JPS58143541A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS58143541A JPS58143541A JP57026057A JP2605782A JPS58143541A JP S58143541 A JPS58143541 A JP S58143541A JP 57026057 A JP57026057 A JP 57026057A JP 2605782 A JP2605782 A JP 2605782A JP S58143541 A JPS58143541 A JP S58143541A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリードフレームな用いて組立てる樹脂封止杉牛
導体装置に関する。
導体装置に関する。
リード(ビン)数の多い樹脂封止形tC(半導体集積回
路装置)においては、第1図、第2図にボすようにタブ
(金属小板)1.タブ吊りリート。
路装置)においては、第1図、第2図にボすようにタブ
(金属小板)1.タブ吊りリート。
2、II象のリード3かうなるリードフレームを用い、
タブ上にIC素子の形成された半導体ペレット4を取り
付け、ペレット4 I:の電極とリードとの闇をワイヤ
(金属軸#I)5により接続した七、ペレットとリード
の内側(インナーリード)3aを包囲するように樹脂モ
ールド体7で封止し、リードの外側(アウターリード)
3b間のダムC枝部)6を取り除いて各リード間な電気
的に離隔するようKなっている。
タブ上にIC素子の形成された半導体ペレット4を取り
付け、ペレット4 I:の電極とリードとの闇をワイヤ
(金属軸#I)5により接続した七、ペレットとリード
の内側(インナーリード)3aを包囲するように樹脂モ
ールド体7で封止し、リードの外側(アウターリード)
3b間のダムC枝部)6を取り除いて各リード間な電気
的に離隔するようKなっている。
ところでIcのリード本数が例えば42杢と極めて多(
なると、タブ周辺の限られた範囲内に多くのインナーリ
ード3mを入れることが困罐であり、又、同時にパッケ
ージ寸法が大きくなるとインナーリードが長く不安定と
なるためにワイ・〒ボンディング時の空打ちを防止する
ようにリード端を固定する必要がでてくる。
なると、タブ周辺の限られた範囲内に多くのインナーリ
ード3mを入れることが困罐であり、又、同時にパッケ
ージ寸法が大きくなるとインナーリードが長く不安定と
なるためにワイ・〒ボンディング時の空打ちを防止する
ようにリード端を固定する必要がでてくる。
本発明は上記した開−な解決するためKなされたもので
あり、その目的とするところは、リード数の多い樹脂封
止半導体装置において、インナーリードの不安定によっ
て生じるワイヤボンディング不良、ワイヤによるシ璽−
ト不良唖を防止することにある。
あり、その目的とするところは、リード数の多い樹脂封
止半導体装置において、インナーリードの不安定によっ
て生じるワイヤボンディング不良、ワイヤによるシ璽−
ト不良唖を防止することにある。
以下実施例にそって本発明な畦述する。
第3図、114図は本発明による半導体Mllの賛部を
示すものである。この半導体装置はタブやタブ吊りリー
ドな有しない複数のリード3とそれらを連結するダム(
6)及び周辺のフレーム8のみからなるリードフレーム
を使用し、半導体素子の形成されたペレット4と、この
ペレットを取り囲む複数のリード3の内側部すなわちイ
ンナーリード31を一平面で同時に支持固定する絶縁シ
ート片9を1し、ベレット4の電極とインナーリード3
mとの間をワイヤ5で接続するとともにペレットとリー
ドの一部な樹脂モールド体(7)で封止したものである
。。
示すものである。この半導体装置はタブやタブ吊りリー
ドな有しない複数のリード3とそれらを連結するダム(
6)及び周辺のフレーム8のみからなるリードフレーム
を使用し、半導体素子の形成されたペレット4と、この
ペレットを取り囲む複数のリード3の内側部すなわちイ
ンナーリード31を一平面で同時に支持固定する絶縁シ
ート片9を1し、ベレット4の電極とインナーリード3
mとの間をワイヤ5で接続するとともにペレットとリー
ドの一部な樹脂モールド体(7)で封止したものである
。。
上記絶縁シート片9は飼えばポリイミド系樹脂のごとく
高耐熱性を有するもので、ベレットと複数のリードとの
間は適当な接着剤等を介して固着する。このように絶縁
シート片上にベレットな直接に支持固着すればタブ及び
タブ付きリードは不要であり、またインナーリードはペ
レットと1rifl −平向に支持固定されることにな
り、前記発明の目的が達成できる。
高耐熱性を有するもので、ベレットと複数のリードとの
間は適当な接着剤等を介して固着する。このように絶縁
シート片上にベレットな直接に支持固着すればタブ及び
タブ付きリードは不要であり、またインナーリードはペ
レットと1rifl −平向に支持固定されることにな
り、前記発明の目的が達成できる。
上記のような半導体装置は例えばs r wJ(m s
)〜(f)K示すような各工程を有するプロセスによ
って製造することができる。
)〜(f)K示すような各工程を有するプロセスによ
って製造することができる。
(a、Xal) 半導体ウェハからスクライビングサ
レタヘレット4t−移動する長尺の樹脂テープl。
レタヘレット4t−移動する長尺の樹脂テープl。
に所定間隔で接着する。テープには予め絶縁シート片の
形状にそって切り込み1s11f:設けておく。
形状にそって切り込み1s11f:設けておく。
(bsX bs)多連のリードフレーム12に対して上
記樹脂テープ10を下から重ね合せ、ベレット位置決め
する。
記樹脂テープ10を下から重ね合せ、ベレット位置決め
する。
(C) テープをリードフレームのインナーリード部
分(3a)K11着し、不要部を切り込みW611で切
り離す。インナーリードK111着されたテープを絶縁
シート片9とする。
分(3a)K11着し、不要部を切り込みW611で切
り離す。インナーリードK111着されたテープを絶縁
シート片9とする。
(d) ベレ11)4の電極とインナーリードとの間の
ワイヤでワイヤボンディングtaなう。
ワイヤでワイヤボンディングtaなう。
(e) 樹脂モールドを行ない、ベレットインナーリ
ード部分を樹脂モールド体7で封止し、リードフレーム
のアウターリード部分3bのみを外部に出す。
ード部分を樹脂モールド体7で封止し、リードフレーム
のアウターリード部分3bのみを外部に出す。
(f) リードフレームや境界部、ダム部を切断し1
個々のベレット4を含む半導体装置に分離する。
個々のベレット4を含む半導体装置に分離する。
以上実施例で述べた装置#JKよれば下記の効果がもた
らされる。
らされる。
(1)インナリードが樹脂テープ(シート片)kよって
固定されたため、長いリードであ−ても上下に動くこと
がなくボンディング時の空打ちを防止でき、ボンディン
グ不良をな(すことができる。
固定されたため、長いリードであ−ても上下に動くこと
がなくボンディング時の空打ちを防止でき、ボンディン
グ不良をな(すことができる。
(2)テープ(シート片)が絶縁体であるため、従来タ
ブやタブ吊りリードに被−した分の金メツキ量が節減で
きる。
ブやタブ吊りリードに被−した分の金メツキ量が節減で
きる。
(3; ペレット付けした部分が絶縁体であるととに
より、長いワイヤとタブとの接触によるシ1−ト不良は
生じない。
より、長いワイヤとタブとの接触によるシ1−ト不良は
生じない。
(4(ベレット上向とリード上向とな同じ程度の高さに
保持しタブ下げ効果によってワイヤが短かくてすみ、ワ
イヤによる電圧降下が小さくなり、多くの電流な流すこ
とができる。又、ワイヤ材を節減できる。
保持しタブ下げ効果によってワイヤが短かくてすみ、ワ
イヤによる電圧降下が小さくなり、多くの電流な流すこ
とができる。又、ワイヤ材を節減できる。
+51 タブがなくなったことにより、タブ吊りリー
ドの占めていた空間なインナーリードとして利用でき、
リードフレームの設計に蒙裕ができる。
ドの占めていた空間なインナーリードとして利用でき、
リードフレームの設計に蒙裕ができる。
+6) #向するインナーリードの間隔−(第4図d
t)を任意とすることができベレット寸法に制限がなく
なる。
t)を任意とすることができベレット寸法に制限がなく
なる。
(7)第5図に示すように絶縁シート片9の下面にイン
ナーリード3aN−接着する構造と°すること力iでき
る。この場合、対向するインナー;リード間隔(dI)
よりもベレット寸法を大きくし、その範囲でベレット寸
法を任意に這ぶことができる。
ナーリード3aN−接着する構造と°すること力iでき
る。この場合、対向するインナー;リード間隔(dI)
よりもベレット寸法を大きくし、その範囲でベレット寸
法を任意に這ぶことができる。
(8)第6v!JK示tJ: 5tCJ7’(li付+
7− )’71/−ムにも本発明を適用することができ
る。
7− )’71/−ムにも本発明を適用することができ
る。
本発明ttsnit封止用IC,特にリード数の多い半
導体装置に適用して有効である。
導体装置に適用して有効である。
嬉1図はこれまでの半導体装置におけるリードフレーム
への゛半導体ベレットの組立蒙様を示す平tIi図、第
2図は同正面図、亀3図は本発明による半導体装置Kお
けるリードフレームと半導体ベレットの組立一様の一例
を示す一部平向図1114図は同正面図、aS図及び第
6図は本発明による半導体装置の他のfI4tそれぞれ
放す正面図、第7図(it) 、−(am) 、(b+
) −(bt) 、(C)〜(f)は本発明による半導
体装置の組立時の各工程における形膝を示し、このうち
(at) (bt)は平mwJ。 (51m) 、(bl) 、(C) 〜(<りは正11
WlrElit図、(f)は正面図である。 l・・・タブ、2・・・タブ吊りリード、3・・・リー
ド、4・・・半導体ペレット、5・・・ワイヤ、6・・
・ダム%7・・・樹脂モールド体、8・・・フレーム、
9・・・絶縁シート片、lO・・・樹脂テープ、11・
・・切り込み部。 12・・・リードフレーム。 第 3511 第 5 図
への゛半導体ベレットの組立蒙様を示す平tIi図、第
2図は同正面図、亀3図は本発明による半導体装置Kお
けるリードフレームと半導体ベレットの組立一様の一例
を示す一部平向図1114図は同正面図、aS図及び第
6図は本発明による半導体装置の他のfI4tそれぞれ
放す正面図、第7図(it) 、−(am) 、(b+
) −(bt) 、(C)〜(f)は本発明による半導
体装置の組立時の各工程における形膝を示し、このうち
(at) (bt)は平mwJ。 (51m) 、(bl) 、(C) 〜(<りは正11
WlrElit図、(f)は正面図である。 l・・・タブ、2・・・タブ吊りリード、3・・・リー
ド、4・・・半導体ペレット、5・・・ワイヤ、6・・
・ダム%7・・・樹脂モールド体、8・・・フレーム、
9・・・絶縁シート片、lO・・・樹脂テープ、11・
・・切り込み部。 12・・・リードフレーム。 第 3511 第 5 図
Claims (1)
- 1、半導体素子の形成されたペレットと、ペレットな取
り囲む複数のリードと、ペレットと複数のリードの内w
部を一平面上で同時に支持固定するように設けた絶縁シ
ート片と、ペレットの電極とリードとの間に接続された
金属細線及び、ペレットとり−・ドの内端を包囲するよ
うに封止する樹脂モールド体から成る半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57026057A JPS58143541A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57026057A JPS58143541A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58143541A true JPS58143541A (ja) | 1983-08-26 |
Family
ID=12183048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57026057A Pending JPS58143541A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58143541A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60106158A (ja) * | 1983-11-14 | 1985-06-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS61296749A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-27 | Toray Silicone Co Ltd | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
JPS6282747U (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-27 | ||
JPS63165846U (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-28 | ||
JPH0195759U (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-26 | ||
JPH0195760U (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-26 | ||
US4943843A (en) * | 1985-03-25 | 1990-07-24 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US20110309483A1 (en) * | 2007-10-19 | 2011-12-22 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor Device |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP57026057A patent/JPS58143541A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60106158A (ja) * | 1983-11-14 | 1985-06-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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JPH0513382B2 (ja) * | 1985-06-25 | 1993-02-22 | Dow Corning Toray Silicone | |
JPS6282747U (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-27 | ||
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