JPS58103165A - 3層4階構造の固体カラ−撮像デバイス - Google Patents
3層4階構造の固体カラ−撮像デバイスInfo
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- JPS58103165A JPS58103165A JP57181482A JP18148282A JPS58103165A JP S58103165 A JPS58103165 A JP S58103165A JP 57181482 A JP57181482 A JP 57181482A JP 18148282 A JP18148282 A JP 18148282A JP S58103165 A JPS58103165 A JP S58103165A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
- H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
-
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- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体カラー撮像デバイスに関し、さらに具体的
には、固体基板の上に重ねたII数の感光層を利用して
多色フィルターを不要とするFj14カッ−撮像デバイ
スに関する。
には、固体基板の上に重ねたII数の感光層を利用して
多色フィルターを不要とするFj14カッ−撮像デバイ
スに関する。
固体カラー撮像デバイスの分野での十分に認識された目
標は、極めて光に対して敏感であって製造コストが低い
にもかかわらず鮮明な像を生ずる固体カラー撮像デバイ
スを作ることである。この目標を目ざして多数の異なる
種類の固体カラー撮像デバイスが作られて来た。
標は、極めて光に対して敏感であって製造コストが低い
にもかかわらず鮮明な像を生ずる固体カラー撮像デバイ
スを作ることである。この目標を目ざして多数の異なる
種類の固体カラー撮像デバイスが作られて来た。
そのような撮像デバイスの一例において、配列にされた
全色撮像素子はこれらの配列の上に配置された色フィル
ターの複合的配列によって色に対して選択的に感するよ
うにされている。そのようなフィルター配列の極めて効
率的な構造は、色の微妙な差異についての人間の視覚に
基づく有用な情報の量を最大とする。このようなフィル
ター配列は例えば、1976年7月20日に発行されベ
イヤー(may@r)氏に付与された米国特許第3.9
71.065号や1977年9月6日に発行されディロ
ン(D 1110 m)氏に付与された米国特許第4,
047,203号に記載されている。しかしながら、そ
のような配列に固有な解像度は配列に置くことができる
撮像素子の個数で制限されるだけでなく、配列内の各素
子の一部分だけが微細な解像度に寄与するのでさらに制
限される。従ってそのような複合的フィルターのカラー
撮像素子の配列の空間解像度は特定の構造について最適
化されるが、同じ数の素子の単色撮像配列はどは高くな
い。
全色撮像素子はこれらの配列の上に配置された色フィル
ターの複合的配列によって色に対して選択的に感するよ
うにされている。そのようなフィルター配列の極めて効
率的な構造は、色の微妙な差異についての人間の視覚に
基づく有用な情報の量を最大とする。このようなフィル
ター配列は例えば、1976年7月20日に発行されベ
イヤー(may@r)氏に付与された米国特許第3.9
71.065号や1977年9月6日に発行されディロ
ン(D 1110 m)氏に付与された米国特許第4,
047,203号に記載されている。しかしながら、そ
のような配列に固有な解像度は配列に置くことができる
撮像素子の個数で制限されるだけでなく、配列内の各素
子の一部分だけが微細な解像度に寄与するのでさらに制
限される。従ってそのような複合的フィルターのカラー
撮像素子の配列の空間解像度は特定の構造について最適
化されるが、同じ数の素子の単色撮像配列はどは高くな
い。
英国特許第2,029,642号および特開昭55−3
9404号、55−277772号、55−27777
5号、51−95720号で提案された別の構造は、ス
イッチング機能を果たすことができる情報転送デバイス
または固体基板の上に感光素子が重ねられるように作ら
れる。この基板はMOBスイッチング素子またはOOD
(電荷結合デバイス)スイッチング素子である。その
ような素子は英国特許第2,029,642号に詳細に
記載されており、その内容を参考として本明細書に記載
する。そのような構造は、感光素子が情報転送デバイス
と同じ高さに配置された通常の撮像デバイスよりも感光
面積が大きいことによって潜在的に高い感度を有する。
9404号、55−277772号、55−27777
5号、51−95720号で提案された別の構造は、ス
イッチング機能を果たすことができる情報転送デバイス
または固体基板の上に感光素子が重ねられるように作ら
れる。この基板はMOBスイッチング素子またはOOD
(電荷結合デバイス)スイッチング素子である。その
ような素子は英国特許第2,029,642号に詳細に
記載されており、その内容を参考として本明細書に記載
する。そのような構造は、感光素子が情報転送デバイス
と同じ高さに配置された通常の撮像デバイスよりも感光
面積が大きいことによって潜在的に高い感度を有する。
しかし、そのようなデバイスは多色フィルターを利用し
なければならず、解像度の低下は前述の通常の固体撮像
デバイスに匹敵する・さらに、そのような構造を作るた
めには色フィルターを撮像素子の上に特定のパターンで
配置しなければならず、それによって色フィルターの整
列と結合が困難となり、結果としてそのようなデバイス
の製造が複雑で高価となる。
なければならず、解像度の低下は前述の通常の固体撮像
デバイスに匹敵する・さらに、そのような構造を作るた
めには色フィルターを撮像素子の上に特定のパターンで
配置しなければならず、それによって色フィルターの整
列と結合が困難となり、結果としてそのようなデバイス
の製造が複雑で高価となる。
ビジコンで色フィルターを除来する技術はカドー氏らの
米国特許第3,617,755号に記載されている。こ
のビジコンは、光強度を表わす電気信号を蓄積する多数
の1mダイオード上に基板を有する通常の半導体層を含
む。ビデオ情報を取り出すために電子ビームが1mダイ
オードを走査する。
米国特許第3,617,755号に記載されている。こ
のビジコンは、光強度を表わす電気信号を蓄積する多数
の1mダイオード上に基板を有する通常の半導体層を含
む。ビデオ情報を取り出すために電子ビームが1mダイ
オードを走査する。
pHダイオードに達する光が通過する半導体1板の厚さ
を階段状にすることによって、階段の大きさにより興な
る波長の光がpHダイオードに当たる。このようにして
異なるグループの1mダイオードは興なる色の光を蓄積
することができる。これに代わって、pmダイオードを
表面から一様でない深さに形成することによって、実質
的に基板の厚さを階段状にすることができる。別の実施
例においては、電子ビーム走査の代わりに固体走査を利
用することができる。そこでは接合デバイスとMO8素
子が各画素に利用され、基板の選択的なエツチングの結
果として半導体基板の受光面と画素の接合デバイスの間
の距離が一様でなくなる。
を階段状にすることによって、階段の大きさにより興な
る波長の光がpHダイオードに当たる。このようにして
異なるグループの1mダイオードは興なる色の光を蓄積
することができる。これに代わって、pmダイオードを
表面から一様でない深さに形成することによって、実質
的に基板の厚さを階段状にすることができる。別の実施
例においては、電子ビーム走査の代わりに固体走査を利
用することができる。そこでは接合デバイスとMO8素
子が各画素に利用され、基板の選択的なエツチングの結
果として半導体基板の受光面と画素の接合デバイスの間
の距離が一様でなくなる。
この開示された装置は階段状のまたは切除された形状に
よって平担でなく、光応答素子として光導電体を利用す
るデバイスにもたらされる利点を有しない。
よって平担でなく、光応答素子として光導電体を利用す
るデバイスにもたらされる利点を有しない。
潜在的な解像度が同じ大きさの単色配列の解像度に等し
い固体カラー−イメージセンサ−・アレイが開発された
。そのようなイメージセンサ−・アレイは、各チャンネ
ルが半導体材料による光の興なる吸収によって興なるス
ペクトル応答を有する重ねられた複数のチャンネル(例
えば、6色デバイスについては3つのチャンネルが重ね
られる)を有する。(英国P0911F、ハンプシャー
州、ハパント、ハネウェル(Hampshir*、Ha
vamt%Honeywell)のインダストリアルー
オプチューニティズ社(工nduatreal Op
p@rtunities Lta、)から入手でき、
「カラ一応答00D撮像デバイスJという表題を付され
た1978年8月号172巻、公開番号17240の研
究公開書を参照のこと。)しかしながら、3つのチャン
ネルを重ねる必要性によって、そのようなデバイスを製
造するには極めて複雑で高価な方法が必要である。aa
D(電荷結合デバイス)を利用すると、情報信号を運ぶ
チャンネルを厳密な制限の下で注意深く作らなければな
らないので、製造が複雑かつ高価なものとなる。基鈑上
に単一チャンネルを作ることは可能であるが、別のチャ
ンネルをその上に重ねることは複雑で内傾である。
い固体カラー−イメージセンサ−・アレイが開発された
。そのようなイメージセンサ−・アレイは、各チャンネ
ルが半導体材料による光の興なる吸収によって興なるス
ペクトル応答を有する重ねられた複数のチャンネル(例
えば、6色デバイスについては3つのチャンネルが重ね
られる)を有する。(英国P0911F、ハンプシャー
州、ハパント、ハネウェル(Hampshir*、Ha
vamt%Honeywell)のインダストリアルー
オプチューニティズ社(工nduatreal Op
p@rtunities Lta、)から入手でき、
「カラ一応答00D撮像デバイスJという表題を付され
た1978年8月号172巻、公開番号17240の研
究公開書を参照のこと。)しかしながら、3つのチャン
ネルを重ねる必要性によって、そのようなデバイスを製
造するには極めて複雑で高価な方法が必要である。aa
D(電荷結合デバイス)を利用すると、情報信号を運ぶ
チャンネルを厳密な制限の下で注意深く作らなければな
らないので、製造が複雑かつ高価なものとなる。基鈑上
に単一チャンネルを作ることは可能であるが、別のチャ
ンネルをその上に重ねることは複雑で内傾である。
前記の公開番号17240に記載されたようなデバイス
は、重ねられた多チャンネルのカラー撮像デバイスとし
て働くことができる重ねられた多数の異なるチャンネル
をシリコン結晶に作ることは可能であることを示唆して
いる。しかし、前述のようにそれを作ることが高価で複
雑であることに加えて、使用する材料の本質的な限界に
よってこのようなデバイスの色分解と選択度は低い。そ
のようなデバイスを作るのに使用する材料は、色選択感
光素子に加えて良好な単結晶特性を有しなければならな
いOODチャンネルとして働く。
は、重ねられた多チャンネルのカラー撮像デバイスとし
て働くことができる重ねられた多数の異なるチャンネル
をシリコン結晶に作ることは可能であることを示唆して
いる。しかし、前述のようにそれを作ることが高価で複
雑であることに加えて、使用する材料の本質的な限界に
よってこのようなデバイスの色分解と選択度は低い。そ
のようなデバイスを作るのに使用する材料は、色選択感
光素子に加えて良好な単結晶特性を有しなければならな
いOODチャンネルとして働く。
前述のように当業界では、極めて光に敏感で像を鮮明に
細かく分解する固体カラー撮像デバイスを必要としてい
る。多色フィルターが配列にされた撮像素子の上に重ね
られるデバイスを利用すると、その結果として生ずる像
は米国特許第6,971.065号に記載されているよ
うに、低い解像度と低い選択度を有すると共に、多色フ
ィルターを精密に配置する必要性から製造が複雑で高価
につく。英国特許第2,029,642号に記載されて
いるように、感光素子が情報転送デバイスの上に重ねら
れたデバイスを利用することによって、選択度を上げる
ことができる。しかし、そのようなデバイスはやはり製
造の複雑さとコストを上げる多色複合フィルターを使用
しなければならないため、解像度になおある程度の限界
がある。複数の重ねられたチャンネルのセンサー・アレ
イを有するデバイスを利用することによって、単色アレ
イの解像度に等しい解像度を得ることが可能である。し
かし、それぞれの上に3つのチャンネルを重ねるために
は、複雑で高価な製造技術を利用しなければならない。
細かく分解する固体カラー撮像デバイスを必要としてい
る。多色フィルターが配列にされた撮像素子の上に重ね
られるデバイスを利用すると、その結果として生ずる像
は米国特許第6,971.065号に記載されているよ
うに、低い解像度と低い選択度を有すると共に、多色フ
ィルターを精密に配置する必要性から製造が複雑で高価
につく。英国特許第2,029,642号に記載されて
いるように、感光素子が情報転送デバイスの上に重ねら
れたデバイスを利用することによって、選択度を上げる
ことができる。しかし、そのようなデバイスはやはり製
造の複雑さとコストを上げる多色複合フィルターを使用
しなければならないため、解像度になおある程度の限界
がある。複数の重ねられたチャンネルのセンサー・アレ
イを有するデバイスを利用することによって、単色アレ
イの解像度に等しい解像度を得ることが可能である。し
かし、それぞれの上に3つのチャンネルを重ねるために
は、複雑で高価な製造技術を利用しなければならない。
本発明は相互の上と基板の上に重ねられる複数の感光層
を利用して感度を増大させる。さらに本発明は、各感光
層が巣なる色の光を検出するので、多色複合フィルター
を必要としない。本発明に基づくデバイスは同じ大きさ
の単色アレイの解像度と同じ解像度を有し、しかも簡単
で通常の安価な技術で製造することができる。
を利用して感度を増大させる。さらに本発明は、各感光
層が巣なる色の光を検出するので、多色複合フィルター
を必要としない。本発明に基づくデバイスは同じ大きさ
の単色アレイの解像度と同じ解像度を有し、しかも簡単
で通常の安価な技術で製造することができる。
本発明は、通常の真空蒸着技術やスパッタリング技術の
ような簡単で安価な通常の技術を利用して製造すること
ができる固体カラー撮像デバイスを提供するものである
。このデバイスは光に対して極めて敏感であり、人間の
目の特性を考慮して望ましいほど高い解像度を有する像
を作る。マFリツクスにされた個々のカラー素子の光検
出面積は、同じ大きさであるが光導電層と多色フィルタ
ーを1つづつ有する固体撮像デバイスの面積の3倍まで
増すことができる。像解像度もまた、同じ個数の素子を
有する従来の単色固体撮像デバイスの解像度に匹敵する
。
ような簡単で安価な通常の技術を利用して製造すること
ができる固体カラー撮像デバイスを提供するものである
。このデバイスは光に対して極めて敏感であり、人間の
目の特性を考慮して望ましいほど高い解像度を有する像
を作る。マFリツクスにされた個々のカラー素子の光検
出面積は、同じ大きさであるが光導電層と多色フィルタ
ーを1つづつ有する固体撮像デバイスの面積の3倍まで
増すことができる。像解像度もまた、同じ個数の素子を
有する従来の単色固体撮像デバイスの解像度に匹敵する
。
本発明に基づくデバイスは、電荷を処理する固体基板と
、光を検出するよう固体基板に重ねられた複数の感光層
より成る。固体基板は、重ねられるチャンネル情報デバ
イスから区別できる0OD(電荷結合デバイス)やMO
Sのような2次元情報デバイスならばどんな種類のもの
であってもよい。固体基板の上で互いに重ねられる感光
層の各々は、上部の連続的で透明な電極層と、背部電極
のモザイク・パターンと、これらの間に配置された感光
小鳩の6つの全層より成る。全層の各々の背部電極は、
MOSやOODやその他のスイッチング素子のソース端
子やドレイン端子のような固体基板に電気的に接続され
ている。/[ffi光層の各々は、他の層から電気的に
絶縁されていると共に、電気結線を介した点以外のすべ
ての点で固体基板から電気的に絶縁されている。
、光を検出するよう固体基板に重ねられた複数の感光層
より成る。固体基板は、重ねられるチャンネル情報デバ
イスから区別できる0OD(電荷結合デバイス)やMO
Sのような2次元情報デバイスならばどんな種類のもの
であってもよい。固体基板の上で互いに重ねられる感光
層の各々は、上部の連続的で透明な電極層と、背部電極
のモザイク・パターンと、これらの間に配置された感光
小鳩の6つの全層より成る。全層の各々の背部電極は、
MOSやOODやその他のスイッチング素子のソース端
子やドレイン端子のような固体基板に電気的に接続され
ている。/[ffi光層の各々は、他の層から電気的に
絶縁されていると共に、電気結線を介した点以外のすべ
ての点で固体基板から電気的に絶縁されている。
本発明の主要な目的は、複数の感光層が上に重ねられた
固体基板より成る固体カッ−撮像デバイスを提供するこ
とであり、各感光層はこれから受は取った電荷を読み出
すことができる基板に電気的に接続され、各類に並んだ
感光層は順により広い帯域の光に敏感でそれを吸収する
。
固体基板より成る固体カッ−撮像デバイスを提供するこ
とであり、各感光層はこれから受は取った電荷を読み出
すことができる基板に電気的に接続され、各類に並んだ
感光層は順により広い帯域の光に敏感でそれを吸収する
。
本発明の別の目的は、多色フィルターを必要とすること
なく製造することができる固体カラー撮像デバイスを提
供することである。
なく製造することができる固体カラー撮像デバイスを提
供することである。
本発明のさらに別の目的は、光に対して極めて敏感な固
体カラー撮像デバイスを提供することである。
体カラー撮像デバイスを提供することである。
本発明のさらに別の目的は、高い解像度で像を生ずるこ
とができる固体カフ−撮像デバイスを提供することであ
る。
とができる固体カフ−撮像デバイスを提供することであ
る。
本発明のさらに別の目的は、簡単で安価に製造すること
ができる固体カッ−撮像デバイスを提供することである
。
ができる固体カッ−撮像デバイスを提供することである
。
本発明の前述の目的とそれ以外の目的および利点は、同
−数字が全図を通じて同一部分を示し本明細書の一部を
成す添付図面を参照して下に詳細に記載した構造の細部
と使用法を当業者が読めばわかるものである。
−数字が全図を通じて同一部分を示し本明細書の一部を
成す添付図面を参照して下に詳細に記載した構造の細部
と使用法を当業者が読めばわかるものである。
本発明の固体カラー撮像デバイスの実施図を説明する前
に、そのようなデバイスには変更を加えることができる
ので、本発明は図示の構成要素の特定の配列に限定され
ない、と理解すべきである。
に、そのようなデバイスには変更を加えることができる
ので、本発明は図示の構成要素の特定の配列に限定され
ない、と理解すべきである。
また、この明細書で使用する用語は特定の実施例を説明
するためのものであって限定的な意味で使用するもので
はない。
するためのものであって限定的な意味で使用するもので
はない。
次に第1図を参照すると、基板の上に重ねられた感光素
子を有する形式の、従来の固体カッ−撮像デバイスが示
されている。第1図は従来の固体カラー撮像デバイスの
分解斜視図である。基板2には感光層3が重ねられてい
る。基板2は多数のMolスイッチング素子6.7,8
,9,10゜11を含む。第1図はそのような撮像デバ
イスが含むものの一部を示しているに過ぎない。実際に
、撮像デバイスはMOs素子を数千個含む。素子6゜7
.8.9,10.11は、例えばそれぞれ赤、緑、青、
青、赤、緑の各党に関連して各種のスイッチング機能と
転送機能のために利用される。素子6−11の各々はソ
ース端子12とドレイン端子16を含む。
子を有する形式の、従来の固体カッ−撮像デバイスが示
されている。第1図は従来の固体カラー撮像デバイスの
分解斜視図である。基板2には感光層3が重ねられてい
る。基板2は多数のMolスイッチング素子6.7,8
,9,10゜11を含む。第1図はそのような撮像デバ
イスが含むものの一部を示しているに過ぎない。実際に
、撮像デバイスはMOs素子を数千個含む。素子6゜7
.8.9,10.11は、例えばそれぞれ赤、緑、青、
青、赤、緑の各党に関連して各種のスイッチング機能と
転送機能のために利用される。素子6−11の各々はソ
ース端子12とドレイン端子16を含む。
感光層6は後述する3つの全層より成る。底の全層つま
り底の背部のモザイク状電極つまり層3の最も内側の全
層はすべて素子6−11に電気的に接続されている。感
光層6の上に重ねられているのは、それぞれ素子6,7
.8,9.10.11に対応するフィルター素子14.
15.16.17゜18.19である。フィルター素子
14−19は、単色光を除いてすべての光を透過させな
いようにするために利用される。従って例えば、前述の
素子6−11のスイッチング機能と転送機能に対応して
、フィルター素子14は赤色光を除いてすべての光を透
過させないようにするために使用され、フィルター素子
15は緑色光を除いてすべての光を透過させないように
し、フィルター16は青色光を除いてすべての光を透過
させないようにする。
り底の背部のモザイク状電極つまり層3の最も内側の全
層はすべて素子6−11に電気的に接続されている。感
光層6の上に重ねられているのは、それぞれ素子6,7
.8,9.10.11に対応するフィルター素子14.
15.16.17゜18.19である。フィルター素子
14−19は、単色光を除いてすべての光を透過させな
いようにするために利用される。従って例えば、前述の
素子6−11のスイッチング機能と転送機能に対応して
、フィルター素子14は赤色光を除いてすべての光を透
過させないようにするために使用され、フィルター素子
15は緑色光を除いてすべての光を透過させないように
し、フィルター16は青色光を除いてすべての光を透過
させないようにする。
層6の内部での感光機能が基板2の内部でのスイッチン
グ機能と転送機能から区別されるので、第1図に示して
いるデバイスは、感光機能がスイッチング機能、転送機
能と同じレベルで実行され、る従来のデバイスよりもず
っと光に対して*Sである。しかしながら、第1図に示
しているデバイスはなおも多色アイ#ター素子14−1
9を使用することを必要とし、そのようなフィルター素
子は精密な配置を必要とするので、このデバイスの製造
は多少高価となる。フィルター素子14−19は、背部
の電極によってそれぞれ形成されている感光部分20,
21,22,23.24.25に光が辿する前に、光を
運勢するのに利用される。
グ機能と転送機能から区別されるので、第1図に示して
いるデバイスは、感光機能がスイッチング機能、転送機
能と同じレベルで実行され、る従来のデバイスよりもず
っと光に対して*Sである。しかしながら、第1図に示
しているデバイスはなおも多色アイ#ター素子14−1
9を使用することを必要とし、そのようなフィルター素
子は精密な配置を必要とするので、このデバイスの製造
は多少高価となる。フィルター素子14−19は、背部
の電極によってそれぞれ形成されている感光部分20,
21,22,23.24.25に光が辿する前に、光を
運勢するのに利用される。
各Mos素子6−11、感光部分20−25およびフィ
ルター14−19の組合せは、当業界で画素というもの
を形成する。従って、1IIi1図に示されているデバ
イス部分は6個の画素を示している。本発明は多色フィ
″ルターを不要としながら、6個の画素あるいは2組の
画素と後述するものを含む同じ大きさの基板2を利用す
るデバイスを製造することができる。
ルター14−19の組合せは、当業界で画素というもの
を形成する。従って、1IIi1図に示されているデバ
イス部分は6個の画素を示している。本発明は多色フィ
″ルターを不要としながら、6個の画素あるいは2組の
画素と後述するものを含む同じ大きさの基板2を利用す
るデバイスを製造することができる。
次に1128!!Iを参照すると、ここには本発明に基
ツくデバイスの分解斜視図が示されている。この撮像デ
バイスは、MO8素子6.7.8.9.10゜11が上
に配置された基板2を含む。感光層3゜4.5は基板2
の上に重ねられている。層3,4゜5の各々は、第3図
に関連してさらに詳細に説明するI!!数の不要より成
る。12図は第1図のように、数千の同じ部分から虞る
撮像デバイスのほんの一部分を示しているのに過ぎない
。
ツくデバイスの分解斜視図が示されている。この撮像デ
バイスは、MO8素子6.7.8.9.10゜11が上
に配置された基板2を含む。感光層3゜4.5は基板2
の上に重ねられている。層3,4゜5の各々は、第3図
に関連してさらに詳細に説明するI!!数の不要より成
る。12図は第1図のように、数千の同じ部分から虞る
撮像デバイスのほんの一部分を示しているのに過ぎない
。
層3は感光素子26と27を含み、層4は感光素子28
と29を含み、層5は感光素子3oと31を含む・素子
26−31の各々は基板2のMol素子の1つに接続さ
れている。素子26.28゜30は素子27,29.3
1のように互いの上に重ねられている。層5.4.5が
感光素子28゜29等より成ると記載すれば、本発明を
理解することがより容易となるけれども、各層において
は上部の電極不要と光導電不要が穴を通した部分を除い
て連続的な層であるのが好ましいと理解されるべきであ
る。底部のモザイク状電極不要は連続的でなく、各感光
素子の境界を形成している。
と29を含み、層5は感光素子3oと31を含む・素子
26−31の各々は基板2のMol素子の1つに接続さ
れている。素子26.28゜30は素子27,29.3
1のように互いの上に重ねられている。層5.4.5が
感光素子28゜29等より成ると記載すれば、本発明を
理解することがより容易となるけれども、各層において
は上部の電極不要と光導電不要が穴を通した部分を除い
て連続的な層であるのが好ましいと理解されるべきであ
る。底部のモザイク状電極不要は連続的でなく、各感光
素子の境界を形成している。
素子26.28.30はそれぞれMO8素子10゜6.
9に接続されている。MO8素子10.6゜9と感光素
子26,28.30の組合せは、いわゆる1組の画素と
いうものを構成している。第2図には2組の画素が示さ
れている。MO1l素子は第2図にL字形のパターンに
配置されている。しかしながら、MO8素子は直線状の
ような任意の個数のパターンに配置することができ、様
々な異なるやり方で背部電極に接続することができる。
9に接続されている。MO8素子10.6゜9と感光素
子26,28.30の組合せは、いわゆる1組の画素と
いうものを構成している。第2図には2組の画素が示さ
れている。MO1l素子は第2図にL字形のパターンに
配置されている。しかしながら、MO8素子は直線状の
ような任意の個数のパターンに配置することができ、様
々な異なるやり方で背部電極に接続することができる。
次に、本発明の撮像デバイスの縦断面平面図である第3
図を参照して、層3,4.5を詳細に説明する。すでに
指摘したように、各感光層3−5は6つの不要より成る
。層3は不要32.33゜64を含む。層4は不要35
,36,37を含み、Nll5は不要38,39.40
を含む。層3は絶縁物層41によって基板2から絶縁さ
れている。層3は絶縁物層42によって層4から絶縁さ
れ、層4は絶縁物層46によって層5から絶縁されてい
る。従って、層6−5の各々は互いに電気的に絶縁され
ていると共に、寛気配N44,45.46を介した点を
除いたすべての点で基板2から絶縁されている。
図を参照して、層3,4.5を詳細に説明する。すでに
指摘したように、各感光層3−5は6つの不要より成る
。層3は不要32.33゜64を含む。層4は不要35
,36,37を含み、Nll5は不要38,39.40
を含む。層3は絶縁物層41によって基板2から絶縁さ
れている。層3は絶縁物層42によって層4から絶縁さ
れ、層4は絶縁物層46によって層5から絶縁されてい
る。従って、層6−5の各々は互いに電気的に絶縁され
ていると共に、寛気配N44,45.46を介した点を
除いたすべての点で基板2から絶縁されている。
感光層3は上部の透明な電極不要64と底部のモザイク
吠の透明な電極不要32を含む。光導電物質の不要53
は不要32と34の間に配置されている。層4と5は層
3&′同じ構成要素を含む。
吠の透明な電極不要32を含む。光導電物質の不要53
は不要32と34の間に配置されている。層4と5は層
3&′同じ構成要素を含む。
しかし層4と5の内部のそれぞれの底部モザイク状電極
不要35と66は、層3の不透明な電極不要32とは異
なって透明でなければならない。さらに、層3,4.5
の各々は、第5−50図に関連して詳細に説明するよう
に、異なる色の光に敏感でそれを吸収することができる
ように作られている。
不要35と66は、層3の不透明な電極不要32とは異
なって透明でなければならない。さらに、層3,4.5
の各々は、第5−50図に関連して詳細に説明するよう
に、異なる色の光に敏感でそれを吸収することができる
ように作られている。
第2および第6図に示しているようにデバイスを作るこ
とによって、誓合多色フィルターの配列を不要とするこ
とが可能となる。さらに具体的に説明すると、本発明に
基づくデバイスは第1図に示された米国特許第3.97
1,065号や米国特許第4,047,203号に開示
されているようなフィルター・アレイ構造を必要としな
い。本発明に基づくデバイスは固体デバイスの上に複合
(多色)カラーフィルターを必要としないので、本発明
に基づくデバイスは比較的低コストで比較的簡単に製造
することができる。
とによって、誓合多色フィルターの配列を不要とするこ
とが可能となる。さらに具体的に説明すると、本発明に
基づくデバイスは第1図に示された米国特許第3.97
1,065号や米国特許第4,047,203号に開示
されているようなフィルター・アレイ構造を必要としな
い。本発明に基づくデバイスは固体デバイスの上に複合
(多色)カラーフィルターを必要としないので、本発明
に基づくデバイスは比較的低コストで比較的簡単に製造
することができる。
本発明に基づくデバイスは全くフィルターを必要とする
ことなく動作することができるが、鰻も外側の感光層5
の上に重ねられた広帯域型フィルターを1つ利用するこ
とが可能である。そのようなフィルターは、4000ム
以下または7700^以上の波長を有する光、すなわち
、紫外光や赤外光、のように人間の目に見えない光を遮
弊するように設計す゛ることかできる。
ことなく動作することができるが、鰻も外側の感光層5
の上に重ねられた広帯域型フィルターを1つ利用するこ
とが可能である。そのようなフィルターは、4000ム
以下または7700^以上の波長を有する光、すなわち
、紫外光や赤外光、のように人間の目に見えない光を遮
弊するように設計す゛ることかできる。
次に第4図を参照すると、本発明に基づく撮像デバイス
の斜視図を見ることができる。第4図に示されているよ
うに、光は最も外側の層5の上面に当たる。後に詳細に
説明するように、光の一部は層5によって吸収され、吸
収されなかった光は層4に当たってさらに光が吸収され
、残りの光は層3に当たる。層3の背部電極小鳩33は
不透明であるので、基部2には光が当たらない。
の斜視図を見ることができる。第4図に示されているよ
うに、光は最も外側の層5の上面に当たる。後に詳細に
説明するように、光の一部は層5によって吸収され、吸
収されなかった光は層4に当たってさらに光が吸収され
、残りの光は層3に当たる。層3の背部電極小鳩33は
不透明であるので、基部2には光が当たらない。
15図を第5a−5o図と組合わせて参照して本発明の
撮像デバイスの動作を詳細に説明する。
撮像デバイスの動作を詳細に説明する。
第5図は第sv!Jに示しているものと同じデバイスの
縦断面図であるが、小鳩を示していないなどのように簡
略化して示している。第5a、5におよび5o図はそれ
ぞれ、層5,4および6の内部で吸収され検出される光
に関して波長対吸収と波長対光導電率の両方をプロット
したグラフである。
縦断面図であるが、小鳩を示していないなどのように簡
略化して示している。第5a、5におよび5o図はそれ
ぞれ、層5,4および6の内部で吸収され検出される光
に関して波長対吸収と波長対光導電率の両方をプロット
したグラフである。
層5が応答する波長領域での光が層5に当たると、光導
電不要36(第3図参照)の抵抗は特定の素子30(第
2図参照)で減少する。この減少した抵抗は、基板2の
内部でMO3素子9と組合わせて電極不要40と68を
利用することによって電気的に検出して記録することが
できる。光の検出に関連して実行される電気抵抗の減少
を記録する特定の方法は本発明の一部分ではなく、当業
者に良く知られている。この減少した抵抗は、層5の素
子60に当たる青色光の強度を表わす(第5&図参m>
。さらに、第5a図の吸収曲線によって示されているよ
うに、層5は青色領域のみの光を吸収する。層5を通過
する光はスペクトルの緑色部分と赤色部分を含むだけで
ある。層5は5oooiかそれ以下の波長を有するすべ
ての光を吸収して残りの光が層4に達するようにする。
電不要36(第3図参照)の抵抗は特定の素子30(第
2図参照)で減少する。この減少した抵抗は、基板2の
内部でMO3素子9と組合わせて電極不要40と68を
利用することによって電気的に検出して記録することが
できる。光の検出に関連して実行される電気抵抗の減少
を記録する特定の方法は本発明の一部分ではなく、当業
者に良く知られている。この減少した抵抗は、層5の素
子60に当たる青色光の強度を表わす(第5&図参m>
。さらに、第5a図の吸収曲線によって示されているよ
うに、層5は青色領域のみの光を吸収する。層5を通過
する光はスペクトルの緑色部分と赤色部分を含むだけで
ある。層5は5oooiかそれ以下の波長を有するすべ
ての光を吸収して残りの光が層4に達するようにする。
さらに、層5は5oooiかそれ以下の波長を有する光
に敏感である。
に敏感である。
層4が応答する波長領域の光が層4に当たると、感光不
着66(第3図参照)の抵抗は素子28(第2図参照)
で減食する。この抵抗の減少によって前述のように電流
が変化する。従って、感光素子28に当たる緑色光はM
O8素子6に関連して検出することができる。層4につ
いての吸収曲線によって示されているように、層4はま
た緑色像域の光を吸収する。層4の内部の物質は実際に
は青色と緑色の光を吸収しようとするが、青色光は層5
によって吸収または遮弊されてしまっている。従って層
4と5の組合わせによって、青色光と緑色光の全部が遮
弊されて赤色光のみが透過する0層4は6oooRかそ
れ以下の波長を有する光を遮弊し、6000ムかそれ以
下の波長を有する光に敏感である。しかし、5oooK
かそれ以下の波長を有する光が層5によって遮弊されて
しまっているので、層4には5000にと6000;の
間の波長を有する光、つまり緑色光、が当たり、層4は
この緑色光に反応する。
着66(第3図参照)の抵抗は素子28(第2図参照)
で減食する。この抵抗の減少によって前述のように電流
が変化する。従って、感光素子28に当たる緑色光はM
O8素子6に関連して検出することができる。層4につ
いての吸収曲線によって示されているように、層4はま
た緑色像域の光を吸収する。層4の内部の物質は実際に
は青色と緑色の光を吸収しようとするが、青色光は層5
によって吸収または遮弊されてしまっている。従って層
4と5の組合わせによって、青色光と緑色光の全部が遮
弊されて赤色光のみが透過する0層4は6oooRかそ
れ以下の波長を有する光を遮弊し、6000ムかそれ以
下の波長を有する光に敏感である。しかし、5oooK
かそれ以下の波長を有する光が層5によって遮弊されて
しまっているので、層4には5000にと6000;の
間の波長を有する光、つまり緑色光、が当たり、層4は
この緑色光に反応する。
第5e図に示されているように、層3はすべての可視光
を吸収し、多少すべての可視光に敏感である。しかし層
3は、スペクトルの赤色部分の光に最も敏感である。す
でに説明したように、層5はすてに青色光を吸収し、層
4はすでに緑色光を吸収している。従って、赤色光のみ
が層3に当たる、赤色光が層3に当たると、感光不着3
3(第6閣#闇)の抵抗は特定の素子26(第2図参照
)で減少する。この抵抗の減少によって電流は前述のよ
うに羨化し、それによって電気インパ慶スによる光の検
出が可能となる。層5の背部電極小層32(第3図参照
)は不透明であるので、基部2には全く光が当たらない
、背部のモザイク状電極不要62は撮像デバイスの各層
のなかで唯一の不透明な小層である。他の小層はすべて
、少なくとも次の小層に通そうとする波長の光に対して
透明である。
を吸収し、多少すべての可視光に敏感である。しかし層
3は、スペクトルの赤色部分の光に最も敏感である。す
でに説明したように、層5はすてに青色光を吸収し、層
4はすでに緑色光を吸収している。従って、赤色光のみ
が層3に当たる、赤色光が層3に当たると、感光不着3
3(第6閣#闇)の抵抗は特定の素子26(第2図参照
)で減少する。この抵抗の減少によって電流は前述のよ
うに羨化し、それによって電気インパ慶スによる光の検
出が可能となる。層5の背部電極小層32(第3図参照
)は不透明であるので、基部2には全く光が当たらない
、背部のモザイク状電極不要62は撮像デバイスの各層
のなかで唯一の不透明な小層である。他の小層はすべて
、少なくとも次の小層に通そうとする波長の光に対して
透明である。
前述のような特定の吸収性と光導電性を有する43.4
.5を利用することによって、撮像デバイスのどの特定
の領域に当たる光も精密に検出すると共に、その領域に
当たる光の波長、従って色、を測定することが可能であ
る。感光素子の各々に当たる光の強度もまた、それぞれ
の感光層の抵抗の変化の程度によって測定することがで
きる。層3.4.5は抵抗の小変動を測定することがで
きるように作られているので、感光層のどの特定の素子
に当たるどの特定の波長の光の相対強度も基板2に関連
して電子手段で検出し記録することができる。
.5を利用することによって、撮像デバイスのどの特定
の領域に当たる光も精密に検出すると共に、その領域に
当たる光の波長、従って色、を測定することが可能であ
る。感光素子の各々に当たる光の強度もまた、それぞれ
の感光層の抵抗の変化の程度によって測定することがで
きる。層3.4.5は抵抗の小変動を測定することがで
きるように作られているので、感光層のどの特定の素子
に当たるどの特定の波長の光の相対強度も基板2に関連
して電子手段で検出し記録することができる。
本明細書に開示したカラー撮像デバイスを様々な異なる
実施例で製造することができる。構造上の詳細は示さな
いけれども、撮像アレイは前述の英国特許に示されてい
るように製造することができる。ただし、6つの感光層
と、各感光層の底部電極を半導体基板上のMO8素子に
接続するための開口を設けるための変更が必要である。
実施例で製造することができる。構造上の詳細は示さな
いけれども、撮像アレイは前述の英国特許に示されてい
るように製造することができる。ただし、6つの感光層
と、各感光層の底部電極を半導体基板上のMO8素子に
接続するための開口を設けるための変更が必要である。
給2.3.4.5図に示し、第5m−5e図に関連して
説明した実施例は本発明の好適な実施例と考えられる。
説明した実施例は本発明の好適な実施例と考えられる。
上部の層5は青色光を検出し吸収し、中央の層4は少な
くとも緑色光を検出し吸収し、底の層6は少なくとも赤
色光を検出しすべての光を吸収する。光を検出し吸収す
ることができるように層4と5を製造することによって
、これらの層はセンナ−とフィルターの両方として働く
。
くとも緑色光を検出し吸収し、底の層6は少なくとも赤
色光を検出しすべての光を吸収する。光を検出し吸収す
ることができるように層4と5を製造することによって
、これらの層はセンナ−とフィルターの両方として働く
。
従って、興なる色の光を検出する能力は保たれながら、
複合配列に配置しなければならない多色フィルターは不
要となった。
複合配列に配置しなければならない多色フィルターは不
要となった。
第5図に示され第5m−5o図に関連して説明したデバ
イスは、異なる最終結果を得るために様々に製造するこ
とができる。このように働くことを意図したデバイスを
製造するとき、感光層の各々の内部の物質に加えて絶縁
層内の絶縁物質は特定のやり方で製造しなければならな
い。
イスは、異なる最終結果を得るために様々に製造するこ
とができる。このように働くことを意図したデバイスを
製造するとき、感光層の各々の内部の物質に加えて絶縁
層内の絶縁物質は特定のやり方で製造しなければならな
い。
層41,42.43の内部の絶縁物質は、5i02.8
13 M、、 ボリイ之ド、ポリアミド、光硬化性樹脂
またはその他の公知の有機重合体のような多数の電気絶
縁材から選択する。
13 M、、 ボリイ之ド、ポリアミド、光硬化性樹脂
またはその他の公知の有機重合体のような多数の電気絶
縁材から選択する。
最も上の感光層5は青色光に敏感であり、この層5は0
akXZnOd8.!mg@Teより成るグループから
選択した物質で作る。青色光と緑色光の両方に敏感でこ
れらを吸収するが、青色光は層5によって遮弊されてい
るので緑色光のみを吸収する階4は、非晶質セレン、O
aS・またはGaAmPで作る。下の層6は、背部のモ
ザイク状電極不要32が不透明であるので、青色光と緑
色光と赤色光に敏感であらゆる色の光を吸収する。
akXZnOd8.!mg@Teより成るグループから
選択した物質で作る。青色光と緑色光の両方に敏感でこ
れらを吸収するが、青色光は層5によって遮弊されてい
るので緑色光のみを吸収する階4は、非晶質セレン、O
aS・またはGaAmPで作る。下の層6は、背部のモ
ザイク状電極不要32が不透明であるので、青色光と緑
色光と赤色光に敏感であらゆる色の光を吸収する。
さらに、青色光と緑色光が層4と5によって遮弊されて
いるので、層3は赤色光のみを検出する。
いるので、層3は赤色光のみを検出する。
層3は、Gaム工ム−1G&ム−P、Zn0dTs、0
4?・、非晶質珪化水素より成るグループから選択した
物質で作る。
4?・、非晶質珪化水素より成るグループから選択した
物質で作る。
利用する感光層の特定の種類と7デバイスの使用方法に
よって、デバイスの動作に異なる電圧を利用することが
できる。さらに、望む特定の結果によって感光層の各々
に関連して異なる電圧を利用することができる。
よって、デバイスの動作に異なる電圧を利用することが
できる。さらに、望む特定の結果によって感光層の各々
に関連して異なる電圧を利用することができる。
本発明に基づく固体カラー撮像デバイスを、最も実用的
で好ましい実施例と考えられるもので説明して来た。特
定の材料、特定の用語および特定の波長や色の光に対す
る感光層の特定の感炭に関する言及は、好適な実施例を
開示するために行なったのに過ぎない。また、本発明の
範囲内でそのような実施例に修正を加えることができる
し、実施例を読んだとき当業者に思い浮ぶ変更を加える
こともできる、と認識される。
で好ましい実施例と考えられるもので説明して来た。特
定の材料、特定の用語および特定の波長や色の光に対す
る感光層の特定の感炭に関する言及は、好適な実施例を
開示するために行なったのに過ぎない。また、本発明の
範囲内でそのような実施例に修正を加えることができる
し、実施例を読んだとき当業者に思い浮ぶ変更を加える
こともできる、と認識される。
第1図は基板の上に重ねられた光導電層を示す従来の固
体カラー撮像デバイスの分解斜視図、第2図は3層4N
構造を示す本発明の固体カラー撮像デバイスの分解斜視
図、 第3図は本発明の固体カラー撮f中デバイスの講断面図
、 第4図は本発明の固体カラー撮像デバイスの概略斜視図
、 第5図は本発明の1体カフ−撮像デバイスの縦断面図、 第5at5bおよび5@図はそれぞれ本発明の固体カラ
ー撮像デバイスの最も外側の層と中央の層と最も内側の
層の内部で吸収され検出される光に関して波長対吸収と
波長対光導電率を1胃フトしたグラフである。 2・・基板 3.4.5−・感光層 6e 7 # 8p 9e 10s 11
”1iosスイツチング素子26.27,28.29.
50.31・・感光素子代理人弁理士(81θ7)佐々
木消糧 (ほか3名) 第 IIl 1211 113図 @4 図 11511 11 t 番 g 顛 −W 眉JA 29
体カラー撮像デバイスの分解斜視図、第2図は3層4N
構造を示す本発明の固体カラー撮像デバイスの分解斜視
図、 第3図は本発明の固体カラー撮f中デバイスの講断面図
、 第4図は本発明の固体カラー撮像デバイスの概略斜視図
、 第5図は本発明の1体カフ−撮像デバイスの縦断面図、 第5at5bおよび5@図はそれぞれ本発明の固体カラ
ー撮像デバイスの最も外側の層と中央の層と最も内側の
層の内部で吸収され検出される光に関して波長対吸収と
波長対光導電率を1胃フトしたグラフである。 2・・基板 3.4.5−・感光層 6e 7 # 8p 9e 10s 11
”1iosスイツチング素子26.27,28.29.
50.31・・感光素子代理人弁理士(81θ7)佐々
木消糧 (ほか3名) 第 IIl 1211 113図 @4 図 11511 11 t 番 g 顛 −W 眉JA 29
Claims (9)
- (1)6組に配置された電気スイッチング素子の配列よ
り成る固体の基板、該基板の上に配置された第1の絶縁
材料の層、該第1の絶縁材料の上に重ねられた第1の感
光層、該第1の感光層の上に配置された第2の絶縁材料
の層、該第2の絶縁材料の層の上に重ねられた第2の感
光小鳩、該第2の感光小鳩の上に配置された第3の絶縁
材料の層、および該第6の絶縁材料の層の上に重ねられ
た第6の感光層より成り、前記第1の感光層は上部の透
明な4極小層、背部のモずイク状電極不要、および前記
の上部の不要と前記の背部の不要の間に配置された光導
電不要より成り、前記背部のモザイク状電極不要は前記
基板の前記′4気スイッチング素子に対応する各部分の
配列に分割され、前記背部のモザイク状電極不要の各分
割された部分は前記基板の前記6組の電気スイッチング
素子のうちの1個に電気的に接続され、前記第2の感光
小鳩は上部の透明な電極不要、背部のモザイク状電極不
要、および前記の上部の不要と前記の背部の不要の間に
配置された光導電不要より成り、この背部のモザイク状
電極不要は前記第1の感光層の前記部分に垂直方向に対
応する部分の配列に分割され、この背部のモザイク状電
極不要の各部分は前記基板の前記6組の電気スイッチン
グ素子のうちの1個に電気的に接続され、前記第3の感
光層は上部の透明な電極不要、背部のモザイク状電極不
要、および前記の上部の不要と前記の背部の不要の間に
配置された光導電不要より成り、この背部のモザイク状
不要は前記第2の感光小鳩の前記部分に垂直方向に対応
する部分の配列に分割され、前記背部のモザイタ状不要
の各部分は前記基板の前記6組の電気スイッチング素子
のうちの1個に電気的に接続され、前記第1の感光層と
前記第2の感光小鳩と前記第6の感光層は可視波長スベ
タトルの互いに異なる範囲に対して1iRMAであって
これらの範lを吸収し、それによって前記の3つの感光
層からの電気信号が3つの異なる色範囲の光強度を表わ
すことを特徴とする固体カラー撮像デバイス。 - (2)3組に配置された多数の電気スイッチング素子よ
り成る固体基板、および該固体基板の上に相互に重ねら
れて垂直方向に配置された3つの感光層より成り、該感
光層の各々は上部の透明な電極不要、背部のモザイク収
電極小層、および前記の上部の小層と前記の背部の小層
の間に配置された光導電小鳩より成り、前記背部のモザ
イク状不要は各部分の配列に分割され、前記3つの感光
層の各々の上に垂直方向に配置された背部のモザイク状
不要の各部分が前記6組に配置された前記電気スイッチ
ング素子の1個に接続されて画素の多数組の配列を形成
するように前記3つの感光層の各々の背部のモザイク状
不要の各部分は前記電気スイッチング素子の対応する1
つの素子に電気的に接続され、前記3つの感光層は可視
波長スペクトルの互いに異なる範囲に屑して敏感であっ
てこれらの範囲を吸収し、それによって前記感光層の各
々が受は取った電気信号が3つの異なる色範囲の光強度
を表わすことを特徴とする固体カラー撮像デバイス。 - (3)前記固体の基板に向かう方向に順に並んだ各層が
この方向に向かって光スペクトルのより広い帯域を吸収
する層を生ずる波長対吸収特性を有するように配置され
製造されたことを特徴とする特許請求の範8I第1項ま
たは12項に記載の固体力チー撮像デバイス。 - (4)前記第6の感光層が可視波長スペクトルの青の領
域の光に敏感でこの光を吸収し、前記第2の感光不着が
可視波長スペクトルの赤の領域の光には敏感ではないが
少なくとも縁の領域の光には敏感でこの光を吸収し、前
記第1の感光層が可視波長スペクトルの少なくとも赤の
領域の光に敏感であることを特徴とする特許請求の範囲
第1項に記載の固体カラー撮像デバイス。 - (5)1記3つの感光層が前記固体の基板から最も遠く
て可視波長スペクトルの青領域の光に敏感でこの光を吸
収する蛾も外側の層、可視波長スペクトルの赤領域には
敏感でないが少なくとも縁の領域の光に敏感でこの光を
吸収する中央層、および前記固体の基板に最も近くて可
視波長スペクトルの少なくとも赤の領域の光に敏感な最
も内側の層より成ることを特徴とする特許請求の範囲第
2項に記載の固体カラー撮像デバイス。 - (6)前記基板に配置された前記電気スイッチング素子
がMO!lデバイスであることを特徴とする特許請求の
範囲第1項または第2項に記載の固体カラー撮像デバイ
ス。 - (7)前記第3の感光層がO(1g、XxO6B、Zn
m@T・より成るグループから選択した感光材料より成
り、前記第2の感光不着が非晶質セレン、0418・、
G&ム−Pより成るグループから選択した感光材料より
成り、前記第1の感光層がGaム工ム−1GaAsP、
Inmate、Oaτ・、非晶質珪化水素より成るグル
ープから選択した感光材料より成ることを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の固体力チー撮像デバイス。 - (8)電荷スイッチング素子のマトリックスより成る半
導体スイッチング・マトリックス、可視スペタ)ルの比
較的低い帯域の光に応答して吸収する複数個の第1の光
導電体、少なくとも該第1の光導電体より高い帯域の光
に応答して吸収する複数個の第2の光導電体、および少
なくとも該第2の光導電体より高い帯域の光に応答して
吸収する複数個の第3の光導電体より成り、前記第1の
光導電体はこれらに当たり前記第1の光導電体が敏感な
光の強度を表わす電気信号を前記電荷スイッチング素子
に送るようそれぞれ第1の複数個の前記電荷スイッチン
グ素子に電気的に接続され、前記第2の光導電体はこれ
らに当たり前記第2の光導電体が敏感な光の強度を表わ
す電気信号を前E111Hlfスイッチング素子に送る
ようそれぞれ第2のI11!!に個の前記電荷スイッチ
ング素子に電気的に接続され、前記第3の光導電体はこ
れらに当たり前記第3の光導電体が敏感な光の強度を表
わす電気信号を前記電荷スイッチング素子に送るようそ
れぞれ第3のa数個の前記電荷スイッチング素子に電気
的に接続され、前記第1と第2と第6の光導電体は固体
撮像デバイスの6つの重ねられた層を構成し、これら6
つの光導電体は前記固体カラー撮像デバイスに当たる光
が前記第1の光導電体に最初に当たり、これによって吸
収されなかった波長の光が前記第2の光導電体に当たり
、これによって吸収されなかった波長の光が前記第6の
光導電体に当たるような構造に重ねられ、それによって
前記第1と第2と第3の複数個の電荷スイッチング素子
によって切替えられる各信号がそれぞれ3つの異なる帯
域幅の光強度を表わすことを特徴とする固体撮像デバイ
ス。 - (9)前記第1と第2と第6の光導電体の各々が上部電
極層と下部電極層を有する光導電層より成り、前記下部
電極層は分割され、分割された各部分が前記の′1!!
数の光導電体の1つの光導電体を形成していることを特
徴とする特許請求の範囲第8項に記載の固体撮像デバイ
ス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US33092881A | 1981-12-15 | 1981-12-15 | |
US330928 | 1981-12-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58103165A true JPS58103165A (ja) | 1983-06-20 |
JPS6329415B2 JPS6329415B2 (ja) | 1988-06-14 |
Family
ID=23291905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57181482A Granted JPS58103165A (ja) | 1981-12-15 | 1982-10-18 | 3層4階構造の固体カラ−撮像デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58103165A (ja) |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
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- 1982-10-18 JP JP57181482A patent/JPS58103165A/ja active Granted
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