅器１ ’Ｉ ＋ＪよっτＶ７られた差Ｎ
、： Ｓ３１よ引出し電源８に供給され、引出し電源８
から引出し電極５に印加される電Ｖ１を制御ｌ（Ｊる。
該加速されたイオンビームはアインッ■ル型の収束レン
ズ１３及び対物レンズｉ ／Ｉ ＩＪ Ｊ、−）で手Ａ
料１５Ｖに細く収束される。１６及び１７は人々収束レ
ンズ１３及び対物レンズ１４の電源（゛ある。
ズ１３及び対物レンズｉ ／Ｉ ＩＪ Ｊ、−）で手Ａ
料１５Ｖに細く収束される。１６及び１７は人々収束レ
ンズ１３及び対物レンズ１４の電源（゛ある。
該Ｆｉｌｌｔｉｌｌから発生される加速電圧（こ比例し
た４’ｉ ７Ｅ Ｖ ａと該引出し電源８から発生され
る引出１、電Ｈに比例したイｔ；舅Ｖｅとは演綽回路１
８に供給される。該演（）四路１８においては、Ｖａ、
−′〜ｌ゛（！が演綽され、ぞの結果は△−り変換器１
９【こよ−）てＡ−Ｄ変換され、記憶装置２０に１１し
給される。
た４’ｉ ７Ｅ Ｖ ａと該引出し電源８から発生され
る引出１、電Ｈに比例したイｔ；舅Ｖｅとは演綽回路１
８に供給される。該演（）四路１８においては、Ｖａ、
−′〜ｌ゛（！が演綽され、ぞの結果は△−り変換器１
９【こよ−）てＡ−Ｄ変換され、記憶装置２０に１１し
給される。
該記憶装置２０には入力信号の各ｌｌＩ！１（こ応した
出力信号が記憶されており、該へ−Ｆ）変換器１９ ｈ
”＋供給される信号に応じた出力信号がＤ−へ変換器２
１に供給される。該Ｄ−Ａ変換器２１１Ｊ Ｊ、・）Ｃ
Ｄ−Ａ変換された信号は収束レンズ電源１６１．−、１
１！。
出力信号が記憶されており、該へ−Ｆ）変換器１９ ｈ
”＋供給される信号に応じた出力信号がＤ−へ変換器２
１に供給される。該Ｄ−Ａ変換器２１１Ｊ Ｊ、・）Ｃ
Ｄ−Ａ変換された信号は収束レンズ電源１６１．−、１
１！。
給され、該電源１６から収束レンズ１３＋（ｌ供給され
る電圧を制御する。
る電圧を制御する。
ト述した如き構成におい【、リザーバ１内のン１シ状金
属は先端開口を通って１−ミッタ部＋Ａ２の先端部（、
：まＣ゛引出れ、該先端部近傍に形成されＩＪ強電界に
よって電界蒸発し、更にイオン化される該イオン化され
た金属はり］１速電極６に１Ｊ、−）（ｔｉｌｌ ｉＪ
！されるが、該イオンビームは引出し電極５と加速電極
６のレンズ作用によ−）て図中Ｐ５ζ、ｊ’ｒ ｆ、
ｊ収束する。践加速されたイオンビームの一部は−（Ａ
ン検出器９によって検出されＣおり、該検出（１’ｌ
翼１１憎幅された後に差動増幅器１１においＣ可変電源
１２からの基準電ＦＥと比較される。。ここ（゛、ＩＩ
ＩＩ ｉ＊されたでオンビーム早に変動が生じると、Ｋ
勅増幅器１１からメク信号か発住する。該差信号（ユ引
出し゛電源８に供給され、該差信舅がＯとイＣる」−う
（こ、す％わち、イオンビーム量が常に一定どなるよう
に引出し電極５に印加される引出し電Ｌ「は制御される
。ところ“（、＜Ａンビーム♀を一定に制御ｌ？ｌる（
二とに伴なって、該引出し電圧が変動でるが、この電圧
の変動は引出し電極５と加速電極６によるレンズ系の収
束条１′１が変ることを意味し、ｌ’、 ｎＱ／）［１
ス４−ハｉ＜ ｐ １．Ｌ引出し電圧の変動に応じてイ
Ａン光学軸上を［−下（、二移動する。該り１］スオ一
ハ点Ｐの移動に」、す、（−Ａン光学上の実質的なイオ
ン源の位置も移動りることになる。第２図は加速電圧と
引出し電Ｆｆどの比ｖａ／′Ｖｅと−ｒイオン学１の実
質的イｉイオン源の位置Ｓとの関係の一例を示している
。このイ装置Ｓが変化すると、収束レンズと対物レンズ
１４（こよつ【収束されたイオンビームの材料１５Ｆの
径は変化する。
属は先端開口を通って１−ミッタ部＋Ａ２の先端部（、
：まＣ゛引出れ、該先端部近傍に形成されＩＪ強電界に
よって電界蒸発し、更にイオン化される該イオン化され
た金属はり］１速電極６に１Ｊ、−）（ｔｉｌｌ ｉＪ
！されるが、該イオンビームは引出し電極５と加速電極
６のレンズ作用によ−）て図中Ｐ５ζ、ｊ’ｒ ｆ、
ｊ収束する。践加速されたイオンビームの一部は−（Ａ
ン検出器９によって検出されＣおり、該検出（１’ｌ
翼１１憎幅された後に差動増幅器１１においＣ可変電源
１２からの基準電ＦＥと比較される。。ここ（゛、ＩＩ
ＩＩ ｉ＊されたでオンビーム早に変動が生じると、Ｋ
勅増幅器１１からメク信号か発住する。該差信号（ユ引
出し゛電源８に供給され、該差信舅がＯとイＣる」−う
（こ、す％わち、イオンビーム量が常に一定どなるよう
に引出し電極５に印加される引出し電Ｌ「は制御される
。ところ“（、＜Ａンビーム♀を一定に制御ｌ？ｌる（
二とに伴なって、該引出し電圧が変動でるが、この電圧
の変動は引出し電極５と加速電極６によるレンズ系の収
束条１′１が変ることを意味し、ｌ’、 ｎＱ／）［１
ス４−ハｉ＜ ｐ １．Ｌ引出し電圧の変動に応じてイ
Ａン光学軸上を［−下（、二移動する。該り１］スオ一
ハ点Ｐの移動に」、す、（−Ａン光学上の実質的なイオ
ン源の位置も移動りることになる。第２図は加速電圧と
引出し電Ｆｆどの比ｖａ／′Ｖｅと−ｒイオン学１の実
質的イｉイオン源の位置Ｓとの関係の一例を示している
。このイ装置Ｓが変化すると、収束レンズと対物レンズ
１４（こよつ【収束されたイオンビームの材料１５Ｆの
径は変化する。
さＣ１本発明にＪ３いては、晶速電源７からのＪ＋ＩＩ
速電１１−に比例した（Ｌｌ 号Ｖ ａと引出し電源８
からの引出し電圧に比例し／、： １８月Ｖｅは該演客
）回路１８に供給され、該演算回路１８にＪ５いＣｖａ
ｖｃが演算される。該演粋結宋はＡ−１）変換器１
≦）にＪいてＡ Ｄ変換された後に記憶装置２０（−
供給される、該記憶装置２０においては各ｙａ’ｙｅの
伯、すなわら、各イオン源の荀’？Ｉ Ｓの飴にＱ、Ｊ
１．れ。
速電１１−に比例した（Ｌｌ 号Ｖ ａと引出し電源８
からの引出し電圧に比例し／、： １８月Ｖｅは該演客
）回路１８に供給され、該演算回路１８にＪ５いＣｖａ
ｖｃが演算される。該演粋結宋はＡ−１）変換器１
≦）にＪいてＡ Ｄ変換された後に記憶装置２０（−
供給される、該記憶装置２０においては各ｙａ’ｙｅの
伯、すなわら、各イオン源の荀’？Ｉ Ｓの飴にＱ、Ｊ
１．れ。
した最適な収束レンズ１３に印加される電圧４％ Ｃ，
−：が記憶されており、供給された■ａ、／■ｅの（１
１°口Ｊ応じた記憶装置からの信号はＤ−Ａ変換された
後に電源１６に供給される。該電源１６は供給された信
号に応じた電圧を収束レンズ１３に供給しており、その
結果、引出し電圧が変化し、実質的＜２１′Ａン源の位
置Ｓが変化しても、該イオン源のＩＩ“！冒の変１ヒに
応じて収束レンズ１３に印加される電１が変えられ適切
にイオンが収束されるため、材料１５．Ｌのイオンビー
ムの径は常に一定となる１゜以上詳述した如く、本発明
においてＩ：１、試Ｖ１あるいは月利上に収束された荷
電粒子線の仔を４を旨に所望の値に維持するｌ” Ｚ’
ｋができ、本発明を電工あるいはイオン顕微鏡に適用
１れば、像の分解能が向トし、又、露光あるいは加工装
置に適用４ね（Ｊ。
−：が記憶されており、供給された■ａ、／■ｅの（１
１°口Ｊ応じた記憶装置からの信号はＤ−Ａ変換された
後に電源１６に供給される。該電源１６は供給された信
号に応じた電圧を収束レンズ１３に供給しており、その
結果、引出し電圧が変化し、実質的＜２１′Ａン源の位
置Ｓが変化しても、該イオン源のＩＩ“！冒の変１ヒに
応じて収束レンズ１３に印加される電１が変えられ適切
にイオンが収束されるため、材料１５．Ｌのイオンビー
ムの径は常に一定となる１゜以上詳述した如く、本発明
においてＩ：１、試Ｖ１あるいは月利上に収束された荷
電粒子線の仔を４を旨に所望の値に維持するｌ” Ｚ’
ｋができ、本発明を電工あるいはイオン顕微鏡に適用
１れば、像の分解能が向トし、又、露光あるいは加工装
置に適用４ね（Ｊ。
その精１良を向上さけることができる。尚、本発明１．
１ ｌ−述した実施例に限定されることなく幾多の変形
が可能（ある。例えば、収束レンズ１３に印加される電
Ｉｆを制御りるようにしたが、対物レンズ１４を制御し
くも良く、又、両者を共に制ｍするようにしても良い。
１ ｌ−述した実施例に限定されることなく幾多の変形
が可能（ある。例えば、収束レンズ１３に印加される電
Ｉｆを制御りるようにしたが、対物レンズ１４を制御し
くも良く、又、両者を共に制ｍするようにしても良い。
又、収束レンズ、対物レンズとは別個に補助レンズを設
け、該補助レンズに五つ（荷電粒子線の収束状態を制御
することも可能（ある。更（こ、引出し電圧の変化に注
目して本発明を詳述したが、加速型Ｆ１の変化によ−）
でも実ｖ！ｉ的なイオン源のｆｔ ｒは変化するため、
本発明を何゛ 電粒子線の一■ネルギーを変化させるた
めに加速型）４を変化さけるようにした荷電粒子１！Ｉ
Ｓ装置に使用しても有効Ｃ・ある。史に又、演算回路に
おいてＶａ’ＶｅｌｆＷしたがＶｅ、／’Ｖ ａを計粋
する、■＝５にし−ｃｂ＋；ａい、。
け、該補助レンズに五つ（荷電粒子線の収束状態を制御
することも可能（ある。更（こ、引出し電圧の変化に注
目して本発明を詳述したが、加速型Ｆ１の変化によ−）
でも実ｖ！ｉ的なイオン源のｆｔ ｒは変化するため、
本発明を何゛ 電粒子線の一■ネルギーを変化させるた
めに加速型）４を変化さけるようにした荷電粒子１！Ｉ
Ｓ装置に使用しても有効Ｃ・ある。史に又、演算回路に
おいてＶａ’ＶｅｌｆＷしたがＶｅ、／’Ｖ ａを計粋
する、■＝５にし−ｃｂ＋；ａい、。
第１図は本発明の 実施例であるイオンビーム装置を示
づ図、第２図は加速霜月と引出し電圧の比と実質的なイ
４ン尤学１−のイオン源の位置との関係を示す図である
。 １：リザーバ ２：エミッタ部材 ３．４：フィラメント ５：引出し電極 ６：加速電極 ７：加速電源 ε３：引出し電源 ９：イオン検出器 １０：増幅器 ］１：差ｌＪ増幅器 コ２：可変電源 １３：収束レンズ １４：対物レンズ １５：材料 １６：収束レンズ電源 １７：対物レンズ電源 １８：演算回路 １９；Δ−Ｄ変換器 ２０：記憶装置 ２１ ：Ｄ−Ａ変換器 特許出願人 し１木゛市了株式会君 代表名 加勢 忠雄
づ図、第２図は加速霜月と引出し電圧の比と実質的なイ
４ン尤学１−のイオン源の位置との関係を示す図である
。 １：リザーバ ２：エミッタ部材 ３．４：フィラメント ５：引出し電極 ６：加速電極 ７：加速電源 ε３：引出し電源 ９：イオン検出器 １０：増幅器 ］１：差ｌＪ増幅器 コ２：可変電源 １３：収束レンズ １４：対物レンズ １５：材料 １６：収束レンズ電源 １７：対物レンズ電源 １８：演算回路 １９；Δ−Ｄ変換器 ２０：記憶装置 ２１ ：Ｄ−Ａ変換器 特許出願人 し１木゛市了株式会君 代表名 加勢 忠雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、土ミッタと、該エミッタ先端近傍に強電界を形成す
るための引出し電極と、該強電界により引出された荷電
粒子を）」１）速するための加速電極と、該引出し電極
に引出し電圧を印加するための引出し電源と、該加速′
１Ｆ極に加速電圧を印加づるための１１１１速電源と、
該加速された荷電粒子を収束するノ、−めのレンズと、
該レンズの電源と、該引出゛し電１）と加速電几との比
を求めるための手段と、該求めｊうれた比に応じた制御
信号を発生する手段とを協え、該制ＯＩＩ仏号にｊ、っ
て該レンズの電源を制御りるように椛威した市電粒子線
装置。 ２、該引出し電圧（Ｊ該加速された荷電車台子線の艶に
応じ（制御されＣいる特許請求の範囲第１項記載の荷電
粒子線装冒。。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57052550A JPS58169854A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 荷電粒子線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57052550A JPS58169854A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 荷電粒子線装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58169854A true JPS58169854A (ja) | 1983-10-06 |
Family
ID=12917903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57052550A Pending JPS58169854A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 荷電粒子線装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58169854A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS494972A (ja) * | 1972-04-26 | 1974-01-17 |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57052550A patent/JPS58169854A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS494972A (ja) * | 1972-04-26 | 1974-01-17 |
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