JPS58102553A - 長尺一次元薄膜センサ - Google Patents
長尺一次元薄膜センサInfo
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- JPS58102553A JPS58102553A JP56201189A JP20118981A JPS58102553A JP S58102553 A JPS58102553 A JP S58102553A JP 56201189 A JP56201189 A JP 56201189A JP 20118981 A JP20118981 A JP 20118981A JP S58102553 A JPS58102553 A JP S58102553A
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- Japan
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- thin film
- sensor
- resistivity
- transparent conductive
- conductive layer
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本究明の目的は抵抗値が低くかつ明暗比等のセンサ特性
の良好な長尺センサを提供することである。
の良好な長尺センサを提供することである。
本発明は長尺−次元薄膜センサに関するものである。最
近ファクシミリ用の一次元センサとして、縮小光学系を
必要としない原稿密着型の長尺センサの開発が試みられ
ている。センサ構造としては、非晶質或いは多結晶半導
体を透明電極と金属電極で上下に挾んだサンドイッチ型
とこれら薄膜半導体を平面的に対向電極で挾んだブレー
ナ型の二通りあるが、前者の方が対向電極間距離を狭(
とれる為光応答性に関しては優れている。
近ファクシミリ用の一次元センサとして、縮小光学系を
必要としない原稿密着型の長尺センサの開発が試みられ
ている。センサ構造としては、非晶質或いは多結晶半導
体を透明電極と金属電極で上下に挾んだサンドイッチ型
とこれら薄膜半導体を平面的に対向電極で挾んだブレー
ナ型の二通りあるが、前者の方が対向電極間距離を狭(
とれる為光応答性に関しては優れている。
このサンドイッチ型センサでは、一方の電極は光を透過
する性質を必要とする。この様な薄膜としては、インジ
ウム及び錫の酸化物が知られており、広く利用されてい
る。ところが、これらの透明電極を用いた場合センサ特
性として明暗比’i’4くするには透明電極の抵抗値を
高くした方が良い事が判明した。この値は抵2抗率ρ>
5X10 Ω1であるが、一方この膜で例えばA4幅
の21On+の長尺センサン作成すると抵抗値が鳩すぎ
てセンサ部分に一様に電圧がかからな(なるといさ問題
点が生じていた。
する性質を必要とする。この様な薄膜としては、インジ
ウム及び錫の酸化物が知られており、広く利用されてい
る。ところが、これらの透明電極を用いた場合センサ特
性として明暗比’i’4くするには透明電極の抵抗値を
高くした方が良い事が判明した。この値は抵2抗率ρ>
5X10 Ω1であるが、一方この膜で例えばA4幅
の21On+の長尺センサン作成すると抵抗値が鳩すぎ
てセンサ部分に一様に電圧がかからな(なるといさ問題
点が生じていた。
本発明の目的は抵抗値が低くかつ明暗比等のセンナ特性
の良好な長尺センサン提供することである。
の良好な長尺センサン提供することである。
更に本発明の目的は基板、端部が対向して交互に配電さ
れくし状に分割された下地電極、光導電体層、上側透明
電極を順次積層した長尺−次元薄膜センサーに於て、S
N比が高(、かつすべての受光素子にかかる電圧が等し
くなる様な上側透明電極を提供することである。
れくし状に分割された下地電極、光導電体層、上側透明
電極を順次積層した長尺−次元薄膜センサーに於て、S
N比が高(、かつすべての受光素子にかかる電圧が等し
くなる様な上側透明電極を提供することである。
本発明の目的は基板上に分割された下地電極、該下地電
極を覆う光導電性層、該光導電性層上に形成された比較
的抵抗率の高い第一の透明導電性層、この上に形成され
た比較的抵抗率の低い第二の透明導電層から成る長尺−
次元薄膜受光素子によって達成される。
極を覆う光導電性層、該光導電性層上に形成された比較
的抵抗率の高い第一の透明導電性層、この上に形成され
た比較的抵抗率の低い第二の透明導電層から成る長尺−
次元薄膜受光素子によって達成される。
本発明によるセンナの構造の概要を第1図(平面図)お
よび第2図(断面N)により説明する。
よび第2図(断面N)により説明する。
本発明によるセンサはガラス基板1の上に細長くパター
ニングした金属電極2′lt設け、その上にアモルファ
スシリコン(%に水素を信置ドープしたi型または周期
律表第三族元素をドープしたP型が好ましい)、8 a
−T # −A JF系材料等から成る非晶質光導電
体或いはOdS、Gd5g等から成る多結島の半導体薄
膜3を形成し、最後に抵抗率の比較的高い第一の透明導
電層4及び抵抗率の比較的低い第二の透明導電層4′を
着膜して構成されている。
ニングした金属電極2′lt設け、その上にアモルファ
スシリコン(%に水素を信置ドープしたi型または周期
律表第三族元素をドープしたP型が好ましい)、8 a
−T # −A JF系材料等から成る非晶質光導電
体或いはOdS、Gd5g等から成る多結島の半導体薄
膜3を形成し、最後に抵抗率の比較的高い第一の透明導
電層4及び抵抗率の比較的低い第二の透明導電層4′を
着膜して構成されている。
次に本発明の作用について説明する。このセンサに上部
から光が入射すると金属電極2と透明電極4,4′との
重なり合った光導電性領域5で光キャリヤが発生し、光
電流として検出され6゜その際上下両電極間に適宜ノ之
イアス電圧を印加し、光電流の増加をはかる。ところが
第1図に示す様に、センナ密度を上げていくにつれて透
明電極の幅は非常に狭くなる(例えば8本/寵のセンナ
密度では透明電極の幅は200〜300μ簿となる)。
から光が入射すると金属電極2と透明電極4,4′との
重なり合った光導電性領域5で光キャリヤが発生し、光
電流として検出され6゜その際上下両電極間に適宜ノ之
イアス電圧を印加し、光電流の増加をはかる。ところが
第1図に示す様に、センナ密度を上げていくにつれて透
明電極の幅は非常に狭くなる(例えば8本/寵のセンナ
密度では透明電極の幅は200〜300μ簿となる)。
A4幅の210Bの長尺センサに一様に電圧がか
“□かる様にする為には抵抗率が〜10 Ω1以下の
透明電極が必要となる。そこで透明電極tセンナ特性の
良い抵抗率の高い(ρ>5X10 Ω1)薄114と
抵抗率の低いρ<I Xl 0 Ω備、好ましくは1
0〜1091の薄膜4′の2層構造としたものである。
“□かる様にする為には抵抗率が〜10 Ω1以下の
透明電極が必要となる。そこで透明電極tセンナ特性の
良い抵抗率の高い(ρ>5X10 Ω1)薄114と
抵抗率の低いρ<I Xl 0 Ω備、好ましくは1
0〜1091の薄膜4′の2層構造としたものである。
この様なセンサー構造を採用することにより、従来の比
較的低抵抗の透明上側電極を用いた場合の明暗比は約3
00であったものが、本発明の二層構造の透明上側電極
の使用により明暗比は約6000と一挙に一桁程度向上
する事が判明した。この2層の透明電響膜は同一真空チ
ェンバー内に複数個の蒸*1m或いはターゲットの取り
付は可能な装置を使用する事により、又単−の蒸着源あ
るいはターゲットの場合でも、反応性ガスのガス圧を変
化させる事により、容易に製造することができる。
較的低抵抗の透明上側電極を用いた場合の明暗比は約3
00であったものが、本発明の二層構造の透明上側電極
の使用により明暗比は約6000と一挙に一桁程度向上
する事が判明した。この2層の透明電響膜は同一真空チ
ェンバー内に複数個の蒸*1m或いはターゲットの取り
付は可能な装置を使用する事により、又単−の蒸着源あ
るいはターゲットの場合でも、反応性ガスのガス圧を変
化させる事により、容易に製造することができる。
以下の実施例によって本発明を更に具体的に説明する。
実施例
金属電極としてAjを用い、薄膜半導体として、非黒質
シリコンを、そして透明電極としてインジウムと錫の酸
化物を使用した例を示す。ガラス基板上にAIを300
01電子ビ一ム蒸着する。続いてフォトリングラフイー
により所定8本710にピッチの電極ノ(ターンを形成
する。その上に非晶質シリコン(a−8j:H)Lグロ
ー放電法により約1μ属厚着膜する。この場合砿量の水
素なV−プしたi型アモルファスシリコンまたは周期律
表第三1M元素1k r −−1したP型アモルファス
シリコンを用いてもよい。非晶質シリコン膜は100%
5IH4ガスを用い、RFパワー20〜50W、ガスa
t20〜5080CM、圧力0.4〜0.6 Torr
、基板温度200〜300℃で30分〜1時間行なう。
シリコンを、そして透明電極としてインジウムと錫の酸
化物を使用した例を示す。ガラス基板上にAIを300
01電子ビ一ム蒸着する。続いてフォトリングラフイー
により所定8本710にピッチの電極ノ(ターンを形成
する。その上に非晶質シリコン(a−8j:H)Lグロ
ー放電法により約1μ属厚着膜する。この場合砿量の水
素なV−プしたi型アモルファスシリコンまたは周期律
表第三1M元素1k r −−1したP型アモルファス
シリコンを用いてもよい。非晶質シリコン膜は100%
5IH4ガスを用い、RFパワー20〜50W、ガスa
t20〜5080CM、圧力0.4〜0.6 Torr
、基板温度200〜300℃で30分〜1時間行なう。
続い【透明電極なスパッタにより着膜する。この透明電
極は2層からなり、第一層は90モル%sao、 +
10−E−ks I&*Osを成分とす6ITOターゲ
ツトを用い、酸素分圧1.5X10 Tarr。
極は2層からなり、第一層は90モル%sao、 +
10−E−ks I&*Osを成分とす6ITOターゲ
ツトを用い、酸素分圧1.5X10 Tarr。
全圧(Af+02)4X10−” Torr、 /切−
200W”t’約700X着膜(抵抗率5×1091)
し、続いて、抵抗値の低い(抵抗率10〜10 Ω1)
10モル%S%02±90モル%l−01′Y:成分と
する別のITOターゲットにより第1層と同じ条件で約
1000A着膜した。又、1個のターゲットのみを用い
酸素分圧!変える事によっても抵抗値の異なる2つの薄
膜を作成する事も可能であった。
200W”t’約700X着膜(抵抗率5×1091)
し、続いて、抵抗値の低い(抵抗率10〜10 Ω1)
10モル%S%02±90モル%l−01′Y:成分と
する別のITOターゲットにより第1層と同じ条件で約
1000A着膜した。又、1個のターゲットのみを用い
酸素分圧!変える事によっても抵抗値の異なる2つの薄
膜を作成する事も可能であった。
以上述べたように透明導電層を二層構造とすることによ
り、従来のものに比較して明暗比な1桁以上高めること
ができると共に、透明導電層の上層部の抵抗率が低いた
めにセンサーにバイアス電圧が一様に印加される結果感
度のムラを著しく減少させることができた。
り、従来のものに比較して明暗比な1桁以上高めること
ができると共に、透明導電層の上層部の抵抗率が低いた
めにセンサーにバイアス電圧が一様に印加される結果感
度のムラを著しく減少させることができた。
なお、本発明によれば薄膜半導体としてSg−Tg−A
JF を用いた場合、このSg−Tg二Ajとの接合
特性の棗い5ao2(抵抗率10−1〜10−”Ω・c
IIL)を第1層として着膜し、続いて10%SKO,
+90%Is!0.(抵抗率10−3〜10−’Ω・1
)のITO膜な形成する事により、特性の極めて良好な
長尺−次元上ンサを作製することができる。
JF を用いた場合、このSg−Tg二Ajとの接合
特性の棗い5ao2(抵抗率10−1〜10−”Ω・c
IIL)を第1層として着膜し、続いて10%SKO,
+90%Is!0.(抵抗率10−3〜10−’Ω・1
)のITO膜な形成する事により、特性の極めて良好な
長尺−次元上ンサを作製することができる。
第1図は本発明によるセンサの平面図であり、第2図は
断面図である。 図中符号: 1・・・基板、 2・・・下地電極、3・・・
光導電層、 4.4′・・・透明電極、5・・・光
導電性領域。 (ほか6名) 第 1 図 第 2 F 1 第1頁の続き 0発 明 者 竹ノ内睦男 海老名市本郷2274番地富士ゼロ ックス株式会社海老名工場内
断面図である。 図中符号: 1・・・基板、 2・・・下地電極、3・・・
光導電層、 4.4′・・・透明電極、5・・・光
導電性領域。 (ほか6名) 第 1 図 第 2 F 1 第1頁の続き 0発 明 者 竹ノ内睦男 海老名市本郷2274番地富士ゼロ ックス株式会社海老名工場内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 基板上に分割された下地電極、該下地電極を覆う光
導電性層、該光導電性層上に形成された比較的抵抗率の
高い第一の透明導電性層、この上に形成された比較的抵
抗率の低い第二の透明導電性層から成る長尺−次元薄膜
受光素子。 2、第一の透明導電性層は抵抗率が5×1
0Ω1以上であり、第二の透明導電性層の抵抗率が1×
109α以下であることを特徴とする特許請求の範囲t
41項に記載の長尺−次元薄膜受光素子。 3、第1および第2の光導電性層がi型またはP型アモ
ルファスシリコンよりなることを特徴とする特許請求の
範囲第1項または第2項に記載の長尺−次元薄膜受光素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56201189A JPS58102553A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 長尺一次元薄膜センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56201189A JPS58102553A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 長尺一次元薄膜センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58102553A true JPS58102553A (ja) | 1983-06-18 |
Family
ID=16436819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56201189A Pending JPS58102553A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 長尺一次元薄膜センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58102553A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006270090A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4875175A (ja) * | 1972-01-12 | 1973-10-09 |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP56201189A patent/JPS58102553A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4875175A (ja) * | 1972-01-12 | 1973-10-09 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006270090A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法 |
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