JPS58118154A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS58118154A JPS58118154A JP116382A JP116382A JPS58118154A JP S58118154 A JPS58118154 A JP S58118154A JP 116382 A JP116382 A JP 116382A JP 116382 A JP116382 A JP 116382A JP S58118154 A JPS58118154 A JP S58118154A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は絶嫌基板士に多結晶シリコン、又はアモルハス
シリコンを形成して基板として用いて、電界効果トラン
ジスタに形成してなる半導体集積回路装置に関する。
シリコンを形成して基板として用いて、電界効果トラン
ジスタに形成してなる半導体集積回路装置に関する。
最近、機側化エリはチップの大型化を必要とする大規模
集積回路装置の開発力１要求さｎだしてきている。この
ような大規模集積回路装質Ｕ％性についてきびしい要求
はなく、むしろ歩留とコスト［’７１い要求がある場合
がある。その場合ヲ１、シリコン単結晶基板を用いるＬ
つも、絶縁ＪＩ板士に形成さｎた多結晶シリコン、又は
アモルハスシリコンを用いる。いわゆる、＃膿トランジ
スタを内賦する集積回路＠置が各方面で開発さｌｒＬは
じめてきている。おもに表示装置に使用さｎｌ特に液晶
表示用に使用ざ几ようとしている〇 この工つな大規模集積回路類ｆｉｔ ；’ｆ 、大規模
化とコストダウンが大きなテーマとなるが、ネックとな
る問題点がいくつか発生している。そのほとんどにトラ
ンジスタ特性の問題である。その中で、％に大きな間ｉ
１ｈソース、ドレイン間のリークである。ソース、ドレ
イン間の異常リーク現象の原因について、ｗ４１Ｐｂ第
２図に例を示し発下に説明する。
集積回路装置の開発力１要求さｎだしてきている。この
ような大規模集積回路装質Ｕ％性についてきびしい要求
はなく、むしろ歩留とコスト［’７１い要求がある場合
がある。その場合ヲ１、シリコン単結晶基板を用いるＬ
つも、絶縁ＪＩ板士に形成さｎた多結晶シリコン、又は
アモルハスシリコンを用いる。いわゆる、＃膿トランジ
スタを内賦する集積回路＠置が各方面で開発さｌｒＬは
じめてきている。おもに表示装置に使用さｎｌ特に液晶
表示用に使用ざ几ようとしている〇 この工つな大規模集積回路類ｆｉｔ ；’ｆ 、大規模
化とコストダウンが大きなテーマとなるが、ネックとな
る問題点がいくつか発生している。そのほとんどにトラ
ンジスタ特性の問題である。その中で、％に大きな間ｉ
１ｈソース、ドレイン間のリークである。ソース、ドレ
イン間の異常リーク現象の原因について、ｗ４１Ｐｂ第
２図に例を示し発下に説明する。
第１図に示すように、１はガラス基板、２はＮ型の多結
晶シリコシ、５・はＰ＋拡拡散−１４にゲート哨化膜、
５Ｆ′ｉ多結晶シリコン電極、６はライト酸化層、７ｒ
ｉリンガラス膜、８はＭ配線、９はパシベばジョン膜で
ある。このような累子を形成するためには熟成理が加わ
るため、１のガラス基板中に含有さｎる３族及び２族の
元素がＮ型多結晶シリコン中へ拡散してきて、薄いＰ型
化したＰ型多結晶シリコンＩｌｌ １０ ｋ形成する。
晶シリコシ、５・はＰ＋拡拡散−１４にゲート哨化膜、
５Ｆ′ｉ多結晶シリコン電極、６はライト酸化層、７ｒ
ｉリンガラス膜、８はＭ配線、９はパシベばジョン膜で
ある。このような累子を形成するためには熟成理が加わ
るため、１のガラス基板中に含有さｎる３族及び２族の
元素がＮ型多結晶シリコン中へ拡散してきて、薄いＰ型
化したＰ型多結晶シリコンＩｌｌ １０ ｋ形成する。
このノーが出現するとソース及びドレインのＰ＋拡散層
同士のバイパスＶＣなり、リークの原因となる。リーク
の発生要因としては、多結晶の中に存在するジャンクシ
ョンという事による接合の不完全性によるリーク、及び
汚ｎによるリーク、準位によるリーク等があるが、大き
なリ一り電流の発生擾びバラツキに関す要因としてげ基
本的なものであろう 第２図にはカラス基板中に５族及び６族の元素が含まｎ
ている場合の例である。
同士のバイパスＶＣなり、リークの原因となる。リーク
の発生要因としては、多結晶の中に存在するジャンクシ
ョンという事による接合の不完全性によるリーク、及び
汚ｎによるリーク、準位によるリーク等があるが、大き
なリ一り電流の発生擾びバラツキに関す要因としてげ基
本的なものであろう 第２図にはカラス基板中に５族及び６族の元素が含まｎ
ている場合の例である。
第２図に示すように、１１けカラス基板、１２＃″ｉＰ
型の多結晶シリコン、１５にＮ＋＋散層、１４はゲート
酸化膜、１５Ｆ′ｉ多結晶／リコン電惨、１６Ｖｉライ
ト酸化睡、１７げリンガラス膜、１８はＭ配線、１９は
パ／ペーショ７模である。第１図と同様、熱処理が加わ
ると、ガラス４＠１１中に含有さｎる５族及び６族の元
素が２１Ｍ多結晶シリコン中へ拡散してきて薄いＮ型化
したＮ型多結晶シリコ７層２０１（形成する。この層か
め現するとソース及びドレインのＮ＋＋散ノー同士のバ
イパスになり、リークの原因となる。
型の多結晶シリコン、１５にＮ＋＋散層、１４はゲート
酸化膜、１５Ｆ′ｉ多結晶／リコン電惨、１６Ｖｉライ
ト酸化睡、１７げリンガラス膜、１８はＭ配線、１９は
パ／ペーショ７模である。第１図と同様、熱処理が加わ
ると、ガラス４＠１１中に含有さｎる５族及び６族の元
素が２１Ｍ多結晶シリコン中へ拡散してきて薄いＮ型化
したＮ型多結晶シリコ７層２０１（形成する。この層か
め現するとソース及びドレインのＮ＋＋散ノー同士のバ
イパスになり、リークの原因となる。
本発明は以上のような欠点を改良したもので、本発明の
目的は絶縁基板から多結晶シリコン、又にアモルハスシ
リコン中への不純物の拡散ｔふせぎ、ひいてはソース、
ドレイン間及びその他のリークｔなくす事にある。
目的は絶縁基板から多結晶シリコン、又にアモルハスシ
リコン中への不純物の拡散ｔふせぎ、ひいてはソース、
ドレイン間及びその他のリークｔなくす事にある。
本発明の他の目的に本発明の説明の中でおのずと明らか
となるであろう。
となるであろう。
第３図に例を挙げ、以下路不発明について説明する。
第３図に示すように、２１ｒｉガラス基板、２２はＮ型
の多結晶シリコン、２３Ｆ′ｉＦ＋拡散層、２４ｄゲー
）１１化膜、２５は多結晶シリコン電極、２６ｒｉライ
ト酸化膜、２７ｆ！リンガラス膜、２８ｒｉＭ配線、２
９にパシベーション族である。又、３０Ｆｉ気相成長の
８１０．膜である。
の多結晶シリコン、２３Ｆ′ｉＦ＋拡散層、２４ｄゲー
）１１化膜、２５は多結晶シリコン電極、２６ｒｉライ
ト酸化膜、２７ｆ！リンガラス膜、２８ｒｉＭ配線、２
９にパシベーション族である。又、３０Ｆｉ気相成長の
８１０．膜である。
本発明の例のようにガラス基板と多結晶基板の間に、’
ＡＩＡ’Ｊｔ長ｃＤ ｓｌｏ、 １ｌｊｙ ２００ス〜
５ｏｏｏＸ又はそｎ以上の厚みの−を形成すると、あと
でほどこされる熱処理に工って不純物が多結晶シリコン
基板、又はアモルファスシリコン基板中へ拡散さｎる事
もなくなり、そｆ′Ｌｖｃ工っておこるリークも発生し
なくなる。
ＡＩＡ’Ｊｔ長ｃＤ ｓｌｏ、 １ｌｊｙ ２００ス〜
５ｏｏｏＸ又はそｎ以上の厚みの−を形成すると、あと
でほどこされる熱処理に工って不純物が多結晶シリコン
基板、又はアモルファスシリコン基板中へ拡散さｎる事
もなくなり、そｆ′Ｌｖｃ工っておこるリークも発生し
なくなる。
本発明の列としてＮ型の多結晶シリコンを用いた場合に
ついて示したが、Ｐ型の多結晶シリコンの場合や、イン
トリンシックの多結晶シリコンの場合でも同様であり、
アモルファスシリコンｒ用いた場合でも同様である。
ついて示したが、Ｐ型の多結晶シリコンの場合や、イン
トリンシックの多結晶シリコンの場合でも同様であり、
アモルファスシリコンｒ用いた場合でも同様である。
又、本発明の例では気相！Ｉ１．長のｓｌｏ、 Ｍにつ
いて示したが、気相成長の８１． ＩＪ、 ＠及び気相
成長の８１０、膜と気相５！ｊ、長の８１ｓＮ番仲の多
Ｉ−の膵、さらに他の気相ＦＪｙ、長の脇でも同様であ
る。
いて示したが、気相成長の８１． ＩＪ、 ＠及び気相
成長の８１０、膜と気相５！ｊ、長の８１ｓＮ番仲の多
Ｉ−の膵、さらに他の気相ＦＪｙ、長の脇でも同様であ
る。
又、本発明でに基板としてガラス基板を用いた例につい
て示しｆｃが、セラミック基板や他の絶−膜基板でも同
様である。
て示しｆｃが、セラミック基板や他の絶−膜基板でも同
様である。
第１図及び第２図は、従来の方法による半４体集積回路
＠噴の断面略図 ｍ３図に、本発明の方法による半導体集積回路装置の断
面略図。 以 土 出願人 株式会社諏訪精工舎 〆Ｉ− 代理人 弁理士最よ Ｉｌｔ 、１、Ｊ・
＠噴の断面略図 ｍ３図に、本発明の方法による半導体集積回路装置の断
面略図。 以 土 出願人 株式会社諏訪精工舎 〆Ｉ− 代理人 弁理士最よ Ｉｌｔ 、１、Ｊ・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌ＋ 絶縁基板上に多結晶シリコン、又はアモル・
・スシリコンを形成し、該多結晶シリコン、又ハ該アモ
ルハスシリコンを基板として電界効果トランジスタに形
成してなる半導体集積回路類ｆｌｉｔにおいて該多結晶
シリコン、又は該アモルハスシリコンと該絶縁基板の間
に気相成長の絶ｉＩ膿を形成した事を特命とする半導体
集積回路類−７（２） 該絶縁膜として気相成長のＩ
：ＩｉＯ，ｊｊ［に用いた事′ｔ％拳とする特許請求第
一項記載の半導体集積回路装置。 （３１該絶縁膜として気相成長の５ｉｉＮ＋ｌ［’を用
いた４１！を特命とする特許請求第一項ｄｅ載の半導体
集積回路装置装置。 （４１該絶縁−として気相成長のＳｉｎ、膿、及びＥ３
１．Ｎ、膜の両者を用いた事を特命とする特許請求第一
項記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP116382A JPS58118154A (ja) | 1982-01-07 | 1982-01-07 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP116382A JPS58118154A (ja) | 1982-01-07 | 1982-01-07 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58118154A true JPS58118154A (ja) | 1983-07-14 |
Family
ID=11493767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP116382A Pending JPS58118154A (ja) | 1982-01-07 | 1982-01-07 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58118154A (ja) |
Cited By (16)
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-
1982
- 1982-01-07 JP JP116382A patent/JPS58118154A/ja active Pending
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