JPS58107708A - マイクロ波電力合成回路 - Google Patents
マイクロ波電力合成回路Info
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- JPS58107708A JPS58107708A JP56207311A JP20731181A JPS58107708A JP S58107708 A JPS58107708 A JP S58107708A JP 56207311 A JP56207311 A JP 56207311A JP 20731181 A JP20731181 A JP 20731181A JP S58107708 A JPS58107708 A JP S58107708A
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- Japan
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- circuit
- microwave
- amplifier
- amplifiers
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/198—A hybrid coupler being used as coupling circuit between stages of an amplifier circuit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、複数の反射形マイクロ波増幅器の出力電力を
合成するための電力合成動路に関する。
合成するための電力合成動路に関する。
発明の技術的背景とその問題点
従来仮数の反射形増幅器の出力電力を合成する電力合成
回路としては、π／２位相差３ｄＢハイブリツド回路（
以下ＨＹＢと呼ぶ）を用いたものかあるか、このＨＹＢ
を用いた従来の電力合成回路を説明する前にまずＨＹＢ
について説明する。
回路としては、π／２位相差３ｄＢハイブリツド回路（
以下ＨＹＢと呼ぶ）を用いたものかあるか、このＨＹＢ
を用いた従来の電力合成回路を説明する前にまずＨＹＢ
について説明する。
第１図はＨＹＢの一例を示したもので、このＨＹＢＩの
機能は次の様である。
機能は次の様である。
ＨＹＢの端子１−１より電力を供給するとし、その電力
の大きさをＰ１９位相を０１とする。この時端子１−２
． １−３． １−４にそれぞれ出力か得られるが、そ
の電力の大きさ１位相をそれぞしＰ、、 Ｏｓ、ＰＩ
０８＊ ｐ４． ｏ、とする。
の大きさをＰ１９位相を０１とする。この時端子１−２
． １−３． １−４にそれぞれ出力か得られるが、そ
の電力の大きさ１位相をそれぞしＰ、、 Ｏｓ、ＰＩ
０８＊ ｐ４． ｏ、とする。
ＨＹＢが理想的である場合
Ｐｌ ・・・（１）Ｐｓ”Ｐ
４−ゴ ０４−Ｏ；Ｉ：１６１（２） であり、もし端子１−３．１−４の整合がとれ′ている
場合は Ｐ、二〇 ・・・（３
）である。この端子１−２をアイソレージｌン端子と呼
ぶ。
４−ゴ ０４−Ｏ；Ｉ：１６１（２） であり、もし端子１−３．１−４の整合がとれ′ている
場合は Ｐ、二〇 ・・・（３
）である。この端子１−２をアイソレージｌン端子と呼
ぶ。
この様なＨＹＢを実際に構成しようとすれば、たとえば
、平面回路形タイプでは、パラレルライン形方向性結合
器やブランチライン形等があり、導波管形タイプではサ
イドウオールカップラー、マルチホールカップラー等が
ある。
、平面回路形タイプでは、パラレルライン形方向性結合
器やブランチライン形等があり、導波管形タイプではサ
イドウオールカップラー、マルチホールカップラー等が
ある。
第２図は上記第１図で示したＨＹＢを使って２つの反射
形増幅器の出力電力を合成する合成回路の従来例を示し
たものである。ここで言う反射形増幅器とは、増幅器端
子より入力された電力を増幅し、その同じ端子に出力す
るタイプの増幅器で具体的には、インバットやガンダイ
オードなどのマイクロ波半導体素子を使用した増幅器が
あり、その動作点の選び方で、負性抵抗増幅器や注入同
期増幅器が構成される。
形増幅器の出力電力を合成する合成回路の従来例を示し
たものである。ここで言う反射形増幅器とは、増幅器端
子より入力された電力を増幅し、その同じ端子に出力す
るタイプの増幅器で具体的には、インバットやガンダイ
オードなどのマイクロ波半導体素子を使用した増幅器が
あり、その動作点の選び方で、負性抵抗増幅器や注入同
期増幅器が構成される。
第２図において端子１−１より入力された電力（ｐｔ＊
ｏｔ）は端子１−３． ｌ−４に（Ｐｓｔ ’０
ｓ）ｅ（Ｐ４ｐ−０４）となって出力される。反射形増
幅器２．３の電力利得をＧとし、０ムだけ位相が加えら
れるとする。また増幅器２，３のＧ。
ｏｔ）は端子１−３． ｌ−４に（Ｐｓｔ ’０
ｓ）ｅ（Ｐ４ｐ−０４）となって出力される。反射形増
幅器２．３の電力利得をＧとし、０ムだけ位相が加えら
れるとする。また増幅器２，３のＧ。
ＯＡは共に等しいとする。
さて増幅器２，３で増幅された電力は、端子１−１．］
−２にそれぞれ出力される。ここで増幅器２により増幅
１反射され端子１−３からＨＹＢ ｌに人力される電波
が、端子１−１にあられれる菫をＰＡ、１−３．０ム１
−３・とじ、端子１−２にあられれる量をＰＡ２−３．
０ム２−３とする。同様に増幅器３により増幅、反射さ
れ、端子１−４からＨＹＢＩに入力される電波が端子１
−１゜１−２にあられれる量をＦＡＩ−４，０ＡＩ−４
，Ｐムト４゜０Ａ２−４と１“る。 また説明を簡単に
するためＨＹＢの結合部以外の伝送線路による位相遅れ
は、４分岐線路とも等しいとして省略し、０．＝ｏ、、
Ｑ４＝Ｑ、十−７，ＨＹＢノオ−ム損等による挿入
損失を無視する。
−２にそれぞれ出力される。ここで増幅器２により増幅
１反射され端子１−３からＨＹＢ ｌに人力される電波
が、端子１−１にあられれる菫をＰＡ、１−３．０ム１
−３・とじ、端子１−２にあられれる量をＰＡ２−３．
０ム２−３とする。同様に増幅器３により増幅、反射さ
れ、端子１−４からＨＹＢＩに入力される電波が端子１
−１゜１−２にあられれる量をＦＡＩ−４，０ＡＩ−４
，Ｐムト４゜０Ａ２−４と１“る。 また説明を簡単に
するためＨＹＢの結合部以外の伝送線路による位相遅れ
は、４分岐線路とも等しいとして省略し、０．＝ｏ、、
Ｑ４＝Ｑ、十−７，ＨＹＢノオ−ム損等による挿入
損失を無視する。
以上の仮定から
ＦＡＩ−３””ＦＡＩ−４”’ＰＡ２−３”’ＰＡ２−
４ °−（４）ＯＡ−３＝０８＋ＯＡ
・・・（５）ＯＡ１〜４−０４＋ＯＡ＋ｉ
・・・（６）０ムト３＝Ｑ、十Ｑム＋ｉ
・・・（７）ようになる。
４ °−（４）ＯＡ−３＝０８＋ＯＡ
・・・（５）ＯＡ１〜４−０４＋ＯＡ＋ｉ
・・・（６）０ムト３＝Ｑ、十Ｑム＋ｉ
・・・（７）ようになる。
０ム１−４＝Ｑ、＋Ｑム十π ・・・（９）
ＯＡ２−４ ＝ ０１． ＋ ＯＡ ＋Ｔ
・・・む〔すなわち（５）、 １９）から端子１−
１には電圧振幅の等しい電波が逆相に生じて打ち消し合
う。また式（７）、 Ｑｌから端子１−２には電圧振幅
の等しい同相の電波が生じ加え合わされる。つまり増幅
器２．３からそれぞれ増幅されて反射されてきた電力は
電子１−１側には伝播されることがなく、合成された出
力ＰＡｚ−ａ ＋ＰＡ２−４ ＝＝ Ｇｐ １として端
子１−２へ出力される。このようにこの回路は、反射形
増幅器を用いながら、合成回路としては、入力端子と出
力端子の異なる通過形、増幅器の構成となり、そのため
反射形増幅器では必要であった入力電力端子と出力電力
端子とを分けるサーキュレータが不要になる。
ＯＡ２−４ ＝ ０１． ＋ ＯＡ ＋Ｔ
・・・む〔すなわち（５）、 １９）から端子１−
１には電圧振幅の等しい電波が逆相に生じて打ち消し合
う。また式（７）、 Ｑｌから端子１−２には電圧振幅
の等しい同相の電波が生じ加え合わされる。つまり増幅
器２．３からそれぞれ増幅されて反射されてきた電力は
電子１−１側には伝播されることがなく、合成された出
力ＰＡｚ−ａ ＋ＰＡ２−４ ＝＝ Ｇｐ １として端
子１−２へ出力される。このようにこの回路は、反射形
増幅器を用いながら、合成回路としては、入力端子と出
力端子の異なる通過形、増幅器の構成となり、そのため
反射形増幅器では必要であった入力電力端子と出力電力
端子とを分けるサーキュレータが不要になる。
第３図は４つの反射形増幅器の出力電力を合成する４増
幅器合成回路の従来例を示したものである。
幅器合成回路の従来例を示したものである。
この回路は４個のＨＹＢ４〜７および４個の反射形増幅
器８〜１１を用いて構成される。なお負荷１２． １３
はダミーロードである。
器８〜１１を用いて構成される。なお負荷１２． １３
はダミーロードである。
また各ＨＹ ？”’ ７はそれぞれ端子４−１〜４−４
゜５−１〜５−４．６−１〜６−４．７−１〜７−４な
有している。
゜５−１〜５−４．６−１〜６−４．７−１〜７−４な
有している。
端子４−１より入力された電力は振幅が１／２でかつπ
／２の位相差をもって端子４−３． ４−４に分配され
る。
／２の位相差をもって端子４−３． ４−４に分配され
る。
端子４−３．４−４の出力電力は第２図で説明１−だよ
うにそれぞれＨＹＢ５と増幅器８．９より構成される２
増幅合成回路と、ＨＹＢ７と増幅器１０． １１より構
成される２増幅合成回路の２つの２増幅器合成回路で増
幅され、端子６−１゜６−２へ送られる。この増幅され
た電波は、ＨＹＢ４で生じた位相差π／２をそのまま保
ってい４では同相となる。すなわち、端子４−１より入
力された電力は、増幅器８〜１１で増幅され、その合成
出力が端子６−４に出力さ−れる。
うにそれぞれＨＹＢ５と増幅器８．９より構成される２
増幅合成回路と、ＨＹＢ７と増幅器１０． １１より構
成される２増幅合成回路の２つの２増幅器合成回路で増
幅され、端子６−１゜６−２へ送られる。この増幅され
た電波は、ＨＹＢ４で生じた位相差π／２をそのまま保
ってい４では同相となる。すなわち、端子４−１より入
力された電力は、増幅器８〜１１で増幅され、その合成
出力が端子６−４に出力さ−れる。
同様に８増幅器合成回路構成を示すと第４図のようにな
る。
る。
このようにＨＹＢを用いて２ｎ個（ｎ＝１．２゜３・・
・）の増幅器の合成が可能で、この合成回路に使用する
ＨＹＢの数は従来の方式では（３Ｘ２ｎ−１２） ＠必
要であった。
・）の増幅器の合成が可能で、この合成回路に使用する
ＨＹＢの数は従来の方式では（３Ｘ２ｎ−１２） ＠必
要であった。
発明の目的
本発明の従来の回路よりも少ない数のｔ（ＹＢを用いて
、同様の機能を果すマイクロ波電力合成回路を提供する
ことを目的とする。
、同様の機能を果すマイクロ波電力合成回路を提供する
ことを目的とする。
発明の概要
この目的を達成するため本発明では第１の端子から入力
された電磁波が＃！２および第３の端子に、それぞれ所
定の電力分配比位相差で出力 □され、残る第４
の端子は入力に対して、アイソレージ璽ン端子となる如
（構成され牟マイクロ波分岐回路（ＨＹＢ）を１個また
は複数個用い、該マイクロ波分岐回路の第２．第３分岐
端子に反射形増幅器を接続して合成出力を得るマイクロ
波電力合成回路において、前記マイクロ波分岐回路の第
２または第３端子のうちいずれか一方の分岐端子と前記
反射形増幅器との間に、移相１がほぼπ／２である移相
器を挿入することにより、少ない数のＨＹＢで従来と同
様の機能を有すマイクロ波電力合成回路を集塊するよう
にしている。
された電磁波が＃！２および第３の端子に、それぞれ所
定の電力分配比位相差で出力 □され、残る第４
の端子は入力に対して、アイソレージ璽ン端子となる如
（構成され牟マイクロ波分岐回路（ＨＹＢ）を１個また
は複数個用い、該マイクロ波分岐回路の第２．第３分岐
端子に反射形増幅器を接続して合成出力を得るマイクロ
波電力合成回路において、前記マイクロ波分岐回路の第
２または第３端子のうちいずれか一方の分岐端子と前記
反射形増幅器との間に、移相１がほぼπ／２である移相
器を挿入することにより、少ない数のＨＹＢで従来と同
様の機能を有すマイクロ波電力合成回路を集塊するよう
にしている。
発明の実施例
第５図は本発明による４増幅器合成回路の一実施例を示
したもので、３８〜４０はＨＹＢ、π／２移相器４５．
４６、増幅器４１〜４４、ダミーロード４７，４８か
ら構成される。この回路の動作をま丁、ＨＹＢ３９．π
／２移相器４５．増幅器４１ 、４２から成る２増幅器
合成回路の部分について説明する。（第６図参照） 端子３９−２から入力された電力は（電力の大きさと位
相をそれぞれｐ／、 、 ｏ／、とする）端子３９−
３．３９−４に出力される。
したもので、３８〜４０はＨＹＢ、π／２移相器４５．
４６、増幅器４１〜４４、ダミーロード４７，４８か
ら構成される。この回路の動作をま丁、ＨＹＢ３９．π
／２移相器４５．増幅器４１ 、４２から成る２増幅器
合成回路の部分について説明する。（第６図参照） 端子３９−２から入力された電力は（電力の大きさと位
相をそれぞれｐ／、 、 ｏ／、とする）端子３９−
３．３９−４に出力される。
端子３９−３．３９−４の出力電力の大きさと位相をそ
れぞれＰ’、、 Ｏ’、、Ｐ’４ ＊ Ｏ’４とす
るとｐ／、 ＝ Ｐ’、 ＝ Ｐ’２／２・０３０’、
−０’４＝に／２ …Ｑ４）である
。
れぞれＰ’、、 Ｏ’、、Ｐ’４ ＊ Ｏ’４とす
るとｐ／、 ＝ Ｐ’、 ＝ Ｐ’２／２・０３０’、
−０’４＝に／２ …Ｑ４）である
。
また、電力利得、移相付加量の等しい増幅器４１．４２
で増幅された電力のそれぞれ端子３９−３．３９−４に
現われる大きさと位相をｐＡ’ｓ、ｏ＾′コ。
で増幅された電力のそれぞれ端子３９−３．３９−４に
現われる大きさと位相をｐＡ’ｓ、ｏ＾′コ。
Ｐム′４０Ａ′４とすると・
ＰＡ’３ ＝ Ｐ＾′４ °°°
α９０ム’ａ ” ＯＡ’３−４− ｔｔ／２
・・・ ０８となる。これら増幅器４１．
４２で増幅、反射された波は、端子３９−１ではＯム′
３と０ム′４＋π／２の位相で加えられ、端子３９−２
では、０ム′４とＯム′１＋π／２の位相で加えられる
。ところが、００式の関係があるので、端子３９−１で
は ０ム′８とＯム′３＋π （逆相）端子３９−２で
は ０ム′３＋π／２と０ム′３＋π／２（同相）の位相で
２つの電波が合成される。２つの電波は振幅の大きさは
等しいため、端子３９−１には電力は伝播されず、合成
出力（Ｐム′３＋Ｐム′４）は端子３９−２で得られる
。
α９０ム’ａ ” ＯＡ’３−４− ｔｔ／２
・・・ ０８となる。これら増幅器４１．
４２で増幅、反射された波は、端子３９−１ではＯム′
３と０ム′４＋π／２の位相で加えられ、端子３９−２
では、０ム′４とＯム′１＋π／２の位相で加えられる
。ところが、００式の関係があるので、端子３９−１で
は ０ム′８とＯム′３＋π （逆相）端子３９−２で
は ０ム′３＋π／２と０ム′３＋π／２（同相）の位相で
２つの電波が合成される。２つの電波は振幅の大きさは
等しいため、端子３９−１には電力は伝播されず、合成
出力（Ｐム′３＋Ｐム′４）は端子３９−２で得られる
。
すなわちＨＹＢの１つの端子と増幅器の間にり移相器を
挿入したことによって同一人出力端子である反射形の２
増幅器合成回路が構成されたことになる１、 これにより第５図に示した４増幅器合成回路は第７図の
様に２つの反射形２増幅器合成回路４９．５０とＨＹＢ
３８で構成される等節回路に置き換えられる。第７図は
第２図と同様の回路構成であり、その結果、端子３８−
１より入力された電力は４つの増幅器で増幅されその合
成出力板端子３８−２より得られることになる。
挿入したことによって同一人出力端子である反射形の２
増幅器合成回路が構成されたことになる１、 これにより第５図に示した４増幅器合成回路は第７図の
様に２つの反射形２増幅器合成回路４９．５０とＨＹＢ
３８で構成される等節回路に置き換えられる。第７図は
第２図と同様の回路構成であり、その結果、端子３８−
１より入力された電力は４つの増幅器で増幅されその合
成出力板端子３８−２より得られることになる。
なお、π／２移相器はλｇ／４（λｇは、線路の管内波
長）の長さの線路で構成でき、容易に、ＨＹＢ内に組み
込むことができる。□ 以上４増幅器合成について説明してきたが、同様に８増
幅器合成も構成できる。それを第８図に示す。ＨＹＢ５
２〜５７はπ／２移相器を内蔵したハイブリッド回路で
、移相器部分は線路を長くすることで示している。
長）の長さの線路で構成でき、容易に、ＨＹＢ内に組み
込むことができる。□ 以上４増幅器合成について説明してきたが、同様に８増
幅器合成も構成できる。それを第８図に示す。ＨＹＢ５
２〜５７はπ／２移相器を内蔵したハイブリッド回路で
、移相器部分は線路を長くすることで示している。
また上記実施例では、いずれも電力分配比か１／２であ
るハイブリッドを例に説明してきたが、分配比は何も１
／２に限る必要はない。すなわち分配比が１／２以外の
場合は、その分配回路に依続する増幅器の電力利得を、
アイソレージフンボートで振幅が等しくなるようにそれ
ぞれ相互に設定すればもう一つの端子より増幅器の合成
出力が得られる。なお通常インバットやガンダイオード
を使用する周波数帯は、準ミリ波帯以上の高い周波数で
あり、ダイオードの放熱や回路損失の点からも、導波管
で構成することが好しい。また導波管タイプのハイブリ
ッドになるとπ／２依相差のハイブリッドが一般的であ
り、第１〜８図に示した構成になる。
るハイブリッドを例に説明してきたが、分配比は何も１
／２に限る必要はない。すなわち分配比が１／２以外の
場合は、その分配回路に依続する増幅器の電力利得を、
アイソレージフンボートで振幅が等しくなるようにそれ
ぞれ相互に設定すればもう一つの端子より増幅器の合成
出力が得られる。なお通常インバットやガンダイオード
を使用する周波数帯は、準ミリ波帯以上の高い周波数で
あり、ダイオードの放熱や回路損失の点からも、導波管
で構成することが好しい。また導波管タイプのハイブリ
ッドになるとπ／２依相差のハイブリッドが一般的であ
り、第１〜８図に示した構成になる。
発明の効果 １以
上説明したように、この発明によれば、従来方式の合成
回路より少ない数のＨＹＢ構成で同様の性能のマイクロ
波電力合成回路が構成できるので、回路全体を少形、軽
量化できる。例えばｚｎ個の増幅器の電力合成回路を構
成する場合は、（２”−１）個のＨＹＢを使用すれば足
り従来方式と比較して（ｚｎ １ １ ）個だけＨＹＢ
の数を減少させることかできる。
上説明したように、この発明によれば、従来方式の合成
回路より少ない数のＨＹＢ構成で同様の性能のマイクロ
波電力合成回路が構成できるので、回路全体を少形、軽
量化できる。例えばｚｎ個の増幅器の電力合成回路を構
成する場合は、（２”−１）個のＨＹＢを使用すれば足
り従来方式と比較して（ｚｎ １ １ ）個だけＨＹＢ
の数を減少させることかできる。
第１区１は本発明で用いるＨＹＢの一例を示すブロック
図、第２図、第３図、第４図は従来のマイクロ波電力合
成回路の一例を示ｊ回路図。 第５図は本発明に係わるマイクロ波電力合成回路の一実
施例を示す回路図、第６図、第７図は第５図に示した回
路を説明するための部分回路図および等化回路図、第８
図は本発明の他の実施例を示す回路図である。 ３８〜４０・・・ＨＹＢ、４１〜４４・・・反射形増幅
器、４５．４６・・・π／２移相器、４７．４８・・・
ダミーロード第１図 １−１ １−２ １−３ ト４ 第２図 第５図 ３８−１ ３８−２ ４２ ９０ 第７図
図、第２図、第３図、第４図は従来のマイクロ波電力合
成回路の一例を示ｊ回路図。 第５図は本発明に係わるマイクロ波電力合成回路の一実
施例を示す回路図、第６図、第７図は第５図に示した回
路を説明するための部分回路図および等化回路図、第８
図は本発明の他の実施例を示す回路図である。 ３８〜４０・・・ＨＹＢ、４１〜４４・・・反射形増幅
器、４５．４６・・・π／２移相器、４７．４８・・・
ダミーロード第１図 １−１ １−２ １−３ ト４ 第２図 第５図 ３８−１ ３８−２ ４２ ９０ 第７図
Claims (3)
- （１） 第一の端子から入力された電磁波が、第２お
よび第３の端子に、それぞれ所定の電力分配比、位相差
で出力され、残る第４の端子は入力に対してアイソレー
ション端子となる如く構成されたマイクロ波分岐回路を
１個または複数個用い、該マイクロ波分岐回路の第２、
第３分岐端子に反射形増幅器を接続して合成出力を得る
マイクロ波電力合成回路において、前記マイクロ波分岐
回路の第２または第３端子のうち、いずれか一方の分岐
端子と前記反射形増幅器との間に移相量がはｙπ／２で
ある移相器を挿入したことを特徴とするマイクロ３゜ 波′電力合成回路。 - （２）前記マイクロ波分岐回路は前記第２．第３の端子
に出力される電力分配比が入力に対し回路。 - （３）前記マイクロ波分岐回路は前記第２、第３端子の
出力位相差がπ／２であり、前記増幅器の合成出力を入
力端子と同一の端子から取り（４）前記マイクロ波分岐
回路は、前記アイソレージ目ン端子となる第４の端子へ
の出力が、はぼ零となるように反射形増幅器の電力利得
（５）前記マイクロ波分岐回路と前記移相器とは
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56207311A JPS58107708A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | マイクロ波電力合成回路 |
| US06/451,732 US4514699A (en) | 1981-12-22 | 1982-12-21 | Microwave power amplifier/combiner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56207311A JPS58107708A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | マイクロ波電力合成回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107708A true JPS58107708A (ja) | 1983-06-27 |
Family
ID=16537663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56207311A Pending JPS58107708A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | マイクロ波電力合成回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4514699A (ja) |
| JP (1) | JPS58107708A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177615A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-06-24 | Denki Kogyo Co Ltd | マイクロ波電力分配回路 |
| JP2012023857A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Ihi Aerospace Co Ltd | レクテナ及びこれを用いた受電システム |
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1982
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Also Published As
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