JPH1197169A - Light emitting element and protection material for it - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子及び発光
素子用の保護材料に関し、特に発光素子の劣化を防ぐこ
とができるものに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device and a protective material for the light emitting device, and more particularly to a material capable of preventing deterioration of the light emitting device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、電極間に有機エレクトロルミ
ネッセンス（ＥＬ）薄膜を電極で挟み込み、これらの電
極間に電圧を印加して有機ＥＬ薄膜にキャリアを注入す
ることで発光を得る有機ＥＬ素子が知られている。この
有機ＥＬ素子は、一般に、ガラス等で構成された基板上
に、透明電極で構成されたアノード電極、有機ＥＬ層、
さらに低仕事関数金属電極で構成されたカソード電極が
順次形成されてなるものである。2. Description of the Related Art Heretofore, an organic EL device which obtains light emission by sandwiching an organic electroluminescence (EL) thin film between electrodes and applying a voltage between these electrodes to inject carriers into the organic EL thin film has been known. Are known. This organic EL element generally has an anode electrode composed of a transparent electrode, an organic EL layer,
Further, a cathode electrode composed of a metal electrode having a low work function is sequentially formed.
【０００３】この有機ＥＬ素子の形成プロセスにおい
て、パーティクル（小さなゴミ、塵、不要物などをい
う。以下、同じ）が存在すると、特に有機ＥＬ層を形成
する直前のアノード電極上に存在すると、その上に製膜
する有機ＥＬ層とアノード電極との界面にパーティクル
が存在したままとなる。このような状態で完成した有機
ＥＬ素子のアノード電極とカソード電極との間に電圧を
印加すると、電極間がショートしてパーティクルが存在
した部分のカソード電極及び有機ＥＬ層が欠損してピン
ホールが生じる。また、蒸着によって有機ＥＬ層を製膜
するときに、アノード電極上に存在するパーティクルの
部分に有機ＥＬ層が製膜できずに、小さなピンホールが
形成されることがある。このままカソード電極を形成し
た場合には、アノード電極とカソード電極との間に電圧
を印加すると、当該ピンホール部分がショートし、カソ
ード電極にピンホールが生じる。そして、このようにし
て生じたピンホールから酸素（Ｏ2）や水（Ｈ2Ｏ）が侵
入して、活性なカソード電極が酸化する。カソード電極
は、酸化すると有機ＥＬ層に電子の注入が困難となり、
この酸化した部分は有機ＥＬ層に所定の電圧を印加して
も発光しない部分（以下、ダークスポットという）とな
ってしまう。しかも、ダークスポットは、侵入するＯ2
及びＨ2Ｏによって時間の経過と共に大きくなる。この
ダークスポットの成長により、有機ＥＬ素子が発光する
光の光量は、時間の経過と共に小さくなるという問題が
あった。In the process of forming the organic EL element, if particles (small dust, dust, unnecessary substances, etc .; the same applies hereinafter) are present, especially if they are present on the anode electrode immediately before forming the organic EL layer, the Particles remain at the interface between the organic EL layer to be formed thereon and the anode electrode. When a voltage is applied between the anode electrode and the cathode electrode of the completed organic EL device in such a state, the electrodes are short-circuited, the cathode electrode and the organic EL layer in the portion where particles are present are lost, and a pinhole is formed. Occurs. In addition, when the organic EL layer is formed by vapor deposition, a small pinhole may be formed because the organic EL layer cannot be formed at a portion of particles existing on the anode electrode. When the cathode electrode is formed as it is, when a voltage is applied between the anode electrode and the cathode electrode, the pinhole portion is short-circuited, and a pinhole is generated in the cathode electrode. Then, oxygen (O 2 ) or water (H 2 O) penetrates from the pinhole thus generated, and the active cathode electrode is oxidized. When the cathode electrode is oxidized, injection of electrons into the organic EL layer becomes difficult,
The oxidized portion becomes a portion that does not emit light even when a predetermined voltage is applied to the organic EL layer (hereinafter, referred to as a dark spot). Moreover, the dark spot is invading O2
Increases over time by 及 beauty H 2 O. Due to the growth of the dark spot, there is a problem that the amount of light emitted from the organic EL element decreases with time.
【０００４】つまり、有機ＥＬ素子を製品化するに当た
っては、このダークスポットの成長をいかに抑えるかが
重要な課題となっていた。カソード電極が外気に触れな
いようにＯ2及びＨ2Ｏの侵入による酸化の進行を抑制
し、有機ＥＬ素子の製品寿命を長くするために、従来次
のような方法が用いられていた。[0004] In other words, in commercializing an organic EL element, how to suppress the growth of this dark spot has been an important issue. Conventionally, the following method has been used to suppress the progress of oxidation due to intrusion of O 2 and H 2 O so that the cathode electrode does not come into contact with the outside air, and to prolong the product life of the organic EL element.
【０００５】図１１〜図１３は、従来例の有機ＥＬ素子
７〜９の構造を示す断面図である。これらの有機ＥＬ素
子７〜９は、いずれも透明な基板１０上に、透明電極か
らなるアノード電極１１、正孔輸送層１２ａと電子輸送
性発光層１２ｂとからなる有機ＥＬ層１２、及び低仕事
関数金属電極からなるカソード電極１３が順次積層され
てなるものである。そして、カソード電極１３を外気か
ら遮断するために、図１１の有機ＥＬ素子７では、第２
基板７５を基板１０に対向して設け、基板１０と第２基
板７５との間をシール材７６によって封止していた。ま
た、図１２の有機ＥＬ素子８では、基板１０上に形成さ
れたアノード電極１１、有機ＥＬ層１２及びカソード電
極１３を有機系樹脂からなる封止層８５で被覆して封止
していた。また、図１３の有機ＥＬ素子９では、基板１
０上に形成されたアノード電極１１、有機ＥＬ層１２及
びカソード電極１３を、ＧｅＯ、ＭｏＯ3、ＧｅＳ、Ｓ
ｎＳ、ＬｉＦ等の金属酸化物、金属フッ化物あるいは金
属硫化物からなるからなる封止層９５で被覆して封止し
ていた。FIGS. 11 to 13 are sectional views showing the structures of conventional organic EL elements 7 to 9. FIG. Each of these organic EL elements 7 to 9 has an anode electrode 11 composed of a transparent electrode, an organic EL layer 12 composed of a hole transport layer 12a and an electron transportable light emitting layer 12b, and a low work on a transparent substrate 10. A cathode 13 made of a function metal electrode is sequentially laminated. In order to shield the cathode electrode 13 from the outside air, the organic EL element 7 shown in FIG.
The substrate 75 is provided so as to face the substrate 10, and the space between the substrate 10 and the second substrate 75 is sealed with the sealant 76. In the organic EL element 8 of FIG. 12, the anode electrode 11, the organic EL layer 12, and the cathode electrode 13 formed on the substrate 10 are covered and sealed with a sealing layer 85 made of an organic resin. Further, in the organic EL element 9 shown in FIG.
0 The anode electrode 11 is formed on the organic EL layer 12 and the cathode electrode 13, GeO, MoO 3, GeS , S
It was covered and sealed with a sealing layer 95 made of a metal oxide such as nS or LiF, a metal fluoride or a metal sulfide.
【０００６】しかしながら、上記従来例の有機ＥＬ素子
７〜９には、次のような問題があった。図１１に示した
有機ＥＬ素子７は、２枚の基板が必要となるため、全体
の構成が厚くなり、コスト高となっていた。また、外気
の遮断性は、シール材７６のガス透過性に依存するが、
シール材７６は、ガス透過性が完全ではなく、十分に外
気を遮断することができなかった。このため、シール材
７６を介してＯ2及びＨ2Ｏが侵入し、カソード電極１３
が酸化してダークスポットが発生、成長していた。However, the conventional organic EL elements 7 to 9 have the following problems. Since the organic EL element 7 shown in FIG. 11 requires two substrates, the overall configuration is thick and the cost is high. Further, although the outside air blocking performance depends on the gas permeability of the sealing material 76,
The sealing material 76 was not perfect in gas permeability, and could not sufficiently shut off the outside air. For this reason, O 2 and H 2 O enter through the sealing material 76 and the cathode electrode 13
Was oxidized to produce dark spots, which were growing.
【０００７】図１２に示した有機ＥＬ素子８では、封止
層８５に用いられている有機系樹脂の外気遮断性が十分
でなかった。このため、封止層８５を介してＯ2及びＨ2
Ｏが侵入し、カソード電極１３が酸化してダークスポッ
トが発生、成長していた。図１３に示した有機ＥＬ素子
９でも、封止層９５に用いられているＧｅＯ、Ｍｏ
Ｏ3、ＧｅＳ、ＳｎＳ、ＬｉＦは、その粒径が比較的大
きく、この粒子の隙間からＯ2及びＨ2Ｏが侵入してしま
った。これにより、カソード電極１３が酸化してダーク
スポットが発生、成長していた。In the organic EL device 8 shown in FIG. 12, the organic resin used for the sealing layer 85 does not have sufficient external air blocking properties. For this reason, O 2 and H 2 are interposed via the sealing layer 85.
O invaded and the cathode electrode 13 was oxidized to generate and grow dark spots. Also in the organic EL element 9 shown in FIG. 13, GeO and Mo used in the sealing layer 95 are used.
O 3 , GeS, SnS, and LiF have relatively large particle sizes, and O 2 and H 2 O have penetrated through gaps between the particles. As a result, the cathode electrode 13 was oxidized to generate and grow dark spots.
【０００８】すなわち、従来より用いられていた方法で
は、いずれの場合もＯ2及びＨ2Ｏの侵入によるカソード
電極１３の酸化を十分に抑制することができなかった。
このため、従来の有機ＥＬ素子７〜９では、ダークスポ
ットの発生、成長を十分に抑え込むことができず、製品
寿命を長くすることができなかった。That is, in any of the conventional methods, the oxidation of the cathode electrode 13 due to the penetration of O 2 and H 2 O cannot be sufficiently suppressed in any case.
For this reason, in the conventional organic EL elements 7 to 9, the occurrence and growth of dark spots could not be suppressed sufficiently, and the product life could not be extended.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解消するためになされたものであり、いわ
ゆるダークスポットの成長による劣化を防ぎ、製品寿命
の長い発光素子及び発光素子用のガラス材料を提供する
ことを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and is intended to prevent deterioration due to the growth of so-called dark spots, to provide a light emitting element having a long product life and a light emitting element. The purpose of the present invention is to provide a glass material.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の観点にかかる発光素子は、透明電極
と、金属電極と、前記透明電極と前記金属電極との間に
介在させた発光層とを基板上に形成した発光素子であっ
て、前記透明電極、前記金属電極及び前記発光層を被覆
し、かつ、単独でアモルファス構造をとることができる
ホスト材料に不純物をゲスト材料としてドープしたガラ
ス材料からなる保護層を備える、ことを特徴とする。In order to achieve the above object, a light emitting device according to a first aspect of the present invention comprises a transparent electrode, a metal electrode, and a light emitting element interposed between the transparent electrode and the metal electrode. A light emitting element having a light emitting layer formed on a substrate, covering the transparent electrode, the metal electrode and the light emitting layer, and using a host material capable of independently having an amorphous structure as an impurity as a guest material. A protective layer made of a doped glass material.
【００１１】前記保護層を構成するガラス材料は、上記
のように構成したことによって、前記ホスト材料を構成
する分子の隙間に、前記不純物が物理的に入り込み、或
いは前記不純物がホスト材料を構成する分子と化学結合
し、結合構造が密なものとなる。従って、前記保護層に
よって外部から酸素及び水が侵入することを防ぐことが
できる。このため、前記金属電極の酸化を抑止すること
ができ、ダークスポットの成長による発光素子の劣化を
防ぐことができ、発光素子の製品寿命が長いものとな
る。The glass material forming the protective layer is configured as described above, whereby the impurities physically enter the gaps between the molecules forming the host material, or the impurities form the host material. A chemical bond with a molecule results in a dense bond structure. Therefore, the protective layer can prevent oxygen and water from entering from the outside. For this reason, the oxidation of the metal electrode can be suppressed, the deterioration of the light emitting element due to the growth of dark spots can be prevented, and the product life of the light emitting element is prolonged.
【００１２】上記発光素子において、前記ホスト材料
は、酸素原子との単結合エネルギーが３７０（kJ/mol）
以上である原子の酸化物によって構成され、前記ゲスト
材料は、酸素原子との単結合エネルギーが３７０（kJ/m
ol）未満である原子の単体または酸化物によって構成さ
れる、ものとすることができる。In the above light-emitting element, the host material has a single bond energy with an oxygen atom of 370 (kJ / mol).
The guest material is composed of an oxide of the above atom, and has a single bond energy of 370 (kJ / m 2) with an oxygen atom.
ol).
【００１３】上記発光素子において、前記ホスト材料
は、酸素原子との単結合エネルギーが２６０（kJ/mol）
以上である原子の酸化物によって構成され、前記ゲスト
材料は、酸素原子との単結合エネルギーが２６０（kJ/m
ol）未満である原子の単体または酸化物によって構成さ
れる、ものとすることもできる。In the above light-emitting element, the host material has a single bond energy with an oxygen atom of 260 (kJ / mol).
The guest material is composed of an oxide of the above atom, and has a single bond energy of 260 (kJ / m 2) with an oxygen atom.
ol).
【００１４】上記発光素子において、前記ホスト材料
は、ケイ素、ホウ素、ゲルマニウム、リン、ヒ素のうち
の何れか１種類以上の酸化物または硫化物によって構成
され、前記ゲスト材料は、アルミニウム、亜鉛、ベリリ
ウムのうちの何れか１種類以上の酸化物または硫化物に
よって構成される、ものとすることもできる。In the above light emitting device, the host material is composed of an oxide or sulfide of at least one of silicon, boron, germanium, phosphorus, and arsenic, and the guest material is aluminum, zinc, beryllium. And at least one of oxides and sulfides.
【００１５】上記発光素子において、前記ホスト材料
は、ケイ素、ホウ素、ゲルマニウム、リン、ヒ素のうち
の何れか１種類以上の酸化物または硫化物によって構成
され、前記ゲスト材料は、スカンジウム、ランタン、イ
ットリウム、スズ、バリウム、カルシウム、ストロンチ
ウム、マグネシウム、リチウム、ナトリウム、カリウ
ム、ルビジウム、セシウム、セリウムのうちの何れか１
種類以上の単体、酸化物または硫化物によって構成され
る、ものとすることもできる。In the above light-emitting element, the host material is composed of an oxide or sulfide of at least one of silicon, boron, germanium, phosphorus, and arsenic, and the guest material is scandium, lanthanum, yttrium. , Tin, barium, calcium, strontium, magnesium, lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, cerium
It can be composed of more than one kind of simple substance, oxide or sulfide.
【００１６】上記発光素子において、前記ホスト材料
は、アルミニウム、亜鉛、ベリリウムのうちの何れか１
種類以上の酸化物または硫化物によって構成され、前記
ゲスト材料は、スカンジウム、ランタン、イットリウ
ム、スズ、バリウム、カルシウム、ストロンチウム、マ
グネシウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジ
ウム、セシウム、セリウムのうちの何れか１種類以上の
酸化物または硫化物によって構成される、ものとするこ
ともできる。In the above light emitting device, the host material is any one of aluminum, zinc and beryllium.
The guest material is composed of at least one kind of oxide or sulfide, and the guest material is any one of scandium, lanthanum, yttrium, tin, barium, calcium, strontium, magnesium, lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, and cerium. It can be composed of more than one kind of oxide or sulfide.
【００１７】上記発光素子において、前記透明電極、前
記発光層及び前記金属電極は、例えば、前記透明電極、
前記発光層、前記金属電極の順で基板側から積層されて
形成されたものとすることができる。この場合、前記金
属電極は、３０００（Å）以上の層厚で形成されている
ことを好適とする。In the above light emitting device, the transparent electrode, the light emitting layer, and the metal electrode are, for example, the transparent electrode,
The light-emitting layer and the metal electrode may be formed by being laminated from the substrate side in this order. In this case, it is preferable that the metal electrode is formed with a layer thickness of 3000 (Å) or more.
【００１８】この構成は、前記発光層が有機エレクトロ
ルミネッセンス層であるときに、特に顕著な効果を生じ
る。This configuration has a particularly remarkable effect when the light emitting layer is an organic electroluminescent layer.
【００１９】すなわち、有機エレクトロルミネッセンス
材料は熱に弱いため、前記保護層を例えば、スパッタ法
によって形成するときに、前記金属電極を３０００
（Å）以上の層厚とすることによって、スパッタリング
によって生じる熱から前記有機エレクトロルミネッセン
ス層を保護することができる。That is, since the organic electroluminescent material is weak to heat, when the protective layer is formed by, for example, a sputtering method, the metal electrode is 3,000.
(Å) With the above layer thickness, the organic electroluminescent layer can be protected from heat generated by sputtering.
【００２０】上記発光素子は、さらに、前記保護層の上
に積層して形成された金属膜を備える構成とすることが
できる。The light emitting element may further include a metal film formed by being laminated on the protective layer.
【００２１】また、上記発光素子は、さらに、前記保護
層の上に積層して形成され、前記保護層を封止する有機
系樹脂からなる封止層を備える構成とすることもでき
る。Further, the light emitting element may further include a sealing layer formed of an organic resin for sealing the protective layer, which is formed by being laminated on the protective layer.
【００２２】このように構成した場合、前記保護層に何
らかの欠陥があっても、その欠陥を前記金属膜及び前記
保護層によって被覆することができる。このため、前記
保護層の欠陥部分から酸素及び水が侵入することを防ぐ
ことができる。これにより、前記金属電極の酸化による
ダークスポットの成長を、よりいっそう抑止することが
できる。With this configuration, even if there is any defect in the protective layer, the defect can be covered by the metal film and the protective layer. Therefore, it is possible to prevent oxygen and water from entering from a defective portion of the protective layer. Thereby, the growth of the dark spot due to the oxidation of the metal electrode can be further suppressed.
【００２３】また、上記発光素子は、さらに、前記基板
に対向して配置された対向基板と、前記基板と前記対向
基板との間を封止するシール材とを備える構成とするこ
ともできる。この場合、前記シール材によって前記基板
と前記対向基板との間を封止することによって形成され
た空間に、絶縁性のオイルを充填してもよい。[0023] The light emitting element may further include a counter substrate disposed to face the substrate, and a sealing material for sealing between the substrate and the counter substrate. In this case, a space formed by sealing the space between the substrate and the counter substrate with the sealant may be filled with insulating oil.
【００２４】このように構成した場合、前記対向基板
（及び前記オイル）によっても外部からの酸素及び水の
侵入を防ぐことができる。これにより、前記金属電極の
酸化によるダークスポットの成長を、よりいっそう抑止
することができる。According to this structure, the invasion of oxygen and water from the outside can be prevented by the counter substrate (and the oil). Thereby, the growth of the dark spot due to the oxidation of the metal electrode can be further suppressed.
【００２５】上記目的を達成するため、本発明の第２の
観点にかかる発光素子用の保護材料は、３次元綱目状構
造の酸化物或いは硫化物の分子間の隙間に、１種類以上
の単体、酸化物、硫化物のいずれかから選択される充填
材が混在される、ことを特徴とする。In order to achieve the above object, a protective material for a light emitting device according to the second aspect of the present invention is provided with one or more kinds of simple substances in gaps between oxide or sulfide molecules having a three-dimensional network structure. , Oxides and sulfides.
【００２６】上記発光素子用の保護材料は、前記３次元
綱目状構造の酸化物或いは硫化物が、ケイ素、ホウ素、
ゲルマニウム、リン、ヒ素のうちの何れか１種類以上の
酸化物または硫化物であり、前記充填材が、アルミニウ
ム、亜鉛、ベリリウムのうちの何れか１種類以上の酸化
物または硫化物である、ものとすることができる。[0026] The protective material for a light-emitting element is such that the oxide or sulfide having the three-dimensional network structure is formed of silicon, boron,
One or more oxides or sulfides of germanium, phosphorus, and arsenic, and the filler is one or more oxides or sulfides of aluminum, zinc, and beryllium. It can be.
【００２７】上記発光素子用の保護材料は、また、前記
３次元綱目状構造の酸化物或いは硫化物が、ケイ素、ホ
ウ素、ゲルマニウム、リン、ヒ素のうちの何れか１種類
以上の酸化物または硫化物であり、前記充填材が、スカ
ンジウム、ランタン、イットリウム、スズ、バリウム、
カルシウム、ストロンチウム、マグネシウム、リチウ
ム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、セ
リウムのうちの何れか１種類以上の単体、酸化物または
硫化物である、ものとしてもよい。In the protective material for a light emitting device, the oxide or sulfide having the three-dimensional network structure may be an oxide or sulfide of at least one of silicon, boron, germanium, phosphorus, and arsenic. Wherein the filler is scandium, lanthanum, yttrium, tin, barium,
Any one or more of calcium, strontium, magnesium, lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, and cerium may be used alone, as an oxide or a sulfide.
【００２８】上記発光素子用の保護材料は、また、前記
３次元綱目状構造の酸化物或いは硫化物が、アルミニウ
ム、亜鉛、ベリリウムのうちの何れか１種類以上の酸化
物または硫化物であり、前記充填材が、スカンジウム、
ランタン、イットリウム、スズ、バリウム、カルシウ
ム、ストロンチウム、マグネシウム、リチウム、ナトリ
ウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、セリウムのう
ちの何れか１種類以上の単体、酸化物または硫化物であ
る、ものとしてもよい。In the protective material for a light emitting device, the oxide or sulfide having the three-dimensional network structure is at least one of aluminum, zinc, and beryllium. The filler is scandium,
Any one or more of lanthanum, yttrium, tin, barium, calcium, strontium, magnesium, lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, and cerium may be used alone, as an oxide or sulfide.
【００２９】[0029]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態について説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【００３０】［第１の実施の形態］図１は、この実施の
形態の有機ＥＬ素子１の構造を示す断面図である。この
有機ＥＬ素子１は、ページャや携帯電話などの表示部の
バックライトとして用いられる全面発光型のものであ
る。図１に示すように、有機ＥＬ素子１は、基板１０上
に順次積層して形成されたアノード電極１１と、有機Ｅ
Ｌ層１２と、カソード電極１３と、保護層１４とから構
成されている。[First Embodiment] FIG. 1 is a sectional view showing a structure of an organic EL device 1 according to this embodiment. The organic EL element 1 is of a full-surface emission type used as a backlight of a display unit such as a pager or a mobile phone. As shown in FIG. 1, an organic EL element 1 includes an anode electrode 11 formed by sequentially laminating a substrate 10 and an organic EL element.
It comprises an L layer 12, a cathode electrode 13, and a protective layer.
【００３１】基板１０は、絶縁性を有し、可視光に対し
て十分な透過性を有する透明のガラスまたはプラスチッ
クなどによって構成されている。アノード電極１１は、
可視光に対して十分な透過性を有し、後述する正孔輸送
層１２ａに十分に正孔を注入することができるＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ−Ｉｎ2Ｏ3化合物あるい
はＳｎＯ2などの透明電極から構成される。The substrate 10 is made of, for example, transparent glass or plastic having an insulating property and having a sufficient transparency to visible light. The anode electrode 11
ITO having sufficient transparency to visible light and capable of sufficiently injecting holes into a hole transport layer 12a described later.
(Indium Tin Oxide), a ZnO-In 2 O 3 compound, or a transparent electrode such as SnO 2 .
【００３２】有機ＥＬ層１２は、アノード電極１１の側
に形成された正孔輸送層１２ａと、カソード電極１３の
側に形成された電子輸送性発光層１２ｂとの２層構造に
よって構成されている。正孔輸送層１２ａは、化１に示
すα−ＮＰＤから構成される。The organic EL layer 12 has a two-layer structure of a hole transporting layer 12a formed on the anode electrode 11 side and an electron transporting light emitting layer 12b formed on the cathode electrode 13 side. . The hole transport layer 12a is composed of α-NPD shown in Chemical Formula 1.
【化１】 Embedded image
【００３３】電子輸送性発光層１２ｂは、化２に示すＢ
ｅｂｑ２から構成される。The electron transporting light emitting layer 12b is composed of B
ebq2.
【化２】 Embedded image
【００３４】有機ＥＬ層１２は、アノード電極１１とカ
ソード電極１３との間に電圧を印加し、電極間の有機Ｅ
Ｌ層１２内に電流が流れて正孔と電子とが再結合するこ
とによって励起されたエネルギーを電子輸送性発光層１
２ｂが吸収することによって発光する。有機ＥＬ層１２
は、電子輸送性発光層１２ｂとしてＢｅｂｑ２を用いて
いることにより、アノード電極１１を介して基板１０側
に緑色の光を発するものである。The organic EL layer 12 applies a voltage between the anode electrode 11 and the cathode electrode 13 to generate an organic EL layer between the electrodes.
The current excited in the L layer 12 by the recombination of holes and electrons due to the flow of the current in the L
Light is emitted by absorption by 2b. Organic EL layer 12
Emits green light toward the substrate 10 via the anode electrode 11 by using Bebq2 as the electron transporting light emitting layer 12b.
【００３５】カソード電極１３は、電子輸送性発光層１
２ｂに十分電子を注入することができるＭｇ、Ｍｇ：Ｉ
ｎ合金あるいはＭｇ：Ａｇ合金などの低仕事関数の金属
電極から構成される。カソード電極１３の層厚は、保護
層１４を形成するときにスパッタリングによるダメージ
から有機ＥＬ層１３を保護するために、３０００（Å）
以上に形成することが望ましい。The cathode electrode 13 is composed of the electron transporting light emitting layer 1
Mg, Mg: I capable of sufficiently injecting electrons into 2b
It is composed of a metal electrode having a low work function such as an n alloy or a Mg: Ag alloy. The thickness of the cathode electrode 13 is 3000 (Å) in order to protect the organic EL layer 13 from damage due to sputtering when forming the protective layer 14.
It is desirable to form it above.
【００３６】保護層１４は、特殊な構造のガラスからな
るものであり、以下の（１）〜（３）の何れかの構成を
有するものである。なお、以下の（１）〜（３）におい
て、ガラス形成材料は、酸素原子との間の単結合エネル
ギーが３７０（kJ/mol）以上（好ましくは４００（kJ/m
ol））であるＳｉ、Ｂ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｓから選択される
元素の酸化物からなる。ＳｉとＯとの単結合エネルギー
は、４４３（kJ/mol）であり、Ｂ、 Ｇｅ、Ｐ及びＡｓ
の各々とＯとの単結合エネルギーはそれぞれ、３７２、
４４３及び４６４（kJ/mol）である。ガラス形成材料
は、単独でアモルファス構造をとることができる。The protective layer 14 is made of glass having a special structure, and has any one of the following structures (1) to (3). In the following (1) to (3), the glass-forming material has a single bond energy with an oxygen atom of 370 (kJ / mol) or more (preferably 400 (kJ / m2).
ol)), which is an oxide of an element selected from Si, B, Ge, P, and As. The single bond energy between Si and O is 443 (kJ / mol), and B, Ge, P and As
And the single bond energy of O is 372,
443 and 464 (kJ / mol). The glass forming material alone can have an amorphous structure.
【００３７】ガラス修飾材料は、酸素原子との単結合エ
ネルギーが２６０（kJ/mol）未満であるＳｃ、Ｌａ、
Ｙ、Ｓｎ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、
Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｅから選択される元素の酸化物またはこ
れらの原子の単体からなる。Ｓｃ、Ｌａ、Ｙ、Ｓｎ、Ｂ
ａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ
の各々とＯとの単結合エネルギーはそれぞれ、２５１、
２４２、２０９、１９２、１３８、１３４、１３４１５
５、１５１、８４、５４、５０及び、４２（kJ/mol）で
ある。The glass-modified material includes Sc, La, and Sb having a single bond energy with an oxygen atom of less than 260 (kJ / mol).
Y, Sn, Ba, Ca, Sr, Mg, Li, Na, K,
It is composed of an oxide of an element selected from Rb, Cs, and Ce or a simple substance of these atoms. Sc, La, Y, Sn, B
a, Ca, Sr, Mg, Li, Na, K, Rb and Cs
And the single bond energy of O is 251 respectively.
242, 209, 192, 138, 134, 13415
5, 151, 84, 54, 50 and 42 (kJ / mol).
【００３８】中間材料は、酸素原子との単結合エネルギ
ーが２６０（kJ/mol）以上、３７０（kJ/mol）未満であ
るＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅから選択される元素の酸化物からな
る。Ａｌ、Ｚｎ及びＢｅの各々とＯとの単結合エネルギ
ーはそれぞれ、３３４、３０１及び２６３（kJ/mol）で
ある。中間材料は、単独でアモルファス構造をとること
ができる。なお、これらの材料は、酸化物の代わりに硫
化物を用いてもよい。The intermediate material is made of an oxide of an element selected from Al, Zn, and Be having a single bond energy with an oxygen atom of 260 (kJ / mol) or more and less than 370 (kJ / mol). The single bond energies of Al, Zn, and Be and O are 334, 301, and 263 (kJ / mol), respectively. The intermediate material alone can have an amorphous structure. Note that these materials may use sulfides instead of oxides.
【００３９】（１）ガラス形成材料をホスト、ガラス修
飾材料をゲストとするもの。保護層１４の材料全体を１
００（mol％）としたとき、５〜３０（mol％）のガラス
修飾材料をガラス形成材料にドープすると、ガラス形成
材料のみで構成されたガラスの網目の一部が切断され
る。そして、図２（Ａ）に示すように、ガラス修飾材料
の原子が、網目の切断によって形成されたガラス形成材
料の原子の隙間に入り込む。これによって、ガラス形成
材料のみで構成されたガラスよりも密な構造のガラスと
なる。(1) A glass-forming material as a host and a glass-modifying material as a guest. The entire material of the protective layer 14 is 1
When the glass-forming material is doped with 5 to 30 (mol%) when the glass-forming material is set to 00 (mol%), a part of the mesh of the glass formed of only the glass-forming material is cut. Then, as shown in FIG. 2A, the atoms of the glass modifying material enter the gaps between the atoms of the glass forming material formed by cutting the mesh. As a result, the glass has a denser structure than the glass formed of only the glass forming material.
【００４０】（２）ガラス形成材料をホスト、中間材料
をゲストとするもの。保護層１４の材料全体を１００
（mol％）としたとき、５〜３０（mol％）の中間材料を
ガラス形成材料にドープすると、ガラス形成材料のみで
構成されたガラスの網目の一部が切断される。そして、
図２（Ｂ）に示すように、中間材料の原子が、網目の切
断によって形成されたガラス形成材料の原子の隙間に入
り込むと共に、その一部はガラス形成材料と結合する。
これによって、ガラス形成材料のみで構成されたガラス
よりも密な構造のガラスとなる。(2) A glass-forming material as a host and an intermediate material as a guest. The entire material of the protective layer 14 is 100
(Mol%), when 5 to 30 (mol%) of the intermediate material is doped into the glass forming material, a part of the mesh of the glass formed of only the glass forming material is cut. And
As shown in FIG. 2B, atoms of the intermediate material enter gaps between the atoms of the glass forming material formed by cutting the mesh, and part of the atoms are bonded to the glass forming material.
As a result, the glass has a denser structure than the glass formed of only the glass forming material.
【００４１】（３）中間材料をホスト、ガラス修飾材料
をゲストとするもの。保護層１４の材料全体を１００
（mol％）としたとき、５〜３０（mol％）のガラス修飾
材料を中間材料にドープすると、中間材料の結合の網目
の一部が切断される。そして、図２（Ｃ）に示すよう
に、ガラス修飾材料の原子が、網目の切断によって形成
された中間材料の原子の隙間に入り込むと共に、その一
部が中間材料と結合する。これによって、ガラス形成材
料のみで構成されたガラスよりも密な構造のガラスとな
る。(3) An intermediate material having a host and a glass modifying material having a guest. The entire material of the protective layer 14 is 100
(Mol%), when 5 to 30 (mol%) of the glass modifying material is doped into the intermediate material, a part of the network of the bonding of the intermediate material is cut. Then, as shown in FIG. 2C, atoms of the glass-modified material enter gaps between the atoms of the intermediate material formed by cutting the mesh, and a part of the atoms is bonded to the intermediate material. As a result, the glass has a denser structure than the glass formed of only the glass forming material.
【００４２】保護層１４は、このように原子が密となっ
た構造のガラスで構成されていることによって、Ｏ2及
びＨ2Ｏの侵入を阻止することができる。また、保護層
１４は、絶縁性を有し、アノード電極１１とカソード電
極１３との間に電圧を印加しても、これらの電極間をシ
ョートさせることがない。なお、保護層１４の層厚は、
３０００（Å）以上であることを好適とする。Since the protective layer 14 is made of glass having a structure in which atoms are dense, the intrusion of O 2 and H 2 O can be prevented. In addition, the protective layer 14 has an insulating property, so that even if a voltage is applied between the anode electrode 11 and the cathode electrode 13, there is no short circuit between these electrodes. The thickness of the protective layer 14 is
It is preferable that it is 3000 (Å) or more.
【００４３】なお、図示しないが、アノード電極１１及
びカソード電極１３には、有機ＥＬ素子１の発光／非発
光に応じて所定の電圧を印加するための端子がそれぞれ
設けられている。これらの端子は、保護層１４の外側に
引き出され、それぞれ所定の駆動回路に接続されてい
る。Although not shown, the anode electrode 11 and the cathode electrode 13 are provided with terminals for applying a predetermined voltage according to light emission / non-light emission of the organic EL element 1, respectively. These terminals are drawn out of the protective layer 14 and connected to predetermined drive circuits.
【００４４】以下、有機ＥＬ素子１の製造プロセスにつ
いて説明する。まず、基板１０上にスパッタ法でＩＴ
Ｏ、ＺｎＯ−Ｉｎ2Ｏ3化合物あるいはＳｎＯ2などの透
明電極材料を堆積させる。そして、堆積させた透明電極
材料のうちの不要部分、すなわちアノード電極１１とな
る部分以外の部分をフォトリソグラフィー法により取り
除く。これにより、アノード電極１１が形成される。Hereinafter, the manufacturing process of the organic EL element 1 will be described. First, the IT is formed on the substrate 10 by sputtering.
A transparent electrode material such as O, ZnO—In 2 O 3 compound or SnO 2 is deposited. Then, an unnecessary portion of the deposited transparent electrode material, that is, a portion other than a portion to be the anode electrode 11 is removed by photolithography. Thereby, the anode electrode 11 is formed.
【００４５】次に、アノード電極１１の大きさ以下の窓
を設けたメタルマスクを所定の位置に合わせ、正孔輸送
層材料であるα−ＮＰＤと電子輸送性発光層材料である
Ｂｅｂｑ２とをメタルマスクの窓からアノード電極１１
の上に順次真空蒸着する。これにより、正孔輸送層１２
ａと電子輸送性発光層１２ｂとからなる有機ＥＬ層１２
が形成される。Next, a metal mask provided with a window smaller than the size of the anode electrode 11 is positioned at a predetermined position, and α-NPD as a hole transport layer material and Bebq2 as an electron transportable light emitting layer material are metallized. Anode electrode 11 from mask window
Is sequentially vacuum-deposited. Thereby, the hole transport layer 12
organic EL layer 12 comprising a and an electron transporting light emitting layer 12b
Is formed.
【００４６】次に、有機ＥＬ層１２の大きさ以下の窓を
設けたメタルマスクを所定の位置に合わせ、Ｍｇ、Ｍ
ｇ：Ｉｎ合金あるいはＭｇ：Ａｇ合金などの低仕事関数
の金属をメタルマスクの窓から有機ＥＬ層１２の上に真
空蒸着する。これにより、カソード電極１３が形成され
る。Next, a metal mask provided with a window smaller than the size of the organic EL layer 12 is positioned at a predetermined position, and Mg, M
A low work function metal such as a g: In alloy or a Mg: Ag alloy is vacuum-deposited on the organic EL layer 12 from a window of a metal mask. Thereby, the cathode electrode 13 is formed.
【００４７】以上の工程によって、アノード電極１１、
有機ＥＬ層１２及びカソード電極１３が形成された基板
１０（以下、発光側基板という）を低温成膜が可能なス
パッタ装置のチャンバーに固定する。そして、メタルマ
スクを所定の位置に合わせ、保護層１４を構成する材料
の比率に応じた所定の割合でガラス形成材料、ガラス修
飾材料及び／または中間材料をＡｒ雰囲気下において発
光側基板にスパッタリングする。なお、この工程でのス
パッタリングは、例えば、対向ターゲットスパッタ、マ
グネトロンスパッタ、イオンビームスパッタあるいはＥ
ＣＲスパッタによって行うことができる。ただし、いず
れの方法によっても発光側基板の表面の温度は、１００
℃以下の低温とする。なお、保護層１４の形成は、イオ
ンビーム、イオンプレーティング等の蒸着法によっても
行うことができる。Through the above steps, the anode electrode 11,
The substrate 10 on which the organic EL layer 12 and the cathode electrode 13 are formed (hereinafter, referred to as a light emitting side substrate) is fixed to a chamber of a sputtering apparatus capable of forming a film at a low temperature. Then, the metal mask is positioned at a predetermined position, and a glass forming material, a glass modifying material, and / or an intermediate material are sputtered on the light emitting side substrate in an Ar atmosphere at a predetermined ratio according to a ratio of a material forming the protective layer 14. . The sputtering in this step is performed by, for example, facing target sputtering, magnetron sputtering, ion beam sputtering, or E sputtering.
It can be performed by CR sputtering. However, the temperature of the surface of the light emitting side substrate is 100
The temperature should be lower than ℃. The formation of the protective layer 14 can also be performed by an evaporation method such as ion beam or ion plating.
【００４８】以下、有機ＥＬ素子１におけるダークスポ
ットの発生例と、保護層１４がダークスポットの成長を
抑止する作用について、図３を参照して説明する。上記
のプロセスにおいて有機ＥＬ層１２を形成する前に、ア
ノード電極１１の上にパーティクルが存在したとする。
このような場合、上記のプロセスを経ると、図３（Ａ）
に示すように、有機ＥＬ層１２にパーティクルＰが存在
したままの有機ＥＬ素子１が形成される。Hereinafter, an example of occurrence of a dark spot in the organic EL element 1 and an operation of the protective layer 14 for suppressing the growth of the dark spot will be described with reference to FIG. It is assumed that particles exist on the anode electrode 11 before the organic EL layer 12 is formed in the above process.
In such a case, after the above process, FIG.
As shown in FIG. 5, the organic EL element 1 is formed with the particles P existing in the organic EL layer 12.
【００４９】図３（Ａ）に示した有機ＥＬ素子１のアノ
ード電極１１とカソード電極１３との間に、有機ＥＬ層
１２を発光させるべく所定の電圧を印加すると、その電
界の強さによってアノード電極１１とカソード電極１３
との間がショートする。このときのエネルギーによっ
て、図３（Ｂ）に示すように、ショートした部分すなわ
ちパーティクルが存在した部分の有機ＥＬ層１２及びカ
ソード電極１３が欠損してピンホールＰＨを生じる。ま
た、蒸着によって有機ＥＬ層１２を製膜するときに、ア
ノード電極１１上に存在するパーティクルの部分に有機
ＥＬ層１２が製膜できずに、小さなピンホールが形成さ
れることがある。このままカソード電極１３を形成した
場合にも、アノード電極１１とカソード電極１３との間
に電圧を印加すると、当該ピンホール部分がショート
し、図３（Ｂ）に示すとおりに、カソード電極１３にピ
ンホールが生じる。When a predetermined voltage is applied between the anode electrode 11 and the cathode electrode 13 of the organic EL device 1 shown in FIG. Electrode 11 and cathode electrode 13
Is short-circuited. Due to the energy at this time, as shown in FIG. 3B, the short-circuited portion, that is, the portion where the particles are present, of the organic EL layer 12 and the cathode electrode 13 is lost, and a pinhole PH is generated. Further, when the organic EL layer 12 is formed by vapor deposition, a small pinhole may be formed because the organic EL layer 12 cannot be formed at a portion of particles existing on the anode electrode 11. Even when the cathode electrode 13 is formed as it is, when a voltage is applied between the anode electrode 11 and the cathode electrode 13, the pinhole portion is short-circuited, and as shown in FIG. A hole is created.
【００５０】ここで、保護層１４がなかった場合を考え
る。有機ＥＬ素子に保護層１４がない場合には、図３
（Ｃ’）に示すように、ピンホールＰＨの部分からカソ
ード電極１３の内部に外気中に存在するＯ2及びＨ2Ｏが
侵入する。カソード電極１３は、ピンホールＰＨの部分
から侵入してきたＯ2及びＨ2Ｏによって、図中黒く塗り
つぶしたように有機ＥＬ層１２との界面までが酸化す
る。こうしてカソード電極１３の有機ＥＬ層１２との界
面が酸化すると、アノード電極１１とカソード電極１３
との間に電圧を印加しても、有機ＥＬ層１２の電子輸送
性発光層１２ａに電子が十分に注入されなくなる。これ
によって、有機ＥＬ層１２が発光しない部分であるダー
クスポットＤＳが生じ、このダークスポットの大きさ
は、カソード電極１３の酸化の進行に伴って、時間と共
に成長する。Here, the case where the protective layer 14 is not provided will be considered. When the organic EL element does not have the protective layer 14, FIG.
As shown in (C ′), O 2 and H 2 O existing in the outside air enter the inside of the cathode electrode 13 from the portion of the pinhole PH. The cathode electrode 13 is oxidized up to the interface with the organic EL layer 12 by O 2 and H 2 O penetrating from the pinhole PH as shown in black in the figure. When the interface between the cathode electrode 13 and the organic EL layer 12 is oxidized, the anode electrode 11 and the cathode electrode 13 are oxidized.
, The electrons are not sufficiently injected into the electron transporting light emitting layer 12a of the organic EL layer 12. As a result, a dark spot DS where the organic EL layer 12 does not emit light is generated, and the size of the dark spot grows with time as the oxidation of the cathode electrode 13 progresses.
【００５１】一方、この実施の形態の有機ＥＬ素子１の
ように保護層１４を設けている場合は、図３（Ｃ）に示
すように、保護層１４を構成するガラス材料が密な構造
となっているため、Ｏ2及びＨ2Ｏの分子が透過できるよ
うな隙間がほとんどなく、Ｏ2及びＨ2Ｏの侵入が阻止さ
れる。このため、外気中に存在するＯ2及びＨ2Ｏがカソ
ード電極１３のピンホールＰＨへの侵入が阻止され、時
間の経過によってもカソード電極１３の酸化があまり進
行しない。このため、ダークスポットＤＳの成長が抑止
される。On the other hand, when the protective layer 14 is provided as in the organic EL element 1 of this embodiment, as shown in FIG. 3C, the glass material forming the protective layer 14 has a dense structure. Therefore, there is almost no gap through which the molecules of O 2 and H 2 O can pass, and the intrusion of O 2 and H 2 O is prevented. For this reason, O 2 and H 2 O present in the outside air are prevented from entering the pinhole PH of the cathode electrode 13, and the oxidation of the cathode electrode 13 does not progress much with the passage of time. Therefore, the growth of the dark spot DS is suppressed.
【００５２】以上説明したように、この実施の形態の有
機ＥＬ素子１では、カソード電極１３を被覆する保護層
１４が構成原子が密な特殊な構造のガラスによって構成
されている。この保護層１４は、原子が密な状態となっ
ていることにより、外部からＯ2及びＨ2Ｏがカソード電
極１３に侵入することを阻止することができる。このた
め、この実施の形態の有機ＥＬ素子１では、カソード電
極１３の酸化を抑制することができ、ダークスポットの
成長による劣化を防ぐことができる。従って、この実施
の形態の有機ＥＬ素子１は、従来の有機ＥＬ素子に比べ
て、製品寿命が長くなる。As described above, in the organic EL device 1 of this embodiment, the protective layer 14 covering the cathode electrode 13 is made of glass having a special structure in which the constituent atoms are dense. This protective layer 14 can prevent O 2 and H 2 O from entering the cathode electrode 13 from the outside because the atoms are in a dense state. For this reason, in the organic EL element 1 of this embodiment, oxidation of the cathode electrode 13 can be suppressed, and deterioration due to the growth of dark spots can be prevented. Therefore, the product life of the organic EL device 1 of this embodiment is longer than that of the conventional organic EL device.
【００５３】また、有機ＥＬ素子１の製造プロセスにお
いて、保護層１４は低温でガラス形成材料、ガラス修飾
材料及び／または中間材料をスパッタリングすることに
よって形成しているので、熱に弱い有機ＥＬ層１２の発
光輝度その他の特性に影響を及ぼすことがない。In the manufacturing process of the organic EL device 1, the protective layer 14 is formed by sputtering a glass-forming material, a glass-modified material and / or an intermediate material at a low temperature. It does not affect the emission luminance and other characteristics of the device.
【００５４】［第２の実施の形態］図４は、この実施の
形態の有機ＥＬ素子２の構造を示す断面図である。この
有機ＥＬ素子２も、ページャや携帯電話などの表示部の
バックライトとして用いられる全面発光型のものであ
る。図４に示すように、有機ＥＬ素子２は、基板１０上
に順次積層して形成されたアノード電極１１と、有機Ｅ
Ｌ層１２と、カソード電極１３と、保護層１４と、第２
保護層２５とから構成されている。[Second Embodiment] FIG. 4 is a sectional view showing the structure of an organic EL device 2 according to this embodiment. The organic EL element 2 is also of a full-surface emission type used as a backlight of a display unit such as a pager or a mobile phone. As shown in FIG. 4, an organic EL element 2 includes an anode electrode 11 formed by sequentially laminating on a substrate 10 and an organic EL element.
L layer 12, cathode electrode 13, protective layer 14, second layer
And a protective layer 25.
【００５５】有機ＥＬ素子２において、基板１０、アノ
ード電極１１、有機ＥＬ層１２、カソード電極１３及び
保護層１４の構成は、第１の実施の形態の有機ＥＬ素子
１の対応するものと実質的に同一である。なお、アノー
ド電極１１及びカソード電極１３には、第１の実施の形
態の有機ＥＬ素子１と同様に、有機ＥＬ素子１の発光／
非発光に応じて所定の電圧を印加するための端子がそれ
ぞれ設けられている。これらの端子は、第２保護層２５
の外側に引き出され、それぞれ所定の駆動回路に接続さ
れている。In the organic EL device 2, the configurations of the substrate 10, the anode electrode 11, the organic EL layer 12, the cathode electrode 13, and the protective layer 14 are substantially the same as those of the organic EL device 1 of the first embodiment. Is the same as Note that the anode electrode 11 and the cathode electrode 13 have the light emission / light emission of the organic EL element 1 as in the organic EL element 1 of the first embodiment.
Terminals for applying a predetermined voltage according to non-light emission are provided. These terminals are connected to the second protective layer 25.
And each is connected to a predetermined drive circuit.
【００５６】第２保護層２５は、ＡｌやＣｒ等の金属単
体、合金、または複数種の可視光に対して高い反射性を
示す金属を積層して構成される。第２保護層２５は、上
記の第１の実施の形態の有機ＥＬ素子１の上に、Ａｌや
Ｃｒ等の金属をスパッタ法あるいは真空蒸着法によって
製膜することによって形成される。The second protective layer 25 is formed by stacking a single metal such as Al or Cr, an alloy, or a plurality of kinds of metals having high reflectivity to visible light. The second protective layer 25 is formed by forming a metal such as Al or Cr on the organic EL element 1 of the first embodiment by sputtering or vacuum evaporation.
【００５７】この実施の形態の有機ＥＬ素子２は、保護
層１４に何らかの欠陥があっても、その欠陥を第２保護
層２５で被覆することができる。また、第２保護層２５
自体がＯ2やＨ2Ｏの侵入を抑止する効果がある。このた
め、保護層１４の欠陥部分からＯ2やＨ2Ｏがカソード電
極１３に侵入することを防ぐことができる。このため、
この実施の形態の有機ＥＬ素子２によれば、第１の実施
の形態の有機ＥＬ素子１と同等かそれ以上の効果を得る
ことができる。そして、有機ＥＬ素子２が発光した光の
うち、それぞれの部材１０、１１、１２での界面での反
射により基板１０側に出射せずに保護層１４側に出射さ
れた光が、第２保護層２５により反射されて基板１０側
に出射するので、より高い輝度での表示が可能となる。In the organic EL device 2 of this embodiment, even if there is any defect in the protective layer 14, the defect can be covered with the second protective layer 25. Also, the second protective layer 25
It has the effect of suppressing the intrusion of O 2 and H 2 O by itself. Therefore, it is possible to prevent O 2 and H 2 O from entering the cathode electrode 13 from a defective portion of the protective layer 14. For this reason,
According to the organic EL device 2 of this embodiment, the same or better effects as those of the organic EL device 1 of the first embodiment can be obtained. Then, of the light emitted from the organic EL element 2, the light emitted to the protective layer 14 side without being emitted to the substrate 10 side due to the reflection at the interface at the respective members 10, 11, 12 is the second protective layer. Since the light is reflected by the layer 25 and emitted toward the substrate 10, display with higher luminance can be performed.
【００５８】［第３の実施の形態］図５は、この実施の
形態の有機ＥＬ素子３の構造を示す断面図である。この
有機ＥＬ素子３も、ページャや携帯電話などの表示部の
バックライトとして用いられる全面発光型のものであ
る。図５に示すように、有機ＥＬ素子２は、基板１０上
に順次積層して形成されたアノード電極１１と、有機Ｅ
Ｌ層１２と、カソード電極１３と、保護層１４と、封止
層３５とから構成されている。[Third Embodiment] FIG. 5 is a sectional view showing the structure of an organic EL device 3 according to this embodiment. The organic EL element 3 is also of a full-surface emission type used as a backlight of a display unit such as a pager or a mobile phone. As shown in FIG. 5, an organic EL element 2 includes an anode electrode 11 formed by sequentially laminating a substrate 10 and an organic EL element 2.
It is composed of the L layer 12, the cathode electrode 13, the protective layer 14, and the sealing layer 35.
【００５９】有機ＥＬ素子３において、基板１０、アノ
ード電極１１、有機ＥＬ層１２、カソード電極１３及び
保護層１４の構成は、第１の実施の形態の有機ＥＬ素子
１の対応するものと実質的に同一である。なお、アノー
ド電極１１及びカソード電極１３には、第１の実施の形
態の有機ＥＬ素子１と同様に、有機ＥＬ素子３の発光／
非発光に応じて所定の電圧を印加するための端子がそれ
ぞれ設けられている。これらの端子は、封止層３５の外
側に引き出され、それぞれ所定の駆動回路に接続されて
いる。In the organic EL device 3, the configurations of the substrate 10, the anode electrode 11, the organic EL layer 12, the cathode electrode 13, and the protective layer 14 are substantially the same as those of the organic EL device 1 of the first embodiment. Is the same as Note that the anode electrode 11 and the cathode electrode 13 have the light emission / light emission of the organic EL element 3 similar to the organic EL element 1 of the first embodiment.
Terminals for applying a predetermined voltage according to non-light emission are provided. These terminals are drawn out of the sealing layer 35 and connected to predetermined drive circuits.
【００６０】封止層３５は、有機系のＵＶ硬化樹脂や熱
硬化樹脂によって構成されている。封止層３５は、第１
の実施の形態の有機ＥＬ素子１の上に溶解された樹脂を
流し込み、金型によって所定の形に整形することによっ
て形成される。The sealing layer 35 is made of an organic UV curable resin or a thermosetting resin. The sealing layer 35 is
It is formed by pouring a dissolved resin onto the organic EL element 1 of the above embodiment and shaping it into a predetermined shape by a mold.
【００６１】この実施の形態の有機ＥＬ素子３は、保護
層１４に何らかの欠陥があっても、その欠陥を封止層３
５で被覆することができる。また、封止層３５自体がＯ
2やＨ2Ｏの侵入を抑止する効果がある。このため、保護
層１４の欠陥部分からＯ2やＨ2Ｏがカソード電極１３に
侵入することを防ぐことができる。このため、この実施
の形態の有機ＥＬ素子３によれば、第１の実施の形態の
有機ＥＬ素子１と同等かそれ以上の効果を得ることがで
きる。In the organic EL device 3 of this embodiment, even if there is any defect in the protective layer 14, the defect is
5 can be coated. Further, the sealing layer 35 itself is O
2 and H 2 O are effectively prevented. Therefore, it is possible to prevent O 2 and H 2 O from entering the cathode electrode 13 from a defective portion of the protective layer 14. For this reason, according to the organic EL element 3 of this embodiment, the same or higher effects as those of the organic EL element 1 of the first embodiment can be obtained.
【００６２】［第４の実施の形態］図６は、この実施の
形態の有機ＥＬ素子４の構造を示す断面図である。この
有機ＥＬ素子４も、ページャや携帯電話などの表示部の
バックライトとして用いられる全面発光型のものであ
る。図６に示すように、有機ＥＬ素子４は、基板１０上
に順次積層して形成されたアノード電極１１、有機ＥＬ
層１２、カソード電極１３及び保護層１４と、基板１０
に対向して設けられた第２基板４５と、基板１０と第２
基板４５との間を封止するシール材４６とから構成され
ている。[Fourth Embodiment] FIG. 6 is a sectional view showing the structure of an organic EL device 4 according to this embodiment. The organic EL element 4 is also a full-surface light emitting type used as a backlight of a display unit such as a pager or a mobile phone. As shown in FIG. 6, an organic EL element 4 includes an anode electrode 11 and an organic EL element which are sequentially laminated on a substrate 10.
Layer 12, cathode electrode 13, protective layer 14, and substrate 10
A second substrate 45 provided to face the substrate 10;
And a sealing material 46 for sealing between the substrate 45 and the substrate 45.
【００６３】有機ＥＬ素子６において、基板１０、アノ
ード電極１１、有機ＥＬ層１２、カソード電極１３及び
保護層１４の構成は、第１の実施の形態の有機ＥＬ素子
１の対応するものと実質的に同一である。なお、アノー
ド電極１１及びカソード電極１３には、第１の実施の形
態の有機ＥＬ素子１と同様に、有機ＥＬ素子４の発光／
非発光に応じて所定の電圧を印加するための端子がそれ
ぞれ設けられている。これらの端子は、シール材４６の
外側に引き出され、それぞれ所定の駆動回路に接続され
ている。In the organic EL device 6, the configurations of the substrate 10, the anode electrode 11, the organic EL layer 12, the cathode electrode 13, and the protective layer 14 are substantially the same as those of the organic EL device 1 of the first embodiment. Is the same as Note that the anode electrode 11 and the cathode electrode 13 have the light emission / light emission of the organic EL element 4 similar to the organic EL element 1 of the first embodiment.
Terminals for applying a predetermined voltage according to non-light emission are provided. These terminals are drawn out of the sealing material 46 and connected to predetermined drive circuits.
【００６４】第２基板４５は、ガラス、プラスチックま
たはフィルムによって構成される。シール材４６は、Ｕ
Ｖ硬化性のアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂あるいは熱
硬化性樹脂によって構成され、基板１０と第２基板４５
とを減圧下で接着する。従って、基板１０、４５及びシ
ール材４６で囲まれた空間４７はＯ2やＨ2Ｏが極めて希
薄な状態であり、さらに、シール材４６は、基板１０及
び第２基板４５に密着するので、外部からＯ2やＨ2Ｏが
侵入してくるのをかなりの程度で防ぐことができる。な
お、空間４７にシリコンオイルを封入してもよい。The second substrate 45 is made of glass, plastic or film. The sealing material 46 is made of U
The substrate 10 and the second substrate 45 are made of a V-curable acrylic resin, epoxy resin, or thermosetting resin.
Are bonded under reduced pressure. Therefore, the space 47 surrounded by the substrates 10 and 45 and the sealing material 46 is in a state where O 2 and H 2 O are extremely diluted, and the sealing material 46 is in close contact with the substrate 10 and the second substrate 45. It is possible to prevent O 2 and H 2 O from entering from the outside to a considerable extent. The space 47 may be filled with silicone oil.
【００６５】この実施の形態の有機ＥＬ素子４では、基
板１０と第２基板４５とをシール材４６によって封止す
ることによって、外部からＯ2やＨ2Ｏが侵入することを
かなりの程度で防ぐことができる。さらに、保護層１４
によってＯ2やＨ2Ｏがカソード電極１３に侵入すること
を防ぐことができる。このため、この実施の形態の有機
ＥＬ素子４によれば、第１の実施の形態の有機ＥＬ素子
１と同等かそれ以上の効果を得ることができる。In the organic EL device 4 of this embodiment, the substrate 10 and the second substrate 45 are sealed with the sealing material 46 to prevent O 2 and H 2 O from entering from the outside to a considerable extent. Can be prevented. Further, the protective layer 14
O 2 and H 2 O can be prevented from entering the cathode electrode 13. For this reason, according to the organic EL element 4 of this embodiment, the same or higher effects as those of the organic EL element 1 of the first embodiment can be obtained.
【００６６】［第５の実施の形態］図７は、この実施の
形態の有機ＥＬ素子５の構造を示す断面図である。この
有機ＥＬ素子５も、ページャや携帯電話などの表示部の
バックライトとして用いられる全面発光型のものであ
る。図７に示すように、有機ＥＬ素子５は、基板１０上
に順次積層して形成されたアノード電極１１、有機ＥＬ
層１２、カソード電極１３、保護層１４及び接着層５６
と、基板１０に対向し、接着層５６に積層されて接着さ
れている第２基板５５とから構成されている。[Fifth Embodiment] FIG. 7 is a sectional view showing the structure of an organic EL device 5 according to this embodiment. This organic EL element 5 is also of a full-surface emission type used as a backlight of a display unit such as a pager or a mobile phone. As shown in FIG. 7, an organic EL element 5 includes an anode electrode 11 and an organic EL element, which are sequentially laminated on a substrate 10.
Layer 12, cathode electrode 13, protective layer 14, and adhesive layer 56
And a second substrate 55 opposed to the substrate 10 and laminated and adhered to the adhesive layer 56.
【００６７】有機ＥＬ素子５において、基板１０、アノ
ード電極１１、有機ＥＬ層１２、カソード電極１３及び
保護層１４の構成は、第１の実施の形態の有機ＥＬ素子
１の対応するものと実質的に同一である。第２基板５５
の構成は、第４の実施の形態の有機ＥＬ素子４の第２基
板４５の構成と実質的に同一である。なお、アノード電
極１１及びカソード電極１３には、第１の実施の形態の
有機ＥＬ素子１と同様に、有機ＥＬ素子５の発光／非発
光に応じて所定の電圧を印加するための端子がそれぞれ
設けられている。これらの端子は、接着層５６の外側に
引き出され、それぞれ所定の駆動回路に接続されてい
る。In the organic EL device 5, the configurations of the substrate 10, the anode electrode 11, the organic EL layer 12, the cathode electrode 13, and the protective layer 14 are substantially the same as those of the organic EL device 1 of the first embodiment. Is the same as Second substrate 55
Is substantially the same as the configuration of the second substrate 45 of the organic EL element 4 of the fourth embodiment. Note that, similarly to the organic EL element 1 of the first embodiment, the anode electrode 11 and the cathode electrode 13 have terminals for applying a predetermined voltage according to light emission / non-light emission of the organic EL element 5, respectively. Is provided. These terminals are drawn out of the adhesive layer 56 and connected to predetermined drive circuits.
【００６８】接着層５６は、低吸湿性の光硬化接着剤、
エポキシ系接着剤などによって構成される。接着層５６
として、低吸湿性のものを用いることによって、湿気
（Ｈ2Ｏ）の侵入をかなりの程度で防ぐことができる。
また、第２基板２５によって上部からのＯ2やＨ2Ｏの侵
入をかなりの程度で防ぐことができる。The adhesive layer 56 is made of a light-curing adhesive having a low hygroscopicity,
It is composed of an epoxy adhesive or the like. Adhesive layer 56
By using a low moisture absorbing material, the penetration of moisture (H 2 O) can be prevented to a considerable extent.
In addition, the second substrate 25 can prevent O 2 and H 2 O from entering from the upper part to a considerable extent.
【００６９】この実施の形態の有機ＥＬ素子５では、保
護層１４及び接着層５６の厚さが薄いことから、接着層
５６と第２基板５５とによってＯ2やＨ2Ｏの侵入をかな
りの程度で防ぐことができる。さらに、保護層１４によ
ってＯ2やＨ2Ｏがカソード電極１３に侵入することを防
ぐことができる。このため、この実施の形態の有機ＥＬ
素子５によれば、第１の実施の形態の有機ＥＬ素子１と
同等かそれ以上の効果を得ることができる。In the organic EL device 5 of this embodiment, since the protective layer 14 and the adhesive layer 56 are thin, the penetration of O 2 and H 2 O by the adhesive layer 56 and the second substrate 55 is considerable. The degree can be prevented. Further, the protective layer 14 can prevent O 2 and H 2 O from entering the cathode electrode 13. Therefore, the organic EL of this embodiment
According to the element 5, an effect equal to or higher than that of the organic EL element 1 of the first embodiment can be obtained.
【００７０】［第６の実施の形態］図８は、この実施の
形態の有機ＥＬ素子６の構造を示す断面図である。この
有機ＥＬ素子６も、ページャや携帯電話などの表示部の
バックライトとして用いられる全面発光型のものであ
る。図８に示すように、有機ＥＬ素子６は、基板１０上
に順次積層して形成されたアノード電極１１、有機ＥＬ
層１２、カソード電極１３及び保護層１４と、基板１０
側を開口部とし、基板１０に対向して設けられた缶型基
板６５と、基板１０と缶型基板６５との間を封止するシ
ール材６６と、シール材６６によって封止された基板１
０と缶型基板６５との間の空間部に充填されたオイル６
７とから構成されている。[Sixth Embodiment] FIG. 8 is a sectional view showing the structure of an organic EL device 6 according to this embodiment. The organic EL element 6 is also of a full-surface emission type used as a backlight of a display unit such as a pager or a mobile phone. As shown in FIG. 8, an organic EL element 6 includes an anode electrode 11 and an organic EL element, which are sequentially laminated on a substrate 10.
Layer 12, cathode electrode 13, protective layer 14, and substrate 10
Substrate 65 having an opening on the side facing the substrate 10, a sealing material 66 for sealing between the substrate 10 and the can-type substrate 65, and a substrate 1 sealed by the sealing material 66.
Oil 6 filled in the space between the substrate 0 and the can-shaped substrate 65
7 is comprised.
【００７１】有機ＥＬ素子２において、基板１０、アノ
ード電極１１、有機ＥＬ層１２、カソード電極１３及び
保護層１４の構成は、第１の実施の形態の有機ＥＬ素子
１の対応するものと実質的に同一である。なお、アノー
ド電極１１及びカソード電極１３には、第１の実施の形
態の有機ＥＬ素子１と同様に、有機ＥＬ素子６の発光／
非発光に応じて所定の電圧を印加するための端子がそれ
ぞれ設けられている。これらの端子は、シール材６６の
外側に引き出され、それぞれ所定の駆動回路に接続され
ている。In the organic EL device 2, the configurations of the substrate 10, the anode electrode 11, the organic EL layer 12, the cathode electrode 13, and the protective layer 14 are substantially the same as those of the organic EL device 1 of the first embodiment. Is the same as Note that the anode electrode 11 and the cathode electrode 13 have the light emission / light emission of the organic EL element 6 similar to the organic EL element 1 of the first embodiment.
Terminals for applying a predetermined voltage according to non-light emission are provided. These terminals are drawn out of the sealing material 66 and connected to predetermined driving circuits.
【００７２】缶型基板６５は、ガラスまたはプラスチッ
クによって構成され、基板１０側の一底面を開口したも
のである。シール材６６は、ＵＶ硬化性のアクリル系樹
脂、エポキシ系樹脂あるいは熱硬化性樹脂によって構成
され、基板１０と缶型基板６５とを接着する。シール材
６６は、基板１０及び缶型基板６５に密着し、外部から
Ｏ2やＨ2Ｏが侵入してくるのをかなりの程度で防ぐこと
ができる。オイル６７は、シリコンオイルやトートシー
ル等の絶縁性を有するオイルによって構成される。オイ
ル６７は、疎水性を有する。The can-shaped substrate 65 is made of glass or plastic, and has an opening at one bottom surface on the substrate 10 side. The sealing material 66 is made of a UV-curable acrylic resin, an epoxy resin, or a thermosetting resin, and adheres the substrate 10 to the can-shaped substrate 65. The sealing material 66 is in close contact with the substrate 10 and the can-shaped substrate 65, and can prevent O 2 and H 2 O from entering from the outside to a considerable extent. The oil 67 is made of an insulating oil such as a silicone oil or a tote seal. The oil 67 has hydrophobicity.
【００７３】この実施の形態の有機ＥＬ素子６では、基
板１０と缶型基板６５とをシール材６６によって封止す
ることによって、外部からＯ2やＨ2Ｏが侵入することを
かなりの程度で防ぐことができる。また、オイル６７に
よって外部からのＨ2Ｏの侵入を防ぐことができる。さ
らに、保護層１４によってＯ2やＨ2Ｏがカソード電極１
３に侵入することを防ぐことができる。このため、この
実施の形態の有機ＥＬ素子６によれば、第１の実施の形
態の有機ＥＬ素子１と同等かそれ以上の効果を得ること
ができる。In the organic EL element 6 according to this embodiment, the substrate 10 and the can-shaped substrate 65 are sealed with the sealing material 66 to prevent O 2 and H 2 O from entering from the outside to a considerable extent. Can be prevented. Further, the oil 67 can prevent H 2 O from entering from outside. Further, O 2 and H 2 O are formed on the cathode electrode 1 by the protective layer 14.
3 can be prevented from invading. For this reason, according to the organic EL element 6 of this embodiment, the same or higher effects as those of the organic EL element 1 of the first embodiment can be obtained.
【００７４】［実施の形態の変形］本発明は、上記の第
１〜第６の実施の形態で示したものに限られず、様々な
変形が可能である。以下、上記の実施の形態の変形例に
ついて、説明する。[Modifications of Embodiment] The present invention is not limited to the above-described first to sixth embodiments, and various modifications are possible. Hereinafter, modified examples of the above embodiment will be described.
【００７５】上記の第３の実施の形態では、封止層３５
は、有機系透明樹脂によって構成されていたが、金属酸
化物、金属フッ化物あるいは金属硫化物から構成したも
のであってもよい。また、封止層３５は、保護層１４を
被覆して形成していたが、第２の実施の形態の有機ＥＬ
素子２において保護層１４の上に形成された第２保護層
２５の上に被覆して形成してもよい。In the third embodiment, the sealing layer 35
Is composed of an organic transparent resin, but may be composed of a metal oxide, a metal fluoride or a metal sulfide. Further, the sealing layer 35 is formed by covering the protective layer 14, but the organic EL of the second embodiment is formed.
The element 2 may be formed so as to cover the second protective layer 25 formed on the protective layer 14.
【００７６】上記の第４〜第６の実施の形態では、第１
の実施の形態の有機ＥＬ素子１の構成に第２基板４５、
５５や缶型基板６５などの構成を加えていた。しかしな
がら、第２、第３の実施の形態の有機ＥＬ素子２、３の
構成や、上記した第２保護層の上に封止層を形成した有
機ＥＬ素子の構成に加えて、第２基板や缶型基板などの
構成を加えてもよい。In the fourth to sixth embodiments, the first
The configuration of the organic EL element 1 of the embodiment
55 and a can-shaped substrate 65 are added. However, in addition to the configuration of the organic EL elements 2 and 3 of the second and third embodiments and the configuration of the organic EL element in which the sealing layer is formed on the second protective layer, the second substrate A configuration such as a can-type substrate may be added.
【００７７】上記の第１〜第６の実施の形態では、透明
電極によって構成されたアノード電極１１は基板１０の
側に、カソード電極１３は有機ＥＬ層１２を挟んで、基
板１０の反対側に形成されていた。そして、有機ＥＬ層
１２が発光した光は、基板１０の側から外部に放出され
ていた。しかしながら、例えば、カソード電極を基板側
に、アノード電極を有機ＥＬ層を挟んで基板の反対側に
形成した有機ＥＬ素子にも適用することができる。もっ
とも、この場合は、基板の反対側に形成されるアノード
電極、保護層、第２保護層、封止層、接着層、第２基
板、缶型基板、あるいはオイルは、有機ＥＬ層で発光し
た光を十分に透過することができる材料で構成しなけれ
ばならない。In the first to sixth embodiments, the anode electrode 11 composed of a transparent electrode is on the substrate 10 side, and the cathode electrode 13 is on the opposite side of the substrate 10 with the organic EL layer 12 interposed therebetween. Had been formed. The light emitted from the organic EL layer 12 was emitted to the outside from the substrate 10 side. However, for example, the present invention can also be applied to an organic EL element in which a cathode electrode is formed on the substrate side and an anode electrode is formed on the opposite side of the substrate with the organic EL layer interposed therebetween. However, in this case, the anode electrode, the protective layer, the second protective layer, the sealing layer, the adhesive layer, the second substrate, the can-type substrate, or the oil formed on the opposite side of the substrate emitted light from the organic EL layer. It must be made of a material that can transmit light sufficiently.
【００７８】上記の第１〜第６の実施の形態では、有機
ＥＬ層１２は、α−ＮＰＤからなる正孔輸送層１２ａと
Ｂｅｂｑ２からなる電子輸送性発光層１２ｂの２層構造
で形成されており、緑色の光を発するものであった。こ
れに対し、有機ＥＬ層１２は、正孔輸送性発光層と電子
輸送層との２層構造、あるいは正孔輸送層、発光層及び
電子輸送層の３層構造で形成してもよい。また、これら
の各層に使用する有機ＥＬ材料を選択することによっ
て、緑色以外の任意の波長成分の光を発する有機ＥＬ素
子を構成することもできる。さらには、本発明は、無機
ＥＬ材料などの他の発光材料を発光層として用いた発光
素子にも適用することができる。In the first to sixth embodiments, the organic EL layer 12 has a two-layer structure of the hole transporting layer 12a made of α-NPD and the electron transporting light emitting layer 12b made of Bebq2. And emitted green light. On the other hand, the organic EL layer 12 may have a two-layer structure of a hole-transporting light-emitting layer and an electron-transport layer, or a three-layer structure of a hole-transport layer, a light-emitting layer, and an electron-transport layer. Further, by selecting an organic EL material used for each of these layers, an organic EL element which emits light of an arbitrary wavelength component other than green can be formed. Further, the present invention can be applied to a light-emitting element using another light-emitting material such as an inorganic EL material as a light-emitting layer.
【００７９】上記の第１〜第６の実施の形態では、保護
層１４に、（１）ガラス形成材料にガラス修飾材料をド
ープしたもの、（２）ガラス形成材料に中間材料をドー
プしたもの、（３）中間材料にガラス修飾材料をドープ
したもの、の何れかの構造のガラスを適用していた。し
かしながら、これら（１）〜（３）の構造のガラスは、
基板１０、第２基板４５、５５あるいは缶型基板６５に
適用してもよい。これにより、基板１０、第２基板４
５、５５あるいは缶型基板６５を介して外部からＯ2及
びＨ2Ｏがカソード電極１３へ侵入することも防ぐこと
ができる。In the first to sixth embodiments described above, the protective layer 14 is composed of (1) a glass-forming material doped with a glass modifying material, (2) a glass-forming material doped with an intermediate material, (3) Glass having any of the structures of doping an intermediate material with a glass modifying material. However, these glasses having the structures (1) to (3) are:
The present invention may be applied to the substrate 10, the second substrates 45 and 55, or the can-type substrate 65. Thereby, the substrate 10 and the second substrate 4
It is also possible to prevent O 2 and H 2 O from entering the cathode electrode 13 from the outside via 5, 55 or the can-shaped substrate 65.
【００８０】上記の第１〜第６の実施の形態では、ペー
ジャや携帯電話などの表示部のバックライトとして用い
る全面発光型の有機ＥＬ素子に本発明を適用した場合に
ついて説明した。しかしながら、本発明は、画像をセグ
メント表示する発光素子や、単純マトリクス方式やアク
ティブマトリクス方式で画像をドットマトリクス表示す
る発光素子にも適用することができる。In the above-described first to sixth embodiments, the case where the present invention is applied to an organic EL device of a full light emission type used as a backlight of a display unit such as a pager or a mobile phone has been described. However, the present invention can also be applied to a light emitting element that displays an image in segments and a light emitting element that displays an image in a dot matrix in a simple matrix system or an active matrix system.
【００８１】[0081]
【実施例】本発明の効果を確認するため、次のような実
験を行った。 ［実施例１］この実施例においては、図１に示した構成
で、次のような条件を有する有機ＥＬ素子（１）〜
（４）を用意した。EXAMPLES In order to confirm the effects of the present invention, the following experiments were conducted. [Example 1] In this example, the organic EL elements (1) to (2) having the structure shown in FIG.
(4) was prepared.
【００８２】アノード電極１１は、有機ＥＬ素子（１）
〜（４）とも、２０００（Å）の層厚のＩＴＯによって
構成した。有機ＥＬ層１２は、有機ＥＬ素子（１）〜
（４）とも、５００（Å）の層厚のＢｅｂｑ２からなる
正孔輸送層１２ａと、５００（Å）の層厚のα−ＮＰＤ
からなる電子輸送性発光層１２ｂとの２層構造によって
構成した。カソード電極１３は、有機ＥＬ素子（１）〜
（４）とも、５０００（Å）の層厚のＭｇ：Ｉｎ合金に
よって構成した。The anode electrode 11 is made of an organic EL element (1)
Each of (4) to (4) was made of ITO having a layer thickness of 2000 (Å). The organic EL layer 12 includes the organic EL elements (1) to
(4) a hole transport layer 12a made of Bebq2 having a layer thickness of 500 (Å) and an α-NPD having a layer thickness of 500 (Å)
And a two-layer structure with an electron-transporting light-emitting layer 12b. The cathode electrode 13 is composed of the organic EL elements (1) to
Both (4) were made of a Mg: In alloy with a layer thickness of 5000 (Å).
【００８３】保護層１４は、有機ＥＬ素子（１）では、
形成しなかった。すなわち、有機ＥＬ素子（１）におい
て保護層１４の層厚は、０（Å）とした。有機ＥＬ素子
（２）〜（４）のいずれにおいても、保護層１４には、
図２（Ｃ）に示すような構造の、ＺｎＳをホストとし、
２０（mol％）のＣｅＯx（Ｃｅ、ＣｅＯ、ＣｅＯ2が混
在したもの）をゲストとしてドープしたＺｎＳ−ＣｅＯ
xを使用した。ＣｅＯxは、斜線が付された円で示すよう
に、３次元綱目状構造のＺｎｓの隙間に物理的に混在し
ている。ただし、保護層１４の層厚は、有機ＥＬ素子
（２）では１０００（Å）、有機ＥＬ素子（３）では４
０００（Å）、有機ＥＬ素子（４）では１００００
（Å）とした。In the organic EL element (1), the protective layer 14
Did not form. That is, the layer thickness of the protective layer 14 in the organic EL element (1) was set to 0 (Å). In any of the organic EL devices (2) to (4), the protective layer 14
With ZnS as a host having a structure as shown in FIG.
ZnS—CeO doped with 20 (mol%) CeO x (a mixture of Ce, CeO, and CeO 2 ) as a guest
x was used. CeO x is physically mixed in gaps between Zns having a three-dimensional network structure, as indicated by hatched circles. However, the thickness of the protective layer 14 is 1000 (Å) in the organic EL element (2) and 4 (Å) in the organic EL element (3).
000 (Å), 10,000 for the organic EL element (4)
(Å)
【００８４】これらの有機ＥＬ素子（１）〜（４）を気
温８０℃、湿度９０％の環境条件下に放置した。そし
て、時間の経過によって有機ＥＬ素子（１）〜（４）の
それぞれにおいてダークスポットがどのように成長する
かを観察した。The organic EL devices (1) to (4) were left under environmental conditions of a temperature of 80 ° C. and a humidity of 90%. Then, it was observed how dark spots grew in each of the organic EL elements (1) to (4) over time.
【００８５】有機ＥＬ素子（１）〜（４）における時間
の経過によるダークスポットの個数の変化を表１に示
す。Table 1 shows the change in the number of dark spots over time in the organic EL elements (1) to (4).
【表１】 [Table 1]
【００８６】また、有機ＥＬ素子（１）〜（４）におけ
る時間の経過によるダークスポットの面積比率の変化を
表２に示す。また、このダークスポットの面積比率の変
化を図９にグラフで表す。Table 2 shows the change in the area ratio of dark spots over time in the organic EL elements (1) to (4). FIG. 9 is a graph showing the change in the area ratio of the dark spot.
【表２】 [Table 2]
【００８７】また、有機ＥＬ素子（１）〜（４）におけ
る時間の経過によるダークスポットの最大直径の変化を
表３に示す。また、このダークスポットの最大直径の変
化を図１０にグラフで表す。Table 3 shows the change in the maximum diameter of the dark spot over time in the organic EL elements (1) to (4). FIG. 10 is a graph showing a change in the maximum diameter of the dark spot.
【表３】 [Table 3]
【００８８】なお、これらの実験結果において、初期状
態（０時間）におけるダークスポットの数、面積比率及
び最大直径は、有機ＥＬ素子の製造上の問題に起因す
る。以下、上記の実験結果に基づいて、本発明の効果が
いかに得られたかを考察する。In these experimental results, the number, area ratio, and maximum diameter of dark spots in the initial state (0 hour) are caused by problems in manufacturing the organic EL device. Hereinafter, how the effects of the present invention have been obtained will be considered based on the above experimental results.
【００８９】上記の表及びグラフで示すように、有機Ｅ
Ｌ素子（１）及び（２）では、ダークスポットの数は１
４４時間後にほぼ半減するものの、面積比率は３０％を
超え、また、最大直径も０．２５mm以上となる。ここ
で、ダークスポットの数の減少は、ダークスポットの成
長によって２以上のダークスポットが繋がって１つのダ
ークスポットを生じるためであると思われる。As shown in the above table and graph, the organic E
In the L elements (1) and (2), the number of dark spots is one.
Although it is almost halved after 44 hours, the area ratio exceeds 30% and the maximum diameter is 0.25 mm or more. Here, it is considered that the decrease in the number of dark spots is due to the fact that two or more dark spots are connected to generate one dark spot due to the growth of the dark spots.
【００９０】保護層１４を設けていない有機ＥＬ素子
（１）は、Ｏ2あるいはＨ2Ｏのカソード電極１３への侵
入を阻止できないため、上記結果が示すように、ダーク
スポットの成長を抑止できない。上記結果は、有機ＥＬ
素子（２）でもダークスポットの成長を十分に抑止でき
ないことを示している。言い換えれば、保護層１４があ
っても、その層厚が１０００（Å）程度ではＯ2あるい
はＨ2Ｏのカソード電極１３への侵入を阻止できないこ
とを示している。[0090] The organic EL element provided with no protective layer 14 (1), can not be prevented from entering the O 2 or of H 2 O cathode electrode 13, as shown above results, can not suppress the growth of dark spots . The above results were obtained using the organic EL
This indicates that even the element (2) cannot sufficiently suppress the growth of dark spots. In other words, even if the protective layer 14 is present, it is impossible to prevent O 2 or H 2 O from entering the cathode electrode 13 if the thickness is about 1000 (保護).
【００９１】有機ＥＬ素子（３）では、ダークスポット
の数は時間によってほとんど変化なく、１４４時間後で
も面積比率は１２％台に、最大直径は０．１８mmに止ま
る。この結果から、保護層１４の層厚を４０００（Å）
とすれば、ダークスポットの成長が抑止される、すなわ
ち、保護層１４がＯ2あるいはＨ2Ｏのカソード電極１３
への侵入をかなりの部分で阻止していることがわかる。
保護層１４は、これと同時にダークスポットの発生もあ
る程度抑止する効果があることがわかる。In the organic EL element (3), the number of dark spots hardly changed with time, and even after 144 hours, the area ratio was on the order of 12% and the maximum diameter was only 0.18 mm. From this result, the thickness of the protective layer 14 was set to 4000 (Å).
In this case, the growth of dark spots is suppressed, that is, the protective layer 14 is made of O 2 or H 2 O cathode electrode 13.
It can be seen that it has prevented the intrusion into a considerable part.
It can be seen that the protective layer 14 also has the effect of suppressing the occurrence of dark spots to some extent.
【００９２】有機ＥＬ素子（４）では、ダークスポット
の数は時間の経過と共に微増している。しかしながら、
１４４時間後のダークスポットの面積比率は２．８％
に、最大直径は０．１６mmに止まる。また、２８８時間
後でもダークスポットの面積比率は５．２％に、最大直
径は０．２２mmに止まる。この結果は、保護層１４の層
厚を１００００（Å）とすれば、ダークスポットの成長
がよりいっそう抑止される、すなわち、保護層１４は、
その層厚が厚ければ厚いほど、Ｏ2あるいはＨ2Ｏのカソ
ード電極１３への侵入を阻止できることがわかる。In the organic EL element (4), the number of dark spots slightly increases with time. However,
The area ratio of dark spots after 144 hours is 2.8%
In addition, the maximum diameter is limited to 0.16 mm. Even after 288 hours, the area ratio of dark spots remains at 5.2% and the maximum diameter remains at 0.22 mm. This result indicates that if the layer thickness of the protective layer 14 is 10000 (Å), the growth of dark spots is further suppressed, that is, the protective layer 14
It can be seen that the thicker the layer, the more the penetration of O 2 or H 2 O into the cathode electrode 13 can be prevented.
【００９３】以上の結果から、ある程度の層厚以上のＺ
ｎＳ−ＣｅＯxからなる保護層１４を設けることによっ
て、カソード電極１３へのＯ2あるいはＨ2Ｏの侵入を阻
止することができ、ダークスポットの成長を抑止するこ
とができる。しかも、保護層１４の層厚が厚くなればな
るほどその効果が大きくなり、本発明の効果が生じてい
ることがわかる。保護層１４は、これと同時にダークス
ポットの発生もある程度抑止する効果があることがわか
る。すなわち、保護層１４は、Ｚｎｓの３次元綱目状構
造の隙間にＣｅＯxが埋まるように混在している極めて
緻密な分子構造により、Ｏ2あるいはＨ2Ｏの侵入を抑止
できるものであることが確認された。From the above results, it can be seen that Z having a certain thickness or more
By providing the protective layer 14 made of nS-CeO x, it is possible to prevent O 2 or H 2 O from entering the cathode electrode 13 and suppress the growth of dark spots. In addition, it can be seen that the effect increases as the layer thickness of the protective layer 14 increases, and the effect of the present invention occurs. It can be seen that the protective layer 14 also has the effect of suppressing the occurrence of dark spots to some extent. That is, the protective layer 14 may be capable of suppressing O 2 or H 2 O penetration by an extremely dense molecular structure in which CeO x is mixed so as to fill the gaps of the three-dimensional network structure of Zns. confirmed.
【００９４】［実施例２］この実施例においては、図１
に示した構成で、次のような条件を有する有機ＥＬ素子
（５）、（６）を用意した。有機ＥＬ素子（５）、
（６）共に、アノード電極１１、有機ＥＬ層１２、カソ
ード電極１３の構成は、実施例１の有機ＥＬ素子（１）
〜（４）と同一とした。[Embodiment 2] In this embodiment, FIG.
Organic EL devices (5) and (6) having the following conditions and having the following conditions were prepared. Organic EL element (5),
(6) In each case, the configuration of the anode electrode 11, the organic EL layer 12, and the cathode electrode 13 is the same as the organic EL element (1) of the first embodiment.
To (4).
【００９５】保護層１４は、有機ＥＬ素子（６）では、
図２（Ａ）に示すような構造の、ＳｉＯ2をホストと
し、２０（mol％）のＣｅＯx（Ｃｅ、ＣｅＯ、ＣｅＯ2
が混在したもの）をゲストとしてドープしたＳｉＯ2−
ＣｅＯxを使用した。ＣｅＯxは、斜線が付された円で示
すように、３次元綱目状構造のＳｉＯ2の隙間に物理的
に混在している。この場合の保護層１４の層厚は、３２
００（Å）とした。有機ＥＬ素子（５）では、上記実施
の形態で示した構造を有しない純物質を保護層１４とし
て設けた。この場合の保護層１４の層厚は、４０００
（Å）とした。In the organic EL device (6), the protective layer 14
The structure as shown in FIG. 2 (A), and the SiO 2 host, 20 CeO x (Ce of (mol%), CeO, CeO 2
SiO 2 but doped mixed ones) as a guest -
CeO x was used. CeO x is physically mixed in the gaps between the SiO 2 having the three-dimensional network structure, as indicated by the hatched circles. In this case, the thickness of the protective layer 14 is 32
00 (Å). In the organic EL element (5), a pure substance not having the structure described in the above embodiment was provided as the protective layer. In this case, the thickness of the protective layer 14 is 4000
(Å)
【００９６】これらの有機ＥＬ素子（５）、（６）を気
温８０℃、湿度９０％の環境条件下に放置した。そし
て、時間の経過によって有機ＥＬ素子（５）、（６）の
それぞれにおいてダークスポットがどのように成長する
かを観察した。The organic EL devices (5) and (6) were left under environmental conditions of a temperature of 80 ° C. and a humidity of 90%. Then, it was observed how dark spots grow in each of the organic EL elements (5) and (6) with the passage of time.
【００９７】有機ＥＬ素子（５）、（６）における時間
の経過によるダークスポットの面積比率の変化を表４に
示す。Table 4 shows the change in the area ratio of dark spots over time in the organic EL elements (5) and (6).
【表４】 [Table 4]
【００９８】以下、上記の実験結果に基づいて、本発明
の効果がいかに得られたかを考察する。上記の表に示す
ように、保護層１４がＳｉＯ2の純物質からなる有機Ｅ
Ｌ素子（５）では、２４時間が経過するとダークスポッ
トの面積比率が６．５８（％）に達している。これに対
し、保護層１４にＣｅＯxをゲストとしてドープした有
機ＥＬ素子（６）では、１４４時間を経過してもダーク
スポットの面積比率は４．７１（％）にしかすぎなかっ
た。The following will discuss how the effects of the present invention were obtained based on the above experimental results. As shown in the table above, the organic E protective layer 14 is made of pure substances of SiO 2
In the L element (5), the area ratio of dark spots has reached 6.58 (%) after 24 hours. On the other hand, in the organic EL device (6) in which the protective layer 14 was doped with CeO x as a guest, the area ratio of dark spots was only 4.71 (%) even after 144 hours.
【００９９】この結果から、保護層１４においてＳｉＯ
2にＣｅＯxをドープすることによって、ダークスポット
の成長が抑制されることがわかる。これは、ＳｉＯ2に
ＣｅＯxをドープすることによって、カソード電極１３
へのＯ2あるいはＨ2Ｏの侵入が阻止されるためであると
思われる。以上のように、この実験結果によって本発明
の効果が生じていることがわかる。すなわち、保護層１
４は、ＳｉＯ2の３次元綱目状構造の隙間にＣｅＯxが埋
まるように混在している極めて緻密な分子構造により、
Ｏ2あるいはＨ2Ｏの侵入を抑止できるものであることが
確認された。From this result, it is found that the protective layer 14 has SiO 2
It can be seen that the growth of dark spots is suppressed by doping 2 with CeO x . This is because the SiO 2 is doped with CeO x so that the cathode 13
It is considered that the intrusion of O 2 or H 2 O into H 2 O is prevented. As described above, it can be seen that the effects of the present invention are produced by the experimental results. That is, the protective layer 1
4 is an extremely dense molecular structure in which CeO x is mixed so as to be embedded in the gaps of the three-dimensional network structure of SiO 2 ,
It was confirmed that O 2 or H 2 O could be prevented from entering.
【０１００】[0100]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光素子
では、保護層を設けたことによって酸素及び水が外部か
ら金属電極に侵入することを防ぐことができる。このた
め、金属電極の酸化を抑止することができ、ダークスポ
ットの成長による発光素子の劣化を防ぐことができる。
このため、本発明では、製品寿命の長い発光素子を提供
することができる。As described above, in the light emitting device of the present invention, provision of the protective layer can prevent oxygen and water from entering the metal electrode from the outside. Therefore, oxidation of the metal electrode can be suppressed, and deterioration of the light emitting element due to growth of a dark spot can be prevented.
Therefore, according to the present invention, a light-emitting element having a long product life can be provided.
【０１０１】また、本発明の発光素子用の保護材料を使
用して発光素子を形成した場合、ガラスを構成する分子
の隙間から酸素及び水が侵入することを防ぐことができ
る。このため、発光素子に使用されている金属電極の酸
化を抑止することができ、ダークスポットの成長による
発光素子の劣化を防ぐことができる。When a light-emitting element is formed using the protective material for a light-emitting element of the present invention, it is possible to prevent oxygen and water from entering through gaps between molecules constituting glass. Therefore, oxidation of the metal electrode used in the light emitting element can be suppressed, and deterioration of the light emitting element due to the growth of dark spots can be prevented.
【図１】本発明の第１の実施の形態の有機ＥＬ素子の構
造を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic EL device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、図１の有機ＥＬ素子に使用
される保護層の材料の構造を示す図である。FIGS. 2A to 2C are diagrams showing the structure of a material of a protective layer used in the organic EL device of FIG.
【図３】図１の有機ＥＬ素子におけるダークスポットの
発生例と、その成長の抑止について説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an example of occurrence of a dark spot in the organic EL element of FIG. 1 and suppression of its growth.
【図４】本発明の第２の実施の形態の有機ＥＬ素子の構
造を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic EL device according to a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第３の実施の形態の有機ＥＬ素子の構
造を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic EL device according to a third embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第４の実施の形態の有機ＥＬ素子の構
造を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic EL device according to a fourth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第５の実施の形態の有機ＥＬ素子の構
造を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic EL device according to a fifth embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第６の実施の形態の有機ＥＬ素子の構
造を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a structure of an organic EL device according to a sixth embodiment of the present invention.
【図９】本発明の実施例１のダークスポットの面積比率
の経過時間による変化を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing a change with time of the area ratio of dark spots according to the first embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の実施例１のダークスポットの最大直
径の経過時間による変化を示すグラフである。FIG. 10 is a graph showing a change in a maximum diameter of a dark spot according to elapsed time according to the first embodiment of the present invention.
【図１１】従来例の有機ＥＬ素子の構造を示す断面図で
ある。FIG. 11 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional organic EL element.
【図１２】従来例の有機ＥＬ素子の構造を示す断面図で
ある。FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a structure of a conventional organic EL element.
【図１３】従来例の有機ＥＬ素子の構造を示す断面図で
ある。FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a structure of a conventional organic EL element.
１〜６・・・有機ＥＬ素子、１０・・・基板、１１・・・アノー
ド電極、１２・・・有機ＥＬ層、１２ａ・・・正孔輸送層、１
２ｂ・・・電子輸送性発光層、１３・・・カソード電極、１４
・・・保護層、２５・・・第２保護層、３５・・・封止層、４５・
・・第２基板、４６・・・シー材、５５・・・第２基板、５６・・
・接着層、６５・・・缶型基板、６６・・・シール材、６７・・・
オイル1 to 6: organic EL element, 10: substrate, 11: anode electrode, 12: organic EL layer, 12a: hole transport layer, 1
2b: electron transporting light emitting layer, 13: cathode electrode, 14
... protective layer, 25 ... second protective layer, 35 ... sealing layer, 45
..Second substrate, 46... Sealing material, 55... Second substrate, 56.
・ Adhesive layer, 65 ・ ・ ・ Can type substrate, 66 ・ ・ ・ Seal material, 67 ・ ・ ・
oil
Claims (12)
前記金属電極との間に介在させた発光層とを基板上に形
成した発光素子であって、 前記透明電極、前記金属電極及び前記発光層を被覆し、
かつ、単独でアモルファス構造をとることができるホス
ト材料に不純物をゲスト材料としてドープしたガラス材
料からなる保護層を備える、 ことを特徴とする発光素子。1. A light emitting device having a transparent electrode, a metal electrode, and a light emitting layer interposed between the transparent electrode and the metal electrode formed on a substrate, wherein the transparent electrode, the metal electrode, Coating the light emitting layer,
And a protective layer made of a glass material in which an impurity is used as a guest material in a host material which can have an amorphous structure by itself.
ネルギーが３７０（kJ/mol）以上である原子の酸化物に
よって構成され、 前記ゲスト材料は、酸素原子との単結合エネルギーが３
７０（kJ/mol）未満である原子の単体または酸化物によ
って構成される、 ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。2. The host material is composed of an oxide of an atom whose single bond energy with an oxygen atom is 370 (kJ / mol) or more, and the guest material has a single bond energy with an oxygen atom of 3 or more.
The light-emitting element according to claim 1, wherein the light-emitting element is constituted by a single atom or an oxide having an atom number of less than 70 (kJ / mol).
ネルギーが２６０（kJ/mol）以上である原子の酸化物に
よって構成され、 前記ゲスト材料は、酸素原子との単結合エネルギーが２
６０（kJ/mol）未満である原子の単体または酸化物によ
って構成される、 ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。3. The host material is composed of an oxide of an atom having a single bond energy with an oxygen atom of 260 (kJ / mol) or more, and the guest material has a single bond energy with an oxygen atom of 2 (kJ / mol).
The light-emitting element according to claim 1, wherein the light-emitting element is constituted by a single atom or an oxide having an atom number of less than 60 (kJ / mol).
マニウム、リン、ヒ素のうちの何れか１種類以上の酸化
物または硫化物によって構成され、 前記ゲスト材料は、アルミニウム、亜鉛、ベリリウムの
うちの何れか１種類以上の酸化物または硫化物によって
構成される、 ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。4. The host material is composed of an oxide or sulfide of one or more of silicon, boron, germanium, phosphorus, and arsenic, and the guest material is one of aluminum, zinc, and beryllium. The light-emitting device according to claim 1, wherein the light-emitting device is formed of any one or more kinds of oxides or sulfides.
マニウム、リン、ヒ素のうちの何れか１種類以上の酸化
物または硫化物によって構成され、 前記ゲスト材料は、スカンジウム、ランタン、イットリ
ウム、スズ、バリウム、カルシウム、ストロンチウム、
マグネシウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビ
ジウム、セシウム、セリウムのうちの何れか１種類以上
の単体、酸化物または硫化物によって構成される、 ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。5. The host material is composed of an oxide or sulfide of at least one of silicon, boron, germanium, phosphorus, and arsenic, and the guest material is scandium, lanthanum, yttrium, tin, Barium, calcium, strontium,
The light-emitting element according to claim 1, wherein the light-emitting element is formed of any one or more of magnesium, lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, and cerium, an oxide, or a sulfide.
ベリリウムのうちの何れか１種類以上の酸化物または硫
化物によって構成され、 前記ゲスト材料は、スカンジウム、ランタン、イットリ
ウム、スズ、バリウム、カルシウム、ストロンチウム、
マグネシウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビ
ジウム、セシウム、セリウムのうちの何れか１種類以上
の酸化物または硫化物によって構成される、 ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。6. The host material is aluminum, zinc,
The guest material is composed of any one or more oxides or sulfides of beryllium, and the guest material is scandium, lanthanum, yttrium, tin, barium, calcium, strontium,
The light-emitting device according to claim 1, wherein the light-emitting device is formed of one or more oxides or sulfides of magnesium, lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, and cerium.
極は、前記透明電極、前記発光層、前記金属電極の順で
基板側から積層されて形成されており、 前記金属電極は、３０００（Å）以上の層厚で形成され
ている、 ことを特徴とする請求項１乃至６に記載の発光素子。7. The transparent electrode, the light emitting layer, and the metal electrode are formed by laminating the transparent electrode, the light emitting layer, and the metal electrode in this order from the substrate side. 7) The light emitting device according to any one of claims 1 to 6, wherein the light emitting device is formed with the above layer thickness.
ンス層である、 ことを特徴とする請求項７に記載の発光素子。8. The light emitting device according to claim 7, wherein said light emitting layer is an organic electroluminescent layer.
分子間の隙間に、１種類以上の単体、酸化物、硫化物の
いずれかから選択される充填材が混在される、 ことを特徴とする発光素子用の保護材料。9. A filler selected from one or more of a simple substance, an oxide, and a sulfide is mixed in a gap between molecules of an oxide or a sulfide having a three-dimensional network structure. Characteristic protective material for light-emitting elements.
化物は、ケイ素、ホウ素、ゲルマニウム、リン、ヒ素の
うちの何れか１種類以上の酸化物または硫化物であり、 前記充填材は、アルミニウム、亜鉛、ベリリウムのうち
の何れか１種類以上の酸化物または硫化物である、 ことを特徴とする請求項９に記載の発光素子用の保護材
料。10. The oxide or sulfide of the three-dimensional network structure is an oxide or sulfide of at least one of silicon, boron, germanium, phosphorus, and arsenic, and the filler is: The protective material for a light emitting device according to claim 9, wherein the protective material is an oxide or sulfide of one or more of aluminum, zinc, and beryllium.
化物は、ケイ素、ホウ素、ゲルマニウム、リン、ヒ素の
うちの何れか１種類以上の酸化物または硫化物であり、 前記充填材は、スカンジウム、ランタン、イットリウ
ム、スズ、バリウム、カルシウム、ストロンチウム、マ
グネシウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジ
ウム、セシウム、セリウムのうちの何れか１種類以上の
単体、酸化物または硫化物である、 ことを特徴とする請求項９に記載の発光素子用の保護材
料。11. The oxide or sulfide having a three-dimensional network structure is an oxide or sulfide of one or more of silicon, boron, germanium, phosphorus and arsenic, and the filler is: Scandium, lanthanum, yttrium, tin, barium, calcium, strontium, magnesium, lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, cerium, which is a simple substance, an oxide or a sulfide. The protective material for a light emitting device according to claim 9.
化物は、アルミニウム、亜鉛、ベリリウムのうちの何れ
か１種類以上の酸化物または硫化物であり、 前記充填材は、スカンジウム、ランタン、イットリウ
ム、スズ、バリウム、カルシウム、ストロンチウム、マ
グネシウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジ
ウム、セシウム、セリウムのうちの何れか１種類以上の
単体、酸化物または硫化物である、 ことを特徴とする請求項９に記載の発光素子用の保護材
料。12. The oxide or sulfide of the three-dimensional network structure is an oxide or sulfide of at least one of aluminum, zinc and beryllium, and the filler is scandium, lanthanum, 10. An element or an oxide or sulfide of at least one of yttrium, tin, barium, calcium, strontium, magnesium, lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, and cerium. 3. The protective material for a light emitting device according to claim 1.
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