JPS58102553A - 長尺一次元薄膜センサ - Google Patents
長尺一次元薄膜センサInfo
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- JPS58102553A JPS58102553A JP56201189A JP20118981A JPS58102553A JP S58102553 A JPS58102553 A JP S58102553A JP 56201189 A JP56201189 A JP 56201189A JP 20118981 A JP20118981 A JP 20118981A JP S58102553 A JPS58102553 A JP S58102553A
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- thin film
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- resistivity
- transparent conductive
- conductive layer
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- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 235000006693 Cassia laevigata Nutrition 0.000 description 5
- 241000522641 Senna Species 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229940124513 senna glycoside Drugs 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 RF power 20-50W Substances 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本究明の目的は抵抗値が低くかつ明暗比等のセンサ特性
の良好な長尺センサを提供することである。
の良好な長尺センサを提供することである。
本発明は長尺−次元薄膜センサに関するものである。最
近ファクシミリ用の一次元センサとして、縮小光学系を
必要としない原稿密着型の長尺センサの開発が試みられ
ている。センサ構造としては、非晶質或いは多結晶半導
体を透明電極と金属電極で上下に挾んだサンドイッチ型
とこれら薄膜半導体を平面的に対向電極で挾んだブレー
ナ型の二通りあるが、前者の方が対向電極間距離を狭（
とれる為光応答性に関しては優れている。
近ファクシミリ用の一次元センサとして、縮小光学系を
必要としない原稿密着型の長尺センサの開発が試みられ
ている。センサ構造としては、非晶質或いは多結晶半導
体を透明電極と金属電極で上下に挾んだサンドイッチ型
とこれら薄膜半導体を平面的に対向電極で挾んだブレー
ナ型の二通りあるが、前者の方が対向電極間距離を狭（
とれる為光応答性に関しては優れている。
このサンドイッチ型センサでは、一方の電極は光を透過
する性質を必要とする。この様な薄膜としては、インジ
ウム及び錫の酸化物が知られており、広く利用されてい
る。ところが、これらの透明電極を用いた場合センサ特
性として明暗比’ｉ’４くするには透明電極の抵抗値を
高くした方が良い事が判明した。この値は抵２抗率ρ＞
５Ｘ１０ Ω１であるが、一方この膜で例えばＡ４幅
の２１Ｏｎ＋の長尺センサン作成すると抵抗値が鳩すぎ
てセンサ部分に一様に電圧がかからな（なるといさ問題
点が生じていた。
する性質を必要とする。この様な薄膜としては、インジ
ウム及び錫の酸化物が知られており、広く利用されてい
る。ところが、これらの透明電極を用いた場合センサ特
性として明暗比’ｉ’４くするには透明電極の抵抗値を
高くした方が良い事が判明した。この値は抵２抗率ρ＞
５Ｘ１０ Ω１であるが、一方この膜で例えばＡ４幅
の２１Ｏｎ＋の長尺センサン作成すると抵抗値が鳩すぎ
てセンサ部分に一様に電圧がかからな（なるといさ問題
点が生じていた。
本発明の目的は抵抗値が低くかつ明暗比等のセンナ特性
の良好な長尺センサン提供することである。
の良好な長尺センサン提供することである。
更に本発明の目的は基板、端部が対向して交互に配電さ
れくし状に分割された下地電極、光導電体層、上側透明
電極を順次積層した長尺−次元薄膜センサーに於て、Ｓ
Ｎ比が高（、かつすべての受光素子にかかる電圧が等し
くなる様な上側透明電極を提供することである。
れくし状に分割された下地電極、光導電体層、上側透明
電極を順次積層した長尺−次元薄膜センサーに於て、Ｓ
Ｎ比が高（、かつすべての受光素子にかかる電圧が等し
くなる様な上側透明電極を提供することである。
本発明の目的は基板上に分割された下地電極、該下地電
極を覆う光導電性層、該光導電性層上に形成された比較
的抵抗率の高い第一の透明導電性層、この上に形成され
た比較的抵抗率の低い第二の透明導電層から成る長尺−
次元薄膜受光素子によって達成される。
極を覆う光導電性層、該光導電性層上に形成された比較
的抵抗率の高い第一の透明導電性層、この上に形成され
た比較的抵抗率の低い第二の透明導電層から成る長尺−
次元薄膜受光素子によって達成される。
本発明によるセンナの構造の概要を第１図（平面図）お
よび第２図（断面Ｎ）により説明する。
よび第２図（断面Ｎ）により説明する。
本発明によるセンサはガラス基板１の上に細長くパター
ニングした金属電極２′ｌｔ設け、その上にアモルファ
スシリコン（％に水素を信置ドープしたｉ型または周期
律表第三族元素をドープしたＰ型が好ましい）、８ ａ
−Ｔ ＃ −Ａ ＪＦ系材料等から成る非晶質光導電
体或いはＯｄＳ、Ｇｄ５ｇ等から成る多結島の半導体薄
膜３を形成し、最後に抵抗率の比較的高い第一の透明導
電層４及び抵抗率の比較的低い第二の透明導電層４′を
着膜して構成されている。
ニングした金属電極２′ｌｔ設け、その上にアモルファ
スシリコン（％に水素を信置ドープしたｉ型または周期
律表第三族元素をドープしたＰ型が好ましい）、８ ａ
−Ｔ ＃ −Ａ ＪＦ系材料等から成る非晶質光導電
体或いはＯｄＳ、Ｇｄ５ｇ等から成る多結島の半導体薄
膜３を形成し、最後に抵抗率の比較的高い第一の透明導
電層４及び抵抗率の比較的低い第二の透明導電層４′を
着膜して構成されている。
次に本発明の作用について説明する。このセンサに上部
から光が入射すると金属電極２と透明電極４，４′との
重なり合った光導電性領域５で光キャリヤが発生し、光
電流として検出され６゜その際上下両電極間に適宜ノ之
イアス電圧を印加し、光電流の増加をはかる。ところが
第１図に示す様に、センナ密度を上げていくにつれて透
明電極の幅は非常に狭くなる（例えば８本／寵のセンナ
密度では透明電極の幅は２００〜３００μ簿となる）。
から光が入射すると金属電極２と透明電極４，４′との
重なり合った光導電性領域５で光キャリヤが発生し、光
電流として検出され６゜その際上下両電極間に適宜ノ之
イアス電圧を印加し、光電流の増加をはかる。ところが
第１図に示す様に、センナ密度を上げていくにつれて透
明電極の幅は非常に狭くなる（例えば８本／寵のセンナ
密度では透明電極の幅は２００〜３００μ簿となる）。
Ａ４幅の２１０Ｂの長尺センサに一様に電圧がか
“□かる様にする為には抵抗率が〜１０ Ω１以下の
透明電極が必要となる。そこで透明電極ｔセンナ特性の
良い抵抗率の高い（ρ＞５Ｘ１０ Ω１）薄１１４と
抵抗率の低いρ＜Ｉ Ｘｌ ０ Ω備、好ましくは１
０〜１０９１の薄膜４′の２層構造としたものである。
“□かる様にする為には抵抗率が〜１０ Ω１以下の
透明電極が必要となる。そこで透明電極ｔセンナ特性の
良い抵抗率の高い（ρ＞５Ｘ１０ Ω１）薄１１４と
抵抗率の低いρ＜Ｉ Ｘｌ ０ Ω備、好ましくは１
０〜１０９１の薄膜４′の２層構造としたものである。
この様なセンサー構造を採用することにより、従来の比
較的低抵抗の透明上側電極を用いた場合の明暗比は約３
００であったものが、本発明の二層構造の透明上側電極
の使用により明暗比は約６０００と一挙に一桁程度向上
する事が判明した。この２層の透明電響膜は同一真空チ
ェンバー内に複数個の蒸＊１ｍ或いはターゲットの取り
付は可能な装置を使用する事により、又単−の蒸着源あ
るいはターゲットの場合でも、反応性ガスのガス圧を変
化させる事により、容易に製造することができる。
較的低抵抗の透明上側電極を用いた場合の明暗比は約３
００であったものが、本発明の二層構造の透明上側電極
の使用により明暗比は約６０００と一挙に一桁程度向上
する事が判明した。この２層の透明電響膜は同一真空チ
ェンバー内に複数個の蒸＊１ｍ或いはターゲットの取り
付は可能な装置を使用する事により、又単−の蒸着源あ
るいはターゲットの場合でも、反応性ガスのガス圧を変
化させる事により、容易に製造することができる。
以下の実施例によって本発明を更に具体的に説明する。
実施例
金属電極としてＡｊを用い、薄膜半導体として、非黒質
シリコンを、そして透明電極としてインジウムと錫の酸
化物を使用した例を示す。ガラス基板上にＡＩを３００
０１電子ビ一ム蒸着する。続いてフォトリングラフイー
により所定８本７１０にピッチの電極ノ（ターンを形成
する。その上に非晶質シリコン（ａ−８ｊ：Ｈ）Ｌグロ
ー放電法により約１μ属厚着膜する。この場合砿量の水
素なＶ−プしたｉ型アモルファスシリコンまたは周期律
表第三１Ｍ元素１ｋ ｒ −−１したＰ型アモルファス
シリコンを用いてもよい。非晶質シリコン膜は１００％
５ＩＨ４ガスを用い、ＲＦパワー２０〜５０Ｗ、ガスａ
ｔ２０〜５０８０ＣＭ、圧力０．４〜０．６ Ｔｏｒｒ
、基板温度２００〜３００℃で３０分〜１時間行なう。
シリコンを、そして透明電極としてインジウムと錫の酸
化物を使用した例を示す。ガラス基板上にＡＩを３００
０１電子ビ一ム蒸着する。続いてフォトリングラフイー
により所定８本７１０にピッチの電極ノ（ターンを形成
する。その上に非晶質シリコン（ａ−８ｊ：Ｈ）Ｌグロ
ー放電法により約１μ属厚着膜する。この場合砿量の水
素なＶ−プしたｉ型アモルファスシリコンまたは周期律
表第三１Ｍ元素１ｋ ｒ −−１したＰ型アモルファス
シリコンを用いてもよい。非晶質シリコン膜は１００％
５ＩＨ４ガスを用い、ＲＦパワー２０〜５０Ｗ、ガスａ
ｔ２０〜５０８０ＣＭ、圧力０．４〜０．６ Ｔｏｒｒ
、基板温度２００〜３００℃で３０分〜１時間行なう。
続い【透明電極なスパッタにより着膜する。この透明電
極は２層からなり、第一層は９０モル％ｓａｏ、 ＋
１０−Ｅ−ｋｓ Ｉ＆＊Ｏｓを成分とす６ＩＴＯターゲ
ツトを用い、酸素分圧１．５Ｘ１０ Ｔａｒｒ。
極は２層からなり、第一層は９０モル％ｓａｏ、 ＋
１０−Ｅ−ｋｓ Ｉ＆＊Ｏｓを成分とす６ＩＴＯターゲ
ツトを用い、酸素分圧１．５Ｘ１０ Ｔａｒｒ。
全圧（Ａｆ＋０２）４Ｘ１０−” Ｔｏｒｒ、 ／切−
２００Ｗ”ｔ’約７００Ｘ着膜（抵抗率５×１０９１）
し、続いて、抵抗値の低い（抵抗率１０〜１０ Ω１）
１０モル％Ｓ％０２±９０モル％ｌ−０１′Ｙ：成分と
する別のＩＴＯターゲットにより第１層と同じ条件で約
１０００Ａ着膜した。又、１個のターゲットのみを用い
酸素分圧！変える事によっても抵抗値の異なる２つの薄
膜を作成する事も可能であった。
２００Ｗ”ｔ’約７００Ｘ着膜（抵抗率５×１０９１）
し、続いて、抵抗値の低い（抵抗率１０〜１０ Ω１）
１０モル％Ｓ％０２±９０モル％ｌ−０１′Ｙ：成分と
する別のＩＴＯターゲットにより第１層と同じ条件で約
１０００Ａ着膜した。又、１個のターゲットのみを用い
酸素分圧！変える事によっても抵抗値の異なる２つの薄
膜を作成する事も可能であった。
以上述べたように透明導電層を二層構造とすることによ
り、従来のものに比較して明暗比な１桁以上高めること
ができると共に、透明導電層の上層部の抵抗率が低いた
めにセンサーにバイアス電圧が一様に印加される結果感
度のムラを著しく減少させることができた。
り、従来のものに比較して明暗比な１桁以上高めること
ができると共に、透明導電層の上層部の抵抗率が低いた
めにセンサーにバイアス電圧が一様に印加される結果感
度のムラを著しく減少させることができた。
なお、本発明によれば薄膜半導体としてＳｇ−Ｔｇ−Ａ
ＪＦ を用いた場合、このＳｇ−Ｔｇ二Ａｊとの接合
特性の棗い５ａｏ２（抵抗率１０−１〜１０−”Ω・ｃ
ＩＩＬ）を第１層として着膜し、続いて１０％ＳＫＯ，
＋９０％Ｉｓ！０．（抵抗率１０−３〜１０−’Ω・１
）のＩＴＯ膜な形成する事により、特性の極めて良好な
長尺−次元上ンサを作製することができる。
ＪＦ を用いた場合、このＳｇ−Ｔｇ二Ａｊとの接合
特性の棗い５ａｏ２（抵抗率１０−１〜１０−”Ω・ｃ
ＩＩＬ）を第１層として着膜し、続いて１０％ＳＫＯ，
＋９０％Ｉｓ！０．（抵抗率１０−３〜１０−’Ω・１
）のＩＴＯ膜な形成する事により、特性の極めて良好な
長尺−次元上ンサを作製することができる。
第１図は本発明によるセンサの平面図であり、第２図は
断面図である。 図中符号： １・・・基板、 ２・・・下地電極、３・・・
光導電層、 ４．４′・・・透明電極、５・・・光
導電性領域。 （ほか６名） 第 １ 図 第 ２ Ｆ １ 第１頁の続き ０発 明 者 竹ノ内睦男 海老名市本郷２２７４番地富士ゼロ ックス株式会社海老名工場内
断面図である。 図中符号： １・・・基板、 ２・・・下地電極、３・・・
光導電層、 ４．４′・・・透明電極、５・・・光
導電性領域。 （ほか６名） 第 １ 図 第 ２ Ｆ １ 第１頁の続き ０発 明 者 竹ノ内睦男 海老名市本郷２２７４番地富士ゼロ ックス株式会社海老名工場内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に分割された下地電極、該下地電極を覆う光
導電性層、該光導電性層上に形成された比較的抵抗率の
高い第一の透明導電性層、この上に形成された比較的抵
抗率の低い第二の透明導電性層から成る長尺−次元薄膜
受光素子。 ２、第一の透明導電性層は抵抗率が５×１
０Ω１以上であり、第二の透明導電性層の抵抗率が１×
１０９α以下であることを特徴とする特許請求の範囲ｔ
４１項に記載の長尺−次元薄膜受光素子。 ３、第１および第２の光導電性層がｉ型またはＰ型アモ
ルファスシリコンよりなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項または第２項に記載の長尺−次元薄膜受光素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201189A JPS58102553A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 長尺一次元薄膜センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201189A JPS58102553A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 長尺一次元薄膜センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102553A true JPS58102553A (ja) | 1983-06-18 |
Family
ID=16436819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56201189A Pending JPS58102553A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 長尺一次元薄膜センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102553A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006270090A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4875175A (ja) * | 1972-01-12 | 1973-10-09 |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP56201189A patent/JPS58102553A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4875175A (ja) * | 1972-01-12 | 1973-10-09 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006270090A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法 |
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