JPS58148481A - 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ - Google Patents
埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザInfo
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- JPS58148481A JPS58148481A JP3205982A JP3205982A JPS58148481A JP S58148481 A JPS58148481 A JP S58148481A JP 3205982 A JP3205982 A JP 3205982A JP 3205982 A JP3205982 A JP 3205982A JP S58148481 A JPS58148481 A JP S58148481A
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- JP
- Japan
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- active layer
- semiconductor
- conductive
- mesa
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は活性層の肩囲を、活性層よりもエネルギーギャ
ップが大吉く、屈折串が小さな半導体材料でおおわれ九
埋め込みヘテ四構造半導体レーザに関する。
ップが大吉く、屈折串が小さな半導体材料でおおわれ九
埋め込みヘテ四構造半導体レーザに関する。
颯め込みヘテ四構造半導体し−ｆ（ＢＨ−ＬＤ）は低い
発振しきい値電流、安定化され九発振横モード、高温動
作可能などの優れた特性を有して−る九め、光７アイパ
通信用光源として注目を集めてψる。例えば、大村風ら
は１９８０年発行のエレタト撃エクス・レターズ（ｎ１
ｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）誌−ｈｌＨｓｌ
ｓ嬉１４号、謔５６６頁から嬉５６８頁までの中で報告
して−るように、ベリード・フレラセン）（Ｂｅ）レー
ザと呼ばれる颯め込み厘の半導体レーずを開発し九〇こ
れはＩＩＩＩＪＫ示した様Ｋｎ−１ｎＰ基板１０１上Ｋ
Ｐ−１ｎ１−ｘＧＡｘ％Ｐ１−、電流プロッタ層ｉ
０２＊ ｐ −Ｉ ｍＰ １ｌｌＩＬプｖｘｙｐ層１０
３を成長サセ九半導体ウェファＫ ＜０１１）方向に平
行に輻２ｓｖｘｓ ｌｋｋ度のストライプ状の濤１１０
をｎ−ＩｎＰ基板１０１ Ｋ達するまでの深さでエツチ
ングにより形成し、ｎ−ＩｒＪＰバッファ層１０４．お
よびＴｎｔ−ｚαａｚＡｓｗＰｔ−ｗ活性層１０５の一
部が、この濤１１０の中に埋め込まれるように成長させ
たものであり、三日月状に埋め込まれた活性層をもつＢ
Ｈ−ＬＤである。ここではストライプ状の濤１１０をエ
ツチングによって形成することＫよｐ Ｔｎｘ−ｚＧａ
ｚＡｉｗＰｌ−ｗ活性層１０５を含む溝１１０の周囲に
自動的にｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合が形成されて、それが自動
的に電流ブロック領域となる。
発振しきい値電流、安定化され九発振横モード、高温動
作可能などの優れた特性を有して−る九め、光７アイパ
通信用光源として注目を集めてψる。例えば、大村風ら
は１９８０年発行のエレタト撃エクス・レターズ（ｎ１
ｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）誌−ｈｌＨｓｌ
ｓ嬉１４号、謔５６６頁から嬉５６８頁までの中で報告
して−るように、ベリード・フレラセン）（Ｂｅ）レー
ザと呼ばれる颯め込み厘の半導体レーずを開発し九〇こ
れはＩＩＩＩＪＫ示した様Ｋｎ−１ｎＰ基板１０１上Ｋ
Ｐ−１ｎ１−ｘＧＡｘ％Ｐ１−、電流プロッタ層ｉ
０２＊ ｐ −Ｉ ｍＰ １ｌｌＩＬプｖｘｙｐ層１０
３を成長サセ九半導体ウェファＫ ＜０１１）方向に平
行に輻２ｓｖｘｓ ｌｋｋ度のストライプ状の濤１１０
をｎ−ＩｎＰ基板１０１ Ｋ達するまでの深さでエツチ
ングにより形成し、ｎ−ＩｒＪＰバッファ層１０４．お
よびＴｎｔ−ｚαａｚＡｓｗＰｔ−ｗ活性層１０５の一
部が、この濤１１０の中に埋め込まれるように成長させ
たものであり、三日月状に埋め込まれた活性層をもつＢ
Ｈ−ＬＤである。ここではストライプ状の濤１１０をエ
ツチングによって形成することＫよｐ Ｔｎｘ−ｚＧａ
ｚＡｉｗＰｌ−ｗ活性層１０５を含む溝１１０の周囲に
自動的にｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合が形成されて、それが自動
的に電流ブロック領域となる。
大村式らは、この構造のＢＨ−ＬＤで室ＩＣＷの発振し
きい値２０ｓｎＡを得ている。
きい値２０ｓｎＡを得ている。
しかしながら、このタイプのＢＨ−ＬＤにおいては、以
下に示すような製造上の欠点がある。すなわち活性層を
半導体中に分離して埋め込み、良好な特性のＢＨ−ＬＤ
を実現するためには、半導体ウェファ上に形成され九幅
わずか２μｍＩｉ！度の溝のふちでＩｎ１−ｚＧａｚＡ
ｓｗＰｌ−ｗ活性層１０５をとぎれるように成長させる
必要がある。そにτかかわらず、この晟長過幌でＩ ｎ
ｓ −ｚ Ｇａｘ ＡｓｗＰ ｔ−ｇｙ活性層１０５
が堀め込まれずに連続して成長してしまうなど、結晶成
長の再現性が悪く、製造歩留りが悪いという欠点があっ
九。
下に示すような製造上の欠点がある。すなわち活性層を
半導体中に分離して埋め込み、良好な特性のＢＨ−ＬＤ
を実現するためには、半導体ウェファ上に形成され九幅
わずか２μｍＩｉ！度の溝のふちでＩｎ１−ｚＧａｚＡ
ｓｗＰｌ−ｗ活性層１０５をとぎれるように成長させる
必要がある。そにτかかわらず、この晟長過幌でＩ ｎ
ｓ −ｚ Ｇａｘ ＡｓｗＰ ｔ−ｇｙ活性層１０５
が堀め込まれずに連続して成長してしまうなど、結晶成
長の再現性が悪く、製造歩留りが悪いという欠点があっ
九。
本発明の目的は上記の欠点を除去すべく、→−活性層が
溝の中に確実ＫＩ［め込まれて形成され、結晶成長の再
現性、製造歩留抄の良Ｉ７２埋め込みヘテ田構造半導体
レーザを提供するととにある。
溝の中に確実ＫＩ［め込まれて形成され、結晶成長の再
現性、製造歩留抄の良Ｉ７２埋め込みヘテ田構造半導体
レーザを提供するととにある。
本発明による埋め込みヘテｐ構造半導体レーザの構成は
、活性層のｌ１８！が活性層よりも屈折串が小さく、か
つエネルギーギャップの大きな半導体材料で、おおわれ
て−る埋め込みへテロ構造半導体レーザにお−て、第１
導電型半導体−−ＫＩＩ接して１１２導電型半導体層が
形成され、前記第２導電型半導体層に２本の平行なメサ
ストライプが形成され、前記２本のメサストライプによ
ってはさまれた濃は、前記ｌＩ２導電■半導体層をつき
ぬけ九構造となってお抄、前記２本のメすストライプの
上面を除いてＩＩＩ導電型クラッド層、および活性層が
少なくとも前記溝内部に積層され、さらに前記活性層及
びメサストライプ上の全面にゎたって第２導電型クラッ
ド層が形成され九構造を具備していることを特徴として
いる。
、活性層のｌ１８！が活性層よりも屈折串が小さく、か
つエネルギーギャップの大きな半導体材料で、おおわれ
て−る埋め込みへテロ構造半導体レーザにお−て、第１
導電型半導体−−ＫＩＩ接して１１２導電型半導体層が
形成され、前記第２導電型半導体層に２本の平行なメサ
ストライプが形成され、前記２本のメサストライプによ
ってはさまれた濃は、前記ｌＩ２導電■半導体層をつき
ぬけ九構造となってお抄、前記２本のメすストライプの
上面を除いてＩＩＩ導電型クラッド層、および活性層が
少なくとも前記溝内部に積層され、さらに前記活性層及
びメサストライプ上の全面にゎたって第２導電型クラッ
ド層が形成され九構造を具備していることを特徴として
いる。
以下実施例を示す図面を参照しつつ本発明を説明する。
嬉２図は本発明の第１の実施例であるＢＨ−ＬＤの断面
図を示す。このようなりＨ−ＬＤを得るＫは、まず第１
導電型テする（１００）ｎ−４ｎＰ基板２０１上にｎ−
ＩｎＰバッファ層２０２．ｗ１２１２導電型半導である
ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層２０３を順次積層させ九多層
膜構造半導体ウェファに通常のフォトリングラフィの手
法を用いて２回のエツチングを行なμ幅２ＪＩｍ、平坦
部よりの高さ０．５μｍの２本の平行なメサストライプ
２５１．２５２およびそれらによってはさまれて形成さ
れ九幅２声ｍ、深さ２ ＪｌｍのＶ濤２５３をｐＪｎＰ
電流ブロック層２０３をつきぬけるようにしてユ１１〉
方向に平行に形成する。ｐ−ｒｎＰ電流ブロック層２０
３をつきぬけるようにするのは、そうしないと発光再結
合する活性層に電流が効率よく注入されないためである
。このようにして得た半導体ウェファ［１１１４電型ク
ラッド層であるｎ−４ｎＰ電流ブロック層２０４９発光
波長１．３μｍに対応するＩｎ００丁！ Ｇａ６．＠ Ａ ｓ６．＠＠ ＮＨ活性層２０５をもと
に２本の平行なメサストライプ２５１．２５２の上面の
みを除いて積層させる。このようなことはメサストライ
プの輻が扶ければ、吉わめて容易である。さらに第２導
電型クラッド層であるｐＪｎＰ埋め込み層２０６゜発光
波長１．１μｍ組成のＰ−Ｔｎｌ１４１０ａＱ、１１λ
ｋｓｓ Ｐｏ、ｓｙ電極層２０７を全面にわたって連続
して積層させる。
図を示す。このようなりＨ−ＬＤを得るＫは、まず第１
導電型テする（１００）ｎ−４ｎＰ基板２０１上にｎ−
ＩｎＰバッファ層２０２．ｗ１２１２導電型半導である
ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層２０３を順次積層させ九多層
膜構造半導体ウェファに通常のフォトリングラフィの手
法を用いて２回のエツチングを行なμ幅２ＪＩｍ、平坦
部よりの高さ０．５μｍの２本の平行なメサストライプ
２５１．２５２およびそれらによってはさまれて形成さ
れ九幅２声ｍ、深さ２ ＪｌｍのＶ濤２５３をｐＪｎＰ
電流ブロック層２０３をつきぬけるようにしてユ１１〉
方向に平行に形成する。ｐ−ｒｎＰ電流ブロック層２０
３をつきぬけるようにするのは、そうしないと発光再結
合する活性層に電流が効率よく注入されないためである
。このようにして得た半導体ウェファ［１１１４電型ク
ラッド層であるｎ−４ｎＰ電流ブロック層２０４９発光
波長１．３μｍに対応するＩｎ００丁！ Ｇａ６．＠ Ａ ｓ６．＠＠ ＮＨ活性層２０５をもと
に２本の平行なメサストライプ２５１．２５２の上面の
みを除いて積層させる。このようなことはメサストライ
プの輻が扶ければ、吉わめて容易である。さらに第２導
電型クラッド層であるｐＪｎＰ埋め込み層２０６゜発光
波長１．１μｍ組成のＰ−Ｔｎｌ１４１０ａＱ、１１λ
ｋｓｓ Ｐｏ、ｓｙ電極層２０７を全面にわたって連続
して積層させる。
このように本発明の実施例のＢＨ−ＬＤにおいては埋め
込み活性層を形成するために幅２μｍときわめて狭−２
本のメサストライプをあらかじめ設けておき、その２本
のメサストライプにはさまれた■濤の部分にＩｎ６．ｇ
Ｇ４．ＨＡＳ６．＠ＩＰ＠４活性層２０３を成長させ
る方法をとっている。す表わち、この発明ではメサ上面
に活性層が積層しないという結晶成長の性質を利用して
おり、活性層がｖ＃Ｉ内部に途切れて一←鳳めこまれて
形成される。
込み活性層を形成するために幅２μｍときわめて狭−２
本のメサストライプをあらかじめ設けておき、その２本
のメサストライプにはさまれた■濤の部分にＩｎ６．ｇ
Ｇ４．ＨＡＳ６．＠ＩＰ＠４活性層２０３を成長させ
る方法をとっている。す表わち、この発明ではメサ上面
に活性層が積層しないという結晶成長の性質を利用して
おり、活性層がｖ＃Ｉ内部に途切れて一←鳳めこまれて
形成される。
したがって、従来例のように活性層が連続して成長して
ＢＨ−ＬＤの結晶成長の再現性、製造歩留９が悪くなる
ということがなく、高性能なりＨ−ＬＤが、きわめて再
現性よく得られる。最後にＰ形電ｆｉ ２０８． ｙａ
形電電１ｉ２０９を形成し、製造を終える・本発明の■
献ｈＡｓＰＢＨ−ＬＤにおいて室温での発振しきい値電
流が１ （？”！０ｒｎＡ 、微分量子効率が、５トロ
０％というＢＨ−ＬＤがきわめて歩留りよく得られたＯ 次Ｋｌ！３図には、本発明の第２の実施例のＢＨ−ＬＤ
を示す・これも第１Ｏ実施例に示したＢＨ−、ＬＤとほ
ぼ同様にできる。この場合には第１導電型半一。
ＢＨ−ＬＤの結晶成長の再現性、製造歩留９が悪くなる
ということがなく、高性能なりＨ−ＬＤが、きわめて再
現性よく得られる。最後にＰ形電ｆｉ ２０８． ｙａ
形電電１ｉ２０９を形成し、製造を終える・本発明の■
献ｈＡｓＰＢＨ−ＬＤにおいて室温での発振しきい値電
流が１ （？”！０ｒｎＡ 、微分量子効率が、５トロ
０％というＢＨ−ＬＤがきわめて歩留りよく得られたＯ 次Ｋｌ！３図には、本発明の第２の実施例のＢＨ−ＬＤ
を示す・これも第１Ｏ実施例に示したＢＨ−、ＬＤとほ
ぼ同様にできる。この場合には第１導電型半一。
導体基板である（ １００）ａ−ＴｎＰ基板３０１にＰ
形不純物であるｃｄｔ−ｇ散することによって、第２導
電型半導体層であるＣｄ拡散層３０２を形成する。仁の
層の厚さは１．５μｍとし、ｔＩＭｌの実施例と同様、
２本の平行なメサストライプ３５１．３５２およびそれ
らＫよってはさまれて形成されたストライプ濤３０３を
エツチングによって形成する。この際、溝３０３のエツ
チングには、例えばＢｙメタノール系のエツチング液を
用いることによシ、図中に示した様に逆メサ形状のエツ
チング濤を形成することができる。
形不純物であるｃｄｔ−ｇ散することによって、第２導
電型半導体層であるＣｄ拡散層３０２を形成する。仁の
層の厚さは１．５μｍとし、ｔＩＭｌの実施例と同様、
２本の平行なメサストライプ３５１．３５２およびそれ
らＫよってはさまれて形成されたストライプ濤３０３を
エツチングによって形成する。この際、溝３０３のエツ
チングには、例えばＢｙメタノール系のエツチング液を
用いることによシ、図中に示した様に逆メサ形状のエツ
チング濤を形成することができる。
このようにした得た半導体ウェファ上１こ、第１の実施
例の場合と同様に、２本のメサストライプ３５１゜３５
２部分を除いて嬉１導電厘タラ、ド層であるｎ−ＴｎＰ
電流プロ、ダ層３ｏ４９発光波長１．３ ｘｍ ＷＣ相
当するＩｎ６ｙ２ ｏ−−ル＆Ｕ ｐｏ、鱒活性層３０
５を順次積層させ、さらに全面にわたりて第２導電型ク
ラッド層であるｐ−ＩｎＰクラッド層３０＆ ｐ−Ｌｋ
ｙｔ Ｇａ６４ＡＩ＆ｌＩｊ ｐ、節電極層３０７を積
層させ、目的のＢＨ−ＬＤを得る。このようＫ１１Ｉ２
の実施例においては、＃ｇ２導電型半導体層としてＣｄ
Ｏ拡散ＫｚるＣｄ拡散層３０２をｎ−ＴｎＰ基板３０１
に形成したことによシ、エピタキシャル成長工程は、た
だ１度です心と一つ利点がある。この場合にも、もちろ
ん活性層は確実にエツチング濤３０３の内部に埋め込ま
れて形成されるので、従来例と比べ、結晶成長の再現性
ＢＨ−ＬＤの製造歩留りは５０％以上向上した。このよ
うＫして製作したＢＨ−ＬＤにおいても、Ｉ！ｌの実施
例に示したものと同一度の特性のものが、９構性よ（得
られた。
例の場合と同様に、２本のメサストライプ３５１゜３５
２部分を除いて嬉１導電厘タラ、ド層であるｎ−ＴｎＰ
電流プロ、ダ層３ｏ４９発光波長１．３ ｘｍ ＷＣ相
当するＩｎ６ｙ２ ｏ−−ル＆Ｕ ｐｏ、鱒活性層３０
５を順次積層させ、さらに全面にわたりて第２導電型ク
ラッド層であるｐ−ＩｎＰクラッド層３０＆ ｐ−Ｌｋ
ｙｔ Ｇａ６４ＡＩ＆ｌＩｊ ｐ、節電極層３０７を積
層させ、目的のＢＨ−ＬＤを得る。このようＫ１１Ｉ２
の実施例においては、＃ｇ２導電型半導体層としてＣｄ
Ｏ拡散ＫｚるＣｄ拡散層３０２をｎ−ＴｎＰ基板３０１
に形成したことによシ、エピタキシャル成長工程は、た
だ１度です心と一つ利点がある。この場合にも、もちろ
ん活性層は確実にエツチング濤３０３の内部に埋め込ま
れて形成されるので、従来例と比べ、結晶成長の再現性
ＢＨ−ＬＤの製造歩留りは５０％以上向上した。このよ
うＫして製作したＢＨ−ＬＤにおいても、Ｉ！ｌの実施
例に示したものと同一度の特性のものが、９構性よ（得
られた。
なお、上述した実施例においては、１ｏｔ−ｘＧａｘ人
３７Ｐ”７を活性層、ＩｎＰを基板とし九１μｍ波長帯
の素子を示したが、これらの半導体材料に限る仁とな（
、ＧａＡｒＡｓ糸や他の半導体材料でありてもかまわな
い。さらに、実施例においては活性層を埋め込む一部分
を■連形状及び逆メサ形状としたが、こにに限ることな
く、溝の底が平らな台形の形をした溝や他の形状の溝で
あっても差しつかえない。
３７Ｐ”７を活性層、ＩｎＰを基板とし九１μｍ波長帯
の素子を示したが、これらの半導体材料に限る仁とな（
、ＧａＡｒＡｓ糸や他の半導体材料でありてもかまわな
い。さらに、実施例においては活性層を埋め込む一部分
を■連形状及び逆メサ形状としたが、こにに限ることな
く、溝の底が平らな台形の形をした溝や他の形状の溝で
あっても差しつかえない。
鱒のエツチングもウェットな化学エツチング法に限るこ
となく、ドライエツチング等の技術を用いてもよい。
となく、ドライエツチング等の技術を用いてもよい。
本発明の特徴は、第２導電型半導体層上に形成された幅
の扶い２本のメサス）ライプによってはさまれた溝が第
２導電型半導体層をつきぬけるように形成され、その溝
部分く活性層を埋め込んで形成したことである。これＫ
よって幅の狭いメサストライプの上面に活性層が成長し
な−ようにすることができ、溝部分に確実に活性層が埋
め込まれ、結晶成長の再現性が大幅に向上し、ＢＨ−Ｌ
Ｄ
の扶い２本のメサス）ライプによってはさまれた溝が第
２導電型半導体層をつきぬけるように形成され、その溝
部分く活性層を埋め込んで形成したことである。これＫ
よって幅の狭いメサストライプの上面に活性層が成長し
な−ようにすることができ、溝部分に確実に活性層が埋
め込まれ、結晶成長の再現性が大幅に向上し、ＢＨ−Ｌ
Ｄ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 活性層の周囲が当該活性層よ抄も屈折串が小さく、かつ
、エネルギーギャップの大きな半導体材料でおおわれて
−る埋め込みへテロ構造半導体レーザにおいて嬉ｌ導電
握半導体とｊ１２導電蓋半導半導層とが、互いにＩＩＩ
して形成され、前記＃！２導電導電置体導体層本の平行
なメサストライプが形成され、前記２本のメサスジライ
プによってはさまれ九−は、前記ＩＩＭ２導電置導電体
半導体層ぬけた構造となっており、前記２本のメサスジ
ライプの上面≠を除−て、諺ｌ導電蓋タラッド層および
活性層が、少なくとも濤内部に形成され、さら〆丈 に活性層及びナヂストライプ上金面にわ九りて第２導電
置タラツド層が形成された構造を具備していることを特
徴とする颯め込みヘテ讐構造半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3205982A JPS58148481A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3205982A JPS58148481A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58148481A true JPS58148481A (ja) | 1983-09-03 |
Family
ID=12348303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3205982A Pending JPS58148481A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58148481A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4819244A (en) * | 1985-06-11 | 1989-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
-
1982
- 1982-03-01 JP JP3205982A patent/JPS58148481A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4819244A (en) * | 1985-06-11 | 1989-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
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