JPS58108792A - Multilayer circuit board and method of producing same - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、配線導体のみならず抵抗体、誘電体をも多層
化した多層回路板（多層混成回路板も含む）とその製造
方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a multilayer circuit board (including a multilayer hybrid circuit board) in which not only wiring conductors but also resistors and dielectrics are multilayered, and a method for manufacturing the same.

近年、電子回路には、半導体ＩＣを装着した回路板が使
用されている。そして、半導体ＩＣにはセラミックなど
で封止した。いわゆる封止ＩＣが使用されている。In recent years, circuit boards equipped with semiconductor ICs have been used in electronic circuits. Then, the semiconductor IC was sealed with ceramic or the like. A so-called sealed IC is used.

半導体ＩＣｔ−装着した（口）踏板の小形化は、ＩＣチ
ップ自体を回路板に装置すれば、以下（α）。Semiconductor ICt-The miniaturization of the (mouth) mounted footboard is as follows (α) if the IC chip itself is installed on the circuit board.

（ｈ）の理由で達成される。This is achieved for reason (h).

（α）　チップ素子自体は、封止ＩＣより小さい。(α) The chip element itself is smaller than the sealed IC.

（Ａｌ　　接続用端子間隔が狭くなる。(Al　The spacing between the connection terminals becomes narrower.

この場合、基板上のＩＣ接続用導体間隔は２００μｍ程
度と微細で高密度にする必要がある。しかし、このよう
な微細パターンはセラミック基板上に導体ペーストラ印
刷し、乾燥し、焼成する厚膜技術では、印刷だれ、印刷
ペースト乾燥中の低粘髪化によるにじみなどによ多導体
間隔がＡＤＤμｍ程度となりａ造できなかった。In this case, the interval between the IC connecting conductors on the substrate needs to be as fine as about 200 μm and at a high density. However, such fine patterns are produced using thick film technology in which conductive paste is printed on a ceramic substrate, dried, and fired, but the multi-conductor spacing is approximately ADD μm due to printing sag, bleeding due to low viscosity during drying of the printing paste, etc. I couldn't build it next door.

これに対し、アルミナを主成分と↑るグリノ、・″ シート（未焼結板）に導体ベース）１−印刷し、乾燥し
、焼成するいわゆるグリンシート法は。On the other hand, the so-called green sheet method, which uses alumina as the main component, prints a conductor base on a sheet (unsintered board), dries it, and fires it.

以下（α＋、（Ａ）の理由で微細で高＠度な配線導体全
形成するのに適している。For the following reasons (α+, (A)), it is suitable for forming fine and highly precise wiring conductors.

（α）印刷したペースト中の浴剤がグリンシート中にし
み込むため、印刷したペーストはだれ。(α) The printed paste sag because the bath salt in the printed paste soaks into the green sheet.

にじみを生じない。Does not cause smudging.

Ｃｂ）　　グリンシートは焼結時にシートが１ｏ〜２゜
チ収縮する。Cb) The green sheet shrinks by 1 to 2 degrees during sintering.

しかし、アルミナのグリンシートｌｄ　１５００〜１６
００℃で焼結させるため、導体は焼結時変質しないモリ
ブデン、タングステン、マンガンなどの高融照会＾にせ
ねばならず、抵抗体は多層構造の内層に設けると、グリ
ンシート焼結時変質するため、多層板ではこれを焼結し
てから最上層に抵抗体を形成せざるを得なかった。However, alumina green sheet ld 1500~16
In order to sinter at 00℃, the conductor must be made of high-melting materials such as molybdenum, tungsten, and manganese, which do not change in quality during sintering, and if the resistor is provided in the inner layer of a multilayer structure, the quality will change during green sheet sintering. In the case of a multilayer board, it was necessary to sinter it and then form a resistor on the top layer.

ここで、アルミナの替りに１０００℃程度以下で焼結す
る絶縁材料をグリンシート、層間絶縁層とすれば、導体
、抵抗体などの各種厚膜材料が適用でき、微細で高密度
な配線の形成と、導体と抵抗体よりなる抵抗回路の多層
化ができると思われる。Here, if an insulating material that is sintered at about 1000°C or less is used instead of alumina as a green sheet or interlayer insulating layer, various thick film materials such as conductors and resistors can be applied, and fine and high-density wiring can be formed. It seems possible to create multi-layered resistance circuits made up of conductors and resistors.

このような材料には、βリチア輝石を主成分としメタ珪
酸リチウムを副成分とした微結晶を析出する結晶化ガラ
ス、α−菫青石を主成分とじ斜頑輝石を副成分とした微
結晶を析出する結晶化ガラスが知られている。これら材
料は昇温速度２℃／分以下、高温保持時間１〜５時間。Such materials include crystallized glass that precipitates microcrystals containing β-spodyroxene as a main component and lithium metasilicate as a sub-component, and microcrystals containing α-cordierite as a main component and clinopyroxene as a sub-component. Crystallized glass that precipitates is known. These materials have a heating rate of 2°C/min or less and a high temperature holding time of 1 to 5 hours.

降温速度４℃／分以下と加熱時間が長く、かつ短時間加
熱では導体が基板よりはく離することがあった。The heating time was long, with a cooling rate of 4° C./min or less, and the conductor sometimes peeled off from the substrate when heated for a short time.

本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシ、グ
リンシート法によシ微細で高密度な導体配線を有し、か
つ抵抗体と誘電体をその眉間に形成した新規な小形多層
回路板と短時間焼成で上記の多層回路板が製造できる方
法を提供するにある。The purpose of the present invention is to eliminate the drawbacks of the prior art described above, and to provide a novel small multilayer circuit which has fine and high-density conductor wiring using the green sheet method, and in which resistors and dielectrics are formed between the eyebrows. The object of the present invention is to provide a method for producing the above multilayer circuit board by baking the board and baking it for a short time.

本発明は、低温で焼結する各種無機材料、厚膜導体、厚
膜抵抗体、厚膜誘電体の各種材料の巾広い探索とその緒
特性の解析ならびに熱処理工程の鮮細な検討によって成
されたものである。The present invention was achieved through extensive research into various materials such as inorganic materials, thick film conductors, thick film resistors, and thick film dielectrics that can be sintered at low temperatures, analysis of their properties, and detailed study of heat treatment processes. It is something that

本発明を達成するためのグリンシートおよび層間絶縁用
無機材料、厚膜導体材料、厚膜抵抗体材料、厚膜誘電体
材料は、相互に適用できる材料の特性の範囲を限定する
が、これらの材料を総括的に述べると。The green sheet and inorganic materials for interlayer insulation, thick film conductor materials, thick film resistor materials, and thick film dielectric materials for achieving the present invention limit the range of mutually applicable material properties, but these To summarize the materials.

上記目的は、グリンシートおよび層間絶縁用無機材料は
、（α）結晶化ガラス、（Ａ］絶縁性酸化物結晶粒子と
非晶質ガラスの混合物、あるいは。In the above object, the green sheet and the inorganic material for interlayer insulation are (α) crystallized glass, (A) a mixture of insulating oxide crystal particles and amorphous glass, or.

（Ｃ１低融点の絶縁性酸化物多結晶体であり、厚膜導体
は（α］金属粒子単独あるいは（Ａ）金属粒子と非晶質
ガラスの混合物であυ、厚膜抵抗体はＲｕ　Ｏ。(C1 is an insulating polycrystalline oxide with a low melting point, the thick film conductor is (α) metal particles alone or (A) a mixture of metal particles and amorphous glass υ, and the thick film resistor is RuO.

やその他の導電性微粒子とガラスの混合物であシ、厚膜
抵抗体はチタン酸バリウム等の高融点高誘電率誘電体微
粉末とガラスの混合物、あるいは鉄−タングステン酸鉛
等の低融点高誘電率誘電体上厚膜誘電体であることで達
成される。Thick film resistors are made of a mixture of glass and other conductive fine particles such as barium titanate, or a mixture of glass and a high melting point high dielectric constant dielectric powder such as barium titanate, or a low melting point high dielectric material such as iron-lead tungstate. This is achieved by using a thick film dielectric on a constant dielectric.

また１本発明の多層混成集積回路基板の製造にあたって
は・ （α］　絶縁材料を構成する粉末に高分子結合剤を加え
たグリンシートを印刷基体とし、また。In addition, in manufacturing the multilayer hybrid integrated circuit board of the present invention: (α) A green sheet made by adding a polymeric binder to the powder constituting the insulating material is used as the printing substrate;

高分子結合剤と有機溶剤を加えたベヒクルに絶縁材料、
厚膜導体、厚膜抵抗体、厚ｉ＊ｇ電体を構成する粉末を
それぞれ加えて絶縁ペースト、抵抗体ベース）、［［を
体ペーストとし。An insulating material is added to a vehicle containing a polymeric binder and an organic solvent.
Add the powders constituting the thick film conductor, thick film resistor, and thick i*g electric material to form an insulating paste, resistor base), and [[ as a body paste.

（，６１グリンシート上に導体ペースト、抵抗体ペース
ト、絶縁ペーストの印刷全繰返し、あるいは導体ペース
ト、抵抗体ペース）、ＷＪｊｉｔ体ペース体管−ストた
グリンシー）を積層し。(Repeated printing of conductor paste, resistor paste, and insulating paste on the 61 green sheet, or conductor paste, resistor paste), WJjit body paste body tube-stacked green sea) were laminated.

導体、抵抗体、誘電体を層間および層上に形成した多層
回路板を作成し。Create a multilayer circuit board with conductors, resistors, and dielectrics formed between and on layers.

（Ｃ１絶縁材料が焼結し、かつ導体、抵抗体、誘電体を
構成するガラス材が軟化耐融する６００〜１０００℃の
温度で熱処理する。(Heat treatment is performed at a temperature of 600 to 1000°C at which the C1 insulating material is sintered and the glass materials constituting the conductor, resistor, and dielectric are softened and resistant to melting.

本発明の多層回路板の基体となる絶縁材料の組成や熱的
特性について述べると。The composition and thermal characteristics of the insulating material that forms the base of the multilayer circuit board of the present invention will be described.

（α〕　熱処理により微結晶が析出する結晶化ガラスを
用いる場合には、アノーサイト（Ｃ”αＡＬ。(α) When using crystallized glass in which microcrystals are precipitated by heat treatment, anorthite (C”αAL) is used.

ｓｉ、ｏ８λセルシア７　（ＢａＡｔ２ＳＬ２０ｍ）、
ネ７ｘすｙ　（ＮａＡｌＳｉＯ，）、　ｘフエｙ　（Ｃ
ａＴｉＳｉＯ，）、　コージェライト（ＭｇｔＡＬ２Ｓ
　ｉ　、　０．、）　”、スボジーメン（ＬｉＡｌＳｉ
２０６）等のケイ酸塩あるいはアルミノケイ酸塩を析出
するガラス組成物音用いる。si, o8λ Celsius 7 (BaAt2SL20m),
Ne7xsy (NaAlSiO,), xfey (C
aTiSiO, ), cordierite (MgtAL2S
i, 0. , ) ”, Subosiemen (LiAlSi
A glass composition that precipitates silicate or aluminosilicate such as 206) is used.

Ｃｂ）　　絶縁性酸化物結晶の微粉末と非晶質ガラスの
混合物を用いる場合には、酸化物としてアルミナ（”４
０ｇ　）　、シリカ（Ｓｉｎ２）、マグネシア（ＭｙＯ
）、カルシア　（Ｃａｂ）　、　ｒｌｌ化ハ！Ｊ　ウＡ
　（Ｂａｄ）。Cb) When using a mixture of insulating oxide crystal fine powder and amorphous glass, alumina ("4") is used as the oxide.
0g), silica (Sin2), magnesia (MyO
), Calcia (Cab), rllization ha! J U A
(Bad).

ジルコニア（ＺｒＯ，）等の金属酸化物、マグネシアス
ピネル（ＭＩＡＬ、　０４）　、　　ジルコン酸カルシ
ウム（Ｃ’ａＺｒＯ，）、コージェライト、セルジアン
。Metal oxides such as zirconia (ZrO,), magnesia spinel (MIAL, 04), calcium zirconate (C'aZrO,), cordierite, celsian.

アノーサイト、ジルコン（ＺｒＳｉＯ，）等のアルミノ
ケイ酸塩、ケイ酸塩の絶縁性徐合金践酸化物を用い、非
晶質ガラスとしては特にその組成を限定されないがＢａ
ｄ、　Ｃａｏ、ＺｎＯ，ＳｒＯ，ＴｉＯ２゜Ｂ１１０．
等を含むアルミノホウケイ酸鉛ガラス力ｊ　（、Ｎ　（
Ｚ、　０．　Ｌ＆ＲＯ，４０等Ｏ７”　カ！Ｊ　金Ｊｒ
ｓ　〕酸化物を少量加えてもよい。この時、非晶質ガラ
スの軟化点は、　　１ｏｏｏ℃以下で熱処理するに７５
０℃以下であることが必要である。Aluminosilicates such as anorthite, zircon (ZrSiO,
d, Cao, ZnO, SrO, TiO2°B110.
The lead aluminoborosilicate glass force j (, N (
Z, 0. L&RO, 40th grade O7” Ka!J Kim Jr.
s] A small amount of oxide may be added. At this time, the softening point of amorphous glass is 75 when heat treated at 100°C or less.
It is necessary that the temperature is below 0°C.

（Ｃ）　　また、低融点の絶縁性酸化物多結晶体を用い
る場合にはＪｉ化ゲルマニウムと酸化ゲルマニウＡ’ｔ
−主成分とし、　５ｉｎ２．　Ａｔ、０．　、　Ｃａｂ
。(C) In addition, when using a low melting point insulating oxide polycrystal, germanium oxide and germanium oxide A't
-Main component, 5in2. At, 0. , Cab
.

ＰｂＯ，Ｂｉ、０．　、Ｂρ８等を加え、　１０００℃
以下で焼結するセラミック組成物が用いられる。PbO, Bi, 0. , Bρ8, etc., and heated to 1000℃
A ceramic composition is used which is sintered below.

以下、前記絶縁材料のグリンシートおよび絶縁層上ある
いは絶縁層間に形成する導体、抵抗体、誘電体の組成、
熱的特性等について、絶縁材の熱処理温度との関係につ
いて述べる。Below, the composition of the conductor, resistor, and dielectric formed on the green sheet of the insulating material and the insulating layer or between the insulating layers,
Regarding thermal properties, etc., we will discuss the relationship with the heat treatment temperature of the insulating material.

（α）　導体：導体用の金属としては、金、銀、白金、
パラジウムのそれぞれの琳独の微粉末。(α) Conductor: Metals for conductors include gold, silver, platinum,
Each fine powder of palladium.

あるいは混合粉末１合金粉末等を用いる。この時１回路
基体（前記絶縁材のグリンシートあるいはグリンシート
上の絶縁層）との接着性を向上する友めに、非晶質ガラ
スを加えることができる。しかし、この非晶質ガラスは
次の要件を満丸さなければ導体の発泡、はく離等を生じ
る。これらは （１）非晶質ガラスの軟化点が、絶縁材の熱処理温度に
対して１５０〜２５０℃低い温度範囲にあること。Alternatively, mixed powder 1 alloy powder or the like is used. At this time, amorphous glass can be added to improve adhesion to the circuit substrate (the green sheet of the insulating material or the insulating layer on the green sheet). However, this amorphous glass will cause foaming and peeling of the conductor unless the following requirements are met. These are: (1) the softening point of the amorphous glass is in a temperature range 150 to 250°C lower than the heat treatment temperature of the insulating material;

（わ　非晶質ガラスの熱膨張係数が、絶縁材の熱膨張係
数に対して一３０Ｘ１０−’〜＋１０Ｘ１０−’　／ｄ
りの範囲にあること。(The coefficient of thermal expansion of amorphous glass is -30X10-' to +10X10-'/d with respect to the coefficient of thermal expansion of the insulating material.
be within the range of

である。It is.

（Ａ）　　抵抗体：導電性粉末として、金、銀、白金。(A) Resistor: gold, silver, platinum as conductive powder.

パラジウム等の金属やＲＬＬｂ、　、　Ｂｉ２Ｒｕ、　
Ｏ□、　Ｐｂ。Metals such as palladium, RLLb, , Bi2Ru,
O□, Pb.

Ｒｔｔ、Ｏ，等の酸化ルテニウム、ルテニウム酸塩。Ruthenium oxide, ruthenate such as Rtt, O, etc.

Ｒｈ２０．　、　Ｂｉ□Ｒｈ、　Ｏ，、Ｐ　Ａ２Ｒｈ、
　ＯＩｌ等の酸化ロジウム、ロジウム酸塩、酸化イリジ
ウム、イリジウムｍ塩あるいはケイ化物等が用いられ、
このバインダガラスとしては（１）非晶ガラスや（１）
結晶化ガラスが用いられる。Rh20. , Bi□Rh, O,, P A2Rh,
Rhodium oxide, rhodate salts, iridium oxide, iridium m salts or silicides such as OIl are used,
Examples of this binder glass include (1) amorphous glass and (1)
Crystallized glass is used.

バインダガラスが非晶質ガラスの時Ｋ１１ｌ、非晶質ガ
ラスの軟化点が絶縁材の熱処理温度に対して、１５０〜
２５０℃低い温度範囲にあり、かつ熱膨張係数が絶縁材
の熱膨張係数に対して＋１０×１０−７〜５０Ｘ１０−
７／ｒｔｇｌ　　の範囲にあることが必要である。非晶
質ガラスの軟化点が規定の温度よシ低いと、絶縁材の熱
処理温度でガラスが異常に流動して抵抗体の形状が崩れ
、また、このガラスが絶縁材へ浸み込んで焼結収縮が不
均一となって、絶縁材の反シ金生じる。軟化点が規定の
温度より商いとガラスの溶解が不充分となシ。When the binder glass is amorphous glass, K11l, the softening point of the amorphous glass is 150 ~
The temperature range is 250℃ lower, and the coefficient of thermal expansion is +10 x 10-7 to 50 x 10- compared to the thermal expansion coefficient of the insulation material.
7/rtgl. If the softening point of amorphous glass is lower than the specified temperature, the glass will flow abnormally at the heat treatment temperature of the insulating material, causing the shape of the resistor to collapse, and this glass will also seep into the insulating material and cause sintering. Shrinkage becomes uneven, causing the insulation to shrink. If the softening point is lower than the specified temperature, the melting of the glass will be insufficient.

ち密な抵抗膜が形成できない。萱た、熱膨張係数が規定
の範囲を越えると、抵抗膜にクラックを生じる。A dense resistive film cannot be formed. However, if the coefficient of thermal expansion exceeds a specified range, cracks will occur in the resistive film.

バインダガラスに結晶化ガラスを用いる時には、絶縁材
の熱処理温度に対して、−５０〜＋５０℃の範囲の温度
で結晶化するガラス組成物を用いる必侠がある。結晶化
温度が規定よシ低いと、絶縁材の熱処理温度ではガラス
の結晶化による高粘性固化のため絶縁材の均一な焼結収
縮が妨げられ、絶縁材の反りや抵抗膜のはく離を生じる
。規定より島いとガラスは熱処理温度では未だ溶融状態
にあり、実質的には非晶質ガラス全バインダとして用い
たのと同様であり、ガラスの軟化温度、熱膨張係数は前
記非晶質ガラスの規定が適用される。When using crystallized glass as the binder glass, it is necessary to use a glass composition that crystallizes at a temperature in the range of -50 to +50°C with respect to the heat treatment temperature of the insulating material. If the crystallization temperature is lower than the specified temperature, the glass crystallizes at the heat treatment temperature of the insulating material, resulting in highly viscous solidification, which prevents uniform sintering and shrinkage of the insulating material, causing warping of the insulating material and peeling of the resistive film. According to the regulations, the glass is still in a molten state at the heat treatment temperature, which is essentially the same as when amorphous glass is used as a binder, and the softening temperature and coefficient of thermal expansion of the glass are in accordance with the regulations for amorphous glass. applies.

（Ｃ）　　誘電体：高誘１１１率肪電体材刺としては、
（１）チタン酸バリウムにチタン酸マグネシウム、チタ
ン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、ジルコン醒
カルシウム、ジルコン酸バリウム、錫酸ニッケル、錫酸
カルシウム、酸化バリウム、酸化ランタン尋を加えた高
融点誘電体セラミックスと、（わ鉛を含む接合ペロブス
カイト型酸化物や鉛を含むブスマス層状型酸化物等の低
融点誘電体セラミックスを用いる。(C) Dielectric material: As a high dielectric material with a 111% dielectric material,
(1) High melting point dielectric ceramics made by adding magnesium titanate, calcium titanate, strontium titanate, calcium zirconate, barium zirconate, nickel stannate, calcium stannate, barium oxide, and lanthanum oxide to barium titanate. (Using low melting point dielectric ceramics such as a junction perovskite type oxide containing lead and a busmuth layered type oxide containing lead.

萬融点誘電体セラｉツクスを用いる場合には、防電体材
料自体が１０００℃以下の絶縁材の熱処理渥にで焼結し
な５ため、非晶質ガラスや結晶化ガラス等の粒子結合剤
を必要とする。When using melting point dielectric ceramics, since the electrical shield material itself is not sintered during the heat treatment of the insulating material at temperatures below 1000°C, particle binders such as amorphous glass or crystallized glass are used. Requires.

非晶質ガラスを用いる場合には、絶縁材の熱処理温度に
対して１５０℃低い温度に軟化点をもつガラス組成物と
することが必要である。When using amorphous glass, it is necessary to use a glass composition that has a softening point 150° C. lower than the heat treatment temperature of the insulating material.

誘電体用の非晶質ガラスは、一般的に１０ｗｔ％以下で
あり、抵抗体はどその影響は大きくないが、軟化点が規
定の温度より高いと、絶縁材の熱処理温度ではガラスの
溶融が不充分で誘電体粉体の強固な結合ができず、誘電
体膜の機械的強度が極めて小さい。Amorphous glass for dielectrics generally has a content of 10 wt% or less, and resistors are not affected greatly, but if the softening point is higher than the specified temperature, the glass may melt at the heat treatment temperature for insulating materials. If this is insufficient, the dielectric powder cannot be firmly bonded, and the mechanical strength of the dielectric film is extremely low.

結晶化ガラスをバインダとして用いる場合には、絶縁材
の熱処理温度に対して−５（１−＋５０℃の温度範囲で
結晶化するガラス組成物とすることが必要である。規定
温度より結晶化温度が低いと絶縁材の熱処理温度ではガ
ラスの結晶化による高粘性固化のために絶縁材の均一な
焼結収縮が妨げられ、絶縁材の反シや誘電体膜のは＜Ｉ
ｌｌを生じる。規定温間より結晶化温度が高いと絶縁材
の熱処理温度では未だガラスは溶融状態にあり、実質的
には非晶質ガラス全バインダとして用いる場合と同様に
、そのガラスの軟化点が規定される。When using crystallized glass as a binder, it is necessary to use a glass composition that crystallizes within a temperature range of -5 (1-+50°C) relative to the heat treatment temperature of the insulating material.The crystallization temperature is lower than the specified temperature. If the heat treatment temperature of the insulating material is low, uniform sintering shrinkage of the insulating material will be hindered due to high viscosity solidification due to glass crystallization, and
give rise to ll. If the crystallization temperature is higher than the specified warm temperature, the glass will still be in a molten state at the heat treatment temperature of the insulating material, and the softening point of the glass will be defined, essentially the same as when amorphous glass is used as a binder. .

低融点誘電体セラミックスを用いる場合には、多くの場
合誘電体自体の焼結のためにガラス等の粒子結合剤を必
要としない。本発明で用いる低融点誘電体は、絶縁材の
熱処理温首に対して一５０〜＋１５０℃の温度範囲で焼
結するものを用いる。この誘電体の焼結が絶縁材の熱処
理温度で規定される温度より低いと、絶縁材の焼結以前
に誘電体膜の焼結収縮がおこり、熱処理後に誘電体膜の
はく離を生じる。When using low melting point dielectric ceramics, a particle binder such as glass is often not required for sintering of the dielectric itself. The low melting point dielectric used in the present invention is one that can be sintered at a temperature range of 150 to +150° C. relative to the heat treatment temperature of the insulating material. If the dielectric material is sintered at a temperature lower than that specified by the heat treatment temperature of the insulating material, sintering shrinkage of the dielectric film occurs before the insulating material is sintered, and peeling of the dielectric film occurs after the heat treatment.

規定の温度より誘電体の焼結温度が高いと、絶縁材の熱
処理温度では誘電体粒子の反応Φ焼結がおこらず２機械
的強度の高い誘電体膜を形成することかでじない。If the sintering temperature of the dielectric is higher than the specified temperature, reaction Φ sintering of the dielectric particles will not occur at the heat treatment temperature of the insulating material, resulting in the formation of a dielectric film with high mechanical strength.

上記各８１！杓料金用いる多層（ロ）踏板の製造方法に
おいて、ガラスおよびガラス粉末の製造、絶縁材のグリ
ンシート化、各種累子組成物の製造およびペースト化そ
のものは従来からよく知られた方法により後述の夾施例
で示すようにして行なった。81 for each of the above! In the method for manufacturing multilayer (b) tread boards using ladle charges, the production of glass and glass powder, the production of green sheets of insulating materials, the production of various laminate compositions, and the production of pastes themselves are carried out using well-known methods as described below. It was carried out as shown in the examples.

本発明の最も製法上の特徴となる点は、絶縁材のグリン
シート上、および絶縁層上に導体のみならず、抵抗体や
ｖｊ電体ｔも印刷形成し、これを多層化した回路画板を
、その絶縁材の焼結収縮によって規定される１　０００
０以下のｍ度にて１０〜３０分間熱処理することである
。The most distinctive feature of the present invention in terms of manufacturing method is that not only conductors but also resistors and VJ electrical conductors are printed on the green sheet of insulating material and the insulating layer, and a multilayered circuit board is made of these. , defined by the sintering shrinkage of the insulation, 1 000
Heat treatment is performed at m degrees below 0 for 10 to 30 minutes.

この時、絶縁材や抵抗体に非晶質ガラスを用いる場合に
は、そのいずれかの低い軟化点以上の昇、降臨速度は５
０〜ｂ い。これより昇、降温変速が遅い場合には、温度のガラ
スの流動により、回路バタンの変形や基板の焼結収縮の
不均一による反りを生じる。At this time, if amorphous glass is used for the insulating material or resistor, the rate of rise and fall above the lower softening point of either of them is 5.
0-b Yes. If the temperature increase and decrease speeds are slower than this, the temperature flow of the glass causes deformation of the circuit batten and warpage due to uneven sintering shrinkage of the substrate.

また、これより速い昇、降温では、加熱、冷却の不均一
性による基板の反りやうねり金主じる。Furthermore, if the temperature is increased or decreased more quickly than this, the substrate will become warped or undulated due to non-uniform heating and cooling.

以上のように、本発明で規定した範囲の材料の組み合せ
およびその熱処理によシ良好な累子膜および平滑な回路
基板が形成できる。As described above, by combining materials within the range specified by the present invention and heat treating the materials, a good resistor film and a smooth circuit board can be formed.

以下具体列により詳しく説明する。This will be explained in detail below using specific columns.

実施例１ 絶縁材に結晶化ガラス、抵抗体のバインダガラスに非晶
質ガラス、そして低融点の誘電体材料を用い、第１図で
示す構成の多層混成集積口・路基板を作成した例につい
て述べる。Example 1 An example of creating a multilayer hybrid integration port/road board with the configuration shown in Fig. 1 using crystallized glass as an insulating material, amorphous glass as a binder glass for a resistor, and a low-melting-point dielectric material. state

グリンシート用および層間絶縁体材料は、次のようにし
て調製した。重量百分率でＳｉｎ、が３０係、ＣａＯが
１３％、ＡＩ、２０３が１２％、ＺｒＯ，が１１％、ｐ
ｂｏが２８％、Ｂ２０．が４％、）ｄｇＯが２％となる
よう酸化物、炭酸塩あるいは水酸化物を秤量し、ボール
ミルで混合し、これを白金ビー力に入れて１５００℃で
浴融し、次いで水中に注いで急冷してガラスの粗砕物を
つくる。これをメノー製乳鉢およびボールミルで粉砕し
て、平均粒径が２．０μｍのガラス微粉末とし友。これ
は、８２０℃でアノ−サイ）　（ｔ’α”４５ｔ　２０
８）の結晶を析出する発熱ピークをもち、８５０℃で熱
処理した時の熱膨張係数は５２×１０−１０−７ｐｐ　
　テ２ｂッｆｃ。The green sheet and interlayer insulator materials were prepared as follows. In terms of weight percentage, Sin is 30%, CaO is 13%, AI, 203 is 12%, ZrO is 11%, p
bo is 28%, B20. Weigh out oxides, carbonates, or hydroxides so that dgO is 4% and dgO is 2%, mix them in a ball mill, put this in a platinum beaker, melt it in a bath at 1500°C, and then pour it into water. Rapidly cool to create coarse glass. This was ground in an agate mortar and a ball mill to form a fine glass powder with an average particle size of 2.0 μm. (t'α"45t 20
8) has an exothermic peak that precipitates crystals, and the coefficient of thermal expansion when heat treated at 850°C is 52 x 10-10-7 pp.
Te2bfc.

ガラス微粉末は、通常のグリンシートの製造方法ならび
に厚膜用ペーストの製造方法により、次のようにしてグ
リンシートおよび絶縁ペーストとした。ガラス微粉末に
ポリビニルブチラールを加えて混合後、ブチルフタリル
ブチルグリ：ｌ　ｖ　−）　？！：　）リクレンーバー
クレンーブチルアルコールの混合溶剤を加えてアルミナ
ボールミル中で混練してスラリー状とする。これをドク
ターブレードに通して乾燥後膜厚０．８Ｍのシート全作
成し、適当に切断して回路形成用の印刷用基体（グリン
シート：未焼成基板）とした。絶縁ペーストは、エチル
セルロースヲトリデヵノールに浴かした有機ビヒクルを
ガラス微粉末に加えて、アルミナ製らいかい機で混練し
て作成した。The glass fine powder was made into a green sheet and an insulating paste in the following manner using a conventional green sheet manufacturing method and a thick film paste manufacturing method. After adding polyvinyl butyral to glass fine powder and mixing, butylphthalylbutylglycide: lv-)? ! : ) Add a mixed solvent of Reclen-Berlen-butyl alcohol and knead in an alumina ball mill to form a slurry. This was passed through a doctor blade to form a sheet having a thickness of 0.8M after drying, and was appropriately cut to obtain a printing substrate (green sheet: unfired substrate) for forming a circuit. The insulating paste was prepared by adding an organic vehicle soaked in ethyl cellulose otridecanol to fine glass powder and kneading the mixture in an alumina sieve machine.

導体および抵抗体のバインダガラスは、重量百分率でＳ
ｉｎ、が６０％、ｐｈｏが１４％、Ａｔ！０．が９チ、
Ｃａｄｉ）１７　％、Ｂ、０，１）１５％、Ｍ！１０２
＞！　１　％・Ａ’（Ｚ、（Ｊ　　とに！０がそれぞれ
２％である非晶質ガラスで、軟化点が６８０℃、熱膨張
係数は６　ｏｘｉ　Ｏ−’ｐｐｍ／℃である。平均粒径
が２．５μｍとなるまで粉砕したこのガラス微粉末０．
５Ｆに、Ａ１．ＰｔＬの混合粉を９．７ｔの割合で混合
し、また、ガラス粉８．Ｏｆに平均粒径０．８１ｘＩＬ
のＲｕｂ、を２．Ｏｆの割合で混合し、有機ビヒクルを
加えて混練して導体ペーストおよび抵抗ペーストを調製
した。Binder glass for conductors and resistors has a weight percentage of S
in, 60%, pho, 14%, At! 0. is 9chi,
Cadi) 17%, B, 0,1) 15%, M! 102
>! It is an amorphous glass with 1% A'(Z, (J and !0) of 2% each, a softening point of 680°C, and a coefficient of thermal expansion of 6 oxi O-'ppm/°C. Average particle size This fine glass powder is crushed to a diameter of 2.5 μm.
On the 5th floor, A1. PtL mixed powder was mixed at a ratio of 9.7 tons, and glass powder 8. Of average particle size 0.81xIL
Rub of 2. A conductive paste and a resistive paste were prepared by mixing the mixture at a ratio of 1.0 and an organic vehicle and kneading the mixture.

低融点の誘電体には、ＰｈＯ、Ｆ’ｓ、０．　、　ＦＯ
ｌ、　Ｔｉｅ。Low melting point dielectrics include PhO, F's, 0. , F.O.
l, Tie.

を混合し、８００℃で２時間熱処理して合成した０、７
５Ｐｂ（Ｆ　ｇ４　ｆＬｌ）　０．−０．２５７”ｂＴ
龜Ｏ１を粉砕し、平均粒径′ｊｋ：２．３μｍとした。0,7 synthesized by mixing and heat-treating at 800℃ for 2 hours.
5Pb(F g4 fLl) 0. -0.257”bT
The powder O1 was pulverized to have an average particle diameter of 2.3 μm.

これに、有機ビヒクルを加えて誘電体ペーストとし友。Add an organic vehicle to this to form a dielectric paste.

この誘電体は、８５０℃で焼結収縮する。また、この融
点は１１００℃である。This dielectric material undergoes sintering shrinkage at 850°C. Moreover, this melting point is 1100°C.

次に第１図により製造方法について述べる。Next, the manufacturing method will be described with reference to FIG.

作成し九ガラスのグリンシートを印刷基体１とし、調製
した導電ペースト金印桐して第１層配＆１２、抵抗体用
電極３、コンデンサ用電極４を形成し、乾燥後調製した
抵抗ペーストを印刷して第１層の抵抗体５を形成し友。Using the prepared nine-glass green sheet as the printing substrate 1, the prepared conductive paste was used to form the first layer &12, the resistor electrode 3, and the capacitor electrode 4, and after drying, the prepared resistor paste was printed. Forms the first layer of resistor 5.

次いで調製した訪電体ペースト金印刷して絹１層訪亀体
６を形成し、導電ペース）Ｔｈ印刷して、コンデンサ用
対向′ｖＬ極７を形成した。その後、調製した絶縁ペー
ストを印刷して層間絶縁体８を形成した。Next, the prepared electrical conductor paste was printed with gold to form a silk one-layer electrical conductor 6, and conductive paste (Th) was printed to form opposing 'vL poles 7 for capacitors. Thereafter, the interlayer insulator 8 was formed by printing the prepared insulating paste.

この時、層の上・下を電気的に接続するためのＸ　＃　
−ホール９　’ｉ影形成ておく。次いで４ｔｌｌＥペー
ス）を印刷してスルーホールを通して層間導通をとると
ともに、第１層と同様に、第２層配＠ｉｏの他に抵抗体
用電極３′、コンデンサ用電極４′、コンテンサ用対向
ｉｔ極７′ならびに外部接続用端子１１や部品搭載用端
子１２ヲ形成し、抵抗ペースト、誘電体ペーストを印刷
し、誘電体層上には、さらに導電ペーストを印刷して第
２層抵抗体１３、第２層誘電体１４ヲ形成した。At this time, X # to electrically connect the top and bottom of the layer
-Hole 9'i Shade the shadow. Next, 4tllE pace) is printed to establish interlayer conduction through the through hole, and in addition to the second layer wiring @io, the electrode 3' for the resistor, the electrode 4' for the capacitor, and the counter IT for the capacitor are printed in the same way as the first layer. After forming the pole 7', the external connection terminal 11, and the component mounting terminal 12, a resistor paste and a dielectric paste are printed, and a conductive paste is further printed on the dielectric layer to form a second layer resistor 13, A second dielectric layer 14 was formed.

このようにして印刷積層した未焼結基板を、８５０℃ヲ
１０分間保持する空気焼成の厚膜ベルト炉で熱処理し、
た。この時グリンシートは１５％収縮し友が、基板の反
りや抵抗膜・誘電膜のはく離φクラックは無かつ友。The unsintered substrate printed and laminated in this way is heat-treated in an air-fired thick-film belt furnace that maintains the temperature at 850°C for 10 minutes.
Ta. At this time, the green sheet shrunk by 15%, but there was no warping of the substrate, no peeling of the resistive film or dielectric film, and no cracks.

実施例２ 絶縁材に絶縁性結晶性酸化物と非晶質ガラスの混合物、
抵抗体のバインダガラスに結晶化ガラス、そして誘電体
のバインダガラスに非晶袈ガラスを用い、第２図で示す
構成の多層混成集積回路基板全作成した例について述べ
る。Example 2 Mixture of insulating crystalline oxide and amorphous glass as insulating material,
An example will be described in which a multilayer hybrid integrated circuit board having the configuration shown in FIG. 2 is fabricated using crystallized glass as the binder glass for the resistor and amorphous glass as the binder glass for the dielectric.

グリンシートは、次のようにして調製した。The green sheet was prepared as follows.

Ｎ量目分率で５ｉｎ２が５５％、ｐｂｏが１７％、ＡＩ
、　０．が９％、ＣａＯが８％、Ｂ２Ｏ３が５％、Ｍｇ
Ｏが１％、Ｎα２０　が６％、Ｋ２Ｏが２％となるよう
に酸化物、炭酸塩、ある囚は水酸化物全秤量し、ボール
ミルで混合して実施例１で示した要領に従って平均粒径
２，５μｍ、軟化点６９０℃の非晶質ガラスの微粉末を
作成した。このガラス微粉末７０ｙに対して、平均粒径
が０６μｍのアルミナｔ−１５ｆ、平均粒径２．０μｍ
のマグネシアスピネル”Ｊ”４’％）ｔｌｏｆｌさらに
平均粒径２．５μｍのジルコ、イ酸カルシウム（Ｃ゛α
１ｒＯｓ　）を５ｆの割合で加えて混合し、実施例１で
示した要領に従ってグリンシー）ｋ作成した。N quantity fraction: 5in2 is 55%, pbo is 17%, AI
, 0. is 9%, CaO is 8%, B2O3 is 5%, Mg
Weigh all the oxides, carbonates, and hydroxides so that O is 1%, Nα20 is 6%, and K2O is 2%, mixed in a ball mill, and the average particle size is determined according to the procedure shown in Example 1. Fine powder of amorphous glass having a diameter of 2.5 μm and a softening point of 690° C. was prepared. For this glass fine powder 70y, alumina t-15f with an average particle size of 06 μm and an average particle size of 2.0 μm
magnesia spinel "J"(4'%) tlofl with an average particle size of 2.5 μm, calcium sulfate (C゛α
1rOs) was added and mixed at a ratio of 5f, and Grinsea)k was prepared according to the procedure shown in Example 1.

このシートは、熱処理温度が尚くなるにつれてわずかず
つ収線蓋が増すが、５ｏｏｔ：で大巾に収線し、９００
℃までの収量率は１６％程度でほぼ一定であった。これ
から、このグリンシートの焼成温度を８５０℃とした。The convergence of this sheet gradually increases as the heat treatment temperature increases, but it converges to a large extent at 5oot: and 900.
The yield rate up to ℃ was approximately constant at about 16%. From now on, the firing temperature of this green sheet was set to 850°C.

抵抗体のバインダガラスは、Ｍ量百分率でぬＯ８が６１
％、Ｂ２０．が４％、Ａｌ、０３が１０％、Ｔｉｅ、が
１１％、ＢａＯが２５％、ＺｎＯが１２％、Ｃ’ａＯが
４％、ＭｇＯが３％となるように酸化物、炭酸塩あるい
は水酸化物を杵蓋し、実施例１に示した要領で平均粒径
２，０μｍのガシス倣粉とする。このガラス微粉末は、
８４０℃でセルシアｙ　（ＢａＡｌ−２ＳＬ　２０ｇ　
）　ノ結晶を析出する発熱ピークをもつ結晶化ガラスで
ある。このガラス微粉末８．Ｏｆに、平均粒径１．５μ
ｍのＢ　Ｌ　２　Ｒｕ　２　（７７を２．０２の割合で
混合し、有機ビヒクルを加えて混練して抵抗ペーストと
した。The binder glass of the resistor has an O8 content of 61, not an M content percentage.
%, B20. oxide, carbonate or hydroxide such that Al, 03 is 10%, Tie is 11%, BaO is 25%, ZnO is 12%, C'aO is 4%, MgO is 3%. The product was put in a pestle and prepared in the same manner as in Example 1 to obtain a gassis imitation powder with an average particle size of 2.0 μm. This fine glass powder is
Celsius (BaAl-2SL 20g
) It is a crystallized glass with an exothermic peak that precipitates crystals. This fine glass powder8. Of, average particle size 1.5μ
m of B L 2 Ru 2 (77) were mixed in a ratio of 2.02, an organic vehicle was added and kneaded to obtain a resistance paste.

誘電体の非晶質バインダガラスには、ｋｉ百分率でＢｉ
、０．が６０％、ｐｈｏが１５％、５ＬＯ２が１１％、
Ａｌ２Ｏ，が５％、ＣａＯが４％、ＺｎＯが３％、Ｂ、
０゜が２％の組成で、平均粒径が２．７μｍのガラス微
粉末を用いた。このガラス粉末の軟化点は５３０℃であ
った。The dielectric amorphous binder glass contains Bi in percentage ki.
,0. is 60%, pho is 15%, 5LO2 is 11%,
Al2O, 5%, CaO 4%, ZnO 3%, B,
Fine glass powder having a composition of 2% at 0° and an average particle size of 2.7 μm was used. The softening point of this glass powder was 530°C.

誘電体ペーストは、平均粒径２．５μｍに粉砕したチタ
ン酸バリウムＢａＴｉ０．　９７ｔに、上記のようにし
て調製したガラス微粉末を０．３ｆの割合で混合し、有
機ビヒクルを加えて混練して誘電体ペーストとした。The dielectric paste was made of barium titanate BaTi0. The fine glass powder prepared as described above was mixed with 97t at a ratio of 0.3f, and an organic vehicle was added and kneaded to obtain a dielectric paste.

第２図のように、グリンシートの印刷基体１に、Ａ１．
Ｐｄの混合粉と有機ビヒクルから成る導電ペーストを印
刷して第１層配線２、抵抗体用電４Ａ１．３、コンデン
サ用電極４を形成し、乾燥後調製した抵抗体ペーストを
印刷して第１層抵抗体５を形成し友。次いで、調製した
誘電体ペーストを印刷して第１層篩篭体６を形成し、導
電ペーストを印刷してコンデンサ用対向１１＆７を形成
した。次に、スルーホール９を形成した他のグリンシー
トの基体に、第１／ｉ１目と同様にして導体ペースト、
抵抗体ペースト、誘電体ペーストを印刷し、第２層重体
１０、外部接続用端子１１、部品搭載用端子１２、第２
層抵抗体１３を形成するとともに、スルーホールにも導
体ペーストを充填して上・下層の導通をもたせる。これ
らの２枚の印刷したグリンシートを重ね合わせ、１００
℃に加熱、５００Ｖ−の荷車で圧着し、８５０℃を１０
分間保持する空気焼成の厚膜ベルト炉で熱処理した。こ
の時回路基板は１６％収縮したが、基板の反りや抵抗膜
・訪を膜のはく離Φクラックは無かつ比。As shown in FIG. 2, A1.
A conductive paste consisting of a mixed powder of Pd and an organic vehicle is printed to form the first layer wiring 2, a resistor electrode 4A1.3, and a capacitor electrode 4, and after drying, the prepared resistor paste is printed to form the first layer. A layered resistor 5 is formed. Next, the prepared dielectric paste was printed to form the first layer sieve housing 6, and the conductive paste was printed to form the opposing capacitors 11 & 7. Next, conductive paste was applied to the base of the other green sheet in which the through holes 9 were formed in the same manner as No. 1/i1.
A resistor paste and a dielectric paste are printed, and a second layer heavy body 10, an external connection terminal 11, a component mounting terminal 12, a second
While forming the layered resistor 13, the through holes are also filled with conductive paste to provide electrical continuity between the upper and lower layers. Layer these two printed green sheets together and
Heated to ℃, crimped with a 500V cart, heated to 850℃ for 10
Heat treated in an air fired thick film belt furnace holding for minutes. At this time, the circuit board shrank by 16%, but there was no warping of the board, no peeling cracks in the resistive film, and no cracks.

夾施汐０３ 絶縁材に低融点の酸化物セラミックス、抵抗体およびｖ
５導電のバインダガラスに結晶化ガラスを用い、第１図
に示す構成の多層混成集積回路基板を作成した例につい
て述べる。Kashishio 03 Low melting point oxide ceramics, resistor and v as insulating material
An example will be described in which a multilayer hybrid integrated circuit board having the configuration shown in FIG. 1 was fabricated using crystallized glass as a conductive binder glass.

グリンシート用および層間絶縁体材料は次のようにして
調製した。Ｍ量目分率でＧｇＯ，が３５％、ＨａＯが６
５％、Ａｔ、　Ｏ，が１４％、ＣａＯが７％、ｐｂ。The green sheet and interlayer insulator materials were prepared as follows. GgO is 35% and HaO is 6 in the M amount fraction.
5%, At, O, 14%, CaO 7%, pb.

が５％、Ｅｉ、０．が３％、Ｂ、０．が１％となるよう
に酸化物、炭酸塩および水酸化物を秤量し、ボールミル
で混合し、ポリビニルアルコールの水浴液を加えてプレ
スにより円板に成型した。これを、９００℃を２時間保
持する条件で熱処理した。is 5%, Ei, 0. is 3%, B, 0. The oxide, carbonate, and hydroxide were weighed so that the amount of the hydroxide was 1%, mixed in a ball mill, added with a polyvinyl alcohol water bath solution, and molded into a disk by pressing. This was heat-treated under conditions of maintaining the temperature at 900°C for 2 hours.

この焼結体をメノー製乳鉢およびボールミルで粉砕し、
平均粒径２２μｍの微粉末を作成し友。この微粉末を、
実施例１で示した要領に従ってグリンシートおよび層間
絶縁体用の絶縁ペーストとした。This sintered body is crushed in an agate mortar and a ball mill,
A fine powder with an average particle size of 22 μm was prepared. This fine powder,
Insulating pastes for green sheets and interlayer insulators were prepared according to the procedure shown in Example 1.

抵抗体および経電体用の結晶化ガラスには、実施例１に
おいて絶縁材料に用いた組成のガラス微粉末を用いた。For the crystallized glass for the resistor and electrical conductor, glass fine powder having the composition used for the insulating material in Example 1 was used.

抵抗体ペーストは、平均粒径０８μｍの酸化ルテニウム
（Ｒｕｂ、　）　８．Ｏｆにバインダガラス微粉末を２
．Ｏｆの割合で混合し、誘電体ペーストは、平均粒径２
７μｍのチタン酸バリウム（ＢａＴ＊Ｏｓ　）９．５９
にバインダガラス微粉末を０．５　ｆの割合で混合し、
それぞれ有機ビヒクルを加えて混練して作成した。8. The resistor paste is made of ruthenium oxide (Rub) with an average particle size of 08 μm. Add binder glass fine powder to Of.
．． The dielectric paste has an average particle size of 2.
7 μm barium titanate (BaT*Os) 9.59
Mix binder glass fine powder at a ratio of 0.5 f,
Each was prepared by adding an organic vehicle and kneading.

作成したグリンシート上に実施例１でＦＡ製した導電ペ
ースト、新たに■製した抵抗ペースト訪電体ペーストお
よび調製した絶縁体ペーストを印刷し、実施例１に示し
た要領に従って多層化し、８５０℃を２０分間保持する
空気焼成の厚膜ベルト炉で熱処理し、第１図に示した回
路基板を作成した。回路基板の反シや抵抗膜・篩篭体膜
のはく離・クラックは無かった。The conductive paste made from FA in Example 1, the newly made resistance paste, the current visitor paste, and the prepared insulating paste were printed on the prepared green sheet, multilayered according to the procedure shown in Example 1, and heated at 850°C. The circuit board shown in FIG. 1 was produced by heat treatment in an air firing thick film belt furnace for 20 minutes. There was no peeling or cracking of the circuit board, resistive film, or sieve housing film.

以上述べたように本発明によれは、１０００℃以下で熱
処理して焼結する絶縁材料を回路基板材および層間絶縁
材とすることで、従来の厚膜回路に用いられたと同様の
抵抗体や誘電体をも多層化することが可能となり、かつ
、グリンシートを用いるため微細な導体配線をも形成で
きる。As described above, according to the present invention, by using an insulating material that is heat-treated and sintered at 1000°C or less as a circuit board material and an interlayer insulating material, it is possible to use a resistor similar to that used in conventional thick film circuits. It becomes possible to have multiple dielectric layers, and since green sheets are used, fine conductor wiring can also be formed.

このように、従来技術の欠点を補い、また長所を生かす
ことにより、半導体ＩＣＣフッその他の部品を爾密度に
実装できる小形、高集積の回路基板を製造できるように
なった。In this way, by compensating for the shortcomings of the prior art and taking advantage of its advantages, it has become possible to manufacture a small, highly integrated circuit board on which semiconductor ICC boards and other components can be mounted with greater density.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は本発明による多層混成集積回路基板の一例を示
す断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す断面図で
ある。 １・・・印刷基体　　　　　２・・・第１層配線３．３
′・・・抵抗体用′ｆＩＬ極　　４，４′・・・コンデ
ンサ用電極５・・・第１層抵抗体　　　６・・・第１層
誘電体７．７′・・・コンデンサ用対向電極 ８・・・絶縁体　　　　　　９・・・スルーホール１０
・・・第２層配線　　　　１１・・・外部接続用端子１
２・・・部品搭載用端子　　１３・・・第２層抵抗体１
４・・・第２層誘電体 代理人弁理士　薄　１）利　辛 棺１図 ３FIG. 1 is a sectional view showing an example of a multilayer hybrid integrated circuit board according to the invention, and FIG. 2 is a sectional view showing another embodiment of the invention. 1... Printed substrate 2... First layer wiring 3.3
'fIL pole for resistor 4, 4'... Electrode for capacitor 5... First layer resistor 6... First layer dielectric 7.7'... Counter electrode for capacitor 8 ...Insulator 9...Through hole 10
...Second layer wiring 11...External connection terminal 1
2... Component mounting terminal 13... 2nd layer resistor 1
4...Second layer dielectric agent patent attorney Bo 1) Ri Shin-King 1 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 ｔ　抵抗・誘電体回路、抵抗回路もしくは誘電体回路の
設けられた基板、この基板の回路形成面の接続部を除い
た全面に設けられた絶縁層、この絶縁層上に上記接続部
で上記回路と接続されている第２抵抗・誘電体回路、第
２抵抗回路もしくは第２誘電体回路、必要に応じて更に
絶縁層、抵抗・誘電体回路、抵抗回路もしくは誘電体回
路が上記と同様にして最小１回設けられた多層回路板に
おいて、前記基板・前記絶縁層のすべてが夫々結晶化ガ
ラス、絶縁性酸化物結晶の微粒子と非晶質ガラスの混合
物、低融点の絶縁性酸化物多結晶体のうちから選ばれた
少なくとも１種類の実質的に１０００℃以下の温度で焼
結する材料であり。 前記回路のすべての導体路が金属とガラスの混合物もし
くは金属のみであ）、前記回路のすべての抵抗体が導電
性微粉末とガラスの混合物であり、前記回路のすべての
誘電体が高融点の高誘電率誘電体微粉末とガラスの混合
物もしくは低融点の高訪電率紡電体であることを特徴と
する多層回路板。 ２、　絶縁材のグリンシート上に導体ペースト。 抵抗体ペースト、誘電体ペーストの少なくとも１ａｌｅ
印刷・乾燥して導体路および導体路で抵抗体・誘電体の
いずれかが接続された未焼成の回路を形成し、これに積
層する各層に対応して導体路および抵抗体・誘電体のい
ずれかが導体路で接続された下層回路との導通をもたせ
るためのスルーホールを有するグリンシートを圧着して
多層化し、その後これ全焼成することを特徴とする多層
回路板の製造方法。[Claims] t. A resistor/dielectric circuit, a substrate on which a resistor circuit or a dielectric circuit is provided, an insulating layer provided on the entire surface of the circuit forming surface of this substrate except for the connecting portion, and an insulating layer provided on the insulating layer. A second resistor/dielectric circuit, a second resistor circuit, or a second dielectric circuit connected to the circuit at the connection portion, and if necessary, an insulating layer, a resistor/dielectric circuit, a resistor circuit, or a dielectric circuit. is provided at least once in the same manner as above, and all of the substrate and the insulating layer are made of crystallized glass, a mixture of insulating oxide crystal fine particles and amorphous glass, or a low melting point insulating layer, respectively. The material is at least one material selected from polycrystalline oxides and is sintered at a temperature of substantially 1000° C. or lower. All conductor paths of said circuit are a mixture of metal and glass or only metal), all resistors of said circuit are a mixture of conductive fine powder and glass, and all dielectrics of said circuit are of high melting point. A multilayer circuit board characterized in that it is a mixture of a high permittivity dielectric fine powder and glass or a low melting point, high contact rate electrical spinning body. 2. Apply conductive paste on the insulating green sheet. At least 1ale of resistor paste and dielectric paste
Print and dry to form an unfired circuit in which a conductor path and either a resistor or dielectric are connected by the conductor path, and a conductor path and either a resistor or dielectric are connected for each layer laminated on this. 1. A method for manufacturing a multilayer circuit board, characterized in that a green sheet having through holes for providing electrical continuity with a lower layer circuit connected by a conductor path is formed into a multilayer by pressure bonding, and is then completely fired.