JPS58158778A - 表面凹凸情報入力方法 - Google Patents
表面凹凸情報入力方法Info
- Publication number
- JPS58158778A JPS58158778A JP57041514A JP4151482A JPS58158778A JP S58158778 A JPS58158778 A JP S58158778A JP 57041514 A JP57041514 A JP 57041514A JP 4151482 A JP4151482 A JP 4151482A JP S58158778 A JPS58158778 A JP S58158778A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory cell
- charge
- cell group
- memory cells
- information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
- A61B5/117—Identification of persons
- A61B5/1171—Identification of persons based on the shapes or appearances of their bodies or parts thereof
- A61B5/1172—Identification of persons based on the shapes or appearances of their bodies or parts thereof using fingerprinting
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Surgery (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Collating Specific Patterns (AREA)
- Image Input (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の属する分野の説明
本発明は、表面凹凸情報入力方法、特に例えば指紋など
のように面に存在する凹凸に関する情報を個人照合など
のための暗証のデータとして情報処理装置に入力するた
めに、凹凸パターンを検出し、その結果をメモリに入力
するようにし、検出のための機構や光学系を特別に必要
とせず、しかも検出部とメモリとを一体的に構成できる
ようにした表面凹凸情報入力方法に関するものである。
のように面に存在する凹凸に関する情報を個人照合など
のための暗証のデータとして情報処理装置に入力するた
めに、凹凸パターンを検出し、その結果をメモリに入力
するようにし、検出のための機構や光学系を特別に必要
とせず、しかも検出部とメモリとを一体的に構成できる
ようにした表面凹凸情報入力方法に関するものである。
(2) 従来の技術の説明
面の凹凸の情報を情報処理装置の入力として与えるため
には、少なくとも面の凹凸を検出し、その結果を電気信
号に変換することが必要である。
には、少なくとも面の凹凸を検出し、その結果を電気信
号に変換することが必要である。
面の凹凸情報を直接的に検出できる方法としては、従来
、被検査面に接触させた検出針を被検査面に沿って走査
し、そのときの検出針の機械的な運動を電気信号に変換
する方法が採られている。しかし、機械的な検出方法は
、時間がかかること、装置構成が複雑で大形化すること
などの欠点を有しており、個人照合用の暗証の検出に適
しているとは言えない0より高速な検出の可能な方法は
、物体の撮影に用いられる電子撮像管の使用があり、電
子撮像管には、光電子放出効果を利用したもの、光導電
性を利用したもの等がある。しかし、このような電子撮
像管は、それ自体が高価・大形であるだけでなく、その
撮像特性に適合させるため適当な光源によって被検査面
の凹凸を明暗として表わさなければならない欠点がある
0神検査面の凹凸を明暗に置き換えることは、それほど
容易では′、現実にはインクなどを用いて被検査面の凹
ド リ用紙に転写したのち、転写された・(ターンに
電子撮像管を適用することも頻繁に行われている。
、被検査面に接触させた検出針を被検査面に沿って走査
し、そのときの検出針の機械的な運動を電気信号に変換
する方法が採られている。しかし、機械的な検出方法は
、時間がかかること、装置構成が複雑で大形化すること
などの欠点を有しており、個人照合用の暗証の検出に適
しているとは言えない0より高速な検出の可能な方法は
、物体の撮影に用いられる電子撮像管の使用があり、電
子撮像管には、光電子放出効果を利用したもの、光導電
性を利用したもの等がある。しかし、このような電子撮
像管は、それ自体が高価・大形であるだけでなく、その
撮像特性に適合させるため適当な光源によって被検査面
の凹凸を明暗として表わさなければならない欠点がある
0神検査面の凹凸を明暗に置き換えることは、それほど
容易では′、現実にはインクなどを用いて被検査面の凹
ド リ用紙に転写したのち、転写された・(ターンに
電子撮像管を適用することも頻繁に行われている。
面の凹凸を検出した結果から、その特徴抽出などのデー
タ処理を行うことが比較的多いが、その場合には情報処
理装置によるデータ処理に要する時間の間、検出した情
報を記録しておく一次的なメモリを必要とすることが普
通である。このためには、検出部自体がメモリとしての
機能を具備していれば都合がよい。電荷結合素子、また
はバケツリレイ素子などのような電荷蓄積読取りを行う
固体撮像装置は一応このようなメモリ機能を有している
。しかしながら光の強さを感じて撮影するという性質は
上述の電子撮像管と同じである以上、同様な欠点を有し
ている。
タ処理を行うことが比較的多いが、その場合には情報処
理装置によるデータ処理に要する時間の間、検出した情
報を記録しておく一次的なメモリを必要とすることが普
通である。このためには、検出部自体がメモリとしての
機能を具備していれば都合がよい。電荷結合素子、また
はバケツリレイ素子などのような電荷蓄積読取りを行う
固体撮像装置は一応このようなメモリ機能を有している
。しかしながら光の強さを感じて撮影するという性質は
上述の電子撮像管と同じである以上、同様な欠点を有し
ている。
(8) 発明の目的
本発明は、従来のような特別の光学系や機構を必要とし
ないで、指紋など面の凹凸に関する情報を検出するよう
にすることを目的としている。すなわち半導体のメモリ
セルの構造を、該メモリセルの電荷蓄積部とメモリセル
表面の検出部とが導電可能なものとし、電荷蓄積部の電
荷は検出部に接触した他物体を通じて放出し得るものと
する。
ないで、指紋など面の凹凸に関する情報を検出するよう
にすることを目的としている。すなわち半導体のメモリ
セルの構造を、該メモリセルの電荷蓄積部とメモリセル
表面の検出部とが導電可能なものとし、電荷蓄積部の電
荷は検出部に接触した他物体を通じて放出し得るものと
する。
このようなメモリセルを多数ならべておき、たとえば指
を押しあてれば指紋の凹凸に応じて、指に接触したメモ
リセル群と接触しないメモリセル群とが生じ両メモリセ
ル群の間には上記蓄積部の電荷量の相異が生じ、この相
異はそのまま凹凸面に関する情報としてメモリセル群に
残されるという独特、かつ簡便な方法を用いて所期の目
的を達成することを目的としている。以下実施例につい
て説明する。
を押しあてれば指紋の凹凸に応じて、指に接触したメモ
リセル群と接触しないメモリセル群とが生じ両メモリセ
ル群の間には上記蓄積部の電荷量の相異が生じ、この相
異はそのまま凹凸面に関する情報としてメモリセル群に
残されるという独特、かつ簡便な方法を用いて所期の目
的を達成することを目的としている。以下実施例につい
て説明する。
(4) 発明の構成および作用の説明第1図は本発明
による面の凹凸情報の検出7j法の実施例を示している
。lは半導体基板で、この上にメそリセル2が複数個、
図の場合にはマトリクス状に配置されている。メモリセ
ルの検出部3は、仮想の第1の面に接している。すなわ
ち、仮想の第1の面は、複数個のメモリセルの検出部に
より構成される。第1図は凹凸を有する物体とし。
による面の凹凸情報の検出7j法の実施例を示している
。lは半導体基板で、この上にメそリセル2が複数個、
図の場合にはマトリクス状に配置されている。メモリセ
ルの検出部3は、仮想の第1の面に接している。すなわ
ち、仮想の第1の面は、複数個のメモリセルの検出部に
より構成される。第1図は凹凸を有する物体とし。
て人間の指を例示しており、40はメモリセルの搭載基
板である。指4は、前記第1の仮想面に押しつけられる
。本発明に使用するメモリセルは、後罠いくつかの例に
ついて構造を説明するように基板1の内部または外部に
電荷蓄積部を有し、該電荷蓄積部に蓄積されている電荷
の量が情報に対応する。まな、該電荷蓄積部は検出部3
と電気的に結合している。したがって、あらかじめ該蓄
積部に電荷を蓄積しておくなどして、指4を押しあてれ
ば、指紋の隆線に対向したメモリセルの検出部は該隆線
と接触するから、このようなメモリセルの蓄積部の電荷
は人体を通して放出される。しかし、指紋の隆線と隆線
の間の溝の部分に対向するメモリセルの検出部は隆線と
接触しないから、このようなメモリセルの蓄積部の電荷
は概ね当初のままに維持される。このようにして複数個
のメモリセルには第2図に示すように電荷を放出したメ
モリセル群12と電荷が当初のままに維持されたメモリ
セル群13とが指紋のパターンに対応して分布すること
となる。この場合、個々のメモリセルの電荷の有無は、
本発明で使用するメモリの通常の読み出しの方法によっ
て行うことができる。
板である。指4は、前記第1の仮想面に押しつけられる
。本発明に使用するメモリセルは、後罠いくつかの例に
ついて構造を説明するように基板1の内部または外部に
電荷蓄積部を有し、該電荷蓄積部に蓄積されている電荷
の量が情報に対応する。まな、該電荷蓄積部は検出部3
と電気的に結合している。したがって、あらかじめ該蓄
積部に電荷を蓄積しておくなどして、指4を押しあてれ
ば、指紋の隆線に対向したメモリセルの検出部は該隆線
と接触するから、このようなメモリセルの蓄積部の電荷
は人体を通して放出される。しかし、指紋の隆線と隆線
の間の溝の部分に対向するメモリセルの検出部は隆線と
接触しないから、このようなメモリセルの蓄積部の電荷
は概ね当初のままに維持される。このようにして複数個
のメモリセルには第2図に示すように電荷を放出したメ
モリセル群12と電荷が当初のままに維持されたメモリ
セル群13とが指紋のパターンに対応して分布すること
となる。この場合、個々のメモリセルの電荷の有無は、
本発明で使用するメモリの通常の読み出しの方法によっ
て行うことができる。
たとえば、蓄積部の電荷の有無に応じて、メモリセル内
部の2つの電極の間の導通状態が変化するタイプのメモ
リセルにおいては、第1図に示すようにこれらの電極の
一方を行方向に共通に結合し、他方を列方向に共通に結
合して電極線群6αと6善を構成すれば、6aのうちの
任意の1つと、64のうちの任意の1つの間の導通状態
を検出すれば両者の交叉点に位置するメモリセルの蓄積
部の電荷の有無を知ることができる0またメモリセルの
検出部等を保護するために適当な非導電性の薄膜と被検
出物体との間の電気的容量は各々のメモリセルの間で異
なるものとなるから蓄積部からの電荷の放出量も異なる
。したがってメモリセル群には該被検出物体の表面の凹
凸に応じた残留電荷量の分布が得られることとなる。
部の2つの電極の間の導通状態が変化するタイプのメモ
リセルにおいては、第1図に示すようにこれらの電極の
一方を行方向に共通に結合し、他方を列方向に共通に結
合して電極線群6αと6善を構成すれば、6aのうちの
任意の1つと、64のうちの任意の1つの間の導通状態
を検出すれば両者の交叉点に位置するメモリセルの蓄積
部の電荷の有無を知ることができる0またメモリセルの
検出部等を保護するために適当な非導電性の薄膜と被検
出物体との間の電気的容量は各々のメモリセルの間で異
なるものとなるから蓄積部からの電荷の放出量も異なる
。したがってメモリセル群には該被検出物体の表面の凹
凸に応じた残留電荷量の分布が得られることとなる。
以上に述べたように本発明は複数個配置したメモリセル
の検出部がつくる仮想の面に凹凸を有する物体を押しあ
て、個々のメモリセルの残存電荷量が該物体とメモリセ
ルの間の接触の有無または該物体とメモリセルの間の距
離の相違に応じて異なることを利用して、該物体の凹凸
の情報を直接的にメモリセルに残そうとするもので、従
来用いられている種々の方法に比べてきわめて容易な方
法と簡単な構成によって上記の情報を得ることができる
。またメモリセルに残された情報はそのまま電気的に読
み取ることが可能であるため、データ処理に最も適した
入力方法である。
の検出部がつくる仮想の面に凹凸を有する物体を押しあ
て、個々のメモリセルの残存電荷量が該物体とメモリセ
ルの間の接触の有無または該物体とメモリセルの間の距
離の相違に応じて異なることを利用して、該物体の凹凸
の情報を直接的にメモリセルに残そうとするもので、従
来用いられている種々の方法に比べてきわめて容易な方
法と簡単な構成によって上記の情報を得ることができる
。またメモリセルに残された情報はそのまま電気的に読
み取ることが可能であるため、データ処理に最も適した
入力方法である。
以上の説明から知られるように本発明に使用するメモリ
セルは、その一部に電荷蓄積部を有していれば十分であ
る。しかし、情報の読み取りの方法はメモリセルの構造
によって多少異なる。以下では代表的ないくつかのメモ
リセルについて情報の読み取りの方法などを説明する。
セルは、その一部に電荷蓄積部を有していれば十分であ
る。しかし、情報の読み取りの方法はメモリセルの構造
によって多少異なる。以下では代表的ないくつかのメモ
リセルについて情報の読み取りの方法などを説明する。
第3図はメモリセルの一例を示し、第3図(α)は斜視
図、第3図(イ)は第3図(α)の電極7bの中心線X
−X/を通り基板lに垂直な平面によるメモリセルの切
断図である。第3図について説明すると、1点鎖線30
で外形の輪郭を示す半導体基板lの上側の面Pに接して
1点鎖線20で外形を示す絶縁体11が設けられている
。該絶縁体中には2つの電極7αと74、電荷を蓄積す
る蓄積部5、連結導体8が埋めこまれているoo゛半導
半導体基板内部には面Pに接して過剰不純物部9aおよ
び94が設けられている。絶縁体11の上部には検出部
3が設置され、該検出部3は連結導体8を通じ、蓄積部
5と導電可能となっている。蓄積部5と2つの電極7α
と74の相互間の空間は絶縁体11で満たされている。
図、第3図(イ)は第3図(α)の電極7bの中心線X
−X/を通り基板lに垂直な平面によるメモリセルの切
断図である。第3図について説明すると、1点鎖線30
で外形の輪郭を示す半導体基板lの上側の面Pに接して
1点鎖線20で外形を示す絶縁体11が設けられている
。該絶縁体中には2つの電極7αと74、電荷を蓄積す
る蓄積部5、連結導体8が埋めこまれているoo゛半導
半導体基板内部には面Pに接して過剰不純物部9aおよ
び94が設けられている。絶縁体11の上部には検出部
3が設置され、該検出部3は連結導体8を通じ、蓄積部
5と導電可能となっている。蓄積部5と2つの電極7α
と74の相互間の空間は絶縁体11で満たされている。
電極7αと7善とはそれぞれ面Pにおいて過剰不純物部
9cLと9kに接している。以上のような構成を採れば
、周知のように2つの過剰不純物部9αと94との間、
従って電極7cLと74との間の導通の有無を蓄積部5
の電荷の有無によって制御することが可能となる○すな
わち、該蓄積部に電荷が存在すればその作用によって半
導体基板lのうち過剰不純物部9aと9にとの間の蓄積
部5の直下の部分に薄いチャネルが形成され、7αと7
4との間は電気的に導通の状態(ON)となるoしかし
、該蓄積部に電荷がなければ、上述のようなチャネルは
形成されず、7αと74とは互いに導通しない状態(O
FF)が得られる0該蓄積部への電荷の蓄積は、7αと
74との間に電圧を印加して半導体基板lの内部に熱的
に励起された電子、いわゆるホットエレクトロンを生成
し、これを絶縁体11の障壁を越えて該蓄積部に到達さ
せることによって行われる。
9cLと9kに接している。以上のような構成を採れば
、周知のように2つの過剰不純物部9αと94との間、
従って電極7cLと74との間の導通の有無を蓄積部5
の電荷の有無によって制御することが可能となる○すな
わち、該蓄積部に電荷が存在すればその作用によって半
導体基板lのうち過剰不純物部9aと9にとの間の蓄積
部5の直下の部分に薄いチャネルが形成され、7αと7
4との間は電気的に導通の状態(ON)となるoしかし
、該蓄積部に電荷がなければ、上述のようなチャネルは
形成されず、7αと74とは互いに導通しない状態(O
FF)が得られる0該蓄積部への電荷の蓄積は、7αと
74との間に電圧を印加して半導体基板lの内部に熱的
に励起された電子、いわゆるホットエレクトロンを生成
し、これを絶縁体11の障壁を越えて該蓄積部に到達さ
せることによって行われる。
本発明の場合には、上記のメモリセルを第1図のように
複数個配置しておくようにされる。
複数個配置しておくようにされる。
つぎに本発明の実施について説明する0まず前述のよう
な方法で、すべてのメモリセルの蓄積部5に電荷を蓄積
する0これを能率的に行うにはメモリセルを第1図に例
示したようにマトリクス状に配置し、列方向にならんだ
メモリセルの電極7αを一体化して電極線群6αとなし
、さらに行方向にならんだメモリセルの電極74をも一
体化し電極線群64となす。このような構成を採ること
によって6αと64との間に同時に電圧を印加すれば、
すべてのメモリセルの蓄積部に電荷が蓄積される。つぎ
にこのようなメモリセル群に対して光面に凹凸を有する
指のような物体を押しあてれば、メモリセル群は、第2
図のように、前記物体の表面の凸部に対向し、したがっ
て検出部3が前記物体と直接に接触する第1のメモリセ
ル群12と、前記物体の表面の凹部に対向し、したがっ
て検出部3が前記物体と直接には接触しない第2のメモ
リセル群13とに分けられることとなる0このようなメ
モリセル群のうち、前記第1のメモリセル群の蓄積部5
の電荷は検出部3から前記物体を伝わって放出される。
な方法で、すべてのメモリセルの蓄積部5に電荷を蓄積
する0これを能率的に行うにはメモリセルを第1図に例
示したようにマトリクス状に配置し、列方向にならんだ
メモリセルの電極7αを一体化して電極線群6αとなし
、さらに行方向にならんだメモリセルの電極74をも一
体化し電極線群64となす。このような構成を採ること
によって6αと64との間に同時に電圧を印加すれば、
すべてのメモリセルの蓄積部に電荷が蓄積される。つぎ
にこのようなメモリセル群に対して光面に凹凸を有する
指のような物体を押しあてれば、メモリセル群は、第2
図のように、前記物体の表面の凸部に対向し、したがっ
て検出部3が前記物体と直接に接触する第1のメモリセ
ル群12と、前記物体の表面の凹部に対向し、したがっ
て検出部3が前記物体と直接には接触しない第2のメモ
リセル群13とに分けられることとなる0このようなメ
モリセル群のうち、前記第1のメモリセル群の蓄積部5
の電荷は検出部3から前記物体を伝わって放出される。
しかし前記第2のメモリセル群については電荷の放出が
ないから蓄積部5の電荷はおおむね当初のままに保たれ
る。すなわち、本発明の方法によれば、第2図のように
前記第1のメモリセル群と前記第2のメモリセル群とが
前記物体の表面の凹凸に応じて分布するものとなる。
ないから蓄積部5の電荷はおおむね当初のままに保たれ
る。すなわち、本発明の方法によれば、第2図のように
前記第1のメモリセル群と前記第2のメモリセル群とが
前記物体の表面の凹凸に応じて分布するものとなる。
前述のように蓄積部5の電極7αと7−6との間のON
、OFFの状態は電荷の有無に応じて決まるから、すべ
てのメモリセルについて電極7αと74との間の導通状
態を検出すれば、被検出物体の表面の凹凸の情報を電気
信号として得ることができるO 以上の実施方法では、蓄積部5にあらかじめ電気を蓄積
した後に被検出物体を押しあてる場合を示した。しかし
、この順序を逆にして被検出物体をメモリセル群に押し
あてた状態で前述の蓄積部5への電荷の蓄積の操作を行
う場合でも、前記第1のメモリセル群の蓄積部5に到達
したホットエレクトロンは、検出部3から被検出物体を
通って放出されてしまうのでやはり第2図のような前記
第1のメモリセル群と前記第2のメモリセル群の分布が
得られることになる。
、OFFの状態は電荷の有無に応じて決まるから、すべ
てのメモリセルについて電極7αと74との間の導通状
態を検出すれば、被検出物体の表面の凹凸の情報を電気
信号として得ることができるO 以上の実施方法では、蓄積部5にあらかじめ電気を蓄積
した後に被検出物体を押しあてる場合を示した。しかし
、この順序を逆にして被検出物体をメモリセル群に押し
あてた状態で前述の蓄積部5への電荷の蓄積の操作を行
う場合でも、前記第1のメモリセル群の蓄積部5に到達
したホットエレクトロンは、検出部3から被検出物体を
通って放出されてしまうのでやはり第2図のような前記
第1のメモリセル群と前記第2のメモリセル群の分布が
得られることになる。
以上の説明では、検出部3に直接被検出物体を接触させ
る場合を述べた。しかし、メモリセル群の表面保護のた
めに適当な非導電性の薄膜を介して被検出物体をメモリ
セル群に押しあててもよい。
る場合を述べた。しかし、メモリセル群の表面保護のた
めに適当な非導電性の薄膜を介して被検出物体をメモリ
セル群に押しあててもよい。
この場合には被検出物体の表面の凹凸に応じて検出部3
と該被検出物体との間の電気的な容量は各々のメモリセ
ルの間で異なるものとなるから蓄積部5からの電荷の放
出量も異なる。したがってメモリセル群は該被検出物体
の表面の凹凸に応じた残留電荷量の分布を示すこととな
る。
と該被検出物体との間の電気的な容量は各々のメモリセ
ルの間で異なるものとなるから蓄積部5からの電荷の放
出量も異なる。したがってメモリセル群は該被検出物体
の表面の凹凸に応じた残留電荷量の分布を示すこととな
る。
第4図は別のメモリセルの構造を示す。第4図の構造は
、第3図に示す構造の蓄積部5と検出部30間にかつ該
5と3とから絶縁して制御電極14を祈念に設けたもの
である。この構成を採れば、電荷の蓄積時に制御電極1
4にも電荷を印加した場合、半導体基板lの内部の自由
電子がトンネル効果によって蓄積部5へ到達することが
可能となり、電荷の蓄積は第3図の構造よりも容易とな
る。
、第3図に示す構造の蓄積部5と検出部30間にかつ該
5と3とから絶縁して制御電極14を祈念に設けたもの
である。この構成を採れば、電荷の蓄積時に制御電極1
4にも電荷を印加した場合、半導体基板lの内部の自由
電子がトンネル効果によって蓄積部5へ到達することが
可能となり、電荷の蓄積は第3図の構造よりも容易とな
る。
第5図は別のメモリセルの構造を示す。(α)は平面図
、(→はX−X/における切断図、(C) U Y −
Y’における切断図を示す。この構造では個々のメモリ
セルは半導体基板lを共通にしてその上に複数個設けら
れている。制御電極14はY−Y’の方向に接続部15
によって相互に導電可能であすx−x’力方向は互いに
絶縁されている。x−x’力方向メモリセルのならびの
間には、半導体基板1の内部に絶縁部16がx−x’力
方向連続して設けられている。このような構造において
制御電極14と半導体基板lとの間にtlEを印加すれ
ば、該半導体基板の内部には、該制御電極14の直下に
蓄積部5が形成され、該蓄積部に電荷が貯えられる。蓄
積部5には電極17が設けられ、該電極は検出部に結合
されている。このメモリセルを用いた場合の本発明の実
施方法は第3図と第4図とについて述べたのと全く同じ
方法である。しかし、電荷の検出は制御電極へ適当な電
圧の印加を行って残存した電荷を順次x−x’方向に転
送して読取りが行われる。
、(→はX−X/における切断図、(C) U Y −
Y’における切断図を示す。この構造では個々のメモリ
セルは半導体基板lを共通にしてその上に複数個設けら
れている。制御電極14はY−Y’の方向に接続部15
によって相互に導電可能であすx−x’力方向は互いに
絶縁されている。x−x’力方向メモリセルのならびの
間には、半導体基板1の内部に絶縁部16がx−x’力
方向連続して設けられている。このような構造において
制御電極14と半導体基板lとの間にtlEを印加すれ
ば、該半導体基板の内部には、該制御電極14の直下に
蓄積部5が形成され、該蓄積部に電荷が貯えられる。蓄
積部5には電極17が設けられ、該電極は検出部に結合
されている。このメモリセルを用いた場合の本発明の実
施方法は第3図と第4図とについて述べたのと全く同じ
方法である。しかし、電荷の検出は制御電極へ適当な電
圧の印加を行って残存した電荷を順次x−x’方向に転
送して読取りが行われる。
メモリセルの構成によっては蓄積部の周囲の絶縁度があ
まり高くなく蓄積部の電荷が短時間に放出されるために
一定時間ごとに電荷を補給することが必要な場合がある
。第6図はそのような種類のメモリの一例を示す。すな
わち制御電極14に電圧を印加すると過剰不純物部9α
と9にとの間にチャネルが形成され、9αと94との間
は導通状態となる。
まり高くなく蓄積部の電荷が短時間に放出されるために
一定時間ごとに電荷を補給することが必要な場合がある
。第6図はそのような種類のメモリの一例を示す。すな
わち制御電極14に電圧を印加すると過剰不純物部9α
と9にとの間にチャネルが形成され、9αと94との間
は導通状態となる。
このときに電極7aに印加された電圧は、別の電極18
に達し、電極18の直下の半導体基板lに蓄積部5が形
成され、該蓄積部に紘電荷が蓄積される。
に達し、電極18の直下の半導体基板lに蓄積部5が形
成され、該蓄積部に紘電荷が蓄積される。
しかし、該蓄積部の電荷は短時間のうちに放出される。
したがって、このような構造のメモリセルを使用すると
きには定期的に読み出しを行い、読み出しの時点で電荷
が蓄積されているメモリセルには、読み出し操作に続い
て、上述のような方法で電荷の補給を行う。また読み出
しの時点で、電荷が蓄積されていないメモリセルには電
荷の補給を行わないといった方法が採用される。このよ
うなタイプのメモリセルを使用する場合、本発明はつぎ
のように実施される0すなわち、あらかじめすべてのメ
モリセルの蓄積部に電荷を貯え、以後は上述の読み出し
と電荷の補給とを定期的に繰り返す。このとき、被検出
物体を第311−・第5図について説明したのと同様に
メモリセル群に押しあてると、被検出物体に検出部3が
接触した第1のメモリセル群12の蓄積部5の電荷は、
第6図において電極18を貫通して設けられた連結導体
8と検出部3と該被検出物体とを通って放出される。
きには定期的に読み出しを行い、読み出しの時点で電荷
が蓄積されているメモリセルには、読み出し操作に続い
て、上述のような方法で電荷の補給を行う。また読み出
しの時点で、電荷が蓄積されていないメモリセルには電
荷の補給を行わないといった方法が採用される。このよ
うなタイプのメモリセルを使用する場合、本発明はつぎ
のように実施される0すなわち、あらかじめすべてのメ
モリセルの蓄積部に電荷を貯え、以後は上述の読み出し
と電荷の補給とを定期的に繰り返す。このとき、被検出
物体を第311−・第5図について説明したのと同様に
メモリセル群に押しあてると、被検出物体に検出部3が
接触した第1のメモリセル群12の蓄積部5の電荷は、
第6図において電極18を貫通して設けられた連結導体
8と検出部3と該被検出物体とを通って放出される。
すなわち被検出物体が接触した後には定期的な該蓄積部
への電荷の補給は行われない。一方、被検出物体に検出
部3が接触しない第2のメモリセル群13の蓄積部5の
電荷についてはメモリセル群12のような放出がないか
ら以後の定期的な読み出しの後に電荷の補給が行われる
。したがって、メモリセル群には、第2図のような被検
出物体の凹凸に対応した分布が残される0 (6) 効果の説明 以上説明したように、本発明によれは、電荷蓄積部の電
荷を情報に対応させるメモリセルを使用し、被検出物体
の表面の凹凸によって、個々のメモリセルと該被検出物
体との接触の有無または距離の相違に対応して蓄積部か
ら放出される電荷の量が相違することを利用し、凹凸の
情報をメモリセル群に記録するようにしている。このた
めに、本発明によれはきわめて容易に、しかも簡単な構
成で凹凸の情報を検出できる。さらにメモリセル群に記
録された情報はデータ処理のための入力データとして容
易に使用することができ、しかも記録部自身が一次的な
メモリとしての機能をも有しているという利点がある。
への電荷の補給は行われない。一方、被検出物体に検出
部3が接触しない第2のメモリセル群13の蓄積部5の
電荷についてはメモリセル群12のような放出がないか
ら以後の定期的な読み出しの後に電荷の補給が行われる
。したがって、メモリセル群には、第2図のような被検
出物体の凹凸に対応した分布が残される0 (6) 効果の説明 以上説明したように、本発明によれは、電荷蓄積部の電
荷を情報に対応させるメモリセルを使用し、被検出物体
の表面の凹凸によって、個々のメモリセルと該被検出物
体との接触の有無または距離の相違に対応して蓄積部か
ら放出される電荷の量が相違することを利用し、凹凸の
情報をメモリセル群に記録するようにしている。このた
めに、本発明によれはきわめて容易に、しかも簡単な構
成で凹凸の情報を検出できる。さらにメモリセル群に記
録された情報はデータ処理のための入力データとして容
易に使用することができ、しかも記録部自身が一次的な
メモリとしての機能をも有しているという利点がある。
本発明は、一般の物体の表面凹凸の検出のほか、たとえ
ば銀行や商店の店頭などで指紋による個人照合を行おう
とする場合、指紋の入力時間の短縮や入力装置の簡単化
・低価格化に大いに貢献するものである。
ば銀行や商店の店頭などで指紋による個人照合を行おう
とする場合、指紋の入力時間の短縮や入力装置の簡単化
・低価格化に大いに貢献するものである。
第1図は本発明の実施例の全体図、第2図は本発明によ
って得られた凹凸情報を例示する説明図、第3図ないし
第6図は夫々本発明に使用される一実施例メモリセルの
構造を示すO 1・・・・半導体基板、2・・・・メモリセル、3・・
・・検出部、4・・・・被検出物体、40・・・・搭載
基板、5・・・・蓄積部、6α、64・・・・電極線群
、7α、74・・・・電極、8・・・・連結導体、9α
、94・・・・過剰不純物部、11・・・・絶縁体、1
2・・・・第1のメモリセル群、13・・・・第2のメ
モリセル群、14・・・・制御電極、15・・・・接続
部、16・・・・絶縁部、17・・・・電極、18・・
・・電極。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 森 1) 寛 ヤ 112I 才4図 ψ5図 (Q) (C) Y′ (b)
って得られた凹凸情報を例示する説明図、第3図ないし
第6図は夫々本発明に使用される一実施例メモリセルの
構造を示すO 1・・・・半導体基板、2・・・・メモリセル、3・・
・・検出部、4・・・・被検出物体、40・・・・搭載
基板、5・・・・蓄積部、6α、64・・・・電極線群
、7α、74・・・・電極、8・・・・連結導体、9α
、94・・・・過剰不純物部、11・・・・絶縁体、1
2・・・・第1のメモリセル群、13・・・・第2のメ
モリセル群、14・・・・制御電極、15・・・・接続
部、16・・・・絶縁部、17・・・・電極、18・・
・・電極。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 森 1) 寛 ヤ 112I 才4図 ψ5図 (Q) (C) Y′ (b)
Claims (1)
- 半導体から成る基板と該基板の内部または外部にあって
電荷を蓄積する機能を有する蓄積部と前記基板の外部に
設けられた検出部とを有する複数個のメモリセルを第1
の面に前記検出部が接するごとく配置し、前記メモリセ
ルの各々は前記検出部と前記蓄積部との間に導電性を有
するように構成し、凹凸を有する第2の面を有する物体
の該第2の面を前記第1の面に近接または押しつけて配
置したときに、前記検出部と前記第2の面との間の導電
特性が前記メモリセルの各々の間で相互に異なることに
よって前記蓄積部の電荷の変化量が前記メモリセルの各
々の間で異なることを利用して前記第2の面の凹凸に関
する情報を入力することを特徴とする表面凹凸情報入力
方法O
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57041514A JPS58158778A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 表面凹凸情報入力方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57041514A JPS58158778A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 表面凹凸情報入力方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58158778A true JPS58158778A (ja) | 1983-09-21 |
Family
ID=12610479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57041514A Pending JPS58158778A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 表面凹凸情報入力方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58158778A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS635551U (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-14 | ||
EP0595107A2 (de) * | 1992-10-26 | 1994-05-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Sensoranordnung zur Erfassung von Fingerabdrücken und Verfahren zu deren Herstellung |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3622989A (en) * | 1969-11-28 | 1971-11-23 | Carter Craft Inc | Fingerprint identification |
US3781855A (en) * | 1970-03-13 | 1973-12-25 | Identification Systems Inc | Fingerprint identification system and method |
JPS5297646A (en) * | 1976-02-09 | 1977-08-16 | Electromagnetique | Target analyzer |
EP0041693A1 (de) * | 1980-06-05 | 1981-12-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Kapazitiver Sensor zur Erfassung von Fingerabdrücken |
-
1982
- 1982-03-16 JP JP57041514A patent/JPS58158778A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3622989A (en) * | 1969-11-28 | 1971-11-23 | Carter Craft Inc | Fingerprint identification |
US3781855A (en) * | 1970-03-13 | 1973-12-25 | Identification Systems Inc | Fingerprint identification system and method |
JPS5297646A (en) * | 1976-02-09 | 1977-08-16 | Electromagnetique | Target analyzer |
EP0041693A1 (de) * | 1980-06-05 | 1981-12-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Kapazitiver Sensor zur Erfassung von Fingerabdrücken |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS635551U (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-14 | ||
EP0595107A2 (de) * | 1992-10-26 | 1994-05-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Sensoranordnung zur Erfassung von Fingerabdrücken und Verfahren zu deren Herstellung |
EP0595107A3 (de) * | 1992-10-26 | 1995-03-29 | Siemens Ag | Sensoranordnung zur Erfassung von Fingerabdrücken und Verfahren zu deren Herstellung. |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4577345A (en) | Fingerprint sensor | |
US6987871B2 (en) | Electrostatic discharge protection of a capacitive type fingerprint sensing array | |
US6566685B2 (en) | Double gate photo sensor array | |
JPS62281572A (ja) | 画像検知器 | |
CA1169529A (en) | Solid state imaging apparatus | |
JPH012354A (ja) | トランジスタ・イメージ・センサ・アレイとこれを用いて像を検出する方法並びに電圧信号を感知する方法および装置 | |
JPH0561965A (ja) | 指紋センサ | |
US5225696A (en) | Focal plane array with charge transfer gate | |
JPS58158778A (ja) | 表面凹凸情報入力方法 | |
US4772951A (en) | Solid state image sensor with cell array of amorphous semiconductor photoelectric converting elements | |
JP2002050750A (ja) | 2次元画像読取装置 | |
JP4479024B2 (ja) | 撮像装置 | |
US5115293A (en) | Solid-state imaging device | |
US4604634A (en) | Apparatus for recording and reproducing an electrographic image | |
JP4977310B2 (ja) | ソリッドステート放射線イメージャの蓄積コンデンサアレイ | |
EP0414793A1 (en) | Electronic still camera tube | |
US6842542B2 (en) | Method and device for capacitive image acquisition | |
US3614750A (en) | Read-only memory circuit | |
US4612578A (en) | Imager system for non-destructive profile read-out | |
EP0246287A4 (en) | Photo-electric imaging device | |
EP0212803B1 (en) | Solid-state image sensor | |
US3540011A (en) | All solid state radiation imagers | |
US4038606A (en) | Semiconductor device for storing and non-destructively reading image information and memory system comprising such a device | |
US3474417A (en) | Field effect solid state image pickup and storage device | |
JP2001067460A (ja) | 指紋読取装置及び指紋照合装置 |