JPS5815097A - 化合物半導体単結晶育成装置 - Google Patents
化合物半導体単結晶育成装置Info
- Publication number
- JPS5815097A JPS5815097A JP11325581A JP11325581A JPS5815097A JP S5815097 A JPS5815097 A JP S5815097A JP 11325581 A JP11325581 A JP 11325581A JP 11325581 A JP11325581 A JP 11325581A JP S5815097 A JPS5815097 A JP S5815097A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- single crystal
- semiconductor single
- plate
- hole
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/24—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using mechanical means, e.g. shaping guides
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発ＷＡａ、化合物半導体単結晶育成装置の改良に＠す
る。
る。
ｇ１図に示す如く、内壁１ａを石英で形成し外。
壁１ｂをカーーンて形成したルツ１１内にＧａＰ。
ＧａＡｓ等の化合物融液２を入れ、その上を隔離板Ｊを
介してｌＩ２０．などの不活性ガス等からなるカブセル
部材４で覆い、かつ、高圧不活性ガス雰囲気の状態で化
合物の公簿及び気化を防止し表から化合物半導体単結晶
体５０引上げを行っている。
介してｌＩ２０．などの不活性ガス等からなるカブセル
部材４で覆い、かつ、高圧不活性ガス雰囲気の状態で化
合物の公簿及び気化を防止し表から化合物半導体単結晶
体５０引上げを行っている。
化合物半導体単結晶体ＳＯ径は％ ＢＮ 、 １ｉｔｊ
Ｎ４勢で形成され九隔離板ＪＯ中央部に開口し丸窓１１
の径によって決定される。
Ｎ４勢で形成され九隔離板ＪＯ中央部に開口し丸窓１１
の径によって決定される。
しかしながら、このような従来の化合物半導体単結晶育
成装置見によるものでは、引き上げられる化合物半導体
単結晶体５の中心と隔離板１の窓ＪａＯ中心とが一致し
ないことや、外界からの機械的振動によって隔離４［３
に化合物半導体単結晶体５が接触すること等によって、
化合物半導体単結晶体５が多結晶化したシ或は双晶の発
生を招く等の問題があり九。
成装置見によるものでは、引き上げられる化合物半導体
単結晶体５の中心と隔離板１の窓ＪａＯ中心とが一致し
ないことや、外界からの機械的振動によって隔離４［３
に化合物半導体単結晶体５が接触すること等によって、
化合物半導体単結晶体５が多結晶化したシ或は双晶の発
生を招く等の問題があり九。
本発明拡、かかる点く鑑みてなされたもので、多結晶化
ヤ双晶Ｏ発生を防止して完全に単結晶化された化合物半
導体単結晶体を高歩留シで容易に製造する仁とができる
化合物半導体単結晶育成装置を提供するものである。
ヤ双晶Ｏ発生を防止して完全に単結晶化された化合物半
導体単結晶体を高歩留シで容易に製造する仁とができる
化合物半導体単結晶育成装置を提供するものである。
以下、本発明の実施例について説明する。
第２図は、本発明の一実施例の断面図である。
図中１０は、石英などで形成されたルツＩである。ルツ
ｄｔｌＯ内には、ＧａＰ 、 ＧａＡｓ等の化合物半導
体融液１１が収容されている。化合物半導体融液１１上
には、隔離板１２を介して８□Ｏｓ勢の不活性ガスから
なる力！セル部材１３が積層されている。隔離板１２は
、ＢＮ 、 ８１．Ｎ４等で形成されておりその中央部
には第３図（４）及び同図ＣＢ）Ｋ示す如く、化合物半
導体単結晶体１４を引き出す丸めの引上げ孔ＪＪｍが開
口されている。隔離板１２は、力！セル部材ＩＳの上方
に設けられ九ビン固定治具１５に貫挿されてルツー１０
内に立設された４本のガイドビン１６によって第４図に
示す如く４辺を固定されている。♂ン固定治具１５は、
第５図（６）及び同図（Ｂ）に示す如く、中央部に化合
物半導体単結晶体１４を引き上げる丸めの引上軸１７が
貫挿されされるガイド孔１６ａを有している。なお、引
上軸１１の先端部には、化金物半導体単結晶体１４を形
成せしめる種結晶体１９が取付けられている。また、ガ
イドビンＩＣの長さは、最終引上げの化合物半導体単結
晶体１４０長さよ〉も長く設定されている。
ｄｔｌＯ内には、ＧａＰ 、 ＧａＡｓ等の化合物半導
体融液１１が収容されている。化合物半導体融液１１上
には、隔離板１２を介して８□Ｏｓ勢の不活性ガスから
なる力！セル部材１３が積層されている。隔離板１２は
、ＢＮ 、 ８１．Ｎ４等で形成されておりその中央部
には第３図（４）及び同図ＣＢ）Ｋ示す如く、化合物半
導体単結晶体１４を引き出す丸めの引上げ孔ＪＪｍが開
口されている。隔離板１２は、力！セル部材ＩＳの上方
に設けられ九ビン固定治具１５に貫挿されてルツー１０
内に立設された４本のガイドビン１６によって第４図に
示す如く４辺を固定されている。♂ン固定治具１５は、
第５図（６）及び同図（Ｂ）に示す如く、中央部に化合
物半導体単結晶体１４を引き上げる丸めの引上軸１７が
貫挿されされるガイド孔１６ａを有している。なお、引
上軸１１の先端部には、化金物半導体単結晶体１４を形
成せしめる種結晶体１９が取付けられている。また、ガ
イドビンＩＣの長さは、最終引上げの化合物半導体単結
晶体１４０長さよ〉も長く設定されている。
このように構成され九化合物牛導体単結晶育成装置１０
によれば、隔離板１２がぜン固定治具１５に貫挿された
ガイドビンＩＣによって固定されているので、引上げ軸
１１に取付けられた種結晶体１９は、常に隔離板１２の
引上げ孔Ｊｊｍの中心に対応して所定位置に設定されて
いる。また、隔離板１２がガイドビン１６によって固定
畜れているの、で、外部からの機械的な振動が加わって
も種結晶体１ｇによって引上げられる化金物半導体単結
晶体１４が隔離板１２の引上げ孔ＪＪａに衝突するのを
防止できる。
によれば、隔離板１２がぜン固定治具１５に貫挿された
ガイドビンＩＣによって固定されているので、引上げ軸
１１に取付けられた種結晶体１９は、常に隔離板１２の
引上げ孔Ｊｊｍの中心に対応して所定位置に設定されて
いる。また、隔離板１２がガイドビン１６によって固定
畜れているの、で、外部からの機械的な振動が加わって
も種結晶体１ｇによって引上げられる化金物半導体単結
晶体１４が隔離板１２の引上げ孔ＪＪａに衝突するのを
防止できる。
その結果、多結晶化ヤ双晶の発生を防止して完全く単結
晶化された化合物半導体単結晶体１４を容易に製造する
ことができる。
晶化された化合物半導体単結晶体１４を容易に製造する
ことができる。
因に、この化合物半導体単結晶育成装置Ｌ！を用いて、
ＧａＰの化合物半導体融液１１から化合物半導体単結
晶体１４を３０■の長さのガイドビン１ｇと６５−の長
さのガイドビン１６とを用いて引き上げたところ下記表
に示す如き結果を得え。
ＧａＰの化合物半導体融液１１から化合物半導体単結
晶体１４を３０■の長さのガイドビン１ｇと６５−の長
さのガイドビン１６とを用いて引き上げたところ下記表
に示す如き結果を得え。
なお、引き上げ条件等は次の通シであった。
ＧａＰ Ｊｌ料 ６００ｇｒ
引上げ重量 ４００ｇｒ
ｌ 長さ ６０ｍｍ
１ 径 ４０〜４５ｍφ
これと比較する丸め従来の化合物半導体単結晶育成装置
を用いて同様に化合物半導体単結晶体の引き上げを行っ
たところ同表に併記した結果を得た。
を用いて同様に化合物半導体単結晶体の引き上げを行っ
たところ同表に併記した結果を得た。
また、実施例の化合物半導体単結晶育成装置ｇｏを用い
て引き上げ九１００憾単結晶の本数とガイドビンの長さ
との関係を調べたとζろ第６図に示す結果を得え。
て引き上げ九１００憾単結晶の本数とガイドビンの長さ
との関係を調べたとζろ第６図に示す結果を得え。
これらの結果から明らかなように、実施例の化合物半導
体単結晶育成装置ｇｏによれば、極もガイドビン１６の
長さを長く設定する仁とが望ましいことが判る。
体単結晶育成装置ｇｏによれば、極もガイドビン１６の
長さを長く設定する仁とが望ましいことが判る。
以上説明した如く、本発Ｉ！ｊＩＫ係る化合物半導体単
結晶育成装置によれば、多結晶化中双晶の発生を切上し
て完全に単結晶化された化合物半導体単結晶体を高い歩
留りで容易に製造できるものである。
結晶育成装置によれば、多結晶化中双晶の発生を切上し
て完全に単結晶化された化合物半導体単結晶体を高い歩
留りで容易に製造できるものである。
第１図は、従来の化合物半導体単結晶育成装置の断面図
、第２図は、本発明の一実施例の断面図、第３図囚及び
同図−）は、同実施例にて用いる隔離板の説明図、第４
図社、隔離板をがイドビンで押えている状態の説明図、
第５図（４）及び同図０）は、同実施例にて用いるビン
固定治具の説明図、第６図は、ガイドビンの長さと１０
０憾単結晶Ｏ本数との関係を示す特性図である。 １０・・・ルツー、１１・・・化合物半導体融液、１２
・・・隔離板、１３・・・力！セル部材、１４・・・化
合物半導体単結晶体、１５・・・ビン固定治具、１６・
・・ガイドビン、１１・・・引上軸、１８・・・軸穴、
１９−一種結晶体、２０・・・化合物半導体単結晶育成
装置。 出願人代塩入 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ら
、第２図は、本発明の一実施例の断面図、第３図囚及び
同図−）は、同実施例にて用いる隔離板の説明図、第４
図社、隔離板をがイドビンで押えている状態の説明図、
第５図（４）及び同図０）は、同実施例にて用いるビン
固定治具の説明図、第６図は、ガイドビンの長さと１０
０憾単結晶Ｏ本数との関係を示す特性図である。 １０・・・ルツー、１１・・・化合物半導体融液、１２
・・・隔離板、１３・・・力！セル部材、１４・・・化
合物半導体単結晶体、１５・・・ビン固定治具、１６・
・・ガイドビン、１１・・・引上軸、１８・・・軸穴、
１９−一種結晶体、２０・・・化合物半導体単結晶育成
装置。 出願人代塩入 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ら
Claims (1)
- 化合物半導体融液が収容されるルツＩと、前記化合物半
導体融液上に隔離板を介して積層され九力！セル部材と
、前記隔離板の周辺を固定して前記ルツＩ内に立設され
たガイドビンと、皺ガイドビンに摺動自在に貫挿されて
前記カブ竜ル部材の上方に設けられ九ビン固定治具と、
前記隔離板に形成されたメタル引上げ孔に対向して該♂
ン固定治具に昇降自在に貫挿され走引上軸とを具備する
ことをＩＩ＃微とする化合物半導体単結晶育成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11325581A JPS5815097A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 化合物半導体単結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11325581A JPS5815097A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 化合物半導体単結晶育成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5815097A true JPS5815097A (ja) | 1983-01-28 |
Family
ID=14607508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11325581A Pending JPS5815097A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 化合物半導体単結晶育成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815097A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016564A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Asahi Breweries Ltd | 即席ぞうすいおよびその製造法 |
| JPS6016557A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Osaka Gas Co Ltd | 雑炊用乾燥ごはん、並びに、その製造法 |
| JPS60112696A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-19 | Toshiba Corp | 高圧式の半導体引き上げ製造装置 |
| EP0219966A2 (en) * | 1985-09-11 | 1987-04-29 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Process for pulling a crystal |
| WO2014045116A3 (en) * | 2012-09-18 | 2014-05-30 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Up-drawing continuous casting apparatus and up-drawing continuous casting method |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP11325581A patent/JPS5815097A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016564A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Asahi Breweries Ltd | 即席ぞうすいおよびその製造法 |
| JPS6016557A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Osaka Gas Co Ltd | 雑炊用乾燥ごはん、並びに、その製造法 |
| JPS60112696A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-19 | Toshiba Corp | 高圧式の半導体引き上げ製造装置 |
| EP0219966A2 (en) * | 1985-09-11 | 1987-04-29 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Process for pulling a crystal |
| WO2014045116A3 (en) * | 2012-09-18 | 2014-05-30 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Up-drawing continuous casting apparatus and up-drawing continuous casting method |
| GB2520192A (en) * | 2012-09-18 | 2015-05-13 | Toyota Motor Co Ltd | Up-drawing continuous casting apparatus and up-drawing continuous casting method |
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