JPS58116734A - Exposing apparatus - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To improve close contactness and reduce mask image by getting statistic contact of the center or its vicinity of mask and wafer and then close contact of the peripheral part through gradual increase of vacuum pressure between said wafer and mask. CONSTITUTION:A mask 4 and a wafer 6 are set and a vacuum leakage preventing member 8 are placed in contact with the lower part of a mask holder and thereby a vacuum chamber 9 is formed. The vacuum condition is supplied to the vacuum chamber 9 through a pipe 16, while gas through a pipe 15. A flow rate of gas is gradually reduced using a servo-driven valve 11 in order to smoothly change a vacuum pressure. A sensor 10 monitors a vacuum pressure of vacuum chamber 9 and feeds back data to a drive system 12 for driving the servodriven valve. Thereby, influence given on the vacuum pressure rising curve by disturbance can be eliminated. Through this process, the mask 4 and wafer 6 can be placed to close contact condition.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体露光装置、特に密着（コンタクト）ｍ１
党装＊に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor exposure apparatus, particularly a contact m1
It concerns party attire*.

従来、この檀の装置はマスクとウエノ・−の間に、伸縮
可能な閉空間を形成し、そこを真空にすることにより、
マスクの背面に大気圧を働かせマスク會つエノ・−儒に
曲けることによって両者に＠層させていた。この際、従
来のこの樵の装置では、マスク・ウエノ・−間の真空圧
を０から所望の密ｔｉ［が侍られる高真空圧へと急激に
変化させていたため、次に述べるような欠点がめった。Conventionally, this Dan's device forms a closed space that can be expanded and contracted between the mask and Ueno, and by creating a vacuum in that space,
By applying atmospheric pressure to the back of the mask and bending the mask, both sides were layered. At this time, with the conventional woodcutter's equipment, the vacuum pressure between the mask and the wafer was rapidly changed from 0 to a high vacuum pressure at which the desired density ti[ could be achieved, resulting in the following drawbacks: Rarely.

まず４１４１に密着性の劣化である。従来技術では、真
空圧を急変させているために、マスクとウェハーは全面
がほぼ同時に密着ｔ−開始する。First, 4141 is the deterioration of adhesion. In the prior art, since the vacuum pressure is suddenly changed, the entire surfaces of the mask and wafer start coming into close contact with each other almost simultaneously.

すると、ウェハー中央付近にあったガスは逃は場がなく
なりその部分に閉じ込められてしまう。Then, the gas near the center of the wafer has no place to escape and becomes trapped in that area.

この傾向は、半導体フーロセスの工程が進み平１度の悪
化したウェハーに於て顕著に見受けられる。このように
ガスが閉じ込められることにより密着性は劣化する。そ
して、密着性が劣化すると、マスクとウェハーの間に不
均一に生じた「微小なす！！ま」部分で光の回折が起こ
りｍ慣力が低下してしまう、つまり、コンタクト無光装
置においては、密着性の劣化は卸、焼付性能の劣化につ
ながるのである。また閉じ込められたガスを抜くために
、従来は、コンタクト後しばらく時間をおいて焼付を行
なっていたが、これは単位時間当りの処理可能なウェハ
一枚数すなわちスループットの向上を妨ける一因となっ
ていた。This tendency is noticeable in wafers whose flatness has deteriorated as the semiconductor process has progressed. Adhesion deteriorates due to gas being trapped in this way. If the adhesion deteriorates, light will be diffracted at the "microscopic holes" that occur unevenly between the mask and the wafer, resulting in a decrease in inertia. Deterioration of adhesion leads to deterioration of printing performance. In addition, in order to release the trapped gas, baking was traditionally performed after some time after contact, but this was one of the factors that hindered the improvement of the number of wafers that could be processed per unit time, that is, throughput. was.

第２に、マスク・ウェハーダメージである。The second problem is mask/wafer damage.

従来は、マスク・ウェハー間の真空圧を、＠、変させて
いたため、急激な接触がおこり、その衝撃によって、マ
スクとウェハーはダメージを受けていた。そして、この
マスク・ウェハーダメージは歩留１）を低下させていた
。Conventionally, the vacuum pressure between the mask and wafer was varied, resulting in sudden contact, and the impact caused damage to the mask and wafer. This mask/wafer damage lowers the yield 1).

第３に、位置合せされたマスクパターンとウェハーパタ
ーンがコンタクト時にずれる現象（以下イメージシフト
と呼ぶ）である。イメージシフトのために、目標の位置
合せ精坂内に入らなかった場合、再び位置合せ全行ない
コンタクトに移るそして、目標値内に入るまで位置合せ
とコンタクト動作を繰り返す。Thirdly, there is a phenomenon in which the aligned mask pattern and wafer pattern shift during contact (hereinafter referred to as image shift). If the image does not fall within the target alignment precision range due to the image shift, the alignment is completed again and the process moves to contact, and the alignment and contact operations are repeated until the alignment falls within the target value.

従って、イメージシフトは、位置合せＷ［ｔ″劣化せる
だけでなくコンタクトを繰返した分だけマスクダメージ
をも増大させ、その結果、歩留りを低下させる。また、
余分に繰り返した位置合せ及びコンタクト動作に要した
峙間分だけ、スルーグツトも低下する。Therefore, the image shift not only deteriorates the alignment W[t'' but also increases mask damage by the amount of repeated contact, resulting in a decrease in yield.
Throughput is also reduced by the distance required for extra repeated alignment and contact operations.

本発明は、上述従来例の欠点を除去すること、すなわち
、密着性の向上とマスクダメージ、イメージシフトの低
減を図るとともに、焼付性能提供することを目的として
いる。その為、本発明においては、マスク・ウェハー間
の真空圧を徐々に増加させることにより、マスクとウェ
ハーを中心付近から静的に密着させ、徐々に密層領域を
周辺に広げて、轍路的な密着状態に至らせている。以下
に、順を追って）！！に峠細な説明を加える。The present invention aims to eliminate the drawbacks of the above-mentioned conventional examples, that is, to improve adhesion, reduce mask damage and image shift, and provide printing performance. Therefore, in the present invention, by gradually increasing the vacuum pressure between the mask and the wafer, the mask and the wafer are statically brought into close contact from the vicinity of the center, and the dense layer region is gradually expanded to the periphery. This has led to a state of close contact. (Step by step below)! ! Add a detailed explanation to.

本発明の実施例ｔ−第１図に示す。An embodiment of the invention is shown in FIG.

４はマスク。５はマスクを保持するマスクホルダー。６
Ｆｉウエハー。７はウェハーをその上面に強固に保持す
るところのバキュームウェハーチャック。このチャック
は機械的におさえられているため上昇することがない。4 is a mask. 5 is a mask holder that holds a mask. 6
Fi wafer. 7 is a vacuum wafer chuck that firmly holds the wafer on its upper surface. This chuck is mechanically held down and will not rise.

８＃ｉマスク・ウェハー間に真空室９を作るためのシー
リングゴム等の真空漏れ防止材。１０Ｆｉ真空室の真９
−圧をモニターするためのセンサー、１１Ｕ７’／ス流
重を制御するために、管路の途中に入れたサーボ駆動可
能なバルブ（ｆｌ　、ｔ　ｉＪサーボバｈ７’等）。１
２は、す−ボ駆動可能なパルプ１１會動作させるための
ドライブ系であり、１０で得友情号をフィードバックす
ることにより閉ループ回路を構成している。１３はガス
供給源。１４は高真空供給源。１５はガス導管、１６Ｆ
ｉ真空導管である。そして、導管１５及び１６は真空室
９へとつながっている。8#i Vacuum leak prevention material such as sealing rubber to create a vacuum chamber 9 between the mask and wafer. True 9 of 10Fi vacuum chamber
- Sensors for monitoring the pressure, servo-operable valves (fl, t iJ servo bar h7', etc.) placed in the middle of the pipeline to control the flow weight. 1
Reference numeral 2 denotes a drive system for operating the pulp 11 which can be driven by a turbo, and a closed loop circuit is constituted by feeding back the yield signal at 10. 13 is a gas supply source. 14 is a high vacuum supply source. 15 is a gas pipe, 16F
i It is a vacuum conduit. The conduits 15 and 16 are then connected to the vacuum chamber 9.

次に上記構成における動作を説明する。Next, the operation in the above configuration will be explained.

まずマスク４とウェハー６が不図示の手段により所定の
位置にセットされる。この時には、既に真空漏れ防止材
８がマスクホルダー５の下面に接し、マスク・ウェハー
間に閉じ九空関（真空室９）が形成されるが、まだ真空
は供給さねていない０次にマスク４とウニノー−６が不
図示の罫θステージにより位置合せされ、これが完了し
た彼、導管１６１ｒ通じて真空が、また導管１５を通じ
てガスが真空室９へ供給される。First, the mask 4 and the wafer 6 are set at predetermined positions by means not shown. At this time, the vacuum leak prevention material 8 is already in contact with the lower surface of the mask holder 5, and a nine-dimensional barrier (vacuum chamber 9) is formed between the mask and the wafer, but vacuum is not yet supplied to the zero-order mask. 4 and Uni-No. 6 are aligned by a ruled θ stage (not shown), and once this is completed, vacuum is supplied to the vacuum chamber 9 through the conduit 161r, and gas is supplied to the vacuum chamber 9 through the conduit 15.

この時真空室９の真空度は、導管１５全通して供給され
るガス流量によって決まる。つまり、真空とガスのバラ
ンスによって決まるのである。At this time, the degree of vacuum in the vacuum chamber 9 is determined by the gas flow rate supplied through the conduit 15. In other words, it is determined by the balance between vacuum and gas.

従って、サーボ駆動可能なバルブ１１を用いてガス流ｔ
を徐々に絞れば、真空室９の真空圧を時間的に清らかＶ
ＣＲ化させることができる。第３図は、上記装置により
得られるマスク・ウェハー間の真空圧立上げ曲縁である
。Ｍ軸はマスク・ウェハー間の真空圧、横軸は時間を示
している０本装置を用いれｄ１サーボ駆動可ｄヒなバル
ブを動作させるためのドライブ系１２を操作すること罠
より、図に示すような凸状１７．凹状１９．直線状１８
、といった任意の滑らかな経路に沿って圧力を変化させ
ることができる。Therefore, using the servo-actuable valve 11, the gas flow t
By gradually narrowing down the vacuum pressure in the vacuum chamber 9, it becomes clear V over time.
It can be converted into CR. FIG. 3 shows a vacuum pressure raised curved edge between a mask and a wafer obtained by the above-mentioned apparatus. The M-axis shows the vacuum pressure between the mask and the wafer, and the horizontal axis shows the time.The device is used to operate the drive system 12 for operating the d1 servo-driven valve, as shown in the figure. Convex shape17. Concave19. linear 18
The pressure can be varied along any smooth path, such as .

また最終鋼運真空圧ＶＫ至るまでの時間Ｔも自由に変更
することができる。これにより、本発明の目的を運する
うえで最適な真空圧立上げ曲ＩＩＩを得ることができる
、 第１図に戻って、センサー１０Ｆｉ真空室９のＸ空圧を
モニターし、サーボ駆動可ｗ＠なバルブを動作させるた
めのドライブ系１２にフィードバックしている。これに
より、外乱（例えば、ガス供給源１３や真空供給＠１４
の圧力変動等）が真空圧立上は曲縁に与える影響を取り
除くことができる。Further, the time T required to reach the final steel run vacuum pressure VK can also be freely changed. With this, it is possible to obtain the optimum vacuum pressure start-up curve III to carry out the purpose of the present invention. Returning to FIG. 1, the sensor 10Fi monitors the X air pressure of the vacuum chamber 9, and the servo drive Feedback is provided to the drive system 12 for operating the @ valve. This prevents disturbances (for example, gas supply source 13 or vacuum supply @ 14
(pressure fluctuations, etc.) can eliminate the effects of vacuum pressure build-up on curved edges.

以上に述べ友過程を経てマスク４とウェハー６は密着状
態に至る。ここで、位置合せ精度が目樟籠内であれば、
次に不図示の露元蝋明系により電光されマスクパターン
がウェハー上に転４される。After the above-described process, the mask 4 and the wafer 6 come into close contact. Here, if the alignment accuracy is within Mekogo,
Next, the mask pattern is transferred onto the wafer by electric light using an exposure wax system (not shown).

ｆ＃実施例では、マスク・ウェハー間の真空圧ｆ％ニタ
ーして、それを真空圧制御系にフィードバックしている
が、外乱が無視し得る場合には開ループで真空圧を変化
させることも可能であ抄、コストも下けることができる
。f# In the example, the vacuum pressure f% between the mask and wafer is monitored and fed back to the vacuum pressure control system, but if the disturbance can be ignored, the vacuum pressure may be changed in an open loop. It is possible and the cost can be reduced.

前記実施例では、真空室９の真空圧管徐々に変化させる
（ガス流量を徐々に変化させる）手段として、サーボ駆
動可能なバルブ、例えば烈ボバルブを用いているが、そ
の他にも種々の方法が考えられるので以下にその方法に
ついて述べる。In the embodiment described above, a servo-operable valve, such as a servo valve, is used as a means for gradually changing the vacuum pressure tube of the vacuum chamber 9 (gradually changing the gas flow rate), but various other methods can be considered. The method will be described below.

＄３図において、２Ｇは絞り、２１は電磁パルプである
。２２Ｆｉガス流を平滑化するチャンバーである。数組
の絞Ｄ２０と電磁バルブ２１はガスを供給する配管の途
中に並列につないである。そして、あらかじめ所望の流
量を得るように絞り量をセットされた６絞０２０＃ｉ、
それぞれ電磁パルプ２１に＠続されている。このバルブ
２１ｔ−１つづつ順番に開閉させることにより、ガス流
量は時間的に変化させることができる。真空圧立上は曲
線の形状は、個々の絞り２０の設定値及び電磁パルプ２
１の開閉時間を変えることＫより、任意に選べる。また
、電磁パル７’　２１　ｋ、１つづつ順番に開閉させる
のではなく、いくつか同時に開閉させ、その開閉する電
磁パルプの組合せを変える方法も考えられる。In the $3 figure, 2G is squeezed and 21 is electromagnetic pulp. This is a chamber that smoothes the 22Fi gas flow. Several sets of throttles D20 and electromagnetic valves 21 are connected in parallel in the middle of the gas supply piping. Then, the 6-throttle 020#i whose throttling amount is set in advance to obtain the desired flow rate,
Each is connected to the electromagnetic pulp 21. By sequentially opening and closing the valves 21t-1, the gas flow rate can be changed over time. The shape of the curve at the rise of vacuum pressure is determined by the setting value of each throttle 20 and the electromagnetic pulp 2.
It can be selected arbitrarily from K that changes the opening/closing time of 1. Furthermore, instead of opening and closing the electromagnetic pulses 7' 21 k one by one in sequence, a method of opening and closing several electromagnetic pulps at the same time and changing the combination of the electromagnetic pulps to be opened and closed can also be considered.

この方法によれば少ない電磁パルプと絞りの数で、多く
の段階にガス流量を制御できる。電磁パルプを次々Ｋ　
ＯＮ　−ＯＦＦさせる本方式では、真空室（供給される
ガス流量が階段的に変化する恐れがあるため配管の途中
にチャンバ２２ｔ−入れて、真空圧が清らかに上昇する
ように考慮されている０木刀式の％黴は、コストが安い
事である。冑、チャンバ２２ｔ−入れなくて段階的であ
るが除々に真空圧を増しても良い。According to this method, the gas flow rate can be controlled in many stages with a small number of electromagnetic pulps and throttles. Electromagnetic pulp one after another
In this ON-OFF method, a vacuum chamber (22t) is placed in the middle of the piping to ensure that the vacuum pressure rises cleanly, since there is a risk that the supplied gas flow rate may change stepwise. The cost of the wooden sword method is low.It is possible to gradually increase the vacuum pressure without putting the helmet into the chamber 22t.

７４４図において、２３は絞り、２４は歯車等の回転運
動伝達体、２５はステップモーターである。絞り２３は
、ガス供給路の途中に入っており回転運動伝達体２４ｔ
−介してステップモー１−２６とつながっている。ステ
ップモーターは加えるパルス周波数によって回転速度が
決まるが、本方式ではこの特徴を利用し、パルス周波数
を時間的Ｋｆ化させることによりステップモーター２５
の回転速１を時間的に変える。そして回転運動伝達体２
４を介して絞り２３の絞り量つま争りガス流量を時間的
に変化させる。In Fig. 744, 23 is a diaphragm, 24 is a rotary motion transmitting body such as a gear, and 25 is a step motor. The throttle 23 is inserted in the middle of the gas supply path and is connected to the rotational motion transmitting body 24t.
- is connected to stepmo 1-26 via. The rotational speed of a step motor is determined by the applied pulse frequency, but this method takes advantage of this feature and converts the pulse frequency into a temporal Kf.
The rotational speed 1 of is changed over time. and rotational motion transmitting body 2
4, the throttle amount of the throttle 23 and the gas flow rate are changed over time.

１１４６図において、２６は絞り、２７．２８は＠遵運
動を１転運動に変換する機構（例えば、ラックギアとビ
ニオンギア）。２９はカム、３０Ｆｉ減速機構、３１Ｆ
ｉモーターである。モーター３１の回転は、減速機構３
０により減速され、カム２９に伝えられる。２９は２７
の直進運動を支配している。２７の直進運動は２８によ
り＆ｇ１転逼動罠変わり、絞り２６を回す、（ただしこ
こで、絞り２６の絞り童は、２７の直進運動により、直
接変えても、伺ら支障はない。）このようにしてカム２
９は、絞り２６のＩ＆り量つｔリガス流量を時間的に変
化させる。ガス流量の時間的変化の模様は、カムの一部
を変えることＫより（例えばカム形状を変えることによ
り）任意に変えることができる０以上のように本方式の
！１ｌｔｉ、ガス流量つまり真空圧七時闇的に変化させ
る手段として機械的な構造（カム等）を使っている点に
ある。これに対し、先に脱明した第３図や第４図それに
、次に貌明する第６図、第８図の方式は電気的にガス流
量つまり真空圧を制御している。In Fig. 1146, 26 is a throttle, and 27.28 is a mechanism (for example, a rack gear and a pinion gear) that converts @ compliance motion into one rotation motion. 29 is a cam, 30Fi reduction mechanism, 31F
It is an i-motor. The rotation of the motor 31 is controlled by the speed reduction mechanism 3.
The speed is decelerated by 0 and transmitted to the cam 29. 29 is 27
It controls the straight motion of. The linear movement of 27 is changed by 28 to the &g1 transition trap, and the aperture 26 is turned. like cam 2
9 changes the amount of I & t of the throttle 26 and the gas flow rate over time. The pattern of the temporal change in gas flow rate can be arbitrarily changed by changing part of the cam (for example, by changing the cam shape). 1lti, in that a mechanical structure (such as a cam) is used as a means to implicitly change the gas flow rate, that is, the vacuum pressure. On the other hand, the systems shown in FIGS. 3 and 4, which were explained earlier, and the systems shown in FIGS. 6 and 8, which will be explained next, electrically control the gas flow rate, that is, the vacuum pressure.

第６図において、３２はガスｆＩＬｔセンサー及びサー
ボ機能を内蔵したコントロールバルブ（例えばマスフロ
ーコントルーラ−）である。In FIG. 6, 32 is a control valve (for example, a mass flow controller) having a built-in gas fILt sensor and servo function.

これは、設定値と実際流量を比較して、その差である。This is the difference between the set value and the actual flow rate.

３３は上記機［ｌ！を有するバルブの設定＃Ｌを時間的
に任意に変化させることのできるドライブ系である。パ
ルプ３２をガス供給路の途中に入れ、その設定値をドラ
イブ系３３で時間的に変化させることＫよりパルプ３２
の絞り量つまりガス流量を時間的に変えることができる
。33 is the above machine [l! This is a drive system that can arbitrarily change the valve setting #L over time. Pulp 32 is inserted in the middle of the gas supply path, and its set value is changed over time by drive system 33.
The amount of restriction, that is, the gas flow rate can be changed over time.

本方式の脣黴は、サーボ機能を内蔵しているため、外乱
に影響されない点である。The advantage of this method is that it is not affected by external disturbances because it has a built-in servo function.

その他にガス供給路の途中に入れた絞りを手動で絞り、
ガス流量を時間的に変化させる方法もある。In addition, manually tighten the throttle inserted in the middle of the gas supply path,
There is also a method of changing the gas flow rate over time.

第７図において、３４はガス流量を制御するための機構
（これは、第１図におけるサーボ駆動ｏＪ能なパルプ１
２、又は第３図における絞り２０、電磁パルプ２１．チ
ャンバ２２０一連Ｏ部品で構成されるユニット又は第４
図における絞り２３．ステップモーター２５等により構
成されるユニット又は＠５図における絞０２６、機械的
運動制御２　Ｇ、モーター３１等で構成されるユニット
又は、第６図におけるガス流量センナ−及びサーボ機能
を内蔵したコントー−ルバルブ３２、などのいずれであ
っても良い、）３５はガス流量全制御するための機構３
４を、コントロールするための制御系（但し、ガス流量
を制御するための機構３４として第５図に示す方法を用
いた場合は、制御系３５に相歯するものは不要）。そし
て、３６はコンパムである。In FIG. 7, 34 is a mechanism for controlling the gas flow rate (this is the servo-driven OJ-capable pulp 1 in FIG. 1).
2, or the aperture 20 and electromagnetic pulp 21 in FIG. The chamber 220 is a unit consisting of a series of O parts or a fourth
Aperture 23 in the figure. A unit consisting of a step motor 25, etc., or a unit consisting of an aperture 026, a mechanical motion control 2G, a motor 31, etc. in Figure 5, or a controller with a built-in gas flow rate sensor and servo function in Figure 6. ) 35 is a mechanism 3 for controlling the entire gas flow rate.
4 (However, if the method shown in FIG. 5 is used as the mechanism 34 for controlling the gas flow rate, a component complementary to the control system 35 is not required). And 36 is a compam.

コンパム３６及びガス訛量會制御するための機構３４＃
ｉガス供給路の途中に入っており、コンパム３６に流す
ガスｆＩ！ｔ、１ｌｌｔ−１３４及び３５により時間的
に変化させて、真空室９の真空圧を時間的に変化させる
。本方式の特徴は真空供に源１４がなくても使える点に
ある。Compam 36 and mechanism 34# for controlling gas accent amount
i The gas fI is in the middle of the gas supply path and flows into the compam 36! t, 1llt-134 and 35, the vacuum pressure in the vacuum chamber 9 is changed over time. A feature of this method is that it can be used without the need for a vacuum source 14.

以上いくつかの実施例について述べたが、本発明の趣旨
は、これら制約されることはなく、マスク４、ウェハー
６間の真空圧を、ｊｌＦ！＃Ｐ＄時Ｉ； 間ｑｔ化させることができる方法であれはよい。Although several embodiments have been described above, the gist of the present invention is not limited to these, and the vacuum pressure between the mask 4 and the wafer 6 is set to jlF! #P$timeI; Any method that can reduce the time qt is fine.

以下本発明の装置の効果を述べる。The effects of the device of the present invention will be described below.

マスク４、ウェハー６間の真空圧ｔ’待時間かけて徐々
に上けてゆくとマスク４ｔｌｉＭａ図に示す様に下に凸
にベンドする。そしである時点でウェハー６と接触し始
めるわけであるが、この＃マスク４とウェハー６は中心
付近から静的に接触を開始し、真空圧が高まるにつれて
密着領域３７は徐々に周辺に広がってゆく。ここで重要
なのは「真空圧を時間をかけて徐々に増加させる」とい
う事である。真空圧を急激にあげると、マスク４とウェ
ハー６は、はぼ全面が同時に密層するので、ウェハー中
央付近にあったガスは逃は場を失い閉じ込められてしま
う、そして、密着性は劣化する。従って本方式によれば
、従来方式でマスク、ウェハーを密着させた時に生ずる
ガス閉じ込め現象の問題は解消され、マースフとウェハ
ーの密着性を向上させることができる。When the vacuum pressure between the mask 4 and the wafer 6 is gradually increased over a waiting time t', the mask 4tliMa bends downward in a convex manner as shown in the figure. Then, at a certain point, the #mask 4 and the wafer 6 start contacting statically from near the center, and as the vacuum pressure increases, the contact area 37 gradually spreads to the periphery. go. The important thing here is to "increase the vacuum pressure gradually over time." When the vacuum pressure is suddenly increased, the mask 4 and the wafer 6 become densely layered over almost the entire surface at the same time, so the gas near the center of the wafer loses its place to escape and becomes trapped, and the adhesion deteriorates. . Therefore, according to this method, the problem of gas trapping phenomenon that occurs when a mask and a wafer are brought into close contact with each other in the conventional method can be solved, and the adhesion between the MARSF and the wafer can be improved.

そして、従来技術の説明の項で述べた様に、密着性を向
上させることＫより、焼付性能が改善されるのである。As mentioned in the description of the prior art, improving the adhesion improves the baking performance.

従来は、ガス閉じ込め現象が生じた場合に杜、しばらく
時間をおいて、ガスが逃けるのを待ってから焼付けを行
なっていたが本方式によれば、この埃１ｊＩを避けるこ
とができるため待ち時間をおく必要がなくなりスループ
ットが向上する。Conventionally, when a gas trapping phenomenon occurs, baking is performed after waiting for a while for the gas to escape, but with this method, this dust can be avoided, so there is no need to wait. There is no longer a need to wait, which improves throughput.

本方式はマスク４、ウェハー６間の真空圧を漸増させる
ためマスクとウェハーもそれにつれて徐々に密着してゆ
く、従って従来の様な圧力を急変させて衝撃的にマスク
・ウェハーｔ−接触させてから密着させる方式と比較し
、衝撃力が減少したことによる、マスク・ウェハーのダ
メージ減少効果がある。また、従来、閉じ込められたガ
スを早く抜くため、高い真空圧をかけていたが、これに
よってマスク・ウェハーに過大な押付力が働いていた。In this method, the vacuum pressure between the mask 4 and the wafer 6 is gradually increased, so that the mask and wafer are gradually brought into close contact with each other. Compared to the method of making close contact with the mask, the impact force is reduced, which has the effect of reducing damage to the mask and wafer. Additionally, in the past, high vacuum pressure was applied to quickly release trapped gas, but this resulted in excessive pressing force acting on the mask and wafer.

そして、この過大な押付力はマスク・ウェハーにダメー
ジを与えていた。しかし本坊式を用いることによりガス
閉じ込め現象は緩和されるからこの過大な押付力は不要
となり、マスク・ウェハーのダメージヲ減少させること
ができる。This excessive pressing force caused damage to the mask wafer. However, by using the Honbo method, the gas trapping phenomenon is alleviated, so this excessive pressing force becomes unnecessary, and damage to the mask and wafer can be reduced.

従来方式でマスクとウェハーをコンタクトさせると、コ
ンタクトした瞬間にイメージシフトが生ずる。イメージ
シフトは以下に述べるような塩山により発生すると考え
られる。すなわち、マスクに対してウェハーを完全に平
行に保ったまま送抄誉触させることはできないし、また
、マスクとウェハー＃ｉ完全平面でもない、このため、
マスタとウェハーが接触する瞬間を微視的に見れば、両
者は相対的に傾いていることＫなる（Ｓ分的な両者間の
傾きも含めて）、従ってこの時にはマスク又はウェハー
面に直交する方向以外の向きに分力が働き、マスクとウ
ェハーｔｔｇ１転又は平行移動させようとする。ただし
、通常はマスクも、ウェハーもある程度の力で固定され
ているため、静的に＠触させる限り、固定力がこの力に
対抗してマスクとウェハーは動かない、ところが圧力を
急変させて衝撃的にマスクとウェハーを接触させると、
マスク・ウェハーを１転又は平行移動させる向きに働く
分力は衝撃力という大きな力となり、マスク・ウェハー
を固定している力を上回ってしまう、そしてマスクとウ
ェハーは相対的にずれるのである。When a mask and a wafer are brought into contact using the conventional method, an image shift occurs at the moment of contact. The image shift is thought to be caused by salt mountains as described below. In other words, it is not possible to keep the wafer completely parallel to the mask while transporting it, and the mask and wafer #i are not completely flat.
If we look microscopically at the moment when the master and wafer come into contact, we can see that they are tilted relative to each other (including the tilt between them due to S). A component force acts in a direction other than the direction, and attempts to cause the mask and wafer to rotate or move in parallel. However, normally both the mask and the wafer are fixed with a certain amount of force, so as long as they are statically touched, the fixing force will resist this force and the mask and wafer will not move. When the mask and wafer are brought into contact with each other,
The component force that acts in the direction of rotating or parallelly moving the mask/wafer becomes a large impact force, which exceeds the force that fixes the mask/wafer, and the mask and wafer are displaced relative to each other.

以上の様にしてイメージシフトは発生するものと考えら
れる。従って本方式を用いて、マスク・ウェハー間の真
空圧を漸増させれば、マスクとウェハーは静的ＫＩ！触
し始めるからイメージシフトを低減させることができる
と考えられる。It is thought that the image shift occurs in the manner described above. Therefore, using this method, if the vacuum pressure between the mask and wafer is gradually increased, the mask and wafer will be statically KI! It is thought that image shift can be reduced because the user starts touching the object.

また、イメージシフ）ｄ焼付けられた結果を見る限り、
アライメントすれという形で観察されるからイメージシ
フトの低減は、アライメント性能の向上にもつながる。Also, as far as the image shift) d printed results are concerned,
Reducing image shift, which is observed in the form of misalignment, also leads to improved alignment performance.

従来は先に説明したようにイメージシフトがアライメン
ト性能を劣化させていた。そのためにコンタクト後、所
要のアライメント精度内に入っていなければ、再びアラ
イメントとコンタクトをやり直し、所要の精度に入るま
でこれを繰り返さなくてはならなかった。しかし、木刀
式ケ用いれば、イメージシフトの低減が期待−（゛きる
ため、本来、マスク・ウェハーＯタメージという観点か
ら光れば有書なコンタクト動作の回数ｔａらすことがで
きる。そしてこれは歩留妙の向上九つながる。また余分
なコンタクト回数が減った分だけサイクルタイムが蝮く
なりスループットは向上する。Conventionally, as explained above, image shift degraded alignment performance. Therefore, if the alignment accuracy is not within the required accuracy after contact, it is necessary to perform alignment and contact again, and repeat this process until the required accuracy is achieved. However, if a wooden sword is used, it is expected that the image shift will be reduced. Therefore, from the viewpoint of mask/wafer O-image, it is possible to reduce the number of contact operations. This leads to an improvement in yield quality.Also, by reducing the number of unnecessary contacts, the cycle time decreases and throughput improves.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明の第ｌ実施例を示す図。 ＠３図は本発明の第２実施例を示す図。 第４図は本発明の第３実施例を示す図。 第５図は本発明の第４喪施例を示す図。 第６図は本発明のＩＩ５実施例を示す図。 ＠７１１ＩＪは本発明のＩＩ６実施例を示す図。 第８図は本発明の装置のマスク・ウェハー密着開始時を
示す図である。 図中、 ４はマスク、６はウェハー。９はマスク・ウェハー１ｌ
Ｊ１に作られる真空室。１０は圧力センサー、１１はサ
ーボ駆動可能なパルプ、１２は１１なるパルプを動作さ
せるためのドライブ系。１３はガス供給源、１４は真空
供給源、１７，１８゜１９社真空圧立上け１１１１１１
．２０は絞り、２１は電磁パルプ、２３は絞り。２５は
ステップモーター。２６は絞り。２９はカム、３２Ｆｉ
ガス流賃センナ−及びサーボ機能を内蔵したコントロー
ルパルプ、３３は３２なるパルプをコントロールするた
めの制御系。３４はガス流ｔ　ｔ−１１１Ｊ　ＩＱＩす
るための機構、３５は３４なる機ｍ全コントロールする
次めの制御系。３６はコンバム。３７はマスクとウェハ
ーの密着領域である。 出願人　　キャノン株式会社FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention. @3 Figure is a diagram showing a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram showing a third embodiment of the present invention. FIG. 5 is a diagram showing a fourth embodiment of the present invention. FIG. 6 is a diagram showing a II5 embodiment of the present invention. @711IJ is a diagram showing the II6 embodiment of the present invention. FIG. 8 is a diagram showing the start of mask-wafer contact in the apparatus of the present invention. In the figure, 4 is a mask and 6 is a wafer. 9 is mask wafer 1l
Vacuum chamber built in J1. 10 is a pressure sensor, 11 is a servo-driven pulp, and 12 is a drive system for operating the pulp 11. 13 is a gas supply source, 14 is a vacuum supply source, 17, 18° 19 company vacuum pressure startup 111111
．． 20 is a squeezer, 21 is an electromagnetic pulp, and 23 is a squeezer. 25 is a step motor. 26 is the aperture. 29 is cam, 32Fi
Control pulp with built-in gas flow rate sensor and servo function, 33 is a control system for controlling pulp 32. 34 is a mechanism for controlling the gas flow tt-111J IQI, and 35 is the next control system that controls all of the machines 34. 36 is Combum. Reference numeral 37 denotes a contact area between the mask and the wafer. Applicant Canon Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）　　マスクとウエノ・−との間會除々に抜気する
ことによってマスク向とウエノ・−面を密着させ、この
密層状症でマスクツ（ターンをウエノ・ー上に転写する
ことを特徴とする露光装置。(1) The mask surface and the Ueno surface are brought into close contact by gradually venting the air between the mask and the Ueno surface, and this dense layered pattern is used to transfer the mask (turn) onto the Ueno surface. exposure equipment.