JPS58156215A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
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- JPS58156215A JPS58156215A JP3923882A JP3923882A JPS58156215A JP S58156215 A JPS58156215 A JP S58156215A JP 3923882 A JP3923882 A JP 3923882A JP 3923882 A JP3923882 A JP 3923882A JP S58156215 A JPS58156215 A JP S58156215A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特性的に優れた新しい構造の弾性表面波素子
に関するものである。
に関するものである。
弾性表面ａｋ （８ｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ
Ｖａｌｖｅ ）を利用することＫより各種つ電気的信号
を扱うための弾性表面液素子を構成する構造（基板）と
しては従来、 １、圧電体基板のみの構造（圧電体単結晶基板、圧電セ
ラミックス基板等）、 ２ 非圧電体基板上に圧電膜を形成した構造、３、半導
体基板上に圧電膜を形成した構造、等が知られている。
Ｖａｌｖｅ ）を利用することＫより各種つ電気的信号
を扱うための弾性表面液素子を構成する構造（基板）と
しては従来、 １、圧電体基板のみの構造（圧電体単結晶基板、圧電セ
ラミックス基板等）、 ２ 非圧電体基板上に圧電膜を形成した構造、３、半導
体基板上に圧電膜を形成した構造、等が知られている。
ところで上述の２の多層構造としては、現在のところサ
ファイア基板上もしくはガラス基板上にスパッタリング
法等により酸化亜鉛膜（ＺｎＯ）を形成した構造が知ら
れているが、このＺｎＯ膜は以下のような欠点が存在す
るため問題がある。
ファイア基板上もしくはガラス基板上にスパッタリング
法等により酸化亜鉛膜（ＺｎＯ）を形成した構造が知ら
れているが、このＺｎＯ膜は以下のような欠点が存在す
るため問題がある。
１、 良質な膜が形成しにくいため圧電性部の点で十分
再現性のあるものが得られない。
再現性のあるものが得られない。
２、 ｇ周波領域において弾性表面波の伝播損失が多
い。
い。
３、弾性表面波伝播特性の分散が大きい。
４、弾性表面波の遅凰時間τの温度変化率（１／τ）・
（ａτ／ａＴ）の制御が困難である。（Ｔ：周囲温１） 本発明はこれらの問題点に対処してなされたものであり
、弾性表面波に対する遅凰時間温度係数が正である弾性
体基板上に窒化アルミニウム膜を形成した弾性体構造（
基板）を用いることを根本的特徴とするもので、特にサ
ファイア基板を用いた弾性表面波素子を提供することを
目的とするものである。以下図面を参照して本発明実施
例を説明する。
（ａτ／ａＴ）の制御が困難である。（Ｔ：周囲温１） 本発明はこれらの問題点に対処してなされたものであり
、弾性表面波に対する遅凰時間温度係数が正である弾性
体基板上に窒化アルミニウム膜を形成した弾性体構造（
基板）を用いることを根本的特徴とするもので、特にサ
ファイア基板を用いた弾性表面波素子を提供することを
目的とするものである。以下図面を参照して本発明実施
例を説明する。
第１図は本発明実施例による弾性表面波素子を示す断面
図で、１はサファイア基板で（０００１）結晶面と等価
なＩＩ（０面）あるいは（０１１２）結晶面と等価な面
（Ｒ面）でカットされたものから成り、２はこのす７フ
イ７基板ｌ上に形成された窒化アルミニウム族でその圧
電軸（Ｃ軸もしくは（０００１）軸）は上記サファイア
基板１面に垂直あるいは平行になるように形成される。
図で、１はサファイア基板で（０００１）結晶面と等価
なＩＩ（０面）あるいは（０１１２）結晶面と等価な面
（Ｒ面）でカットされたものから成り、２はこのす７フ
イ７基板ｌ上に形成された窒化アルミニウム族でその圧
電軸（Ｃ軸もしくは（０００１）軸）は上記サファイア
基板１面に垂直あるいは平行になるように形成される。
３．４は上記窒化アルミニウム膜２表面に形成されたく
し型状から成る弾性表面波発生用電極および検出用電極
で、Ｈは窒化アルミニウム膜２の膜厚である。
し型状から成る弾性表面波発生用電極および検出用電極
で、Ｈは窒化アルミニウム膜２の膜厚である。
サファイア基板ｌの（０００１）結晶面と等価な面（０
面）Ｋ窒化アルミニウム膜２をこのＣ軸がほぼ垂直とな
るように形成したＩＩ１図の構造の弾性表面波素子に対
して、窒化アルミニウム膜２の圧電軸（Ｃ軸）方向と垂
直な方向で上記サファイア基板１の（００ｏ１ ）面上
で（１１ｏｏ）軸方向と等価な方向（Ｙ軸）に弾性表面
波を励振（伝播）させた時、第２図に示すような弾性表
面波の速度分散特性が得られた。同図において横軸は窒
化アルミニウム膜２の膜厚Ｈの規格化された厚さを２π
Ｈ／λ（ここでλは弾性表面波の波長）で示し、縦軸は
弾性５ｍ１ｔの位相速度Ｖｐを示すものである。同一か
ら明らかなように位相速度■２の分散は少なく、しかも
非常に大きな値の位相速度■ｐが得られる。
面）Ｋ窒化アルミニウム膜２をこのＣ軸がほぼ垂直とな
るように形成したＩＩ１図の構造の弾性表面波素子に対
して、窒化アルミニウム膜２の圧電軸（Ｃ軸）方向と垂
直な方向で上記サファイア基板１の（００ｏ１ ）面上
で（１１ｏｏ）軸方向と等価な方向（Ｙ軸）に弾性表面
波を励振（伝播）させた時、第２図に示すような弾性表
面波の速度分散特性が得られた。同図において横軸は窒
化アルミニウム膜２の膜厚Ｈの規格化された厚さを２π
Ｈ／λ（ここでλは弾性表面波の波長）で示し、縦軸は
弾性５ｍ１ｔの位相速度Ｖｐを示すものである。同一か
ら明らかなように位相速度■２の分散は少なく、しかも
非常に大きな値の位相速度■ｐが得られる。
第３図は上記構造の弾性表面波素子に対して、上記同様
にサファイア基板ｌの（０００１）面上で［１１００）
軸方向と等価な方向（Ｙ軸）に弾性表面波を伝播させた
時の電気機械結合係数の特性曲線を示すもので、横軸は
２πＨ／λで示し、縦軸は電気機械結合係数にの二乗Ｋ
を百分率で示すものである。同図から明らかなように、
特に規格化膜厚２πＨ／λが２．０〜６．０の範囲にお
いてＫは０．２２％〜０．２７％が得られ、この値は通
常弾性表面波を発生および検出させるに望ましい値であ
り圧電性に優れていることを示している。
にサファイア基板ｌの（０００１）面上で［１１００）
軸方向と等価な方向（Ｙ軸）に弾性表面波を伝播させた
時の電気機械結合係数の特性曲線を示すもので、横軸は
２πＨ／λで示し、縦軸は電気機械結合係数にの二乗Ｋ
を百分率で示すものである。同図から明らかなように、
特に規格化膜厚２πＨ／λが２．０〜６．０の範囲にお
いてＫは０．２２％〜０．２７％が得られ、この値は通
常弾性表面波を発生および検出させるに望ましい値であ
り圧電性に優れていることを示している。
第４図は上記構造の弾性表面波素子に対して、上記同様
にサファイア基板ｌの（０００１”）面上で波を励振さ
せた時の弾性表面波に対する遅延時間温度係数（ＴＣＤ
）の特性曲線を示すもので、横軸は２πＨ／λで示し、
縦軸は弾性表面波の遅延時間ｔ ｆ） 温ｔ’Ｒ化率（
”／ｒ ） ・（ａｔ／３Ｔ）をｐｐｍ／Ｃ率位で示す
ものである。ここでサファイア基板ｌは正の遅延時間温
度係数を有しているのに対し、窒化アルミニウム膜２は
逆に負の遅延時間温度係数を有しているために、同図か
ら明らかなようにその総合特性は両者が補償し合った値
となり、窒化アルミニウム膜２の膜厚Ｈの変化に応じて
変ってくる。特に上記膜厚Ｈな３．０＜２ｆＨ／λ〈５
．０の範囲に選ぶことにより遅延時間の温度変化率を零
に近ずけることができる。
にサファイア基板ｌの（０００１”）面上で波を励振さ
せた時の弾性表面波に対する遅延時間温度係数（ＴＣＤ
）の特性曲線を示すもので、横軸は２πＨ／λで示し、
縦軸は弾性表面波の遅延時間ｔ ｆ） 温ｔ’Ｒ化率（
”／ｒ ） ・（ａｔ／３Ｔ）をｐｐｍ／Ｃ率位で示す
ものである。ここでサファイア基板ｌは正の遅延時間温
度係数を有しているのに対し、窒化アルミニウム膜２は
逆に負の遅延時間温度係数を有しているために、同図か
ら明らかなようにその総合特性は両者が補償し合った値
となり、窒化アルミニウム膜２の膜厚Ｈの変化に応じて
変ってくる。特に上記膜厚Ｈな３．０＜２ｆＨ／λ〈５
．０の範囲に選ぶことにより遅延時間の温度変化率を零
に近ずけることができる。
以上の実施例のようＫ、（０００１）結晶面と等価なｔ
ｈ（０面）でカットされたサファイア基板上に窒化アル
ミニウム膜２のＣ軸をはぼ垂直に形成し、この窒化アル
ミニウム膜２のＣ軸方向と垂直な方向で上記サファイア
基板】の（０００３）面上で（ｉｉｏｏ）軸方向と等価
な方向（Ｙ軸）ｋ弾性表面波を伝播させることＫより、
速度分散特性およびに一性と共に遅延時間の温度変化特
性に優れた弾性表面波素子を得ることができる。
ｈ（０面）でカットされたサファイア基板上に窒化アル
ミニウム膜２のＣ軸をはぼ垂直に形成し、この窒化アル
ミニウム膜２のＣ軸方向と垂直な方向で上記サファイア
基板】の（０００３）面上で（ｉｉｏｏ）軸方向と等価
な方向（Ｙ軸）ｋ弾性表面波を伝播させることＫより、
速度分散特性およびに一性と共に遅延時間の温度変化特
性に優れた弾性表面波素子を得ることができる。
本発明の他の実施例を以下説明する。
サファイア基板１の（０００１）結晶面と等価な面（０
面）Ｋｍ化アルミニウム膜２をこのＣ軸がはば垂直にな
るように形成した第１図の構造の弾性表面波素子に対し
て窒化アルミニウム１１２の圧電軸（Ｃ軸）方向と垂直
な方向で上記サファイア基板ｌの（０００１）面上で（
１１２０）軸方向と等価な方向ＣＸ軸）Ｋ弾性表＃ａｒ
ＩＬ素子を伝播させた時、第５＃ｔＪＫ示すような弾性
表面波の速度分散特性が祷られた。
面）Ｋｍ化アルミニウム膜２をこのＣ軸がはば垂直にな
るように形成した第１図の構造の弾性表面波素子に対し
て窒化アルミニウム１１２の圧電軸（Ｃ軸）方向と垂直
な方向で上記サファイア基板ｌの（０００１）面上で（
１１２０）軸方向と等価な方向ＣＸ軸）Ｋ弾性表＃ａｒ
ＩＬ素子を伝播させた時、第５＃ｔＪＫ示すような弾性
表面波の速度分散特性が祷られた。
同図から明らかなように位相速１ＬＶｐの分散は少なく
、しかも非常に大きな値の位相速度■、が得られる。
、しかも非常に大きな値の位相速度■、が得られる。
８１６図は上記構造の弾性表面波素子に対して、上記同
様にサファイア基板ｌの（０００１）面上で（３１２０
）軸方向と等価な方向（Ｘ軸））ｃ弾性表面波を伝播さ
せた時の電気機械結合係数の特性−−（Ｋ４１ｔ）を示
すものである。
様にサファイア基板ｌの（０００１）面上で（３１２０
）軸方向と等価な方向（Ｘ軸））ｃ弾性表面波を伝播さ
せた時の電気機械結合係数の特性−−（Ｋ４１ｔ）を示
すものである。
同図から明らかなように、％に規格膜厚２πＨ／λが２
．０〜８．０の範囲においてＫは０．２％〜０６２８％
が得られ、この値は通常弾性表由波を発生および検出さ
せるに望ましい値であり圧電性に優れていることを示し
ている。
．０〜８．０の範囲においてＫは０．２％〜０６２８％
が得られ、この値は通常弾性表由波を発生および検出さ
せるに望ましい値であり圧電性に優れていることを示し
ている。
第７図は上記構造の弾性表面波素子に対して、上記同様
にサファイア基板五の（０００１）−上で〔１１２０〕
軸方向トｆ４ｉ１１す方向（ｘ軸）ｋ弾性表面波を伝播
させた時の弾性表面波に対する遅延時間温度係数（ＴＣ
Ｄ ’）の特性曲線を示すものである。
にサファイア基板五の（０００１）−上で〔１１２０〕
軸方向トｆ４ｉ１１す方向（ｘ軸）ｋ弾性表面波を伝播
させた時の弾性表面波に対する遅延時間温度係数（ＴＣ
Ｄ ’）の特性曲線を示すものである。
ｒｒＩＵ図から明らかなように轡に窒化アルミニウムｊ
Ｉ２０属厚Ｈを３．０（２πＨ／λ＜６．０の範１１Ｋ
ｊ！ｌぶことにより遅延時間の温度変化率を零に近ずけ
ることができる。
Ｉ２０属厚Ｈを３．０（２πＨ／λ＜６．０の範１１Ｋ
ｊ！ｌぶことにより遅延時間の温度変化率を零に近ずけ
ることができる。
以上の実施例のように、（０００１）結晶面と等価な面
（Ｃｆｆ１ ”）でカットされたサファイア基板上に窒
化アルミニウム膜２のＣ軸をはぼ垂直に形成し、この窒
化フルミニラム膜２のＣ軸方向と直角な方向で上記サフ
ァイア基板１の（０００１）ＩＩ上で〔１１２０〕軸方
向と等価な方向（Ｘ軸）Ｋ弾性表−波を伝播させること
により、速度分散特性およびに４１性と共Ｋｊｌ砥時開
時間度変化特性に優れた弾性表面波素子を得ることがで
きる。
（Ｃｆｆ１ ”）でカットされたサファイア基板上に窒
化アルミニウム膜２のＣ軸をはぼ垂直に形成し、この窒
化フルミニラム膜２のＣ軸方向と直角な方向で上記サフ
ァイア基板１の（０００１）ＩＩ上で〔１１２０〕軸方
向と等価な方向（Ｘ軸）Ｋ弾性表−波を伝播させること
により、速度分散特性およびに４１性と共Ｋｊｌ砥時開
時間度変化特性に優れた弾性表面波素子を得ることがで
きる。
本発明のその他の実施例を以下説明する。
サファイア基板１の（０１１２）結晶面と等価な面（Ｒ
−）に窒化アルミニウム膜２をこのＣ軸が上記サファイ
ア基板ｌの〔０１１１〕軸方向と平行になるよ５に形成
した第１図の構造の弾性表面波素子に対して、窒化アル
ミニウム膜２の圧電軸（Ｃ軸）方向と平行な方向で上記
サファイア基板１の（０１１２）面上（Ｒ１１）で（０
１１１）軸方向と等価な方向に弾性ａｍ波を伝播させた
時、第８図に示すような弾性表ＩＯｍの適度分散特性が
得られた。
−）に窒化アルミニウム膜２をこのＣ軸が上記サファイ
ア基板ｌの〔０１１１〕軸方向と平行になるよ５に形成
した第１図の構造の弾性表面波素子に対して、窒化アル
ミニウム膜２の圧電軸（Ｃ軸）方向と平行な方向で上記
サファイア基板１の（０１１２）面上（Ｒ１１）で（０
１１１）軸方向と等価な方向に弾性ａｍ波を伝播させた
時、第８図に示すような弾性表ＩＯｍの適度分散特性が
得られた。
同図から明らかなように位相速度■、の分散は少なく、
しかも非常に大きな値の位相速度■ｐが得られる。
しかも非常に大きな値の位相速度■ｐが得られる。
第＊＊は上記構造の弾性表面波素子に対して、上記同様
にサファイア基板１の（０１１２）Ｉｔ上で（０１１１
）軸方向と等価な方向に弾性表面波を伝播させた締の電
気機械結合係数の特性−！Ｉ（Ｋｑ！ｉ性）を示すもの
である。
にサファイア基板１の（０１１２）Ｉｔ上で（０１１１
）軸方向と等価な方向に弾性表面波を伝播させた締の電
気機械結合係数の特性−！Ｉ（Ｋｑ！ｉ性）を示すもの
である。
同図から明らかなように、特に規格膜厚’；ｌｔＨ／λ
が１．０− ＆ ０の範囲においてに２は０．７５％〜
０．８％が得られ、この値は通常弾性表面ａｌｌ−発生
および検出させるに望ましい値であり圧電性に優れてい
ることを示している。
が１．０− ＆ ０の範囲においてに２は０．７５％〜
０．８％が得られ、この値は通常弾性表面ａｌｌ−発生
および検出させるに望ましい値であり圧電性に優れてい
ることを示している。
第１θ図は上記構造の弾性表面波素子に対して、上記一
様にサフイ７基＠１の（Ｇｉｌｌ）面上で（０１１１）
軸方向と等価な方向に弾性表面波を伝播させた時の弾性
表面ｆＩＬＫ′；ｒ１する遅延時間温度係数（ＴＣＤ
）の特性曲線を示すものである。
様にサフイ７基＠１の（Ｇｉｌｌ）面上で（０１１１）
軸方向と等価な方向に弾性表面波を伝播させた時の弾性
表面ｆＩＬＫ′；ｒ１する遅延時間温度係数（ＴＣＤ
）の特性曲線を示すものである。
同図から明らかなよ５に哲に窒化アルミニウム族２の膜
厚Ｈを２．０（２ｆＨ／λ〈５．０の範１１に選ぶこと
により遅延時間の温度変化率を零に近ずけることができ
る。
厚Ｈを２．０（２ｆＨ／λ〈５．０の範１１に選ぶこと
により遅延時間の温度変化率を零に近ずけることができ
る。
以上の実施例のように、（０１１２）結晶向と等価な面
でカットされたサファイア基板上に窒化アルミニウム１
１２のＣ軸を上記サファイア基板五の（０１１１）軸方
向と平行に形成し、この窒化アル建ニウムｊＩＩ２のＣ
軸方向と平行な方向で上記すフッイア基板１の（０００
１）面上で〔１１２０〕軸方向と等価な方向に弾性表面
波を伝播させることＫより、適度分散特性およびに一性
と共に遅延時間の温度変化特性に優れた弾性表面波素子
を得ることができるＯ 各実施例で用いられた窒化アルミニウム膜はバンドギャ
ップが約６．２ｅＶと大きく、また比抵抗６ が１０ Ω−以上のものが容易に得られるので良好な
絶縁性を示す。この窒化アルミニウム膜は単結晶である
ことが望ましいが、周知のＭＯ−ＣＶＤ技術を用いるこ
とにより単結晶エピタキシャル族を容易に形成すること
ができる。
でカットされたサファイア基板上に窒化アルミニウム１
１２のＣ軸を上記サファイア基板五の（０１１１）軸方
向と平行に形成し、この窒化アル建ニウムｊＩＩ２のＣ
軸方向と平行な方向で上記すフッイア基板１の（０００
１）面上で〔１１２０〕軸方向と等価な方向に弾性表面
波を伝播させることＫより、適度分散特性およびに一性
と共に遅延時間の温度変化特性に優れた弾性表面波素子
を得ることができるＯ 各実施例で用いられた窒化アルミニウム膜はバンドギャ
ップが約６．２ｅＶと大きく、また比抵抗６ が１０ Ω−以上のものが容易に得られるので良好な
絶縁性を示す。この窒化アルミニウム膜は単結晶である
ことが望ましいが、周知のＭＯ−ＣＶＤ技術を用いるこ
とにより単結晶エピタキシャル族を容易に形成すること
ができる。
また゛従来においてのスパッタリング法等による酸化亜
鉛ｊ１［比べ窒化アルミニウム膜は再現性に優れ、膜質
が均一なものが得られるのでＩＩ＃に高周ａにおける伝
搬損失を小さく抑えることができる。
鉛ｊ１［比べ窒化アルミニウム膜は再現性に優れ、膜質
が均一なものが得られるのでＩＩ＃に高周ａにおける伝
搬損失を小さく抑えることができる。
４１に上記窒化アルミニウム膜は弾性表面波に対する遅
延時間温度係数が負である性質を有しているので、サフ
ァイア基板のようにそれと逆に遅延時間温度係数が正で
ある性質を有している基板上に形成すれば遅延時間温度
係数は相互に補償されるために、温度変化に対して安定
な特性を得ることができる。４ＩＫ温度変化に対する素
子の安定性は共振器、発振器等の狭帯域信号処理素子に
おいて最も重要な性能であるが゛、上記各実施例構造に
よれば温度変化に対して安定な動作を行なわせることが
できる。しかも高周波化、低損失化も併せて計ることが
できる。
延時間温度係数が負である性質を有しているので、サフ
ァイア基板のようにそれと逆に遅延時間温度係数が正で
ある性質を有している基板上に形成すれば遅延時間温度
係数は相互に補償されるために、温度変化に対して安定
な特性を得ることができる。４ＩＫ温度変化に対する素
子の安定性は共振器、発振器等の狭帯域信号処理素子に
おいて最も重要な性能であるが゛、上記各実施例構造に
よれば温度変化に対して安定な動作を行なわせることが
できる。しかも高周波化、低損失化も併せて計ることが
できる。
上記窒化アルミニウム膜を形成すべき基板としてはサフ
ァイアに＠らず、遅延時間温度係数が負である材料であ
れば任意のものを選択することができる。
ァイアに＠らず、遅延時間温度係数が負である材料であ
れば任意のものを選択することができる。
以上述べて明らかなように本発明によれば、弾性表面波
に対する遅延時間温度係数が正である弾性体基板上に窒
化アルミニウム膜を形成するようＫした弾性体構造を用
いるものであるから、特性的に優れた弾性表面波素子を
得ることができる。
に対する遅延時間温度係数が正である弾性体基板上に窒
化アルミニウム膜を形成するようＫした弾性体構造を用
いるものであるから、特性的に優れた弾性表面波素子を
得ることができる。
以上説明した本発明によれば次のような効果が得られる
。
。
！６弾性表面波速度が大きいため高周波での波長が大き
くなるので、＜シ履状電極等の製造が容易になる。
くなるので、＜シ履状電極等の製造が容易になる。
２、膜厚変動による周波数変動率が小さいため設計した
動作周波１ｋＫ合わせた素子の製造が容易となるので、
歩留り向上によるコストダウンを計ることができる。
動作周波１ｋＫ合わせた素子の製造が容易となるので、
歩留り向上によるコストダウンを計ることができる。
３、弾性表面波素子の遅延時間を零に近ずけることがで
きる。
きる。
４ 絶縁性に富んだ窒化アルミニウム膜を容易に得るこ
とができ、またＭＯ−ＣＶＤ技術によりその単結晶エピ
タキシャル膜の形成も容易となる。
とができ、またＭＯ−ＣＶＤ技術によりその単結晶エピ
タキシャル膜の形成も容易となる。
なお本文実施例中で示した基板および基板上く形成され
た窒化アルミニウム膜の結晶向および弾性表面波を励振
（伝播）させる結晶方向は、実施例以外に適当な選択を
行なっても同様な効果を得ることが可能である。
た窒化アルミニウム膜の結晶向および弾性表面波を励振
（伝播）させる結晶方向は、実施例以外に適当な選択を
行なっても同様な効果を得ることが可能である。
第１図は本発明実施例を示す断面図、＠２図乃至纂ｌＯ
図はいずれも本発明により得られた結果を示す特性図で
ある。 １・・・サファイア基板、２・・・窒化フルミニラム膜
、３・・・弾性表面波発生用電極、４・・・弾性表面波
検出用電極。 特許出願人 御子柴 宣 夫 坪 内 和 夫 代理人 弁理士 永 １）武三部 図面の浄書（内存に変更なしン 第１図 ３ ４ 第２図 ２’ＪＣＨ／？−− 第３図 とルＨへ− 手続補正書（方式・自船 昭和！Ｓ７ 年４ 月 ９日 １、事件の表示 昭和６７年＠ｌ’Ｆｌｌｌ 第ｓｅｇｓｓ号３、 捕
正をする者 事件との関係 轡許出皐人 ４、代理人〒１０５
図はいずれも本発明により得られた結果を示す特性図で
ある。 １・・・サファイア基板、２・・・窒化フルミニラム膜
、３・・・弾性表面波発生用電極、４・・・弾性表面波
検出用電極。 特許出願人 御子柴 宣 夫 坪 内 和 夫 代理人 弁理士 永 １）武三部 図面の浄書（内存に変更なしン 第１図 ３ ４ 第２図 ２’ＪＣＨ／？−− 第３図 とルＨへ− 手続補正書（方式・自船 昭和！Ｓ７ 年４ 月 ９日 １、事件の表示 昭和６７年＠ｌ’Ｆｌｌｌ 第ｓｅｇｓｓ号３、 捕
正をする者 事件との関係 轡許出皐人 ４、代理人〒１０５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 弾性表面波に対する遅鷺時間温度係数が正である
弾性体基板と、この弾性体基板上に形成されかつ圧電軸
が配向した窒化アルミニウム膜と、これら所定位−に形
成された電極とを含むことを特徴とする弾性表面波素子
。 ２、 上記弾性体基板がサファイアから成ることを特徴
とする特許請求の範８１１１項記載の弾性表面波素子。 ３、 上記サファイア基板が（０００１）結晶向と等価
な面からなり、窒化アルミニウム膜の圧電軸が上記サフ
ァイア基板Ｋ［ｉ直あるいは水平になるように形成され
、上記サファイア基板の（０００１） ｍｌ上で（１１
００）軸と等価な方向に弾性表面波を伝播させることを
４９１１とする特許請求の範８第２項記載の弾性表面波
素子。 ４、上記窒化フルミニラム膜の膜厚Ｈが、に２１４Ｖλ
〈６（ただし、λは弾性表面波の波長を示す）の範■に
属することを特徴とする特許請求の範Ｓ第ｓ＊ｅ載の弾
性表ｉｉａ液素子。 ５、 上記サファイア基板が（０００１）結晶面と等価
な画からなり、窒化アルミニウム膜の圧電軸が上記すフ
ァイア基板Ｋｌｉ直あるいは水平になるように形成され
、上記サファイア基板の（０００１）面上で（１１２Ｇ
）軸と等価な方向に弾性表面波を伝播させることを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載の弾性表面波素子。 ６、上記窒化フルミニラム膜の膜厚Ｈが、２く２ｇＨ／
λ〈８の範■に属することを特徴とする特許請求の鳴−
１１５項記載の弾性表ｍ波素子。 ７、 上記サファイア基板が（０１１２）結晶向と等価
な画からなり、窒化フルミニラム膜の圧電軸が上記すフ
ァイア基板に垂直あるいは水平になるように形成され、
上記サファイア基板の（０１１２）面上で（０１１１）
軸と等価な方向に弾性表１ｉｉｌ波を伝播させることを
特徴とする特許請求の範５ｔｖｃｚ項記載の弾性表面波
素子。 ８、上記窒化アルミニウム膜の膜厚Ｈが、ｌ〈２ｘＨ／
λ〈８の範ｉ！！ｔｌＫ属することを４１１１１とする
特許請求の範１８１纂７項記載の弾性表面波素子。 ９、上記窒化アルミニウム膜が単結晶エピタキシャル膜
から成ることを特徴とする特許請求の範囲１１１項乃至
第８項のいずれかに記載の弾性表面波素子。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3923882A JPS58156215A (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 弾性表面波素子 |
| DE3308365A DE3308365A1 (de) | 1982-03-11 | 1983-03-09 | Akustische oberflaechenwellen bildende vorrichtung |
| US06/473,410 US4511816A (en) | 1982-03-11 | 1983-03-09 | Surface acoustic wave device using an elastic substrate and an aluminum nitride piezoelectric film |
| DE3348366A DE3348366C2 (de) | 1982-03-11 | 1983-03-09 | Akustische Oberflächenwellen bildende Vorrichtung |
| DE3348369A DE3348369C2 (de) | 1982-03-11 | 1983-03-09 | Akustische Oberflächenwellen ausbildende Vorrichtung |
| GB08306526A GB2120037B (en) | 1982-03-11 | 1983-03-09 | Surface acoustic wave device |
| FR8303952A FR2523382B1 (fr) | 1982-03-11 | 1983-03-10 | Dispositif a onde acoustique de surface |
| NL8300879A NL8300879A (nl) | 1982-03-11 | 1983-03-10 | Akoestische oppervlaktegolfinrichting. |
| GB08624225A GB2181917B (en) | 1982-03-11 | 1986-10-09 | Surface acoustic wave device |
| GB08624226A GB2181918B (en) | 1982-03-11 | 1986-10-09 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3923882A JPS58156215A (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58156215A true JPS58156215A (ja) | 1983-09-17 |
Family
ID=12547546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3923882A Pending JPS58156215A (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58156215A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6049155A (en) * | 1997-10-27 | 2000-04-11 | Lucent Technologies Inc. | Thermally tunable surface acoustic wave devices |
| JP2011139214A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
| JP2021516015A (ja) * | 2018-03-07 | 2021-06-24 | アールエフ３６０・ヨーロップ・ゲーエムベーハー | マルチプルレイヤシステム、製造方法およびマルチプルレイヤシステム上に形成されるｓａｗデバイス |
-
1982
- 1982-03-11 JP JP3923882A patent/JPS58156215A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| APPIED PHYSICS LETTERS * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6049155A (en) * | 1997-10-27 | 2000-04-11 | Lucent Technologies Inc. | Thermally tunable surface acoustic wave devices |
| JP2011139214A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
| JP2021516015A (ja) * | 2018-03-07 | 2021-06-24 | アールエフ３６０・ヨーロップ・ゲーエムベーハー | マルチプルレイヤシステム、製造方法およびマルチプルレイヤシステム上に形成されるｓａｗデバイス |
| US11949400B2 (en) | 2018-03-07 | 2024-04-02 | Rf360 Singapore Pte. Ltd. | Multiple layer system, method of manufacture and saw device formed on the multiple layer system |
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