JPS5810315A - ブツシング - Google Patents
ブツシングInfo
- Publication number
- JPS5810315A JPS5810315A JP56107673A JP10767381A JPS5810315A JP S5810315 A JPS5810315 A JP S5810315A JP 56107673 A JP56107673 A JP 56107673A JP 10767381 A JP10767381 A JP 10767381A JP S5810315 A JPS5810315 A JP S5810315A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- center conductor
- bushing
- conductor
- shield
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Gas-Insulated Switchgears (AREA)
- Insulators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高電圧機器に使用されるブッシングに関する。
ブッシングは固体絶縁方式のものを代表として、多くの
種類がある。この中で、単純でコストも安いブッシング
として高電圧導体の夕１側に接地シールド電極を施し、
その導体と電極および電界制御用シールド電極間の絶縁
物は、液体、気体のいずれでもよいが、ガス絶縁開閉機
器（二使用する場合（＝は当然気体がブｒ在すること（
ニなるＯ 第１図（二従来形のブッシングの例を示す。
種類がある。この中で、単純でコストも安いブッシング
として高電圧導体の夕１側に接地シールド電極を施し、
その導体と電極および電界制御用シールド電極間の絶縁
物は、液体、気体のいずれでもよいが、ガス絶縁開閉機
器（二使用する場合（＝は当然気体がブｒ在すること（
ニなるＯ 第１図（二従来形のブッシングの例を示す。
かい管１内に挿通した高電圧中心導体２は、がい管１の
１部（二於いて絶縁支持物６により保持されている。尚
、中心導体２の上部（二は冷却部７がある０尚、ガスブ
ッシングに限定しなければ絶縁液体でも良い。かい管１
内の絶縁媒体３は気体（一般にＳＦ６ガス）である。が
い管１の下端部内部であって、高電圧中心導体２の外Ｉ
ｌｌ ｌ二接地シールド４を設ける。史に、高電圧中心
導体２と接地シールド４０間（二同心的Ｉ−ｗｔ界制御
用Ｖ−ルド１０を設ける。この電界制御用シールド１０
は絶縁物１１ｃ二」；り接地シールド４に固定保持され
ている。これらシールドと、かい管１の下端部外側に設
けた接地気中シールド５と高電圧側気中シールド７ａと
１−よりがい管１のフランジ部８、気中シールド５０表
面およびがい管１の溜部の電界緩和を図り、耐電圧を向
上させている。
１部（二於いて絶縁支持物６により保持されている。尚
、中心導体２の上部（二は冷却部７がある０尚、ガスブ
ッシングに限定しなければ絶縁液体でも良い。かい管１
内の絶縁媒体３は気体（一般にＳＦ６ガス）である。が
い管１の下端部内部であって、高電圧中心導体２の外Ｉ
ｌｌ ｌ二接地シールド４を設ける。史に、高電圧中心
導体２と接地シールド４０間（二同心的Ｉ−ｗｔ界制御
用Ｖ−ルド１０を設ける。この電界制御用シールド１０
は絶縁物１１ｃ二」；り接地シールド４に固定保持され
ている。これらシールドと、かい管１の下端部外側に設
けた接地気中シールド５と高電圧側気中シールド７ａと
１−よりがい管１のフランジ部８、気中シールド５０表
面およびがい管１の溜部の電界緩和を図り、耐電圧を向
上させている。
この種のブッシングで電流容量が小さなものは、絶縁媒
体３０対流を考慮しなくてよいが、電流容量が大きくな
ると、第１図の矢印のように、高電圧中・ム導体２の内
側に絶縁体３を対流させ、冷却部７で冷却させる構造の
ものが採用されている。このよう、な冷却構造（−よっ
て冷却効果が向上し、電流容量が５００ＫＶ 、 ４．
０ＯＯＡ程度まで実用化されている。しかしさらに８．
０ＯＯｘ１２．０ＯＯＡのブッシングが要望されている
が、この構造のブッシングでは中心導体２からの発熱を
いか（″−効率よく絶縁媒体３の気流に伝達するかが大
電流化の鍵である。中心導体内の気流の速度は数１７１
／ａｘ、にも達するが、中心導体の内面での熱伝達率
は４ Ｑ ｗ／ｍ”°Ｃ程度である電流容量が５００Ｋ
Ｖ、４，０ＯＯＡ以上のブッシングの場合、中心導体２
の冷却をよくしたり、発熱を減らすためそれぞれパイプ
状の中心導体の直径や厚さをふやすような対策がとられ
る。
体３０対流を考慮しなくてよいが、電流容量が大きくな
ると、第１図の矢印のように、高電圧中・ム導体２の内
側に絶縁体３を対流させ、冷却部７で冷却させる構造の
ものが採用されている。このよう、な冷却構造（−よっ
て冷却効果が向上し、電流容量が５００ＫＶ 、 ４．
０ＯＯＡ程度まで実用化されている。しかしさらに８．
０ＯＯｘ１２．０ＯＯＡのブッシングが要望されている
が、この構造のブッシングでは中心導体２からの発熱を
いか（″−効率よく絶縁媒体３の気流に伝達するかが大
電流化の鍵である。中心導体内の気流の速度は数１７１
／ａｘ、にも達するが、中心導体の内面での熱伝達率
は４ Ｑ ｗ／ｍ”°Ｃ程度である電流容量が５００Ｋ
Ｖ、４，０ＯＯＡ以上のブッシングの場合、中心導体２
の冷却をよくしたり、発熱を減らすためそれぞれパイプ
状の中心導体の直径や厚さをふやすような対策がとられ
る。
しかし厚さをふやし又も電流の表皮効果のため中心導体
表面に集中して流れるので発熱はほとんど減少しない。
表面に集中して流れるので発熱はほとんど減少しない。
また中心導体の直径をふやすと中心導体内面の表面積が
増加するのでそれなりに冷却効果は増すが、中心導体表
面と電界制御用シールド１０の距離が縮まり、電界制御
用シールド１０の端部Ａの電位傾度が高まり、そこから
コロナ放電が生じ、それが原因となりフラジオーバー電
圧を低下してしまう。
増加するのでそれなりに冷却効果は増すが、中心導体表
面と電界制御用シールド１０の距離が縮まり、電界制御
用シールド１０の端部Ａの電位傾度が高まり、そこから
コロナ放電が生じ、それが原因となりフラジオーバー電
圧を低下してしまう。
このような理由から、中心導体の直径を太くするという
対策は冷却特性をよくすること（二は効果があるが、採
用できない。一つの対策として中心導体の内面に凹凸を
つけること（−より、ガス気流（＝中止導体の内面表面
で乱流層をつくり熱伝達率を高める方法が考えられるが
、１０ｍにも及ぶパイプの内面（＝凹凸をつける工作は
困難で出来たとしても大変高価な加工である。
対策は冷却特性をよくすること（二は効果があるが、採
用できない。一つの対策として中心導体の内面に凹凸を
つけること（−より、ガス気流（＝中止導体の内面表面
で乱流層をつくり熱伝達率を高める方法が考えられるが
、１０ｍにも及ぶパイプの内面（＝凹凸をつける工作は
困難で出来たとしても大変高価な加工である。
本発明の目的は高耐圧で冷却特性の優れたブッシングを
提供すること（＝ある。
提供すること（＝ある。
本発明を第２図に示す実施例（二ついて説明する。第２
図（二おいては第１図と同一部品（二同符号を記した。
図（二おいては第１図と同一部品（二同符号を記した。
本発明のブッシングの中心導体２の内部中空部の長手方
向に螺旋状の金属あるいは、プラスティック製の気流障
害物２０が挿入され、同図（二始したように中心導体２
と熱的あるいは電気的に接続されている。この様な構成
にすると中心導体内の上方の気流は第３図（二概念的に
示したように乱れ、中心導体表面に乱流層が形成され、
その結果、熱が効率よく中心導体２から気流へ伝達され
る。また気流障害物自体も気流から熱を吸収し、熱的に
接続された中心導体へ成熱されるので、中心導体の断面
積をふやしたことに等価（二なり、熱交換効率が高まる
。発明者の実験によれは、螺旋状の気流障害物により、
等側熱伝達率は５９ Ｗ ／ｍ’°０（二まで高まるこ
とが確かめられている。すなわちほぼ１．５倍に冷却効
果を高めることができ、同一構造のブッシングでも１，
５倍の大電流化が可能になる。
向に螺旋状の金属あるいは、プラスティック製の気流障
害物２０が挿入され、同図（二始したように中心導体２
と熱的あるいは電気的に接続されている。この様な構成
にすると中心導体内の上方の気流は第３図（二概念的に
示したように乱れ、中心導体表面に乱流層が形成され、
その結果、熱が効率よく中心導体２から気流へ伝達され
る。また気流障害物自体も気流から熱を吸収し、熱的に
接続された中心導体へ成熱されるので、中心導体の断面
積をふやしたことに等価（二なり、熱交換効率が高まる
。発明者の実験によれは、螺旋状の気流障害物により、
等側熱伝達率は５９ Ｗ ／ｍ’°０（二まで高まるこ
とが確かめられている。すなわちほぼ１．５倍に冷却効
果を高めることができ、同一構造のブッシングでも１，
５倍の大電流化が可能になる。
第４図（二本発明の変形例を示す。軸棒（二多数の逆円
錐板をつけた気流障害物の例である。このような形状の
障害物にしても気流の乱流が生じ、螺旋状と同じような
効果を発揮する。
錐板をつけた気流障害物の例である。このような形状の
障害物にしても気流の乱流が生じ、螺旋状と同じような
効果を発揮する。
以上のように本発明（二よれば耐電圧特性を下げること
なく安価な対策（二より、大電流のブッシングを提供す
ることかできる。
なく安価な対策（二より、大電流のブッシングを提供す
ることかできる。
第１図は従来のブッシングを示す縦断面図、第２図は本
発明を示す縦断面図、第３図及び第４図はそれぞれ本発
明の説明図である。 １・・・かい管、２，２ａ・・・高電圧中心導体、３・
・・絶縁媒体、４・・・接地シールド、５・・・気中接
地シールド、６・・・絶縁支持物、７・・・冷却部、７
．ａ・・・高電圧側気中シールド、８・・・がい管フラ
ンジ部、９・・・接地ケース、１０・・・電界制御用シ
ールド、１１・・・絶縁物、１２，１３．１４・・・コ
ンデンサ型絶縁ユニット、２０・・・螺旋状気流障害物
、２１・・・逆円錐形気流障害物。 出願人代理人 弁理」： 鈴 江 武 彦６３−
発明を示す縦断面図、第３図及び第４図はそれぞれ本発
明の説明図である。 １・・・かい管、２，２ａ・・・高電圧中心導体、３・
・・絶縁媒体、４・・・接地シールド、５・・・気中接
地シールド、６・・・絶縁支持物、７・・・冷却部、７
．ａ・・・高電圧側気中シールド、８・・・がい管フラ
ンジ部、９・・・接地ケース、１０・・・電界制御用シ
ールド、１１・・・絶縁物、１２，１３．１４・・・コ
ンデンサ型絶縁ユニット、２０・・・螺旋状気流障害物
、２１・・・逆円錐形気流障害物。 出願人代理人 弁理」： 鈴 江 武 彦６３−
Claims (3)
- （１）絶縁媒体を満した碍管と、この碍管内にこれと同
心的でかつ中空部を前記絶縁媒体が流れるように配置し
た中空パイプ状の中心導体と、この中心導体の中空部に
前記絶縁媒体の流れに乱流を起させるように挿入された
障害物とからなるブッシング。 - （２）前記障害物は螺旋状（二形成されて前記中心導体
と熱的あるいは電気的に接続された特許請求の範囲第１
項記載のブッシング。 - （３）前記障害物は多数の逆円錐板の連結から形成され
て中心導体と熱的あるいは電気的に接続された特許請求
の範囲第１項記載のブッシング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107673A JPS5810315A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | ブツシング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107673A JPS5810315A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | ブツシング |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810315A true JPS5810315A (ja) | 1983-01-20 |
Family
ID=14465088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56107673A Pending JPS5810315A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | ブツシング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810315A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0286081U (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-06 |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP56107673A patent/JPS5810315A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0286081U (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-06 |
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