JPS58106444A - フイルムの表面欠陥検査器 - Google Patents

フイルムの表面欠陥検査器

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JPS58106444A
JPS58106444A JP20764981A JP20764981A JPS58106444A JP S58106444 A JPS58106444 A JP S58106444A JP 20764981 A JP20764981 A JP 20764981A JP 20764981 A JP20764981 A JP 20764981A JP S58106444 A JPS58106444 A JP S58106444A
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JP
Japan
Prior art keywords
sample
reflected light
defects
curvature
film
Prior art date
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Pending
Application number
JP20764981A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuru Saito
満 斎藤
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS58106444A publication Critical patent/JPS58106444A/ja
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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はビニルシートやテープなど自己保存性が小σい
フィルム状材料について、 (イ) ゴミなどの付着 (ロ)配合材の“かたまり“や気泡などの異物混入 e\)傷、クラック、クレージングの発生に))不規則
な変色やシミ付き (1→ “でび″や微生物(カビ)の発生なとによる表
面欠陥の検査に使用する表面欠陥検査器に関する。
以下に、フィルム状材料のうち、最も欠陥検査が困難と
てれている、厚さ10μ程度の透明フィルムにおける太
きて1μ程度の表面欠陥を検査対象として詳細な説明を
行う。
一般に透明フィルム表面を光学顕微鏡で観察する場合、
焦点が合いにくぐ、50ミクロン以下の厚さでは表面と
裏面との分離観察がでない。このため層間欠陥、即ち表
面から裏面までの層間に存在する欠陥全観察する状態に
陥いっている。
このため表面部の光学的観測は困難であり5表面欠陥検
査には電子顕微鏡が用いられ、鮮明に表面欠陥が観察さ
nでいる。しかし走査型電子顕微鏡を俵用しても微小欠
陥を同時に探索できる視野は極めてせまく、広い例えば
10CIrL角のシート表面の微小表面欠陥の探索には
膨大な手間を要するOこの観察視野の拡大は、フィルム
の層間欠陥を光学顕微鏡で観察する場合でも、倍率の大
きい対物レンズを要するため狭くなり、欠陥検査、すな
わちシート状フィルムの受入検査や工程検査への使用を
困難とさせている。このため (イ) ビデオカメラとモニタテレヒなどの撮影手段を
用いて倍率を上げ、その分たけ対物レンズの倍率を下げ
、同時に観察できる視野を拡大する。
(1”l  光学顕微鏡に上記(イ)の手段を構し、試
料台などを移動させて、試料をスキャンさせる。
e・)光源と受光器(顕微鏡、光電システム、写真機な
ど)を同時にスキャンきせる。または光源たけをミラー
などでスキャン烙せる〇 などの方法で、観察効率を上げ、必要な欠陥検査を可能
としている。しかし、1μ程度の微小欠陥を明視するた
めには、試料、光源、受光器のいずれをスキャンする場
合でも焦点距離の変化なとに対し、自動焦点や振動防止
などの特殊な設備を必、円□ 要とし、犬がかりな欠陥検査装置となり、し力・もなお
検査精度が変動する場合が多い。
車重な対象をレンズで拡大して、その詳細な形のメカニ
ズムを検討すると、その特徴を知ることができる。
第1図は視覚の基本を示したものである。
(イ)眼玉Ei構成する網膜部の視細胞は、錐状体視細
胞A;感度が低いが中心に密桿状体視細胞C;感度は高
いが分散 の2種で構成テ几ている。
(ロ)視卸1胞AとCの配置ff:電気回路的にモザイ
クとして示したもので、眼上Eの中心点o−0′になる
に従って、錐状(ム型)が密に配列しているが周辺には
無い。桿状(口型)は全視野にわたり等間隔で分散さn
、視神経で並列に接続式f1.クリえは水平走査により
各受光電Ha 、 Haが検出さnる。
(ハ)人間の視覚における視細胞の働きは、先ず。
桿状体Cで対象TのM無と位置を識別し、眼上Eが動い
て対象T′fr:中心で杷え、錐状体Aで形状や寸法を
識別する過程で行わ几る。図(\)は視力検査用の視標
と眼上Eとの関係を示しており6、 ランドルト環の割れ目を見分けるためには、■ 視野の
明るさが6001Xn上 ■ 対象が視野の中心部から15°以内にある■ 対象
の大きさが、視角0.7分以上■ 対象と周辺との輝度
比が90%以上■ 対象の静止時間が10秒以上 などの条件が義務づけられている。この条件で視覚1分
の識別能力を視力1.0と評価する。
(判 そこで、視力が低い人が眼鏡を使うと同様に光学
顕微鏡では5寸法t(視角0,7分以下)の微小対象T
の形状を識別するために対物レンズOMで拡大して眼上
Eに投影する方法を用いている。
光学顕微鏡の目的が形状を識別するものであるため、錐
状体Aを用いる必要があり、結果として (a−1視野を明るくする(視野をせまくする)(bl
  対象と背景との輝度比を高くする(C)対象を拡大
する。端部を鮮明にするなど種々の光学的手段が用いら
几ている。その−例として暗視野型光学顕微鏡の光学系
を図(,11に示す。これは投光角θLを変えて視野に
背景の反射光Rbが入射しないようにして対象と欠陥の
輝度比を向上し、形状識別を行っている。
(−19存在識別では形状や寸法が判別できないが、人
の眼の存在識別の限界値は、上記(ハ)において■ 対
象と周辺との輝度比が5%以上 ■ 対象の露光時間が0.2秒以上 が潤足さnると■〜■がなくても識別できる。
以」二のように、人間の視覚は、使用される視細胞の能
力により、下記に大別され、 (Al  形状識別(Acuity 5ensitiv
ity)(C1存在識別(Contrast 5ens
itiヤ1ty)人間の眼を受光器として使用する場合
は、対象の形状や寸法の観察は(ムjとなり、錐状視細
胞が機能できる条件(上記(/J■〜■)が不足すると
“見え難い″状態に陥る。
透明フィルムの表面に分布する微小欠陥に対し。
形状識別では上記(ハ)■〜■の条件を同時に満足する
ことが困難である。したがって輝度比の差違を利用して
存在識別が用いら1.る場合もあるが、フィルムのよう
に透明で、薄く凸凹している試料では、フィルム材料と
異質で散乱反射など明確な反射特性の異る欠陥、例えば
ゴミの付着に限定さn、微小な凸凹による欠陥を鮮明に
見分けることは極めて困難な状態にある。
本発明は従来の微小表面欠陥の検査方法の問題点: (イ)表面部に焦点があいにくいこと (ロ)形状識別に必要な条件が不足すること(l→ 同
時観察が可能な視野がせまいことを解決して、以下を可
能とするものである。
■ 厚さ10ミクロンの透明フィルムの表面部に分散す
る大きさ1μ程度の微小欠陥の存在、数量、位置を、従
来の100倍以上の視野で同時に観察できるようにする
■ 同質材料の微小な凸凹に、よる欠陥を■と同様な条
件で観察できるようにする。
■ 表面欠陥や層間欠陥を、効率的に探索できるように
する。
以下に本発明の説明を行う。
第2図に不発明の構成例を示す。図についての説明を行
う。
LGS :変角投光スタンド 例えばレー」)”のように高輝度で平行なスポット径d
の光りを、投光角θ0.投光投光り、から投光する。光
源はレーザでなくてもよい。
RGS:変角反射試料ホルダ 例えばフィルム試料Fを半径rθのドラム状ホルダD1
に、馬区動ドラムD2とガイドドラムD3により試料F
の表面が所定の曲率面となるよう支持する。
LGS:変角光度受光システム 曲率面の半径軸より距離tbたけ離れた点Pを光軸中心
部とし、LGSからの対象照明光LTによる試料表面の
反射光RTを対物レンズOMを通じて受光器Cで受光す
る。この場合LGSからの光L(i7ハーフミラM1に
よりLTと比較標準照明光Lsに分割し、標準Msから
の反射光R8と、試料反射光RTをハーフミラM2によ
り重ね、RT+Rg’に同時または時間や場所を光学的
に変えて受光する。
この構成により、試料表面の反射光度は、第3図(イ)
に示すように、以下の作用をうける。
■ 投光ビーム径dが曲率半径rθと試料Fの厚さtに
応じて、反射光ビーム径Vに拡大さnる。
■ 受光器Cからみた反射ビーム径V内の各点の反射光
度は、角度θpたけ変化した光度に変換さ汎、試料Fを
動かすと、同じ点pの変角光度の変化が受光される。
■ 試料表向に欠陥がないと、試料表面に対して入射角
と同じ角度に反射するため、反射光Rb1Rb2+ R
b3は観察視野θVにはほとんど入射しない。
第3図(ロ)は受光部の受光状態を示したもので、さら
に、下記の作用かもたら1nる〇 ■ 微小欠陥Tからの反射光Riに対し、背景の反射光
Rbが極めて小さくなるため輝度比が増1〕され、さら
に変角による反射光度の相違が識別できる輝度比に増巾
さnる。この結果、視野0 の拡がりによる光量の低下に伴う識別機能の不足が補わ
れ、広い視野で微小対象が識別さnる。
■ 受光器の一画素、または一つの視細胞に比べ検査対
象が小さい場合、すなわち第3図(ロ)で、対象の反射
光R2のビーム径tが、受光器Cの受光面の寸法C1よ
り小さい場合、 対象背景の反射光Rbに比し、受光感
度αに対してとなると識別さnる。(1)式で受光器が
人間の眼の場合は形状識別は困難で、α〉0.05であ
nば存在の有無が識別ざnる。
■ さらに欠陥の反射ビーム径tが、画素(または視細
胞)間の隔壁距離C2や間隔C5より小さくても、試料
を定速度Sで移動させnは、となり、(11、(2)式
が同時に成立すると、人間眼では320.2秒の速度S
で、■と同様の識別が可能となる。
11゜ ■ 固体撮像板やラインセンサ、および対物レンズなど
を使用すると以下が可能となる。
(イ)画素寸法C2が欠陥寸法tより小さく、(1)。
(2)式が成立つようにすると形状識別が可能。
(ロ)lK陥寸法tが画素を構成する寸法01,02゜
C3よp小さい場合は、 +1) 、 (2)式が成立
つ投光方法と感度があnば、存在識別が可能。
(/j 反射特性が一定の欠陥の存在識別では受光器の
光電流から欠陥寸法が推定できる。
次に具体的に本発明の詳細な説明する。
第4図は本発明の実施例を示す。
(イ)微小欠陥が、ゴミなどの付着物の場合は、その対
象Tと地Bとの反射特性が異るため、投光角θ□と受光
角θEを受光器OMに極力反射光Rbが入射しないよう
に照明すnば、識別できる。この方法は現行の暗視野顕
微鏡や、レーザ応用検査機なとて実用さnているが、1
らに当11イ1U 発明のようにするとRiとJ)との輝度比が高くなり、
光電流から広い視野での微小欠陥が検出できる。
となる場合は、この凸凹寸法thと表面形状に応じて投
光角θL と受光角θE とを調整すれば、変角反射特
性の差異により欠陥が識別さr、る〇この場合、第3図
のように試料を保持するとθLとθ2の調整が不要とな
る。
ヒ\)表面が凸凹している試料において(ロ)と同様の
欠陥を検出する場合、投光ビーム径dを小さくして投射
角θ1を拡げ、さらに地の凸凹tl、と対象の凸凹tb
 とを分離して(1+ 、 +21式が成立つように照
明すると、欠陥が検出てれる。この方法はスポットビー
ム径を小さくできるレーザ応用検査機で使用されている
が、投光角θLや受光角θEを変化σぜ変角反射率を検
出しないと同質の微小欠陥は検出できない。従って第4
図に)のように試料を支持する必要がある。
に)スポットビーム径dを、試料厚fと同じとす□ るが、di微小欠陥寸法tとして投光器LGSの取付高
ざhL を試料厚fたけ上下させると、表面欠陥と、内
層の裏面欠陥とが分離検出δれる。
(ホ))比較標準試料(第2図)Msに、例えばスケー
ル用の反射像を設け、標準反射光R8と欠陥反射光RT
 と同時に重ねて観察すると、試料Fの表面欠陥の寸法
や位置が正確に識別でれる。
第5図は従来の暗視野式光学顕微鏡による観察結果〔図
(イ)〕に対して、同じ部分を同じ倍率の光学系を使用
し、本発明による検査器で静止状態で観察した結果〔図
(ロ)〕との相違の一例を示している。
両者ともテレビカメラを通じて映像管により、12ミク
ロンの透明フィルムの表面を観察したもので、両者を比
較すると、以下の効果が確認てれた。
■ 図(ロ)に示すように本発明による検査器を用いた
場合には、明暗のコントラストが著しく、従来の上記顕
微鏡で検出できない欠陥7も検出嘔nる〇 ■ 不発明による検査器では、表面欠陥のみ検出され、
図(イ)のように検出さnた欠陥2,6が。
図(ロ)に示すように検出されていない。
■ 従来の上記顕微鏡によるものでは、図(イ)に示4 すように欠陥1と3が同程度の寸法の欠陥としてしか検
出できなかったのが、本発明による検査器を用いた場合
には、図(ロ)に示すように明確な輝度比として出さ扛
ている。これは平面的寸法よシ凸凹寸法の差異が顕著に
検出されているためである。
■ 本発明による検査器を用いる場合において。
図(ロ)の輝度比を従来の図(インと同程度まで許容す
ると、同時に観察できる視野を拡大でき、検出さnた光
′電流の値から、欠陥寸法や凸凹状態が評価できる〇 ■ 本発明による検査器を用いた場合、受光器の検出可
能な露出時間に相当する定速度で試料を移動させると5
より広い試料表面の微小欠陥が観察できる〇 以上のように本発明によると、フィルム表面の微小欠陥
を明瞭にかつ広視野下で識別でき、さらに表面欠陥やI
−間欠陥全効率的に探索することができる。
【図面の簡単な説明】
16 第1図(イ)〜(力は視覚のメカニズムと光学顕微鏡の
原理を示す図、第2図は本発明によるフィルムの表面欠
陥検査器の構成例を示す図、第3図(イ)。 (ロ)は本発明による欠陥検出器における欠陥検出方法
の原理を説明するための図、第4図(イ)〜に)は同欠
陥検■器における種々の欠陥に応じた検出原理を説明す
るための図、第6図(イ)、(ロ)は本発明の詳細な説
明するための図で、このうち同図(イ)は従来の暗視野
方式光学顕微鏡による観察結果を示し、同図(ロ)は本
発明による欠陥検査器による観察結果を示す。 L・・・・・・投光光、θ1・・・・・・投光角、d・
・・・・・投光ビーム径、R・・・・・・反射光、θ□
・・・・・・反射角、V・・・・・・反射ビーム径、C
・・・・・・受光器、θ。・・・・・・受光角、01〜
C5・・・・・・受光面の寸法、F・・・・・・フィル
ム試料、f・・・・・・試料厚み、T・・・・・・欠陥
、t・・・・・・欠陥の寸法、Rt・・・・・・欠陥部
の反射光、Rb・・・・・・欠陥の11□ 背景の反射光、OM・・・・・・対物レンズ、M・・・
・・ベラ−、D・・・・・・ドラム型試料ホルダ、S・
・・・・・試料スキ゛イン速度、rθ・・・・・・試料
表面の曲率半径。 特開昭58−106444 (5)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. フィルム状試料の表面を任意の曲率半径を保つ曲率面と
    する試料台と、その曲率面中心軸の水平方向から平行光
    を投光する光源と、光軸に対し垂直方向から試料表面を
    観察する観測器と、試料と」二記光源と上記観測器との
    相対的角度と観測位置を変換移動させるスキャナとより
    なり、試料の表面欠陥と周辺との変角反射又は透過特性
    の差異を利用して欠陥を識別することを特徴とするフィ
    ルムの表面欠陥検査器。
JP20764981A 1981-12-21 1981-12-21 フイルムの表面欠陥検査器 Pending JPS58106444A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05264468A (ja) * 1992-03-19 1993-10-12 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 多層半導体基板等における内部欠陥の検出方法及び装置
JP2023012290A (ja) * 2021-07-13 2023-01-25 株式会社メック 検査治具及び検査方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH05264468A (ja) * 1992-03-19 1993-10-12 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 多層半導体基板等における内部欠陥の検出方法及び装置
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