JPS58104094A - 原子層エピタキシヤル法 - Google Patents

原子層エピタキシヤル法

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JPS58104094A
JPS58104094A JP20129681A JP20129681A JPS58104094A JP S58104094 A JPS58104094 A JP S58104094A JP 20129681 A JP20129681 A JP 20129681A JP 20129681 A JP20129681 A JP 20129681A JP S58104094 A JPS58104094 A JP S58104094A
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JP
Japan
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atomic layer
layer
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atomic
semiconductor
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Pending
Application number
JP20129681A
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English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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Publication of JPS58104094A publication Critical patent/JPS58104094A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は原子層エピタキシオル法とその装置に関する。
最近、Ｔ、５ｕｎｔｏｌａ　　ｅｔ、ｍｌ。
−Ａｔｏｍｉｃ　　　Ｌａｙ　＠　ｒ　　　Ｉｐｉｔａ
ｘｙｆｏｒ　　　Ｐｒｏｄｕｏｉｎｇ　　　ＫＬ−Ｔｈ
ｉｎＦｉｌｍｓ、’１９８０　　８１Ｄ　　　工ｎｔｅ
ｒ−ｎａｔｉＯｎａｌ　　　Ｓｙｍｐｏｓｉｎｍ。
Ｄｉｇｅｓｔ　　　ｏｆ　　　Ｔｅ　　＠　ｈｎｉｏａ
ｌＰａｐｅｒｓ、Ｐ、Ｐ、ＩＱ８−１０９．ＡＰｒ、１
９８０．に示される如く、基板表面上に単原子層をエピ
タキシャル成長させる原子層エピタキシャル法が開発さ
れた。
しかし、上記従来技術では、成長される原子層の成分は
一元素に限られ、例えば導電型決定不純物元素原子を半
導体原子間に配する必要のある半導体装置用エピタキシ
ャル膜としては性能が充分に発揮される制限が加えられ
る欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、原子層エピ
タキシャルの一原子層内に導電型決定不純物を導入する
ことを目的とする。
上記、目的を達成するための本発明の基本的な構成は、
真空容器内に於て、一原子層内に二元素原子以上の原子
層を同時に形成する事を特徴とする原子層エピタキシャ
ル処理である事、および、真空容器内には同時に二元素
原子を含有する化合物ガス体を供給する供給部位を有す
る事を特徴とするか、あるいは、真空容器内には予じめ
二元素原子を含有する化合物ガス体を混合する混合部位
を有することを特徴とする装置であることである以下、
実施例を用いて本発明の詳細な説明する。いま、８１半
導体膜を原子層エピタキシャル法で形成する場合、８１
半導体膜に導電型決定不純物（Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｐ等）
を入れるには、第１図に示す如く、３１基板１上の８１
単原子層２上に導電型決定不純物原子層３を積み重ねる
しか方法がなかった。本発明では第２図に示す如く、８
１基板１１上の８１単原子層１２内に導電屋決定不□ 鈍物元素原子を同時に配す名ことにより、半導体層が縦
方向のみならず横方向にも導電型変化を利用した素子が
製作できるようになす。上記の如く、重原子層内に２元
素原子以上を含有させるには、Ｓｉ基板表面に予かしめ
２元素原子を含んだガス体化合物が供給されねばならな
い。そのために、８１０ｔ４以外にＢＯＩ、、ＰＯＩ、
等の化合やまたはその混合体や混成化合物を原子層エピ
タキシャル装置内に供給する供給ノズル口や蒸発源を設
ける必要がある。
更には、１原子層の原子間隔が基板原子の原子間隔と同
間隔に近い方が成長原子層の下地適ずい性が良好なとこ
ろから、Ｓｉの場合には８ｎ等の元素原子も同時に一原
子層内に含まれると、膜質が良好となる。
この様に、本発明によれば原子層エピタキシャル処理に
於て原子層内で２つ以上の元素原子を含んだ原子層が成
長可能となり、半導体装置等の製作時には導電決定型不
純物が横方向にも配した半導体層を応用した半導体装置
が製作できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術による原子エピタキシャル層の模式図
、第２図は本発明による原子エピタキシャル層の模式図
である。 １．１１・・・・・・半導体基板 ２．３．１２・・・・・・原子エピタキシャル層以上 出願人　株式会社腫訪精工舎 代理人　弁理士　最上　　務 第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　真空容器内に於て、一原子層内に二元素原子
    以上の原子層を同時に形成する事を特徴とする原子層エ
    ピタキシャル成長法。 ＋２）　　真空容器内には同時に二元素原子を含有する
    化合物ガス体を供給する供給部位を有する原子層エピタ
    キシャル装置。 （，１）　　真空容器内には予かしめ二元素原子を含有
    する化合物ガス体を混合する混合部位を有する原子層エ
    ピタキシャル装置。
JP20129681A 1981-12-14 1981-12-14 原子層エピタキシヤル法 Pending JPS58104094A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6364993A (ja) * 1986-09-08 1988-03-23 Res Dev Corp Of Japan 元素半導体単結晶薄膜の成長方法
JP2011254063A (ja) * 2010-05-01 2011-12-15 Tokyo Electron Ltd 薄膜の形成方法及び成膜装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6364993A (ja) * 1986-09-08 1988-03-23 Res Dev Corp Of Japan 元素半導体単結晶薄膜の成長方法
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