JPS58130440A - 磁気デイスク - Google Patents
磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPS58130440A JPS58130440A JP57012722A JP1272282A JPS58130440A JP S58130440 A JPS58130440 A JP S58130440A JP 57012722 A JP57012722 A JP 57012722A JP 1272282 A JP1272282 A JP 1272282A JP S58130440 A JPS58130440 A JP S58130440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- medium
- recording
- substrate
- film
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73917—Metallic substrates, i.e. elemental metal or metal alloy substrates
- G11B5/73919—Aluminium or titanium elemental or alloy substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は磁気配球媒体、特に媒体面に垂直方向の磁化成
分全人さくシ、高蟹度紀録會行なわせるＳ気ｔｔＦｆｉ
媒体の構造に関する。
分全人さくシ、高蟹度紀録會行なわせるＳ気ｔｔＦｆｉ
媒体の構造に関する。
感更ｅ録媒体上の茜ｅ録密朗會上げていく時、媒体上の
磁化は、媒体厚み方向即ち媒体面に垂直方向の成分が犬
きくなる。更に言Ｃ録密度を大きくすると、媒体上出仕
は垂直方向の成分が大勢含みめる。従って、８ｅｆ＃、
時において配録磁界は予め、媒体面に垂直になる嗜に加
わる事が望１しく、又媒湊上の残留配録磁化も、予ぬ媒
体面に垂直になる様な構造をとっておく事が望捷しい。
磁化は、媒体厚み方向即ち媒体面に垂直方向の成分が犬
きくなる。更に言Ｃ録密度を大きくすると、媒体上出仕
は垂直方向の成分が大勢含みめる。従って、８ｅｆ＃、
時において配録磁界は予め、媒体面に垂直になる嗜に加
わる事が望１しく、又媒湊上の残留配録磁化も、予ぬ媒
体面に垂直になる様な構造をとっておく事が望捷しい。
一般に媒体面に垂直力向に（媒体厚み対向に）配録再生
する技術ケ垂直磁化＠ｅ鈴と称し、詳しくは日不応用硼
気学会第−回資料「垂直磁気＠ｅ録の可能性について」
（昭５２年５月２６日）に記載さ扛ている。
する技術ケ垂直磁化＠ｅ鈴と称し、詳しくは日不応用硼
気学会第−回資料「垂直磁気＠ｅ録の可能性について」
（昭５２年５月２６日）に記載さ扛ている。
第１図は、媒体面に垂直方向に磁化記録する原理を示し
ている。図中基板１０１の表面にｍ霜言ｅ録媒体となる
Ｓ性薄膜層１０２がある。該媒体１０２に対向するＳ気
ヘッドの磁極１０３は、コイルによって発生する配録磁
界を該磁極１０６の先端、即媒体１０２に対向する伺近
に集中ζせて媒体全磁化、配録させる。この時媒体に印
加さｎる記録磁界は破線の矢印１０６の如く、磁極１０
３の中心部で媒ｌＸ１０２の面に垂直即ち媒体１０２の
厚み方向に向く。この様な垂直記録磁界によって媒体は
垂直磁化さｎる。一般に薄膜磁性媒体會その媒体面に垂
直な方向に磁化する時（矢印１０４〕媒体自身によって
生ずる反磁界１０５によって記録磁化は減Ｓさ扛る。し
かし配録Ｓ化の反転間隔が媒体厚み相当程度である時、
前記減感効果は無視できる様になる。第１図中磁極１０
３の媒体対向部において、その端部の磁界は矢印１０７
の如く媒体面に平行な方向の成分が犬さくなる。従って
媒体１０２が磁極１０３に苅して移動する事によってデ
ータ全出化記録する時、媒体はＳ極１０３の後端部磁界
によって磁化さ扛、上記の様な媒体面に平行方向の成分
の大きい磁化記録がなをｎる事になる。第２図は、磁７
記録媒体２０２と基板２０１との間に高遭招率軟磁性薄
膜層２０３ケ設ける事によって磁、隊１０３による記録
磁界を、磁極端面後端においても媒体面に垂直にすると
共に配録Ｓ化の反転間隔が媒体厚みに対して比較的太き
な領域においても自身の反出界にょる減磁効果が起きな
い桶にしたものである。第２図においてＦ録磁界は破線
で示した様に、磁極１０３が媒体２０２に対向する句近
で媒体に垂直となる。第３図は、第２図の如く磁界全印
加し、磁極１０３に対して媒体２０２を移動しつつ記録
磁界を反転させた結果媒体上に記録はｎ′ｆＣ６Ｂ化と
そｎによって生ずる磁界の向Ｐ’に示している。矢印は
媒体２０２内の磁化、破線は磁界の向き、即ち磁束の流
ｔである。隣接し万に方向の異なる磁化同志によって磁
界は閉ループ會＃４５ｙ、シている。特に高透出率出性
ノｍ ２０ ｓの存在によって媒体内の磁化はすべて媒
体面に垂直方向を向き、高？ｊ磁率性層２０３内で磁界
は、該磁性層と平行方同會回〈。
ている。図中基板１０１の表面にｍ霜言ｅ録媒体となる
Ｓ性薄膜層１０２がある。該媒体１０２に対向するＳ気
ヘッドの磁極１０３は、コイルによって発生する配録磁
界を該磁極１０６の先端、即媒体１０２に対向する伺近
に集中ζせて媒体全磁化、配録させる。この時媒体に印
加さｎる記録磁界は破線の矢印１０６の如く、磁極１０
３の中心部で媒ｌＸ１０２の面に垂直即ち媒体１０２の
厚み方向に向く。この様な垂直記録磁界によって媒体は
垂直磁化さｎる。一般に薄膜磁性媒体會その媒体面に垂
直な方向に磁化する時（矢印１０４〕媒体自身によって
生ずる反磁界１０５によって記録磁化は減Ｓさ扛る。し
かし配録Ｓ化の反転間隔が媒体厚み相当程度である時、
前記減感効果は無視できる様になる。第１図中磁極１０
３の媒体対向部において、その端部の磁界は矢印１０７
の如く媒体面に平行な方向の成分が犬さくなる。従って
媒体１０２が磁極１０３に苅して移動する事によってデ
ータ全出化記録する時、媒体はＳ極１０３の後端部磁界
によって磁化さ扛、上記の様な媒体面に平行方向の成分
の大きい磁化記録がなをｎる事になる。第２図は、磁７
記録媒体２０２と基板２０１との間に高遭招率軟磁性薄
膜層２０３ケ設ける事によって磁、隊１０３による記録
磁界を、磁極端面後端においても媒体面に垂直にすると
共に配録Ｓ化の反転間隔が媒体厚みに対して比較的太き
な領域においても自身の反出界にょる減磁効果が起きな
い桶にしたものである。第２図においてＦ録磁界は破線
で示した様に、磁極１０３が媒体２０２に対向する句近
で媒体に垂直となる。第３図は、第２図の如く磁界全印
加し、磁極１０３に対して媒体２０２を移動しつつ記録
磁界を反転させた結果媒体上に記録はｎ′ｆＣ６Ｂ化と
そｎによって生ずる磁界の向Ｐ’に示している。矢印は
媒体２０２内の磁化、破線は磁界の向き、即ち磁束の流
ｔである。隣接し万に方向の異なる磁化同志によって磁
界は閉ループ會＃４５ｙ、シている。特に高透出率出性
ノｍ ２０ ｓの存在によって媒体内の磁化はすべて媒
体面に垂直方向を向き、高？ｊ磁率性層２０３内で磁界
は、該磁性層と平行方同會回〈。
従来第３図に示した高密庶出り記録媒体を用い′ｆＣ磁
妬ディスクは、塗布形媒体を用いたディスクと同様に、
アルミニウム合金をディスク形状に加工し、表面ヶ研摩
等で鏡面壮士げしたものを基板とする。このアルミニウ
ム合金基板上に、２ｏ２及び２０３の二層の薄膜ン、真
空中で蒸層又はスパッタ形成するものである一絹４図４
０１は、前二磁性膜全連続的にスパッタ形成する真空装
愉の例である。４０２は前段真空室で、ここに表面研摩
加工後のアルミディスク會多数マウントしたマガジン４
０６を刺入し真空にする。前Ｍｅマカジンよりディス４
１０ｉ一枚づつ順次抜き取りＦθ−Ｎ１スパッタ室４０
３に送る。凍づディス上側面に向けてＦ ｅ −Ｎ ｉ
のターゲット４０８全スパツターしＦθ−Ｎ１の薄１１
１に形成する。次にターゲット４０９によりディス上側
面に同様のＦ ｐ −Ｎ ｉ薄ｆｆ１ｉｋ形成する。両
面にＦθ−Ｎｉ Ｏ高透招率磁性薄勝が形成さ扛タデ
ィスク４１２ ’ｋ Ｃｏ−Ｃ！ｒスパッター室４０４
に送り、前室と同様に、Ｃｏ−Ｃｒのターゲット４１３
と４１４によって両面にＣｏ−０ｒ磁性膜をスパッタ形
成する。全層のスパッタを形成したディスクは終段のデ
ィスク取り出し室４０５に送す、ディスクマウントマガ
ジン４０７に収納する。ここで前段と後段の室はスパッ
タ室と真空壁４１６・４１７によって遮断さｎている。
妬ディスクは、塗布形媒体を用いたディスクと同様に、
アルミニウム合金をディスク形状に加工し、表面ヶ研摩
等で鏡面壮士げしたものを基板とする。このアルミニウ
ム合金基板上に、２ｏ２及び２０３の二層の薄膜ン、真
空中で蒸層又はスパッタ形成するものである一絹４図４
０１は、前二磁性膜全連続的にスパッタ形成する真空装
愉の例である。４０２は前段真空室で、ここに表面研摩
加工後のアルミディスク會多数マウントしたマガジン４
０６を刺入し真空にする。前Ｍｅマカジンよりディス４
１０ｉ一枚づつ順次抜き取りＦθ−Ｎ１スパッタ室４０
３に送る。凍づディス上側面に向けてＦ ｅ −Ｎ ｉ
のターゲット４０８全スパツターしＦθ−Ｎ１の薄１１
１に形成する。次にターゲット４０９によりディス上側
面に同様のＦ ｐ −Ｎ ｉ薄ｆｆ１ｉｋ形成する。両
面にＦθ−Ｎｉ Ｏ高透招率磁性薄勝が形成さ扛タデ
ィスク４１２ ’ｋ Ｃｏ−Ｃ！ｒスパッター室４０４
に送り、前室と同様に、Ｃｏ−Ｃｒのターゲット４１３
と４１４によって両面にＣｏ−０ｒ磁性膜をスパッタ形
成する。全層のスパッタを形成したディスクは終段のデ
ィスク取り出し室４０５に送す、ディスクマウントマガ
ジン４０７に収納する。ここで前段と後段の室はスパッ
タ室と真空壁４１６・４１７によって遮断さｎている。
又、スパッタ室４０３と４０４は壁４１５によって遮断
＝ ５− を扛、各々のスパッタ時に、他室におけるスパッタの影
響が」わｎない様にする。即ち、スパッタ条件、或は他
成分の混入等による干渉を防ぐ事が重曹である一第４図
装渡４０１は大掛かりとなるばかりでなく、工程数が多
くスルーブツトが低い。
＝ ５− を扛、各々のスパッタ時に、他室におけるスパッタの影
響が」わｎない様にする。即ち、スパッタ条件、或は他
成分の混入等による干渉を防ぐ事が重曹である一第４図
装渡４０１は大掛かりとなるばかりでなく、工程数が多
くスルーブツトが低い。
熱情によって膜形成する場合にあっても略類似の構成と
なシ、更に後述する異方性膜形成の心火性で）ら、実際
には、スパッタ装僧よりも大型化せざるを得ない。
なシ、更に後述する異方性膜形成の心火性で）ら、実際
には、スパッタ装僧よりも大型化せざるを得ない。
さて、磁性媒体内の磁化が、該媒体面に対して垂直方向
に配向し易くする為には、媒体自体の磁区が該媒体面に
苅して垂直力向に配列している事が望ましい。
に配向し易くする為には、媒体自体の磁区が該媒体面に
苅して垂直力向に配列している事が望ましい。
換言すｎは磁性媒体の結晶配向方向が、該結晶の磁化容
易軸全媒体面に苅して垂直方向を示す様に選ぶ手が望ま
しい。実際、ｃｏ−Ｃｒ等の希土類元素含金む合金を、
スパッタ或は蒸着する事によって、面に垂直力１可に配
向する事が実現できている。
易軸全媒体面に苅して垂直方向を示す様に選ぶ手が望ま
しい。実際、ｃｏ−Ｃｒ等の希土類元素含金む合金を、
スパッタ或は蒸着する事によって、面に垂直力１可に配
向する事が実現できている。
ここで一般に膜の結晶成長は、護膜を形成する ６−
基板の表面特性に大きく依存し、該基板表面の影＃を大
食〈受ける事が知ら扛ている。実際、Ｃ０−Ｃｒ或は類
似の合金Ｂ’４’ｓ−スパッタによって形成する時、基
板によって膜の結晶異方性は大きく異なる。第５図は、
作製し７１：Ｃｏ−Ｃｒ合金磁性胛の結晶配向状態をＸ
線回折によって測定したグラフであり横軸に角度、縦＋
ｌ１１に出力奢示しである。５０５は磁化容易軸が媒体
面に対して垂直となる時のＸ線回折グラフ上の角ばであ
る。曲線の、角度５０５伺近での分布が狭い程、又ピー
クの値が大きい程ａ区の配向は媒体面に対して垂直にそ
ろっている事になる。反対に角１１ｉ５０５−１−ｊ近
での分布が広くピークの値が小きい時、磁区の配向がば
らついている手になる。第５図５０１はカラス基板上に
前１ｉ７Ｃ！ｏ−Ｏｒ招性膜を形成した場合の測足デー
タ全示し、５０２はスパッタによりＦｅ−Ｎｉ合合金系
基板上形成して、こｎを高透磁率感性膜とし、更にこの
上にスパッタでＣ０−０ｒ合金？形成した場合の測定デ
ータである。明らかにＦｅ−Ｎｉ合金膜上に形成したｃ
ｏ−ｃｒ磁性膜の力の配向状態が悪い。即ち、既述した
様な、第２図或は第３図に示す構造の磁気記録媒体を作
製すると、第１図に示す様な招１１媒体一層のみの場合
に比較して、缶外媒体自体の磁気異カ性が劣り、媒体下
層に設けた高透磁率感性膜の効果が実質的に減じてし１
つ。
食〈受ける事が知ら扛ている。実際、Ｃ０−Ｃｒ或は類
似の合金Ｂ’４’ｓ−スパッタによって形成する時、基
板によって膜の結晶異方性は大きく異なる。第５図は、
作製し７１：Ｃｏ−Ｃｒ合金磁性胛の結晶配向状態をＸ
線回折によって測定したグラフであり横軸に角度、縦＋
ｌ１１に出力奢示しである。５０５は磁化容易軸が媒体
面に対して垂直となる時のＸ線回折グラフ上の角ばであ
る。曲線の、角度５０５伺近での分布が狭い程、又ピー
クの値が大きい程ａ区の配向は媒体面に対して垂直にそ
ろっている事になる。反対に角１１ｉ５０５−１−ｊ近
での分布が広くピークの値が小きい時、磁区の配向がば
らついている手になる。第５図５０１はカラス基板上に
前１ｉ７Ｃ！ｏ−Ｏｒ招性膜を形成した場合の測足デー
タ全示し、５０２はスパッタによりＦｅ−Ｎｉ合合金系
基板上形成して、こｎを高透磁率感性膜とし、更にこの
上にスパッタでＣ０−０ｒ合金？形成した場合の測定デ
ータである。明らかにＦｅ−Ｎｉ合金膜上に形成したｃ
ｏ−ｃｒ磁性膜の力の配向状態が悪い。即ち、既述した
様な、第２図或は第３図に示す構造の磁気記録媒体を作
製すると、第１図に示す様な招１１媒体一層のみの場合
に比較して、缶外媒体自体の磁気異カ性が劣り、媒体下
層に設けた高透磁率感性膜の効果が実質的に減じてし１
つ。
不発明は係る従来の問題に対して、高密度Ｓ気ＨＣ録に
適する。高透磁率軟磁性体を有し且つ媒１本面に垂直力
向の配向！特性が優ｎだ磁気記録媒体を供する事を目的
とするものである。
適する。高透磁率軟磁性体を有し且つ媒１本面に垂直力
向の配向！特性が優ｎだ磁気記録媒体を供する事を目的
とするものである。
第６図（Ａｌは例えばパーマロイの様な高透磁率軟感性
合金板全ディスク林に加工し、焼鈍して機械歪み及び、
凪鉋企み會取り除いた後、ディスク表面會鐘面研磨仕上
げし女ものである。焼鈍による歪み取り、或はＳ気％性
の改良を研摩仕上げ後に行なってもよい。該基板（Ａｌ
２Ｏ２の両面に、前記スパッタｉｃ 、Ｋ ｔ） Ｃｏ
−Ｏｒ等（７）ａｍ件Ｍ６０２．６０３７形成し、磁
気ディスク全形成する。従って第６図（Ｂ）の基板６０
１は、ディスク自体の機械的強度を祷る為の磯横部＋４
であると同時に、第３崗２０３にボし１ζ−高透磁率感
性膜をも兼ねる。第４図で示した従来ディスクの製造工
程に比較して、略スバツタ工程が半減する墨が明らかで
あシスループツトの大幅な向上が得らｎた。又前８ｅシ
タ、異種物・凶のスバッタ工程が隣接して生ずる干渉の
問題が無くなり、装部の構造及び工程条件が極めて単純
化さｎ、又歩留の同上に寄与している。環７図は別の例
である。（Ｃ）に示す如くアルミニウム合金板７０１を
中心にしてその両側に薄い高透磁率ｓ外板７０２を配す
る。上記三枚の基板全圧接によってラミネートし、（Ｄ
）の如きラミネート基８！ヲ形成する。（Ｄ）の基板を
加工、研摩、及び歪み取シし。
合金板全ディスク林に加工し、焼鈍して機械歪み及び、
凪鉋企み會取り除いた後、ディスク表面會鐘面研磨仕上
げし女ものである。焼鈍による歪み取り、或はＳ気％性
の改良を研摩仕上げ後に行なってもよい。該基板（Ａｌ
２Ｏ２の両面に、前記スパッタｉｃ 、Ｋ ｔ） Ｃｏ
−Ｏｒ等（７）ａｍ件Ｍ６０２．６０３７形成し、磁
気ディスク全形成する。従って第６図（Ｂ）の基板６０
１は、ディスク自体の機械的強度を祷る為の磯横部＋４
であると同時に、第３崗２０３にボし１ζ−高透磁率感
性膜をも兼ねる。第４図で示した従来ディスクの製造工
程に比較して、略スバツタ工程が半減する墨が明らかで
あシスループツトの大幅な向上が得らｎた。又前８ｅシ
タ、異種物・凶のスバッタ工程が隣接して生ずる干渉の
問題が無くなり、装部の構造及び工程条件が極めて単純
化さｎ、又歩留の同上に寄与している。環７図は別の例
である。（Ｃ）に示す如くアルミニウム合金板７０１を
中心にしてその両側に薄い高透磁率ｓ外板７０２を配す
る。上記三枚の基板全圧接によってラミネートし、（Ｄ
）の如きラミネート基８！ヲ形成する。（Ｄ）の基板を
加工、研摩、及び歪み取シし。
て、ディスク基板（Ｋ）を形成する。三枚の基板は溶接
してラミネートする手も出来、又接着剤によってラミネ
ートする事もできる。高透磁率感性膜７０２の板厚を、
アルミニウム合金’７０１の板厚に対して十分／ＪＳキ
く選らぶ手によって倒置の走に伴う熱膨張率の差は無視
さｎる。基板（蜀は実効的にアルミニウム合金と同等の
重さ、機械強度が得らｎる。基板（ｌｆｌ）の両面に前
言ｅと同様の工程で、記録用磁性膜全形Ｆｉ′ｉして、
磁７デイスクとする。第 ９− ７図の基板にあっても第６図同様、従来に比較して大幅
に工程が短縮さｎ１実用的なディスク會供する華がでそ
る。
してラミネートする手も出来、又接着剤によってラミネ
ートする事もできる。高透磁率感性膜７０２の板厚を、
アルミニウム合金’７０１の板厚に対して十分／ＪＳキ
く選らぶ手によって倒置の走に伴う熱膨張率の差は無視
さｎる。基板（蜀は実効的にアルミニウム合金と同等の
重さ、機械強度が得らｎる。基板（ｌｆｌ）の両面に前
言ｅと同様の工程で、記録用磁性膜全形Ｆｉ′ｉして、
磁７デイスクとする。第 ９− ７図の基板にあっても第６図同様、従来に比較して大幅
に工程が短縮さｎ１実用的なディスク會供する華がでそ
る。
七て、Ｃ０−０ｒ合金を、異なる基板上にスパッタで形
成した結果、前Ｍｉｘ’ Ｌだカラス基板以外でもガラ
ス４板と同様に配回の優ｎた眸の得られたものがある。
成した結果、前Ｍｉｘ’ Ｌだカラス基板以外でもガラ
ス４板と同様に配回の優ｎた眸の得られたものがある。
Ｓｉｎ、或は他の、一般に非晶質に近い膜會形成した鏝
にＣ０−０ｒ膜會形成すると、基板材質に係らず、第５
図５０１に示したカラス基板±のＣｏ−０ｒＰＩＡと同
等の急峻な）Ｕ９回折ピークが傅らｎた。第５図１５０
６はビーク出力に対して５０％以上の出力が測ださｎる
角度の範囲を示し、＠紀非晶質性下地上に形成したＣｏ
−０ｒ膜の場合０度程度である。又、所謂、ポリイミド
基板上に形成したＣｏ−Ｃｒｐについても同様の値が得
らｎｋ、更にその他の高分子材料についてＣｏ−Ｃｒ膜
全形反した場合にも同様の結果が傅らｆした。こｎに対
し、＠ｆｉｉ’Ｎ１−Ｆθパーマロイ合金上に形成した
ＣＣｏ−０ｒの測定データ曲線５０２についてはピーク
出力が５０１に対し大幅に落ち込み、又ビ１０− −り出力に対する５０％以上の出力が測定さ扛る角度範
囲は１０〜２０度程度と広くなる。Ｎｉ−Ｆｅ系以外の
パーマロイ、例えばＣｒｘ−Ｍｏｆ含むパーマロイ膜を
下地とする場合も同様である。更に、アルミニウム、そ
の他の金属及びその合金を基板とした場合についても同
等或はそｎ以上に劣化する事がわかつ’ｆｃｏ同第５図
の測定曲線の出力ピークの大きさとその急峻性は、その
１ま磁性膜の垂直方向の磁７特性と対応する軍が、磁性
膜の磁気異方性の測定の結果から得らｆＬ友。
にＣ０−０ｒ膜會形成すると、基板材質に係らず、第５
図５０１に示したカラス基板±のＣｏ−０ｒＰＩＡと同
等の急峻な）Ｕ９回折ピークが傅らｎた。第５図１５０
６はビーク出力に対して５０％以上の出力が測ださｎる
角度の範囲を示し、＠紀非晶質性下地上に形成したＣｏ
−０ｒ膜の場合０度程度である。又、所謂、ポリイミド
基板上に形成したＣｏ−Ｃｒｐについても同様の値が得
らｎｋ、更にその他の高分子材料についてＣｏ−Ｃｒ膜
全形反した場合にも同様の結果が傅らｆした。こｎに対
し、＠ｆｉｉ’Ｎ１−Ｆθパーマロイ合金上に形成した
ＣＣｏ−０ｒの測定データ曲線５０２についてはピーク
出力が５０１に対し大幅に落ち込み、又ビ１０− −り出力に対する５０％以上の出力が測定さ扛る角度範
囲は１０〜２０度程度と広くなる。Ｎｉ−Ｆｅ系以外の
パーマロイ、例えばＣｒｘ−Ｍｏｆ含むパーマロイ膜を
下地とする場合も同様である。更に、アルミニウム、そ
の他の金属及びその合金を基板とした場合についても同
等或はそｎ以上に劣化する事がわかつ’ｆｃｏ同第５図
の測定曲線の出力ピークの大きさとその急峻性は、その
１ま磁性膜の垂直方向の磁７特性と対応する軍が、磁性
膜の磁気異方性の測定の結果から得らｆＬ友。
以上の結果から出性薄膜會ｉＮ成する材料の結晶に対し
、該結晶の格子に対して極端に異なる格子の大きさ全待
った材料全基板とする部が望ましい。
、該結晶の格子に対して極端に異なる格子の大きさ全待
った材料全基板とする部が望ましい。
金属は互に格子定数が近接する手から、磁性膜は、基板
金属の影響を受けた膜の成長會し易くなる。
金属の影響を受けた膜の成長會し易くなる。
逆に非晶質、或は部分−７材料を基鈑とする時磁性膜は
、基板の影響ケ受けずに＠成長するので磁気異方性の優
ｎたｗａケ形成できる手になる。実際、非晶質材料或は
高分子材料上に形成したＣ０−Ｃｒ磁性Ｉｌｌは該膜厚
が数千オングストローム以上の領域ですべて第５図５０
１の様な優ｎｒｃ回折特性を示す。
、基板の影響ケ受けずに＠成長するので磁気異方性の優
ｎたｗａケ形成できる手になる。実際、非晶質材料或は
高分子材料上に形成したＣ０−Ｃｒ磁性Ｉｌｌは該膜厚
が数千オングストローム以上の領域ですべて第５図５０
１の様な優ｎｒｃ回折特性を示す。
絹８図はこｎらのデータに基づいて作製した磁父ｇｅ鍮
媒体の断面構造を示すもので、基板ａｏｉ上に高透磁率
軟磁性体８０２が形成してあり、更に軟磁性体８０２の
上に、非磁性１１＃ ８０３がある。
媒体の断面構造を示すもので、基板ａｏｉ上に高透磁率
軟磁性体８０２が形成してあり、更に軟磁性体８０２の
上に、非磁性１１＃ ８０３がある。
非磁性１圀８０３は上Ｐした非晶質又は非晶ηに近い＃
腸か、或は高分子材料７０１ら成る。
腸か、或は高分子材料７０１ら成る。
第８図８０１を第６図の如く高透磁率基板で構成する時
は、８０２は勿論不要である。非磁性層５０３はＯＶＤ
法、或はディッピング、或はスビンコ〜ト等によって簡
単に形成する事ができる。
は、８０２は勿論不要である。非磁性層５０３はＯＶＤ
法、或はディッピング、或はスビンコ〜ト等によって簡
単に形成する事ができる。
又スパッタによって形成する串も可能である。
第１図は不発明に関連する磁気記録の原理と特命ケ示し
ている。第２図、第３図は出側記録媒体の下に設けた高
透磁率基板１模の効果について示す第４図は２層のイ出
性膜會連続形成する装壷についてボしである。第５図は
、配録媒体のＸ線１回折による結晶配回特性ケ示しであ
る。ｙ４６．７．８図は本発明になる磁気ディスクの構
造會示しである。 １０２．２０２．８０４・＜ｉｉ記録媒体２０３．６０
１，７０２．８０２−・・高透磁率磁性体 ８０３・・・非磁性膜 以 よ ＝１３− ６Ｑス （日ン １９３−
ている。第２図、第３図は出側記録媒体の下に設けた高
透磁率基板１模の効果について示す第４図は２層のイ出
性膜會連続形成する装壷についてボしである。第５図は
、配録媒体のＸ線１回折による結晶配回特性ケ示しであ
る。ｙ４６．７．８図は本発明になる磁気ディスクの構
造會示しである。 １０２．２０２．８０４・＜ｉｉ記録媒体２０３．６０
１，７０２．８０２−・・高透磁率磁性体 ８０３・・・非磁性膜 以 よ ＝１３− ６Ｑス （日ン １９３−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）高透磁率軟磁性体全基板とし、該軟侶性基板上に
Ｆ錘用磁性薄膜層全形成した磁気ディスク（２）二枚の
高透磁率軟率性基板の間にアルミニウム合金基板紮サン
ドイッチしてラミ洋−トシ、該ラミネート基板表面に紀
録用磁性？！！胛層全形成したａ気ディスク。 （３） 高透磁率軟感性体と８ｅ録録磁磁性薄膜との
間には非出性？ｌＪ障Ｊ−がある事會釣辛とする特許稍
求範囲第−項、及び第二項記載の１ｉＢｉデイスク。 （４１非磁性薄説層は非晶黄体である事を特徴とする特
許請求範囲第三項紀載の磁気ディスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57012722A JPS58130440A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 磁気デイスク |
| US06/453,658 US4675224A (en) | 1981-12-26 | 1982-12-27 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57012722A JPS58130440A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 磁気デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130440A true JPS58130440A (ja) | 1983-08-03 |
Family
ID=11813316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57012722A Pending JPS58130440A (ja) | 1981-12-26 | 1982-01-29 | 磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58130440A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057524A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Seiko Epson Corp | 垂直磁気記録媒体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5451804A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Shiyunichi Iwasaki | Magnetic recording medium |
| JPS5729922A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-18 | Tokyo Optical Co Ltd | Measuring device for refractive characteristic of optical system |
| JPS57169924A (en) * | 1981-04-14 | 1982-10-19 | Canon Inc | Magnetic recording medium |
| JPS57208631A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-21 | Hitachi Ltd | Vertical magnetic recording medium |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP57012722A patent/JPS58130440A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5451804A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Shiyunichi Iwasaki | Magnetic recording medium |
| JPS5729922A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-18 | Tokyo Optical Co Ltd | Measuring device for refractive characteristic of optical system |
| JPS57169924A (en) * | 1981-04-14 | 1982-10-19 | Canon Inc | Magnetic recording medium |
| JPS57208631A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-21 | Hitachi Ltd | Vertical magnetic recording medium |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057524A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Seiko Epson Corp | 垂直磁気記録媒体 |
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