JPS58147023A - Method of producing solid electrolytic condenser - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関し、特にコ
ンデンサエレメントの表層部に厚膜の酸化層を形成する
方法の改良に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a solid electrolytic capacitor, and particularly to an improvement in a method for forming a thick oxide layer on the surface layer of a capacitor element.

一般にこの種固体電解コンデンサは例えば第１図〜第２
図に示すように、タンタル、ニオブ、アルミニウムなど
のように弁作用を有する金属粉末を円柱状に加圧成形し
焼結してなるコンデンサニレメン）Ａに予め弁作用を有
する金属線を陽極リードＢとして植立し、この陽極リー
ドＢの導出部分に第１の外部リード部材Ｃを溶接すると
共に、）第２の外部リード部材りを、コンデンサエレメ
ントＡの周面に酸化層Ｅ、半導体層Ｆ、グラファイト層
Ｇを介して形成された電極引出し層Ｈに半田−付ケシ、
かつコンデンサニレメン）Ａを含む主要部分を樹脂材Ｋ
にて被覆して構成されている。In general, this type of solid electrolytic capacitor is shown in Figures 1 to 2, for example.
As shown in the figure, a metal wire with a valve action is attached to A in advance as an anode lead. A first external lead member C is welded to the lead-out portion of the anode lead B, and a second external lead member is attached to the circumferential surface of the capacitor element A with an oxide layer E and a semiconductor layer F. , a poppy with solder attached to the electrode lead layer H formed through the graphite layer G,
And the main part including capacitor element) A is made of resin material K.
It is covered with

ところで、コンデンサエレメントＡの酸化層Ｅはコンデ
ンサニレメン）Ａを燐酸水溶液などの化成液に浸漬し、
コンデンサエレメントＡが正、化成液が負となるよう、
に所定の直流電圧を長時間に亘って印加することによっ
て形成される関係で、コンデンサニレメン）Ａの表層部
及び深層部には膜厚のほぼ均一な酸化層Ｅが形成される
。そして、酸化層上には半導体層Ｆが形成されるために
、それから酸化層Ｅへの酸素補給効果によって耐圧特性
の優れたコンデンサを得ることができる。By the way, the oxidized layer E of the capacitor element A is formed by immersing the capacitor element A in a chemical solution such as an aqueous phosphoric acid solution.
So that capacitor element A is positive and chemical liquid is negative,
An oxide layer E having a substantially uniform thickness is formed on the surface and deep portions of the capacitor element A by applying a predetermined DC voltage to the capacitor for a long period of time. Since the semiconductor layer F is formed on the oxide layer, a capacitor with excellent breakdown voltage characteristics can be obtained due to the effect of supplying oxygen to the oxide layer E.

しかし乍ら、このコンデンサは等測的には例えば第８図
に示すように、酸化層Ｅによるコンデンサ分と半導体層
Ｆ、グラファイト層Ｇの抵抗分との直列回路として表わ
すことができるものであるが、コンデンサニレメン）Ａ
が極く微細々多孔質に構成されていることもあって、そ
れの深層部における酸化層Ｅによって構成されるコンデ
ンサの一方の電極としてのグラフ１イト層Ｇの電極引出
し層Ｈに至るまでの経路が長く、その分だけ直列抵抗弁
も増加することになるし、特にグラファイト層Ｇが充分
に形成されていない場合にはさらに増加する。その反面
、表層部においてはグラファイト層Ｇの電極引出し層Ｈ
に至る経路がそれの膜厚程度ないしそれの近似する程度
となるために、グラファイト層Ｇによる直列抵抗弁は深
層部に比し格段に小さくなる。However, this capacitor can be expressed isometrically as a series circuit consisting of a capacitor component formed by the oxide layer E and resistance components formed by the semiconductor layer F and the graphite layer G, as shown in FIG. 8, for example. However, capacitor Niremen)A
Because it has an extremely fine porous structure, the oxidized layer E in its deep layer extends to the electrode lead layer H of the graphite layer G, which serves as one electrode of the capacitor. Since the path is long, the number of series resistance valves will increase accordingly, and the number will further increase if the graphite layer G is not sufficiently formed. On the other hand, in the surface layer, the electrode lead layer H of the graphite layer G
Since the path leading to the graphite layer G has a thickness that is approximately the same or approximately the thickness of the graphite layer G, the series resistance valve formed by the graphite layer G becomes much smaller than that in the deeper layer.

従って、コンデンサエレメントＡに陽極リードＢ及び電
極引出し層Ｈを介して直流電圧を印加した場合、直列抵
抗弁の大きい深層部よりむしろ直列抵抗弁の小さい表層
部のコンデンサ部における電圧分担が大きくなると考え
られる。このために、コンデンサニレメン）Ａに欠陥部
が存在する場合には深層部よりむしろ電圧分担の大きい
表層部において劣化ないし破壊され易く、漏洩電流特性
。Therefore, when a DC voltage is applied to the capacitor element A through the anode lead B and the electrode extraction layer H, it is thought that the voltage share will be larger in the capacitor part in the surface part where the series resistance valve is small rather than in the deep part where the series resistance valve is large. It will be done. For this reason, if a defective part exists in the capacitor A, it is more likely to deteriorate or be destroyed in the surface layer where the voltage share is large than in the deep layer, and the leakage current characteristics.

耐圧特性も損なわれ易い。Pressure resistance characteristics are also likely to be impaired.

それ故に、本出願人は先にコンデンサエレメントを酸性
溶液にて化成処理した後、溶融状態のステアリン酸５浸
漬し、充分に含浸させた後、表層部のステアリン酸のみ
を除去し、再度化成処理することによシ、コンデンサエ
レメントの表層部に深層部に比し厚膜の酸化層を形成す
る方法を提案した。Therefore, the applicant first chemically treated the capacitor element with an acidic solution, then immersed it in molten stearic acid 5 to thoroughly impregnate it, removed only the stearic acid on the surface layer, and then chemically treated it again. Therefore, we proposed a method of forming a thicker oxide layer on the surface layer of the capacitor element than in the deeper layer.

この方法によれば、コンデンサエレメントの表層部にの
み厚膜の酸化層が形成されるので、仮に表層部に欠陥部
が存在しても酸化層の厚膜化によって単位膜厚当シの電
圧分担を軽減できることによシ、劣化ないし破壊を効果
的に抑制でき、良好な漏洩電流特性、耐圧特性を得るこ
とができるものである。According to this method, a thick oxide layer is formed only on the surface layer of the capacitor element, so even if there are defects on the surface layer, the voltage will be shared per unit film thickness by increasing the thickness of the oxide layer. By reducing this, deterioration or destruction can be effectively suppressed, and good leakage current characteristics and breakdown voltage characteristics can be obtained.

しかし乍ら、コンデンサエレメントの表層部に厚膜の酸
化層を選択的に形成するための、深層部に含浸させたス
テアリン酸は所望の特性を得るために、化成処理後に一
除去しなければ々らないのであるが、これが除去に長時
間を要し、量産工程への適用が難しいという問題がある
。However, in order to selectively form a thick oxide layer on the surface of the capacitor element, the stearic acid impregnated deep into the capacitor element must be removed after the chemical conversion treatment in order to obtain the desired characteristics. However, there is a problem in that it takes a long time to remove and is difficult to apply to mass production processes.

このステアリン酸の除去を大雑把に行えば、量産工程へ
の適用も可能になるのであるが、深層部における酸化層
上に半導体層を確実に形成することができなくなる関係
で、酸化層のヒーリング作用が損なわれ、所望のコンデ
ンサ特性を期待できなくなるという重大な問題が発生す
る。If this stearic acid is removed roughly, it can be applied to mass production processes, but it would be impossible to reliably form a semiconductor layer on the oxide layer in the deep layer, and the healing effect of the oxide layer would be insufficient. This causes a serious problem in that desired capacitor characteristics cannot be expected.

従っ゛て、コンデンサエレメントの表層部に深層部に比
し厚膜の酸化層を、量産工程への適用性を損なうことな
く、能宰的に形成できれば、漏洩電流特性、゛耐圧特性
などを教養できる上、コンデンサの品位をも著しく高め
ることができ望ましいものである。Therefore, if it is possible to form a thicker oxide layer on the surface layer of a capacitor element than on the deeper layer without sacrificing applicability to the mass production process, it will be possible to improve leakage current characteristics, breakdown voltage characteristics, etc. In addition, it is desirable because it can significantly improve the quality of the capacitor.

本楯明者らは化成液として塩基性溶液が酸化層の生成に
主要幸機能を呈する水酸イオン、（ＯＨ）に索むことに
着目して種々の塩基性溶液を化成液として用いた場合の
化成時間に対する酸化層の生成膜厚の関係について検討
した処、第４図に示す結果が得られた。尚、コンデンサ
エレメントにはタンタル粉末を８，５φＸ４ｍの円柱状
に加圧成形し焼結したものを、化成液には濃度が−０，
０１モルの炭酸アンモニウム溶液（（Ｎ　Ｈａ）＊　ｃ
ｏｗ　・２ＨＩＯ＞’：硼酸アンモニウム溶液（（ＮＨ
４）！・０．５　Ｂ、Ｏ，・８ｎｔｏ）、アルミン酸ナ
トリウム溶液（Ｎａｈｔｏ＊　）　、燐酸水溶液（参考
）をそれぞれ用い、電流密度を４０ｍ　Ａ／ｆに設定し
た。The researchers focused on the fact that basic solutions as chemical conversion liquids are hydroxyl ions, (OH), which play a major role in the formation of oxidized layers. When examining the relationship between the thickness of the oxide layer and the formation time, the results shown in FIG. 4 were obtained. The capacitor element was made by press-molding tantalum powder into a cylindrical shape of 8.5φ x 4m and sintered, and the chemical liquid had a concentration of -0,
01 molar ammonium carbonate solution ((N Ha) * c
ow ・2HIO>': Ammonium borate solution ((NH
4)!・0.5 B, O, .8nto), sodium aluminate solution (Nahto*), and phosphoric acid aqueous solution (reference) were used, and the current density was set at 40 mA/f.

同図によれば、炭酸アンモニウム溶液、硼酸アンモニウ
ム溶液、アルミン酸ナトリウム溶液ｔ−化成液どじたも
のでは酸化層（Ｔ’ｘＯｓ）の化成時間に対する生成速
度が早く、１０〜２０分で１１５０ＩＮ程度に達してい
るのに対し、燐酸水溶液（酸性溶液）では同一の膜厚を
得るのに６０分もの化成時間が必要であることを示して
いる。そして、化成処理の完了したコンデンサエレメン
トを真二つに分断した処、それの表層部における化成色
はすべての化成液について同じであったが、深層部にお
いては塩基性溶液を用いたものでは殆んど化成色は認め
られなかったのに対し、燐酸水溶液では表層部、深層部
共に同じ化成色であった。According to the same figure, when ammonium carbonate solution, ammonium borate solution, and sodium aluminate solution are mixed with t-chemical solution, the formation rate of the oxide layer (T'xOs) is fast with respect to the formation time, and the formation rate is about 1150 IN in 10 to 20 minutes. On the other hand, it is shown that a phosphoric acid aqueous solution (acidic solution) requires as much as 60 minutes of formation time to obtain the same film thickness. When a capacitor element that had undergone chemical conversion treatment was divided into two halves, the chemical color in the surface layer was the same for all chemical conversion solutions, but in the deep layer, it was almost the same for all chemical conversion solutions. In contrast, in the phosphoric acid aqueous solution, the same chemical coloration was observed in both the surface and deep layers.

又、塩基性溶液を用いた場合、化成時の電流密度、化成
電圧を高めることによってコンデンサエレメントの表層
部での酸化層の生成をよシ短時間で、かつ、集中的に行
わせうろこと・も確認した。In addition, when using a basic solution, the formation of an oxide layer on the surface layer of the capacitor element can be carried out more quickly and intensively by increasing the current density and voltage during formation. Also confirmed.

このようなことから、塩基性溶液を化成液とすルコトに
よって、コンデンサエレメントの表層部から酸化層が生
成されることが理解できる。From these facts, it can be understood that an oxidized layer is generated from the surface layer of the capacitor element by using a basic solution as a chemical conversion liquid.

かかる結果から、塩基性溶液を化成液とした場合、それ
のＰＨ値が酸化層の生成の際の重要な因子になることが
考えられる。従って、ＰＨ値が酸化層の生成に如何に寄
与しているかについて検討した処、第５図に示す結果が
得られた。尚、コンデンサエレメント及び電流密度は上
述と同一にした。From these results, it is considered that when a basic solution is used as a chemical liquid, the pH value of the basic solution becomes an important factor in the formation of an oxidized layer. Therefore, we investigated how the pH value contributes to the formation of an oxide layer, and the results shown in FIG. 5 were obtained. Note that the capacitor element and current density were the same as above.

同図によれば、ＰＨ値が８以上において酸化層（’ｒ’
＊ｏｓ）の生成速度が早くなシ、それ未満では遅いこと
を示している。従って、このことから、ＰＨ値が８以上
の塩基性溶液を用いることによって短時間でコンデンサ
エレメントの表層部に厚膜の酸化層を形成できることが
理解できる。According to the figure, when the pH value is 8 or more, the oxide layer ('r'
This indicates that the generation speed of *os) is fast, and that it is slow if it is less than that. Therefore, it can be understood from this that a thick oxide layer can be formed on the surface layer of the capacitor element in a short time by using a basic solution with a pH value of 8 or more.

本発明はこのような事実に基いて具体化されたもので、
弁作用を有する金属粉末を所望形状に加圧成形し焼結し
てなるコンデンサエレメントを酸性溶液及びＰＨ８以上
の塩基性溶液を用いてそれぞれに化成処理することによ
り、コンデンサエレメントの表層部に深層部に比し厚膜
の酸化層を形成することを特徴とするものである。The present invention has been realized based on these facts,
A capacitor element made by press-molding and sintering a metal powder having a valve action into a desired shape is chemically treated using an acidic solution and a basic solution with a pH of 8 or higher, thereby forming a deep layer on the surface layer of the capacitor element. It is characterized by forming an oxide layer that is thicker than that of the conventional method.

さらに詳しくはＰＨ８以上の塩基性溶液にて化成処理す
る場合には化成電圧を酸性溶液による場合に比し充分に
高く設定することによって、コンデンサエレメントの表
層部にのみ厚膜の酸化層を短時間で形成することができ
る。More specifically, when chemical conversion treatment is performed using a basic solution with a pH of 8 or higher, by setting the chemical conversion voltage sufficiently higher than when using an acidic solution, a thick oxide layer is formed only on the surface layer of the capacitor element for a short period of time. can be formed with.

この発明によれば、コンデンサエレメントの表層部には
深層部に比し厚膜の酸化層が形成されるので、仮に電圧
分担の大きい表層部に欠陥部が存在していても、酸４１
層の厚膜化による単位膜厚当りの分担電圧の減少によっ
て劣化ないし破壊を効果的に改善でき、優れた漏洩電流
特性、耐圧特性を得ることができる。According to this invention, a thicker oxide layer is formed in the surface layer of the capacitor element than in the deeper layer, so even if a defect exists in the surface layer, which has a large voltage share, the acid 41
Deterioration or destruction can be effectively improved by reducing the shared voltage per unit film thickness by increasing the thickness of the layer, and excellent leakage current characteristics and breakdown voltage characteristics can be obtained.

しかも、コンデンサエレメントの膜厚の異なる酸化層の
形成には本出願人が先に提案したようにステアリン酸な
どの部材をコンデンサエレメントに含浸させる必要がな
く、単に化成液の種類を変更するだけでよいので、一連
の化成作業を能率的に遂行することができる上、量産工
程へも容易に適用できる。Moreover, in order to form oxide layers with different thicknesses on the capacitor element, there is no need to impregnate the capacitor element with a material such as stearic acid, as previously proposed by the applicant, and it is possible to simply change the type of chemical liquid. As a result, a series of chemical conversion operations can be carried out efficiently, and it can also be easily applied to mass production processes.

又、コンデンサの漏洩電流特性などの劣化要因がコンデ
ンサエレメントの表層部にほぼ集中スルことから、深層
部の酸化層の膜厚を一層薄くできる、このために、峡電
容量を増加させることができる。例え・ば、静電容量を
一定にすれば、静電容量の増加分に見合う分だけ金属粉
末の使用量を減少でき、コンデンサエレメントも小形化
できるし、コストをも低減できる。In addition, since the deterioration factors such as the leakage current characteristics of the capacitor are almost concentrated on the surface layer of the capacitor element, the thickness of the oxide layer in the deep layer can be made even thinner, and therefore the capacitance can be increased. . For example, if the capacitance is kept constant, the amount of metal powder used can be reduced by an amount commensurate with the increase in capacitance, the capacitor element can be made smaller, and costs can also be reduced.

次に具体的実施例について説明する。Next, specific examples will be described.

実施例１ まず、第６図に示すように、タンタル粉末を８．５φＸ
４ｍの円柱状に加圧成形し焼結してなるコンデンサエレ
メント１を濃度が０．１容量チでかつＰＨが２，４８の
燐酸水溶液２に浸漬し、コンデンサエレメント１よシ導
出した０、６φ■のタンタル線よシなる陽極リード８が
正、燐酸水溶液２が負となるように１０５Ｖの直流電圧
を印加する。尚、電流密度はコンデンサエレメントの単
位重量（ｌｔ）当ｆｉ　８０　ｍＡに設定する。そして
、８時間化成処理した処、第７図に示すように深層部１
ａ。Example 1 First, as shown in Fig. 6, tantalum powder was
A capacitor element 1 formed by pressure forming and sintering into a 4 m column shape was immersed in a phosphoric acid aqueous solution 2 with a concentration of 0.1 capacity and a pH of 2.48, and a 0.6φ diameter was derived from the capacitor element 1. A DC voltage of 105 V is applied so that the anode lead 8 made of a tantalum wire (2) is positive and the phosphoric acid aqueous solution 2 is negative. Note that the current density is set to fi 80 mA per unit weight (lt) of the capacitor element. After 8 hours of chemical conversion treatment, as shown in Figure 7, the deep layer 1
a.

表層部１ｂには膜厚がほぼ１６０（ｉＪｔの酸化層（Ｔ
ａ。The surface layer 1b has an oxide layer (T
a.

ｏ、）４が形成された。次に、このコンデンサニレメン
）１を煮沸洗浄し乾燥した後、第“８図に示すように、
濃度が０，１容量チでかつＰＨが８．４５の硼酸アンモ
ニウム溶液５に浸漬し、陽極リード８が正、硼酸アンモ
ニウム溶液５が負となるように２１０ｖの直流電圧を印
加する。尚、電流密度はｓｏｍＡに設定した。そして、
コンデンサエレメント１の端子電圧が２１０Ｖに到達後
、さらに５分間化成処理゛した処、第９図に示すように
コンデンサエレメント１の表層部ｌｂにのみ！１８００
Ａ　つ酸化層６が形成された。尚、全体の化成処−理時
間は１５分間に設定した。以下、通常の方法にてタンタ
ル固体電解コンデンサを製作する。o,)4 was formed. Next, after washing and drying this capacitor element (1) by boiling, as shown in Figure 8,
It is immersed in an ammonium borate solution 5 having a concentration of 0.1 volume and a pH of 8.45, and a DC voltage of 210 V is applied so that the anode lead 8 is positive and the ammonium borate solution 5 is negative. Note that the current density was set to somA. and,
After the terminal voltage of capacitor element 1 reached 210V, chemical conversion treatment was performed for another 5 minutes, and as shown in FIG. 9, only the surface layer lb of capacitor element 1 was treated! 1800
A number of oxide layers 6 were formed. Incidentally, the entire chemical conversion treatment time was set to 15 minutes. Below, a tantalum solid electrolytic capacitor is manufactured using a conventional method.

次に、このコンデンサを温度が６５℃、相対湿度が９５
％の雰囲気に無負荷状態で放置し、５００時間、ｔｏｏ
ｏ時間経過後に４６Ｖで８分間充電し。Next, this capacitor is placed at a temperature of 65°C and a relative humidity of 95°C.
% atmosphere with no load for 500 hours.
After o hours, charge at 46V for 8 minutes.

漏洩電流、静電容量を測定した処、下表に示す結果が得
られた。When leakage current and capacitance were measured, the results shown in the table below were obtained.

尚、従来品は濃度が０，１容量チでかつＰＨが２゜４８
の燐酸水溶液にコンデンサエレメントを浸漬し、１４０
ｖの直流電圧を印加して化成処理したものであり、漏洩
電流は初期値を示す。In addition, the conventional product has a concentration of 0.1 volume and a pH of 2°48.
The capacitor element is immersed in a phosphoric acid aqueous solution of 140
The chemical conversion treatment was performed by applying a direct current voltage of v, and the leakage current shows the initial value.

上表より明らかなように、本発明品はコンデンサエレメ
ントの表層部に厚膜の酸化層を形成しない従来品に比し
、漏洩電流及び無負荷耐湿時の漏洩電流不良率を格段に
改善できる。As is clear from the above table, the product of the present invention can significantly improve the leakage current and the leakage current failure rate during no-load moisture resistance compared to the conventional product that does not form a thick oxide layer on the surface layer of the capacitor element.

父、これらのコンデンサに定格電圧（３５Ｖ）を印加し
、雰囲気温度を１２５°Ｃに維持して５００時間経過後
における漏洩電流の不良発生率を測定した処、従来品は
５％であったが、本発明品は０％であった。When we applied the rated voltage (35V) to these capacitors, maintained the ambient temperature at 125°C, and measured the leakage current failure rate after 500 hours, it was 5% for the conventional product. , the present invention product had 0%.

実施例２ 実施例１において、硼酸アンモニウム溶液に代−え、濃
度が０．１容量％で、かＤＰＨが１１．０５のアルミン
酸ナトリウム溶液を用い、コンデンサニレメン）ｌの端
子電圧が２１０Ｖに到達後、さらに１２分間化成処理し
た処、実施例１と同様の効果が得られた。Example 2 In Example 1, a sodium aluminate solution with a concentration of 0.1% by volume and a DPH of 11.05 was used in place of the ammonium borate solution, and the terminal voltage of the capacitor was set to 210V. After reaching this point, the chemical conversion treatment was further carried out for 12 minutes, and the same effect as in Example 1 was obtained.

実施例３ 実施例１において、釦酸アンモニウム溶ｆｉ　Ｋ　代え
、濃度が０．１容量％でかつＰＨが９．１７の炭酸アン
モニウム溶液を用い、コンデンサエレメント１の端子電
圧が２１０ＶＫ到達後、さらに１５分間化成処理した処
、実施例１と同様の効果が得ら　　　゛れた。Example 3 In Example 1, an ammonium carbonate solution having a concentration of 0.1% by volume and a pH of 9.17 was used in place of the ammonium chloride solution fi K, and after the terminal voltage of the capacitor element 1 reached 210VK, an additional 15 The same effect as in Example 1 was obtained by performing a minute chemical conversion treatment.

実施例４ 実施例１において、燐酸水溶液と硼酸アンモニウム溶液
による化成処理順序を前後させ、最初にコンデンサエレ
メントの表層部に厚膜の酸化層全形成した処、実施例１
と同様の効果が得られた。Example 4 In Example 1, the order of the chemical conversion treatment using the phosphoric acid aqueous solution and the ammonium borate solution was changed, and a thick oxide layer was first completely formed on the surface layer of the capacitor element.
A similar effect was obtained.

尚、本発明において、酸性溶液は燐酸水溶液の他、硫酸
、塩酸など適宜の溶液を使用できるし、塩基性溶液も上
記実施例以外の苛性ソーダなども使用できる。又、塩基
性溶液の場合の化成電圧はさらには電流密度も適宜に変
更できる。In addition, in the present invention, as the acidic solution, in addition to the phosphoric acid aqueous solution, other appropriate solutions such as sulfuric acid and hydrochloric acid can be used, and as the basic solution, caustic soda and the like other than those in the above embodiments can also be used. Further, in the case of a basic solution, the chemical formation voltage and current density can be changed as appropriate.

以上゛のように本発明によれば、化成液として酸性溶液
、塩基性溶液を用いることによりコンデンサエレメント
の表層部に深層部に比し厚膜の酸化層を簡単かつ敏速に
形成することができ、コンデンサ特性を著しく改善でき
志上、量産工程へも容易に適用することができる。As described above, according to the present invention, by using an acidic solution or a basic solution as a chemical solution, it is possible to easily and quickly form an oxide layer on the surface layer of a capacitor element, which is thicker than that on the deeper layer. , the capacitor characteristics can be significantly improved, and it can also be easily applied to mass production processes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は従来の固体電解コンデンサの側断面図、第２図
は第１図のＸ部拡大図、第８図は等価回路図、第４図は
化成時間に対する酸化層の生成膜厚の関係を示す図、第
５図はＰＨ値は対する酸化層の生成速度の関係を示す図
、第６図〜第９図は本発明方法の説明図であって、第６
図は第１の化成処理状態を示す側断面図、第７図はコン
デンサエレメントの要部拡大図、第８図は第２の化成処
理状態を示す側断面図、第９図は第２の化成処理終了後
におけるコンデンサエレメントの要部拡大図である。 第１　図　　　　第２図 Ｈ 第３図 一←□ 第７図　　　　第９図 第６図 す 第８図 第４図 ｃｓ　００１１ＶＩ　ＨｘＰＯ４ ・０．０１Ｍ　（Ｎｌ−に’）２ＣＯｉ２Ｈ，０００，
０１Ｎ（Ｎ）４：ｌｒ０５１Ｍ）ｒ　８Ｈ，０（）　０
．ＯｌＭ　ＮａＡｆｆｉＣｂ ９９− １、事件の表示 昭和５７年　特　許願第２９８６２号 ２、発明の名称 固体電解コンデンサの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許　　　出願人 連絡先　〒５２０　　滋賀県大津市晴嵐２丁目９番１号
新日本電気株式会社　特　許　部 電話大津（ψ）０８７−２１ω番 東京連絡先電話東京（０３）藝←う１１１番屯補正命令
の日付 ６補正の内容 （１）　　第１頁の特許請求の範囲を別紙のように訂正
する。 （２）　　第１２頁第２０行〜第１３頁第４行の「実施
例４・・・・・・得られた。」を削除する０［特許請求
の範囲 弁作用を有する金４粉末を所望形状に加圧成形し焼結し
てなるコンデンサエレメントを酸性溶液１Figure 1 is a side sectional view of a conventional solid electrolytic capacitor, Figure 2 is an enlarged view of the X section of Figure 1, Figure 8 is an equivalent circuit diagram, and Figure 4 is the relationship between the thickness of the oxide layer and the formation time. FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the PH value and the formation rate of the oxide layer, and FIGS. 6 to 9 are explanatory diagrams of the method of the present invention.
The figure is a side sectional view showing the first chemical conversion treatment state, FIG. 7 is an enlarged view of the main part of the capacitor element, FIG. 8 is a side sectional view showing the second chemical conversion treatment state, and FIG. 9 is a side sectional view showing the second chemical conversion treatment state. FIG. 3 is an enlarged view of the main parts of the capacitor element after the processing is completed. Fig. 1 Fig. 2 H Fig. 3 ←□ Fig. 7 Fig. 9 Fig. 6 Fig. 8 Fig. 4 cs 0011VI HxPO4 ・0.01M (Nl-')2COi2H,000,
01N(N)4:lr051M)r 8H,0() 0
．． OlM NaAffiCb 99-1, Indication of the case 1982 Patent Application No. 298622, Name of the invention Method for manufacturing solid electrolytic capacitors 3, Relationship with the person making the amendment Patent Applicant contact information Seiran, Otsu City, Shiga Prefecture, 520 2-9-1 Shin Nippon Electric Co., Ltd. Patent Department Telephone Otsu (ψ) 087-21ω Tokyo Contact telephone Tokyo (03) 藝← 111 Tun Date 6 of the amendment order Contents of the amendment (1) No. 1 The scope of claims on the page is corrected as shown in the attached sheet. (2) Delete "Example 4...obtained" from page 12, line 20 to page 13, line 40 A capacitor element formed by pressure forming and sintering into a shape is soaked in an acidic solution 1.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 弁作用を有する金属粉末を所望形状に加圧成形し焼結し
てなるコンデンサエレメントを酸性溶液及びＰＨ８以上
の塩基性溶液を用いてそれぞれに化成処理することによ
り、コンデンサエレメントの表層部に深層部に比し厚膜
の酸化層を形成することを特徴とする固体電解コンデン
サの製造方法。A capacitor element made by press-molding and sintering a metal powder having a valve action into a desired shape is chemically treated using an acidic solution and a basic solution with a pH of 8 or higher, thereby forming a deep layer on the surface layer of the capacitor element. A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor, which is characterized by forming an oxide layer that is thicker than that of a solid electrolytic capacitor.