JPS5811594B2 - 放射線検出素線及び放射線検出装置 - Google Patents
放射線検出素線及び放射線検出装置Info
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- JPS5811594B2 JPS5811594B2 JP52078279A JP7827977A JPS5811594B2 JP S5811594 B2 JPS5811594 B2 JP S5811594B2 JP 52078279 A JP52078279 A JP 52078279A JP 7827977 A JP7827977 A JP 7827977A JP S5811594 B2 JPS5811594 B2 JP S5811594B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規な型式の放射線検出素線及び放射線検出
装置に関するものである。
装置に関するものである。
近年、原子力発電を始めとする原子力エネルギの利用が
盛んになるにつれて、局地的な放射線強度の測定器のみ
でなく、発電所や工場全体というような広域に亘る汚染
などによる放射線強度を測定し得る測定器の必要性が高
まりつつある。
盛んになるにつれて、局地的な放射線強度の測定器のみ
でなく、発電所や工場全体というような広域に亘る汚染
などによる放射線強度を測定し得る測定器の必要性が高
まりつつある。
しかし、このような目的には、従来用いられてきた放射
線測定器では数多くの測定器を配置する以外に方法がな
く、莫大な経費を必要とせざるを得なかった。
線測定器では数多くの測定器を配置する以外に方法がな
く、莫大な経費を必要とせざるを得なかった。
本発明は、かかる必要性に応え、光を遠方に伝送し広域
に亘る放射線の検出を安価に実施し得る放射線検出素線
及び放射線検出装置を提供することを目的とするもので
ある。
に亘る放射線の検出を安価に実施し得る放射線検出素線
及び放射線検出装置を提供することを目的とするもので
ある。
この目的を達成するだめの特定発明の要旨は、n2なる
屈折率を有する光伝送コアとその上層のn3々る屈折率
を有するシースとの間に、放射線が照射されると発光し
n4なる屈折率を有する透明シンチレータ物質層を介在
させ、これら屈折率同志の間にn3>n2>n4なる関
係を与えると共に、シースの外層に遮光層を設けたこと
を特徴とする放射線検出素線である。
屈折率を有する光伝送コアとその上層のn3々る屈折率
を有するシースとの間に、放射線が照射されると発光し
n4なる屈折率を有する透明シンチレータ物質層を介在
させ、これら屈折率同志の間にn3>n2>n4なる関
係を与えると共に、シースの外層に遮光層を設けたこと
を特徴とする放射線検出素線である。
また、前記特定発明に関連する本発明の要旨は、n2な
る屈折率を有する光伝送コアとその上層のn3なる屈折
率を有するシースとの間に、放射線が照射されると発光
しn4なる屈折率を有する透明シンチレータ物質層を介
在させ、これら屈折率同志の間にn3>n2>n4なる
関係を与えると共に、シースの外層に遮光層を設けた放
射線検出素線を被検出個所に配置し、この検出素線の少
なくとも一方の端面から射出される光を検知する検知装
置を設けたことを特徴とする放射線検出装置である。
る屈折率を有する光伝送コアとその上層のn3なる屈折
率を有するシースとの間に、放射線が照射されると発光
しn4なる屈折率を有する透明シンチレータ物質層を介
在させ、これら屈折率同志の間にn3>n2>n4なる
関係を与えると共に、シースの外層に遮光層を設けた放
射線検出素線を被検出個所に配置し、この検出素線の少
なくとも一方の端面から射出される光を検知する検知装
置を設けたことを特徴とする放射線検出装置である。
以下に図示の実施例に基づいて本発明の詳細な説明する
。
。
第1図において、1は細条状放射線検出素線であり、そ
の中心に光に対する屈折率がn2なる極めて透明な物質
、例えば溶融石英からなる光伝送コア2を有し、その外
側には屈折率がn3で放射線が照射されると発光するシ
ンチレータを含有する透明なシンチレータ物質層3を被
覆し、さらにその外側には屈折率n4の透明なシース4
を被覆し、さらに最外側及び左端面には光を遮光するた
めの遮光層5を施したものである。
の中心に光に対する屈折率がn2なる極めて透明な物質
、例えば溶融石英からなる光伝送コア2を有し、その外
側には屈折率がn3で放射線が照射されると発光するシ
ンチレータを含有する透明なシンチレータ物質層3を被
覆し、さらにその外側には屈折率n4の透明なシース4
を被覆し、さらに最外側及び左端面には光を遮光するた
めの遮光層5を施したものである。
コア2、シンチレータ物質層3及びシース4の屈折率n
2、n3、n4の間には、 n3>n2>n4・・・・・・(1) なる関係がなりたつように材料を選択する必要がある。
2、n3、n4の間には、 n3>n2>n4・・・・・・(1) なる関係がなりたつように材料を選択する必要がある。
この理由については後述するが、シンチレータ物質層3
内で発生した光が外側のシース4により全反射しながら
、この検出素線1内を伝播するために、光を遠方に伝送
するためにこの条件は必要なものである。
内で発生した光が外側のシース4により全反射しながら
、この検出素線1内を伝播するために、光を遠方に伝送
するためにこの条件は必要なものである。
また、コア2の半径rはシンチレータ物質層3の厚さδ
よりもはるかに大きく造られており、例えばrを0.3
mmとし、δは0.1mm以下である。
よりもはるかに大きく造られており、例えばrを0.3
mmとし、δは0.1mm以下である。
このような検出素線1に放射線Rが入射すると、放射線
Rは遮光層5及びシース4を透過してシンチレータ物質
層3に入射する。
Rは遮光層5及びシース4を透過してシンチレータ物質
層3に入射する。
するとシンチレータ物質層3内の点Pでシンチレータ現
象が生じ光が発生される。
象が生じ光が発生される。
この光は点Pから四方に放射されるが、この光の内のか
なりの部分がシンチレータ物質層3とシース4との間の
境界で全反射され、第1図aにおいて矢印で示すように
、全反射を繰り返しながら右方へ伝送され、右端の遮光
層5のない端面1aから外部へ射出されることになる。
なりの部分がシンチレータ物質層3とシース4との間の
境界で全反射され、第1図aにおいて矢印で示すように
、全反射を繰り返しながら右方へ伝送され、右端の遮光
層5のない端面1aから外部へ射出されることになる。
第2図は放射線検出装置の一実施例の構成を示す線図で
あり、上述した放射線検出素線1を被検出個所に配線す
る。
あり、上述した放射線検出素線1を被検出個所に配線す
る。
この検出素線1の任意の個所に放射線Rが入射すると上
述したように検出素線1の遮光層5の施していない右端
1aからシンチレータ現象によって発生された光が放出
される。
述したように検出素線1の遮光層5の施していない右端
1aからシンチレータ現象によって発生された光が放出
される。
検出素線1の右端1aは、暗箱6内に配置された2個の
ホトマルチプライヤ7a、7b、2個の増幅器8a、8
b、アンドゲート9及びパルス計数器(又は計数率計)
10を具える検知装置10の暗箱6内に突出させる。
ホトマルチプライヤ7a、7b、2個の増幅器8a、8
b、アンドゲート9及びパルス計数器(又は計数率計)
10を具える検知装置10の暗箱6内に突出させる。
従って検出素線1の右端1aから放射される光は2個の
ホトマルチプライヤ7a、7bに入射し、これらホトマ
ルチプライヤから出力パルスが発生される。
ホトマルチプライヤ7a、7bに入射し、これらホトマ
ルチプライヤから出力パルスが発生される。
これらの出力パルスをそれぞれ増幅器8a、8bで増幅
した後アンドゲート9に加える。
した後アンドゲート9に加える。
ホトマルチプライヤ7a、7bの出力パルスは同時に発
生するが、ホトマルチプライヤのそれぞれから出る熱電
子ノイズ(光入力のないときに生ずる出力)は同時に発
生することは殆どないので、アンドゲート9で阻止され
ることになる。
生するが、ホトマルチプライヤのそれぞれから出る熱電
子ノイズ(光入力のないときに生ずる出力)は同時に発
生することは殆どないので、アンドゲート9で阻止され
ることになる。
従って放射線Rによる出力パルスは、アンドゲート9を
通過し、パルス計数器10に加えられ、その出力により
放射線Rが検出される。
通過し、パルス計数器10に加えられ、その出力により
放射線Rが検出される。
一般にシンチレータ物質は、発光波長よりも短波長側に
光の吸収帯を有しているが、吸収帯の長波長側は発光帯
の短波長側と重なっており、これが一つの原因となって
検出素線1内を伝送する際に比較的大きな損失が生ずる
ことになる。
光の吸収帯を有しているが、吸収帯の長波長側は発光帯
の短波長側と重なっており、これが一つの原因となって
検出素線1内を伝送する際に比較的大きな損失が生ずる
ことになる。
従って、コア2をもシンチレータ物質で造った検出素線
では、発光した光を遠くまで伝送することができない。
では、発光した光を遠くまで伝送することができない。
このような欠点を除去するために、本発明に係る検出素
線1は、その中心に光伝送損失の極めて少ないコア2、
例えば石英で造ったコアを設け、シンチレータ物質層3
内で発生した光がなるべく減衰することなく、ホトマル
チプライヤ7a、7bまで達するようにしである。
線1は、その中心に光伝送損失の極めて少ないコア2、
例えば石英で造ったコアを設け、シンチレータ物質層3
内で発生した光がなるべく減衰することなく、ホトマル
チプライヤ7a、7bまで達するようにしである。
今、シンチレータ物質層3内で発生した光が検出素線1
を出るまでにシンチレータ物質層3内を通過する距離1
3とし、コア2内を透過する距離12とし、それぞれの
物質での光の減衰率をそれぞれα3、α2とすると、発
光した光Ipの内、出力端に出てくる光の量I0は、 I0=■p・e−(α313+α212)・・・(2)
となる。
を出るまでにシンチレータ物質層3内を通過する距離1
3とし、コア2内を透過する距離12とし、それぞれの
物質での光の減衰率をそれぞれα3、α2とすると、発
光した光Ipの内、出力端に出てくる光の量I0は、 I0=■p・e−(α313+α212)・・・(2)
となる。
コア2を石英とし、シンチレータをプラスチックシンチ
レータなどとすれば、α2<<α3となるから、できる
だけ多くの光を出力させるためには、 12>>13・・・・・・(3) であることが好ましい。
レータなどとすれば、α2<<α3となるから、できる
だけ多くの光を出力させるためには、 12>>13・・・・・・(3) であることが好ましい。
そこで、コア2の屈折率n2をシンチレータ物質層3の
屈折率n3よりもやや小さくすると、第3図に示すよう
に光が屈折するようになるため、コア2内を伝送する長
さ12が長くなる。
屈折率n3よりもやや小さくすると、第3図に示すよう
に光が屈折するようになるため、コア2内を伝送する長
さ12が長くなる。
しかしながら、コア2の屈折率n2をシース4の屈折率
n4よりも小さくすると、シンチレータ物質層3とシー
ス4との間の境界で全反射が行なえなくなるので、n2
、n3、n4の間には、 n4<n2<n3・・・・・・(4) なる条件が満足されるようにするのが最も好ましい。
n4よりも小さくすると、シンチレータ物質層3とシー
ス4との間の境界で全反射が行なえなくなるので、n2
、n3、n4の間には、 n4<n2<n3・・・・・・(4) なる条件が満足されるようにするのが最も好ましい。
このような(4)式で示す条件を満たすためのそれぞれ
の材料の組合せには植種のものがあるが、1例を挙げる
とコア2に溶融石英又はガラスを用い、シンチレータ物
質層3にはガラスシンチレータ又はプラスチックシンチ
レータを用い、シース4としてはシリコンゴム又はアク
リル等のプラスチックスを用いることができる。
の材料の組合せには植種のものがあるが、1例を挙げる
とコア2に溶融石英又はガラスを用い、シンチレータ物
質層3にはガラスシンチレータ又はプラスチックシンチ
レータを用い、シース4としてはシリコンゴム又はアク
リル等のプラスチックスを用いることができる。
本発明によれば、上述したように検出素線1は、検出能
力を具えかつ伝送能力をも有し、その内部の光損失が極
めて少ないので、その長さを数10〜数100mにして
も、その任意の個所に照射された放射線を正確に検出す
ることができる。
力を具えかつ伝送能力をも有し、その内部の光損失が極
めて少ないので、その長さを数10〜数100mにして
も、その任意の個所に照射された放射線を正確に検出す
ることができる。
従つて広域に亘る放射線の検出を数少ない測定器で行な
うことができるので極めて経済的である。
うことができるので極めて経済的である。
例えば第4図に示すように、n本の検出素線1−1.1
−2、・・・・・・、1−nを任意の配置に設置し、こ
れらを一括して1個の検知装置11に入力させると、い
ずれか1本の検出素線1のどの個所かに放射線が入射す
れば、検出することができるので、極めて広い範囲に亘
って放射線をモニタすることが可能となる。
−2、・・・・・・、1−nを任意の配置に設置し、こ
れらを一括して1個の検知装置11に入力させると、い
ずれか1本の検出素線1のどの個所かに放射線が入射す
れば、検出することができるので、極めて広い範囲に亘
って放射線をモニタすることが可能となる。
しかしこのような広域放射線モニタは、放射線物質の漏
洩を検出する目的で用いられるものであるから、放射線
が入射した個所の位置を検出する必要がある。
洩を検出する目的で用いられるものであるから、放射線
が入射した個所の位置を検出する必要がある。
このような目的を達成するためには、まずn本の検出素
線を全て一括して検知装置11に入力させておき、いず
れかの検出素線から光出力があったことが確認されたと
きに、これらn本の検出素線の光出力をシャッタ機構な
どにより1本づつ入力させるように切換え、どの検出素
線から光出力が出ているかをチェックすればよい。
線を全て一括して検知装置11に入力させておき、いず
れかの検出素線から光出力があったことが確認されたと
きに、これらn本の検出素線の光出力をシャッタ機構な
どにより1本づつ入力させるように切換え、どの検出素
線から光出力が出ているかをチェックすればよい。
しかしながら、これだけではまだある特定の検出素線の
いずれかの個所に放射線が入力していることが判るだけ
であるから、その特定の検出素線のどの個所に放射線が
入射しているかを知る必要もある。
いずれかの個所に放射線が入力していることが判るだけ
であるから、その特定の検出素線のどの個所に放射線が
入射しているかを知る必要もある。
そのような場合には、第5図に示すように、第4図に示
した装置を2組用い、一方の組の検出素線1x−1,1
x−2、・・・・・・、1x−nをX方向に配列し、他
方の組の検出素線1y−1゜1y−2、・・・・・・、
1y−mをこれと直交するY方向に配列してマトリック
ス状に構成し、X方向の検出素線及びY方向の検出素線
をそれぞれ一括してX方向の検知装置11x及びY方向
の検知装置11yに入力させればよい。
した装置を2組用い、一方の組の検出素線1x−1,1
x−2、・・・・・・、1x−nをX方向に配列し、他
方の組の検出素線1y−1゜1y−2、・・・・・・、
1y−mをこれと直交するY方向に配列してマトリック
ス状に構成し、X方向の検出素線及びY方向の検出素線
をそれぞれ一括してX方向の検知装置11x及びY方向
の検知装置11yに入力させればよい。
このような構成によれば、僅か2個の検知装置とn+m
本の検出素線のみで、極めて広域に亘る放射線モニタシ
ステムを得ることができ、しかも放射線入射位置を正確
に特定することが可能となる。
本の検出素線のみで、極めて広域に亘る放射線モニタシ
ステムを得ることができ、しかも放射線入射位置を正確
に特定することが可能となる。
第6図は本発明の放射線検出装置のさらに他の実施例を
示し、1本の検出素線11を閉ループとし、その両端面
11A及び11Bから光を射出させるようにし、これら
両端面を一対の暗箱6A、6B内に突出させ、第2図に
ついて述べたように、それぞれの光出力を一対のホトマ
ルチプライヤ7a−A、7b−A、7a−B、7b−B
、一対の増幅器8a−A、8b−A、8a−B、8b−
B、1個のアンドゲート9A、9B、1個のパルス計数
器10A、10Bにより検出する。
示し、1本の検出素線11を閉ループとし、その両端面
11A及び11Bから光を射出させるようにし、これら
両端面を一対の暗箱6A、6B内に突出させ、第2図に
ついて述べたように、それぞれの光出力を一対のホトマ
ルチプライヤ7a−A、7b−A、7a−B、7b−B
、一対の増幅器8a−A、8b−A、8a−B、8b−
B、1個のアンドゲート9A、9B、1個のパルス計数
器10A、10Bにより検出する。
このように構成すると、検出素線11上の点Pに放射線
Rが入射すると、点Pから一端11Aに光が達する時間
Taと、他端11Bに光が達する時間Tbの間に差が生
ずる。
Rが入射すると、点Pから一端11Aに光が達する時間
Taと、他端11Bに光が達する時間Tbの間に差が生
ずる。
光が検出素線11中を伝播する速さは、真空中を直進す
る速さのほぼ1/2程度であるから、光が検出素線11
中を150m伝播する時間はほぼ1μs程度である。
る速さのほぼ1/2程度であるから、光が検出素線11
中を150m伝播する時間はほぼ1μs程度である。
現在のパルス技術では10ns程度の精度パルスの時間
ずれを測定できるので、約1.5mの精度で放射線の入
射位置を特定することが可能である。
ずれを測定できるので、約1.5mの精度で放射線の入
射位置を特定することが可能である。
即ち、検出素線11中の光の速さをcとすると、検出素
線11の端面11A、11 B間の中央点を原点として
点Pの位置は、c・(Ta−Tb)/2で与えられるこ
とになる。
線11の端面11A、11 B間の中央点を原点として
点Pの位置は、c・(Ta−Tb)/2で与えられるこ
とになる。
このような計算を行って放射線Rの入射点Pを算出する
ために、アンドゲート9A、9Bの出力パルスを時間差
測定回路12に供給するようにする。
ために、アンドゲート9A、9Bの出力パルスを時間差
測定回路12に供給するようにする。
本発明に係る検出素線は特に透過力の小さな放射線例え
ばα線、β線、加速荷電粒子(電子、陽子2重陽子、ソ
中間子等)の荷電粒子の検出に適している。
ばα線、β線、加速荷電粒子(電子、陽子2重陽子、ソ
中間子等)の荷電粒子の検出に適している。
その理由はシンチレータ物質層3の厚さδが薄いため透
過力の大きなγ線などの場合、シンチレータ物質層3内
での発光量が少なくなるからである。
過力の大きなγ線などの場合、シンチレータ物質層3内
での発光量が少なくなるからである。
このように透過力の大きなγ線や中性子線などの放射線
に対しては、第7図に示すように、第1図に示した検出
素線1の外側又はシース4の外側にγ線や中性子線など
の放射線の入射によってβ線やα線などの荷電粒子を放
出する変換層13を被覆すればよい。
に対しては、第7図に示すように、第1図に示した検出
素線1の外側又はシース4の外側にγ線や中性子線など
の放射線の入射によってβ線やα線などの荷電粒子を放
出する変換層13を被覆すればよい。
なお、放出されたβ線やα線は透過力が弱く変換層13
の物質によっても著しく減衰される虞れもあるので、変
換層13の内部に複数本の検出素線1を埋込むことによ
り検出効率を向上させることができる。
の物質によっても著しく減衰される虞れもあるので、変
換層13の内部に複数本の検出素線1を埋込むことによ
り検出効率を向上させることができる。
このような変換物質としては、まず、低エネルギーX線
、γ線では測定エネルギーに対応した吸収端のある物質
を用いるのがよく、高エネルギーになるに従い、密度が
高く原子番号の大きな物質を用いればよい。
、γ線では測定エネルギーに対応した吸収端のある物質
を用いるのがよく、高エネルギーになるに従い、密度が
高く原子番号の大きな物質を用いればよい。
さらに中性子では、中性子核反応により荷電粒子が生ず
るものが使用できる。
るものが使用できる。
例えば、(n、α)、(n、P)、(n、r)、(n、
fission)などの反応を利用するもので、B10
(n、α)、He3ガスを吸着封入させたもの(n、p
)、Hlを含むポリエチレン等のプラスチック(n、p
)、Cd114(n、γ)、Au197(n、γ) U
23590%濃縮のU3O8で2.0mg/cm2で被
覆(n、F)したものなどが挙げられ、これらのもの自
身、化合物或いは混合物という形態で用いるとともに光
学的条件を満たす状態で使用する。
fission)などの反応を利用するもので、B10
(n、α)、He3ガスを吸着封入させたもの(n、p
)、Hlを含むポリエチレン等のプラスチック(n、p
)、Cd114(n、γ)、Au197(n、γ) U
23590%濃縮のU3O8で2.0mg/cm2で被
覆(n、F)したものなどが挙げられ、これらのもの自
身、化合物或いは混合物という形態で用いるとともに光
学的条件を満たす状態で使用する。
本発明は上述した例にのみ限定されるものではなく、幾
多の変形を加えることができる。
多の変形を加えることができる。
例えば第1図に示す検出素線1において左端面を遮光す
る代りに光を反射する金属薄膜を施すこともでき、この
ようにすると点Pで発生された光の内、左方へ進むもの
も左端で反射され右端1Aから射出するのでさらに効率
を高めることができる。
る代りに光を反射する金属薄膜を施すこともでき、この
ようにすると点Pで発生された光の内、左方へ進むもの
も左端で反射され右端1Aから射出するのでさらに効率
を高めることができる。
また、検出素線1の配置についても用途、検出すべき場
所に応じて、種種に変更し得ることは勿論である。
所に応じて、種種に変更し得ることは勿論である。
さらに検知装置11も上述した例だけに限られるもので
なく種種の構成を用いることができる。
なく種種の構成を用いることができる。
第1図は放射線検出素線を示しaは縦断面図、bは横断
面図、第2図はこの放射線検出素線を用いた放射線検出
装置の構成図、第3図は検出素線中の光の進行を示す説
明図、第4図は複数本の検出素線を用いた放射線検出装
置の構成図、第5図は多数の検出素線をXY方向にマト
リックス状に配列した放射線検出装置の構成図、第6図
は閉ループとした検出素線を用いた放射線検出装置の構
成図、第7図は変換層を設けた検出素線の縦断面図であ
る。 符号1.11は検出素線、2はコア、3はシンチレータ
物質層、4はシース、5は遮光層、7a、7bはホトマ
ルチプライヤ、9はアンドゲート、10はパルス計数器
、11は検知装置、13は変換層である。
面図、第2図はこの放射線検出素線を用いた放射線検出
装置の構成図、第3図は検出素線中の光の進行を示す説
明図、第4図は複数本の検出素線を用いた放射線検出装
置の構成図、第5図は多数の検出素線をXY方向にマト
リックス状に配列した放射線検出装置の構成図、第6図
は閉ループとした検出素線を用いた放射線検出装置の構
成図、第7図は変換層を設けた検出素線の縦断面図であ
る。 符号1.11は検出素線、2はコア、3はシンチレータ
物質層、4はシース、5は遮光層、7a、7bはホトマ
ルチプライヤ、9はアンドゲート、10はパルス計数器
、11は検知装置、13は変換層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 n2なる屈折率を有する光伝送コアとその上層のn
3なる屈折率を有するシースとの間に、放射線が照射さ
れると発光しn4なる屈折率を有する透明シンチレータ
物質層を介在させ、これら屈折率同志の間にn3>n2
>n4なる関係を与えると共に、シースの外層に遮光層
を設けたことを特徴とする放射線検出素線。 2 シースの外側にX線、γ線、中性子線などの放射線
を荷電粒子に変換する変換層を設けるようにした特許請
求の範囲第1項に記載の放射線検出素線。 3 n2なる屈折率を有する光伝送コアとその上層のn
3なる屈折率を有するシースとの間に、放射線が照射さ
れると発光しn4なる屈折率を有する透明シンチレータ
物質層を介在させ、これら屈折率同志の間にn3>n2
>n4なる関係を与えると共に、シースの外層に遮光層
を設けた放射線検出素線を被検出個所に配置し、この検
出素線の少なくとも一方の端面から射出される光を検知
する検知装置を設けたことを特徴とする放射線検出装置
。 4 多数本の検出素線と1個の検出装置を用いて、切換
機構により何れの検出素線に放射線が照射されたかを知
り得るようにした特許請求の範囲第3項に記載の放射線
検出装置。 52組の放射線検出装置を用い、異なる組みの検出素線
同志が交叉するように検出素線をマトリックス状に配置
し、何れの個所において放射線が照射されたかを知り得
るようにした特許請求の範囲第4項に記載の放射線検出
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52078279A JPS5811594B2 (ja) | 1977-06-30 | 1977-06-30 | 放射線検出素線及び放射線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52078279A JPS5811594B2 (ja) | 1977-06-30 | 1977-06-30 | 放射線検出素線及び放射線検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5412882A JPS5412882A (en) | 1979-01-30 |
JPS5811594B2 true JPS5811594B2 (ja) | 1983-03-03 |
Family
ID=13657519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52078279A Expired JPS5811594B2 (ja) | 1977-06-30 | 1977-06-30 | 放射線検出素線及び放射線検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5811594B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5946878A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-16 | Toshiba Corp | 放射線計測素子 |
JPS60159675A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Shimadzu Corp | 放射線検出器 |
JP2731176B2 (ja) * | 1988-09-28 | 1998-03-25 | オリンパス光学工業株式会社 | 放射線検出内視鏡 |
JP2568439B2 (ja) * | 1989-04-10 | 1997-01-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | オートラジオグラフィ装置 |
JP2851319B2 (ja) * | 1989-09-22 | 1999-01-27 | 三菱重工業株式会社 | 放射線計測装置の放射線検出部 |
JPH0424582A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-28 | Toshiba Corp | 放射線測定装置 |
JP3715546B2 (ja) * | 2001-03-16 | 2005-11-09 | 株式会社ワイヤードジャパン | 光ファイバ及び光ファイバケーブル |
JP2007114145A (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 形状可変型放射線検出器 |
US9557425B2 (en) | 2012-05-31 | 2017-01-31 | Kuraray Co., Ltd. | Cable and radiation measurement apparatus |
JP6823526B2 (ja) * | 2017-04-14 | 2021-02-03 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | 放射線検出器および放射線の測定方法 |
-
1977
- 1977-06-30 JP JP52078279A patent/JPS5811594B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5412882A (en) | 1979-01-30 |
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