JPH1197339A - Aligner - Google Patents
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- JPH1197339A JPH1197339A JP9271984A JP27198497A JPH1197339A JP H1197339 A JPH1197339 A JP H1197339A JP 9271984 A JP9271984 A JP 9271984A JP 27198497 A JP27198497 A JP 27198497A JP H1197339 A JPH1197339 A JP H1197339A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体素子製造用の露光装置に関し、特にレチクルやマ
スク等の原版上に形成された電子回路等のパターンを直
接もしくは投影レンズ等の光学手段を介して、ウエハ等
の被露光基板上に露光転写する際に行なう該原版と該被
露光基板との位置合わせ、すなわちアライメントを高精
度に行なうことを可能とする空調手段を備えた露光装置
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for manufacturing semiconductor devices such as ICs and LSIs, and more particularly, to an optical system such as a reticle or a mask, which directly forms an electronic circuit or the like formed on an original plate or an optical system such as a projection lens. Exposure apparatus provided with an air-conditioning means capable of performing high-precision alignment of the original and the substrate to be exposed, which is performed when exposure transfer is performed onto a substrate to be exposed such as a wafer, through means. It is about.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子製造用の露
光装置では、解像性能と重ね合わせ性能という２つの基
本的性能が要求される。前者はウエハ面上に塗布された
フォトレジスト上に如何に微細なパターンを形成するか
という能力であり、後者は前工程でウエハ面上に形成さ
れたパターンに対して、レチクル上のパターンを如何に
正確に位置合わせして転写できるかという能力である。
半導体製造用としては解像性能と重ね合わせ性能のバラ
ンスが取れた露光装置が望ましく、現在は縮小投影型の
露光装置、いわゆるステッパが多用されている。これら
の露光装置に要求される解像性能は、例えば６４メガＤ
ＲＡＭ用では０．３５μｍ程度である。重ね合わせ精度
は、一般に最小線幅の１／３〜１／５の値が必要とされ
ており、この精度を達成することは解像性能の達成と同
等かそれ以上の困難さを伴う。2. Description of the Related Art An exposure apparatus for manufacturing semiconductor devices such as ICs and LSIs is required to have two basic performances, namely, a resolution performance and an overlay performance. The former is the ability to form a fine pattern on the photoresist applied on the wafer surface, and the latter is how the pattern on the reticle is compared to the pattern formed on the wafer surface in the previous process. The ability to accurately align and transfer images to the target.
For semiconductor manufacturing, an exposure apparatus that balances resolution performance and overlay performance is desirable. At present, a reduction projection type exposure apparatus, a so-called stepper, is often used. The resolution performance required of these exposure apparatuses is, for example, 64 mega D
For a RAM, it is about 0.35 μm. The overlay accuracy generally requires a value of 1/3 to 1/5 of the minimum line width, and achieving this accuracy involves equal or more difficulty than achieving the resolution performance.
【０００３】レチクルパターンとウエハパターンとの相
対位置合わせ、すなわちアライメントの方式には、大別
して、ＴＴＬ−オン−アクシス方式とオフ−アクシス方
式とがある。The relative alignment of the reticle pattern and the wafer pattern, that is, the alignment method, is roughly classified into a TTL-on-axis method and an off-axis method.
【０００４】前者は投影光学系を介してウエハパターン
の逆投影像をレチクルパターンと同一視野内で同時観察
しながら相対位置合わせする方式で、アライメントが完
了したその位置で露光することが出来、システム誤差が
発生しない。しかしながらこの方式は、投影光学系の収
差の関係で、アライメント光の波長を露光波長と同一に
しなければならず、ウエハ上のフォトレジストがアライ
メント光で露光してしまうという問題や、アライメント
波長が限定されるため光の干渉の問題や、ウエハ表面フ
ォトレジスト面の光学特性の変化に対する許容度が小さ
い等の欠点がある。[0004] The former is a method of relative positioning while simultaneously observing a back projection image of a wafer pattern in the same field of view as a reticle pattern via a projection optical system, and can perform exposure at the position where alignment is completed. No error occurs. However, in this method, the wavelength of the alignment light must be the same as the exposure wavelength due to the aberration of the projection optical system, and the photoresist on the wafer is exposed with the alignment light, and the alignment wavelength is limited. Therefore, there are disadvantages such as a problem of light interference and a small tolerance for a change in optical characteristics of a photoresist surface of a wafer.
【０００５】一方、後者のオフ−アクシス方式ではアラ
イメント光学系を投影光学系とは独立に構成することに
より、上記の問題点および欠点を回避しており、現在の
ステッパの殆どが、オフ−アクシス方式を採用してい
る。この方式ではレチクルとウエハは同時観察できず、
レチクルはレチクル顕微鏡を用いて所定の基準に対して
アライメントを行ない、ウエハはウエハ顕微鏡を用いて
顕微鏡内の基準に対してアライメントを行なった後、ウ
エハパターンをレチクルの投影像と重ねるために所定の
距離（基準長）だけウエハを移動させてから露光する。
この基準長の変動がアライメント誤差になる。On the other hand, in the latter off-axis method, the above problems and disadvantages are avoided by configuring the alignment optical system independently of the projection optical system. The method is adopted. With this method, the reticle and wafer cannot be observed simultaneously,
The reticle is aligned with a predetermined reference using a reticle microscope, and the wafer is aligned with a reference in the microscope using a wafer microscope, and then a predetermined pattern is used to overlap the wafer pattern with the projected image of the reticle. Exposure is performed after moving the wafer by a distance (reference length).
This change in the reference length results in an alignment error.
【０００６】このようなシステム誤差を含むアライメン
ト方式を持つ装置においては、誤差要因を安定維持して
行かなくてはならない。例えば、投影光学系の光軸とウ
エハ顕微鏡の光軸間の距離である基準長を１０ｍｍとし
て、両者を保持する構造体を鉄系で構成した場合、０．
１℃の物体温度の変化で上記基準長は約０．１μｍ変動
する。あるいは、ＸＹステージの位置計測にはレーザ干
渉計が使用され、ＸＹステージのトップテーブルの端部
に取り付けられた直線状のミラー基準で計測されるた
め、このトップテーブルの温度変化が誤差要因となる。In an apparatus having an alignment method including such a system error, it is necessary to stably maintain an error factor. For example, if the reference length, which is the distance between the optical axis of the projection optical system and the optical axis of the wafer microscope, is 10 mm and the structure holding both is made of iron,
The reference length fluctuates by about 0.1 μm with a change in the object temperature of 1 ° C. Alternatively, a laser interferometer is used to measure the position of the XY stage, and measurement is performed with reference to a linear mirror attached to the end of the top table of the XY stage. Therefore, a change in temperature of the top table causes an error. .
【０００７】このような温度変動をなくすために、一般
にこの種の装置には温度制御用の空調機が付属し、装置
全体の温度安定化が図られ、さらに特に温度安定性が必
要な部分（例えばＸＹステージ回り）には別系統の温調
手段が組み込まれている（特開平２−１９９８１４、特
開平４−２２１１８、特開平６−４５２２７）。In order to eliminate such temperature fluctuations, this type of apparatus is generally provided with an air conditioner for controlling the temperature, thereby stabilizing the temperature of the entire apparatus, and in particular, a portion requiring temperature stability ( For example, another system of temperature control means is incorporated around the XY stage (JP-A-2-199814, JP-A-4-22118, JP-A-6-45227).
【０００８】図４に上述したオフ−アクシス方式の露光
装置の従来例の部分図を示す。図４において、１はウエ
ハ、２はウエハ１を吸着保持するウエハチャック、３は
ウエハチャック２を保持するトップテーブル、４はＸ方
向に移動するＸステージ、５はＸステージ駆動用のＸモ
ータ、６はＹ方向に移動するＹステージ、７はＹステー
ジ駆動用のＹモータ、８はＸＹステージ基盤、９はＹ方
向位置計測用のレーザ干渉計、１０はＹ方向レーザビー
ム、１１はトップテーブル３の端部に固定されたＹ方向
位置計測用の反射鏡、１２は投影光学系、１３はウエハ
顕微鏡、１４は投影光学系やウエハ顕微鏡を保持し位置
関係を保証する鏡筒定盤、１５はＸＹステージ基盤８と
鏡筒定盤１４との間の空間を温調するための部分空調機
である。図示はしないが、投影光学系１２の上部にレチ
クルがセットされ、さらにその上部に露光光を発する照
明系が配置される。FIG. 4 is a partial view of a conventional example of the above-described off-axis type exposure apparatus. In FIG. 4, 1 is a wafer, 2 is a wafer chuck for holding the wafer 1 by suction, 3 is a top table for holding the wafer chuck 2, 4 is an X stage that moves in the X direction, 5 is an X motor for driving the X stage, 6 is a Y stage moving in the Y direction, 7 is a Y motor for driving the Y stage, 8 is an XY stage base, 9 is a laser interferometer for measuring the Y direction position, 10 is a Y direction laser beam, 11 is a top table 3 , A reflecting mirror for measuring the position in the Y direction fixed to the end of the lens, 12 is a projection optical system, 13 is a wafer microscope, 14 is a lens barrel base that holds the projection optical system and the wafer microscope and guarantees the positional relationship, 15 is This is a partial air conditioner for controlling the temperature of the space between the XY stage base 8 and the lens barrel base 14. Although not shown, a reticle is set above the projection optical system 12, and an illumination system that emits exposure light is arranged above the reticle.
【０００９】上記の構成において、図示しないウエハ搬
送手段によってウエハチャック２の上に載置されたウエ
ハ１は、ＸＹステージによりウエハ顕微鏡１３の下に移
動される。そこで、ウエハに形成されている複数のアラ
イメントマークが順次ウエハ顕微鏡１３の検出視野内に
送り込まれ、顕微鏡内の基準マークとのズレ量が検出さ
れる。このズレ量と、レーザ干渉計によるそのときのＸ
Ｙステージの座標値から、各アライメントマークの顕微
鏡光軸に対する位置が計算され、位置合わせされる。そ
して、予め計測しておいた基準長（投影光学系光軸とウ
エハ顕微鏡光軸との距離）だけＸＹステージを移動し露
光することにより、前工程までに形成されたウエハパタ
ーンに対して次工程のレチクルパターンが転写される。In the above configuration, the wafer 1 placed on the wafer chuck 2 by the wafer transfer means (not shown) is moved below the wafer microscope 13 by the XY stage. Then, a plurality of alignment marks formed on the wafer are sequentially sent into the detection field of view of the wafer microscope 13, and the amount of deviation from the reference mark in the microscope is detected. The amount of this deviation and X at that time by the laser interferometer
From the coordinate values of the Y stage, the position of each alignment mark with respect to the optical axis of the microscope is calculated and aligned. Then, the XY stage is moved by the reference length (the distance between the optical axis of the projection optical system and the optical axis of the wafer microscope) measured in advance and exposed, so that the next process is performed on the wafer pattern formed by the previous process. Is transferred.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】このような装置は、Ｘ
Ｙ駆動用のモータ等の発熱源を含み、装置温度が気流に
対して高くなっている。また、ＸＹステージの上方に
は、投影光学系１２やウエハ顕微鏡１３や図示しないフ
ォーカス検出系等の部品が存在し、ＸＹステージ上方の
気流の方向や速度に影響を与える。同様に、ＸＹステー
ジ基盤８も気流を乱す。図５は、このような気流の様子
を模式的に示したものである。図５に示すように、ウエ
ハ１がウエハ顕微鏡１３の下にあってアライメントを行
なうときと、投影光学系１２の下にあって露光を行なう
ときとでは、ウエハ１やトップテーブル３に当たる気流
の方向、速度が異なる。このため、強制対流による冷却
効果に差異を生じ、ウエハ１やトップテーブル３の温度
が変化し、熱膨張あるいは熱収縮が起こる。ＸＹステー
ジの位置計測は、トップテーブル３の端部に固定された
反射鏡に対してなされるため、トップテーブル３に対す
るウエハ１の位置変化や、トップテーブルの寸法変化は
そのままアライメント誤差となる。Such a device is known as X
Including a heat source such as a Y drive motor, the temperature of the device is high with respect to the airflow. In addition, components such as the projection optical system 12, the wafer microscope 13, and a focus detection system (not shown) exist above the XY stage, and affect the direction and speed of the airflow above the XY stage. Similarly, the XY stage base 8 also disturbs the airflow. FIG. 5 schematically shows such an airflow. As shown in FIG. 5, the direction of the air flow impinging on the wafer 1 and the top table 3 differs between when the wafer 1 is under the wafer microscope 13 for alignment and when it is under the projection optical system 12 for exposure. , Different in speed. For this reason, a difference occurs in the cooling effect due to forced convection, the temperature of the wafer 1 and the top table 3 changes, and thermal expansion or thermal contraction occurs. Since the position measurement of the XY stage is performed on the reflecting mirror fixed to the end of the top table 3, a change in the position of the wafer 1 with respect to the top table 3 and a change in the dimension of the top table directly result in an alignment error.
【００１１】本発明の目的は、上記従来例の問題点に鑑
み、ＸＹステージに当たる気流の方向、速度を場所によ
らず一様とし、ＸＹステージの位置の変化に伴うウエハ
１等の被露光基板やトップテーブル３の温度の変化を無
くし、アライメント精度を高めることにある。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the problems of the prior art described above, an object of the present invention is to make the direction and speed of the airflow impinging on the XY stage uniform regardless of the location, and to expose the substrate to be exposed such as the wafer 1 with a change in the position of the XY stage. And to eliminate the change in the temperature of the top table 3 and increase the alignment accuracy.
【００１２】[0012]
【問題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明では、ウエハ等の被露光基板を載置して位
置移動可能なＸＹステージと、該ＸＹステージに対し局
部的に温調媒体を流通させるための温調手段を具備した
露光装置において、該温調媒体の流路内に、該ＸＹステ
ージの移動面に対しほぼ平行であるか、該温調媒体をや
や下向きに流通させるべく該ＸＹステージの移動面に対
しやや傾斜した平面板を該ＸＹステージのトップテーブ
ルの上方に配設する。好ましくは、さらに前記ＸＹステ
ージの可動部の最下面に位置する第二の平面板を設け
る。前記平面板を傾斜させる場合その傾斜角は前記温調
媒体の流通方向に対する俯角が１５°以下であることが
好ましく、５〜１０°がより好ましい。In order to achieve the above object, the present invention provides an XY stage on which a substrate to be exposed, such as a wafer, can be placed and moved, and a temperature locally controlled with respect to the XY stage. In an exposure apparatus provided with a temperature control means for flowing a temperature control medium, a flow direction of the temperature control medium is substantially parallel to a movement surface of the XY stage, or the temperature control medium is flowed slightly downward in a flow path of the temperature control medium. For this purpose, a flat plate slightly inclined with respect to the moving surface of the XY stage is disposed above the top table of the XY stage. Preferably, a second flat plate is further provided on the lowermost surface of the movable part of the XY stage. When the flat plate is tilted, the tilt angle of the flat plate with respect to the flow direction of the temperature control medium is preferably 15 ° or less, more preferably 5 ° to 10 °.
【００１３】[0013]
【作用】本発明によれば、トップテーブル上方に設けた
平面板の上方の気流の乱れはその下側には影響しない。
また前記第二の平面板はＸＹステージ基盤による気流の
乱れを防ぐ。よってＸＹステージに対する気流の当たり
方はＸＹステージの位置によらず一定となり、ＸＹステ
ージの位置の変化に伴う被露光基板やトップテーブルの
温度変化が無くなり、アライメント精度が向上する。According to the present invention, the turbulence of the air flow above the flat plate provided above the top table does not affect the lower side thereof.
Further, the second flat plate prevents turbulence in airflow due to the XY stage base. Therefore, the manner in which the airflow strikes the XY stage is constant irrespective of the position of the XY stage, and there is no change in the temperature of the substrate to be exposed or the top table due to the change in the position of the XY stage, thereby improving alignment accuracy.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。第一の実施例 図１は、本発明の第一の実施例に係わる露光装置の部分
図である。図１において、１〜１５は図４と同じで、１
はウエハ、２はウエハ１を吸着保持するウエハチャッ
ク、３はウエハチャック２を保持するトップテーブル、
４はＸ方向に移動するＸステージ、５はＸステージ駆動
用のＸモータ、６はＹ方向に移動するＹステージ、７は
Ｙステージ駆動用のＹモータ、８はＸＹステージ基盤、
９はＹ方向位置計測用のレーザ干渉計、１０はＹ方向レ
ーザビーム、１１はトップテーブル３の端部に固定され
たＹ方向位置計測用の反射鏡、１２は投影光学系、１３
はウエハ顕微鏡、１４は投影光学系やウエハ顕微鏡を保
持し位置関係を保証する鏡筒定盤、１５はＸＹステージ
基盤８と鏡筒定盤１４との間の空間を温調するための部
分空調機である。そして、１６はトップテーブル３の上
方にその移動面に対してほぼ平行に固定された平面板、
１７はＸＹステージ可動部の最下面に位置する第二の平
面板である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First Embodiment FIG. 1 is a partial view of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 to 15 are the same as FIG.
Denotes a wafer, 2 denotes a wafer chuck that holds the wafer 1 by suction, 3 denotes a top table that holds the wafer chuck 2,
4 is an X stage that moves in the X direction, 5 is an X motor that drives the X stage, 6 is a Y stage that moves in the Y direction, 7 is a Y motor that drives the Y stage, 8 is an XY stage base,
9 is a laser interferometer for measuring the Y direction position, 10 is a Y direction laser beam, 11 is a reflecting mirror for measuring the Y direction position fixed to an end of the top table 3, 12 is a projection optical system, 13
Is a wafer microscope, 14 is a lens barrel base which holds the projection optical system and the wafer microscope and guarantees the positional relationship, and 15 is a partial air conditioner for controlling the temperature of the space between the XY stage base 8 and the lens barrel base 14. Machine. 16 is a flat plate fixed above the top table 3 so as to be substantially parallel to the moving surface thereof;
Reference numeral 17 denotes a second flat plate located on the lowermost surface of the XY stage movable section.
【００１５】上記の構成において、部分空調機１５か
ら、一定温度に制御された気流が、ＸＹステージ基盤８
と鏡筒定盤１４との間の空間に吹き込まれる。その気流
は平面板１６によって上下に分離される。平面板１６の
上方の気流は、投影光学系１２やウエハ顕微鏡１３や図
示しないフォーカス検出系等の部品によって乱される
が、平面板１６の下側の気流は乱れない。また、第二の
平面板１７はＸＹステージ基盤８によって気流が乱れる
のを防ぐ。従って、ＸＹステージがどの位置にあっても
気流の当たり方は同一となり、強制対流による冷却効果
は一定となり、ＸＹステージの位置の変化に伴うウエハ
１やトップテーブル３の温度が変化が無くなり、アライ
メント精度が向上する。In the above configuration, the airflow controlled at a constant temperature is supplied from the partial air conditioner 15 to the XY stage base 8.
And into the space between the lens barrel base 14 and The air flow is vertically separated by the flat plate 16. The airflow above the flat plate 16 is disturbed by components such as the projection optical system 12, the wafer microscope 13, and a focus detection system (not shown), but the airflow below the flat plate 16 is not disturbed. The second flat plate 17 prevents the air flow from being disturbed by the XY stage base 8. Therefore, regardless of the position of the XY stage, the flow of the air current is the same, the cooling effect by the forced convection becomes constant, the temperature of the wafer 1 and the top table 3 does not change due to the change of the position of the XY stage, The accuracy is improved.
【００１６】なお、平面板１６と鏡筒定盤１４との間の
空間の気流は乱れたままであるが、この空間内の物体
は、移動しないので温度的には安定維持される。Although the air flow in the space between the flat plate 16 and the lens barrel base 14 remains turbulent, the objects in this space do not move, so that the temperature is stably maintained.
【００１７】第二の実施例 図２は、本発明の第二の実施例に係わる露光装置の部分
図である。第二の実施例では、第一の実施例に対して平
面板１６がＸＹステージの移動面に対して傾斜してお
り、気流はトップテーブル３に対してダウンフロー気味
になる。熱源が下方にある場合には、この方が平面板１
６をＸＹステージの移動面に対し平行にするよりも効果
的である。傾斜角は例えば５〜１０°程度に設定する。 Second Embodiment FIG. 2 is a partial view of an exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention. In the second embodiment, the flat plate 16 is inclined relative to the moving surface of the XY stage with respect to the first embodiment. When the heat source is below, the flat plate 1
6 is more effective than making the XY stage parallel to the moving surface of the XY stage. The inclination angle is set to, for example, about 5 to 10 °.
【００１８】第三の実施例 図３は、本発明の第三の実施例に係わる露光装置の部分
図である。第三の実施例では、第一の実施例に対して部
分空調機１５が独立した三個の部分空調機１５ａ、１５
ｂ、１５ｃに分かれ、平面板１６、１７によって分離さ
れた三つの層状空間Ａ、Ｂ、Ｃに対して独立に気流の温
度、方向、速度を設定可能に構成されている。各層状空
間Ａ、Ｂ、Ｃで最適な空調気流の温度、方向、速度が異
なる場合に、効果的である。 Third Embodiment FIG. 3 is a partial view of an exposure apparatus according to a third embodiment of the present invention. In the third embodiment, the partial air conditioners 15 are different from the first embodiment in that three independent partial air conditioners 15a, 15a are provided.
The temperature, direction, and speed of the airflow can be independently set for three layered spaces A, B, and C divided into b and 15c and separated by the plane plates 16 and 17. This is effective when the optimal temperature, direction, and speed of the air-conditioning airflow are different in each of the layered spaces A, B, and C.
【００１９】[0019]
【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した露光装
置または露光方法を利用したデバイスの生産方法の実施
例を説明する。図６は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。[Embodiment of Device Production Method] Next, an embodiment of a device production method using the above-described exposure apparatus or exposure method will be described. FIG. 6 shows a micro device (a semiconductor chip such as an IC or an LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head,
2 shows a flow of manufacturing a micromachine or the like. Step 1
In (Circuit Design), a device pattern is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the designed pattern. Step 3 (wafer manufacturing)
Then, a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass. Step 4 (wafer process) is called a pre-process,
An actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). including. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).
【００２０】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した空調設備を有する露
光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露
光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現
像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト
剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを
取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによ
って、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。FIG. 7 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 15
In (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the exposure apparatus having the above-described air conditioning equipment to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【００２１】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。By using the production method of this embodiment, a highly integrated device, which was conventionally difficult to produce, can be produced at low cost.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＸＹステージの移動面に対しほぼ平行ないし空調媒体の
流通方向にやや傾斜してトップテーブルの上方に位置す
る平面板を設ける、もしくはさらにＸＹステージの可動
部の最下面に位置する第二の平面板を設けるという簡単
な方法で、気流の乱れを防ぎ、ＸＹステージがどこにあ
っても、ＸＹステージに当たる気流の方向、速度を同一
とし、ＸＹステージの位置の変化に伴うウエハやトップ
テーブルの温度の変化を無くし、アライメント精度を高
めることが出来る。As described above, according to the present invention,
A flat plate is provided substantially parallel to the moving surface of the XY stage or slightly inclined in the flow direction of the air-conditioning medium and positioned above the top table, or a second flat plate positioned on the lowermost surface of the movable portion of the XY stage. The turbulence of the airflow is prevented by the simple method of providing the XY stage, the direction and speed of the airflow impinging on the XY stage are the same regardless of the position of the XY stage, and the temperature change of the wafer and the top table due to the change of the position of the XY stage. And the alignment accuracy can be improved.
【図１】 本発明の第一の実施例に係わる露光装置の部
分図である。FIG. 1 is a partial view of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の第二の実施例に係わる露光装置の部
分図である。FIG. 2 is a partial view of an exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図３】 本発明の第三の実施例に係わる露光装置の部
分図である。FIG. 3 is a partial view of an exposure apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図４】 従来例の露光装置の部分図である。FIG. 4 is a partial view of a conventional exposure apparatus.
【図５】 従来例の露光装置内の気流の様子を示す模式
図である。FIG. 5 is a schematic view showing a state of an air flow in a conventional exposure apparatus.
【図６】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a flow of manufacturing a micro device.
【図７】 図６におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a detailed flow of a wafer process in FIG. 6;
１：ウエハ、２：ウエハチャック、３：トップテーブ
ル、４：Ｘステージ、５：Ｘモータ、６：Ｙステージ、
７：Ｙモータ、８：ＸＹステージ基盤、９：レーザ干渉
計、１０：レーザビーム、１１：反射鏡、１２：投影光
学系、１３：ウエハ顕微鏡、１４：鏡筒定盤、１５：部
分空調機、１５ａ：部分空調機、１５ｂ：部分空調機、
１５ｃ：部分空調機、１６：平面板、１７：第二の平面
板。1: wafer, 2: wafer chuck, 3: top table, 4: X stage, 5: X motor, 6: Y stage,
7: Y motor, 8: XY stage base, 9: laser interferometer, 10: laser beam, 11: reflecting mirror, 12: projection optical system, 13: wafer microscope, 14: lens barrel base, 15: partial air conditioner , 15a: partial air conditioner, 15b: partial air conditioner,
15c: partial air conditioner, 16: flat plate, 17: second flat plate.
Claims (6)
Ｙステージと、該ＸＹステージに対し局部的に温調媒体
を流通させるための温調手段とを具備した露光装置にお
いて、該温調媒体の流路内に、該ＸＹステージの移動面
に対し実質的に平行で該ＸＹステージのトップテーブル
の上方に位置する平面板を設けたことを特徴とする露光
装置。1. An X which can move a position while mounting a substrate to be exposed.
An exposure apparatus comprising: a Y stage; and a temperature control means for locally flowing a temperature control medium to the XY stage. An exposure apparatus, comprising: a flat plate that is parallel to the XY stage and is located above a top table of the XY stage.
Ｙステージと、該ＸＹステージに対し局部的に温調媒体
を流通させるための温調手段とを具備した露光装置にお
いて、該温調媒体の流路内で該ＸＹステージのトップテ
ーブルの上方に、該ＸＹステージの移動面に対しやや傾
斜角を持ち、やや下向きに前記温調媒体を流通させる平
面板を設けたことを特徴とする露光装置。2. An X-position movable on which a substrate to be exposed is mounted.
In an exposure apparatus including a Y stage and a temperature control unit for locally flowing a temperature control medium to the XY stage, in an exposure apparatus, above a top table of the XY stage in a flow path of the temperature control medium, An exposure apparatus having a flat plate that has a slight inclination angle with respect to a moving surface of the XY stage, and that allows the temperature control medium to flow slightly downward.
通方向に対する俯角が１５°以下であることを特徴とす
る請求項２記載の露光装置。3. The exposure apparatus according to claim 2, wherein a tilt angle of the flat plate with respect to a flow direction of the temperature control medium is 15 ° or less.
置する第二の平面板をさらに設けたことを特徴とする請
求項１〜３のいずれか１つに記載の露光装置。4. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising a second flat plate located on the lowermost surface of the movable part of the XY stage.
によって分離された複数の層状の空間に対して、それぞ
れ独立に該温調媒体の流通方向、温度を設定可能にした
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の
露光装置。5. The apparatus according to claim 1, wherein a plurality of said temperature control means are provided, and a flow direction and a temperature of said temperature control medium can be set independently for a plurality of layered spaces separated by said flat plate. The exposure apparatus according to claim 1, wherein:
置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイ
ス製造方法。6. A device manufacturing method, comprising manufacturing a device using the exposure apparatus according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9271984A JPH1197339A (en) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | Aligner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9271984A JPH1197339A (en) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | Aligner |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197339A true JPH1197339A (en) | 1999-04-09 |
Family
ID=17507537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9271984A Pending JPH1197339A (en) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | Aligner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1197339A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008294443A (en) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus having encoder type position sensor system |
| JP2010263213A (en) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Asml Netherlands Bv | Immersion lithography apparatus and device manufacturing method |
| US8760615B2 (en) | 2007-05-24 | 2014-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having encoder type position sensor system |
-
1997
- 1997-09-19 JP JP9271984A patent/JPH1197339A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2011146737A (en) * | 2007-05-24 | 2011-07-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus having encoder-type position sensor system |
| JP2012069979A (en) * | 2007-05-24 | 2012-04-05 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus |
| US8687166B2 (en) | 2007-05-24 | 2014-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having an encoder position sensor system |
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| US8836913B2 (en) | 2007-05-24 | 2014-09-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having an encoder type position sensor system |
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| US8405819B2 (en) | 2009-05-08 | 2013-03-26 | Asml Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
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