JPS58161980A - 遮断器用複合セラミック材料 - Google Patents
遮断器用複合セラミック材料Info
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- JPS58161980A JPS58161980A JP4402282A JP4402282A JPS58161980A JP S58161980 A JPS58161980 A JP S58161980A JP 4402282 A JP4402282 A JP 4402282A JP 4402282 A JP4402282 A JP 4402282A JP S58161980 A JPS58161980 A JP S58161980A
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- ceramic material
- material according
- composite ceramic
- ceramic
- composite
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Circuit Breakers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基材セラミック表面を表面処理または改質して
表面付着性（濡れ性）を減少させた複合セラミック材料
に関する。
表面付着性（濡れ性）を減少させた複合セラミック材料
に関する。
従来のセラミック材料を用いた遮断器用ノズルの一例を
第１図により説明すると、単一のセラミックまたはテフ
ロン基材／中にＳＦ、ガス等コが充填しており、この部
分でアークが発生し電極金属の蒸発により金属粉、金属
弗化物、金属酸化物等を生成する。図中、基材ｌがセラ
ミックの場合、アークにより生成した上記生成物が基材
ｌの表面に付着し、沿面耐電圧等の表面特性を低下させ
る。
第１図により説明すると、単一のセラミックまたはテフ
ロン基材／中にＳＦ、ガス等コが充填しており、この部
分でアークが発生し電極金属の蒸発により金属粉、金属
弗化物、金属酸化物等を生成する。図中、基材ｌがセラ
ミックの場合、アークにより生成した上記生成物が基材
ｌの表面に付着し、沿面耐電圧等の表面特性を低下させ
る。
また、基材／がテフロンの場合、アークによる生成物の
付着は少ないものの耐熱性が低いため内部から発泡した
り、クラック発生現象を生じ消耗が大きく、また機械的
強度や硬さが不足しており、大電流アーク迩断器の場合
設計が難しいという欠点があつ九。
付着は少ないものの耐熱性が低いため内部から発泡した
り、クラック発生現象を生じ消耗が大きく、また機械的
強度や硬さが不足しており、大電流アーク迩断器の場合
設計が難しいという欠点があつ九。
上述したように、従来のセラミック材料、例えば遮断器
用セラミック材料は、テフロン等の有機遮断器用材料と
比較して、アーク遮断時における電極金属の蒸発により
生成する金属粉などの付着物の表面付着性（濡れ性）が
大きく、例えば８Ｐ。
用セラミック材料は、テフロン等の有機遮断器用材料と
比較して、アーク遮断時における電極金属の蒸発により
生成する金属粉などの付着物の表面付着性（濡れ性）が
大きく、例えば８Ｐ。
ガス遮断器用ノズルとして使用した場合、金属弗化物を
セラミック内面に付着して沿面耐電圧等の表面特性を低
下させ易いという欠点があった。このため従来、表面付
着性の小さいテフロン（Ｐテｔｒｚ）が使用されてきた
。しかし、テフロン材料は大電流のアークに曝露された
場合、テフロン内部より発泡したり、クラック発生現象
を生じ消耗が大きくなることや耐熱性が不十分なこと等
の欠点があり、一層の性能向上が望まれて−た。
セラミック内面に付着して沿面耐電圧等の表面特性を低
下させ易いという欠点があった。このため従来、表面付
着性の小さいテフロン（Ｐテｔｒｚ）が使用されてきた
。しかし、テフロン材料は大電流のアークに曝露された
場合、テフロン内部より発泡したり、クラック発生現象
を生じ消耗が大きくなることや耐熱性が不十分なこと等
の欠点があり、一層の性能向上が望まれて−た。
本発明はセラミック材料の基材セラミック表面を表面処
理または改質して、上記従来セラミックの欠点である表
面付着性（濡れ性）を減少させ、かつセラミック材の利
点であるすぐれた機械強度、固さ、高温までの耐熱安定
性、耐消耗性郷を生かすことにより、大電流アーク遮断
に適した新たなセラミック材料を提供するものである。
理または改質して、上記従来セラミックの欠点である表
面付着性（濡れ性）を減少させ、かつセラミック材の利
点であるすぐれた機械強度、固さ、高温までの耐熱安定
性、耐消耗性郷を生かすことにより、大電流アーク遮断
に適した新たなセラミック材料を提供するものである。
本発明はセラミック材料の基材セラミック表面を表面処
理した複合セラミック材料に関するものである。表面処
理は該基材セラミック表面に弗素系樹脂、ポリエチレン
勢を含む有機物をコーティングして行う、または該基材
セラミック表面に界面活性剤をコーティングして行う、
または該基材セラミック表面をあらかじめ適当なアーク
曝露雰囲気下で改質処理して行う、または該基材セラミ
ック表面に別種のセラミック（弗化物、酸化物、窒化物
、炭化物、ホウ化物、リン化物）をコーティングまたは
混入して行う、または該基材セラミック表面を放射線若
しくは電磁波照射等の物理化学的方法により行う、また
セラミック材料がアルミナを９２％以上含んでもよく、
またセラミック材料の用途がガス遮断器のアーク発生部
のフローガイド用ノズルを含む複合セラミック材料に関
する。
理した複合セラミック材料に関するものである。表面処
理は該基材セラミック表面に弗素系樹脂、ポリエチレン
勢を含む有機物をコーティングして行う、または該基材
セラミック表面に界面活性剤をコーティングして行う、
または該基材セラミック表面をあらかじめ適当なアーク
曝露雰囲気下で改質処理して行う、または該基材セラミ
ック表面に別種のセラミック（弗化物、酸化物、窒化物
、炭化物、ホウ化物、リン化物）をコーティングまたは
混入して行う、または該基材セラミック表面を放射線若
しくは電磁波照射等の物理化学的方法により行う、また
セラミック材料がアルミナを９２％以上含んでもよく、
またセラミック材料の用途がガス遮断器のアーク発生部
のフローガイド用ノズルを含む複合セラミック材料に関
する。
以下に、本発明による複合セラミック材料を用いた連断
器用ノズルを示す第一図に基づいて説明する。
器用ノズルを示す第一図に基づいて説明する。
セラミック基材３表面のアークによる生成物が付着し易
い部分を表面処理して表面付着性（濡れ性）を減少させ
た表面層がダである。この表面処理は以下のような方法
により行われる。
い部分を表面処理して表面付着性（濡れ性）を減少させ
た表面層がダである。この表面処理は以下のような方法
により行われる。
（１） 弗素系樹脂やポリエチレン等の表面付着性（
濡れ性）の少ない有機−を基材セラミック上表面にコー
ティングする。
濡れ性）の少ない有機−を基材セラミック上表面にコー
ティングする。
例えば、弗素系樹脂であるテフロンの場合、コーティン
グ用市販品（例：三井クロロケミカル（株））の水溶性
懸濁溶液をセラミック基材表面に数回刷毛塗りし、風乾
を繰り返し人後、約３０θ℃にて１時間乾燥することに
より一様なテフロンコーティング層を形成する。
グ用市販品（例：三井クロロケミカル（株））の水溶性
懸濁溶液をセラミック基材表面に数回刷毛塗りし、風乾
を繰り返し人後、約３０θ℃にて１時間乾燥することに
より一様なテフロンコーティング層を形成する。
（２） セラミック基材表面に界面活性剤をコーティン
グする。用いる界面活性剤は陰イオン界面活［ＩＪ（フ
ルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム等）、天然界面活
性剤、（ゼラチン等）等である。セラミック基材表面へ
のコーティングは、上記の界面活性 ′剤を含む溶液を
スプレー、浸漬、刷毛塗ｂｉ乾燥させて行う。
グする。用いる界面活性剤は陰イオン界面活［ＩＪ（フ
ルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム等）、天然界面活
性剤、（ゼラチン等）等である。セラミック基材表面へ
のコーティングは、上記の界面活性 ′剤を含む溶液を
スプレー、浸漬、刷毛塗ｂｉ乾燥させて行う。
（３） セラミック基材内面をあらかじめ適当なアー
ク＠篇雰囲気下で改質処理して基材の材質を表面付着性
の低い変態に改質する。
ク＠篇雰囲気下で改質処理して基材の材質を表面付着性
の低い変態に改質する。
例えばセラミック材料が９コチ以上のアルミナ（α−ア
ルミナ）を含むときそのａ−アルミナをヱーアルミナに
改質する。アーク曝露雰囲気は通常Ｎ、ガス、ヘリウム
ガス、ＳＦ６ガス等の非酸化性のガス雰囲気中で行う。
ルミナ）を含むときそのａ−アルミナをヱーアルミナに
改質する。アーク曝露雰囲気は通常Ｎ、ガス、ヘリウム
ガス、ＳＦ６ガス等の非酸化性のガス雰囲気中で行う。
（４） セラミック基材表面に表面付着性の小さい別
穐のセラミックをコーティングする。
穐のセラミックをコーティングする。
コーティングするセラミックの種類は、弗化物（０ａｒ
２． ＣａＦ２． ＭｇＦ、 、 ＡｊＦ、等）、酸化
物（ＭｇＯ、ＺｒＯ，、８ｎＯ，、Ｎｏ、等）、窒化物
（ＢＮ。
２． ＣａＦ２． ＭｇＦ、 、 ＡｊＦ、等）、酸化
物（ＭｇＯ、ＺｒＯ，、８ｎＯ，、Ｎｏ、等）、窒化物
（ＢＮ。
Ｓｉ、Ｎ４． Ａ４Ｎ 、 ＺｒＮ 、 ＴａＮ 、
Ｔｉｎ等）、炭化物（ＳｉＣ！、 Ｂ４Ｃ，ＺｒＯ，Ｗ
ｅ、 Ｎｂ（！、 Ｔｉｅ、 Ｔａｇ。
Ｔｉｎ等）、炭化物（ＳｉＣ！、 Ｂ４Ｃ，ＺｒＯ，Ｗ
ｅ、 Ｎｂ（！、 Ｔｉｅ、 Ｔａｇ。
Ｍｏ、Ｃ、Ｔｉｅ −ＴｉＮ固溶体等）、ホウ化物（Ｚ
ｒＢ２゜ＴｉＢ２． ＡＪ［，２，５ｉＢ４． Ｅｌｉ
Ｂ４等）、リン化物（ＢＩＳＰ２等）からなる各化合物
群中から選択され例えばＢｙ （窒化ホウ素）をアルミ
ナ基材表面にコーティングするには、ＢＮを無機結合剤
と共に酸性水溶液中に混合した溶液を、スプレー、浸漬
、または刷毛塗りのいずれかの適当な方法によって基材
表面に塗布し、室温乾燥後コＯＯ〜１００℃で７３分間
焼きつけし、さらに非酸化雰囲気中で／１００”ＣＫ加
熱してＢＮコーティング層を形成する。
ｒＢ２゜ＴｉＢ２． ＡＪ［，２，５ｉＢ４． Ｅｌｉ
Ｂ４等）、リン化物（ＢＩＳＰ２等）からなる各化合物
群中から選択され例えばＢｙ （窒化ホウ素）をアルミ
ナ基材表面にコーティングするには、ＢＮを無機結合剤
と共に酸性水溶液中に混合した溶液を、スプレー、浸漬
、または刷毛塗りのいずれかの適当な方法によって基材
表面に塗布し、室温乾燥後コＯＯ〜１００℃で７３分間
焼きつけし、さらに非酸化雰囲気中で／１００”ＣＫ加
熱してＢＮコーティング層を形成する。
他の例で、アルミプセラミック（通常の９コチアルミナ
、融点１５θＯ〜／４００℃）に弗化カルシウムＣ！ａ
Ｆ、 （融点／ＪＡＯ℃、沸点コｚｏｏ℃）をコーティ
ングするＫｄ、重量比で５〜１０−のＰＶＡ（ポリビニ
ルアルコール）水溶液に混合したＣａＦ、をセラミック
基材表面に厚さ／ ｍｍ程度で刷毛塗りし、風乾後ＳＯ
θ〜１００℃にて約４時間乾燥した後、昇温速度ｔｏｏ
”ｃ／時間程度で徐々に加熱し所定温度／１００℃で１
時間保持する。次いでｉｏｏ℃／時間で室温まで徐冷し
てコーティング層を形成する。以上の操作はＭ素ガス雰
囲気中で行い、生成コーティング層は０． Ｊ ｎ＞ｍ
程度の厚さで表面に少々のクラックが入っても使用上問
題はない。
、融点１５θＯ〜／４００℃）に弗化カルシウムＣ！ａ
Ｆ、 （融点／ＪＡＯ℃、沸点コｚｏｏ℃）をコーティ
ングするＫｄ、重量比で５〜１０−のＰＶＡ（ポリビニ
ルアルコール）水溶液に混合したＣａＦ、をセラミック
基材表面に厚さ／ ｍｍ程度で刷毛塗りし、風乾後ＳＯ
θ〜１００℃にて約４時間乾燥した後、昇温速度ｔｏｏ
”ｃ／時間程度で徐々に加熱し所定温度／１００℃で１
時間保持する。次いでｉｏｏ℃／時間で室温まで徐冷し
てコーティング層を形成する。以上の操作はＭ素ガス雰
囲気中で行い、生成コーティング層は０． Ｊ ｎ＞ｍ
程度の厚さで表面に少々のクラックが入っても使用上問
題はない。
（５） 前記したコーテイ・ングに用いるセラミック
を基材セラミック表面へ混入し新たな表面層を形成する
。
を基材セラミック表面へ混入し新たな表面層を形成する
。
例えばアルミナセラミック基材に（！ａＦ２を混入する
には、成形前の粉末アルミナにＣａＦ、粉末をよく混合
しＮ、雰囲気中で昇温速度ｌθＯ℃／時間程度で徐々に
加熱し、所定温度Ｉ１０θ℃で１時間加熱保持し焼成す
る。次いでｉｏｏ℃／時間で室温まで徐冷してＣａＦ２
が混入した基材を得る。この混入はセラミック基材表面
だけでなく基材表面全体に行ってもよい。
には、成形前の粉末アルミナにＣａＦ、粉末をよく混合
しＮ、雰囲気中で昇温速度ｌθＯ℃／時間程度で徐々に
加熱し、所定温度Ｉ１０θ℃で１時間加熱保持し焼成す
る。次いでｉｏｏ℃／時間で室温まで徐冷してＣａＦ２
が混入した基材を得る。この混入はセラミック基材表面
だけでなく基材表面全体に行ってもよい。
（６） セラミック基材表面を放射！ｆｉ；Ｊまたは
電磁波照射等の物理化学的方法により表面処理する。
電磁波照射等の物理化学的方法により表面処理する。
例えばアルミナ製部品を真空中に保持し、これに／θθ
万ｅｖ（エレクトロンボルト）の電子線を１分間以上照
射する。
万ｅｖ（エレクトロンボルト）の電子線を１分間以上照
射する。
以上のような表面処理によりセラミック材料の表面付着
性（濡れ性）を減少させ安定した表面特性を得ることを
可能とする。
性（濡れ性）を減少させ安定した表面特性を得ることを
可能とする。
本発明による複合セラミック材料はガス迩断器のアーク
発生部におけるフロー・ガイド用ノズルとして優れ、さ
らに絶縁碍子、真空スイッチの外装、ナトリウムランプ
の発光管、マグネトロンの窓、ＩＣパッケージ、半導体
の外装などにも使用できる。
発生部におけるフロー・ガイド用ノズルとして優れ、さ
らに絶縁碍子、真空スイッチの外装、ナトリウムランプ
の発光管、マグネトロンの窓、ＩＣパッケージ、半導体
の外装などにも使用できる。
次に実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
実施例
アルミナ製試料について、表面の改質を行っていない試
料ム（９コチアルミナ）及びＢＩＪ （窒化ホウ素）を
前記Ｃ！ａＦ、と同様な混入方法によりアルミナ試料に
混入させた試料Ｂそれぞれの試料表面に約コＫＡ （
キロアンペア）のアークを曝露し、アーク消滅直後の両
試料の一点間（距離Ｊ ｍｍ ）の耐電圧値を測定した
。第３図及び第参図はそれぞれ試料ム及び試料Ｂの印加
電圧の経時変化を示している。第３図中、試料ムのグラ
フではアーク曝露後（グラフ中ａ点）、耐電圧値を測定
するための両電極間に電極金属等が多く付着しているた
め、はとんど導通状態とな夛電極間の耐電圧値は零とな
っている。
料ム（９コチアルミナ）及びＢＩＪ （窒化ホウ素）を
前記Ｃ！ａＦ、と同様な混入方法によりアルミナ試料に
混入させた試料Ｂそれぞれの試料表面に約コＫＡ （
キロアンペア）のアークを曝露し、アーク消滅直後の両
試料の一点間（距離Ｊ ｍｍ ）の耐電圧値を測定した
。第３図及び第参図はそれぞれ試料ム及び試料Ｂの印加
電圧の経時変化を示している。第３図中、試料ムのグラ
フではアーク曝露後（グラフ中ａ点）、耐電圧値を測定
するための両電極間に電極金属等が多く付着しているた
め、はとんど導通状態とな夛電極間の耐電圧値は零とな
っている。
これに対し第ダ図の試料Ｂのグラフではアーク曝露直後
のｂ点が示すようにアルミナ試料表面を改質して表面付
着性を減少させたため、両電極間に付着物が少く約１０
０ボルトの大きさの電極間耐電圧値が得られたことを示
している。
のｂ点が示すようにアルミナ試料表面を改質して表面付
着性を減少させたため、両電極間に付着物が少く約１０
０ボルトの大きさの電極間耐電圧値が得られたことを示
している。
このように本発明は基材セラミック表面を表面処理して
表面付着性（濡れ性）を減少させることによって、アー
クによる生成物等の付着を防ぐと共に所定の表面特性を
維持し、耐消耗性、機械強度、固さ等を生かした設計が
可能となる新しいセラミック材料を提供するものである
。
表面付着性（濡れ性）を減少させることによって、アー
クによる生成物等の付着を防ぐと共に所定の表面特性を
維持し、耐消耗性、機械強度、固さ等を生かした設計が
可能となる新しいセラミック材料を提供するものである
。
第１図ａ及びｂはそれぞれ従来のセラミック材料を用い
た連断器用ノズルを示す部分縦断面図及び側面図、第一
図ａ及びｂはそれぞれ本発明による複合セラミック材料
を用いた遮断器用ノズルを示す部分縦断面図及び側面図
、第３図はアルミナセラミック試料の電圧の経時変化を
示す図、第ダ図はＢＮを混入したアルミナセラミック試
料の電圧の経時変化を示す図である１図中、 ｌ・・単一のセラミックまたはテフロン基材、−・・８
Ｐ ガス等を充填した空間、３・・セラミツク基材、
゛り・・表面処理した表面層。 代 理 人 葛 野 信 − １ｌ１Ｆ ｌ：ｌ：！（４ｊｆ） 幹田（Ｉ
Ｓ−＞ｆ）手続補正書（自発） １．￥許庁長宮殿 １．１１件の表示 特願昭 Ｉツー〇ｌ１ｌＯ１
１号２、発明の名称 複合セツ々ツク材料：３
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名 称（６０１） 三菱電機株式会社代表者片山仁
八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
三菱電機株式会社内 氏 名（６６９９） 弁理士 葛 野 信
−（連し％先０３（２１３）３（２１４５Ｊ′ｒ部）（
１） 本補正の対象 ＋１１明細書の発明の詳細な説明の欄 ４補正の内容
た連断器用ノズルを示す部分縦断面図及び側面図、第一
図ａ及びｂはそれぞれ本発明による複合セラミック材料
を用いた遮断器用ノズルを示す部分縦断面図及び側面図
、第３図はアルミナセラミック試料の電圧の経時変化を
示す図、第ダ図はＢＮを混入したアルミナセラミック試
料の電圧の経時変化を示す図である１図中、 ｌ・・単一のセラミックまたはテフロン基材、−・・８
Ｐ ガス等を充填した空間、３・・セラミツク基材、
゛り・・表面処理した表面層。 代 理 人 葛 野 信 − １ｌ１Ｆ ｌ：ｌ：！（４ｊｆ） 幹田（Ｉ
Ｓ−＞ｆ）手続補正書（自発） １．￥許庁長宮殿 １．１１件の表示 特願昭 Ｉツー〇ｌ１ｌＯ１
１号２、発明の名称 複合セツ々ツク材料：３
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名 称（６０１） 三菱電機株式会社代表者片山仁
八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
三菱電機株式会社内 氏 名（６６９９） 弁理士 葛 野 信
−（連し％先０３（２１３）３（２１４５Ｊ′ｒ部）（
１） 本補正の対象 ＋１１明細書の発明の詳細な説明の欄 ４補正の内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） セラミック材料の基材セラミック表面を表面
処理してなる複合セラミック材料。 偉） 表面処理が有機物をコーティングして行う特許請
求の範囲第１項記載の複合セラミック材料。 （３） 表面処理が基材セラミック表面に界面活性剤
をコーティングして行う特許請求の範囲第１項記載の複
合セラミック材料。 （４１表面処理が基材セラミック表面をあらかじめ適当
なアーク曝露雰囲気下で改質処理して行う特許請求の範
囲第１項記載の複合セラミック材料。 俤） 表面処理が基材セラミック表面に別種のセラミッ
クをコーティングまたは混入して行う特許請求の範囲第
１項記載の複合セラミック材料。 （６） 表面処理が所定の物理化学的方法によりなさ
れる特許請求の範囲第１項記載の複合セラミック材料。 （７） セラミック材料がアルミナをｔ−一以上含ん
でなる特許請求の範囲第１項記載の複合セラミック材料
。 （８） セラミック材料がガス遮断器のアーク発′生
部においてフロー・ガイド用ノズルとして使用される特
許請求の範囲第１項記載の複合セラミック材料。 （９） 有機物が弗素系樹脂、ポリエチレン等か（なる
特許請求の範囲第２項記載の複合セラミック材料。 ａｌ 別種のセラミックがＣａｒ、 、 ＯｕＦ、
、 ＭｇＦ、。 Ａ４Ｆ、 等の弗化物またＦｉＭｇＯ＋ Ｚｒ０ｚ
ｅ ＳｎＯＳｎ０２ｅ等の酸化物またはＢＮ 、 Ｓｉ
、Ｎ４． ＡＩＮ 、 ＺｒＮ。 ＴａＮ 、 ＴｉＮ等の窒化物またはＳｉＯ、Ｂ、Ｃ、
ＺｒＯ。 ＶＣ，ＮｂＣ、ＴｉＣ、ＴａＣ、Ｍｏ２Ｇ 、 ＴｉＣ
−Ｔｉｎ固溶体等の炭化物またはＺｒＢｔ ＋ ＴｉＢ
ｚ ｔムｊＢ、、 、 ＥｌｉＢ、 。 １３１Ｂ４等のホウ化物または”ｌ５Ｐ２”のリン化物
からなる特許請求の範囲第３項記載の複合セラミック劇
料。 ａ珍 物理化学的方法が放射１１１ｉ！または電磁波照
射である特許請求の範囲第６項記載の複合セラミック材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4402282A JPS58161980A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 遮断器用複合セラミック材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4402282A JPS58161980A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 遮断器用複合セラミック材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58161980A true JPS58161980A (ja) | 1983-09-26 |
| JPS6236995B2 JPS6236995B2 (ja) | 1987-08-10 |
Family
ID=12680033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4402282A Granted JPS58161980A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 遮断器用複合セラミック材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58161980A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN100439286C (zh) * | 2006-08-29 | 2008-12-03 | 中材高新材料股份有限公司 | 超高温近零烧蚀ZrB2－ZrC－SiC复相陶瓷的制备方法 |
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1982
- 1982-03-18 JP JP4402282A patent/JPS58161980A/ja active Granted
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|---|---|
| JPS6236995B2 (ja) | 1987-08-10 |
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