JPH1196601A - 光ディスクおよびその製造方法 - Google Patents
光ディスクおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH1196601A JPH1196601A JP9252139A JP25213997A JPH1196601A JP H1196601 A JPH1196601 A JP H1196601A JP 9252139 A JP9252139 A JP 9252139A JP 25213997 A JP25213997 A JP 25213997A JP H1196601 A JPH1196601 A JP H1196601A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- substrate
- optical disk
- recording film
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/007—Arrangement of the information on the record carrier, e.g. form of tracks, actual track shape, e.g. wobbled, or cross-section, e.g. v-shaped; Sequential information structures, e.g. sectoring or header formats within a track
- G11B7/00718—Groove and land recording, i.e. user data recorded both in the grooves and on the lands
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24073—Tracks
- G11B7/24076—Cross sectional shape in the radial direction of a disc, e.g. asymmetrical cross sectional shape
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ランド部の膜厚とグルーブ部の膜厚とを一定
にしてクロスイレーズを確実に回避できる深溝の光ディ
スク、およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 円形の基板11上に情報が記録される記
録膜13が形成された光ディスク10において、基板1
1に同心円状またはスパイラル状の溝20を形成し、溝
20の少なくとも一方の側面にテーパを付け、一方の側
面の傾斜角を他方の側面の傾斜角よりも小さくし、溝2
0を覆うように記録膜13を形成する。
にしてクロスイレーズを確実に回避できる深溝の光ディ
スク、およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 円形の基板11上に情報が記録される記
録膜13が形成された光ディスク10において、基板1
1に同心円状またはスパイラル状の溝20を形成し、溝
20の少なくとも一方の側面にテーパを付け、一方の側
面の傾斜角を他方の側面の傾斜角よりも小さくし、溝2
0を覆うように記録膜13を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、書き換え可能な光
ディスクおよびその製造方法に関する。
ディスクおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、書き換え可能な光ディスクでは、
大容量化の要求に応えるために情報を高密度に記録する
ことが必要とされ、ランド・グルーブ記録方式が提案さ
れている。このランド・グルーブ記録方式は、光ディス
クに形成された同心円状の溝の底部(グルーブ部)と、
隣り合う溝の間部(ランド部)との双方に情報を記録す
る方式である。
大容量化の要求に応えるために情報を高密度に記録する
ことが必要とされ、ランド・グルーブ記録方式が提案さ
れている。このランド・グルーブ記録方式は、光ディス
クに形成された同心円状の溝の底部(グルーブ部)と、
隣り合う溝の間部(ランド部)との双方に情報を記録す
る方式である。
【0003】つまり、このランド・グルーブ記録方式で
は、トラックピッチ(隣接するランド部とグルーブ部と
の間のピッチに相当する)が、ランド部のみに記録する
方式やグルーブ部のみに記録する方式のトラックピッチ
の半分程度となり、トラック幅方向の記録密度(トラッ
ク密度)を高めることができる。ところで、このランド
・グルーブ記録方式の光ディスクでは、例えば、ランド
部の情報の記録・消去時に、ランド部に光が照射された
ときに生じる熱が、隣接するグルーブ部にも伝わってし
まい、このときの温度上昇によって、グルーブ部に記録
された情報が部分的に消去されてしまうことがある(ク
ロスイレーズ)。
は、トラックピッチ(隣接するランド部とグルーブ部と
の間のピッチに相当する)が、ランド部のみに記録する
方式やグルーブ部のみに記録する方式のトラックピッチ
の半分程度となり、トラック幅方向の記録密度(トラッ
ク密度)を高めることができる。ところで、このランド
・グルーブ記録方式の光ディスクでは、例えば、ランド
部の情報の記録・消去時に、ランド部に光が照射された
ときに生じる熱が、隣接するグルーブ部にも伝わってし
まい、このときの温度上昇によって、グルーブ部に記録
された情報が部分的に消去されてしまうことがある(ク
ロスイレーズ)。
【0004】このため、ランド・グルーブ記録方式の光
ディスクでは、隣接するランド部とグルーブ部との段差
を大きくする(溝の深さを深くする)ことによって、ラ
ンド部とグルーブ部との間の距離を大きくし、それによ
りランド部とグルーブ部との間で熱を伝わりにくくし、
クロスイレーズを回避するようにしている。
ディスクでは、隣接するランド部とグルーブ部との段差
を大きくする(溝の深さを深くする)ことによって、ラ
ンド部とグルーブ部との間の距離を大きくし、それによ
りランド部とグルーブ部との間で熱を伝わりにくくし、
クロスイレーズを回避するようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ランド・グル
ーブ記録方式の光ディスクでは、上記のようにクロスイ
レーズを回避するために溝の深さを深くしたために、そ
の記録膜の成膜時に以下のような問題が生じていた。
ーブ記録方式の光ディスクでは、上記のようにクロスイ
レーズを回避するために溝の深さを深くしたために、そ
の記録膜の成膜時に以下のような問題が生じていた。
【0006】一般に、光ディスクの基板上に記録膜を成
膜するには、マグネトロンスパッタリング法が用いられ
る。図5に示されるように、スパッタリングされてター
ゲット4から飛び出す粒子3,3,3,…は、余弦法則に
したがい、ターゲット4の法線L4に沿った方向(図5
中、矢印31の方向で示される)や、法線L4より傾い
た様々な方向(図5中、矢印32,33,34,…の方向
で示される)に飛び出していく。
膜するには、マグネトロンスパッタリング法が用いられ
る。図5に示されるように、スパッタリングされてター
ゲット4から飛び出す粒子3,3,3,…は、余弦法則に
したがい、ターゲット4の法線L4に沿った方向(図5
中、矢印31の方向で示される)や、法線L4より傾い
た様々な方向(図5中、矢印32,33,34,…の方向
で示される)に飛び出していく。
【0007】このうち、ターゲット4の法線L4に沿っ
た方向(矢印31の方向)に飛び出していく粒子3,3,
…は、基板1にほぼ垂直に入射するので、溝2のランド
部2cとグルーブ部2dとに同じように到達することが
できる。一方、ターゲット4の法線L4より傾いた方向
(矢印32,33,34,…の方向)に飛び出していく粒
子3,3,…は、基板1に斜めに入射するので、溝2の側
壁2a,2bに付着したり、ランド部2cに遮られてこ
のランド部2cに付着したりして、グルーブ部2dに到
達できない。
た方向(矢印31の方向)に飛び出していく粒子3,3,
…は、基板1にほぼ垂直に入射するので、溝2のランド
部2cとグルーブ部2dとに同じように到達することが
できる。一方、ターゲット4の法線L4より傾いた方向
(矢印32,33,34,…の方向)に飛び出していく粒
子3,3,…は、基板1に斜めに入射するので、溝2の側
壁2a,2bに付着したり、ランド部2cに遮られてこ
のランド部2cに付着したりして、グルーブ部2dに到
達できない。
【0008】ここで、基板1に斜めに入射する粒子3,
3,…(矢印32,33,34,…の方向の粒子)のうち、
実際にグルーブ部2dに到達する粒子の割合は、溝2の
深さDが深い光ディスク(深溝の光ディスク)ほど低く
なる。このように、深溝の光ディスクでは、粒子3,3,
…がグルーブ部2dに付着する割合が著しく低くなるた
め、記録膜がランド部2cで厚くなり、グルーブ部2d
で薄くなって、成膜された記録膜の両者の膜厚差が著し
く大きくなってしまう。
3,…(矢印32,33,34,…の方向の粒子)のうち、
実際にグルーブ部2dに到達する粒子の割合は、溝2の
深さDが深い光ディスク(深溝の光ディスク)ほど低く
なる。このように、深溝の光ディスクでは、粒子3,3,
…がグルーブ部2dに付着する割合が著しく低くなるた
め、記録膜がランド部2cで厚くなり、グルーブ部2d
で薄くなって、成膜された記録膜の両者の膜厚差が著し
く大きくなってしまう。
【0009】ところで、光ディスクにランド・グルーブ
記録を行う際のレーザパワーは、記録膜の膜厚によって
異なる。ここで、上記のようにランド部2cの膜厚が厚
くグルーブ部2dの膜厚が薄い光ディスクに対してラン
ド・グルーブ記録を行う際のレーザパワーを、グルーブ
部2dへの情報の記録・消去に適した値に設定すれば、
ランド部2cでは膜厚が厚い分だけパワーが不足して最
適な情報の記録・消去を行うことができない。また逆
に、ランド・グルーブ記録を行う際のレーザパワーを、
ランド部2cへの情報の記録・消去に適した値に設定す
れば、グルーブ部2dでは膜厚が薄い分だけパワーが過
剰となって最適な情報の記録・消去を行うことができな
い。
記録を行う際のレーザパワーは、記録膜の膜厚によって
異なる。ここで、上記のようにランド部2cの膜厚が厚
くグルーブ部2dの膜厚が薄い光ディスクに対してラン
ド・グルーブ記録を行う際のレーザパワーを、グルーブ
部2dへの情報の記録・消去に適した値に設定すれば、
ランド部2cでは膜厚が厚い分だけパワーが不足して最
適な情報の記録・消去を行うことができない。また逆
に、ランド・グルーブ記録を行う際のレーザパワーを、
ランド部2cへの情報の記録・消去に適した値に設定す
れば、グルーブ部2dでは膜厚が薄い分だけパワーが過
剰となって最適な情報の記録・消去を行うことができな
い。
【0010】したがって、上記のように記録膜がランド
部2cで厚くグルーブ部2dで薄い光ディスク対してラ
ンド・グルーブ記録を行う際のレーザパワーは、従来よ
り、ランド部2cへの情報の記録・消去時は高パワー
に、グルーブ部2dへの情報の記録・消去時には低パワ
ーに、各々設定しなければならなかった。この場合、記
録再生装置の構成が複雑になる。
部2cで厚くグルーブ部2dで薄い光ディスク対してラ
ンド・グルーブ記録を行う際のレーザパワーは、従来よ
り、ランド部2cへの情報の記録・消去時は高パワー
に、グルーブ部2dへの情報の記録・消去時には低パワ
ーに、各々設定しなければならなかった。この場合、記
録再生装置の構成が複雑になる。
【0011】さらに、この複雑な構成の記録再生装置を
用い、ランド部2cとグルーブ部2dとに各々異なるレ
ーザパワーで情報を記録・消去するようにしても、グル
ーブ部2dの情報が部分的に消去されてしまうという問
題が生じる。これは、ランド部2cの情報の記録・消去
時に照射される高パワーの光による熱が、溝2を深くし
たにも拘わらずグルーブ部2dに伝わってしまうと、膜
厚が薄いグルーブ部2dは熱的容量が小さいためにすぐ
に高温となってしまうからである。
用い、ランド部2cとグルーブ部2dとに各々異なるレ
ーザパワーで情報を記録・消去するようにしても、グル
ーブ部2dの情報が部分的に消去されてしまうという問
題が生じる。これは、ランド部2cの情報の記録・消去
時に照射される高パワーの光による熱が、溝2を深くし
たにも拘わらずグルーブ部2dに伝わってしまうと、膜
厚が薄いグルーブ部2dは熱的容量が小さいためにすぐ
に高温となってしまうからである。
【0012】このように、クロスイレーズを回避するた
めに溝2の深さを深くしたランド・グルーブ記録方式の
光ディスクでは、ランド部2cの膜厚が厚くグルーブ部
2dの膜厚が薄くなってしまうため、グルーブ部2dに
おけるクロスイレーズが依然として回避されていなかっ
た。本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、ラン
ド部の膜厚とグルーブ部の膜厚とを一定にしてクロスイ
レーズを確実に回避できる深溝の光ディスク、およびそ
の製造方法を提供することにある。
めに溝2の深さを深くしたランド・グルーブ記録方式の
光ディスクでは、ランド部2cの膜厚が厚くグルーブ部
2dの膜厚が薄くなってしまうため、グルーブ部2dに
おけるクロスイレーズが依然として回避されていなかっ
た。本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、ラン
ド部の膜厚とグルーブ部の膜厚とを一定にしてクロスイ
レーズを確実に回避できる深溝の光ディスク、およびそ
の製造方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、円形の基板上に、情報が記録される記録膜が形成さ
れた光ディスクにおいて、基板に同心円状またはスパイ
ラル状の溝を形成し、溝の少なくとも一方の側面にテー
パを付け、その一方の側面の傾斜角を他方の側面の傾斜
角よりも小さくし、その溝を覆うように記録膜を形成し
たものである。
は、円形の基板上に、情報が記録される記録膜が形成さ
れた光ディスクにおいて、基板に同心円状またはスパイ
ラル状の溝を形成し、溝の少なくとも一方の側面にテー
パを付け、その一方の側面の傾斜角を他方の側面の傾斜
角よりも小さくし、その溝を覆うように記録膜を形成し
たものである。
【0014】請求項2に記載の発明は、円形の基板上
に、情報が記録される記録膜が形成された光ディスクに
おいて、基板に同心円状またはスパイラル状の溝を形成
し、基板の特定の周の溝よりも内側に形成された溝の少
なくとも外周側の側面にテーパを付け、その外周側の側
面の傾斜角を内周側の側面の傾斜角よりも小さくし、特
定の周の溝よりも外側に形成された溝の少なくとも内周
側の側面にテーパを付け、その内周側の側面の傾斜角を
外周側の側面の傾斜角よりも小さくし、その溝を覆うよ
うに記録膜を形成したものである。
に、情報が記録される記録膜が形成された光ディスクに
おいて、基板に同心円状またはスパイラル状の溝を形成
し、基板の特定の周の溝よりも内側に形成された溝の少
なくとも外周側の側面にテーパを付け、その外周側の側
面の傾斜角を内周側の側面の傾斜角よりも小さくし、特
定の周の溝よりも外側に形成された溝の少なくとも内周
側の側面にテーパを付け、その内周側の側面の傾斜角を
外周側の側面の傾斜角よりも小さくし、その溝を覆うよ
うに記録膜を形成したものである。
【0015】請求項3に記載の発明は、請求項2に記載
の光ディスクにおいて、特定の周の溝の内側に形成され
た溝の外周側の側面の傾斜角を45度より大きく80度
より小さくし、特定の周の溝の外側に形成された溝の内
周側の側面の傾斜角を45度より大きく80度より小さ
くしたものである。請求項4に記載の発明は、請求項1
から請求項3の何れか1項に記載の光ディスクを、ラン
ド・グルーブ記録方式としたものである。
の光ディスクにおいて、特定の周の溝の内側に形成され
た溝の外周側の側面の傾斜角を45度より大きく80度
より小さくし、特定の周の溝の外側に形成された溝の内
周側の側面の傾斜角を45度より大きく80度より小さ
くしたものである。請求項4に記載の発明は、請求項1
から請求項3の何れか1項に記載の光ディスクを、ラン
ド・グルーブ記録方式としたものである。
【0016】請求項5に記載の発明は、請求項1から請
求項4の何れか1項に記載の光ディスクにおいて、溝の
深さを80nm〜600nmとしたものである。請求項
6に記載の発明は、請求項1から請求項5の何れか1項
に記載の光ディスクにおいて、記録膜を磁性体で構成し
たものである。請求項7に記載の発明は、請求項6に記
載の光ディスクにおいて、磁性体を希土類金属と遷移金
属とからなる合金で構成したものである。
求項4の何れか1項に記載の光ディスクにおいて、溝の
深さを80nm〜600nmとしたものである。請求項
6に記載の発明は、請求項1から請求項5の何れか1項
に記載の光ディスクにおいて、記録膜を磁性体で構成し
たものである。請求項7に記載の発明は、請求項6に記
載の光ディスクにおいて、磁性体を希土類金属と遷移金
属とからなる合金で構成したものである。
【0017】請求項8に記載の発明は、請求項1から請
求項5の何れか1項に記載の光ディスクにおいて、記録
膜を相変化媒体で構成したものである。請求項9に記載
の発明は、請求項2から請求項8の何れか1項に記載の
光ディスクの、同心円状またはスパイラル状の溝が形成
された基板上に、マグネトロンスパッタリング法を用い
て記録膜を成膜するに当たり、基板の特定の周の径に、
ターゲットのエロージョン領域の径を一致させるように
したものである。
求項5の何れか1項に記載の光ディスクにおいて、記録
膜を相変化媒体で構成したものである。請求項9に記載
の発明は、請求項2から請求項8の何れか1項に記載の
光ディスクの、同心円状またはスパイラル状の溝が形成
された基板上に、マグネトロンスパッタリング法を用い
て記録膜を成膜するに当たり、基板の特定の周の径に、
ターゲットのエロージョン領域の径を一致させるように
したものである。
【0018】(作用)請求項1に記載の光ディスクで
は、基板に形成された溝の少なくとも一方の側面にテー
パを付けたので、例えば、記録膜の成膜時、スパッタリ
ングされてターゲットから斜め方向に飛び出した粒子
は、溝のランド部に遮られることなく、一方の側面のテ
ーパに沿って入射し、グルーブ部に到達できる。したが
って、溝のランド部とグルーブ部とで記録膜の膜厚が等
しくなる。
は、基板に形成された溝の少なくとも一方の側面にテー
パを付けたので、例えば、記録膜の成膜時、スパッタリ
ングされてターゲットから斜め方向に飛び出した粒子
は、溝のランド部に遮られることなく、一方の側面のテ
ーパに沿って入射し、グルーブ部に到達できる。したが
って、溝のランド部とグルーブ部とで記録膜の膜厚が等
しくなる。
【0019】また、溝の他方の側面の傾斜角を一方の側
面の傾斜角よりも大きくしたので、ランド部とグルーブ
部との記録膜の膜厚を等しくしつつ、トラック密度を高
めることもできる。請求項2に記載の光ディスクでは、
基板の特定の周の溝を境に、その内側に形成された溝の
少なくとも外周側の側面にテーパを付け、外側に形成さ
れた溝の少なくとも内周側の側面にテーパを付けたの
で、例えば、記録膜の成膜時、スパッタリングされてタ
ーゲットのエロージョン領域から斜め方向に飛び出す粒
子のうち、ターゲットの法線よりエロージョン領域の内
方に傾いた方向に飛び出した粒子は、特定の周の溝の内
側に形成された溝のランド部に遮られることなく、外周
側の側面のテーパに沿って入射し、グルーブ部に到達で
きる。したがって、その内側に形成された溝のランド部
とグルーブ部とで記録膜の膜厚が等しくなる。
面の傾斜角よりも大きくしたので、ランド部とグルーブ
部との記録膜の膜厚を等しくしつつ、トラック密度を高
めることもできる。請求項2に記載の光ディスクでは、
基板の特定の周の溝を境に、その内側に形成された溝の
少なくとも外周側の側面にテーパを付け、外側に形成さ
れた溝の少なくとも内周側の側面にテーパを付けたの
で、例えば、記録膜の成膜時、スパッタリングされてタ
ーゲットのエロージョン領域から斜め方向に飛び出す粒
子のうち、ターゲットの法線よりエロージョン領域の内
方に傾いた方向に飛び出した粒子は、特定の周の溝の内
側に形成された溝のランド部に遮られることなく、外周
側の側面のテーパに沿って入射し、グルーブ部に到達で
きる。したがって、その内側に形成された溝のランド部
とグルーブ部とで記録膜の膜厚が等しくなる。
【0020】また、ターゲットの法線よりエロージョン
領域の外方に傾いた方向に飛び出した粒子は、特定の周
の溝の外側に形成された溝のランド部に遮られることな
く、内周側の側面のテーパに沿って入射し、グルーブ部
に到達できる。したがって、その外側に形成された溝の
ランド部とグルーブ部とで記録膜の膜厚が等しくなる。
さらに、特定の周の溝の外側に形成された溝の外周側の
側面の傾斜角を内周側の側面の傾斜角よりも大きくし、
内側に形成された溝の内周側の側面の傾斜角を外周側の
側面の傾斜角よりも大きくしたので、ランド部とグルー
ブ部との記録膜の膜厚を等しくしつつ、トラック密度を
高めることもできる。
領域の外方に傾いた方向に飛び出した粒子は、特定の周
の溝の外側に形成された溝のランド部に遮られることな
く、内周側の側面のテーパに沿って入射し、グルーブ部
に到達できる。したがって、その外側に形成された溝の
ランド部とグルーブ部とで記録膜の膜厚が等しくなる。
さらに、特定の周の溝の外側に形成された溝の外周側の
側面の傾斜角を内周側の側面の傾斜角よりも大きくし、
内側に形成された溝の内周側の側面の傾斜角を外周側の
側面の傾斜角よりも大きくしたので、ランド部とグルー
ブ部との記録膜の膜厚を等しくしつつ、トラック密度を
高めることもできる。
【0021】請求項3に記載の光ディスクでは、特定の
周の溝の内側に形成された溝の外周側の側面の傾斜角を
45度より大きく80度より小さくしたので、ターゲッ
トの法線よりエロージョン領域の内方に傾いた方向から
飛んできた粒子を、溝のランド部に遮られることなく、
効率よくグルーブ部に到達させることができる。したが
って、その内側に形成された溝のランド部とグルーブ部
とで記録膜の膜厚が等しくなる。
周の溝の内側に形成された溝の外周側の側面の傾斜角を
45度より大きく80度より小さくしたので、ターゲッ
トの法線よりエロージョン領域の内方に傾いた方向から
飛んできた粒子を、溝のランド部に遮られることなく、
効率よくグルーブ部に到達させることができる。したが
って、その内側に形成された溝のランド部とグルーブ部
とで記録膜の膜厚が等しくなる。
【0022】また、特定の周の溝の外側に形成された溝
の内周側の側面の傾斜角を45度より大きく80度より
小さくしたので、ターゲットの法線よりエロージョン領
域の外方に傾いた方向から飛んできた粒子を、溝のラン
ド部に遮られることなく、効率よくグルーブ部に到達さ
せることができる。したがって、その外側に形成された
溝のランド部とグルーブ部とで記録膜の膜厚が等しくな
る。
の内周側の側面の傾斜角を45度より大きく80度より
小さくしたので、ターゲットの法線よりエロージョン領
域の外方に傾いた方向から飛んできた粒子を、溝のラン
ド部に遮られることなく、効率よくグルーブ部に到達さ
せることができる。したがって、その外側に形成された
溝のランド部とグルーブ部とで記録膜の膜厚が等しくな
る。
【0023】請求項4に記載の光ディスクでは、記録膜
の膜厚がランド部とグルーブ部とで等しい光ディスクを
ランド・グルーブ記録方式の媒体として用いるので、ラ
ンド部とグルーブ部とに、同一のレーザパワーで情報を
記録することができる。請求項5に記載の光ディスクで
は、溝の深さを80nm〜600nmとして、ランド部
とグルーブ部との間で熱を伝わりにくくした場合でも、
記録膜の膜厚を一定にしてクロスイレーズを確実に回避
できる。
の膜厚がランド部とグルーブ部とで等しい光ディスクを
ランド・グルーブ記録方式の媒体として用いるので、ラ
ンド部とグルーブ部とに、同一のレーザパワーで情報を
記録することができる。請求項5に記載の光ディスクで
は、溝の深さを80nm〜600nmとして、ランド部
とグルーブ部との間で熱を伝わりにくくした場合でも、
記録膜の膜厚を一定にしてクロスイレーズを確実に回避
できる。
【0024】請求項6に記載の光ディスクでは、記録膜
が磁性体で構成される場合に、クロスイレーズを回避で
きると共に、情報の高密度化が図られる。請求項7に記
載の光ディスクでは、記録膜が希土類金属と遷移金属と
からなる合金で構成され、熱的安定性や熱伝導性を高く
した場合に、クロスイレーズを回避できると共に、情報
の高密度化が図られる。
が磁性体で構成される場合に、クロスイレーズを回避で
きると共に、情報の高密度化が図られる。請求項7に記
載の光ディスクでは、記録膜が希土類金属と遷移金属と
からなる合金で構成され、熱的安定性や熱伝導性を高く
した場合に、クロスイレーズを回避できると共に、情報
の高密度化が図られる。
【0025】請求項8に記載の光ディスクでは、記録膜
が相変化媒体で構成される場合に、クロスイレーズを回
避できると共に、情報の高密度化が図られる。請求項9
に記載の製造方法では、光ディスク基板の特定の周の径
に、ターゲットのエロージョン領域の径を一致させて、
記録膜を成膜するので、スパッタリングされてエロージ
ョン領域から斜め方向に飛び出す粒子のうち、ターゲッ
トの法線よりエロージョン領域の内方に傾いた方向に飛
び出した粒子は、基板の特定の周の内側の溝のランド部
に遮られることなく、外周側の側面のテーパに沿って入
射し、グルーブ部に到達できる。したがって、その内側
に形成された溝のランド部とグルーブ部とで記録膜の膜
厚を等しくすることができる。
が相変化媒体で構成される場合に、クロスイレーズを回
避できると共に、情報の高密度化が図られる。請求項9
に記載の製造方法では、光ディスク基板の特定の周の径
に、ターゲットのエロージョン領域の径を一致させて、
記録膜を成膜するので、スパッタリングされてエロージ
ョン領域から斜め方向に飛び出す粒子のうち、ターゲッ
トの法線よりエロージョン領域の内方に傾いた方向に飛
び出した粒子は、基板の特定の周の内側の溝のランド部
に遮られることなく、外周側の側面のテーパに沿って入
射し、グルーブ部に到達できる。したがって、その内側
に形成された溝のランド部とグルーブ部とで記録膜の膜
厚を等しくすることができる。
【0026】また、ターゲットの法線よりエロージョン
領域の外方に傾いた方向に飛び出した粒子は、基板の特
定の周の外側の溝のランド部に遮られることなく、内周
側の側面のテーパに沿って入射し、グルーブ部に到達で
きる。したがって、その外側に形成された溝のランド部
とグルーブ部とで記録膜の膜厚を等しくすることができ
る。
領域の外方に傾いた方向に飛び出した粒子は、基板の特
定の周の外側の溝のランド部に遮られることなく、内周
側の側面のテーパに沿って入射し、グルーブ部に到達で
きる。したがって、その外側に形成された溝のランド部
とグルーブ部とで記録膜の膜厚を等しくすることができ
る。
【0027】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。本実施形態は、請求項1〜請求項9
に対応する。本実施形態の光ディスク10は、図1に示
されるように、溝20が形成された基板11上に、情報
が記録される記録膜13が、溝20を覆うように形成さ
れたものである。なお、この記録膜13は、同じく基板
11上に形成された下部保護膜12と上部保護膜14と
によって保護されている。
施形態を説明する。本実施形態は、請求項1〜請求項9
に対応する。本実施形態の光ディスク10は、図1に示
されるように、溝20が形成された基板11上に、情報
が記録される記録膜13が、溝20を覆うように形成さ
れたものである。なお、この記録膜13は、同じく基板
11上に形成された下部保護膜12と上部保護膜14と
によって保護されている。
【0028】まず、溝20が形成された基板11につい
て、図2,図3を用いて説明する。この基板11は、図
2に示されるように、円形のポリカーボネート基板(直
径86mm)であり、その片面に、同心円状に溝20が
形成されている。そして、溝20全体のうち、特定の周
(直径75mm)の溝21を境に、その内側に形成され
た溝22と、外側に形成された溝23とで断面形状が異
なっている。
て、図2,図3を用いて説明する。この基板11は、図
2に示されるように、円形のポリカーボネート基板(直
径86mm)であり、その片面に、同心円状に溝20が
形成されている。そして、溝20全体のうち、特定の周
(直径75mm)の溝21を境に、その内側に形成され
た溝22と、外側に形成された溝23とで断面形状が異
なっている。
【0029】図3に、溝21〜23の断面形状の詳細を
示す。この図3に示されるように、特定の周の溝21よ
りも内側(図3中、左方)に形成された溝22は、その
2つの側面22a,22bのうち、外周側の側面22b
に、傾斜角Θ2bが70度のテーパが付いている。ま
た、内周側の側面22aには、その傾斜角Θ2aが85
度のテーパが付いている。
示す。この図3に示されるように、特定の周の溝21よ
りも内側(図3中、左方)に形成された溝22は、その
2つの側面22a,22bのうち、外周側の側面22b
に、傾斜角Θ2bが70度のテーパが付いている。ま
た、内周側の側面22aには、その傾斜角Θ2aが85
度のテーパが付いている。
【0030】また、特定の周の溝21よりも外側(図3
中、右方)に形成された溝23は、その2つの側面23
a,23bのうち、内周側の側面23aに、傾斜角Θ3
aが70度のテーパが付いている。また、外周側の側面
23bには、その傾斜角Θ3bが85度のテーパが付い
ている。
中、右方)に形成された溝23は、その2つの側面23
a,23bのうち、内周側の側面23aに、傾斜角Θ3
aが70度のテーパが付いている。また、外周側の側面
23bには、その傾斜角Θ3bが85度のテーパが付い
ている。
【0031】なお、特定の周の溝21は、その2つの側
面21a,21bの双方に、傾斜角Θ1a,Θ1bが8
5度のテーパが付いている。このように、溝22の外周
側の側面22bと溝23の内周側の側面23aとに、傾
斜角Θ2b,Θ3aが70度のテーパを付けるのは、記
録膜13の成膜時に、スパッタリングされてターゲット
から飛び出した粒子3,3,…を、幅が狭くかつ深さが深
い溝22,23の底部(グルーブ部)22d,23dに
付着させ易くするためである。
面21a,21bの双方に、傾斜角Θ1a,Θ1bが8
5度のテーパが付いている。このように、溝22の外周
側の側面22bと溝23の内周側の側面23aとに、傾
斜角Θ2b,Θ3aが70度のテーパを付けるのは、記
録膜13の成膜時に、スパッタリングされてターゲット
から飛び出した粒子3,3,…を、幅が狭くかつ深さが深
い溝22,23の底部(グルーブ部)22d,23dに
付着させ易くするためである。
【0032】なお、溝21〜23のグルーブ部21d〜
23dの幅WGは、何れも0.8μmである。また、隣
り合う溝21〜23の間部(ランド部)22c,23c
の幅WLも、全て0.8μmとなっている。また、溝2
1〜23の深さDは、175nmであり、ランド・グル
ーブ記録におけるクロスイレーズを回避するために深く
してある。
23dの幅WGは、何れも0.8μmである。また、隣
り合う溝21〜23の間部(ランド部)22c,23c
の幅WLも、全て0.8μmとなっている。また、溝2
1〜23の深さDは、175nmであり、ランド・グル
ーブ記録におけるクロスイレーズを回避するために深く
してある。
【0033】上記した溝22,23の傾斜角Θ2b,Θ
3aは、基板11の製造工程(周知の原盤作製工程→ス
タンパー作製工程→レプリカ作製工程)のうち、原盤作
製工程におけるフォトレジストの露光時に、露光用レー
ザ光の光学系を調整することによって、その値を所定の
値(70度)にすることができる。なお、溝22の傾斜
角Θ2a,溝23の傾斜角Θ3b,溝21の傾斜角Θ1
a,Θ1bは、トラック密度を高めるためには、その値
が90度であることが望ましい。しかし、これらの傾斜
角Θ2a,Θ3b,Θ1a,Θ1bは、基板11の通常
の製造工程では85度程度となって、この部位にもテー
パが生じる。なお、フォトレジストの露光条件(露光用
レーザ光の光学系など)を改善することでさらに90度
に近づけることができる。
3aは、基板11の製造工程(周知の原盤作製工程→ス
タンパー作製工程→レプリカ作製工程)のうち、原盤作
製工程におけるフォトレジストの露光時に、露光用レー
ザ光の光学系を調整することによって、その値を所定の
値(70度)にすることができる。なお、溝22の傾斜
角Θ2a,溝23の傾斜角Θ3b,溝21の傾斜角Θ1
a,Θ1bは、トラック密度を高めるためには、その値
が90度であることが望ましい。しかし、これらの傾斜
角Θ2a,Θ3b,Θ1a,Θ1bは、基板11の通常
の製造工程では85度程度となって、この部位にもテー
パが生じる。なお、フォトレジストの露光条件(露光用
レーザ光の光学系など)を改善することでさらに90度
に近づけることができる。
【0034】次に、本実施形態の光ディスク10の基板
11上に、記録膜13を成膜する方法について説明す
る。実際の記録膜13の成膜は、図3に示した基板11
上に、まず下部保護膜12を形成し、その上面に行われ
る(図1参照)。しかし、この下部保護膜12の上面に
おける溝の形状は、図1に示したように基板11自体の
溝(21〜23)の形状とほぼ同一である。したがっ
て、説明を簡単にするため、以下、記録膜13を基板1
1上に成膜するものとして説明する。
11上に、記録膜13を成膜する方法について説明す
る。実際の記録膜13の成膜は、図3に示した基板11
上に、まず下部保護膜12を形成し、その上面に行われ
る(図1参照)。しかし、この下部保護膜12の上面に
おける溝の形状は、図1に示したように基板11自体の
溝(21〜23)の形状とほぼ同一である。したがっ
て、説明を簡単にするため、以下、記録膜13を基板1
1上に成膜するものとして説明する。
【0035】図3に示す形状の基板11上に記録膜13
を成膜する際には、図4に示されるように、基板11が
ターゲット41に対向して同軸配置されたスパッタリン
グ室(図示されない)内で、周知のマグネトロンスパッ
タリング法を用いて行われる。なお、スパッタリング室
のガス圧力は、アルゴンガスが導入された状態で5×1
0-3Torrに維持される。
を成膜する際には、図4に示されるように、基板11が
ターゲット41に対向して同軸配置されたスパッタリン
グ室(図示されない)内で、周知のマグネトロンスパッ
タリング法を用いて行われる。なお、スパッタリング室
のガス圧力は、アルゴンガスが導入された状態で5×1
0-3Torrに維持される。
【0036】このとき用いられるターゲット41は、T
bFeCo合金である。このターゲット41の組成は、
成膜される記録膜13の組成が、Tb:21原子%,F
e:63.2原子%,Co:15.8原子%(原子百分
率)となるように定められている。また、ターゲット4
1の背面側(図4中、上方)には、成膜速度を高めるた
めにターゲット41の中心軸L41に対して偏心して回
転するマグネット(図示されない)が配置されている。
bFeCo合金である。このターゲット41の組成は、
成膜される記録膜13の組成が、Tb:21原子%,F
e:63.2原子%,Co:15.8原子%(原子百分
率)となるように定められている。また、ターゲット4
1の背面側(図4中、上方)には、成膜速度を高めるた
めにターゲット41の中心軸L41に対して偏心して回
転するマグネット(図示されない)が配置されている。
【0037】このマグネットの回転によって多くの粒子
がスパッタリングされるターゲット41内の領域は、エ
ロージョン領域41Aと呼ばれる。このエロージョン領
域41Aの大きさは、ターゲットの大きさにより変わる
が、通常、基板11全体の大きさ(直径86mm)より
も小さい。なお、本実施形態では、6インチのターゲッ
ト41を用い、エロージョン領域41Aの直径は75m
m程度である。
がスパッタリングされるターゲット41内の領域は、エ
ロージョン領域41Aと呼ばれる。このエロージョン領
域41Aの大きさは、ターゲットの大きさにより変わる
が、通常、基板11全体の大きさ(直径86mm)より
も小さい。なお、本実施形態では、6インチのターゲッ
ト41を用い、エロージョン領域41Aの直径は75m
m程度である。
【0038】ここで、このターゲット41に対向して同
軸配置された基板11は、その特定の周11aの径が、
ターゲット41のエロージョン領域41Aの径に一致す
るように作製されている。
軸配置された基板11は、その特定の周11aの径が、
ターゲット41のエロージョン領域41Aの径に一致す
るように作製されている。
【0039】このような条件の下でスパッタリングによ
る成膜を行うと、そのエロージョン領域41Aから飛び
出す粒子3,3,3,…は、余弦法則にしたがい、ターゲ
ット41の法線L41に沿った方向(図4中、矢印31
で示される方向)や、法線L41より傾いた様々な方向
(図4中、矢印32A,33A,…,32B,33B,…で
示される方向)に飛び出していく。
る成膜を行うと、そのエロージョン領域41Aから飛び
出す粒子3,3,3,…は、余弦法則にしたがい、ターゲ
ット41の法線L41に沿った方向(図4中、矢印31
で示される方向)や、法線L41より傾いた様々な方向
(図4中、矢印32A,33A,…,32B,33B,…で
示される方向)に飛び出していく。
【0040】このうち、ターゲット41の法線L41に
沿った方向(矢印31の方向)に飛び出していく粒子
3,3,…は、基板11の特定の周11aの内側に相当す
る領域(エロージョン領域41Aに対向する領域)11
Aに、ほぼ垂直に入射する。一方、ターゲット41の法
線L41より傾いた様々な方向(矢印32A,33A,
…,32B,33B,…の方向)に飛び出していく粒子3,
3,…は、上記した領域11Aだけでなく、特定の周1
1aの外側に相当する領域(エロージョン領域41Aに
対向しない領域)11Bにも斜めに入射する。
沿った方向(矢印31の方向)に飛び出していく粒子
3,3,…は、基板11の特定の周11aの内側に相当す
る領域(エロージョン領域41Aに対向する領域)11
Aに、ほぼ垂直に入射する。一方、ターゲット41の法
線L41より傾いた様々な方向(矢印32A,33A,
…,32B,33B,…の方向)に飛び出していく粒子3,
3,…は、上記した領域11Aだけでなく、特定の周1
1aの外側に相当する領域(エロージョン領域41Aに
対向しない領域)11Bにも斜めに入射する。
【0041】ここで、領域11Bに斜めに入射する粒子
3,3,…は、ターゲット41の法線L41よりエロージ
ョン領域41Aの外方に傾いた方向(矢印32B,33
B,…の方向)に飛び出した粒子である。また、エロー
ジョン領域41Aに対向する領域11Aには、上記のよ
うにエロージョン領域41Aから外方に傾いた方向(矢
印32B,33B,…の方向)に飛び出す粒子3,3,…が
領域11Bに入射する分、相対的にターゲット41の法
線L41よりエロージョン領域41Aの内方に傾いた方
向(矢印32A,33A,…の方向)に飛び出す粒子が多
く入射することになる。
3,3,…は、ターゲット41の法線L41よりエロージ
ョン領域41Aの外方に傾いた方向(矢印32B,33
B,…の方向)に飛び出した粒子である。また、エロー
ジョン領域41Aに対向する領域11Aには、上記のよ
うにエロージョン領域41Aから外方に傾いた方向(矢
印32B,33B,…の方向)に飛び出す粒子3,3,…が
領域11Bに入射する分、相対的にターゲット41の法
線L41よりエロージョン領域41Aの内方に傾いた方
向(矢印32A,33A,…の方向)に飛び出す粒子が多
く入射することになる。
【0042】このように、スパッタリングによる成膜時
に、法線L41に対し外に向かう粒子(矢印32B,3
3B,…の方向の粒子)が領域11B(特定の周11a
の外側)に多く入射し、法線L41に対し内に向かう粒
子(矢印32A,33A,…の方向の粒子)が領域11A
(特定の周11aの内側)に比較的多く入射することに
着目して、領域11A,領域11Bの各々には、図3に
示されるように、溝21(特定の周11aに対応する)
を境にして断面形状の異なる溝22,溝23が形成され
ている。
に、法線L41に対し外に向かう粒子(矢印32B,3
3B,…の方向の粒子)が領域11B(特定の周11a
の外側)に多く入射し、法線L41に対し内に向かう粒
子(矢印32A,33A,…の方向の粒子)が領域11A
(特定の周11aの内側)に比較的多く入射することに
着目して、領域11A,領域11Bの各々には、図3に
示されるように、溝21(特定の周11aに対応する)
を境にして断面形状の異なる溝22,溝23が形成され
ている。
【0043】具体的には、基板11の領域11Bでは、
図3に示されるように、法線L41に対し外に向かう粒
子(矢印32B,33B,…の方向の粒子)の方向性に合
わせて、溝23の内周側の側面23aに傾斜角Θ3aが
70度のテーパが付けられている。また、基板11の領
域11Aでは、法線L41に対し内に向かう粒子(矢印
32A,33A,…の方向の粒子)の方向性に合わせて、
溝22の外周側の側面22bに傾斜角Θ2bが70度の
テーパが付けられている。
図3に示されるように、法線L41に対し外に向かう粒
子(矢印32B,33B,…の方向の粒子)の方向性に合
わせて、溝23の内周側の側面23aに傾斜角Θ3aが
70度のテーパが付けられている。また、基板11の領
域11Aでは、法線L41に対し内に向かう粒子(矢印
32A,33A,…の方向の粒子)の方向性に合わせて、
溝22の外周側の側面22bに傾斜角Θ2bが70度の
テーパが付けられている。
【0044】このような溝22,23が形成された基板
11は、記録膜13が成膜される際、上記したように、
スパッタリング室内で、その特定の周11aの径にター
ゲット41のエロージョン領域41Aの径が一致するよ
うに同軸配置される(図4)。したがって、基板11の
領域11Bでは、図3に示されるように、ターゲット4
1の法線L41よりエロージョン領域41Aの外方に飛
び出した粒子(矢印32B,33B,…の方向の粒子)
が、ランド部23cに遮られることなく、溝23の内周
側の側面23aのテーパに沿って入射し、深い溝23の
グルーブ部23dに到達することができる。
11は、記録膜13が成膜される際、上記したように、
スパッタリング室内で、その特定の周11aの径にター
ゲット41のエロージョン領域41Aの径が一致するよ
うに同軸配置される(図4)。したがって、基板11の
領域11Bでは、図3に示されるように、ターゲット4
1の法線L41よりエロージョン領域41Aの外方に飛
び出した粒子(矢印32B,33B,…の方向の粒子)
が、ランド部23cに遮られることなく、溝23の内周
側の側面23aのテーパに沿って入射し、深い溝23の
グルーブ部23dに到達することができる。
【0045】その結果、この領域11Bでは、斜め方向
から入射してきた粒子3,3,…が、深い溝23のグルー
ブ部23dとランド部23cとの双方に等しい割合で堆
積することになる。また、基板11の領域11Aでは、
ターゲット41の法線L41よりエロージョン領域41
Aの内方に飛び出した粒子(矢印32A,33A,…の方
向の粒子)が、溝22のランド部22cに遮られること
なく、溝22の外周側の側面22bのテーパに沿って入
射し、深い溝22のグルーブ部22dに到達することが
できる。
から入射してきた粒子3,3,…が、深い溝23のグルー
ブ部23dとランド部23cとの双方に等しい割合で堆
積することになる。また、基板11の領域11Aでは、
ターゲット41の法線L41よりエロージョン領域41
Aの内方に飛び出した粒子(矢印32A,33A,…の方
向の粒子)が、溝22のランド部22cに遮られること
なく、溝22の外周側の側面22bのテーパに沿って入
射し、深い溝22のグルーブ部22dに到達することが
できる。
【0046】その結果、この領域11Aでは、斜め方向
から入射してきた粒子3,3,…が、深い溝22のグルー
ブ部22dとランド部22cとの双方に等しい割合で堆
積することになる。なお、この領域11Aには、上記し
たように、ターゲット41の法線L41に沿った方向
(矢印31の方向)に飛び出した粒子3,3,…が、ほぼ
垂直に入射する。この垂直に入射する粒子3,3,…は、
深い溝22のランド部22cとグルーブ部22dとに同
じように到達し、双方に等しい割合で堆積する。
から入射してきた粒子3,3,…が、深い溝22のグルー
ブ部22dとランド部22cとの双方に等しい割合で堆
積することになる。なお、この領域11Aには、上記し
たように、ターゲット41の法線L41に沿った方向
(矢印31の方向)に飛び出した粒子3,3,…が、ほぼ
垂直に入射する。この垂直に入射する粒子3,3,…は、
深い溝22のランド部22cとグルーブ部22dとに同
じように到達し、双方に等しい割合で堆積する。
【0047】また、上記した特定の周の溝21には、タ
ーゲット41の法線L41に沿った方向(矢印31の方
向)に飛び出した粒子3,3,…が入射するので、この深
い溝21にもグルーブ部21dとランド部22c,23
cに同じように粒子が到達し、双方に等しい割合で堆積
する。このようにして、深い溝21〜23のグルーブ部
21d〜23dとランド部22c,23cとに、膜厚が
等しい記録膜13を形成することができる(図1)。な
お、粒子3,3,…のスパッタリングは、溝21〜23に
形成される記録膜13の膜厚が50nmになるまで行わ
れる。
ーゲット41の法線L41に沿った方向(矢印31の方
向)に飛び出した粒子3,3,…が入射するので、この深
い溝21にもグルーブ部21dとランド部22c,23
cに同じように粒子が到達し、双方に等しい割合で堆積
する。このようにして、深い溝21〜23のグルーブ部
21d〜23dとランド部22c,23cとに、膜厚が
等しい記録膜13を形成することができる(図1)。な
お、粒子3,3,…のスパッタリングは、溝21〜23に
形成される記録膜13の膜厚が50nmになるまで行わ
れる。
【0048】ところで、上記したように、記録膜13の
下には下部保護膜12が予め形成され、記録膜13の上
には上部保護膜14が形成される。これら下部保護膜1
2,上部保護膜14は共に、窒化シリコンからなり、各
々の膜厚は75nm,70nmである。これら下部保護
膜12,上部保護膜14は、周知の反応性スパッタリン
グ法を用いて成膜される。
下には下部保護膜12が予め形成され、記録膜13の上
には上部保護膜14が形成される。これら下部保護膜1
2,上部保護膜14は共に、窒化シリコンからなり、各
々の膜厚は75nm,70nmである。これら下部保護
膜12,上部保護膜14は、周知の反応性スパッタリン
グ法を用いて成膜される。
【0049】ここで、下部保護膜12の成膜は、上記し
た記録膜13の成膜時と同様に、6インチのシリコンタ
ーゲットを用い、そのエロージョン領域の径を基板11
の特定の周11aの径に一致させて行われる。したがっ
て、特定の周11aの溝21を境に断面形状が異なる溝
22,23が形成された基板11上に、グルーブ部21
d〜23dとランド部22c,23cとで膜厚が等しい
窒化シリコン膜(下部保護膜12)を形成することがで
きる。
た記録膜13の成膜時と同様に、6インチのシリコンタ
ーゲットを用い、そのエロージョン領域の径を基板11
の特定の周11aの径に一致させて行われる。したがっ
て、特定の周11aの溝21を境に断面形状が異なる溝
22,23が形成された基板11上に、グルーブ部21
d〜23dとランド部22c,23cとで膜厚が等しい
窒化シリコン膜(下部保護膜12)を形成することがで
きる。
【0050】また、上部保護膜14は記録膜13上に形
成されるが、記録膜13の上面における溝の形状も、図
1に示したように基板11自体の溝(21〜23)の形
状と同一であるため、上記の下部保護膜12と同様の成
膜方法によって、深い溝21〜23のグルーブ部21d
〜23dとランド部22c,23cとに、膜厚が等しい
窒化シリコン膜(上部保護膜14)を形成することがで
きる。
成されるが、記録膜13の上面における溝の形状も、図
1に示したように基板11自体の溝(21〜23)の形
状と同一であるため、上記の下部保護膜12と同様の成
膜方法によって、深い溝21〜23のグルーブ部21d
〜23dとランド部22c,23cとに、膜厚が等しい
窒化シリコン膜(上部保護膜14)を形成することがで
きる。
【0051】以上説明したように、本実施形態の光ディ
スク10では、記録膜13の成膜時にエロージョン領域
41Aから飛んでくる粒子3,3,…の方向性に合わせ
て、基板11の溝22の外周側の側面22b,溝23の
内周側の側面23aにテーパが付けられている。したが
って、この基板11の特定の周11aの径に、エロージ
ョン領域41の径を一致させるだけで、基板11に斜め
方向から入射してくる粒子3,3,…を、ランド部22
c,23cに遮られることなく、深い溝22,23のグ
ルーブ部22d,23dに到達させることができる。
スク10では、記録膜13の成膜時にエロージョン領域
41Aから飛んでくる粒子3,3,…の方向性に合わせ
て、基板11の溝22の外周側の側面22b,溝23の
内周側の側面23aにテーパが付けられている。したが
って、この基板11の特定の周11aの径に、エロージ
ョン領域41の径を一致させるだけで、基板11に斜め
方向から入射してくる粒子3,3,…を、ランド部22
c,23cに遮られることなく、深い溝22,23のグ
ルーブ部22d,23dに到達させることができる。
【0052】この結果、光ディスク10の溝21〜23
の深さDを、ランド・グルーブ記録におけるクロスイレ
ーズを回避するために深くしても、ランド部22c,2
3cとグルーブ部22d,23dとで膜厚が等しくなる
ように、記録膜13を成膜することができる。このよう
に本実施形態によれば、光ディスク10において、記録
膜13の膜厚をランド部22c,23cとグルーブ部2
2d,23dとで等しくできるので、同じレーザパワー
の光でランド部にもグルーブ部にも情報の記録・消去を
行うことができる。この結果、ランド・グルーブ記録を
行う際の動作や記録再生装置の構成が簡略化される。
の深さDを、ランド・グルーブ記録におけるクロスイレ
ーズを回避するために深くしても、ランド部22c,2
3cとグルーブ部22d,23dとで膜厚が等しくなる
ように、記録膜13を成膜することができる。このよう
に本実施形態によれば、光ディスク10において、記録
膜13の膜厚をランド部22c,23cとグルーブ部2
2d,23dとで等しくできるので、同じレーザパワー
の光でランド部にもグルーブ部にも情報の記録・消去を
行うことができる。この結果、ランド・グルーブ記録を
行う際の動作や記録再生装置の構成が簡略化される。
【0053】また、本実施形態によれば、光ディスク1
0において、記録膜13の膜厚をランド部22c,23
cとグルーブ部22d,23dとで等しくできるので、
グルーブ部への情報の記録・消去時におけるランド部の
クロスイレーズだけでなく、ランド部への情報の記録・
消去時におけるグルーブ部のクロスイレーズをも回避す
ることができる。
0において、記録膜13の膜厚をランド部22c,23
cとグルーブ部22d,23dとで等しくできるので、
グルーブ部への情報の記録・消去時におけるランド部の
クロスイレーズだけでなく、ランド部への情報の記録・
消去時におけるグルーブ部のクロスイレーズをも回避す
ることができる。
【0054】なお、本実施形態の光ディスク10では、
下部保護膜12,上部保護膜14も、ランド部22c,
23cとグルーブ部22d,23dとで膜厚が等しくな
るように成膜することができるので、ランド部とグルー
ブ部との記録感度比を確実に一定にすることができる。
また、本実施形態の光ディスク10では、溝22の内周
側の側面22a,溝23の外周側の側面23b,溝21
の2つの側面21a,21bの傾斜角Θ2a,Θ3b,
Θ1a,Θ1bがほぼ垂直(85度)となっているの
で、トラック密度を高めることもできる。
下部保護膜12,上部保護膜14も、ランド部22c,
23cとグルーブ部22d,23dとで膜厚が等しくな
るように成膜することができるので、ランド部とグルー
ブ部との記録感度比を確実に一定にすることができる。
また、本実施形態の光ディスク10では、溝22の内周
側の側面22a,溝23の外周側の側面23b,溝21
の2つの側面21a,21bの傾斜角Θ2a,Θ3b,
Θ1a,Θ1bがほぼ垂直(85度)となっているの
で、トラック密度を高めることもできる。
【0055】なお、上記した実施形態の光ディスク10
では、溝22,23の一方の側面22b,23aの傾斜
角Θ2b,Θ3aを共に70度としたが、これらの傾斜
角Θ2b,Θ3aを異なる角度に設定してもよい。この
とき、これらの傾斜角Θ2b,Θ3aは、45度より大
きく80度より小さい範囲内の任意の値に設定すること
ができる。傾斜角Θ2b,Θ3aが45度より大きく8
0度より小さい範囲内の値であれば、ターゲット41の
法線L41より傾いた方向に飛び出した粒子3,3,…
が、溝22,23の一方の側面22b,23aのテーパ
に沿って入射し、グルーブ部22d,23dに到達する
ことができる。
では、溝22,23の一方の側面22b,23aの傾斜
角Θ2b,Θ3aを共に70度としたが、これらの傾斜
角Θ2b,Θ3aを異なる角度に設定してもよい。この
とき、これらの傾斜角Θ2b,Θ3aは、45度より大
きく80度より小さい範囲内の任意の値に設定すること
ができる。傾斜角Θ2b,Θ3aが45度より大きく8
0度より小さい範囲内の値であれば、ターゲット41の
法線L41より傾いた方向に飛び出した粒子3,3,…
が、溝22,23の一方の側面22b,23aのテーパ
に沿って入射し、グルーブ部22d,23dに到達する
ことができる。
【0056】さらに、上記した実施形態では、6インチ
のターゲットを用い、エロージョン領域の直径がほぼ7
5mmであることを想定して、基板11の特定の周(直
径75mm)を設定しているが、この特定の周の直径
は、これに限ることなく、例えば、5インチのターゲッ
トを用いるのであれば(エロージョン領域の直径がほぼ
63mm)これに合わせて特定の周の径も63mmに設
定すればよい。
のターゲットを用い、エロージョン領域の直径がほぼ7
5mmであることを想定して、基板11の特定の周(直
径75mm)を設定しているが、この特定の周の直径
は、これに限ることなく、例えば、5インチのターゲッ
トを用いるのであれば(エロージョン領域の直径がほぼ
63mm)これに合わせて特定の周の径も63mmに設
定すればよい。
【0057】また、本実施形態では、特定の周11aを
エロージョン領域41Aの外形に合わせ、この特定の周
11aに1つの溝21を形成した例をあげて説明した
が、エロージョン領域41Aの外形が明確でない場合な
どには、この特定の周11aに所定の幅をもたせても良
い。このとき所定の幅の特定の周11aには、多数の溝
21,21…を形成すればよい。
エロージョン領域41Aの外形に合わせ、この特定の周
11aに1つの溝21を形成した例をあげて説明した
が、エロージョン領域41Aの外形が明確でない場合な
どには、この特定の周11aに所定の幅をもたせても良
い。このとき所定の幅の特定の周11aには、多数の溝
21,21…を形成すればよい。
【0058】また、本実施形態では、基板11に特定の
周11aを1つ設ける例をあげて説明したが、複数の特
定の周11a,11a…を設けてもよい。このとき、こ
れらの間には、互いに断面形状の異なる溝22と溝23
とを、交互に形成すればよい。さらに、上記した実施形
態では、側面22a,側面23b,側面21a,21b
の傾斜角Θ2a,Θ3b,Θ1a,Θ1bを、トラック
密度を高めるために90度に近い角度(85度)とした
が、90度よりも大きい角度(例えば、100度〜11
0度)としてもよい。90度より大きくすることで、基
板11に斜めに入射する粒子をグルーブ部のコーナー部
分にも付着させることができる。この結果、情報を記録
できないグルーブ部の領域が少なくなり、トラック密度
を高める上でさらに有利となる。
周11aを1つ設ける例をあげて説明したが、複数の特
定の周11a,11a…を設けてもよい。このとき、こ
れらの間には、互いに断面形状の異なる溝22と溝23
とを、交互に形成すればよい。さらに、上記した実施形
態では、側面22a,側面23b,側面21a,21b
の傾斜角Θ2a,Θ3b,Θ1a,Θ1bを、トラック
密度を高めるために90度に近い角度(85度)とした
が、90度よりも大きい角度(例えば、100度〜11
0度)としてもよい。90度より大きくすることで、基
板11に斜めに入射する粒子をグルーブ部のコーナー部
分にも付着させることができる。この結果、情報を記録
できないグルーブ部の領域が少なくなり、トラック密度
を高める上でさらに有利となる。
【0059】また、上記した実施形態では、溝の深さD
を175nmとしたが、溝の深さDが80nm〜600
nmの範囲内の光ディスクであれば、同様に、ランド部
とグルーブ部とに等しい膜厚の記録膜を成膜することが
でき、クロスイレーズを確実に回避できる。さらに、上
記した実施形態では、ランド部の幅WL,グルーブ部の
幅WGを共に0.8μmとしたが、この値に限定されな
い。また、これらの幅WL,WGの値は互いに異なって
もよい。このとき、溝の幅WL,WGが0.5μm〜
1.0μmの範囲内の光ディスクであれば、同様に、ラ
ンド部とグルーブ部とに等しい膜厚の記録膜を成膜する
ことができ、クロスイレーズを確実に回避できる。
を175nmとしたが、溝の深さDが80nm〜600
nmの範囲内の光ディスクであれば、同様に、ランド部
とグルーブ部とに等しい膜厚の記録膜を成膜することが
でき、クロスイレーズを確実に回避できる。さらに、上
記した実施形態では、ランド部の幅WL,グルーブ部の
幅WGを共に0.8μmとしたが、この値に限定されな
い。また、これらの幅WL,WGの値は互いに異なって
もよい。このとき、溝の幅WL,WGが0.5μm〜
1.0μmの範囲内の光ディスクであれば、同様に、ラ
ンド部とグルーブ部とに等しい膜厚の記録膜を成膜する
ことができ、クロスイレーズを確実に回避できる。
【0060】また、上記した実施形態では、記録膜を磁
性体で成膜する例をあげて説明したが、相変化媒体から
なる記録膜を成膜してもよい。記録膜が相変化媒体で構
成される場合でも、ランド部とグルーブ部とで膜厚を一
定に成膜できるので、クロスイレーズを回避できると共
に、情報の高密度化が図られる。さらに、上記した実施
形態の光ディスク10では、ポリカーボネート基板を用
いたが、ガラス2P基板でもよい。
性体で成膜する例をあげて説明したが、相変化媒体から
なる記録膜を成膜してもよい。記録膜が相変化媒体で構
成される場合でも、ランド部とグルーブ部とで膜厚を一
定に成膜できるので、クロスイレーズを回避できると共
に、情報の高密度化が図られる。さらに、上記した実施
形態の光ディスク10では、ポリカーボネート基板を用
いたが、ガラス2P基板でもよい。
【0061】また、上記した実施形態の光ディスク10
は、ランド・グルーブ記録方式に用いたが、グルーブ記
録方式に用いることもできる。
は、ランド・グルーブ記録方式に用いたが、グルーブ記
録方式に用いることもできる。
【0062】
【発明の効果】上記したように、請求項1から請求項8
に記載した発明によれば、基板の溝の深さに拘わらず、
ランド部とグルーブ部とに等しい膜厚の記録膜を成膜で
きるので、クロスイレーズによる問題が生じることなく
情報を記録膜に高密度に記録することができる記録媒体
が提供される。
に記載した発明によれば、基板の溝の深さに拘わらず、
ランド部とグルーブ部とに等しい膜厚の記録膜を成膜で
きるので、クロスイレーズによる問題が生じることなく
情報を記録膜に高密度に記録することができる記録媒体
が提供される。
【0063】また、請求項9に記載した発明によれば、
基板の特定の周の径にターゲットのエロージョン領域の
径を一致させるだけで、基板のランド部とグルーブ部と
に等しい膜厚の記録膜を成膜することができる。
基板の特定の周の径にターゲットのエロージョン領域の
径を一致させるだけで、基板のランド部とグルーブ部と
に等しい膜厚の記録膜を成膜することができる。
【図1】本実施形態の光ディスク10の構成を拡大して
示す断面図である。
示す断面図である。
【図2】本実施形態の光ディスク10の基板11の構成
を示す外観図である。
を示す外観図である。
【図3】本実施形態の光ディスク10の基板11の断面
形状を拡大して示す断面図である。
形状を拡大して示す断面図である。
【図4】本実施形態の光ディスク10の基板11上に記
録膜13を成膜する方法を説明する図である。
録膜13を成膜する方法を説明する図である。
【図5】従来の光ディスクの基板1の断面形状を説明す
る断面図である。
る断面図である。
1,11 基板 2,20,21,22,23 溝 3 粒子 4,41 ターゲット 10 光ディスク 11a 特定の周 12 下部保護膜 13 記録膜 14 上部保護膜 21a,22a,23a 内周側の側面 21b,22b,23b 外周側の側面 22c,23c ランド部 21d,22d,23d グルーブ部 41A エロージョン領域
Claims (9)
- 【請求項1】 円形の基板上に、情報が記録される記録
膜が形成された光ディスクにおいて、 前記基板には、同心円状またはスパイラル状に溝が形成
され、 前記溝は、少なくとも一方の側面にテーパが付けられ、
前記一方の側面の傾斜角が他方の側面の傾斜角よりも小
さくされてなり、 前記溝を覆うように前記記録膜が形成されていることを
特徴とする光ディスク。 - 【請求項2】 円形の基板上に、情報が記録される記録
膜が形成された光ディスクにおいて、 前記基板には、同心円状またはスパイラル状に溝が形成
され、 前記基板の特定の周の溝よりも内側に形成された溝は、
少なくとも外周側の側面にテーパが付けられ、前記外周
側の側面の傾斜角が内周側の側面の傾斜角よりも小さく
されてなり、 前記特定の周の溝よりも外側に形成された溝は、少なく
とも内周側の側面にテーパが付けられ、前記内周側の側
面の傾斜角が外周側の側面の傾斜角よりも小さくされて
なり、 前記溝を覆うように前記記録膜が形成されていることを
特徴とする光ディスク。 - 【請求項3】 請求項2に記載の光ディスクにおいて、 前記内側に形成された溝の外周側の側面は、傾斜角が4
5度より大きく80度より小さく、 前記外側に形成された溝の内周側の側面は、傾斜角が4
5度より大きく80度より小さいことを特徴とする光デ
ィスク。 - 【請求項4】 請求項1から請求項3の何れか1項に記
載の光ディスクは、 ランド・グルーブ記録方式であることを特徴とする光デ
ィスク。 - 【請求項5】 請求項1から請求項4の何れか1項に記
載の光ディスクにおいて、 前記溝の深さは、80nm〜600nmであることを特
徴とする光ディスク。 - 【請求項6】 請求項1から請求項5の何れか1項に記
載の光ディスクにおいて、 前記記録膜は、磁性体からなることを特徴とする光ディ
スク。 - 【請求項7】 請求項6に記載の光ディスクにおいて、 前記磁性体は、希土類金属と遷移金属とからなる合金で
あることを特徴とする光ディスク。 - 【請求項8】 請求項1から請求項5の何れか1項に記
載の光ディスクにおいて、 前記記録膜は、相変化媒体からなることを特徴とする光
ディスク。 - 【請求項9】 請求項2から請求項8の何れか1項に記
載の光ディスクの、同心円状またはスパイラル状に溝が
形成された基板上に、マグネトロンスパッタリング法を
用いて前記記録膜を成膜するに当たり、 前記基板の特定の周の径に、ターゲットのエロージョン
領域の径を一致させることを特徴とする製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9252139A JPH1196601A (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 光ディスクおよびその製造方法 |
US09/154,722 US6108297A (en) | 1997-09-17 | 1998-09-17 | Optical disk with a uniform film thickness by having different angles of inclination for the side surfaces of grooves |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9252139A JPH1196601A (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1196601A true JPH1196601A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17233026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9252139A Pending JPH1196601A (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6108297A (ja) |
JP (1) | JPH1196601A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60003427T2 (de) * | 1999-06-07 | 2004-05-19 | Imation Corp., Saint Paul | Verfahren zur herstellung einer optischen platte mit reduziertem kantenkeil |
US6501728B2 (en) * | 2000-04-21 | 2002-12-31 | Sony Corporation | Optical disc having groove and land tracks |
JP2002184040A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Pioneer Electronic Corp | 光ディスク |
US7368222B2 (en) * | 2001-01-16 | 2008-05-06 | Dphi Acquisitions, Inc. | Optical data storage media with enhanced contrast |
US6611365B2 (en) * | 2001-03-20 | 2003-08-26 | Imation Corp. | Thermoplastic substrates for holographic data storage media |
US6961950B2 (en) * | 2001-09-04 | 2005-11-01 | Imation Corp. | Variable thickness stamper for creation of flat molded substrates |
KR20060052819A (ko) * | 2003-08-07 | 2006-05-19 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 광 정보 기록매체 및 그 제조 방법 |
US7455889B2 (en) * | 2004-03-24 | 2008-11-25 | Imation Corp. | Holographic media fabrication techniques |
TWI530943B (zh) | 2014-12-26 | 2016-04-21 | 國立中央大學 | 全像儲存層、應用其的全像碟片以及其製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2671139B2 (ja) * | 1987-12-10 | 1997-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 情報記録媒体,光情報記録方法および光情報記録再生方法 |
JP3350148B2 (ja) * | 1993-06-15 | 2002-11-25 | 株式会社ニコン | 光ディスク |
DE69423728T2 (de) * | 1994-01-19 | 2000-11-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki | System mit optischer Platte und Gerät für optische Platte |
US5946288A (en) * | 1995-03-31 | 1999-08-31 | Nec Corporation | Optical recording medium having recording pits of different shapes |
JPH09320117A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Pioneer Electron Corp | 光ディスク |
US5799007A (en) * | 1996-06-13 | 1998-08-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High density compact disc |
-
1997
- 1997-09-17 JP JP9252139A patent/JPH1196601A/ja active Pending
-
1998
- 1998-09-17 US US09/154,722 patent/US6108297A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6108297A (en) | 2000-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6353592B1 (en) | Optical recording medium and optical disk device | |
US5972459A (en) | Optical recording medium and optical disk apparatus | |
WO2001018802A1 (fr) | Disque compact reinscriptible et son procede de fabrication | |
US5645909A (en) | Optical recording medium and method for forming same | |
JPH1196601A (ja) | 光ディスクおよびその製造方法 | |
US6982944B2 (en) | Optical recording medium having relation between groove depths and pit depths | |
US7038998B2 (en) | Optical recording disk having land and groove wobbled at outer circumference side | |
US6154440A (en) | Optical disc | |
JP3873605B2 (ja) | 情報記録媒体用原盤、スタンパー及び情報記録媒体の製造方法 | |
JP2001184726A (ja) | 光記録媒体基板、光記録媒体、光記録媒体の製造方法および光記録再生方法 | |
US7033659B2 (en) | Optical information recording medium and method of recording and reproducing information on and from optical information recording medium | |
JPH10320852A (ja) | 薄膜形成方法およびそれを用いた光ディスクの製造方法 | |
JP2000251321A (ja) | 書換型光ディスク | |
JPH11185308A (ja) | 光ディスク並びにその製造装置および製造方法 | |
JP2001148140A (ja) | 書換え可能型コンパクトディスク及びその製造方法 | |
JPH11120631A (ja) | 光ディスクの製造方法 | |
JP2001195785A (ja) | 光記録媒体及びその記録再生方法 | |
JPH1097735A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
JP3440549B2 (ja) | 反射率増加型光記録媒体 | |
JP2737401B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
JP2000067474A (ja) | 光ディスクの製造方法 | |
JPS5936340A (ja) | 情報記憶媒体用原盤及びその製造方法 | |
JP2000040254A (ja) | 光ディスク | |
JPH11167752A (ja) | 光ディスクの製造方法 | |
JP2000021021A (ja) | 光ディスク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040309 |