JPS58111285A - 2つの電極とスパ−ク間隙とを有するデバイスの製作方法 - Google Patents

2つの電極とスパ−ク間隙とを有するデバイスの製作方法

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JPS58111285A
JPS58111285A JP57223110A JP22311082A JPS58111285A JP S58111285 A JPS58111285 A JP S58111285A JP 57223110 A JP57223110 A JP 57223110A JP 22311082 A JP22311082 A JP 22311082A JP S58111285 A JPS58111285 A JP S58111285A
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electrode
series
electrodes
coupled
resistor
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JP57223110A
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レイア−ド・ケネス・セメル・ハ−ズ
ラリ−・ヘンリ−・ヘリング
ヨシナオ・ナカダ
ポ−ル・ザツク
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Western Electric Co Inc
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01TSPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T1/00Details of spark gaps
    • H01T1/24Selection of materials for electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01TSPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T21/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of spark gaps or sparking plugs

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明の背景 本発明は、電極表面被覆、具体的には電極に対して著る
しく密着性のよい被覆方法に係る。
サージリミッタは、たとえば、雷衝撃のような各種の原
因が生じる高電圧サージから、装置を保護するために、
長年用いられてきた。
デバイスは基本的にはスパーク間隙を間に有する一対の
電極から成る。保護装置と平行に結合されたデバイスは
、装置の通常の動作中非導電性である。しかし、十分な
大きさの電圧サージが電極に現われたとき、間隙間にス
パークが生じ、サージは保護装置から分枝される。封入
気体サージリミッタにおいては、電極は不活性ガスに沿
ったハーメチックシールされた容器中に置かれる。間隙
領域中の気体がスパークを生ずるほど十分イオン化した
とき、デバイスは発火する。
そのようなデバイスにおいては、電極の表面上のグラフ
ァイト被膜は、電極からの電子放射を増加させ、それに
より間隙中のプラズマ放電の形成を増進することによっ
て、デバイスの動作特性を改善させることが認識されて
いる。しかし、そのような被膜に付随した一つの問題は
、デバイスの数回の放電の後、表面上に炭素フィラメン
トが形成され、それは漏れ電流を生じ、著るしい場合に
は回路の短絡を起す。
この問題は、電極表面に対する電極被膜の密着性をより
強固にすることにより避けることができる。
本発明の要約 これは電極の表面上に被膜を最初に堆積させるプロセス
において実現される。次に、短時間の数周期間、アーク
モードで導通を起させるように、電極に信号が印加され
、それによシ該周期のそれぞれの間、被膜の異なる部分
が電極に固着される。
本発明の詳細な説明 第1図は、封入気体サージリミッタを示す。
デバイスは間に狭いスパーク間隙を規定する2個の電極
(11)および(12)を含む。
電極はフランジ(14)および(15)に接着され、フ
ランジは絶縁性容器(13)の相対する側に接着された
。また、端子(16)および(17)が7ランジに接着
され、電極に電気的に結合される。容器にはアルゴンガ
スが満たされ、電極、7ランジ、端子および絶縁性容器
間のすべての接着部が、溶融金属(18)を用いてハー
メチックシールされる。
均一な間隙を実現するために、電極(12)および端子
(17)間にスプリング(20)が含まれた。
この例において、電極は銅で作られ、相互に向いあった
電極表面の一部分上の炭素(グラファイト)被膜(21
)を含んだ。炭素被膜の劣化を防止するため、電極表面
はまた溝(22)を含んだ。(たとえば、イングリッシ
ュらに承認された米国特許第4,0,57,266号を
参照のこと)。絶縁性容器はセラミックで作られ、フラ
ンジは銅で作られ、端子はニッケルメッキした鉄−ニッ
ケル合金から成った。溶融金属は銀−銅共融合金であっ
た。電極(11)および(12)に対し被膜(21)を
固着させるために用いられるプロセスを除き、デバイス
およびその製造法は周知のものである。
本発明の一実施例に従うと、炭素被膜(21)が標準的
なコロイド状グラファイト(アルコールおよび水中のグ
ラファイトの懸濁液)のスプレーにより、最初に堆積さ
せることによって電極表面上に形成された。この例にお
いて、被膜は約6μの厚さであったが、一般的には1.
5−5μmの範囲でよい。次に、デバイスは標準的な製
作技術に従い完全に組立てられた。
組立てに続いて、デバイスには信号が印加され、それに
よシブバイスは短時間の数周期O間、アークモードの導
通状態となった。アークモードの伝導については、第2
図を参照することによシ理解できる。第2図は、電極に
、例えば約200.OV / secの勾配でゆっくり
上昇する電圧が印加されたときの、典型的なデバイスに
ついての電圧−電流曲線を示す。ある時点において、デ
バイスは降伏電圧VB  に到達し、その後デバイスは
降伏電圧以下のかなり一定の電圧において、工、からI
へ”グローモード1で導通する。電流が■2を超えて増
加するとともに、1.−Iδ の間において、デバイス
はアークモードで動作し、その場合、電極間の電圧は、
かなシ一定であるが、はるかに低い値である。この例に
おいて、降伏電圧vBは300 V、グローモード電圧
1voは約180V、アークモード電圧VAは約15V
であった。グローモードの低い方の電流(■、)はマイ
クロアンペアの桁で、アークモードの開始は200ミリ
アンペアにおいてであった。
デバイスがアークモードで動作する各時刻において、到
達する温度はカソード被膜と下の電極表面間に反応を起
し、よシ強い結合を形成するのに十分であることが見出
された。
従って、この機構はリミッタを基本的にグローモードで
駆動し、電極表面から粒子をスパッタさせる標準的な従
来技術のエージングプロセスとは明らかに異なる。(た
とえば、スカドナーに承認された米国特許第3,454
.811号を参照のこと)(本発明に従う方法の間でも
、ある程度のスパッタリングが起るが、これは基本的な
反応ではない)。また、もし、(200μsec以下の
)短い持続時間のパルスを用いると、各点火中に生じる
スパークが電極表面周辺の未反応領域において無秩序に
起シ、各点火中、被膜の異なる部分で本質的に反応を起
させることも発見した。更に、パルスの極性を反転する
と、リミッタ中の他の電極もそのように処理される。従
って、アークモードでデバイスな導通状態にするのに充
分な大きさをもつ多くの短いパルスから成る信号をデバ
イスに印加し、適当な間隔で信号の極性を反転するなら
ば、両電極(11)および(12)の表面上の本質的に
全炭素被膜は電極と強い結合を形成することができる。
説明のため、先に述べたプロセス工程の効果を実現する
2つの異なる回路装置について述べる。第1のものは、
第3図に示されている。この回路において、電流は10
00ボルトRM8の電圧を有する60サイクル/秒の信
号を発生するAC信号源によシ供給された。
信号源はリミッタと直列に結合された抵抗R1およびR
2,を通し、ソケットS(その中に処理されつつあるサ
ージリミッタデバイスが挿入されている)に結合されて
いる。2つの抵抗間および抵抗の1つ(R2)と直列な
放電路中およびソケットに結合されて、コンデンサCが
あった。回路はリミッタに十分な電流を供給する緩和振
動モードで動作するように設計された。そのだめ、各時
刻においてデバイスはアークモードにスイッチする。ま
た、各パルスにおいて異なる部分が確実に反応するよう
十分短いパルスで動作するよう設計された。従って、C
はリミッタ間の電圧が降伏に達するまで電荷を蓄積し、
降伏に達したときCは短時間の間アークモード伝導を起
すのに十分な電流でR2を通しリミッタに放電する。
電流はO、R2およびR2のインダクタンスによシ決る
パルスである。この時間の後、導通が停止し、リミッタ
間の電圧は再び降伏に達し、プロセスがくり返されるま
で増加を始める。リミッタのこの動作は第4図に示され
ており、この図はへC信号の1周期におけるデバイス間
の電圧とデバイスを流れる電流の概略を示す。デバイス
は、各半周期中に何回か点火されていることに注意され
たい。一実施例において、各半周期中、平均17回の点
火が起った。各点火の間、アークモード伝導に達し、ピ
ーク電流は約1.4アンペアで、表面の温度は数千度に
なった。これは各点火中負にバイアスされた電極の異な
る小さな面積において、銅と炭素間の反応を起させるの
に充分である。第2の半周期において、極性が反転した
とき、他方の電極上で反応が起る。
このプロセスは両方の電極表面上の全炭素被膜がこのよ
うに反応するまで、数周期(この例では約20秒)<シ
返された。
第3図の回路を用いると、アークモードの各導通時間は
、1μsec −200μsecの範囲内にあるのが好
ましいが、−400μsecまでの時間が使える。その
時間が短かすぎるとスポットの大きさが電極表面を完全
に反応させるのが困難なほど小さくなシすぎ、もし長す
ぎると、電極が損傷を受ける。この例における各アーク
モード導通間の実際の時間は、主なパルスについて、約
20μsecであった。
各電流パルスの間に、異なる領域が確実に反応するよう
に、各電流パルスはデバイスのターン・オフを確実にす
るために、第4図に示されるように(以下で更に述べる
)、数ボルトの電圧極性反転で終了するのが好ましい。
同じ理由によシ、電流パルスは少なくともミリセカンド
以上離すことが望ましい。少くとも1アンペアのピーク
電流が好ましい。
第3図に示された回路において、R1としては、それぞ
れが直列に結合された1470オームの6個の抵抗から
成る巻線(誘導性)抵抗、R2としては、215オーム
の市販の巻線抵抗、0,1μfの容量を有するコンデン
サが用いられた。巻線抵抗の固有のインダクタンスによ
り、各パルスの終了時におけるターン・オフで、わずか
な電圧極性反転が起る。
コンデンサは、降伏が起ったときリミッタに導かれるエ
ネルギーの量を決定し、R2の値はパルスのピーク電流
を制御することによシ各アークモード導通で反応する面
積の大きさを制御する。R1はコンデンサを充電するの
に必要な時間を決定し、従ってパルスのくシ返し速度を
制御する。
被覆ボンディングプロセスを幾分具なる方式で実施する
別の回路例が第5図に示されている。更にプロセスを改
善するために、被覆は高速の電流スパイク列で行なうべ
きで、スパイクはそれぞれが急速な立上シ端と高振幅を
有する。アークが始まシつつある間(すなわち、放電が
始まって最初の50ナノセカンドの間)きわめて高電流
蜜度が間隙間に生じる。なぜならば、少なくとも最初は
7−りの非常に狭い横方向の広がシがあるからである。
各高密度7−りが始まることによシ、被膜の微少領域が
反応を起す。アークが広がるため所望の表面反応はアー
クの開始中にのみ生じ、従って7−ク開始中の高振幅が
好ましい。更に、電流スパイクはプラズマが完全に消滅
する前に、デバイスが数回点火するように、電流スパイ
クは充分急速であ′漬ことが望ましい。
これによって反応が起るが、それは電気表面に沿って不
規則に発生する。なぜならば、位置は先の放電から残っ
た電荷の移動によって決tシ、表面の条件で決まるので
はないからである。そのような処理によって、電極の少
なくとも平坦部分上で均一な反応が起シ、それらの部分
は電極の重要な部分である。なぜならに、それらはサー
ジ制限電圧の値を決めるからである。
第5図に示される回路において、サージリミッタはSに
よυ表わされている。電流は、1000ボルトRMSの
電圧、6oサイクル/秒の信号を発生するAC信号源(
123)によシ供給された。説明のため、回路の残シは
部分I、Itおよび璽に分割され、それらの基本的機能
については説明のためにのみ述べるが限定するた“めで
はない。
部分1は抵抗(R4,)および(R12)%電源(12
6)とリミッタ(S)の−電極間のインダクタ(L++
)・、リミッタの他方の電極および電源(12B)間の
抵抗(R+a)の直列接続を含む。直列の放電路中にお
いて、抵抗(R,、)および(R,、)の一端に、コン
デンサ(0,、)が結合され、(R,2)  および(
L、、)を含む直列放電路中において、(1’L、、)
および(R,、)の他端に、コンデンサ(0,、)が結
合された。(B11 t Rzs t CB )および
サージリミッタ(8)は緩和発振器として働き、印加さ
れる60サイクルの電圧の半周期間に、所望の数、この
場合的45−60の鋸歯状電圧波を発生する。このこと
は第6図の曲線に示されており、この図はデバイス間の
電圧波形の概略を示す。破線は電源(12,5)によシ
供給される電圧を表わす。この電圧の結果、(0+z)
は抵抗(Rn)及び(R□)とともにその容量による決
まる速度で充電する。リミッタ(8)間の電圧が降伏電
圧VBに達したとき、コンデンサ(C4)は放電する。
リミッタがターンオフしたとき、(0,、)゛は再び充
電し、プロセスがくシ返される。第6図に示されるよう
に、発振周波数は印加電圧とともに変化する。(明確に
するために、すべての降伏が図示されているのではない
)。
1、、)はバイパスコンデンサとして働き、(R,、)
は放電電流を制限し、(I、1.)は(C12)からの
′放電を遅くし、回路の他の部分が発振の各周期に数回
機能するようにする。
この例では、発振周期τは電圧とともに変化するーが8
0ピコ秒よシ大きい。
回路の部分■は、リミッタ(S)を有する直列放電路中
に、コンデンサ(Cu)およびインダクタを含み、二つ
のインダクタ(L□)および(Iz2)間に(CIA)
が結合された。
この部分はSとともに衝撃共握器を形成し、その効果は
、(CI2)が放電中リミッタを数回ターンオンさせる
ことである。事実、回路はデバイスが放電する各時間に
、わずかな電圧極性反転を起す。これは降伏するとき(
CIA)が(1,2)を通しくC4)間の電圧が反転す
るまで放電するためである。この部分の発振は半周期後
デバイスがターンオフし1回路の負荷が(R+a )お
よび(C14)だけ下がるため短時間で終る。しかしく
eta)の充電及び放電は、(C1,)が放電をしてい
る間何回かくり返す。従って、この部分の発振周期は各
周期τにおいて、リミッタを確実に多数回降伏させるた
めに、部分■のそれよシ小さくすべきである。この例に
おいて、(L12)および(,015)の発振周期は1
.38マイクロ秒と計算された。リミッタと他の回路要
素との相互作用によシ、一般に1−20マイクロ秒の範
囲の周期が実際に得られた。
回路の部分音は、リミッタとともに直列放電路中に抵抗
(Ru)およびコンデンサ(C!t*)を含んだ。リミ
ッタの各降伏時に、コンデンサは抵抗を通して、高電流
すなわちこの例では30アンペアを放電した。この部分
の応答時間(コンデンサ(0111)からリミッタにピ
ーク電流が供給されるのに必要な時間)は、アーク開始
中リミッタの間隙間の電流密度が非常に高くなるように
、非常に短いことが必要である。この例において、応答
時間は50ナノ秒以下であった。コンデンサ(On)の
放電時定数は約0.5μsec であったが、所望のリ
ミッタ特性に応じて、0.1マイクロ秒までの時定数が
一般に使用できる必要がある。
矛゛7図″は矛6図に示される緩和発振の1周期中の、
デバイス間の典型的な電圧を詳細に示す。電圧波形はデ
バイス毎に、また使用時間とともに変化するから、この
波形は説明のためにのみ示したことを認識すべきである
リミッタは典型的な場合、各鋸歯状部で数回降伏を起こ
すことがわかるであろう。これは先に述べたように、回
路の部分■および夏の動作によシ起こる。先に述べたよ
うに、各降伏時にわずかな極性反転があることに気づく
であろう。牙7図はまた、例として示した電圧に対応し
て、デバイスを通る典型的な電流スパイクを示す。電流
スパイクはデバイスが降伏を起こす各時刻に起こる。被
膜と電極平坦部の界面全体で均一な反応が起るように、
電流スパイスは少くともアーク開始中、高い振幅をもち
、速い周期で発生させることが、この回路を用いる一つ
の視点である。精密な振幅および周波数は、使用時間と
ともに且つデバイス毎に変化する。一般に、電流スパイ
クの振幅は(R14)によシ限定され、(R14)の値
は所望のリミッタ特性によって決まる。
スパイク振幅は、一般に10−10007ンペアの範囲
にすべきであり、発振周期中の電流スパイクは、間隔を
20μsec以下とすべきである。
この例において、以下の回路パラメータを用いた。(固
有の寄生インダクタンスを括弧の中に含めた)。
札、=  4にΩ(203μH) R,2=  215 0(10μH) 1’L、、=   4にΩ(203μH)R,4=  
10  Ω C,、=  5009F C=  、OSμF 看2 C□=  1000  pl 0.4=  5000 9F L、、=27  μI( L12  =  6.6μH これらの値は説明のために示したのであシ、具体的な用
途に従って変えることができる。
サージリミッタの7−ク開始中(放電開始後50ナノ秒
以内)生じる高電流密度は、炭素被膜をドライブ−イン
させ、良好な結合を作ることが理論的にわかる。更に、
間隙領域に発生したプラズマが消滅するには、数マイク
ロ秒かかる。速い周期のパルスを発生させることによシ
、デバイスが次に放電するまで間隙中にある程度のイオ
ンが残る。(このことは、次の放電がオフ図に示される
ように、より低い電rで起ることから明らかである)。
これらのイオンのある程度は、放電の間に移動し、その
後の放電は電稼全体に広がり、電極表面全体でよシ均一
な反応が起ると信じられる。すなわち、反応は電極表面
全体で不規則に起シ、位置は表面特性には依存しない。
正確な機構はよく理解されていないが、上で述べた仁と
は、得られる結果を説明できる可能性を示すためだけに
示したことを注意すべきである。
上で述べた反応は負に帯電した電極(カソード)におい
てのみ起る。従って、AC電源(126)により極性が
反転すると、両方の電極の処理が可能となる。
第3図および第6図に示された回路のいずれか、あるい
は本発明を実施するのに適した他の回路のいずれ−Qを
用いて、リミッタにパルス信号を供給するのに必要な全
時間は、被膜の視察によシ決められる。なぜならば、反
応した領域は連続したスポットでカバーされるからであ
る。その時間はまた、各デバイスの形毎に、さまざまな
時間使用したそのようなデバイスのグループに対し、降
伏電圧およびサージ制限電圧の分布を見ることによって
実験的に決めることもできる。もし、時間が短かすぎる
と、これらの値に広い変化があシ、もし時間が長すぎる
と、中間のサージ制限電圧が増加する。第5図の回路を
用いると、60サイクルの電流源は、1秒間続く9個の
パルスを発生した。一般に、市販用の生産においては、
リミッタには10秒以下のパルス信号を印加するのが望
ましい。
禾発明について、電極上のグラファイトの被膜を用いて
述べてきたが、他の被膜、たとえばモリブデン、タング
ステン、銅、放射性ガラス被膜など他の被膜も適用でき
る。更に下の電極は銅である必要はなく、”モリブデン
、タングステン及び他の導電体でよい。
また、デバイスが完全に組立てられた後、被膜と電極を
反応させるのが有利であるが、そのようなプロセスは組
立て前に行うこともできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に従って製作される典型的
な封入ガスサージリミッタの断面図、 第2図は、アークモード伝導を示す第1図中のデバイス
の電流−電圧特性の図、 第3図および第5図は、本発明の実施例で用いられる回
路の例を回路記号で示した図、牙4図は、第6図中の回
路から信号が印加される間、電極間にかかる電圧及び電
極を通る電流を示す図、 第6図は、第5図の回路を用いて、電極間に印加する電
圧を示す図、 オフ図は、電極を通って流れる電流を更によく示すため
に、第6図の一部を拡大した図である。 〔主l!部分の符号の説明〕 被   膜 ・−−−−一一−−−−−−−−−−−−
−−−−一一−−−−−−・   212つの電極 −
−−−−−−−−=−−−−−−−−−−−−−−11
,12スパ一ク間隙 −−一一−−−−−−−−−−−
−−−−−一−−−−・  19AC電流源−−−−−
一−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−=   
25抵   抗   ・−一一一一一一一一一一一−−
−−−−−−−m−−−−−・ R1tR1コンデンサ
 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−=−
−−−−−−0第1の手段 −+m+−m##+++−
−+m+x−・ 部分I第2の手段 −+−−−+++
++w+++−+++++−w+m++−部分璽矛3の
手段−−−−一−−−−−−−−−−−−−−−−一−
−−−−−−−−一部分I矛1の抵抗−一一−−−−−
−−−−−−−−−−−一一一−−−−〜−−−−−−
−−R1,1・2の抵抗 −==−”======−=
−==−== R15矛1及び矛2のコンデンサ・−=
===”” cll、 c1□矛3の抵抗−−−−−−
一一−−−−−−−−−−−−−−−−−−一一一一一
一一一・R12矛1のインダクター−−−−−−−−−
−−−−−−−−−一−−−−−−−L、、矛2のイン
ダクター−一−−−−−−−−−−−−−−−−一−−
−−−−−・L12矛3のコンデンサー===−===
======−015矛4の抵抗−==−======
========−gtq矛4のコンデンサー−一一−
−−−−−−−−−−−−〜−=−=−”’ 014n 。 〜                     1FI
G、 5 FIG、 6 時間 ■333976 0発 明 者 ヨシナオ・ナカダ アメリカ合衆国18049ヘンシル ヴアニア・リーハイ・エマウス ・イロクオイス・ストリート64 0発 明 者 ポール・ザック アメリカ合衆国18103ペンシル ヴアニア・リーハイ・アレンタ ラン・サリスバリー・ドライヴ 122

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 電極の一部分上に被膜を堆積する工程から成る2
    つの電極とそれらの間のスパーク間隙とを有するデバイ
    スの製作方法において、電極に信号を印加することによ
    シ時間のいくつかの短い周期間、アークモードの伝導を
    起させ、該周期のそれぞれの間に、被膜の異なる部分が
    電極の1つと結合するようにさせることを特徴とする2
    つの電極とスパーク間隙とを有するデバイスの製作方法
    。 2、特許請求の範囲第1項に記載された方法において、 被膜は炭素から成ることを特徴とする方法。 5、 1¥f許請求の範囲第1項に記載された方法にお
    いて、 電極は銅から成ることを特徴とする方法。 4、特許請求の範囲第1項に記載された方法において、 信号は、AC電流源、電流源および電極と直列に結合さ
    れた複数の抵抗、電極および少くとも1個の該抵抗と直
    列に放電路中に結合されたコンデンサを含む回路により
    印加されることを特徴とする方法。 5、特許請求の範囲第1項に記載された方法において、
    アークモード伝導の周期は1μ5ec−200μsec
    の範囲内にあることを特徴とする方法。 6、特許請求の範囲第1項に記載された方法において、
    極性が交互に変化する信号を電極に印加し、各極性の間
    にアークモード伝導が数回発生するようにさせることを
    特徴とする方法。 2、特許請求の範囲第1項に記載された方法において、
    スパイクの振幅は10−10007ンペ7の範囲にある
    ことを特徴とする特許8、特許請求の範囲第1項に記載
    された方法において、大多数の電流スパイク間の時間間
    隙は、20μsec以下であることを特徴とする方法。 9 特許請求の範囲第1項に記載された方法において、
    パルス信号を印加する全時間は10秒以下であることを
    特徴とする方法。 10、特許請求の範囲第1項に記載された方法において
    、各極性の間、−電極の結合を起させるため、回路は信
    号の極性を周期的に変化させるAC電流源を含むことを
    特徴とする方法。 11、特許請求の範囲第10項に記載された方法におい
    て、 回路はデバイス間に緩和発振波形を発生させるための第
    10手段、緩和発振波形の各周期の終シに、デバイスを
    通る複数の電流スパイクを発生させ、波形がゼロになる
    各時刻に小さな極性反転を起させるための第2の手段お
    よび高振幅の電流スパイクを発生させるための第3の手
    段を含むことを特徴とする方法。 12、特許請求の範囲第11項に記載された方法におい
    て、 第1の手段は、電流源とデバイスの一方の電極間に直列
    に結合された第1の抵抗、電流源とデバイスの他方の電
    極間に直列に結合された第2の抵抗、該抵抗の両方の一
    端に並列に結合された第1および第2のコンデンサ、第
    2のコンデンサおよびデバイスの一方の間の放電路中に
    直列に結合された第3の抵抗および第1のインダクタを
    含むことを特徴とする方法。 13、特許請求の範囲第11項に記載された方法におい
    て、 第2の手段はデバイスの放電路と直列に結合された第2
    のインダクタおよび第3のコンデンサを含むことを特徴
    とする方法。 14、特許請求の範囲第11項に記載された方法におい
    て、 牙5の手段は相互に直列でデバイスの放電路とも直列に
    結合された牙4の抵抗および第4のコンデンサを含むこ
    とを特徴とする方法。
JP57223110A 1981-12-23 1982-12-21 2つの電極とスパ−ク間隙とを有するデバイスの製作方法 Pending JPS58111285A (ja)

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0249796B1 (de) * 1986-06-18 1991-02-27 Siemens Aktiengesellschaft Gasentladungs-Uberspannungsableiter
DE3621254A1 (de) * 1986-06-25 1988-01-07 Siemens Ag Gasentladungsueberspannungsableiter
JPH0414784A (ja) * 1990-05-08 1992-01-20 Masao Iwanaga 放電素子、その製造方法および応用装置
JPH0684579A (ja) * 1991-12-26 1994-03-25 American Teleph & Telegr Co <Att> ガスチューブ保護装置
SE9804538D0 (sv) * 1998-12-23 1998-12-23 Jensen Elektronik Ab Gas discharge tube
JP2009508320A (ja) 2005-09-14 2009-02-26 リッテルフューズ,インコーポレイティド ガス入りサージアレスタ、活性化化合物、点火ストライプ及びその方法
SE532114C2 (sv) 2007-05-22 2009-10-27 Jensen Devices Ab Gasurladdningsrör
US9514917B1 (en) * 2013-08-29 2016-12-06 The Boeing Company Controlled-energy electrical arc systems, methods, and apparatuses
US9341610B1 (en) 2013-08-29 2016-05-17 The Boeing Company Electrical arc trigger systems, methods, and apparatuses

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2525263A (en) * 1950-08-25 1950-10-10 Michel E Macksoud Method of producing highly emissive electrodes
NL90199C (ja) * 1954-12-17
GB828336A (en) * 1956-11-14 1960-02-17 Ass Elect Ind Improvements in and relating to metal surfaces
US3454811A (en) * 1967-04-18 1969-07-08 Bell Telephone Labor Inc Gas tube surge (overload) protection device
US3720499A (en) * 1970-03-06 1973-03-13 Westinghouse Electric Corp Process for producing pyrolytic graphite
GB1468677A (en) * 1973-11-20 1977-03-30 Comtelco Ltd Duplex surge arrestors
US3898533A (en) * 1974-03-11 1975-08-05 Bell Telephone Labor Inc Fail-safe surge protective device
US4037266A (en) * 1975-12-29 1977-07-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Voltage surge protector
US4175277A (en) * 1976-11-08 1979-11-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Voltage surge protector

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