JPH1195254A - Active matrix array for liquid crystal display device and liquid crystal display device formed by using this active matrix array - Google Patents
Active matrix array for liquid crystal display device and liquid crystal display device formed by using this active matrix arrayInfo
- Publication number
- JPH1195254A JPH1195254A JP25740497A JP25740497A JPH1195254A JP H1195254 A JPH1195254 A JP H1195254A JP 25740497 A JP25740497 A JP 25740497A JP 25740497 A JP25740497 A JP 25740497A JP H1195254 A JPH1195254 A JP H1195254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active matrix
- thin film
- matrix array
- liquid crystal
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリシリコン薄膜
トランジスタを用いた周辺駆動回路を同一基板上に集積
化した液晶表示装置用アクティブマトリックスアレイ、
およびこのアクティブマトリックスアレイを使用した液
晶表示装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix array for a liquid crystal display device, in which peripheral driving circuits using polysilicon thin film transistors are integrated on the same substrate.
And a liquid crystal display device using the active matrix array.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、大画面化、高精
細化の要求がますます高まっており、駆動素子としての
薄膜トランジスタの高性能化が必要となってきている。
液晶表示装置に用いられる薄膜トランジスタとしては、
素子性能の向上や駆動回路の基板内蔵化が可能な多結晶
シリコン薄膜トランジスタが有望視されている。多結晶
薄膜形成技術としては、安価なガラス基板を用いるため
に、基板への熱ダメージが小さく、非晶質薄膜を溶融結
晶化して高品質な多結晶薄膜を得ることができるエキシ
マレーザーアニールが最も有望視されている。2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increasing demand for a liquid crystal display device having a larger screen and higher definition, and a higher performance of a thin film transistor as a driving element has been required.
As a thin film transistor used for a liquid crystal display device,
A polycrystalline silicon thin film transistor capable of improving element performance and incorporating a drive circuit into a substrate is expected to be promising. Excimer laser annealing, which uses an inexpensive glass substrate and has low thermal damage to the substrate, is capable of melting and crystallizing an amorphous thin film to obtain a high-quality polycrystalline thin film. Promising.
【０００３】また、アクティブマトリックスアレイにお
いて、特に周辺駆動回路の構成要素である個々の薄膜ト
ランジスタは、ソース・ドレイン間を流れる電流の方向
には着目せず、スペースにのみ注目してランダムに配置
している。In the active matrix array, individual thin film transistors, which are components of a peripheral driving circuit, are arranged at random without paying attention to the direction of the current flowing between the source and the drain and focusing only on the space. I have.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ような従来の構成では、周辺駆動回路の構成要素である
個々の薄膜トランジスタの性能のばらつきにともない、
表示画像にむらが発生しやすいという課題を有してい
た。とりわけ多結晶シリコン薄膜トランジスタがエキシ
マレ−ザ−を用いて結晶化された多結晶シリコン薄膜を
用いてつくられる場合、エキシマレーザービームの中央
部と周辺部での結晶化のばらつきが、薄膜トランジスタ
の素子性能のばらつきとなる。さらにソース・ドレイン
間を流れる電流の方向を考慮せずに個々の薄膜トランジ
スタを配置すれば、そのばらつきをさらに拡大すること
になることは容易に推定される。However, in the conventional configuration as described above, the performance of individual thin film transistors, which are constituent elements of the peripheral driving circuit, varies with the performance.
There is a problem that unevenness is easily generated in a display image. In particular, when a polycrystalline silicon thin film transistor is formed using a polycrystalline silicon thin film crystallized using an excimer laser, variations in crystallization at the central portion and the peripheral portion of the excimer laser beam cause variations in device performance of the thin film transistor. Becomes Further, if individual thin film transistors are arranged without considering the direction of the current flowing between the source and the drain, it is easily presumed that the variation will be further increased.
【０００５】本発明は、この点に着目し、アクティブマ
トリックスアレイにおいて、製造工程により発生する薄
膜トランジスタの素子性能のばらつきを抑え、さらに液
晶表示装置の表示むらを発生を抑え、表示品位を向上す
ることを目的とする。The present invention, which focuses on this point, suppresses variations in element performance of a thin film transistor caused by a manufacturing process in an active matrix array, further suppresses display unevenness of a liquid crystal display device, and improves display quality. With the goal.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リックスアレイにおいては、周辺駆動回路を同一基板上
に集積化した液晶表示装置用アクティブマトリックスア
レイであって、周辺駆動回路の構成要素である個々の薄
膜トランジスタを、ソース・ドレイン間を流れる電流の
方向が一方向になるように配置したことを特徴としたも
のである。An active matrix array according to the present invention is an active matrix array for a liquid crystal display device in which peripheral driving circuits are integrated on the same substrate, and each of which is a component of the peripheral driving circuit. The thin film transistor is characterized in that a current flowing between a source and a drain is arranged in one direction.
【０００７】この本発明によれば、製造工程により発生
する薄膜トランジスタの素子性能のばらつきを抑え、さ
らに液晶表示装置の表示むらを発生を抑え、表示品位を
向上するアクティブマトリックスアレイが得られる。According to the present invention, it is possible to obtain an active matrix array which suppresses variation in element performance of a thin film transistor caused by a manufacturing process, suppresses display unevenness of a liquid crystal display device, and improves display quality.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、周辺駆動回路を同一基板上に集積化した液晶表示装
置用アクティブマトリックスアレイであって、周辺駆動
回路の構成要素である個々の薄膜トランジスタを、ソー
ス・ドレイン間を流れる電流の方向が一方向になるよう
に配置したことを特徴としたものであり、製造工程によ
り発生する薄膜トランジスタの素子性能のばらつきを抑
えられるという作用を有する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The invention according to claim 1 of the present invention is an active matrix array for a liquid crystal display device in which peripheral driving circuits are integrated on the same substrate, and each of which is a component of the peripheral driving circuit. Is characterized in that the direction of current flowing between the source and the drain is arranged in one direction, and has an effect of suppressing variations in element performance of the thin film transistor caused by the manufacturing process.
【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明であって、周辺駆動回路の構成要素である個々の
薄膜トランジスタを、ソース・ドレイン間を流れる電流
の方向が、前記薄膜トランジスタの多結晶シリコン薄膜
を形成する際に使用するエキシマレーザーのビームの進
行方向に対して並行あるいは直交するように配置したこ
とを特徴としたものであり、周辺駆動回路の薄膜トラン
ジスタの素子性能のばらつきが抑えられるという作用を
有する。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the direction of the current flowing between the source and the drain of each of the thin film transistors, which is a component of the peripheral drive circuit, is controlled by the thin film transistor. It is characterized by being arranged so as to be parallel or orthogonal to the traveling direction of the excimer laser beam used to form the polycrystalline silicon thin film, and to suppress variations in the element performance of the thin film transistor of the peripheral drive circuit. Has the effect of being
【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の発明であって、周辺駆動回路の構成要素である個々の
薄膜トランジスタを、ソース・ドレイン間を流れる電流
の方向が、信号用駆動回路内とゲート側駆動回路内でそ
れぞれ、少なくとも部分的に、一方向になるように配置
したことを特徴としたものであり、信号用駆動回路内と
ゲート側駆動回路内の個々の薄膜トランジスタの素子性
能のばらつきが抑えられるという作用を有する。According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, each thin film transistor which is a component of the peripheral driving circuit is driven by a signal driving direction between a source and a drain. In the circuit and the gate-side drive circuit, each is at least partially arranged so as to be in one direction, and the individual thin-film transistor elements in the signal drive circuit and the gate-side drive circuit It has the effect of suppressing variations in performance.
【００１１】請求項４に記載の発明は、請求項１に記載
の発明であって、周辺駆動回路の構成要素である個々の
薄膜トランジスタを、ソース・ドレイン間を流れる電流
の方向が、信号用駆動回路内とゲート側駆動回路内でそ
れぞれ、少なくとも部分的に、前記薄膜トランジスタの
多結晶シリコン薄膜を形成する際に使用するエキシマレ
ーザーのビームの進行方向に対して並行あるいは直交す
るように配置したことを特徴としたものであり、信号用
駆動回路内とゲート側駆動回路内の個々の薄膜トランジ
スタの素子性能のばらつきが抑えられるという作用を有
する。According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the direction of the current flowing between the source and the drain of the individual thin film transistor, which is a component of the peripheral driving circuit, is controlled by the signal driving. In the circuit and the gate-side drive circuit, respectively, at least partially, it is arranged so as to be parallel or perpendicular to the traveling direction of the excimer laser beam used when forming the polycrystalline silicon thin film of the thin film transistor. This has the effect of suppressing variations in element performance of individual thin film transistors in the signal driver circuit and the gate driver circuit.
【００１２】請求項５に記載の発明は、請求項１に記載
の発明であって、周辺駆動回路内の差動増幅回路におい
て、その入力トランジスタを、ソース・ドレイン間を流
れる電流の方向が、少なくとも部分的に、一方向になる
ように配置したことを特徴としたものであり、差動増幅
回路の入力トランジスタの素子性能のばらつきが抑えら
れるという作用を有する。The invention according to claim 5 is the invention according to claim 1, wherein in the differential amplifier circuit in the peripheral drive circuit, the direction of the current flowing between the input transistor and the source / drain is: This is characterized by being arranged at least partially in one direction, and has the effect of suppressing variations in element performance of input transistors of a differential amplifier circuit.
【００１３】請求項６に記載の発明は、請求項１に記載
の発明であって、周辺駆動回路内の差動増幅回路におい
て、その入力トランジスタを、ソース・ドレイン間を流
れる電流の方向が、前記薄膜トランジスタの多結晶シリ
コン薄膜を形成する際に使用するエキシマレーザーのビ
ームの進行方向に対して並行あるいは直交するように配
置したことを特徴としたものであり、差動増幅回路の入
力トランジスタの素子性能のばらつきが抑えられるとい
う作用を有する。According to a sixth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, in the differential amplifier circuit in the peripheral drive circuit, the direction of the current flowing between the input transistor and the source / drain is: An element for an input transistor of a differential amplifier circuit, wherein the element is arranged so as to be parallel or orthogonal to a traveling direction of a beam of an excimer laser used for forming a polycrystalline silicon thin film of the thin film transistor. It has the effect of suppressing variations in performance.
【００１４】請求項７に記載の発明は、請求項１〜請求
項６のいずれかに記載のアクティブマトリックスアレイ
をガラス基板上に形成したアクティブマトリックスアレ
イ基板と、カラーフィルターおよびブラックマトリック
スが形成されており、前記カラーフィルターおよびブラ
ックマトリックス上に透明導電層が形成されている対向
基板とを備えたことを特徴としたものであり、製造工程
により発生する薄膜トランジスタの素子性能のばらつき
が抑えられることにより、液晶表示装置の表示むらの発
生が抑えられ、表示品位が向上するという作用を有す
る。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an active matrix array substrate in which the active matrix array according to any one of the first to sixth aspects is formed on a glass substrate, and a color filter and a black matrix are formed. And a counter substrate having a transparent conductive layer formed on the color filter and the black matrix, characterized in that the variation in element performance of the thin film transistor caused by the manufacturing process is suppressed, This has the effect of suppressing the occurrence of display unevenness in the liquid crystal display device and improving the display quality.
【００１５】以下、本発明の実施の形態について、図面
に基づいて説明する。 （実施の形態１）図１は、液晶表示装置用アクティブマ
トリックスアレイ全体の簡易ブロック図である。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Embodiment 1 FIG. 1 is a simplified block diagram of the entire active matrix array for a liquid crystal display device.
【００１６】本発明の液晶表示装置用アクティブマトリ
ックスアレイは、図１に示すように、表示エリア１と、
周辺駆動回路を形成する表示エリア１のゲート側駆動回
路２および信号側駆動回路３から構成されている。As shown in FIG. 1, an active matrix array for a liquid crystal display device according to the present invention comprises
It comprises a gate-side drive circuit 2 and a signal-side drive circuit 3 in a display area 1 forming a peripheral drive circuit.
【００１７】ゲート側駆動回路２および信号側駆動回路
３はそれぞれ、図２に示すように、論理回路が合成され
たものであり、その論理回路の一回路要素は、たとえば
図３に示すＮＡＮＤ回路の如く、複数の薄膜トランジス
タから構成されている。図３のＮＡＮＤ回路は、２個の
Ｐchトランジスタ８Ａと２個のＮchトランジスタ８Ｂか
ら構成されている。Each of the gate side drive circuit 2 and the signal side drive circuit 3 is a combination of logic circuits as shown in FIG. 2, and one circuit element of the logic circuit is, for example, a NAND circuit shown in FIG. And a plurality of thin film transistors. The NAND circuit shown in FIG. 3 includes two Pch transistors 8A and two Nch transistors 8B.
【００１８】図４に、図３のＮＡＮＤ回路の配置図（薄
膜トランジスタのマスクパターン）を示す。図４におい
て、４Ａ，４ＢはそれぞれＰchトランジスタ８Ａを形成
する薄膜トランジスタ、４Ｃは直列の２個のＮchトラン
ジスタ８Ｂを形成する薄膜トランジスタであり、これら
薄膜トランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、パターン化した
（ソースＳとドレインＤ間の領域を形成する）多結晶シ
リコン薄膜５とゲート金属配線７が一方向を向き、ソー
ス・ドレイン間を流れる電流の方向６が一方向になるよ
うに配置されている。FIG. 4 is a layout diagram (mask pattern of a thin film transistor) of the NAND circuit of FIG. In FIG. 4, reference numerals 4A and 4B denote thin film transistors forming a Pch transistor 8A, and 4C denote thin film transistors forming two Nch transistors 8B in series. These thin film transistors 4A, 4B and 4C are patterned (the source S and the The polycrystalline silicon thin film 5 (forming a region between the drains D) and the gate metal wiring 7 are arranged in one direction, and the direction 6 of the current flowing between the source and the drain is arranged in one direction.
【００１９】薄膜トランジスタ４Ａ，４ＢのソースＳは
電源ラインＶＤＤに接続され、薄膜トランジスタ４Ｃの
ソースＳは接地ラインＧＮＤに接続され、薄膜トランジ
スタ４Ａ，４Ｂ，４ＣのドレインＤは出力ラインｏｕｔ
に接続されている。また、薄膜トランジスタ４Ａ，４Ｃ
のゲートＧ（ゲート金属配線７）は入力ラインａに接続
され、薄膜トランジスタ４Ｂ，４ＣのゲートＧ（ゲート
金属配線７）は入力ラインｂに接続されている。The sources S of the thin film transistors 4A and 4B are connected to the power supply line VDD, the sources S of the thin film transistors 4C are connected to the ground line GND, and the drains D of the thin film transistors 4A, 4B and 4C are output lines out.
It is connected to the. Further, the thin film transistors 4A, 4C
The gate G (gate metal wiring 7) of the thin film transistors 4B and 4C is connected to the input line b.
【００２０】上記ソース・ドレイン間を流れる電流の方
向６は、表示エリア１とゲート側駆動回路２と信号側駆
動回路３において全部揃えている。図５に、エキシマレ
ーザーによるアニールを用いた多結晶シリコン薄膜の形
成方法、図６に、ソース・ドレイン間を流れる電流の方
向がエキシマレーザーのビームの進行方向に対して並行
に配置した上記ＮＡＮＤ回路（一回路要素）の配置図を
示す。The direction 6 of the current flowing between the source and the drain is made uniform in the display area 1, the gate-side drive circuit 2, and the signal-side drive circuit 3. FIG. 5 shows a method of forming a polycrystalline silicon thin film using annealing by excimer laser. FIG. 6 shows the NAND circuit in which the direction of current flowing between the source and the drain is arranged in parallel to the direction of travel of the excimer laser beam. FIG. 3 shows an arrangement diagram of (one circuit element).
【００２１】図５に示すように、ガラス基板12上に形成
された非結晶シリコン薄膜10をエキシマレーザーのビー
ム９によりアニールし、多結晶シリコン薄膜11を形成す
る。そして、図６に示すように、多結晶シリコン薄膜11
をパターン化した（ソース−ドレイン間の領域となる）
多結晶シリコン薄膜５とゲート金属配線７が前記エキシ
マレーザーのビーム９の進行方向に対して並行あるいは
直交となるよう、周辺駆動回路の構成要素である個々の
薄膜トランジスタ４を形成する。As shown in FIG. 5, an amorphous silicon thin film 10 formed on a glass substrate 12 is annealed by an excimer laser beam 9 to form a polycrystalline silicon thin film 11. Then, as shown in FIG.
Patterned (becomes a region between source and drain)
The individual thin film transistors 4 as components of the peripheral driving circuit are formed so that the polycrystalline silicon thin film 5 and the gate metal wiring 7 are parallel or perpendicular to the traveling direction of the beam 9 of the excimer laser.
【００２２】上記製造工程において、ソース・ドレイン
間を流れる電流の方向６、すなわちゲート金属配線７と
パターン化した多結晶シリコン薄膜５の方向を揃えるこ
とにより、薄膜トランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃの素子性
能のばらつきを抑えることができる。In the above manufacturing process, by aligning the direction 6 of the current flowing between the source and the drain, ie, the direction of the gate metal wiring 7 and the patterned polycrystalline silicon thin film 5, the element performance of the thin film transistors 4A, 4B and 4C is improved. Variation can be suppressed.
【００２３】その理由として、薄膜トランジスタ４Ａ，
４Ｂ，４Ｃの性能を決める要因の一つである、シリコン
の結晶化のばらつきが挙げられる。エキシマレーザービ
ーム９の中央部と周辺部での結晶化のばらつきが、薄膜
トランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃの素子性能のばらつきと
なる。さらにソース・ドレイン間を流れる電流の方向６
を考慮せずに個々の薄膜トランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃ
を配置すれば、そのばらつきを拡大することになること
は容易に推定される。したがって、ソース・ドレイン間
を流れる電流の方向６をエキシマレーザーのビーム９の
進行方向に対して規定することにより、結晶化のばらつ
きによる薄膜トランジスタの素子性能のばらつきを抑え
ることに確実な効果を期待できる。The reason is that the thin film transistors 4A,
One of the factors that determine the performance of 4B and 4C is variation in crystallization of silicon. The variation in crystallization between the central portion and the peripheral portion of the excimer laser beam 9 causes the device performance of the thin film transistors 4A, 4B, and 4C to vary. Furthermore, the direction of the current flowing between the source and the drain 6
Without considering the individual thin film transistors 4A, 4B, 4C
Is easily presumed to increase the variation. Therefore, by defining the direction 6 of the current flowing between the source and the drain with respect to the traveling direction of the beam 9 of the excimer laser, a certain effect can be expected in suppressing the variation in the element performance of the thin film transistor due to the variation in the crystallization. .
【００２４】このように、薄膜トランジスタ４Ａ，４
Ｂ，４Ｃを、ソース・ドレイン間を流れる電流の方向６
を揃えて配置することにより、製造工程により発生する
薄膜トランジスタの素子性能のばらつきを抑えることが
でき、よって液晶表示装置の表示むらを発生を抑え、表
示品位を向上することができる。As described above, the thin film transistors 4A and 4A
B, 4C, the direction of the current flowing between the source and the drain 6
By arranging them in a line, variations in the element performance of the thin film transistor caused by the manufacturing process can be suppressed, so that display unevenness of the liquid crystal display device can be suppressed, and the display quality can be improved.
【００２５】なお、実施の形態１では、駆動回路２，３
と表示エリア１全体でソース・ドレイン間を流れる電流
の方向６を揃えているが、ゲート側、信号側駆動回路
２，３、特にシフトレジスタにおいて、それぞれ部分的
にソース・ドレイン間を流れる電流の方向６を揃えるこ
とによっても、当然、その効果を期待できる。 （実施の形態２）本発明に基ずいて作製された液晶表示
装置用アクティブマトリックスアレイは、表示機能ばか
りでなく、演算機能などを付加することも可能である。
その機能を実現するために必要な差動増幅回路を図７に
示す。In the first embodiment, the driving circuits 2 and 3
And the direction 6 of the current flowing between the source and the drain in the entire display area 1 is aligned. However, in the gate side, the signal side driving circuits 2 and 3, especially the shift register, the current flowing partially between the source and the drain is By aligning the directions 6, the effect can of course be expected. (Embodiment 2) An active matrix array for a liquid crystal display device manufactured based on the present invention can have not only a display function but also an arithmetic function.
FIG. 7 shows a differential amplifier circuit required to realize the function.
【００２６】この差動増幅回路のカレントミラー回路を
構成するＰchトランジスタ15，16と、差動回路を構成す
る入力Ｎchトランジスタ13，14において、ソース・ドレ
イン間を流れる電流の方向６を、エキシマレーザーのビ
ーム９の進行方向に対して並行あるいは直交のいずれか
一方になるように配置した。In the Pch transistors 15 and 16 constituting the current mirror circuit of the differential amplifier circuit and the input Nch transistors 13 and 14 constituting the differential circuit, the direction 6 of the current flowing between the source and the drain is determined by an excimer laser. Are arranged so as to be either parallel or orthogonal to the traveling direction of the beam 9.
【００２７】このように、周辺駆動回路内の差動増幅回
路において、その薄膜トランジスタ13，14，15，16を、
ソース・ドレイン間を流れる電流の方向６がエキシマレ
ーザーのビーム９の進行方向に対して並行あるいは直交
するように配置したことにより、実施の形態１で述べた
ように、製造工程により発生する薄膜トランジスタの素
子性能のばらつきを抑えることができ、液晶表示装置の
表示むらを発生を抑え、表示品位を向上させることがで
きる。 （実施の形態３）図８に、本発明に基づいて作製された
アクティブマトリックスアレイを使用した液晶表示装置
の概略断面図を示す。この液晶表示装置は、ガラス基板
12上にアクティブマトリックスアレイを形成したアクテ
ィブマトリックスアレイ基板Ｂと、対向基板Ｋを有して
いる。対向基板Ｋには、カラーフィルター19およびブラ
ックマトリックス20が形成され、カラーフィルター19お
よびブラックマトリックス20上にＩＴＯ薄膜からなる透
明導電膜18が形成されている。そして、アクティブマト
リックスアレイ基板Ｂおよび対向基板Ｋに配向膜21を塗
布し、ラビング処理を行った後、双方の基板を張り合わ
せ液晶22を注入し、最後に偏光板23を張り付けて液晶表
示装置を完成し、薄膜トランジスタをスイッチング素子
としてＩＴＯ薄膜からなる画素電極17を駆動して液晶を
充電し画像表示を行っている。As described above, in the differential amplifier circuit in the peripheral drive circuit, the thin film transistors 13, 14, 15, 16 are
By arranging the direction 6 of the current flowing between the source and the drain so as to be parallel or perpendicular to the traveling direction of the beam 9 of the excimer laser, as described in the first embodiment, Variation in element performance can be suppressed, display unevenness of the liquid crystal display device can be suppressed, and display quality can be improved. (Embodiment 3) FIG. 8 is a schematic sectional view of a liquid crystal display device using an active matrix array manufactured according to the present invention. This liquid crystal display device has a glass substrate
An active matrix array substrate B having an active matrix array formed on the substrate 12 and a counter substrate K are provided. A color filter 19 and a black matrix 20 are formed on the counter substrate K, and a transparent conductive film 18 made of an ITO thin film is formed on the color filter 19 and the black matrix 20. Then, after applying an alignment film 21 to the active matrix array substrate B and the counter substrate K, performing a rubbing process, bonding both substrates together, injecting a liquid crystal 22, and finally attaching a polarizing plate 23 to complete a liquid crystal display device. Then, the pixel electrode 17 made of an ITO thin film is driven by using the thin film transistor as a switching element to charge the liquid crystal and display an image.
【００２８】この構成によれば、上記アクティブマトリ
ックスアレイ基板Ｂにおいて、製造工程により発生する
薄膜トランジスタの素子性能のばらつきを抑えることが
できることにより、液晶表示装置の表示むらを発生を抑
え、表示品位を向上させることができる。According to this structure, in the active matrix array substrate B, the variation in the element performance of the thin film transistor caused by the manufacturing process can be suppressed, so that the display unevenness of the liquid crystal display device is suppressed and the display quality is improved. Can be done.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、製造工程
により発生する薄膜トランジスタの素子性能のばらつき
を抑えることができ、液晶表示装置の表示むらを発生を
抑え、表示品位を向上させることができるという有利な
効果が得られる。As described above, according to the present invention, it is possible to suppress the variation in the element performance of the thin film transistor caused by the manufacturing process, to suppress the occurrence of uneven display of the liquid crystal display device, and to improve the display quality. The advantageous effect that it can be obtained is obtained.
【図１】本発明の実施の形態１におけるアクティブマト
リックスアレイの要部ブロック図である。FIG. 1 is a main block diagram of an active matrix array according to a first embodiment of the present invention.
【図２】同アクティブマトリックスアレイの信号側駆動
回路あるいはゲート側駆動回路のロジック図である。FIG. 2 is a logic diagram of a signal side drive circuit or a gate side drive circuit of the active matrix array.
【図３】同アクティブマトリックスアレイにおける一回
路要素の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of one circuit element in the active matrix array.
【図４】同アクティブマトリックスアレイにおける一回
路要素の配置図である。FIG. 4 is a layout diagram of one circuit element in the active matrix array.
【図５】同アクティブマトリックスアレイにおいて、エ
キシマレーザーによるアニールを用いた多結晶シリコン
薄膜の形成方法を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a method of forming a polycrystalline silicon thin film using annealing by excimer laser in the active matrix array.
【図６】同アクティブマトリックスアレイにおいて、エ
キシマレーザービームの進行方向に対して並行に配置し
た一回路要素の配置図である。FIG. 6 is a layout diagram of one circuit element arranged in parallel to the traveling direction of an excimer laser beam in the active matrix array.
【図７】本発明の実施の形態２におけるアクティブマト
リックスアレイの差動増幅器の回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram of a differential amplifier of an active matrix array according to a second embodiment of the present invention.
【図８】本発明の実施の形態３における液晶表示装置の
断面図である。FIG. 8 is a sectional view of a liquid crystal display device according to Embodiment 3 of the present invention.
１ 表示エリア ２ ゲート側駆動回路 ３ 信号側駆動回路 ４Ａ，４Ｂ，４Ｃ 薄膜トランジスタ ５ パターン化した多結晶シリコン薄膜 ６ ソース・ドレイン間を流れる電流の方向 ７ ゲート金属配線 ８Ａ Ｐchトランジスタ ８Ｂ Ｎchトランジスタ ９ エキシマレーザービーム １０ 非結晶シリコン薄膜 １１ 多結晶シリコン薄膜 １２ ガラス基板 １３，１４ 入力トランジスタ １５，１６ トランジスタ １７ 画素電極(ＩＴＯ) １８ 透明導電膜（ＩＴＯ） １９ カラーフィルター ２０ ブラックマトリクス ２１ 配向膜 ２２ 液晶 ２３ 偏光板 Ｂ アクティブマトリックスアレイ基板 Ｋ 対向基板 Reference Signs List 1 display area 2 gate side drive circuit 3 signal side drive circuit 4A, 4B, 4C thin film transistor 5 patterned polycrystalline silicon thin film 6 direction of current flowing between source and drain 7 gate metal wiring 8A Pch transistor 8B Nch transistor 9 excimer laser Beam 10 amorphous silicon thin film 11 polycrystalline silicon thin film 12 glass substrate 13,14 input transistor 15,16 transistor 17 pixel electrode (ITO) 18 transparent conductive film (ITO) 19 color filter 20 black matrix 21 alignment film 22 liquid crystal 23 polarizing plate B Active matrix array substrate K Counter substrate
Claims (7)
液晶表示装置用アクティブマトリックスアレイであっ
て、 前記周辺駆動回路の構成要素である個々の薄膜トランジ
スタを、ソース・ドレイン間を流れる電流の方向が、一
方向になるように配置したことを特徴とする液晶表示装
置用アクティブマトリックスアレイ。1. An active matrix array for a liquid crystal display device in which a peripheral drive circuit is integrated on the same substrate, wherein a direction of a current flowing between a source and a drain is supplied to each thin film transistor which is a component of the peripheral drive circuit. An active matrix array for a liquid crystal display device, wherein the active matrix array is arranged in one direction.
膜トランジスタを、ソース・ドレイン間を流れる電流の
方向が、前記薄膜トランジスタの多結晶シリコン薄膜を
形成する際に使用するエキシマレーザーのビームの進行
方向に対して並行あるいは直交するように配置したこと
を特徴とする請求項１記載の液晶表示装置用アクティブ
マトリックスアレイ。2. The direction of a current flowing between a source and a drain of an individual thin film transistor which is a component of the peripheral driving circuit is determined by a direction of a beam of an excimer laser beam used for forming a polycrystalline silicon thin film of the thin film transistor. 2. The active matrix array for a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the active matrix array is arranged so as to be parallel or orthogonal to the display.
膜トランジスタを、ソース・ドレイン間を流れる電流の
方向が、信号用駆動回路内とゲート側駆動回路内でそれ
ぞれ、少なくとも部分的に、一方向になるように配置し
たことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置用アク
ティブマトリックスアレイ。3. The direction of a current flowing between a source and a drain in a signal driving circuit and a gate-side driving circuit is at least partially one direction in each of the thin film transistors which are components of the peripheral driving circuit. 2. The active matrix array for a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the active matrix array is arranged so that:
膜トランジスタを、ソース・ドレイン間を流れる電流の
方向が、信号用駆動回路内とゲート側駆動回路内でそれ
ぞれ、少なくとも部分的に、前記薄膜トランジスタの多
結晶シリコン薄膜を形成する際に使用するエキシマレー
ザーのビームの進行方向に対して並行あるいは直交する
ように配置したことを特徴とする請求項１記載の液晶表
示装置用アクティブマトリックスアレイ。4. The method according to claim 1, wherein the direction of the current flowing between the source and the drain is at least partially within the signal driving circuit and the gate side driving circuit, respectively. 2. An active matrix array for a liquid crystal display device according to claim 1, wherein said active matrix array is arranged so as to be parallel or orthogonal to the direction of travel of an excimer laser beam used when forming said polycrystalline silicon thin film.
て、その入力トランジスタを、ソース・ドレイン間を流
れる電流の方向が、少なくとも部分的に、一方向になる
ように配置したことを特徴とする請求項１記載の液晶表
示装置用アクティブマトリックスアレイ。5. A differential amplifier circuit in a peripheral drive circuit, wherein the input transistor is arranged so that the direction of a current flowing between a source and a drain is at least partially one direction. An active matrix array for a liquid crystal display device according to claim 1.
て、その入力トランジスタを、ソース・ドレイン間を流
れる電流の方向が、前記薄膜トランジスタの多結晶シリ
コン薄膜を形成する際に使用するエキシマレーザーのビ
ームの進行方向に対して並行あるいは直交するように配
置したことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置用
アクティブマトリックスアレイ。6. An excimer laser beam used in forming a polycrystalline silicon thin film of said thin film transistor, wherein a direction of a current flowing between a source and a drain of the input transistor in the differential amplifier circuit in the peripheral drive circuit is changed. 2. The active matrix array for a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the active matrix array is arranged so as to be parallel or orthogonal to the traveling direction of the liquid crystal display device.
アクティブマトリックスアレイをガラス基板上に形成し
たアクティブマトリックスアレイ基板と、 カラーフィルターおよびブラックマトリックスが形成さ
れており、前記カラーフィルターおよびブラックマトリ
ックス上に透明導電層が形成されている対向基板とを備
えたことを特徴とする液晶表示装置。7. An active matrix array substrate formed by forming the active matrix array according to claim 1 on a glass substrate, a color filter and a black matrix are formed, and the color filter and black are formed. A counter substrate having a transparent conductive layer formed on a matrix.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25740497A JPH1195254A (en) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | Active matrix array for liquid crystal display device and liquid crystal display device formed by using this active matrix array |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25740497A JPH1195254A (en) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | Active matrix array for liquid crystal display device and liquid crystal display device formed by using this active matrix array |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1195254A true JPH1195254A (en) | 1999-04-09 |
Family
ID=17305915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25740497A Pending JPH1195254A (en) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | Active matrix array for liquid crystal display device and liquid crystal display device formed by using this active matrix array |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1195254A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100303142B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-11-02 | 구본준, 론 위라하디락사 | Fabricating method of liquid crystal display pannel |
| CN100450321C (en) * | 2003-09-16 | 2009-01-07 | 三星Sdi株式会社 | Image display and its display panel |
-
1997
- 1997-09-24 JP JP25740497A patent/JPH1195254A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100303142B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-11-02 | 구본준, 론 위라하디락사 | Fabricating method of liquid crystal display pannel |
| CN100450321C (en) * | 2003-09-16 | 2009-01-07 | 三星Sdi株式会社 | Image display and its display panel |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100788870B1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing thereof | |
| KR100653758B1 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
| US6392255B1 (en) | Display device having a thin film transistor and electronic device having such display device | |
| US7704768B2 (en) | Method of fabricating liquid crystal display | |
| US7537972B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US20020139982A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
| JPH03163529A (en) | Active matrix display device | |
| US7291862B2 (en) | Thin film transistor substrate and production method thereof | |
| JP2003050400A (en) | Active matrix liquid crystal display and method for manufacturing the same | |
| KR100940987B1 (en) | Liquid crystal display device | |
| KR20060128271A (en) | A substrate for lcd and method of fabrication thereof | |
| JPH1195254A (en) | Active matrix array for liquid crystal display device and liquid crystal display device formed by using this active matrix array | |
| JP3441337B2 (en) | Active matrix type liquid crystal display | |
| KR100720069B1 (en) | Semiconductor device | |
| JPH08339972A (en) | Manufacture of thin film transistor and liquid crystal display using it | |
| JPH0730115A (en) | Thin film transistor and its manufacture | |
| JPH11238887A (en) | Thin film transistor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040907 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20061109 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070116 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070612 |