JPS58168289A - レ−ザダイオ−ドパツケ−ジ - Google Patents
レ−ザダイオ−ドパツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS58168289A JPS58168289A JP57051840A JP5184082A JPS58168289A JP S58168289 A JPS58168289 A JP S58168289A JP 57051840 A JP57051840 A JP 57051840A JP 5184082 A JP5184082 A JP 5184082A JP S58168289 A JPS58168289 A JP S58168289A
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- JP
- Japan
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- laser diode
- heat sink
- header
- center
- diode
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はレーザダイオードチップを装荷するレーザダ
イオードパッケージに関するものである。
イオードパッケージに関するものである。
従来のレーザダイオードパッケージにおいてはパッケー
ジ外観は円形であるが、パッケージ内でのレーザダイオ
ードチップの装着は角形のヒートシンクブロックを用い
て行なわれているなどして一般に同心円構造とはいいが
たく、このため例えばとめヒートシンクブロック上にレ
ンズ等の光学部凸金装着する際レーザダイオードと中心
とする同心円構造をとることが困秦でめった。この結果
熱膨張によってレーザダイオードとレンズの軸ずれや、
あるいはヘッダとレーザダイオードとの軸ずれが生じる
場合があった。
ジ外観は円形であるが、パッケージ内でのレーザダイオ
ードチップの装着は角形のヒートシンクブロックを用い
て行なわれているなどして一般に同心円構造とはいいが
たく、このため例えばとめヒートシンクブロック上にレ
ンズ等の光学部凸金装着する際レーザダイオードと中心
とする同心円構造をとることが困秦でめった。この結果
熱膨張によってレーザダイオードとレンズの軸ずれや、
あるいはヘッダとレーザダイオードとの軸ずれが生じる
場合があった。
この発明は円柱形でその−・部が半径方向に円柱中心軸
よ）深くフの字形に切り込まれている。
よ）深くフの字形に切り込まれている。
いわゆる馬蹄形のヒートシンクブロックの切り込み部に
レーザダイオードがその共振器の中心軸がほぼこの円柱
状のヒートシンクの中心軸に一致するよう装着されてい
て、このヒートシンクブロックを円形のヘッダー上にレ
ーザダイオードを中心とする同心円状に装荷したことを
特徴とし、その目的はレーザダイオードの装着作業が容
易で、かつ、レンズ等の光学部品をこのヒートシンクブ
ロック上にレーザダイオードを中心とする同心円構造に
容易に装着でき、熱的に安定な構造のレーザダイオード
モジ、−ル等の構成に都合のよいレーザダイオ−トノ（
ツケージを構成するところにある。
レーザダイオードがその共振器の中心軸がほぼこの円柱
状のヒートシンクの中心軸に一致するよう装着されてい
て、このヒートシンクブロックを円形のヘッダー上にレ
ーザダイオードを中心とする同心円状に装荷したことを
特徴とし、その目的はレーザダイオードの装着作業が容
易で、かつ、レンズ等の光学部品をこのヒートシンクブ
ロック上にレーザダイオードを中心とする同心円構造に
容易に装着でき、熱的に安定な構造のレーザダイオード
モジ、−ル等の構成に都合のよいレーザダイオ−トノ（
ツケージを構成するところにある。
第１図はこの発明の一実施例であって、（１）は円柱形
のヒートシンクでこの円柱の一部がその母線にそつて円
柱中心軸よシ深くコの字形に切シ込まれている。いわゆ
る馬蹄形状のヒートシンク（以後馬蹄形ヒートシンクと
称す）の切り込み部にレーザダイオード（２）がその共
振器の中心軸がほぼこの円柱状ヒートシンク（１）の中
心軸に一致するように装着されていて、このヒートシン
ク（１１が円形で中央部にガラス窓（３１ヲそなえたＴ
０３９形ヘッダ（４）上にほぼ同心円状に装荷されてい
るレーザダイオードパッケージでおる。第２図は第１図
のム−Ａ′における断面図である。
のヒートシンクでこの円柱の一部がその母線にそつて円
柱中心軸よシ深くコの字形に切シ込まれている。いわゆ
る馬蹄形状のヒートシンク（以後馬蹄形ヒートシンクと
称す）の切り込み部にレーザダイオード（２）がその共
振器の中心軸がほぼこの円柱状ヒートシンク（１）の中
心軸に一致するように装着されていて、このヒートシン
ク（１１が円形で中央部にガラス窓（３１ヲそなえたＴ
０３９形ヘッダ（４）上にほぼ同心円状に装荷されてい
るレーザダイオードパッケージでおる。第２図は第１図
のム−Ａ′における断面図である。
１−
この馬蹄形ヒートシンク（１）にレーザダイオード（２
１ｔ−＊ 着しているので、レーザダイオード（２）の
共振器軸方向に障壁がなく、レーザダイオード（２）の
後方出射光が容易にとシ出せ、ヘッダ（４）中央部のガ
ラス窓（３１ヲ通して受光素子で受光することも容易に
でき、レーザダイオード後方出射光をモニタとして利用
するのに都合が良い。また、馬蹄形ヒートシンク（１）
のコの字形の切り込みは円形構造を大きくは損なわず、
レーザダイオードの馬蹄形ヒートシンクへの装着作業お
よびリード線（５）のボンディング作業を容易にする利
点がある。
１ｔ−＊ 着しているので、レーザダイオード（２）の
共振器軸方向に障壁がなく、レーザダイオード（２）の
後方出射光が容易にとシ出せ、ヘッダ（４）中央部のガ
ラス窓（３１ヲ通して受光素子で受光することも容易に
でき、レーザダイオード後方出射光をモニタとして利用
するのに都合が良い。また、馬蹄形ヒートシンク（１）
のコの字形の切り込みは円形構造を大きくは損なわず、
レーザダイオードの馬蹄形ヒートシンクへの装着作業お
よびリード線（５）のボンディング作業を容易にする利
点がある。
第３図は第１図、第２図に示したこの発明によるレーザ
ダイオードパッケージ上に光学系を組み立て、シングル
モードファイバ用レーザダイオードモジュールを構成す
る場合のモジュールの一例の構成を示す断面図である。
ダイオードパッケージ上に光学系を組み立て、シングル
モードファイバ用レーザダイオードモジュールを構成す
る場合のモジュールの一例の構成を示す断面図である。
光学系は球レンズ（６）と屈折率分布形レンズ（７）を
用い、レーザ光をシングルモードファイバ（８）に結合
させる。球レンズ（６１は円板形の球レンズホルダ（９
）のほぼ中心に装着されておシ、この球レンズホルダ（
９）が馬蹄形ヒートシンク上にレーザダイオード（２）
と球レンズ（６）ｔ−位置合わせした状態でほぼ同心円
状に装着されている。なお、このレーザダイオニドモジ
ュール例では球レンズ装着後に窓付の円形キャップαａ
＜よシバ−メチツクシールしてレーザダイオードの信頼
性を高めている。
用い、レーザ光をシングルモードファイバ（８）に結合
させる。球レンズ（６１は円板形の球レンズホルダ（９
）のほぼ中心に装着されておシ、この球レンズホルダ（
９）が馬蹄形ヒートシンク上にレーザダイオード（２）
と球レンズ（６）ｔ−位置合わせした状態でほぼ同心円
状に装着されている。なお、このレーザダイオニドモジ
ュール例では球レンズ装着後に窓付の円形キャップαａ
＜よシバ−メチツクシールしてレーザダイオードの信頼
性を高めている。
また、屈折率分布形レンズは円柱形の屈折率分布形レン
ズホルダ（１１の中心軸にその光軸をほぼ一致させて装
着されており９円形キャップａＯ上に球レンズ（６１よ
りのレーザ出射光を効率良〈シングルモードファイバ＋
８１ Ｋ入射させるよう位置合わせされＴＯ３９形ヘッ
ダ（４）、馬蹄形ヒートシンク（１ｊ、キャップ叫とほ
ぼ同心円状に装着されている。このようにレーザダイオ
ード（２）の共振器の中心軸を中心として馬蹄形ヒート
シンク（１）上に同心円状に組み立てられた光学系とレ
ーザダイオードパッケージと七一体化したものを、さら
に０円柱状のレーザダイオードモジュールパッケージと
なるヒートシンクブロックａ２Ｉ／ｃレーへ才Ｆ軸
４字ナ ザダイオード（２）共振器の中心 するような同心円
構造で装荷し９円柱状ファイバホルダＵの中心軸に光軸
を合わせて装着したシングルモードファイバ（８）ｔ−
光学系と位置合わせし、これらの同心円構造のレーザダ
イオードパッケージ中心軸にその光軸をほぼ合わせるよ
うに装荷する。
ズホルダ（１１の中心軸にその光軸をほぼ一致させて装
着されており９円形キャップａＯ上に球レンズ（６１よ
りのレーザ出射光を効率良〈シングルモードファイバ＋
８１ Ｋ入射させるよう位置合わせされＴＯ３９形ヘッ
ダ（４）、馬蹄形ヒートシンク（１ｊ、キャップ叫とほ
ぼ同心円状に装着されている。このようにレーザダイオ
ード（２）の共振器の中心軸を中心として馬蹄形ヒート
シンク（１）上に同心円状に組み立てられた光学系とレ
ーザダイオードパッケージと七一体化したものを、さら
に０円柱状のレーザダイオードモジュールパッケージと
なるヒートシンクブロックａ２Ｉ／ｃレーへ才Ｆ軸
４字ナ ザダイオード（２）共振器の中心 するような同心円
構造で装荷し９円柱状ファイバホルダＵの中心軸に光軸
を合わせて装着したシングルモードファイバ（８）ｔ−
光学系と位置合わせし、これらの同心円構造のレーザダ
イオードパッケージ中心軸にその光軸をほぼ合わせるよ
うに装荷する。
また、レーザダイオードモジュールのレーザ出力モニタ
のためフォトダイオード（１４＋がＴ０３９形ヘッダ（
４１の中心部のガラス窓（３１よシ取シ出したレーザダ
イオード後方出射光を屈折率分布形レンズ四ヲ介して受
光する。
のためフォトダイオード（１４＋がＴ０３９形ヘッダ（
４１の中心部のガラス窓（３１よシ取シ出したレーザダ
イオード後方出射光を屈折率分布形レンズ四ヲ介して受
光する。
このように、この発明によるレーザダイオ−・ドパッケ
ージはレーザダイオードモジュール構成品をレーザダイ
オード共振器の中心軸を中心軸とする同心円構造に組み
立てるのに都合が艮〈、シングルモードファイバ用レー
ザダイオードモジュールのような高精度ヲ要求される場
合にも適用でき、熱的に安定な構造のレーザダイオード
モジ、−ル１：１ｍ成できる。
ージはレーザダイオードモジュール構成品をレーザダイ
オード共振器の中心軸を中心軸とする同心円構造に組み
立てるのに都合が艮〈、シングルモードファイバ用レー
ザダイオードモジュールのような高精度ヲ要求される場
合にも適用でき、熱的に安定な構造のレーザダイオード
モジ、−ル１：１ｍ成できる。
な９９以上は馬蹄形ヒートシンクブロックをＴ０３９形
ヘッダー上へ装着する場合について説明し九が、この発
明はこれに限らず円形構造のヘッダーであればかまわな
い。また馬蹄形ヒートシンクブロックへの切り込みの形
状は正確なコの字形でなくても同心円構造を乱さないも
のであればかまわない。
ヘッダー上へ装着する場合について説明し九が、この発
明はこれに限らず円形構造のヘッダーであればかまわな
い。また馬蹄形ヒートシンクブロックへの切り込みの形
状は正確なコの字形でなくても同心円構造を乱さないも
のであればかまわない。
以上のように、この発明によればヒートシンクブロック
に外形が円柱形となり、その一部に切シ込みをもうけた
ヒートシンクブロック金柑い、その中心部にレーザダイ
オードチップｔ−ｎ荷して円形のヘッダ上にレーザダイ
オードチップを中心とした同心状に装着した同心円構造
のレーザダイオードパッケージであるから、熱的に安定
な構造であり、かつ、ヒートシンク７°ロツクに切シ込
みがおるのでレーザダイオードチップのヒートシンクブ
ロックへの１％荷および電極リード線のポンディング作
業などが容易にできる利点がある。さらに、ヒートシン
クブロック上へ光学系ｔ−ｆｉｆｆｌ心円構造で装着す
ることができ、熱的に安定な構成を実現できるので、シ
ングルモードファイバ用レーザダイオードモジュールな
どの高精度會必要とする場合にも適用できる利点がある
。
に外形が円柱形となり、その一部に切シ込みをもうけた
ヒートシンクブロック金柑い、その中心部にレーザダイ
オードチップｔ−ｎ荷して円形のヘッダ上にレーザダイ
オードチップを中心とした同心状に装着した同心円構造
のレーザダイオードパッケージであるから、熱的に安定
な構造であり、かつ、ヒートシンク７°ロツクに切シ込
みがおるのでレーザダイオードチップのヒートシンクブ
ロックへの１％荷および電極リード線のポンディング作
業などが容易にできる利点がある。さらに、ヒートシン
クブロック上へ光学系ｔ−ｆｉｆｆｌ心円構造で装着す
ることができ、熱的に安定な構成を実現できるので、シ
ングルモードファイバ用レーザダイオードモジュールな
どの高精度會必要とする場合にも適用できる利点がある
。
第１図はこの発明のレーザダイオードパッケージの一実
施例の上面図、第２図は第１図のＡ−Ａ′における断面
図、第３図は第１図に示したレーザダイオードパッケー
ジ上に光学系を組み立て、シングルモードファイバ用レ
ーザダイオードモジュールを構成する場合のモジュール
の一例の構成図である。 図中（１１は円柱形ヒートシンク、（２）はレーザダイ
オード、（３１はガラス窓、（４）はＴ０３９形ヘッダ
。 （５１はリード＠、 （６１は球レンズ、（７）は屈折
率分布形レンズ、 （８１はシングルモードファイ’＜
、 （９１ハ琢レンズホルダ、αＯはキャップ、０１１
は屈折率分布形レンズホルダ、■はヒートシンクブロッ
ク。 ０はファイバホルダ、αａはフォトダイオード。 四は屈折軍分布形レンズである。 な訃、■中、同一あるいは相当部分には同一符号を付し
て示しである。 代理人 葛 野 信 − 第３図
施例の上面図、第２図は第１図のＡ−Ａ′における断面
図、第３図は第１図に示したレーザダイオードパッケー
ジ上に光学系を組み立て、シングルモードファイバ用レ
ーザダイオードモジュールを構成する場合のモジュール
の一例の構成図である。 図中（１１は円柱形ヒートシンク、（２）はレーザダイ
オード、（３１はガラス窓、（４）はＴ０３９形ヘッダ
。 （５１はリード＠、 （６１は球レンズ、（７）は屈折
率分布形レンズ、 （８１はシングルモードファイ’＜
、 （９１ハ琢レンズホルダ、αＯはキャップ、０１１
は屈折率分布形レンズホルダ、■はヒートシンクブロッ
ク。 ０はファイバホルダ、αａはフォトダイオード。 四は屈折軍分布形レンズである。 な訃、■中、同一あるいは相当部分には同一符号を付し
て示しである。 代理人 葛 野 信 − 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザダイオードチップを装荷するレーザダイオードパ
ッケージにおいて０円形のヘッダー上に１円柱のヒート
シンクがほぼ同心円状に装着されておシ、この円柱の一
部□がその母線にそって１円柱中心軸よシ深く切シ込ま
れておシ。 どのヒートシンク用ブロックの切シ込み部にレーザダイ
オードがその共畿器の中心軸がほぼこの円柱状のヒート
シンクの中心軸に一致するよう装着されていることを特
徴とするレーザダイオードパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051840A JPS58168289A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | レ−ザダイオ−ドパツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051840A JPS58168289A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | レ−ザダイオ−ドパツケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168289A true JPS58168289A (ja) | 1983-10-04 |
| JPH0376036B2 JPH0376036B2 (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=12898049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57051840A Granted JPS58168289A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | レ−ザダイオ−ドパツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168289A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6175587A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS61104575U (ja) * | 1984-12-13 | 1986-07-03 | ||
| FR2702313A1 (fr) * | 1993-03-04 | 1994-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur. |
| KR100789675B1 (ko) | 2006-12-11 | 2008-01-02 | 주식회사 코스텍시스 | 반도체 레이저 다이오드 패키지 |
| WO2016114224A1 (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 三菱電機株式会社 | レーザモジュールおよびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50147887A (ja) * | 1974-05-17 | 1975-11-27 | ||
| JPS5546599A (en) * | 1978-09-28 | 1980-04-01 | Exxon Research Engineering Co | Package for semiconductor optoelectronic device |
| JPS5717165U (ja) * | 1980-07-04 | 1982-01-28 |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP57051840A patent/JPS58168289A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50147887A (ja) * | 1974-05-17 | 1975-11-27 | ||
| JPS5546599A (en) * | 1978-09-28 | 1980-04-01 | Exxon Research Engineering Co | Package for semiconductor optoelectronic device |
| JPS5717165U (ja) * | 1980-07-04 | 1982-01-28 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6175587A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH0231869B2 (ja) * | 1984-09-20 | 1990-07-17 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS61104575U (ja) * | 1984-12-13 | 1986-07-03 | ||
| FR2702313A1 (fr) * | 1993-03-04 | 1994-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur. |
| US5519720A (en) * | 1993-03-04 | 1996-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
| KR100789675B1 (ko) | 2006-12-11 | 2008-01-02 | 주식회사 코스텍시스 | 반도체 레이저 다이오드 패키지 |
| WO2016114224A1 (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 三菱電機株式会社 | レーザモジュールおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0376036B2 (ja) | 1991-12-04 |
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