JPS58111244A - カラ−受像管 - Google Patents
カラ−受像管Info
- Publication number
- JPS58111244A JPS58111244A JP20937081A JP20937081A JPS58111244A JP S58111244 A JPS58111244 A JP S58111244A JP 20937081 A JP20937081 A JP 20937081A JP 20937081 A JP20937081 A JP 20937081A JP S58111244 A JPS58111244 A JP S58111244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- deflection magnetic
- deflecting
- deflection
- horizontally
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/70—Arrangements for deflecting ray or beam
- H01J29/701—Systems for correcting deviation or convergence of a plurality of beams by means of magnetic fields at least
- H01J29/707—Arrangements intimately associated with parts of the gun and co-operating with external magnetic excitation devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はインライン配列３電子銃を有するカラー受像管
の、特に偏向磁界制御素子によるビン歪補正量を軽減す
るカラー受像管に関するものである。
の、特に偏向磁界制御素子によるビン歪補正量を軽減す
るカラー受像管に関するものである。
発明の技術的背景と問題点
インライン配列３電子銃を有するカラー受像管では赤、
縁及び青の各専用電子銃による画面上での偏向走査領域
（以下パターンと称す）の歪や一致度が問題となる０画
面水平軸に沿って一列に配列され九インライン配列３電
子銃による電子ビームは外部からの偏向手段即ち、水平
軸に平行な方向の垂直偏向磁界と水平軸に垂直な方向の
水平偏向磁界忙よ抄偏−向走査されるが、中央電子ビー
ムと両サイド電子ビームのパターン歪や一致度が最も重
要である。第１Ｉａは４Ｈｃインツイン配列３電子銃を
収納していゐネック部の断面の各偏向磁界分布を示すも
ので、水平偏向磁界（１）をビｙクツシヲン磁界に垂直
偏向磁界（２）をバレル磁界にすることにより両サイド
電子ビーム関の色ずれを減少させてお妙受像機側のコン
バーゼンス回路が単純化される利点がある。しかし乍ら
２勢の偏向磁界は何れも非斉一磁界分布であプ、中央電
子ビーム（４）Ｋ対する偏向感度が両サイド電子ビーム
（３）及び（５）に対する偏向感度よ）悪くなる欠点を
有している。
縁及び青の各専用電子銃による画面上での偏向走査領域
（以下パターンと称す）の歪や一致度が問題となる０画
面水平軸に沿って一列に配列され九インライン配列３電
子銃による電子ビームは外部からの偏向手段即ち、水平
軸に平行な方向の垂直偏向磁界と水平軸に垂直な方向の
水平偏向磁界忙よ抄偏−向走査されるが、中央電子ビー
ムと両サイド電子ビームのパターン歪や一致度が最も重
要である。第１Ｉａは４Ｈｃインツイン配列３電子銃を
収納していゐネック部の断面の各偏向磁界分布を示すも
ので、水平偏向磁界（１）をビｙクツシヲン磁界に垂直
偏向磁界（２）をバレル磁界にすることにより両サイド
電子ビーム関の色ずれを減少させてお妙受像機側のコン
バーゼンス回路が単純化される利点がある。しかし乍ら
２勢の偏向磁界は何れも非斉一磁界分布であプ、中央電
子ビーム（４）Ｋ対する偏向感度が両サイド電子ビーム
（３）及び（５）に対する偏向感度よ）悪くなる欠点を
有している。
この場合画面上には第２図に示すような両サイド電子ビ
ームによるパターン（６）と中央電子ンー五によるパタ
ーン（７）が得られ、このようｆｋ現象はコマ収差のあ
る状態と見做される。
ームによるパターン（６）と中央電子ンー五によるパタ
ーン（７）が得られ、このようｆｋ現象はコマ収差のあ
る状態と見做される。
これを補正する為に従来は第３図に示すような磁性体か
らなる偏向磁界制御素子を電子銃の電子ビーム放出孔に
１通常は電子銃最先端（蛍光面側）の電極底部に設けて
いる。第３図に於て１両サイド電子ビーム放出孔（２）
及びａ４を取り囲むように設けられた磁性体（８）及び
（９）からなる偏向磁界制御素子は水平及び垂直画偏向
磁界を弱め、中央電子ビーム放出孔付近の垂直偏向磁界
を強めるように働く、一方中央電子ビーム放出孔（２）
の水平軸に対して上下＠に設けられた磁性体ｔｌＩ及び
αυからなる偏向磁界制御素子は中央電子ビーム放出孔
付近の水平偏向磁界を強めるように慟く。この結釆絢す
イド電子ビーム九対する偏向感度が中央電子ビームに対
する偏向感度よシも急くなり、非斉一な偏向磁界による
中央電子ビームの偏向感度の劣化を補正し画面上にはコ
マ収差の少ないパターンが得られる。
らなる偏向磁界制御素子を電子銃の電子ビーム放出孔に
１通常は電子銃最先端（蛍光面側）の電極底部に設けて
いる。第３図に於て１両サイド電子ビーム放出孔（２）
及びａ４を取り囲むように設けられた磁性体（８）及び
（９）からなる偏向磁界制御素子は水平及び垂直画偏向
磁界を弱め、中央電子ビーム放出孔付近の垂直偏向磁界
を強めるように働く、一方中央電子ビーム放出孔（２）
の水平軸に対して上下＠に設けられた磁性体ｔｌＩ及び
αυからなる偏向磁界制御素子は中央電子ビーム放出孔
付近の水平偏向磁界を強めるように慟く。この結釆絢す
イド電子ビーム九対する偏向感度が中央電子ビームに対
する偏向感度よシも急くなり、非斉一な偏向磁界による
中央電子ビームの偏向感度の劣化を補正し画面上にはコ
マ収差の少ないパターンが得られる。
ところで受像機側でコンバーゼンス補正回路を省略しよ
うとしたり、ビンクッション歪補正量を軽減しようとし
て偏向ヨークの楕類や磁界分布を種々変化させ′ると上
記目標を達成することのできる偏向ヨークとカラー受像
管の組み合せに対してコマ収差のパターンは必らずしも
第２図に示すようなパターンではなく第４図のようなパ
ターンとなゐ場合がある。即ち、両ナイド電子ビームに
よるパターン（６）と中央電子ビームによるパターン（
７）が入り組んだ状態となり、このよう表パターンの場
合は第３図のような偏向磁界制御素子ではコマ収差の軽
減に対応することは出来ない。
うとしたり、ビンクッション歪補正量を軽減しようとし
て偏向ヨークの楕類や磁界分布を種々変化させ′ると上
記目標を達成することのできる偏向ヨークとカラー受像
管の組み合せに対してコマ収差のパターンは必らずしも
第２図に示すようなパターンではなく第４図のようなパ
ターンとなゐ場合がある。即ち、両ナイド電子ビームに
よるパターン（６）と中央電子ビームによるパターン（
７）が入り組んだ状態となり、このよう表パターンの場
合は第３図のような偏向磁界制御素子ではコマ収差の軽
減に対応することは出来ない。
発明の目的
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、コマ収差管
実用上許容し得るようＶＣ＠滅したカラー受像管を提供
せんとすることにある。
実用上許容し得るようＶＣ＠滅したカラー受像管を提供
せんとすることにある。
本発明の目的は両サイド電子ビームに対する偏向感度と
中央電子ビームに対する偏向感度が異なるカラー受像管
と偏向冒−りの組み合せに対して両サイド電子ビームと
中央電子ビームに対する偏向感度の差を解消する手段を
提供することｋある。
中央電子ビームに対する偏向感度が異なるカラー受像管
と偏向冒−りの組み合せに対して両サイド電子ビームと
中央電子ビームに対する偏向感度の差を解消する手段を
提供することｋある。
発明の概要
本発明は水平軸に８って一列に配列されたインツイン配
列３電子銃を有し、電子ビームが水平軸に垂直な方向の
水平偏向磁界と、水平軸に平行な方向の垂直偏向磁界に
より偏向走査され、両サイドビーム通過領域を包囲する
ように配設された偏向磁界制御素子を有するカラー受像
管において、偏向磁界制御素子の両サイドビームの各々
の中心を含む水平軸忙垂直々部分に磁気的に高抵抗な部
分を設けるととによって、偏向磁界の実効強度分布を変
化させ両サイド電子ビームに対する偏向磁界強度と中央
電子ビームに対する偏向磁界とを互に異らせて上記目的
を達成するものである。
列３電子銃を有し、電子ビームが水平軸に垂直な方向の
水平偏向磁界と、水平軸に平行な方向の垂直偏向磁界に
より偏向走査され、両サイドビーム通過領域を包囲する
ように配設された偏向磁界制御素子を有するカラー受像
管において、偏向磁界制御素子の両サイドビームの各々
の中心を含む水平軸忙垂直々部分に磁気的に高抵抗な部
分を設けるととによって、偏向磁界の実効強度分布を変
化させ両サイド電子ビームに対する偏向磁界強度と中央
電子ビームに対する偏向磁界とを互に異らせて上記目的
を達成するものである。
発明の実施例
以下に実施例をあけて本発明の詳細な説明する。
第５図は本発明のカラー受像管に適用される偏向磁界制
御素子（６）及び（６）を蛍光面側から見た正面図であ
る。第５図に示す偏向磁界制御素子（ト）及び（至）は
偏向磁界の及ぶ領域、例えばインライン配列３電子銃の
蛍光面側最先端の電極底部に配置されるが、ここでは電
極を含めた全体は省略し要部のみを示しである。第５図
に於て電子ビーム放出孔Ｑａｌ（至）及びα◆は水平軸
線［５って一直線状に配設されている。そして両サイド
ビーム放出孔（ロ）及び（ロ）即ち両サイドビーム通過
領域を包囲すゐように偏向磁界制御素子（至）及び（２
）が設けられている。
御素子（６）及び（６）を蛍光面側から見た正面図であ
る。第５図に示す偏向磁界制御素子（ト）及び（至）は
偏向磁界の及ぶ領域、例えばインライン配列３電子銃の
蛍光面側最先端の電極底部に配置されるが、ここでは電
極を含めた全体は省略し要部のみを示しである。第５図
に於て電子ビーム放出孔Ｑａｌ（至）及びα◆は水平軸
線［５って一直線状に配設されている。そして両サイド
ビーム放出孔（ロ）及び（ロ）即ち両サイドビーム通過
領域を包囲すゐように偏向磁界制御素子（至）及び（２
）が設けられている。
この偏向磁界制御素子（至）及び輔の水平偏向磁界と実
質的に平行であって、両サイドビーム放出孔の各々の中
心を含む水平軸ＫｆｌｌＩ［ｆｋ部分には磁気的に高抵
抗な部分ＱＩ、（６）、＠及び（２）が設けられている
。
質的に平行であって、両サイドビーム放出孔の各々の中
心を含む水平軸ＫｆｌｌＩ［ｆｋ部分には磁気的に高抵
抗な部分ＱＩ、（６）、＠及び（２）が設けられている
。
第５図に示すように偏向磁界制御素子を構成するととＫ
よって、本来中央ビーム放出孔側の中心付近を通るべき
水平偏向磁界の磁束の多くは偏向磁界制御素子員及び＠
によって吸収され、中央ビーム放出孔付近の水平偏向磁
界強度は磁界制御素子がない場合に比べて弱くなる。
よって、本来中央ビーム放出孔側の中心付近を通るべき
水平偏向磁界の磁束の多くは偏向磁界制御素子員及び＠
によって吸収され、中央ビーム放出孔付近の水平偏向磁
界強度は磁界制御素子がない場合に比べて弱くなる。
また本来両サイドビーム放出孔（２）及び（ロ）の近辺
を通るべき水平偏向磁界は偏向磁界制御素子Ｑ７）。
を通るべき水平偏向磁界は偏向磁界制御素子Ｑ７）。
翰、＠及び（２４によって吸収される。
しかし本来両サイドビーム放出孔（至）及び（ロ）の中
心付近を通るべき水平偏向磁界の磁束の一部は磁気的に
高抵抗な部分ｗ、０１１．＠及び−の偏向磁界制御素子
部分を通過し、両サイドビーム孔の中心付近を通ること
になる。
心付近を通るべき水平偏向磁界の磁束の一部は磁気的に
高抵抗な部分ｗ、０１１．＠及び−の偏向磁界制御素子
部分を通過し、両サイドビーム孔の中心付近を通ること
になる。
従って偏向磁界制御素子（至）、 （４０、＠及び（至
）が磁気的に高抵抗である場合の方が両サイドビーム放
出孔付近における磁束は強い。従って偏向磁界制御素子
（２）及び（ト）は結果として中央ビームの水平偏向感
度を弱め１両サイド電子ビームの水平偏向感度を強める
働きをし、第４図に示すようなパターンのコマ収差のう
ち左右のコマ収差を補正することができる。−この場合
の偏向磁界制御素子（至）及び＠による水平偏向磁界強
度の分布特性を第１図に示す、第７図に於て横軸は谷電
子ビーム放出孔（６）。
）が磁気的に高抵抗である場合の方が両サイドビーム放
出孔付近における磁束は強い。従って偏向磁界制御素子
（２）及び（ト）は結果として中央ビームの水平偏向感
度を弱め１両サイド電子ビームの水平偏向感度を強める
働きをし、第４図に示すようなパターンのコマ収差のう
ち左右のコマ収差を補正することができる。−この場合
の偏向磁界制御素子（至）及び＠による水平偏向磁界強
度の分布特性を第１図に示す、第７図に於て横軸は谷電
子ビーム放出孔（６）。
（至）及び（ロ）に対応する中心位置６υ、に）及び−
を夫々示し、縦軸は水平偏向磁界強度（ＢＨ）を示す。
を夫々示し、縦軸は水平偏向磁界強度（ＢＨ）を示す。
偏向磁界制御素子そのものがない場合の水平偏向磁界強
度分布−と、両サイドビームの偏向磁界制御素子が第３
図に示す場合の水平偏向磁界強度分布（２）に対して、
本発明の実施例の場合の水平偏向磁界強度分布竺の差が
明確に示されている。
度分布−と、両サイドビームの偏向磁界制御素子が第３
図に示す場合の水平偏向磁界強度分布（２）に対して、
本発明の実施例の場合の水平偏向磁界強度分布竺の差が
明確に示されている。
館６図は本発明の他の実施例を示すもので、第５図の実
施例に加えて、＃ｊ４Ｉｉ［偏向磁界と実質的和平性で
両サイドビームの水平中心軸に対して中央ビーム放出孔
とは反対側の部分に磁気的に高抵抗な偏向磁界制御素子
部分（２）及び四を設けたものである。
施例に加えて、＃ｊ４Ｉｉ［偏向磁界と実質的和平性で
両サイドビームの水平中心軸に対して中央ビーム放出孔
とは反対側の部分に磁気的に高抵抗な偏向磁界制御素子
部分（２）及び四を設けたものである。
第６図に示すように偏向磁界制御素子を構成することに
よって１本来両サイドビーム放出孔（２）及び（１４１
の中心付近を通るべき垂直偏向磁界の磁束の多くは偏向
磁界制御素子部分（ホ）、＠、＠、（支）、（２）及び
■によって吸収され、両サイドビーム放出孔付近の垂直
偏向磁界の磁束が少くなり、一方中央ビーム放出孔の中
心付近の垂直偏向磁界の磁束は強くなる。従って両サイ
ドビームの垂直偏向感度を弱め、中央電子ビームＯＩＩ
直偏向感度を強める働きをし、第４図に示すようなパタ
ーンのコマ収差のうち上下のコマ収差を補正することが
できる。
よって１本来両サイドビーム放出孔（２）及び（１４１
の中心付近を通るべき垂直偏向磁界の磁束の多くは偏向
磁界制御素子部分（ホ）、＠、＠、（支）、（２）及び
■によって吸収され、両サイドビーム放出孔付近の垂直
偏向磁界の磁束が少くなり、一方中央ビーム放出孔の中
心付近の垂直偏向磁界の磁束は強くなる。従って両サイ
ドビームの垂直偏向感度を弱め、中央電子ビームＯＩＩ
直偏向感度を強める働きをし、第４図に示すようなパタ
ーンのコマ収差のうち上下のコマ収差を補正することが
できる。
この場合の偏向磁界制御素子（至）及び０１によゐ垂直
偏向磁界強度（Ｂｖ）０分布特性を第７図と同様の方式
で第８図に示す、第８図に於て、偏向磁界制御素子その
ものがない場合の垂直偏向磁界強度分布□□□と、偏向
磁界制御素子部分−及び（２）以外の偏向磁界制御素子
部分がない場合の接直偏向磁界強度分布＠に、対して１
本発甲の実施例の場合の垂直偏向磁界強度分布員の差が
明確に示されている。
偏向磁界強度（Ｂｖ）０分布特性を第７図と同様の方式
で第８図に示す、第８図に於て、偏向磁界制御素子その
ものがない場合の垂直偏向磁界強度分布□□□と、偏向
磁界制御素子部分−及び（２）以外の偏向磁界制御素子
部分がない場合の接直偏向磁界強度分布＠に、対して１
本発甲の実施例の場合の垂直偏向磁界強度分布員の差が
明確に示されている。
以上の説明に於て、第５図の実施例では主として左右の
コマ収差の補正について、第６図の実施例では主として
上下のコマ収差の補正の作用について説明したが、基本
的には第６図の実施例の場合の方が第５図の冥施例の場
合よシもより効果的にコマ収差を補正することができる
。
コマ収差の補正について、第６図の実施例では主として
上下のコマ収差の補正の作用について説明したが、基本
的には第６図の実施例の場合の方が第５図の冥施例の場
合よシもより効果的にコマ収差を補正することができる
。
尚、第５図及び第６図に示した偏向磁界制御素子の磁気
的に高抵抗な部分の一部又は全部はギャップで構成され
ていてもよく、また非磁性体で構成されていてもよい、
即ち、この磁気的に高抵抗な部分は用いる偏向ヨークと
カラー受像管の組み合せに応じてその水平及び垂直偏向
磁界強度分布を本発明の主旨に従って適宜選択設計され
るべきであゐ。
的に高抵抗な部分の一部又は全部はギャップで構成され
ていてもよく、また非磁性体で構成されていてもよい、
即ち、この磁気的に高抵抗な部分は用いる偏向ヨークと
カラー受像管の組み合せに応じてその水平及び垂直偏向
磁界強度分布を本発明の主旨に従って適宜選択設計され
るべきであゐ。
発明の効果
以上のように本発明によれば、垂直偏向磁界に対する中
央ビームの偏向感度を両サイドビームの偏向感度より相
対的に増加させ、且つ水平偏向磁界に対する両サイドビ
ームの偏向感度を中央ビームの偏向感度より固相対的に
増加させることＫよって、インライン配列３電子銃を有
するカラー受像管の画面上のパターｙＫ於て１両サイド
電子ビー′五に対する中央電子ビームのパターンが水平
方向に長く垂直方向に短かいコマ収差を容易に効果的に
補正することができ、これによシコンパーゼンス補正回
路を省略しピン歪補正量を軽減することが可能となシそ
の工業的価値は大である。
央ビームの偏向感度を両サイドビームの偏向感度より相
対的に増加させ、且つ水平偏向磁界に対する両サイドビ
ームの偏向感度を中央ビームの偏向感度より固相対的に
増加させることＫよって、インライン配列３電子銃を有
するカラー受像管の画面上のパターｙＫ於て１両サイド
電子ビー′五に対する中央電子ビームのパターンが水平
方向に長く垂直方向に短かいコマ収差を容易に効果的に
補正することができ、これによシコンパーゼンス補正回
路を省略しピン歪補正量を軽減することが可能となシそ
の工業的価値は大である。
第１図はネック部の偏向磁界分布を説明するための概略
断面図、第２図は第１図の偏向磁界分布による画面上パ
ターンを示す模式図、籐３図は従来の磁界制御素子を示
す概略断面図、第４図はインライン配列３電子銃を有す
るカラー受像管の画面上パターンを示す模式図、第５図
及び第６図は本発明に適用される磁界制御素子の配置の
実施例を示す概略断面図、第７図及び第８図は第５図及
び第６図の水平及び垂直偏向磁界強度を各電子ビーム位
置毎に示す分布特性図である。 （２）、α◆・・・・サイド電子ビーム放出孔（至）・
・・・中央電子ビーム放出孔 （ト）、ＱＩＳ・・・・偏向磁界制御素子αη、（ホ）
、（ハ）、１２４．幹、鰭、（ハ）、（至）・・・・・
・偏向磁界制御素子部分 （至）、０５４ 、 ＠ 、 ＠ 、（ホ）、翰・・・
・・磁気的高抵抗部分（７３１７） 代理人 弁理士
則 近 憲 佑 （ほか１名）第１． 第３図 第２図 第４図
断面図、第２図は第１図の偏向磁界分布による画面上パ
ターンを示す模式図、籐３図は従来の磁界制御素子を示
す概略断面図、第４図はインライン配列３電子銃を有す
るカラー受像管の画面上パターンを示す模式図、第５図
及び第６図は本発明に適用される磁界制御素子の配置の
実施例を示す概略断面図、第７図及び第８図は第５図及
び第６図の水平及び垂直偏向磁界強度を各電子ビーム位
置毎に示す分布特性図である。 （２）、α◆・・・・サイド電子ビーム放出孔（至）・
・・・中央電子ビーム放出孔 （ト）、ＱＩＳ・・・・偏向磁界制御素子αη、（ホ）
、（ハ）、１２４．幹、鰭、（ハ）、（至）・・・・・
・偏向磁界制御素子部分 （至）、０５４ 、 ＠ 、 ＠ 、（ホ）、翰・・・
・・磁気的高抵抗部分（７３１７） 代理人 弁理士
則 近 憲 佑 （ほか１名）第１． 第３図 第２図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）水平軸１ｉｃｆｉ１って一列に配列され九インライ
ン配列３電子銃を有し前記電子銃の電子ビームが前記水
平軸に喬直な方向Ｏ水平偏向磁界と前記水平軸に平行な
方向の接直偏向磁界によ）偏向走査され前記インライン
配列３電子銃のうち両サイドビーム通過領域を包囲する
ように配設された偏向磁界制御素子を有するカラー受像
管において、前記偏向磁界制御素子Ｏ前記水平偏向磁界
と実質的に平行であって前記両ナイドビームの各々の中
心を含む前記水平軸に−直な部分に磁気的に高抵抗な部
分を設は九ことを特徴とするカラー受像管。 ２）偏向磁界制御素子の、前記喬直偏向磁界と実質的に
平行であって前記両ナイドビームの各々の中心を含む前
記水平軸に実質的に平行で中央ビームとは反対側の部分
に磁気的に高抵抗壜部分を設は九ことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のカラー受像管。 ３）磁気的に高抵抗な部分の一部又は全部がギャップか
らなることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
項記載のカラー受像管。 ４）磁気的に高抵抗な部分の一部又は全部が非磁性体か
らなることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
項記載のカラー受像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20937081A JPS58111244A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | カラ−受像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20937081A JPS58111244A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | カラ−受像管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111244A true JPS58111244A (ja) | 1983-07-02 |
Family
ID=16571801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20937081A Pending JPS58111244A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | カラ−受像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111244A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59146131A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Nec Corp | インライン型電子銃 |
| JPS60262336A (ja) * | 1984-06-07 | 1985-12-25 | Nec Corp | インライン型電子銃 |
| EP0243541A2 (en) * | 1986-04-29 | 1987-11-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Colour television display tube with coma correction |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP20937081A patent/JPS58111244A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59146131A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Nec Corp | インライン型電子銃 |
| JPH0367296B2 (ja) * | 1983-02-09 | 1991-10-22 | Nippon Electric Co | |
| JPS60262336A (ja) * | 1984-06-07 | 1985-12-25 | Nec Corp | インライン型電子銃 |
| EP0243541A2 (en) * | 1986-04-29 | 1987-11-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Colour television display tube with coma correction |
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