JPS58158648A - Photoconductive material - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To obtain a photoconductive material having always stable electrical, optical, and photoconductive characteristics almost unaffected by use environments, remarkably excellent optical fatigue resistance, said properties not deteriorated by repeated uses, superior durability, and residual potential observed not at all or very little. CONSTITUTION:A photoconductive material 100 comprises a substrate 101, the first photoconductive amorphous layer 102 composed on an amorphous material contg. Si as a main component, and the second amorphous layer 106 composed of Si, C, and halogen. The layer 102 has the first layer region 103 contg. O as a component in a distribution state continuous in the thickness direction and rich on th side of said substrate 101, and the second layer region contg. an element of group III of the periodic table, including the region 103 on the side of the substrate 101, and the layer 102 has the following relationship: TB/T<=1, where TB is thickness of the layer region 104, and T is thickness of the layer 102 subtracted by TB.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する０ 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
　／暗電流（Ｉｄ）　：ｌが高く、照射する電磁波のス
ペクトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有
すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有するこ
と、使用時において人体に対して無公害であること、更
には固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易
に処理することができること等の特性が要求される。Detailed Description of the Invention The present invention relates to a photoconductive member that is sensitive to electromagnetic waves such as light (herein, light in a broad sense refers to ultraviolet rays, visible rays, infrared rays, X-rays, gamma rays, etc.). As a photoconductive material forming a photoconductive layer in a solid-state imaging device, an electrophotographic image forming member in the image forming field, or a document reading device, it has a high sensitivity and a high signal-to-noise ratio [photocurrent (Ip)].
/Dark current (Id): High l, absorption spectral characteristics that match the spectral characteristics of the irradiated electromagnetic waves, fast photoresponsiveness, desired dark resistance value, and no harm to the human body during use. Furthermore, solid-state imaging devices are required to have characteristics such as being able to easily process afterimages within a predetermined time.

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無公害性は重要な点である。Particularly in the case of an electrophotographic image forming member incorporated into an electrophotographic apparatus used in an office as a business machine, the above-mentioned non-polluting property during use is an important point.

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｔと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報ｌ（は電子写真用像形成部材として、
独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置
への応用が２載されている。Based on this point, amorphous silicon (hereinafter referred to as a-8t) is a photoconductive material that has recently attracted attention.
Publication No. 55718 l (as an electrophotographic image forming member,
German Published Publication No. 2933411 describes two applications to photoelectric conversion/reading devices.

丙午ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材ｒｔ１暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点、更
には経時的安全性及び耐久性の点において、各々、個々
には特性の向上が計られているが、総合的な特性向上を
計る上で更に改良される余地が存するのが実情である０ 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留電位が残る場合が度々観測
され、この種の光導電部材は擾時間操返し使用し続ける
と、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生ず
る所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点が
少なくなかった。Heigo et al., Photoconductive member rt1 having a photoconductive layer composed of conventional A-8i Electrical, optical, photoconductive properties such as dark resistance value, photosensitivity, photoresponsivity, and use environment characteristics Furthermore, in terms of safety and durability over time, each property has been improved individually, but the reality is that there is room for further improvement in terms of overall property improvement. 0 For example, when applied to an electrophotographic image forming member, when trying to achieve high photosensitivity and high dark resistance at the same time, it has often been observed in the past that residual potential remains during use, and this type of photoconductive When a member is repeatedly used for a long time, fatigue accumulates due to repeated use, resulting in a number of disadvantages such as a so-called ghost phenomenon in which an afterimage occurs.

又、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、その
電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気伝
導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその他
の特性改良のだめに他の原子が、各々構成原子として光
導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕
方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があった。In addition, when forming a photoconductive layer using a-8i material, in order to improve its electrical and photoconductive properties, hydrogen atoms, halogen atoms such as fluorine atoms and chlorine atoms, and electrically conductive type Boron atoms, phosphorus atoms, etc. are included for control purposes, and other atoms are included as constituent atoms in the photoconductive layer for the purpose of improving properties, but depending on how these constituent atoms are contained, Problems may arise in the electrical or photoconductive properties or voltage resistance of the formed layer.

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合があった。That is, for example, the lifetime of photocarriers generated by light irradiation in the formed photoconductive layer may not be sufficient, or the injection of charge from the support side may not be sufficiently prevented in dark areas. There was a case.

従って、ａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一
方で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総
てが解決される様に工夫される必要がある。Therefore, while efforts are being made to improve the properties of the a-8i material itself, it is necessary to take measures to solve all of the above-mentioned problems when designing photoconductive members.

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｔに
就で電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体と［７、水素原子０又はハロゲン原子■
のいずれか一方を少なくとも含有するアモルファス材料
、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロゲン化アモル
ファスシリコン或いはハロゲン含有水素化アモルファス
シリコン〔以後これ等の総称的表記としてｒ　ａ−８ｉ
　（Ｈ，Ｘ）　Ｊを使用する〕から構成される光導電層
を有する光導電部材の層構成を以後に説明される様に特
定化する様に設計されて作成された光導電部材は実用上
著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電部
材と較べてみてもあらゆる点において凌駕していること
、殊に電子写真用の光導電部材として著しく優れた特性
を有していることを見出した点に基づいている。The present invention has been made in view of the above points, and is characterized by its applicability and applicability to A-8T as a photoconductive member used in electrophotographic image forming members, solid-state imaging devices, reading devices, etc. As a result of comprehensive and intensive research studies from various viewpoints, we found that silicon atoms are the base material [7, hydrogen atoms 0 or halogen atoms ■
An amorphous material containing at least one of the following, so-called hydrogenated amorphous silicon, halogenated amorphous silicon, or halogen-containing hydrogenated amorphous silicon [hereinafter referred to as r a-8i generically]
(H, Not only does it exhibit extremely excellent properties, but it also surpasses conventional photoconductive materials in every respect, especially as a photoconductive material for electrophotography. Based on the findings.

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用環境に殆
んど影響を受けず常時安定し、耐光疲労に著しく長け、
繰返し使用に際しても劣化現象を起さず耐久性に優れ、
残留電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提
供することを主たる目的とする。The electrical, optical, and photoconductive properties of the present invention are almost unaffected by the usage environment, are always stable, and are extremely resistant to light fatigue.
Excellent durability with no deterioration even after repeated use.
The main objective is to provide a photoconductive member in which no or almost no residual potential is observed.

本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させた場合、静電像形成のだめの帯電処理の際の電荷保
持能が充分あり、通常の電子写真法が極めて゛有効に適
用され得る優れた電子写真特性を有する光導電部材を提
供することである。Another object of the present invention is that, when applied as an electrophotographic image forming member, the present invention has sufficient charge retention ability during charging processing for electrostatic image formation, and that ordinary electrophotographic methods can be applied very effectively. An object of the present invention is to provide a photoconductive member having excellent electrophotographic properties.

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て目つ解像度の高い、高品質画像を得ることが
容易にできる電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。Still another object of the present invention is to provide a photoconductive member for electrophotography that can easily produce high-quality images with high density, clear halftones, and high resolution.

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。Yet another object of the present invention is high photosensitivity.

高ＳＮ比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を提供す
ることでもある。Another object of the present invention is to provide a photoconductive member having high signal-to-noise ratio characteristics and high voltage resistance.

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子を母体とする非晶質材料で構成された、光導電
性を有する第一の非晶質層と、シリコン原子と炭素原子
と・・ロゲン原子とを含む非晶質材料で構成された第二
の非晶質層とを有し、前記第一の非晶質層が、層厚方向
に連続的で且つ前記支持体側の方に多く分布する分布状
態で、構成原子として酸素原子を含有する第１の層領域
と構成原子として周期律表第■族に属する原子を含有す
る第２の層領域とを有し、前記第１の層領域は、前記第
一の非晶質層の前記支持体側に内在してお沙、前記第２
の層領域ＴＢと前記第−の非晶質層の層厚より前記第２
の層領域の層厚１を除いた分の層厚Ｔとが−Ａ≦１なる
関係にあることを特徴とする。The photoconductive member of the present invention includes a support for the photoconductive member, a first amorphous layer having photoconductivity made of an amorphous material having silicon atoms as a matrix, and silicon atoms and carbon. and a second amorphous layer made of an amorphous material containing atoms and... rogene atoms, wherein the first amorphous layer is continuous in the layer thickness direction and is located on the support side. A first layer region containing oxygen atoms as constituent atoms and a second layer region containing atoms belonging to Group Ⅰ of the periodic table as constituent atoms, with a distribution state in which the first layer region is more distributed in the direction of The first layer region is internal to the support side of the first amorphous layer, and the second layer region is
from the layer region TB and the layer thickness of the -th amorphous layer.
It is characterized in that the layer thickness T of the layer region excluding the layer thickness 1 satisfies the relationship -A≦1.

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。The photoconductive member of the present invention designed to have the above-mentioned layer structure can solve all of the above-mentioned problems and has extremely excellent electrical and optical properties.

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。Indicates photoconductive properties, pressure resistance, and usage environment characteristics.

殊に、電子写真用像形成部材として適用させだ場合には
、画像形成−＼の残留電位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労。In particular, when it is applied as an image forming member for electrophotography, it is completely free from the influence of residual potential in image formation, has stable electrical characteristics, is highly sensitive, and has a high signal-to-noise ratio. Yes, light fatigue.

繰返し使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安定して
繰返し得ることができる。It has excellent repeatability, and can stably and repeatedly produce high-quality images with high density, clear halftones, and high resolution.

以下、図面に従って本発明の光導電部材に就て詳細に説
明する。Hereinafter, the photoconductive member of the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.

第１図１は１本発明の光導電部材の層構成を説明する為
に模式的に示した模式的構成図である。FIG. 1 is a schematic diagram schematically showing the layer structure of a photoconductive member of the present invention.

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る光
導電性を有する第一の非晶質層（Ｉ）１０２とシリコン
原子と炭素原子と本垂暴子ハロゲン原子を含む非晶質材
料で構成された第二の非晶質層（■）１０６を有する。A photoconductive member 100 shown in FIG. 1 includes a photoconductive first amorphous layer (I) 102 made of a-8i(H,X) on a support 101 for the photoconductive member. and a second amorphous layer (■) 106 made of an amorphous material containing silicon atoms, carbon atoms, and halogen atoms.

第一の非晶質層（１）　１．（＋２は、層厚方向に連続
的で且つ前記支持体１０１の方に多く分布する分布状態
で、構成原子として酸素原子を含有する第１の層領域（
０１１，０３と、構成原子として第■族原子を含有する
第２の層領域（１ｒＤ　１．ｎ４とを有する様に構成さ
れた層構造を有する。第１図に示す例においては、第１
の層領域（０３１０３が第２の層領域（Ｉ［Ｄ１０４の
一部を占めた層構造を有し、第１のる０ 第一の非晶質層１０２の上部層領域１（）５には酸素原
子及び第■族原子は、実質的に含まれておらず、酸素原
子は第１の層領域（０）１．０３に、第■族原子は第２
の層領域Ｑ１ｔ）１０４に含有されている１、勿論、第
１の層領域（０）１．０３には第■族原子も含まれてい
る。First amorphous layer (1) 1. (+2 is a distribution state that is continuous in the layer thickness direction and is distributed more toward the support 101, and the first layer region contains oxygen atoms as constituent atoms (
011, 03, and a second layer region (1rD 1.n4) containing Group Ⅰ atoms as constituent atoms. In the example shown in FIG.
The layer region (03103 has a layer structure that occupies a part of the second layer region (I [D104), and the upper layer region 1 ()5 of the first amorphous layer 102 Oxygen atoms and group Ⅰ atoms are not substantially included, and oxygen atoms are included in the first layer region (0) 1.03, and group Ⅰ atoms are included in the second layer region (0).
Of course, the first layer region (0) 1.03 also contains group (I) atoms.

本発明に於いて、上記の様な層構成とするのは、第１の
層領域（ＣＧ１．０３は、酸素原子の含有によって、高
暗抵抗化と支持体１旧と第一の非晶質Ｉｎ）１０２との
間の密着性の向上が重点的に計られ、上部層領域１０５
には、酸素原子を含有させずに高感、吐化が重点的に計
られている。第１の層領域（０）１４１３に含有される
酸素原子は層厚方向に連続的で不均一な分布状態で、且
つ支持体１０１と第一の非晶質層（１）　１０２との界
面に平行な面内に於いては、実質的に均一な分布状態で
前記第１の層領域（０）１０３中に含有されｆＺし゛ろ
。In the present invention, the above-mentioned layer structure is used in the first layer region (CG1.03, which has high dark resistance and amorphous structure between the support 1 and the first layer due to the inclusion of oxygen atoms). In) 102 is focused on improving the adhesion between the upper layer region 105 and
The focus is on high sensitivity and emitability without containing oxygen atoms. The oxygen atoms contained in the first layer region (0) 1413 are distributed continuously and non-uniformly in the layer thickness direction, and at the interface between the support 101 and the first amorphous layer (1) 102. In parallel planes, fZ should be contained in the first layer region (0) 103 in a substantially uniform distribution state.

本発明において、第一の非晶質層（Ｉ）１０２を構成し
、第■族原子を含有する第２の層領域（２）１０４中に
含有される第■族原子としては、Ｂ（硼素）。In the present invention, B (boron ).

Ａｔ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（イン
ジウム）、’ｒｚ（タリウム）等であり、殊に好適に用
いられるのはＢ、Ｇａである。At (aluminum), Ga (gallium), In (indium), 'rz (thallium), etc., and B and Ga are particularly preferably used.

本発明においては、第２の層領域（至）１０４中に含有
される第■族原子の分布状態は、層厚方向において及び
支持体１０１の表面と平行な面内に於いて実質的に均一
な分布状態とされる。In the present invention, the distribution state of group (III) atoms contained in the second layer region (to) 104 is substantially uniform in the layer thickness direction and in a plane parallel to the surface of the support 101. distribution state.

第１の層領域（０）１０３と上部層領域１０５との層厚
は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因子
の１つであるので形成される光導電部材に所望の特性が
充分与えられる様に、光導電部材の設計の際に充分なる
注意が払われる必要がある。The layer thickness of the first layer region (0) 103 and the upper layer region 105 is one of the important factors for effectively achieving the object of the present invention. Great care must be taken in the design of the photoconductive member to ensure that the properties are adequate.

本発明に於いて、第２の層領域（１１０１０４の層厚′
希は、その−上限としては、通常の場合、５０μ以下、
好ましくは、３０μ以下、最適には、１０μ以下とさｆ
ｌ、るのが窒ましい。In the present invention, the second layer region (layer thickness of 110104'
Rarely, the upper limit is usually 50μ or less,
Preferably, f is 30μ or less, optimally 10μ or less.
L, it's sour.

又、−上部層領域１０５の１−１阜Ｔは、その下限とし
ては、通常の場合、０４５μ以上、好ま［７くは１μ以
上、最適には３μ以上とされるのが望ましい。The lower limit of 1-1 T of the upper layer region 105 is usually 045μ or more, preferably 1μ or more, and most preferably 3μ or more.

第２の層領域＠）１０４０層厚籍の下限及び上部層領域
１０５の層厚Ｔの上限としては、両層領域に要求される
特性と第一の非晶質層（１）１０２全体に要求される特
性との相互間の有機的関連性に幕いて、光導電部材の層
設計の際に所望に従って、適宜決定される。The lower limit of the layer thickness T of the second layer region @) 1040 and the upper limit of the layer thickness T of the upper layer region 105 are the characteristics required for both layer regions and the characteristics required for the entire first amorphous layer (1) 102. It is determined as desired when designing the layers of the photoconductive member, depending on the organic relationship between the properties and the characteristics to be used.

本発明に於いては、上記の層厚ｎの下限及び層厚Ｔの上
限としては、通常は１汀≦１なる関係を満足する際に、
夫々に対して適宜適切な数値が選択される。In the present invention, the lower limit of the layer thickness n and the upper limit of the layer thickness T are usually set when the relationship 1≦1 is satisfied.
Appropriate numerical values are selected for each.

層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値のべ択に於いて、より好まし
くは、′ＩＩＢ／＋ｒ≦０．９．最適にはＴＢ／’ｒ≦
０．８なる関係が満足される様に層厚１及び層厚Ｔの値
が決定されるのが望ましいものである。In selecting the numerical values of layer thickness TB and layer thickness T, it is more preferable that 'IIB/+r≦0.9. Optimally, TB/'r≦
It is desirable that the values of layer thickness 1 and layer thickness T be determined so that the relationship of 0.8 is satisfied.

第１図に示す本発明の光導電部材に於いては、第ｍ族原
子が含有されている第２の層領域Ｑｌｌ）１０４内に第
１の層領域（０１１０３が形成されているが、第１の層
領域（０）と第２の層領域（ト）とを同一層領域とする
ことも出来る。In the photoconductive member of the present invention shown in FIG. 1, the first layer region (01103) is formed within the second layer region Qll) 104 containing group m atoms. The first layer region (0) and the second layer region (g) can also be the same layer region.

又、第１の層領域（０）内に第２の層領域（イ）を形成
する場合も良好な実施態様例の１つとして挙けることが
出来る。Furthermore, forming the second layer region (a) within the first layer region (0) can also be cited as one of the preferred embodiments.

第１の層領域（Ｑ中に含有される酸素原子の量は、形成
される光導電部材に要求される特性に応じて所望に従っ
て適宜法められるが、通常の場合、０．００１〜５０ａ
ｔｏｍｉｃ９ｇ　、好ましくは、０．００２〜４０　ａ
ｔｏｍｉｃ％　＋最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが望ましいものである。The amount of oxygen atoms contained in the first layer region (Q) is determined as desired depending on the properties required of the photoconductive member to be formed, but is usually 0.001 to 50a.
tomic9g, preferably 0.002-40a
tomic% + optimally 0.003-30 atoms
It is preferable to set it as ic%.

第１の層領域（０）の層厚Ｔ。が充分厚いか、又は第一
の非晶質！（■）の全層厚に対する割合が５分　　　　
゛の２以上を越える様々場合には、第１の層領域（０）
中に含有される酸素原子の量の上限としては、通常は、
３０　ａｔｏｒｎｉｃ俤以下、好ましくけ、２゜ａｔｏ
ｍｉｃチ以下、最適には１０　ａｔｏｍｉｃチ以下とさ
れるのが望ましいものである。Layer thickness T of the first layer region (0). is thick enough or first amorphous! The ratio of (■) to the total thickness is 5 minutes
In various cases exceeding 2 or more of ゛, the first layer region (0)
The upper limit of the amount of oxygen atoms contained in
30 atonic height or less, preferably 2°ato
It is desirable that it be less than mic, preferably less than 10 atomic.

本発明に於いては、第一の非晶質１ｉ＝１（１）の層厚
としては、所望の電子写真特性が得られること及び経済
性等の点から通常は、１〜１００μ、好適には１〜８０
μ、最適には２〜５０μとされるのが望ましい。In the present invention, the layer thickness of the first amorphous layer 1i=1(1) is usually 1 to 100μ, preferably from the viewpoint of obtaining desired electrophotographic properties and economical efficiency. is 1-80
μ, preferably 2 to 50 μ.

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
第一の非晶質層（１）を構成する第１の層領域（０）中
に含有される酸素原子の層厚方向の分布状態の典型的例
が示される。FIGS. 2 to 10 show the thickness direction of oxygen atoms contained in the first layer region (0) constituting the first amorphous layer (1) of the photoconductive member of the present invention. A typical example of the distribution state is shown.

第２図乃至第１０図の例に於いて、第■族原子の含有さ
れる層領域（２）は、層領域（Ｑと同一層領域であって
も、層領域（Ｏを内包しても、或いは、層領域（Ｏの一
部の層領域を共有しても良いものであるので以後の説明
に於いては、第■族原子の含有されている層領域（ト）
については、殊に説明を要しない限り言及しない。In the examples shown in FIGS. 2 to 10, the layer region (2) containing group (III) atoms may be the same layer region (Q) or the layer region (including O). , or the layer region (O) may share a part of the layer region, so in the following explanation, the layer region (T) containing group (III) atoms will be used.
will not be mentioned unless special explanation is required.

第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子の分布濃
ＩＷＣを、縦軸は、光導電性を示す非晶質層を構成し、
酸素原子の含有される層領域（０）の層厚ＴＢを示しｓ
　ｊＢは支持体側の界面の位置をｓ　ｊＴは支持体側と
は反対側の界面の位置を示す。即ち、酸素原子の含有さ
れる層領域（０）はｔＢ側よりｊＴＩＩＩｌｌに向って
層形成がなされる。In FIGS. 2 to 10, the horizontal axis represents the oxygen atom distribution concentration IWC, and the vertical axis represents the amorphous layer exhibiting photoconductivity,
Indicates the layer thickness TB of the layer region (0) containing oxygen atoms.
jB indicates the position of the interface on the support side, and s jT indicates the position of the interface on the opposite side to the support side. That is, in the layer region (0) containing oxygen atoms, the layer is formed from the tB side toward jTIIIll.

本発明においては、酸素原子の含有される層領域（０）
は、光導電部材を構成するａ−８ｉ　（’）Ｔ、Ｘ）か
ら成り、光導電性を示す第一の非晶質層（Ｉ）の一部を
占めている。In the present invention, layer region (0) containing oxygen atoms
is composed of a-8i (')T,

本発明において、前記層領域（０）は、第１図の例で示
せば第一の非晶質層（１）の支持体１０１側の表面を含
んで第一の非晶質層（１）１０２の下部層領域に設けら
れるのが好ましいものである。In the present invention, the layer region (0) includes the surface of the first amorphous layer (1) on the support 101 side, as shown in the example of FIG. It is preferable to provide it in the lower layer region of 102.

第２図には、層領域（０）中に含有される酸素原子の層
厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。FIG. 2 shows a first typical example of the distribution state of oxygen atoms contained in the layer region (0) in the layer thickness direction.

第２図に示される例では、酸素原子の含有される層領域
り）が形成される表面と該層領域（０）の表面とが接す
る界面位置ｔＢよりｔｌｍの位置までは、酸素原子の分
布濃度ＣがＣ１なる一定の値を取り乍ら酸素原子が形成
される層領域（０）に含有され、位ＷｔＩより分布濃度
Ｃは界面位置ｔＴに至るまでＣ２より徐々に連続的に減
少さｈ２ている１、界面位ｆｔｔＴにおいては酸素原子
の分布濃咋ＣはＣ１とされる。In the example shown in FIG. 2, the distribution of oxygen atoms is from the interface position tB where the surface where the layer region (0) containing oxygen atoms is formed and the surface of the layer region (0) to the position tlm. While the concentration C takes a constant value C1, the oxygen atoms are contained in the layer region (0) where they are formed, and the distributed concentration C gradually and continuously decreases from C2 until reaching the interface position tT. 1, the distribution concentration C of oxygen atoms at the interface position fttT is assumed to be C1.

るまでＣ４から徐々に連続的に減少して位ｆｔＴにおい
てＣ５となる様な分布状態を形成している。The distribution state is formed such that it gradually and continuously decreases from C4 until it reaches C5 at about ftT.

第４図の場合には、位置ｔＢより位置１１までは酸素原
子の分布濃度ＣはＣ６と一定値とされ、位置ｔ、と位置
ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少され、位ｆｉ
ｔ　ｔＴにおいて、実質的に零とされている。In the case of FIG. 4, the distribution concentration C of oxygen atoms is kept at a constant value C6 from position tB to position 11, and gradually and continuously decreases between positions t and tT.
At t tT, it is substantially zero.

第５図の場合には、酸素原子は位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで、分布濃度ＣはＣ８より連続的に徐々圧減少さ
れ、位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。In the case of FIG. 5, the distribution concentration C of oxygen atoms is gradually decreased from C8 continuously from position tB to position tT, and becomes substantially zero at position tT.

第６図に示す例においては、酸素原子の分布濃度Ｃは、
位置ｔＢと位置ｔ３間においては、ｃ、と一定値であり
、位置ｔＴにおいてはＣ１６とされる。In the example shown in FIG. 6, the distribution concentration C of oxygen atoms is
Between position tB and position t3, c is a constant value, and at position tT, it is set to C16.

位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されている。Between position t3 and position tT, the distribution density C is linearly decreased from position t3 to position tT.

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
より位置ｔ４まではＣ１ｌの一定値を取り、位置ｔ４よ
り位置ｔＴまではＣ４よ’）Ｃ＋ｓまで一次関数的に減
少する分布状態とされている。In the example shown in FIG. 7, the distribution concentration C is at the position tB.
From position t4 to position tT, C1l takes a constant value, and from position t4 to position tT, the distribution state decreases in a linear function to C4')C+s.

第８図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに至
るまで、酸素原子の分布濃度ＣはＣ１４より零に至る様
に一次関数的に減少している。In the example shown in FIG. 8, from position tB to position tT, the distribution concentration C of oxygen atoms decreases linearly from C14 to zero.

第９図においては、位置ｔＢよシ位置ｔ、に至るまでは
酸素原子の分布濃度Ｃは、Ｃ０よりＣｌ１１まで一次関
数的に減少され、位置ｔ、と位置・秤との間においては
、Ｃ１６の一定値とされた例が示されている。In FIG. 9, from position tB to position t, the distribution concentration C of oxygen atoms decreases linearly from C0 to Cl11, and between position t and the position/scale, C16 An example is shown in which the value is set to a constant value.

第１０図に示される例においては、酸素原子の分布濃度
Ｃは位置ｔＢにおいてｃｒｔであり、位置ｔ６に至るま
ではこのＣＩ？より初めはゆっくりと減少され、ｔ６の
位置付近においてけ、急激に減少されて位置ｔ６ではＣ
ｌ１１とされる。In the example shown in FIG. 10, the distribution concentration C of oxygen atoms is crt at position tB, and up to position t6 this CI? At first, C is decreased slowly, then around position t6, it is rapidly decreased and C is decreased at position t6.
It is assumed to be l11.

位置ｔ６と位置Ｃ７との間においては、分布濃度Ｃけ初
め急激に減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少さ
れて位ｗｔ７でＣ□となり、位置ｔ？と位置ｔ、との間
では、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８にお
いて、Ｃｔ、に至る。位置ｔｓと位置ｔＴの間において
は、分布濃度ＣはＣ１゜より実質的に零になる様に図に
示す如き形状の曲線に従って減少されている。Between position t6 and position C7, the distribution concentration C is rapidly decreased at first, and then gradually decreased until it becomes C□ at position wt7, and at position t? and position t, it is gradually decreased very slowly until it reaches Ct at position t8. Between the position ts and the position tT, the distribution density C is reduced from C1° to substantially zero according to a curve shaped as shown in the figure.

以上、第２図乃至第１０図により、層領域（０）中に含
有される酸素原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つ
かを説明した様に、本発明においては、支持体側におい
て、酸素原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ｔＴ
側においては、前記分布濃Ｗ、　Ｃは支持体側に較べて
比較的低くされた部分を有する分布状態で酸素原子が含
有された層領域（０）が非晶質層に設けられている。As described above with reference to FIGS. 2 to 10, some typical examples of the distribution state of oxygen atoms contained in the layer region (0) in the layer thickness direction, in the present invention, on the support side , has a portion with a high distribution concentration C of oxygen atoms, and has an interface tT
On the side, the amorphous layer is provided with a layer region (0) containing oxygen atoms in a distribution state in which the distribution concentrations W and C are relatively lower than on the support side.

本発明において、非晶質層を構成する酸素原子の含有さ
れる層領域（０は、上記した様に支持体側の方に酸素原
子が比較的高濃度で含有されている局在領域（４）を有
すものとして設けられるのが望ましく、この場合に、支
持体と非晶質層との間の密着性をより一層向上させるこ
とが出来る。In the present invention, a layer region containing oxygen atoms constituting the amorphous layer (0 is a localized region (4) containing oxygen atoms at a relatively high concentration on the support side as described above) It is desirable that the amorphous layer be provided as having the following properties, and in this case, the adhesion between the support and the amorphous layer can be further improved.

局在領域（４）は、第２図乃至第１０図に示す記号を用
いて説明すれば、界面位置ｔＢよシ５μ以内に設けられ
るのが望ましい。If the localized region (4) is explained using the symbols shown in FIGS. 2 to 10, it is desirable that the localized region (4) be provided within 5 μ from the interface position tB.

本発明においては、上記局在領域（４）は、界面位置ｔ
Ｂより５μ厚までの全層領域ＬＴとされる場合もあるし
、又、層領域ＬＴの一部とされる場合もある。In the present invention, the localized region (4) is located at the interface position t
It may be the entire layer region LT up to 5μ thick from B, or it may be a part of the layer region LT.

局在領域（４）を層領域ＬＴの一部とするか又は全部と
するかは、形成される非晶質層に要求される特性に従っ
て適宜法められる。Whether the localized region (4) is to be a part or all of the layer region LT is determined as appropriate depending on the characteristics required of the amorphous layer to be formed.

局在領域囚はその中に含有される酸素原子の層厚方向の
分布状態として酸素原子の分布濃度の最大値Ｃｒｒ＋ａ
ｘｊ）ｉ通常は５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好
適には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以−ヒ、最適には
１０００　ａｔｏｍｉｃ　ＰＰｍ以上とされる様な分布
状態となり得る様に層形成されるのが車重しい。The local region prisoner is defined as the distribution state of oxygen atoms contained therein in the layer thickness direction, which is the maximum value Crr+a of the distribution concentration of oxygen atoms.
xj)i It is important to form a layer so as to obtain a distribution state of usually 500 atomic ppm or more, preferably 800 atomic ppm or more, and optimally 1000 atomic PPm or more.

即ち、本発明においては、酸素原子の含有される層領域
（０）は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５
μ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｒｔ＋ａｘが存
在する様に形成されるのが望ましい。That is, in the present invention, the layer region (0) containing oxygen atoms is within 5 μm in layer thickness from the support side (5 μm from tB).
It is desirable to form the layer so that the maximum value Crt+ax of the distribution concentration C exists in the layer region of μ thickness.

本発明において、第１■族原子の含有される層領域（イ
）中に含有される第■族原子の含有量としては、本発明
の目的が効果的に達成される様に所望に従って適宜決め
られるが、通常は００１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｊ
ｃ　Ｔ）ｐｍ　、好ましくは０．５〜１ｘ　１０’　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｒｒｂ最適には１〜５　Ｘ　１０’ａ
ｔｏｍｊｃｐｐｍとされるのが望ましいものである。In the present invention, the content of Group Ⅰ atoms contained in the layer region (A) containing Group Ⅰ atoms is appropriately determined as desired so that the object of the present invention is effectively achieved. However, usually 001~5 X 10' atomj
c T) pm, preferably 0.5-1x 10'a
tomic pprrb optimally 1-5 x 10'a
It is preferable that the amount is set to tomjcppm.

本発明において、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成される第
一の非晶質層（Ｉ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第一の非晶質層（１）を形成するには、基本的
にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原
料ガスと共に、水素原子ｆＨ）導入用の又は／及びノ・
ロゲン原子＋Ｘ＋導入用の原料ガスを、内部が減圧にし
得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放磁を生
起させ、予め所定位置に設置されである所定の支持表面
上にａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い
。又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡ
ｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとし
た混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットを
スバ、タリングする際、水素原子（Ｉ（）又は／及びノ
・ロゲン原子ｔＸ）導入用のガスをスパッタリング用の
（ア 堆積室に導入しておれば良い。In the present invention, to form the first amorphous layer (I) composed of a-8i (H, It is made by a vacuum deposition method. For example, in order to form the first amorphous layer (1) composed of a-8t (H, Along with the raw material gas for hydrogen atoms fH) introduction or/and no.
A raw material gas for introducing logen atoms + It is sufficient to form a layer consisting of (H,X). In addition, when forming by sputtering method, for example, A
When sputtering a target composed of Si in an atmosphere of an inert gas such as R, He, or a mixed gas based on these gases, hydrogen atoms (I() or/and ) The introduction gas may be introduced into the (a) deposition chamber for sputtering.

０ 本発明において、必要に応じて第一の非晶質層（１）中
に含有されるハロゲン原子ＩＸＩとしては、具体的には
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、
塩素を好適なものとして挙げることが出来る。0 In the present invention, specific examples of the halogen atom IXI contained in the first amorphous layer (1) as necessary include fluorine, chlorine, bromine, and iodine, particularly fluorine,
Chlorine may be mentioned as suitable.

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスとして
は、ＳｉＨ，、Ｓｔ、Ｈ，、Ｓｔ退、　、　５ｉ４Ｈ，
。等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層
構成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉ
Ｈ４，Ｓｔ、Ｈ，が好ましいものとして挙げられる。The raw material gas for supplying Si used in the present invention includes SiH,, St, H,, St, , 5i4H,
. Silicon hydride (silanes) in a gaseous state or which can be gasified, such as
Preferred examples include H4, St, and H.

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばノ・ロゲンガス、ノ・ロゲン化物、ハロゲン間
化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状
態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げら
れる。Effective raw material gases for introducing halogen atoms used in the present invention include many halogen compounds, such as gaseous halogen gases, halogenides, interhalogen compounds, and halogen-substituted silane derivatives. Preferred examples include halogen compounds that can be converted into gas or gasified.

又、更には、シリコン原子とノ・ロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、１ ハロゲン原子倉吉む硅素化合物も有効なものとして本発
明においては挙げることが出来る。Further, a silicon compound containing one halogen atom, which is in a gaseous state or can be gasified and contains a silicon atom and a halogen atom, can also be mentioned as an effective compound in the present invention.

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ン原子、　ＢｒＦ　、　ＣｅＦ　、　ＣＩＦ、　。Specifically, halogen compounds that can be suitably used in the present invention include halogen atoms of fluorine, chlorine, bromine, and iodine, BrF, CeF, and CIF.

ＢｒＦ、　、　ＢｒＦ、　、　ＩＦ、　、　ＩＦ７．　
ＩＣ１！、　　ＩＢｒ等の／Ｓ　（ｆｆゲン間化合物を
挙げることが出来る。BrF, , BrF, , IF, , IF7.
IC1! , IBr, and other /S (ff) intergen compounds can be mentioned.

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ、　、　５ｉ２Ｆ、　、　５ｉＣ１４、ＳｉＢｒ４
等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。As silicon compounds containing halogen atoms, so-called silane derivatives substituted with halogen atoms, specifically, for example, S
iF, , 5i2F, , 5iC14, SiBr4
Preferred examples include silicon halides such as the following.

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導成部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にハロゲン
原子を含むａ−８ｔから成る第一の非晶質層（１）を形
成する事が出来る。When forming the characteristic light guide member of the present invention by a glow discharge method using such a silicon compound containing a halogen atom, silicon hydride gas is not used as a raw material gas capable of supplying Si. In either case, a first amorphous layer (1) made of a-8t containing halogen atoms can be formed on a predetermined support.

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む２ 第−の非晶質層（１）を形成する場合、基本的には、Ｓ
ｉ供給用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガスとＡｒ、
Ｈｌ、Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様に（〜で第一の非晶質層（１）を形成する堆積室に導
入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰
囲気を形成することによって、所定の支持体上に第一の
非晶質層（１）を形成し得るものであるが、水素原子の
導入を図る為にこれ等のカスに更に水素原子を含む硅素
化合物のガスも所定−１混合して層形成しても良い○ 又、各ガスは単独様のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。When forming the second amorphous layer (1) containing halogen atoms according to the glow discharge method, basically S
Silicon halide gas and Ar, which are raw material gases for i supply,
Gases such as Hl and He are introduced into the deposition chamber where the first amorphous layer (1) is to be formed at a predetermined mixing ratio and gas flow rate, and a glow discharge is generated to form these gases. By forming a gas plasma atmosphere, the first amorphous layer (1) can be formed on a predetermined support, but in order to introduce hydrogen atoms, hydrogen is further added to these scum. Gases of silicon compounds containing atoms may also be mixed in a predetermined amount to form a layer.In addition, each gas may be used not only alone, but also in a mixture of multiple types at a predetermined mixing ratio. .

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る第一の非晶質層（１
）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合には
Ｓｔから成るターゲットを使用して、これを所定のガス
プラズマ雰囲気中でスパッタリングし、イオンブレーテ
ィング法の２：〜 場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源
として蒸着ポートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗
加熱法、或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によ
って加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ雰囲
気中を通過させる事で行う事が出来る。A first amorphous layer (1
), for example, in the case of the sputtering method, a target made of St is used, and this is sputtered in a predetermined gas plasma atmosphere. Alternatively, single-crystal silicon can be accommodated in the evaporation port as an evaporation source, and the silicon evaporation source can be heated and evaporated by a resistance heating method, an electron beam method (EB method), etc., and the flying evaporated material can be passed through a predetermined gas plasma atmosphere. You can do it with

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。At this time, in order to introduce halogen atoms into the layer formed by either the sputtering method or the ion blasting method, a gas of the above-mentioned halogen compound or a silicon compound containing the above-mentioned halogen atoms is introduced into the deposition chamber. It is sufficient to introduce the gas to form a plasma atmosphere of the gas.

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、迅、或いは前記したシラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやれば良い。Further, when introducing hydrogen atoms, a raw material gas for introducing hydrogen atoms, for example, a gas such as silane or the above-mentioned silanes, is introduced into a deposition chamber for sputtering to form a plasma atmosphere of the gas. Good.

本発明においてぽ、・・ロゲン原子導入用の原料ガスと
して上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして４ 使用されるものであるが、その他に、ＨＦ　、　ＨＣｅ
。In the present invention, the above-mentioned halogen compounds or halogen-containing silicon compounds are effectively used as raw material gases for introducing halogen atoms, but HF, HCe, etc.
.

ＨＢｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水素、５ｉＨ２Ｆｔ　
ｔ　ＳｉＨ，Ｉ、　ｔＳｉＨ，Ｃ／！、　５ｉＨＣ／、
　、　５ｉ）Ｉ、　Ｂｒ、　、　５ｉＨＢｒ、等のハロ
ゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し
得る、水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物も
有効な第一の非晶質層（１）形成用の出発物質として挙
げる事が出来る。Hydrogen halides such as HBr, HI, 5iH2Ft
tSiH,I, tSiH,C/! , 5iHC/,
, 5i) Halogen-substituted silicon hydrides such as I, Br, , 5iHBr, etc., and halides having hydrogen atoms as one of their constituents in a gaseous state or which can be gasified, are also effective as the first amorphous layer ( 1) Can be mentioned as a starting material for formation.

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、第一の非晶質
層（１）形成の際に層中Ｖこハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原
子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲン
原子導入用の原料として使用される。When forming the first amorphous layer (1), these halides containing hydrogen atoms also introduce hydrogen atoms, which are extremely effective in controlling electrical or photoelectric properties, at the same time as introducing V halogen atoms into the layer. Therefore, in the present invention, it is used as a suitable raw material for introducing halogen atoms.

水素原子を第一の非晶質層（１）中に構造的に導入する
には、上記の他に鴇、或いはＳｉＨ，、Ｓｔ晶。In order to structurally introduce hydrogen atoms into the first amorphous layer (1), in addition to the above-mentioned methods, cypress, SiH, or St crystals may be used.

Ｓｔ、ル１ｓ１４ＨＩｏ等の水素化硅素のガスをＳｉを
供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放
電を生起させる事でも行う事が出来る。This can also be carried out by causing a discharge by causing a silicon hydride gas, such as St, 1s14HIo, to coexist with a silicon compound for supplying Si in the deposition chamber.

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子導入用の罎ｊ ガス及びルガスを必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し
、前記Ｓｉターゲットをスパッタリングする事によって
、支持体上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る第一の非晶質
層（１）が形成される。For example, in the case of the reactive sputtering method, a Si target is used, and a plasma atmosphere is created by introducing gases and gases for introducing halogen atoms, including inert gases such as He and Ar as necessary, into the deposition chamber. By forming and sputtering the Si target, a first amorphous layer (1) made of a-8i(H,X) is formed on the support.

更には、不純物のドーピングも兼ねてＢ、ル等のガスを
導入してやることも出来る。Furthermore, a gas such as B or Ru can also be introduced to also serve as impurity doping.

本発明において、形成される光導電部材の第一の非晶質
層（１）中に含有される水素原子（［Ｉ）の量又はハロ
ゲン原子＋Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の葉の
和は通常の場合１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、好適には５
〜３０　ａｔｏｍｉ　ｃ％とされるのが望ましい。In the present invention, the amount of hydrogen atoms ([I) or halogen atoms + X) contained in the first amorphous layer (1) of the photoconductive member to be formed, or the amount of The sum is usually 1 to 40 atomic%, preferably 5
It is desirable that the content be 30 atomic%.

第一の非晶質層（１）中に含有される水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子ｆＸ）の量を制御するには、例え
ば支持体温度又は／及び水素原子（川、或いはハロゲン
原子ＩＸ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積
装置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良
い。In order to control the amount of hydrogen atoms (H) and/or halogen atoms fX) contained in the first amorphous layer (1), for example, the support temperature or/and the amount of hydrogen atoms It is only necessary to control the amount of the starting material used to contain IX) into the deposition system, the discharge force, etc.

第一の非晶質層（１）に、第■族原子を含有する層領域
（至）及び酸素原子を含有する層領域（０）を設６ けるには、グロー放電法や反応スパッタリング法等によ
る第一の非晶質層（１）の形成の際に、第■族原子導入
用の出発物質及び酸素原子導入用の出発物質を夫々前記
した第一の非晶質層（１）形成用の出発物質と共に使用
して、形成される層中にその量を制御し乍ら含有してや
る事によって成される。In order to provide the first amorphous layer (1) with the layer region (to) containing group (III) atoms and the layer region (0) containing oxygen atoms, a glow discharge method, a reactive sputtering method, etc. can be used. When forming the first amorphous layer (1) by using the above-mentioned starting materials for introducing group (III) atoms and starting materials for introducing oxygen atoms, respectively, This is accomplished by incorporating the starting material in a controlled amount into the layer formed.

第一の非晶質層（１）を構成する、酸素原子の含有され
る層領域１（刃及び第■族原子の含有される層領域θ［
０を夫々形成するにグロー放電法を用いる場合各層領域
形成用の原料ガスとなる出発物質としては、前記した第
一の非晶質層（１）形成用の出発物質の中から所望に従
って選択されたものに、酸素原子導入用の出発物質又は
／及び第■族原子導入用の出発物質が加えられる。その
様な酸素原子導入用の出発物質又は第■族原子導入用の
出発物質としては、少なくとも酸素原子或いは第■族原
子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質
をガス化したものの中の大概のものが使用され得る。Layer region 1 containing oxygen atoms (layer region θ[
When the glow discharge method is used to form each layer region, the starting material that becomes the raw material gas for forming each layer region is selected as desired from among the starting materials for forming the first amorphous layer (1) described above. A starting material for introducing an oxygen atom and/or a starting material for introducing a group Ⅰ atom is added to the above. Such a starting material for introducing oxygen atoms or a starting material for introducing group Ⅰ atoms may be a gaseous substance or a gasified substance containing at least an oxygen atom or a group Ⅰ atom as a constituent atom. Most of them can be used.

２“ン 例えば層領域（０）を形成するのであればシリコン原子
（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）
を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素原子（
Ｈ）又は及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料
ガスとを所望の混合比で混合して使用するか、又は、シ
リコン原子（Ｓｔ）を構成原子とする原料ガスと、酸素
原子（０）及び水素原子（Ｆυを構成原子とする原料ガ
スとを、これも又所望の混合比で混合するか、或いは、
シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、シ
リコン原子（Ｓｉ）、酸素原子（Ｑ）及び水素原子（１
０の３つを構成原子とする原料ガスとを混合して使用す
ることが出来る。For example, if a layer region (0) is to be formed, a raw material gas containing silicon atoms (Si) and oxygen atoms (0) are used.
A raw material gas consisting of constituent atoms and hydrogen atoms (
H) or a raw material gas containing halogen atoms (X) at a desired mixing ratio, or a raw material gas containing silicon atoms (St) and oxygen atoms (0 ) and hydrogen atoms (Fυ as constituent atoms) are mixed at a desired mixing ratio, or
A raw material gas containing silicon atoms (Si), silicon atoms (Si), oxygen atoms (Q), and hydrogen atoms (1
It can be used in combination with a raw material gas having three constituent atoms.

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子ｉＨ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。Alternatively, a raw material gas containing silicon atoms (Si) and hydrogen atoms (iH) as constituent atoms may be mixed with a raw material gas containing oxygen atoms (0) as constituent atoms.

酸素原子導入用の出発物質となるものとして　　　　□
具体的には、例えば酸素（ｑ）、オゾン（ＯＳ）　＝−
酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（Ｎｏ、）　、−二酸化
８ 窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２へ）、四三酸化窒
素（Ｎ、０．）、三二酸化窒素（Ｎｔｏｗ）、三酸化窒
素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）
と水素原子（印とを構成原子とする、例えば、ジシロキ
サン（ＨｓＳｉＯ８ｉ■も）、トリシロギサン（Ｈ，Ｓ
　ｉＯ８１Ｈ２０Ｓ　ｉＨ，）等の低級シロキサン等を
挙げることが出来る。As a starting material for introducing oxygen atoms □
Specifically, for example, oxygen (q), ozone (OS) =-
Nitric oxide (No), nitrogen dioxide (No, ), -dioxide 8 Nitrogen (N20), nitrogen sesquioxide (to N2), trinitric oxide (N, 0.), nitrogen sesquioxide (Ntow), nitrogen trioxide (NO3), silicon atom (Si) and oxygen atom (0)
For example, disiloxane (HsSiO8i), trisiloxane (H, S
Examples include lower siloxanes such as iO81H20S iH,).

増額域佃）をグロー放電法を用いて形成する場合に第■
族原子導入用の出発物質として、本発明において有効に
使用されるのは、硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ１ｌ
　、ＢａＨｓ。、　Ｂ！ｌＨ９、ＢＪ□ｔ　ＢＪｔ。。When forming the increase area (Tsukuda) using the glow discharge method,
In the present invention, B2H11 is effectively used as a starting material for introducing boron atoms.
, BaHs. , B! lH9, BJ□t BJt. .

ＢｓｈＬｚ　、Ｂ１１ＨＩ４等の水素化硼素、ＢＦ、　
、　ＢＣｌ２．　ＢＢｒ。BshLz, boron hydride such as B11HI4, BF,
, BCl2. BBr.

等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ
！３　、　ＧａＣｅ、　）　Ｇａ　（ＧＩ３　）３　、
ＩｎＣｌ３　、Ｔ／Ｃ／Ｓ　等も挙げることが出来る。Examples include boron halides such as. In addition, AlCl
! 3, GaCe, ) Ga (GI3)3,
InCl3, T/C/S, etc. can also be mentioned.

第１ｆｆ族原子を含有する層領域ω０に導入される第１
ＩＩ族原子の含有量は、堆積室中に流入される第１ＩＩ
族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流量比、放電
パワー、支持体温度、堆積室内の圧力等を制御すること
によって任意に制御され２Ｈ） 得る。The first layer introduced into the layer region ω0 containing the first FF group atoms
The content of group II atoms is the same as that of the first II atoms introduced into the deposition chamber.
2H) can be arbitrarily controlled by controlling the gas flow rate of the starting material for group atom introduction, gas flow rate ratio, discharge power, support temperature, pressure in the deposition chamber, etc.

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層領域
（０）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェー
ハー又はＳｉｎ、ウェーハー、又はＳｔとＳｉｎ、が混
合されて含有されているウェーハーをターゲットとして
、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッターリングする
ことによって行えば良い。To form a layer region (0) containing oxygen atoms by sputtering, a single crystal or polycrystalline Si wafer, a Sin wafer, or a wafer containing a mixture of St and Sin is used as a target. , these may be performed by sputtering in various gas atmospheres.

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーを
スパッターリングすｎは良い。For example, if a Si wafer is used as a target, the raw material gas for introducing oxygen atoms and optionally hydrogen atoms and/or halogen atoms is diluted with a diluent gas as necessary, and then the material gas for introducing oxygen atoms and optionally hydrogen atoms and/or halogen atoms is diluted with a diluting gas as necessary, and a deposition chamber for sputtering is prepared. It is recommended that the Si wafer be sputtered by introducing the gas into the Si wafer and forming a gas plasma of these gases.

又、別には、ＳｉとＳｉＯ□とは別々のターゲットとし
て、又はＳｉとＳｉＯ□の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又ｖ
′ｉ／及びハロゲン原子０００ を構成原子として含有するガス′シに囲気中でスパッタ
ーリングすることによって成される。酸素原子導入用の
原料ガスとして＆７Ｌ１先述したグロー放電の例で示し
た原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガスが、スパッ
ターリングの場合にも有効なガスとして使用され得る。Alternatively, by using Si and SiO□ as separate targets, or by using a single mixed target of Si and SiO□, at least hydrogen atoms can be generated in an atmosphere of dilution gas as a sputtering gas. (H) also v
This is accomplished by sputtering in an ambient atmosphere a gas containing 000 halogen atoms and 000 halogen atoms as constituent atoms. &7L1 as a raw material gas for introducing oxygen atoms The raw material gas for introducing oxygen atoms among the raw material gases shown in the glow discharge example described above can also be used as an effective gas in the case of sputtering.

本発明において、第一の非晶質層（１）をグロー放電法
で形成する際に使用される稀釈ガス或いはスパッターリ
ング法で形成きれる際に使用されるスパッターリング用
のガスとしては、所謂稀カス、例えばＨｅ　、　Ｎｅ　
、　Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。In the present invention, the dilution gas used when forming the first amorphous layer (1) by the glow discharge method or the sputtering gas used when the first amorphous layer (1) can be formed by the sputtering method is a so-called rare gas. Dregs, such as He, Ne
, Ar, etc. can be cited as suitable examples.

第１図に示される光導電部材１００に於いては第一の非
晶質層（１）１０２上に形成される第二の非晶質層（Ｉ
ｔ）１０６は自由表面１０７を有し、主に耐湿性、連続
繰返し使用特性、耐圧性、使用環境特性、耐久性に於い
て本発明の目的を達成する為に設けられる。In the photoconductive member 100 shown in FIG. 1, a second amorphous layer (I) is formed on a first amorphous layer (1) 102.
t) 106 has a free surface 107, and is provided mainly to achieve the objectives of the present invention in terms of moisture resistance, continuous repeated use characteristics, pressure resistance, use environment characteristics, and durability.

又、本発明に於いては、第一の非晶質層（１）と第二の
非晶質層（ｎ）とを構成する非晶質材料の各３」 々がシリコン原子という共通の構成要素を有しているの
で、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成さ
れている。Further, in the present invention, each of the amorphous materials constituting the first amorphous layer (1) and the second amorphous layer (n) has a common structure of silicon atoms. Because of the presence of these elements, chemical stability is sufficiently ensured at the laminated interface.

第二の非晶質層（ＩＴ）は、シリコン原子と炭素原子と
ハロゲン原子ｆＸ）とで構成される非晶質材料（ａ−（
ＳｉｚＣｓ−ｚ）ｙＸ＋−ｙ　＋但し０＜ｘ、ｙ＜１）
で形成される。The second amorphous layer (IT) is an amorphous material (a-(
SizCs-z)yX+-y +However, 0<x, y<1)
is formed.

ａ−（５ｔＸＣ＋−ｘ　）　ｙｘｌ　−ｙ　テ構成され
る第二ノ非晶質層（１）の形成はグロー放電法、スパッ
タリング法、イオンプランテーション法、イオンブレー
ティング法、エレクトロンと一ム法等によって成される
。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程
度、製造規模、作製される光導電部材に所望さ扛る特性
等の機内によって適宜選択されて採用されるが、所望す
る特性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の制
御が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及
びハロゲン原子を、作製する第二の非晶質層（ＩＩ）中
に導入するのが容易に行える等の利点からグロー放電法
或いはスパッターリング法が２ 好適に採用される。The second amorphous layer (1) composed of a-(5t will be accomplished. These manufacturing methods are selected and adopted as appropriate depending on the manufacturing conditions, the amount of equipment capital investment, the manufacturing scale, the desired characteristics of the photoconductive member to be manufactured, etc. It is relatively easy to control the manufacturing conditions for manufacturing the photoconductive member, and it is easy to introduce carbon atoms and halogen atoms together with silicon atoms into the second amorphous layer (II) to be manufactured. Due to these advantages, the glow discharge method or the sputtering method is preferably employed.

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二の非晶質層（Ｉ
ｔ）を形成しても良い。Furthermore, in the present invention, the second amorphous layer (I
t) may be formed.

グロー放電法によって第二の非晶質層（１１）を形成す
るには、ａ−（ＳｉｚＣｌ　ｚ）ｙＸ＋−ｙ形成用の原
料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体の設置しである真空堆積用の堆積室に導
入し、導入されたガスを、グロー放璽を生起させること
でガスプラズマ化して前記支持体上に既に形成されであ
る第一の非晶質層（１）上にａ　（ｓｔｘｃ、　ｚ）ｙ
Ｘ＋−ｙを堆積させれば良い。In order to form the second amorphous layer (11) by the glow discharge method, a raw material gas for forming a-(SizCl z)yX+-y is mixed with dilution gas at a predetermined mixing ratio as necessary. Then, the introduced gas is introduced into a deposition chamber for vacuum deposition where the support is installed, and the introduced gas is turned into gas plasma by causing glow emission, thereby removing the first layer already formed on the support. a (stxc, z)y on the amorphous layer (1) of
It is sufficient to deposit X+-y.

本発明に於いて、ａ　（５ＩＫ４−ｚ）ｙ−Ｘ＋−ｙ形
成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓｔ）、炭素
原子（Ｃ）、ハロゲン原子＋Ｘ）の中の少なくとも１つ
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質を
ガス化したものの中の大概のものが使用され得る。In the present invention, as the raw material gas for forming a (5IK4-z)y-X+-y, at least one of silicon atoms (St), carbon atoms (C), halogen atoms + Most gaseous substances or gasified substances that can be gasified can be used.

Ｓｉ、Ｃ，Ｘ　の中の１つとしてＳｔを構成原子３；−
３ とする原料ガスを使用する場合は、例えばＳｉを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、
Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、
Ｃ及びＸを構成原子とする原料ガスとを、これも又所望
の混合比で混合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする
原料ガスと、Ｓｉ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することが出来る。St as one of Si, C, X constituent atoms 3;-
3, for example, a source gas containing Si as a constituent atom, a source gas containing C as a constituent atom,
A raw material gas containing X as a constituent atom is mixed at a desired mixing ratio, or a raw material gas containing Si as a constituent atom is used.
A source gas containing C and X as constituent atoms is also mixed at a desired mixing ratio, or a source gas containing Si as constituent atoms and three of Si, C, and It can be used in combination with raw material gas.

又、別には、ＳｉとＸ　とを構成原子とする原料ガスに
Ｃを構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い
。Alternatively, a raw material gas containing Si and X 2 as constituent atoms may be mixed with a raw material gas containing C as constituent atoms.

本発明に於いて、第二の非晶質層（ＩＩ）中に含有され
るハロゲン原子ｆＸｌとして好適なのはＦ、　Ｃ／。In the present invention, F, C/ are suitable as the halogen atoms fXl contained in the second amorphous layer (II).

Ｂｒ　、　Ｉであり、殊にＦ　、　Ｃｅが望ましいもの
である。Br and I, with F and Ce being particularly desirable.

本発明に於いて、第二の非晶質層（１１）は、ａ−（Ｓ
　ｉ　ｘ　Ｃ１−２）　ｙＸｓ−ｙで構成されるもので
あるが、更に水素原子を含有させることが出来る。In the present invention, the second amorphous layer (11) is a-(S
i x C1-2) yXs-y, but it is possible to further contain a hydrogen atom.

′ネ４ 第二の非晶質層（１１）への水素原子の含有は、第一の
非晶質層（１）との連続層形成の際に原料ガス種の一部
共通化を図ることが出来るので生産コスト面の上で好都
合である。4. The inclusion of hydrogen atoms in the second amorphous layer (11) is intended to make some of the raw material gas types common when forming a continuous layer with the first amorphous layer (1). This is advantageous in terms of production costs.

本発明に於いて、第二の非晶質層（ｎ）を形成するのに
有効に使用される原料ガスと成り得るものとしては、常
温常圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る
物質を挙げることが出来る。In the present invention, raw material gases that can be effectively used to form the second amorphous layer (n) include those that are in a gaseous state at room temperature and normal pressure or that are easily gasified. I can list the substances that can be obtained.

この様な第二の非晶質層（ＩＩ）形成用の物質としては
、例えば炭素ａ１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４の
エチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化
水素、ノ・ロゲン単体、ノ・ロゲン化水素、ノ・ロゲン
間化合物、ノ・ロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素
、水素化硅素等を挙げる事が出来る。Examples of the substance for forming the second amorphous layer (II) include saturated hydrocarbons having 1 to 4 carbon atoms, ethylene hydrocarbons having 2 to 4 carbon atoms, and acetylene hydrocarbons having 2 to 3 carbon atoms. Examples include hydrogen, halogen alone, halogenated hydrogen, halogenated intercompounds, halogenated silicon, halogen-substituted silicon hydride, and silicon hydride.

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ，）、
エタン（ＣＪａ　）　ｒプロパン（Ｃ晶）、　ｎ−ブタ
ン（ｎ−Ｃ４Ｈ＋ｏ）　＋ペンタン（Ｃ，Ｈ，、）　、
　ｘテレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ，Ｈ４）
、プロビレ＋）Ｕ ン（ＣＳａ　）　、ブテン−１（Ｃ，Ｈａ）、ブテン−
２（Ｃ４Ｈ８’）　。Specifically, the saturated hydrocarbons include methane (CH,),
Ethane (CJa) r-propane (C crystal), n-butane (n-C4H+o) + pentane (C, H,,),
x Terene hydrocarbons include ethylene (C, H4)
, Probile+) U (CSa), Butene-1 (C,Ha), Butene-1
2(C4H8').

インブチレン（Ｃ４Ｈ８）　、ペンテン（ＣｓＨｌｏ）
　、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（ｃａ
ｔｔ）　。Inbutylene (C4H8), Pentene (CsHlo)
, acetylene hydrocarbons include acetylene (ca
tt).

メチルアセチレン（ＣＳＴ（４）、ブテン（Ｃ４Ｈ１ｌ
）　、ハロゲン単体としては、フッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水素としては、ＦＨ、
ＨＩ　、　ＨＣｅ　、　ＨＢｒ　、　ハロゲン化硅素と
しては、ＢｒＦ　、　ＣＩＦ　、　ＣＩＦ、　、　ＣＩ
Ｆｇ　、　ＢｒＦ＝　、　ＢｒＦＨ。Methyl acetylene (CST(4), butene (C4H1l)
), halogen gases include fluorine, chlorine, bromine, and iodine, and hydrogen halides include FH,
HI, HCe, HBr, silicon halides include BrF, CIF, CIF, , CI
Fg, BrF=, BrFH.

ＩＦ７　、　ＩＦ、　、　ＩＣｅ、　ＩＢｒ、　ハロゲ
ン化硅素としてはＳｉＦ、　、　５ｉｚＦａ　、　５ｉ
Ｃｅ、、　ＳｉＣ／、Ｂｒ、　ＳｉＣ／２Ｂｒ、　。IF7, IF, , ICe, IBr, silicon halide is SiF, , 5izFa, 5i
Ce, SiC/, Br, SiC/2Br, .

５ｉＣｅＢｒ、　、　５ｉＣｅ、Ｉ、　５ｉＢｒ、　、
　ハロゲン置換水素化硅素としては、５ｉｌ（２Ｆ、　
、　５ｉＨ２Ｃ／２．５ｉＨＣ／、。5iCeBr, , 5iCe,I, 5iBr, ,
As the halogen-substituted silicon hydride, 5il (2F,
, 5iH2C/2.5iHC/,.

５ｉＨＩＣｅ、　ＳｉＨ，Ｂｒ、　ＳｉＨ，Ｂｒ、　、
　５ｉＨＢｒ８．水素化硅素としては、ＳｉＨ，、Ｓｔ
、ル、　Ｓｉ、Ｈ，０等のシラン（５ｉｌａｎｅ　）類
、等々を挙げることが出来る。5iHICe, SiH,Br, SiH,Br, ,
5iHBr8. As silicon hydride, SiH, St
, Si, H, 0, and other silanes.

これ等の他に、ＣＣ／４　、　ｃＨＦ′ｓ　＊　ＣＨｇ
Ｆｔ　＋　ＣＨｓＦ　＊ＣＨ３Ｃｅ、　ＣＨ，Ｂｒ、　
ＣＨ，Ｉ、　ｃ、ａｃｅ等ノハロケン置換パラフィン系
炭化水素、　　ＳＦ、、　ＳＦ、等のフッ素化　　　　
□硫黄化合物、　Ｓｔ　（ｃＨｓ）４　、Ｓｔ　（（＜
Ｈａ）＋　２等のケイ化アルキルやＳｉＣ／（ＣＨａ）
ｓ　＋　ＳｉＣ／ｘ（ＣＨｓ）ｔ　＋　ＳｉＣ／３−Ｇ 等のハロゲン含有ケイ化アルキル等のシラン誘導体も有
効なものとして挙げることが出来る。In addition to these, CC/4, cHF's * CHg
Ft + CHsF *CH3Ce, CH, Br,
Fluorination of halogen-substituted paraffinic hydrocarbons such as CH, I, c, ace, SF, etc.
□Sulfur compounds, St (cHs)4, St ((<
Alkyl silicides such as Ha) + 2 and SiC/(CHa)
Silane derivatives such as halogen-containing alkyl silicides such as s + SiC/x(CHs)t + SiC/3-G can also be mentioned as effective.

これ等の第二の非晶質層（ＩＩ）形成物質は、形成され
る第二の非晶質層（１）中に、所定の組成比でシリコン
原子、炭素原子及びハロゲン原子と必要に応じて水素原
子とが含有される様に、第二の非晶質層（ｎ）の形成の
際に所望に従って選択されて使用される。These second amorphous layer (II) forming substances are mixed with silicon atoms, carbon atoms and halogen atoms in a predetermined composition ratio in the second amorphous layer (1) to be formed, as necessary. It is selected and used as desired when forming the second amorphous layer (n) so that it contains hydrogen atoms.

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得るＳ　
ｉ　（ＣＨｓ）ｔと、ノ為ロゲン原子を含有させるもの
としての５ｉＨＣｌ！、　、　ＳｉＣ／４．　ＳｉＨ，
ＣＩ！、。For example, S can easily contain silicon atoms, carbon atoms, and hydrogen atoms, and can form a layer with desired characteristics.
i (CHs)t and 5iHCl as a substance containing a merogen atom! , , SiC/4. SiH,
CI! ,.

或いはＳ　ｉＦｂ　Ｃ／等を所定の混合比にしてガス状
態で第二の非晶質層（ＩＩ）形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることによってａ　　（ＳｉｘＣ
１−７）　ｙ　（Ｃ／　＋Ｈ）ｔ−ｙから成る第二の非
晶質層（ｆｆ）を形成することが出来る。Alternatively, a (SixC
1-7) A second amorphous layer (ff) consisting of y (C/ +H)ty can be formed.

スパッターリング法によって第二の非晶質層（Ｉｔ）を
形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉミラニーへ又は
Ｃウェーハー又はＳｉとＣが混合され３°ン て含有されているウエーノ・−をターゲットとして、こ
れ等をハロゲン原子と必要に応じて水素原子を構成要素
として含む種々のガス雰囲気中でスパッターリングする
ことによって行えば良い。To form the second amorphous layer (It) by the sputtering method, a single crystal or polycrystalline Si wafer, a C wafer, or a wafer containing Si and C mixed at 3° is used. This can be carried out by sputtering using these as a target in various gas atmospheres containing halogen atoms and, if necessary, hydrogen atoms as constituent elements.

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＸを導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハ
ーをスパッターリングすれば良い。For example, if a Si wafer is used as a target, the raw material gas for introducing C and The Si wafer may be sputtered by forming plasma.

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、少なくともノ）ロゲン原子を含有するガス雰
囲気中でスパッターリングすることによって成される。Separately, Si and C can be formed by sputtering in a gas atmosphere containing at least halogen atoms, using separate targets or a single mixed target of Si and C. be done.

Ｃ及びＸ、必要に応じてＨの導入用の原料ガスとなる物
質としては先述したグロー放電の例で示した第二の非晶
質層（ｎ）形成用の物質がスパッターリング法の場合に
も有効な物質として使用され得る。In the case of the sputtering method, the material for forming the second amorphous layer (n) shown in the glow discharge example mentioned above can be used as the raw material gas for introducing C, X, and H if necessary. can also be used as effective substances.

８ 本発明に於いて、第二の非晶質層（ｎ）をグロー放電法
又はスパッターリング法で形成する際に使用される稀釈
ガスとしては、所謂・希ガス、例えばＨｅ　、　Ｎｅ　
、　Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。8 In the present invention, the diluent gas used when forming the second amorphous layer (n) by a glow discharge method or a sputtering method is a so-called rare gas, such as He or Ne.
, Ar, etc. can be cited as suitable examples.

本発明に於ける第二の非晶質層（ｉｆ）は、その要求さ
れる特性が所望通りに与えられる様に注慧深く形成され
る。The second amorphous layer (if) in the present invention is carefully formed so as to provide the desired properties.

即ち、Ｓｔ、Ｃ及びＸ、必要に応じてＨを構成原子とす
る物質は、その作成条件によって構造的には結晶からア
モルファスまでの形態を取り、電気物性的には、導電性
から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導電的性
質から非光導電的性質までの間の性質を、各々示すので
本発明に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ
　−（５ｉＸＣ＋　Ｘ　）　ｙｘ、　ｙが形成される様
に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される
。In other words, substances whose constituent atoms are St, C, X, and optionally H have a structure ranging from crystalline to amorphous depending on the preparation conditions, and electrical properties ranging from conductivity to semiconductivity. In the present invention, a that exhibits properties ranging from insulating properties to properties ranging from photoconductive properties to non-photoconductive properties, and has desired properties depending on the purpose.
In order to form -(5iXC+

例えば、第二の非晶質層（ＩＩ）を耐圧性の向上を主な
目的として設けるにはａ−（ＳｔｚＣ％−ｚ　）　ｙＸ
、−ｙは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非
９ 品質材料として作成される。For example, to provide the second amorphous layer (II) with the main purpose of improving pressure resistance, a-(StzC%-z) yX
, -y is made as a non-9 quality material with significant electrically insulating behavior in the environment of use.

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の非晶質層（ＩＩ）が設けられる場合に
は上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射さ
れる光に対しである程度の感度を有する非晶質材料とし
てａ−（Ｓｉｘｃｔ−ｘ）ｙｘ、　ｙ　が作成される。In addition, when the second amorphous layer (II) is provided with the main purpose of improving the characteristics of continuous repeated use and the characteristics of the usage environment, the above-mentioned degree of electrical insulation is relaxed to some extent, and it becomes more resistant to the irradiated light. a-(Sixct-x)yx,y is created as an amorphous material having a certain degree of sensitivity.

第一の非晶質層（Ｉ）の表面にａ−（ＳｉｘＣ１ｚ）ｙ
Ｘ＋−）’から成る第二の非晶質層（Ｉｆ）を形成する
際、層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び
特性を左右する重要な因子であって、本発明に於いては
、目的とする特性を有する　ａ−（ＳｉｘＣ４−ｘ）ｙ
Ｘｌ−ｙ　が所望通りに作成され得る様に層構成時の支
持体温度が厳密に制御されるのが望ましい。a-(SixC1z)y on the surface of the first amorphous layer (I)
When forming the second amorphous layer (If) consisting of has the desired properties a-(SixC4-x)y
It is desirable that the temperature of the support during layer construction be tightly controlled so that Xl-y can be created as desired.

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（ＩＩ）の形成法に併せて適宜最適範囲
が選択されて、第二の非晶質層（ＩＩ）の形成が実行さ
れるが、通常の場合、５０〜３５０℃、好適には１００
〜２５０℃とされるのが望まし０ いものである。第二の非晶質層（ＩＩ）の形成には、層
を構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他
の方法に較べて比較的容易である事等の為に、グロー放
電法やスパッターリング法の採用が有利であるが、これ
等の層形成法で第二の非晶質層（ｎ）を形成する場合に
は、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワー
が作成されるａ−（ＳｉｘＣ１−２）ｙＸｔ−３’の特
性を左右する重要な因子の１つである。In the present invention, an optimal range is selected as appropriate in accordance with the method of forming the second amorphous layer (II) in order to effectively achieve the desired purpose, and the second amorphous layer (II) is Formation II) is carried out, typically at temperatures between 50 and 350°C, preferably at 100°C.
A temperature of ~250°C is desirable. In forming the second amorphous layer (II), delicate control of the composition ratio of atoms constituting the layer and control of the layer thickness are relatively easy compared to other methods. Although it is advantageous to employ a glow discharge method or a sputtering method, when forming the second amorphous layer (n) using these layer forming methods, the temperature of the layer formation as well as the support temperature described above must be adjusted. The actual discharge power is one of the important factors that influences the characteristics of the generated a-(SixC1-2)yXt-3'.

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有するａ−
（ＳｉｘＣ１−Ｘ）ｙｘｌ−ｙが生産性良く効果的に作
成される為の放電パワー条件とし−Ｃは通常１０〜３０
０Ｗ、好適には２０〜２００Ｗである。a- having the characteristics for achieving the object of the present invention;
The discharge power conditions for (SixC1-X)yxl-y to be produced effectively with good productivity are -C, which is usually 10 to 30
0W, preferably 20-200W.

堆積室内のガス圧は通常は０．０１〜ＩＴｏｒｒ　。The gas pressure inside the deposition chamber is usually 0.01 to ITorr.

好適には、０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ程度とされるのが
望ましい。Preferably, it is about 0.1 to 0.5 Torr.

本発明に於いては第二の非晶質層（［１）を作成する為
の支持体温度、放電パワーの望ましい数値範鼓として前
記した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファク
ターは、独立的に別々に１ 決められるものではなく、所望特性のａ−（ＳｉｘＣ＋
　−ｘ　）　ｙＸｘ−ｙから成る第二の非晶質層（ＩＩ
）が形成される様に相互的有機的関連性に基づいて各層
作成ファクターの最適値が決められるのが望ましい。In the present invention, the values within the above-mentioned ranges are mentioned as desirable numerical ranges for the support temperature and discharge power for creating the second amorphous layer ([1), but these layer creation factors are not determined independently and separately, but are based on the desired characteristics a-(SixC+
-x) yXx-y second amorphous layer (II
) is preferably formed, so that the optimum value of each layer creation factor is determined based on the mutual organic relationship.

本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層（ｎ）に含
有される炭素原子及びハロゲン原子の量は、第二の非晶
質層（ｒｌ）の作製条件と同様、本発明の目的を達成す
る所望の特性が得られる第二の非晶質層（ｎ）が形成さ
れる重要な因子である。The amount of carbon atoms and halogen atoms contained in the second amorphous layer (n) in the photoconductive member of the present invention is the same as the production conditions of the second amorphous layer (rl) according to the present invention. is an important factor in the formation of the second amorphous layer (n), which provides the desired properties to achieve the objective.

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＩ）に含有される炭
素原子の量は通常Ｉ　Ｘ　１０−３〜９０ａｔｏｍｉｃ
チ。The amount of carbon atoms contained in the second amorphous layer (II) in the present invention is usually I x 10-3 to 90 atomic
blood.

好適には１〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８
０ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望ましいものである・
０ハロゲン原子の含有量としては、通常の場合、８ １〜２０　ａｔｏｍｉｃチ、好適には１〜＠４ａｔｏｍ
ｉｃ％。Preferably 1-90 atomic%, optimally 10-8
It is desirable to set it to 0 atomic %.
The content of 0 halogen atoms is usually 8 1 to 20 atoms, preferably 1 to 4 atoms.
ic%.

最適には２〜１５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望まし
く、これ等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作
成される光導電部材を実際面に充分適用させ得るもので
ある。必要に応じて含有され４゛ノ る水素原子の含有量としては、通常の場合１９ａｔｏｍ
ｉｃ％、好適には１３　ａｔｏｍｉｃ％以下とされるの
が望ましいものである。即ち先のａ−（ＳｉｘＣ，−Ｘ
ムｒ’ｂＸＩｙのｘ、ｙ表示で行えばＸが通常０、］〜
０．９９９９９．好適には０．１〜０．９９’、最適に
１よ０．１５〜０．９．ｙが通常０．８〜０．９９．好
適には０．８２〜０．９９で最適には０．８５〜０．９
８あるのが望ましい。ハロゲン原子と水素原子の両方が
含まれる場合、先と同様のａ−（Ｓｉｘ（４−ｘ）ｙ（
Ｈ＋Ｘ）１−ｙの表示で行えばこの場合のＸ、ｙの数値
範囲範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要
な因子の１つである。The optimum content is preferably 2 to 15 atomic %, and photoconductive members prepared when the halogen atom content is within this range can be sufficiently applied in practice. The content of hydrogen atoms, which are included as necessary, is usually 19 atoms.
ic%, preferably 13 atomic% or less. That is, the previous a-(SixC, -X
If you do it in the x, y representation of mul'bXIy, X is usually 0,] ~
0.99999. Preferably from 0.1 to 0.99', optimally from 1 to 0.15 to 0.9'. y is usually 0.8 to 0.99. Preferably 0.82 to 0.99, optimally 0.85 to 0.9
It is desirable that there be 8. When both a halogen atom and a hydrogen atom are included, the same a-(Six(4-x)y(
If expressed as H+X)1-y, the numerical range of X and y in this case is one of the important factors for effectively achieving the object of the present invention.

南の層厚との関係に於いても、おのおのの１＃１１：３ 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。In relation to the thickness of each layer in the south, it is desirable to consider the economical aspects of each layer, including productivity and mass production.

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＩ）の層厚としては
、通常０．００３〜３０μ、好適には０．００４〜２０
μ、最適にはｏ、ｏｏｓ〜ｌＯμ　とされるのが望まし
いものである。The layer thickness of the second amorphous layer (II) in the present invention is usually 0.003 to 30 μm, preferably 0.004 to 20 μm.
It is desirable that μ is optimally set to o, oos to lOμ.

４ 本発明におい−Ｃ使用される支持体とし−Ｃｔよ、導電
性でも電気絶縁性でめつ−Ｃも良い。導電性支持体とし
ては、聞えは、　Ｎｉ０ｒ、ステンレス。4 In the present invention, -C is used as a support, and -Ct may be used, and -C may also be used because it is conductive or electrically insulating. As the conductive support, Ni0r and stainless steel are used.

Ａｅ、　Ｏｒ　、　ｈ　、　Ａｕ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ
　、　Ｖ　、　Ｔｉ　、　Ｐｔ　、　Ｐｄ　”４＝の金
輌又はこれ等の合金が挙げらｎる。Ae, Or, h, Au, Nb, Ta
, V, Ti, Pt, Pd, or alloys thereof.

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。Polyester is used as the electrically insulating support.

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。Polyethylene, polycarbonate, cellulose acetate, polypropylene, polyvinyl chloride.

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミは ド等の合成樹脂のフィルム又に７−ト、ガラス。Polyvinylidene chloride, polystyrene, polyamide Synthetic resin films such as hardwood, glass, etc.

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けらｎ
るのが望ましい。Ceramic, paper, etc. are commonly used. These electrically insulating supports preferably have at least one surface conductively treated, and another layer is provided on the conductively treated surface side.
It is desirable to

例えば、ガラスでろ扛ば、その表面に、Ｎｉ０ｒ　。For example, if you filter it with glass, Ni0r will be on the surface.

ＡＪ、　Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｎ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、Ｔａ、　
Ｖ、　Ｔｉ　、　Ｐｔ　、　Ｐｄ、’、Ｉｎ、０１゜Ｓ
ｎＯ２，Ｉ’ｌ０（Ｉｎ、０．　＋　５ｎＯＪ等から成
る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或いは
ポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであｎば、
Ｎ１（ｊｒ　、　Ａｌ　、　Ａｇ　、　ｉ’ｂ　、　Ｚ
ｎ　、　Ｎｉ　、　Ａｕ　、　Ｏｒ　、　Ｍｏ　、　Ｉ
ｒ　。AJ, Or, Mo, An, Ir, Nb, Ta,
V, Ti, Pt, Pd,', In, 01°S
Conductivity can be imparted by providing a thin film made of nO2, I'l0 (In, 0. + 5nOJ, etc.), or if it is a synthetic resin film such as a polyester film,
N1(jr, Al, Ag, i'b, Z
n, Ni, Au, Or, Mo, I
r.

１１：） Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ、　Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜
を真空蒸着。11:) Vacuum deposition of a thin film of metal such as Nb, Ta, V, Ti, Pt, etc.

電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、
又は前記金属でその表面をラミネート処理して、その表
面に導電性が付与さ扛る０支持体の形状としては、円筒
状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって
、その形状は決定さｎるが、例えば、第１図の光導電部
材１００を電子写真用像形成部材として使用するのであ
れば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状
とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導
電部材が形成さｎる様に適宜決定さｎるが、光導電部材
として可撓性が要求される場合には、支持体としての機
能が充分発輝される範囲内であれば可能な限り薄くさ扛
る。丙午ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上
、機械的強度等の点から、通常は１０μ以上とされる。Provided on the surface by electron beam evaporation, sputtering, etc.
Alternatively, the surface may be laminated with the metal to impart conductivity to the surface.The shape of the support may be any shape such as a cylinder, a belt, or a plate, and the shape may be changed as desired. For example, if the photoconductive member 100 of FIG. 1 is used as an electrophotographic image forming member, it is preferable to use an endless belt or a cylindrical shape for continuous high-speed copying. The thickness of the support is determined appropriately so that the desired photoconductive member is formed, but if flexibility is required for the photoconductive member, the thickness of the support may be determined to have sufficient function as a support. Apply as little light as possible within the area that will be illuminated. In such cases, the thickness is usually set to 10μ or more from the viewpoint of manufacturing and handling of the support, mechanical strength, etc.

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。Next, an outline of an example of the method for manufacturing a photoconductive member of the present invention will be explained.

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示４に すＯ 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、不元明の
夫々の層領域を形成するための原料ガスが密封さ才ｔて
おり、その１例とし−Ｃｆ＋ｌＪえば１１０２　ｕ、ｌ
ｉｅで稀釈さ才した５ｉＨ４（純度９９．９９９％、以
下Ｓｉｔ上／　Ｈｅと略す。）ボンベ、　　１１０３は
Ｈｅで稀釈さ７ｔｒ＝ 稀釈されたＳｉＦ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｅ
３　ｉ　Ｆ。Figure 11 shows an example of a photoconductive member manufacturing apparatus. In the gas cylinders 1102 to 1106 in the figure, raw material gases for forming the respective layer regions are sealed. As an example, -Cf+lJ is 1102 u, l
5iH4 (purity 99.999%, hereinafter abbreviated as Sit/He) cylinder, 1103 diluted with He 7tr = diluted SiF4 gas (purity 99.999%, hereinafter E)
3 i F.

／　Ｈｅと略す。）ポンベである。/ Abbreviated as He. ) Pombe.

こ扛らのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ、１１２２〜１１２６
゜リークバルブ１１３５が閉じられていることヲ＃認し
、又、流入バルブ１１１２〜１１１６％流出バルブ１１
１７〜１１２１　、補助バルブ１１３２　、１１３３が
開か扛ていることを確認して先づメインバルブ１１３４
　＊開いて反応室１１０１　、ガス配管内を排気する。In order to flow these gases into the reaction chamber 1101, valves of gas cylinders 1102 to 1106 and 1122 to 1126 are used.
Check that the leak valve 1135 is closed, and the inflow valves 1112 to 1116% and the outflow valve 11
17 to 1121, confirm that the auxiliary valves 1132 and 1133 are open, and then open the main valve 1134.
*Open the reaction chamber 1101 and exhaust the inside of the gas pipe.

次に真空計１１３６のｉ抗みが約５　ｘ　１０’　ｔｏ
ｒｒになった時点で１１“ン 補助バルブ１１３２　、１１３３、流出バルブ１１１７
〜１１２１を閉じる。Next, the i resistance of the vacuum gauge 1136 is approximately 5 x 10' to
When the temperature reaches rr, 11" auxiliary valves 1132, 1133, outflow valve 1117
~Close 1121.

次に、基体１１３７上に第１図に示す層構成の光導電部
材を形成する場合の１例をあげる。ガスボンベ１１０２
より８　ｉ　）（４／　Ｈｅガス、ガスボンベ１１０３
よりＢ２Ｈ，／　Ｈｅガスを、ガスボンベ１１０５より
Ｈｅガスを夫々バルブ１１２２　、１１２３　、１１２
５を開いて出口圧ゲージ１，１２７　、１１２８　、１
１３０Ω圧を夫々１　ｋｇ　／ｃｒｄに調整し、流入バ
ルブ１１１２　、１１１３　、１１１５を夫々除々に開
け−〔、マスフロコントローラ１１０７．１１０８　。Next, an example will be given in which a photoconductive member having the layer structure shown in FIG. 1 is formed on the base 1137. Gas cylinder 1102
8 i) (4/ He gas, gas cylinder 1103
B2H,/He gas is supplied from the gas cylinder 1105, and He gas is supplied from the gas cylinder 1105 through the valves 1122, 1123, 112, respectively.
5 and outlet pressure gauges 1,127, 1128, 1
Adjust the 130Ω pressure to 1 kg/crd, and gradually open the inlet valves 1112, 1113, and 1115, respectively.

１１１０内に流入させる。引き続いて流出バルブ１１１
７　。1110. Subsequently, the outflow valve 111
7.

１１．１８　、１１２０　、補助バルブ１１３２を除々
に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。こ
のときのＳ　ｉ　Ｈ４／　１−（ｅガス流量とＢＪＩ６
／　Ｈｅガス流ｔ　　Ｈｅガス流量との比が所望の値に
なるように流出バルブ１１１７　、１１１８　、１１２
０を調整し、又、反応室内の圧力が所望の値になるよう
に真空計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１１３
４の開口を調整する。11.18 and 1120, the auxiliary valves 1132 are gradually opened to allow the respective gases to flow into the reaction chamber 1101. At this time, S i H4/1-(e gas flow rate and BJI6
/ He gas flow t Outflow valves 1117, 1118, 112 so that the ratio of He gas flow rate to the He gas flow rate becomes a desired value.
0 of the main valve 113 while checking the reading on the vacuum gauge 1136 so that the pressure inside the reaction chamber reaches the desired value.
Adjust the aperture number 4.

そして基体シリンダー１１３７の温度が加熱ヒーター　
１１３８により５０〜４００°Ｃの範囲の温度に設定さ
！１８ れていることを確認された後、電源１１４０を所望の電
力に設定して反応室１１０１内にグロー放電を生起させ
、同時にあらかじめ設計された変化率曲線に従ってＨｅ
ガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によ
ってバルブ１１２０を漸次変化させる操作を行なって形
成される層中に含有される酸素原子の層厚方向の分布濃
度を制御する。Then, the temperature of the base cylinder 1137 is increased by the heating heater.
1138 to set the temperature in the range of 50-400°C! 18 After confirming that the He
The distribution concentration of oxygen atoms contained in the formed layer in the layer thickness direction is controlled by gradually changing the gas flow rate manually or by using an externally driven motor or the like by operating the valve 1120.

上記の様にして、所望層厚に硼素原子と酸素原子の含有
された層領域（Ｂ、　０）が形成された時点で、流出バ
ルブ１１１８．１１２０を閉じ、反応室１１０１内への
Ｂ！Ｈ６／Ｈｅガス及びＮｏガスの流入を遮断する以外
は、同条件にて引続き層形成を行うことによって、酸素
原子及び硼素原子の含有されない層領域を層領域（Ｂ、
Ｏ）上に所望の層厚に形成する。この様にして、所望特
性の非晶質層を基体１１３７上に形成することが出来る
。As described above, when the layer region (B, 0) containing boron atoms and oxygen atoms is formed to the desired layer thickness, the outflow valves 1118 and 1120 are closed and B! into the reaction chamber 1101. By continuing layer formation under the same conditions except for blocking the inflow of H6/He gas and No gas, the layer region containing no oxygen atoms and boron atoms is transformed into a layer region (B,
O) Formed on the film to a desired thickness. In this manner, an amorphous layer with desired characteristics can be formed on the substrate 1137.

硼素原子の含有される層領域（ｌｉｔ）は、非晶質層の
形成過程に於いて、適当な時点でＢ、ル／Ｈｅガスの反
応室１１０１内への流入を断つことによつ１１：） て、所望層厚に形成することが出来、該層領域価）が層
領域り）の全層領域を占める場合や一部を占める場合の
いずれも実現出来る。The layer region (lit) containing boron atoms is formed by cutting off the flow of B, Ru/He gas into the reaction chamber 1101 at an appropriate point in the process of forming the amorphous layer. ) can be formed to a desired layer thickness, and it is possible to realize either a case in which the layer area value) occupies the entire layer area of the layer area or a case in which it occupies a part of the layer area.

例えは、上記の例に於いては、層領域（Ｂ、　０）を所
望、層厚に形成した時点で、Ｈｅガスの反応室１１０１
内への流入を流出バルブ１１２０を完全に閉じることに
よって断つこと以外は、同条件で引続き層形成を行うこ
とで、層領域（Ｂ、０）上に硼素原子は含有されている
が酸素原子は含有されてない層領域を非晶質層の一部と
して形成することが出来る。For example, in the above example, when the layer region (B, 0) is formed to the desired layer thickness, the He gas reaction chamber 1101
By continuing to form the layer under the same conditions except that the inflow into the interior is cut off by completely closing the outflow valve 1120, the layer region (B, 0) contains boron atoms but no oxygen atoms. The uncontained layer regions can be formed as part of the amorphous layer.

又、硼素原子は含有されないが酸素原子は含有される導
層領域を形成する場合には、例えばＮｏガスとＳｉＨ，
／Ｈｅガスを使用して層形成すれば良い。In addition, when forming a conductive layer region that does not contain boron atoms but contains oxygen atoms, for example, No gas and SiH,
/He gas may be used to form the layer.

非晶質層中にハロゲン原子を含有させる場合には上記の
ガスにたとえばＳｉＦ４　／Ｈｅを、更に付加して反応
室１１０１内に送ｐ込む。When halogen atoms are contained in the amorphous layer, SiF4/He, for example, is further added to the above gas and the mixture is fed into the reaction chamber 1101.

非晶質層の形成の際ガス種の選択によっては、層形成速
度を更に高めることが出来る。。Depending on the selection of gas species during the formation of the amorphous layer, the layer formation rate can be further increased. .

ｒ：ｔ） 例えばＳｉＨ，ガスのかわりに５ｉｔＨｓガスを用いて
層形成を行々えは、数倍＾めることが出来、生産性が向
上する。r:t) For example, if layer formation is performed using 5itHs gas instead of SiH gas, the number of layers can be reduced several times, and productivity is improved.

第一の非晶質層（ＩＪ上に第二の非晶質層（■）を形成
するには、例えば次の様に行う。まずシャッター１１４
２を開く。すべてのガス供給バルブは一旦閉じられ、反
応室１１０１は、メインバルブ１１３４を全開すること
により、排気される。To form the second amorphous layer (■) on the first amorphous layer (IJ), for example, it is performed as follows. First, the shutter 114
Open 2. All gas supply valves are once closed, and the reaction chamber 1101 is evacuated by fully opening the main valve 1134.

高圧電力が印加される１１Ｌ極１１４１−ヒには、予め
高純度シリコンウェハ１１４２−１、及び高純度グラフ
ァイトウェハ１１４２−２が所望の面積比率で設置され
たターゲットが設けられている。ガスボンベ１１０６よ
すＳｉＦ、／Ｈｅガスを、反応室１１０１（ハ）に導入
し、反応室１１０１の内圧が０．０５〜ＩＴｏｒｒ　ト
々るようメインバルブ１１３４を８ｍする。The 11L pole 1141-hi to which high-voltage power is applied is provided with a target in which a high-purity silicon wafer 1142-1 and a high-purity graphite wafer 1142-2 are installed in advance at a desired area ratio. SiF, /He gas is introduced into the reaction chamber 1101 (c) from the gas cylinder 1106, and the main valve 1134 is turned 8 meters so that the internal pressure of the reaction chamber 1101 is 0.05 to ITorr.

重圧電源をＯＮとし上記のターゲットをスパッタリング
することによシ、第一の非晶質層（Ｉ）上に第二の非、
ｌ′ｉ！ｌ賃層（Ｉｆ）を形成す不ことか出来る。By turning on the heavy pressure power source and sputtering the above target, a second non-crystalline layer is formed on the first amorphous layer (I).
l'i! It is possible to form a rent class (If).

第二の非晶質層（ロ）を形成する他の方法としては、第
一の非晶質層（Ｉ）の形成の際と同様なパル５」 プ操作によって例えばＳｉＨ４ガス、　　ＳｉＦ４ガス
、０２Ｈ４ガスの夫々を必要に応じてＨｅ等の稀釈ガス
で稀釈して、所望の流量比で反応室１１ｏ１中に流し所
望の条件に従ってグロー放電を生起させることによって
成される。Another method for forming the second amorphous layer (B) is to use the same pulse operation as in the formation of the first amorphous layer (I), for example, using SiH4 gas, SiF4 gas, 02H4 This is accomplished by diluting each of the gases with a diluent gas such as He as necessary, and flowing the diluted gas into the reaction chamber 11o1 at a desired flow rate ratio to generate glow discharge according to desired conditions.

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１１０１内、流出バルブ１１１７〜１１２１から反応室
１１０１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バル
ブ１１３２を開いてメインバルブ１１３４を全開して系
内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。Needless to say, all outflow valves other than those required for forming each layer are closed, and when forming each layer, the gas used to form the previous layer is not allowed to flow into or out of the reaction chamber 1101. In order to avoid gas remaining in the gas piping leading from the valves 1117 to 1121 into the reaction chamber 1101, the outflow valves 1117 to 1121 are closed, the auxiliary valve 1132 is opened, and the main valve 1134 is fully opened to temporarily create a high vacuum in the system. Perform the operation to exhaust the air as necessary.

第二の非晶質１（ＩＩ）中に含有される炭素原子の値は
例えば、ＳｉＨ，ガスと、Ｃｔルガスの反応室１１０１
内に導入される流量比を所望に従って変えるか、或いは
、スパッターリングで７層形成する　　　゛場合には、
ターゲットを形成する際シリコンウェハとグラファイト
ウェハのスパッタ面積比率２ を変えるか、又はシリコン粉末とグラファイト％ｙ禾の
混合比率を変えてターゲットを成型することによって所
望に応じて制御することが出来る。第二の非晶質７ｍ　
（Ｉｆ）中に含有されるハロゲン原子（２）の量は、ハ
ロゲン原子導入用の原料ガス、例えはＳｉＦ、ガスが反
応室１１０１内に導入される際の流電を調整することに
よって成される、〕５、゛（ 実施例１ 第１１図に示した製造装置を用い、第１、第２層内で、
第１２図に示すような酸素濃度分布を持つ像形成部材を
第１表の条件下で作製した。The value of carbon atoms contained in the second amorphous 1 (II) is, for example, in the reaction chamber 1101 of SiH gas and Ct gas.
In this case, the flow rate ratio introduced into the layer can be changed as desired, or seven layers can be formed by sputtering.
When forming the target, it can be controlled as desired by changing the sputtering area ratio 2 of the silicon wafer and the graphite wafer, or by changing the mixing ratio of silicon powder and graphite %y when forming the target. second amorphous 7m
The amount of halogen atoms (2) contained in (If) can be determined by adjusting the current flowing when the raw material gas for introducing halogen atoms, such as SiF, is introduced into the reaction chamber 1101. 5. (Example 1 Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 11, in the first and second layers,
An imaging member having an oxygen concentration distribution as shown in FIG. 12 was produced under the conditions shown in Table 1.

こうして得られた像形成部材を、帯電無光実験装置に設
置し■５．Ｑ　ｋＶで０．２ｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ光源
を用い、１．５　ｌｕｘ　＊ｓｅｃの光量を透過型のテ
ストチャートを通して照射させた０その後直ちに、○荷
電性の現像剤（トナーとキャリアを含む）を部材表面を
カスケードすることによって、部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。部材上のトナー画像を、■５．ＯｋＶの
コロナ帯電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階
調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。The image forming member obtained in this way is installed in a charging and non-lighting experimental device; 5. Corona charging was performed at Q kV for 0.2 seconds, and a light image was immediately irradiated using a tungsten lamp light source and a light amount of 1.5 lux *sec was irradiated through a transmission type test chart. A good toner image was obtained on the member surface by cascading a charged developer (including toner and carrier) over the member surface. The toner image on the member is 5. When transferred onto transfer paper using OkV corona charging, a clear, high-density image with excellent resolution and good gradation reproducibility was obtained.

５：） 実施例２ 第１１図に示した製造装置を用い、第１、第２層内で第
１３図に示すようなｆＩ！素分面分布濃度する像形成部
材を第２表の条件下で作成した。5:) Example 2 Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 11, the fI! as shown in FIG. 13 was obtained in the first and second layers. Imaging members having elementary surface distribution density were prepared under the conditions shown in Table 2.

その他の条例は実施例１と同様にして行った。Other regulations were the same as in Example 1.

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。When an image was formed on a transfer paper using the image forming member thus obtained under the same conditions and procedures as in Example 1, an extremely clear image quality was obtained.

５゛ン 実ｌ尚１！子？０３ 第１１図に示した製造装置ｋを用い、第１層内で第１４
図に示すような酸素分Ｓ濃度を有する像形成部材を第３
表の条件下で作成した。5゛n real 1! Child? 03 Using the manufacturing apparatus k shown in FIG. 11, the 14th
An image forming member having an oxygen content S concentration as shown in the figure is
Created under the conditions shown in the table.

その他の条件ｔま実施例１と同様にして行った。The same procedure as in Example 1 was carried out except for the other conditions.

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙−Ｆに画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。When an image was formed on transfer paper-F using the image forming member thus obtained under the same conditions and procedures as in Example 1, an extremely clear image quality was obtained.

５：） 実施例４ 於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる
以外は、実施例１と全く同様な方法によって像形成部材
を作成した。こうして得られた像形成部材につき実施例
１に述べた如き作像、現像、クリーニングの工程を約５
万回繰り返した後、画像評価を行ったところ第４表の如
き結Ｏ に１ と全く同様な方法によって像形成部材を作成した。実施
例１に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工程を
縁り返し下肥の結果を得た。5:) Example 4 An image forming member was prepared in exactly the same manner as in Example 1 except that the content ratio of silicon atoms to carbon atoms was changed. The image forming member thus obtained was subjected to the image forming, developing and cleaning steps as described in Example 1 for about 5 minutes.
After repeating the process 10,000 times, image evaluation was performed and an image forming member was prepared in exactly the same manner as in Table 4. As described in Example 1, the steps of image formation, development, and cleaning were repeated to obtain the result of fertilization.

（３：ｚ 第　　５　　表 実施例６ 第１及び第２層の形成方法を下表の如く変える以外ｄ１
、実施例１と同様な方法で層形成を行い、実施例１と同
様な画質評価を行ったところ良好な結果が得られた。(3:z Table 5 Example 6 d1 Except for changing the formation method of the first and second layers as shown in the table below.
Layer formation was performed in the same manner as in Example 1, and the image quality was evaluated in the same manner as in Example 1, and good results were obtained.

ｆ；：＋−７ １ Ｇ：＋−２f;:+-7 1 G:+-2

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層描成図、第２図乃至第１０図は夫々非晶質層を
構成する酸素原子を含冶する層領域（０）中の酸素原子
の分布状態を説明する本発明の実施例に於ける酸素原子
の分布状態を示す説明図である。 １００・・・光導電部材　　１０１・・・支持体１０２
・・・第一の非晶質層（Ｉ） １０３・・・第１の層領域０） １０４・・・第２の層領域（Ｉｌｌ） １０５・・・上部層領域 １０６・−・第二の非晶質層（ｎ） １０７・・・自由表面 出願人　　キャノン株式会社 （ｊ５ Ｃ □Ｏ □０ −Ｃ 第１３図 第１４間 ２号キャノン株式会社内 手　続　補　正　書（自発） 昭和５７年６月１７日 ％ｉｉ’Ｆ、−７Ｊ％’Ｕ、Ｊａ　［１春樹殿゛′１．
？、、：ｉ、％、、、。 ２発明の名称 光導電部材 ３補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　東京都大１１１区下丸子ろ−３０−２居所　〒１
４６東京都大田区下丸子３−ろＯ−２キャノン株式会社
内（電話７５Ｅｌ−２１１１）氏名　（６９８７）弁理
士丸島儀− ４”Ｌ ５補正の対象 明細書［−発明の詳細な説明−１の欄 ６、補ＩＬの内容 明細書第６４頁記載の「第６表−１を別紙の通り補正す
る。 ７添付書類の目録FIG. 1 is a schematic layer diagram for explaining the layer structure of the photoconductive member of the present invention, and FIGS. 2 to 10 are layer regions containing oxygen atoms constituting an amorphous layer, respectively. FIG. 2 is an explanatory diagram showing the distribution state of oxygen atoms in an example of the present invention, illustrating the distribution state of oxygen atoms in (0). 100... Photoconductive member 101... Support body 102
... First amorphous layer (I) 103 ... First layer region 0) 104 ... Second layer region (Ill) 105 ... Upper layer region 106 ... Second layer region Amorphous layer (n) 107...Free surface Applicant Canon Co., Ltd. (j5 C □O □0 -C Figure 13, No. 14, No. 2 Canon Co., Ltd. Internal Procedures Amendment (Spontaneous) 1982 June 17%ii'F, -7J%'U, Ja [1 Haruki-dono゛'1.
? ,,:i,%,,,. 2. Name of the invention Photoconductive member 3. Relationship with the amended person case Patent applicant address 30-2 Shimomaruko-ro, 111-ku, Tokyo University Address 1
46 Canon Co., Ltd., 3-Ro O-2, Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo (Telephone: 75El-2111) Name (6987) Patent Attorney Yui Marushima - 4"L 5 Specification Subject to Amendment [-Detailed Description of the Invention-1] Column 6, ``Table 6-1 on page 64 of the supplementary IL contents description is amended as shown in the attached sheet. 7. List of attached documents

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体と
する非晶質材料で構成された、光導電性を有する第一の
非晶質層と、シリコン原子と炭素原子と・・ロゲン原子
とを含む非晶質材料で構成された第二の非晶質層とをイ
ー１し、前記第一の非晶質層が、層厚方向に連続的で且
つ前記支持体側の方に多く分布する分布状態で、構成原
子として酸素原子を含有する第１の層領域と構成原子と
して周期律表第１１１族に属する原子を含有する第２の
層領域とを有し、前記第１の層領域は、前記第一の非晶
質層の前記ゲ持体側に内在しており、前記第２の層領域
の層厚ＴＢと前記第一の非晶質層の層厚より前記第２の
層領域の層厚ＴＢを除いた分の・層厚Ｔとが’ｒｎ、”
’ｒ≦１なる関係にあることを特徴とする光導電部材。(1) A support for a photoconductive member, a first amorphous layer having photoconductivity composed of an amorphous material having silicon atoms as a matrix, and silicon atoms and carbon atoms... a second amorphous layer made of an amorphous material containing a first layer region containing oxygen atoms as constituent atoms and a second layer region containing atoms belonging to Group 111 of the periodic table as constituent atoms in a distributed state; The region is present on the gel support side of the first amorphous layer, and the second layer is smaller than the layer thickness TB of the second layer region and the layer thickness of the first amorphous layer. The layer thickness T of the area excluding the layer thickness TB is 'rn,''
A photoconductive member characterized by a relationship of 'r≦1.