JPS58154850A - 記録用部品 - Google Patents
記録用部品Info
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- JPS58154850A JPS58154850A JP2479483A JP2479483A JPS58154850A JP S58154850 A JPS58154850 A JP S58154850A JP 2479483 A JP2479483 A JP 2479483A JP 2479483 A JP2479483 A JP 2479483A JP S58154850 A JPS58154850 A JP S58154850A
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- JP
- Japan
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- layer
- type
- amorphous
- contg
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ・プリンタや電子写真装置において電荷
潜像形成、現像、転写を行なうために使・用する光導電
膜に関する。
潜像形成、現像、転写を行なうために使・用する光導電
膜に関する。
レーザ・プリンタや電子写真装置において、電荷潜像形
成、現像、転写を行なうために使用する記録用部品は金
属、半導体等からなる基体電極の表面に光導電膜を被着
させたものである。従来、この光4電膜用材料として、
有機系材料ではPVK−T N I”やビラリゾンーン
アニン色素系、銅フタロ7アニノ系などが、無機系材料
では非晶質セレン系、多結晶硫化カドミウム系などが用
いられている。
成、現像、転写を行なうために使用する記録用部品は金
属、半導体等からなる基体電極の表面に光導電膜を被着
させたものである。従来、この光4電膜用材料として、
有機系材料ではPVK−T N I”やビラリゾンーン
アニン色素系、銅フタロ7アニノ系などが、無機系材料
では非晶質セレン系、多結晶硫化カドミウム系などが用
いられている。
しかし、有機系材料は一般に耐摩擦性に劣ると共に光感
度が低く、とくに波長が6500m以上の光に対しては
急激に感度が低下する。また、無機材料におい゛ても、
非晶質セレン系材料では波長550旧n以上、多結晶硫
化カドミウム材料でも波長7000m以上で急激に感度
が低下するほか、最近の高速化された機器においては耐
摩擦性が問題となっている。
度が低く、とくに波長が6500m以上の光に対しては
急激に感度が低下する。また、無機材料におい゛ても、
非晶質セレン系材料では波長550旧n以上、多結晶硫
化カドミウム材料でも波長7000m以上で急激に感度
が低下するほか、最近の高速化された機器においては耐
摩擦性が問題となっている。
一方、小型、高効率、直接高速変調可能などの特徴を有
する半導体レーザの出現により、光導電材料についても
、長波長(〜7701m ’)まで光感度を有し、かつ
耐摩擦性に優れた新しい光導電膜の出現が望まれている
。
する半導体レーザの出現により、光導電材料についても
、長波長(〜7701m ’)まで光感度を有し、かつ
耐摩擦性に優れた新しい光導電膜の出現が望まれている
。
本発明は、水素を多量に含有する非晶質のンリコ7−カ
ーボン−ケルマニウム(1−L 下、a −Si〜C−
Geと略記する。)系材料が (1)ドーピングおよび生成条件の制御により導電型お
よび比抵抗値を大幅に変えることができること、 (2) a−8i −C−Ge(D組成を変えるコ、
!−ニヨリ、バンドギャップが可変であり、容易にヘテ
ロ接合が形成できること(第1図参照)、(3)強い共
有性結合をもつ、耐摩擦性の高い材料であること、 06点に着目し、この材料系を用いたヘテロ接合を有す
る膜構造を形成することにより、上記の問題点のない新
しい光導電膜を提供するものである。
ーボン−ケルマニウム(1−L 下、a −Si〜C−
Geと略記する。)系材料が (1)ドーピングおよび生成条件の制御により導電型お
よび比抵抗値を大幅に変えることができること、 (2) a−8i −C−Ge(D組成を変えるコ、
!−ニヨリ、バンドギャップが可変であり、容易にヘテ
ロ接合が形成できること(第1図参照)、(3)強い共
有性結合をもつ、耐摩擦性の高い材料であること、 06点に着目し、この材料系を用いたヘテロ接合を有す
る膜構造を形成することにより、上記の問題点のない新
しい光導電膜を提供するものである。
以下に、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例 1
第2図は本発明の一つの実施例の断面図であり、1はp
形のa−8i CQc 膜(0,3>X≧0.1
−x −y x y 1)Y≧0、比抵抗1014Ω−cm、厚さf μm、
ボロン・トープ)、2はp形またはn形のa S i
1〜u−vCuGev膜(0,3>0≧0.1〉■≧
0、ただし、v ) y、比抵抗10 Ω・cm、厚
さg μm )、6はn形の;j−8i1−3.CsG
e1膜(0,3>S2O、i>t≧0、ただし、v )
t 、比抵抗10 Ω・cm、厚さ117t+n、
□燐ドープ)、4は金属又は半導体からなる基体電極で
ある。
形のa−8i CQc 膜(0,3>X≧0.1
−x −y x y 1)Y≧0、比抵抗1014Ω−cm、厚さf μm、
ボロン・トープ)、2はp形またはn形のa S i
1〜u−vCuGev膜(0,3>0≧0.1〉■≧
0、ただし、v ) y、比抵抗10 Ω・cm、厚
さg μm )、6はn形の;j−8i1−3.CsG
e1膜(0,3>S2O、i>t≧0、ただし、v )
t 、比抵抗10 Ω・cm、厚さ117t+n、
□燐ドープ)、4は金属又は半導体からなる基体電極で
ある。
ここで、x=y=0、f=5Qpm、u=Q、v−0,
4、g=iμm% 5==t=Q、h=−9μmとし、
コロナ放電により層1の表面が負で、表面と電極4との
電位差600Vに帯電させる。これに、層1の表面から
、波長7700mの半導体レーザー光を照射すると、層
1は通過し、層2で吸収される。そして、ここに正孔・
電子対が発生するが、正孔は表面へ、電子は電極4へ電
界により引き出され、上記の帯電を中和する。電位差が
60チまで減少するに要した光照射値は光照射時間0.
1μs〜0.1秒の範囲で照射時間によらず、約1f3
mJ/cm である。
4、g=iμm% 5==t=Q、h=−9μmとし、
コロナ放電により層1の表面が負で、表面と電極4との
電位差600Vに帯電させる。これに、層1の表面から
、波長7700mの半導体レーザー光を照射すると、層
1は通過し、層2で吸収される。そして、ここに正孔・
電子対が発生するが、正孔は表面へ、電子は電極4へ電
界により引き出され、上記の帯電を中和する。電位差が
60チまで減少するに要した光照射値は光照射時間0.
1μs〜0.1秒の範囲で照射時間によらず、約1f3
mJ/cm である。
これは光導電キャリアの発生効率60%に相当する。
なお、光を照射しない時の帯電電位の減衰(暗減衰)率
は、電位が10%低下するに要する時間が11秒という
割合である。
は、電位が10%低下するに要する時間が11秒という
割合である。
■の値は、1>V>0の間で変えることができる。■の
値を増すと、より長波長まで感光波長が伸びるか、上記
暗減衰率は増加するので、0.1〜0.8の範囲内がよ
り好ましい。
値を増すと、より長波長まで感光波長が伸びるか、上記
暗減衰率は増加するので、0.1〜0.8の範囲内がよ
り好ましい。
また、Xと5の値は、0から約0.3程度まで増すこと
ができ、照射光の透過性、膜の安定性、耐摩擦性の向上
がみられる。
ができ、照射光の透過性、膜の安定性、耐摩擦性の向上
がみられる。
層1の導電型をn形、層6の導電型をp形としても良い
。この場合には、層1の表面は正に帯電させて光を照射
することにより、前記と同様の特性を得ることができる
。
。この場合には、層1の表面は正に帯電させて光を照射
することにより、前記と同様の特性を得ることができる
。
層1の厚さfと層6の厚さhは、その和が電子写真VC
おけるトナーを吸引するに要する帯電電位差(約600
〜800V)に対して、光導電膜がブレークダウンしな
い厚さく約60μm以上)に選んであれは良く、各々の
層の厚さは上記の例に限定されない。
おけるトナーを吸引するに要する帯電電位差(約600
〜800V)に対して、光導電膜がブレークダウンしな
い厚さく約60μm以上)に選んであれは良く、各々の
層の厚さは上記の例に限定されない。
実施例 2
第6図は、帯電電位差に対する耐圧をa−8i −C−
Oc以外の層の助けをかりて得るようにしだ本発明の変
形例である。第6図において、層15はp形弁晶質Se
層(比抵抗1014Ω・cm、厚さ50μm)、層11
はp形a−Si層(比抵抗1013Ω−cm、厚さ1μ
m )、層12はp形又はn形ノa 、S + o、
bGe o、a層(厚さiμm)、層16はn形a−8
iJii(比抵抗10 Ω−C1n、厚さ1μm)、
層16はn形弁晶質Se層(比抵抗1014Ω−cm、
厚さ1μm)、14は電極である。々お、非晶質Se層
は結晶化を防止するために、一般に少量のAs 、 T
e 、 sbなどが添加されている。この光導電膜の動
作、機能特性は第2図のものと同様である。
Oc以外の層の助けをかりて得るようにしだ本発明の変
形例である。第6図において、層15はp形弁晶質Se
層(比抵抗1014Ω・cm、厚さ50μm)、層11
はp形a−Si層(比抵抗1013Ω−cm、厚さ1μ
m )、層12はp形又はn形ノa 、S + o、
bGe o、a層(厚さiμm)、層16はn形a−8
iJii(比抵抗10 Ω−C1n、厚さ1μm)、
層16はn形弁晶質Se層(比抵抗1014Ω−cm、
厚さ1μm)、14は電極である。々お、非晶質Se層
は結晶化を防止するために、一般に少量のAs 、 T
e 、 sbなどが添加されている。この光導電膜の動
作、機能特性は第2図のものと同様である。
実施例 6
第4図は、耐擦性向上のために、第6図と同じ構造にお
いて、層5の非晶質Se層の表面に、厚さ1μmのp形
a−8I o、 7 Co、 3の層17を形成したも
のである。
いて、層5の非晶質Se層の表面に、厚さ1μmのp形
a−8I o、 7 Co、 3の層17を形成したも
のである。
第6図、第4図において、層15又は16の厚さを両者
の和と同一にすれば、いずれか一方を省いても良い。ま
だ、層15.16の両方又は一方は、ポリビニールカル
バゾール系やピラゾリン系などの有機層であっても良い
。
の和と同一にすれば、いずれか一方を省いても良い。ま
だ、層15.16の両方又は一方は、ポリビニールカル
バゾール系やピラゾリン系などの有機層であっても良い
。
要するに、水素を多量(5〜60チ)に含む非晶質のS
i −C−Gc系からなる材料の異種接合層を光導電層
として含むことを特徴とする本発明による光導電膜は、
禁止帯幅及び比抵抗を大幅に制御できるため、長波長域
まで高い感度を有し、かつ暗減衰の少ない耐擦性に優れ
た電子写真用光導電膜として応用することができる。
i −C−Gc系からなる材料の異種接合層を光導電層
として含むことを特徴とする本発明による光導電膜は、
禁止帯幅及び比抵抗を大幅に制御できるため、長波長域
まで高い感度を有し、かつ暗減衰の少ない耐擦性に優れ
た電子写真用光導電膜として応用することができる。
なお、本発明で使用する非晶質の(Si、(゛、(’r
e)膜は、リアクティブ・スパッタリング法、グロー放
電法などで形成することができる。例えば、リアクティ
ブ・スパッタリング法では次の様にして作製することが
できる。
e)膜は、リアクティブ・スパッタリング法、グロー放
電法などで形成することができる。例えば、リアクティ
ブ・スパッタリング法では次の様にして作製することが
できる。
すなわち、膜を被着すべき基板(例えば、Adのトラノ
、)と、スパッタ源となるターゲット電極材料(Si、
C,Ge )とをスパッタ装置内に対向して設置し、
I X 10 Torr以下に排気したのち、A[お
よびlI2ガスを導入して約5X10 Torrの真
空度とし、ターゲット電極に高周波電力を入力すること
により、ターゲット電極材料が雰囲気ガス中のII2を
とり込んで基板上に付着し、水素を含む・しく Si、
C,Ge )膜が形成される。多層膜形成における各
層の厚さは、高周波電力および/またはスパッタリング
時間を調節することにより制御される。捷だ、各層の組
成比は、ターゲット電極において、Si 、 C,Ge
の占める面積の比を変えることにより任意に制御するこ
とができる。
、)と、スパッタ源となるターゲット電極材料(Si、
C,Ge )とをスパッタ装置内に対向して設置し、
I X 10 Torr以下に排気したのち、A[お
よびlI2ガスを導入して約5X10 Torrの真
空度とし、ターゲット電極に高周波電力を入力すること
により、ターゲット電極材料が雰囲気ガス中のII2を
とり込んで基板上に付着し、水素を含む・しく Si、
C,Ge )膜が形成される。多層膜形成における各
層の厚さは、高周波電力および/またはスパッタリング
時間を調節することにより制御される。捷だ、各層の組
成比は、ターゲット電極において、Si 、 C,Ge
の占める面積の比を変えることにより任意に制御するこ
とができる。
例えば、直径150mm、長さ500 mmのAI!ト
ラム表面上に、厚さ1μmのa S I o 、9
Co、 1、厚さ1μ口1のil −S j o、9
Ge o 、1、厚さ60Inのa S I o、q
Co、1からなる多層膜を形成するには、長さ550
mm 。
ラム表面上に、厚さ1μmのa S I o 、9
Co、 1、厚さ1μ口1のil −S j o、9
Ge o 、1、厚さ60Inのa S I o、q
Co、1からなる多層膜を形成するには、長さ550
mm 。
幅8Qnnnのターゲット電極において、最初に81、
”Cの面積比を7:6に選んで約4分間スパッタリング
を行ない、つきに、Sl、Geの面積比を9.4:0.
乙に選んで約4分間スパッタリングを行ない、最後に、
再びターゲット電極のSi、Cの面積比を、7:3に選
んで約4分間スパッタリングを行なうことにより得られ
る。この場合における高周波入力電力は約1Q kWで
、Ae、ト′うl、は回転させなからスパッタリングを
行なう。ドラム上に形成される膜の組成比と、ターゲッ
ト電極上の各材料の面積比が異なるのは、拐料によりス
パッタされる速度が異なるためてあり、上記の面積比は
これを考慮して設定されている。
”Cの面積比を7:6に選んで約4分間スパッタリング
を行ない、つきに、Sl、Geの面積比を9.4:0.
乙に選んで約4分間スパッタリングを行ない、最後に、
再びターゲット電極のSi、Cの面積比を、7:3に選
んで約4分間スパッタリングを行なうことにより得られ
る。この場合における高周波入力電力は約1Q kWで
、Ae、ト′うl、は回転させなからスパッタリングを
行なう。ドラム上に形成される膜の組成比と、ターゲッ
ト電極上の各材料の面積比が異なるのは、拐料によりス
パッタされる速度が異なるためてあり、上記の面積比は
これを考慮して設定されている。
第1図は非晶質の5i−C−Qeの組成比とバシトギャ
ノプの関係を示す図、第2図〜第4図は本発明の実施例
を示す断面図である。 図において、 1− p形の非晶質SI I X y Cx Gc y
層2− p形又はn形の非晶質St 1−uv (−u
Gev層3− n形の非晶質5a1−3I Cs G
e1層4.14・・金属又は半導体からなる基体電極1
1・・・p形の非晶質Si層 12−p形又はn形の非晶質S j o、b Ge o
、4層15・・・n形の非晶質Si層 15・・・p形非晶質Se層 16・・・n形の非晶質Se層 17・=p形の非晶質S10.7CO,3層復代理人弁
理士 中村純之助
ノプの関係を示す図、第2図〜第4図は本発明の実施例
を示す断面図である。 図において、 1− p形の非晶質SI I X y Cx Gc y
層2− p形又はn形の非晶質St 1−uv (−u
Gev層3− n形の非晶質5a1−3I Cs G
e1層4.14・・金属又は半導体からなる基体電極1
1・・・p形の非晶質Si層 12−p形又はn形の非晶質S j o、b Ge o
、4層15・・・n形の非晶質Si層 15・・・p形非晶質Se層 16・・・n形の非晶質Se層 17・=p形の非晶質S10.7CO,3層復代理人弁
理士 中村純之助
Claims (1)
- (1) 金属又は半導体からなる基体電極上に形成さ
れた5〜60原子チの水素を含む口形(又はp形の非晶
質S11−5−t Cs 001層、その上の5〜30
原子チの水素を含むp形(又はp形)又はp形(又はp
形)の非晶質511−u−vCuGev層、その上の5
〜60原子チの水素を含むp形(又はp形)の非晶質5
11x y L X Ge y層(ここで、0.3>X
≧0.1〉y層0.0.3>U≧0.1>y層0.0.
5>S2O,1’> t≧O1v>y、v>t )の三
層からなる光導電膜を有することを特徴とする記録用部
品。 (2、特許請求の範囲第1項記載の記録用部品において
、前記基体電極と前記p形(又はp形)の非晶質5a1
−5−tC5GeH層との間にp形(又はp形)の非晶
質8e層、前記p形(又はp形)の非晶質S ’ 1
x y Cx G(−y層の上゛にp形(又はp形)の
非晶質Se層が設けられているか、もしくは、前記両S
e層のいずれか一方が設けられていることを特徴とする
記録用部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2479483A JPS58154850A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 記録用部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2479483A JPS58154850A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 記録用部品 |
Related Child Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3293886A Division JPS61228457A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | 非晶質Si−C系層を有する記録用部品 |
JP3293786A Division JPS61221755A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | 非晶質Si−Ge系層を有する記録用部品 |
JP3293986A Division JPS61228455A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | Si−C系層とSi−Ge系層を有する記録用部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58154850A true JPS58154850A (ja) | 1983-09-14 |
JPS6248217B2 JPS6248217B2 (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=12148091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2479483A Granted JPS58154850A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 記録用部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58154850A (ja) |
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---|---|---|---|---|
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JPS61221755A (ja) * | 1986-02-19 | 1986-10-02 | Hitachi Ltd | 非晶質Si−Ge系層を有する記録用部品 |
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US5906708A (en) * | 1994-11-10 | 1999-05-25 | Lawrence Semiconductor Research Laboratory, Inc. | Silicon-germanium-carbon compositions in selective etch processes |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01161618U (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-09 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1983
- 1983-02-18 JP JP2479483A patent/JPS58154850A/ja active Granted
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JPS6248217B2 (ja) | 1987-10-13 |
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