JPH1190174A - Treatment of gaseous nitrogen trifluoride and apparatus used therefor - Google Patents
Treatment of gaseous nitrogen trifluoride and apparatus used thereforInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、三フッ化窒素ガス
を含有する排ガスを無害化する三フッ化窒素ガスの処理
方法およびそれに用いる装置に関するものである。The present invention relates to a method for treating nitrogen trifluoride gas, which renders exhaust gas containing nitrogen trifluoride gas harmless, and an apparatus used therefor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】最近、ＬＳＩ素子は、年々高集積化さ
れ、製造プロセスの精密化と、新技術の導入が進み、新
しい半導体用ガス利用の重要性が高まっている。このよ
うな半導体用のドライエッチングガスやクリーニングガ
スとしては、各種のガスがあげられるが、近年、三フッ
化窒素ガス（以下、「ＮＦ3 ガス」という）が注目され
ている。すなわち、ＮＦ3 放電中でイオン化した反応生
成物は、揮発性物質となるので、従来のフロロカーボン
プラズマ中でのエッチングに比べ、ＣまたはＳによるウ
ェーハ表面の反応残渣汚染がない。また、反応残渣がな
いためエッチング速度も速くなる。これらのような利点
があることから、半導体用ガスとしてＮＦ3ガスが有望
視されているのである。2. Description of the Related Art Recently, the integration of LSI elements has been increasing year by year, the precision of the manufacturing process and the introduction of new technologies have been advanced, and the importance of using a new semiconductor gas has been increasing. Various gases are mentioned as such a dry etching gas and a cleaning gas for semiconductors, and in recent years, nitrogen trifluoride gas (hereinafter, referred to as “NF 3 gas”) has attracted attention. That is, since the reaction product ionized in the NF 3 discharge becomes a volatile substance, there is no reaction residue contamination on the wafer surface by C or S as compared with the conventional etching in fluorocarbon plasma. Further, since there is no reaction residue, the etching rate is increased. Because of these advantages, NF 3 gas is promising as a semiconductor gas.
【０００３】このようなＮＦ3 は、常温では非常に安定
で、不燃性のガスであるが、許容濃度１０ｐｐｍの毒性
ガスであるため、その毒性除去対策が急がれていた。と
ころが、ＮＦ3 は、水，アルカリ，酸水溶液と反応しな
いため、これらの水溶液では処理できず、大量の窒素や
空気で希釈して排出されていた。このように希釈排出さ
れたＮＦ3 は、自然界では分解されないことから、生態
系に与える悪影響が懸念されていた。[0003] Such NF 3 is a very stable and non-flammable gas at normal temperature, but since it is a toxic gas having an allowable concentration of 10 ppm, measures for removing its toxicity have been urgently required. However, since NF 3 does not react with water, an alkali, or an aqueous acid solution, it cannot be treated with these aqueous solutions, and is diluted with a large amount of nitrogen or air and discharged. Since NF 3 thus diluted and discharged is not decomposed in the natural world, there is a concern that it may have an adverse effect on ecosystems.
【０００４】そこで、木炭等の炭素とＮＦ3 とを反応さ
せて無害化する方法が提案されている（例えば、特公平
２−３０７３１号）。この方法は、処理筒内に充填した
活性炭とＮＦ3 とを、３００〜６００℃の温度で反応さ
せ、下記の式に示すようにＣＦ4 ガスとＮ2 ガスとに変
換することにより無害化するものである。 ４ＮＦ3 ＋３Ｃ→３ＣＦ4 ＋２Ｎ2 [0004] Therefore, a method of reacting carbon such as charcoal with NF 3 to make it harmless has been proposed (for example, Japanese Patent Publication No. 2-30731). According to this method, activated carbon and NF 3 filled in a processing cylinder are reacted at a temperature of 300 to 600 ° C. and converted into CF 4 gas and N 2 gas as shown in the following formula, thereby rendering them harmless. Things. 4NF 3 + 3C → 3CF 4 + 2N 2
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記方法では、ＮＦ3
は、まず、３００〜６００℃の温度域で分解してラジカ
ルなＦが生成し、このＦが活性炭の表面に固定する。つ
いで、上記ＦとＣとが反応してＣＦ4 とＮ2 が生成する
のである。ＮＦ3 の無害化反応は、Ｆが活性炭の表面に
固定する過程と、ＦとＣが反応する過程との２段階の過
程を経て行われるのである。In the above method, NF 3
Decomposes in a temperature range of 300 to 600 ° C. to generate radical F, which is fixed on the surface of activated carbon. Then, F and C react to produce CF 4 and N 2 . The detoxification reaction of NF 3 is performed through a two-step process of fixing F on the surface of activated carbon and reacting F and C.
【０００６】しかしながら、上記３００〜６００℃の温
度域では、ＦとＣとの反応（第２段階）よりも、活性炭
の表面へのＦの固定（第１段階）の方が進行が速く、活
性炭のフッ素化が起こって活性炭表面にフッ化カーボン
としてＦが蓄積されてしまうという問題がある。このよ
うに、活性炭の表面にフッ化カーボンが蓄積されると、
活性炭の除害性能が低下する。しかも、温度制御に異常
が生じて温度が高くなり過ぎた場合に、処理筒内の圧力
上昇が生じるおそれがあった。However, in the above temperature range of 300 to 600 ° C., the fixation of F on the surface of activated carbon (first stage) proceeds faster than the reaction of F with C (second stage), There is a problem that fluorination occurs and F is accumulated as carbon fluoride on the activated carbon surface. Thus, when carbon fluoride accumulates on the surface of activated carbon,
The abatement performance of activated carbon decreases. Moreover, when the temperature control becomes abnormal and the temperature becomes too high, there is a possibility that the pressure in the processing cylinder may increase.
【０００７】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、効率よくしかも安定的に三フッ化窒素ガスを無
害化することができる三フッ化窒素ガスの処理方法およ
びそれに用いる装置の提供をその目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a method for treating nitrogen trifluoride gas, which can efficiently and stably detoxify the nitrogen trifluoride gas, and an apparatus used therefor. For that purpose.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の三フッ化窒素ガスの処理方法は、三フッ化
窒素ガスを含有する排ガスと炭素塊とを加熱状態で接触
させ、排ガス中の三フッ化窒素ガスと炭素塊とを、６０
０℃を越え９００℃以下の反応温度で反応させ、三フッ
化窒素ガスを毒性のないフッ化炭素ガスと窒素ガスに変
えることを要旨とする。Means for Solving the Problems To achieve the above object, a method for treating nitrogen trifluoride gas of the present invention comprises contacting an exhaust gas containing nitrogen trifluoride gas with a carbon lump in a heated state, The nitrogen trifluoride gas and the carbon lump in the exhaust gas are
The gist of the present invention is to change the nitrogen trifluoride gas to a nontoxic carbon fluoride gas and a nitrogen gas at a reaction temperature of more than 0 ° C. and 900 ° C. or less.
【０００９】また、本発明の三フッ化窒素ガスの処理装
置は、炭素塊が充填される反応槽と、三フッ化窒素ガス
を含有する排ガスを上記反応槽に導く流通配管と、この
排ガス中の三フッ化窒素ガスと上記炭素塊とを６００℃
を越え９００℃以下の反応温度で反応させるようにする
加熱手段とを備えたことを要旨とする。Further, the apparatus for treating nitrogen trifluoride gas of the present invention comprises: a reaction tank filled with a carbon lump; a flow pipe for leading an exhaust gas containing the nitrogen trifluoride gas to the reaction tank; Of nitrogen trifluoride gas and the above carbon lump at 600 ° C.
And a heating means for causing a reaction at a reaction temperature of 900 ° C. or less.
【００１０】すなわち、本発明の三フッ化窒素ガスの処
理方法は、三フッ化窒素ガスを含有する排ガスと炭素塊
とを、６００℃を越え９００℃以下の反応温度で反応さ
せる。このように、三フッ化窒素が分解して生成したラ
ジカルなフッ素が炭素塊の表面に固定する第１段階と、
上記フッ素と炭素とが反応してフッ化炭素ガスと窒素ガ
スとが生成する第２段階とにより、無害化反応が行われ
るにあたって、反応温度を従来よりも高い６００℃を越
える温度としているため、フッ素と炭素の反応（第２段
階）が促進される。このため、第１段階により、三フッ
化窒素の分解により生成したフッ素が炭素塊の表面に固
定する量と、第２段階の反応により、上記固定したフッ
素がフッ化炭素ガスと窒素ガスに変化する量とがほぼ等
しくなる。したがって、第１段階で炭素塊表面に生じた
フッ化カーボンは、第２段階の反応で消費され、平衡状
態となって炭素塊表面にフッ化カーボンが蓄積されなく
なる。このため、炭素塊の除害性能が低下することがな
く、長時間安定した除外性能を得ることができる。さら
に、装置内の圧力上昇が生じるおそれがなく、安定的な
処理が行える。That is, in the method for treating nitrogen trifluoride gas of the present invention, an exhaust gas containing nitrogen trifluoride gas and a carbon lump are reacted at a reaction temperature of more than 600 ° C. and 900 ° C. or less. Thus, the first stage in which the radical fluorine generated by the decomposition of nitrogen trifluoride is fixed on the surface of the carbon mass,
When the detoxification reaction is performed by the second stage in which the fluorine and carbon react with each other to generate a fluorocarbon gas and a nitrogen gas, the reaction temperature is set to a temperature higher than the conventional temperature of 600 ° C. The reaction between fluorine and carbon (second stage) is promoted. Therefore, in the first step, the amount of fluorine generated by decomposition of nitrogen trifluoride is fixed on the surface of the carbon lump, and in the second step, the fixed fluorine is changed into carbon fluoride gas and nitrogen gas. Is almost equal to Therefore, the carbon fluoride generated on the surface of the carbon lump in the first step is consumed in the reaction of the second step, and becomes in an equilibrium state, so that carbon fluoride is not accumulated on the surface of the carbon lump. For this reason, the elimination performance of the carbon lump does not decrease and stable exclusion performance for a long time can be obtained. Further, there is no possibility that a pressure increase in the apparatus occurs, and stable processing can be performed.
【００１１】本発明の三フッ化窒素ガスの処理方法にお
いて、三フッ化窒素ガスを含有する排ガスを、あらかじ
め６００℃を越える温度に加熱したのち炭素塊と接触さ
せるようにした場合には、排ガスと炭素塊が接触したと
き、炭素塊が冷却されて６００℃を下回ることがなくな
る。したがって、常に６００℃を越える反応温度を確保
することができ、安定操業を行うことができる。In the method for treating nitrogen trifluoride gas of the present invention, when the exhaust gas containing nitrogen trifluoride gas is heated to a temperature exceeding 600 ° C. in advance and then brought into contact with the carbon lump, When the carbon mass comes into contact with the carbon mass, the carbon mass is cooled and does not fall below 600 ° C. Therefore, a reaction temperature always exceeding 600 ° C. can be secured, and stable operation can be performed.
【００１２】また、本発明の三フッ化窒素ガスの処理方
法において、三フッ化窒素ガスを含有する排ガスをあら
かじめ不活性ガスで希釈し、三フッ化窒素含有率を、５
％以下としたのち炭素塊と接触させるようにした場合に
は、発熱反応である三フッ化窒素ガスの無害化反応の反
応温度を比較的容易に制御でき、過熱による装置の破
損，損傷を防止することができる。Further, in the method for treating nitrogen trifluoride gas of the present invention, the exhaust gas containing nitrogen trifluoride gas is diluted with an inert gas in advance to reduce the nitrogen trifluoride content to 5%.
% Or less and then contact with the carbon lump, the reaction temperature of the detoxification reaction of the nitrogen trifluoride gas, which is an exothermic reaction, can be relatively easily controlled, thereby preventing damage or damage to the device due to overheating. can do.
【００１３】さらに、本発明の三フッ化窒素ガスの処理
方法において、炭素塊が粒度４〜８メッシュの粒状物で
ある場合には、表面積増大による処理効率の向上と圧力
損失とのバランスがよく、工業的規模での処理に最適で
ある。Further, in the method for treating nitrogen trifluoride gas of the present invention, when the carbon mass is a granular material having a particle size of 4 to 8 mesh, the balance between the improvement of the treatment efficiency due to the increase in the surface area and the pressure loss is good. Ideal for processing on an industrial scale.
【００１４】本発明の三フッ化窒素ガスの処理装置は、
排ガス中の三フッ化窒素ガスと炭素塊とを６００℃を越
え９００℃以下の反応温度で反応させるようにする加熱
手段を備えている。したがって、上記方法を行うに適し
ており、炭素塊の除害性能が低下せず、長時間安定した
除害性能が得られるともに、処理槽内の圧力上昇が生じ
るおそれがなく、安定的な処理が行える。The apparatus for treating nitrogen trifluoride gas of the present invention comprises:
A heating means is provided for causing the nitrogen trifluoride gas and the carbon lump in the exhaust gas to react at a reaction temperature of more than 600 ° C. and 900 ° C. or less. Therefore, the method is suitable for performing the above method, the abatement performance of the carbon lump does not decrease, the stable abatement performance can be obtained for a long time, and there is no possibility that the pressure in the treatment tank increases. Can be performed.
【００１５】本発明の三フッ化窒素ガスの処理装置にお
いて、加熱手段が流通配管に設けられている場合には、
反応槽に導入される前の排ガスが加熱され、排ガスをあ
らかじめ６００℃を越える温度に加熱したのち反応させ
ることができる。このため、排ガスと炭素塊が接触した
とき、炭素塊が冷却されて６００℃を下回ることがな
く、常に６００℃を越える反応温度を確保できて、安定
操業を行うことができる。In the apparatus for treating nitrogen trifluoride gas of the present invention, when the heating means is provided in the circulation pipe,
The exhaust gas before being introduced into the reaction tank is heated, and the exhaust gas can be reacted after being heated to a temperature exceeding 600 ° C. in advance. Therefore, when the exhaust gas comes into contact with the carbon lump, the carbon lump is not cooled and does not fall below 600 ° C., a reaction temperature exceeding 600 ° C. can always be secured, and stable operation can be performed.
【００１６】また、上記三フッ化窒素ガスの処理装置に
おいて、加熱手段が反応槽内に挿設されている場合に
は、上記ひとつの加熱手段によって、反応槽に導入され
る前の排ガスと、反応槽内に充填された炭素塊とを同時
に加熱することができる。このため、エネルギー効率が
よく、省エネルギー操業ができてランニングコストが低
減できる。さらに、装置自体も単純化され、イニシャル
コストも安くなる。In the nitrogen trifluoride gas processing apparatus, when the heating means is inserted in the reaction tank, the exhaust gas before being introduced into the reaction tank is removed by the one heating means. The carbon mass filled in the reaction tank can be heated simultaneously. For this reason, energy efficiency is good, energy saving operation can be performed, and running costs can be reduced. Further, the apparatus itself is simplified, and the initial cost is reduced.
【００１７】さらに、上記三フッ化窒素ガスの処理装置
において、加熱手段の反応槽内に挿設された部分に、排
ガスを反応槽内に導入する導入口が設けられている場合
には、加熱された排ガスが反応槽内に直接導入される。
このため、あらかじめ６００℃を越える温度に加熱して
おいた排ガスが、冷却されることなく炭素塊と接触して
反応する。したがって、エネルギー効率がさらによく、
ランニングコストが低減できる。Further, in the nitrogen trifluoride gas processing apparatus, when an inlet for introducing exhaust gas into the reaction tank is provided in a portion of the heating means inserted into the reaction tank, the heating means The discharged exhaust gas is directly introduced into the reaction tank.
Therefore, the exhaust gas, which has been heated to a temperature exceeding 600 ° C. in advance, contacts and reacts with the carbon lump without being cooled. Therefore, energy efficiency is better,
Running costs can be reduced.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態につ
いて詳しく説明する。Next, an embodiment of the present invention will be described in detail.
【００１９】本発明のＮＦ3 ガスの処理方法は、ＮＦ3
ガスを含有する排ガスと炭素塊とを、６００℃を越え９
００℃以下の反応温度で反応させ、ＮＦ3 を毒性のない
フッ化炭素ガスと窒素ガスに変えるものである。The processing method of the NF 3 gas of the present invention, NF 3
Exhaust gas containing gas and carbon lumps are heated to above
The reaction is carried out at a reaction temperature of 00 ° C. or less to convert NF 3 into non-toxic fluorocarbon gas and nitrogen gas.
【００２０】ＮＦ3 は、高温下で分解してラジカルなＦ
が生成し、このＦが活性炭の表面に固定する第１段階
と、ついで、ＦとＣとが反応してＣＦ4 やＣ2 Ｆ6 とＮ
2 が生成する第２段階との２段階の過程を経て無害化が
行われる。NF 3 is decomposed at a high temperature to form radical F
Is generated, and this F is fixed on the surface of the activated carbon, and then F and C react to form CF 4 or C 2 F 6 with N
Detoxification is performed through a two-step process with a second step in which 2 is generated.
【００２１】このとき、従来の方法よりも高温域の６０
０℃を越え９００℃以下の温度下で反応が行われるた
め、ＦとＣとが反応する第２段階の反応が促進され、Ｎ
Ｆ3 の分解によって生成したＦが炭素塊の表面に固定す
る第１段階の反応と、ほぼ同等に進行するようになる。
すなわち、第１段階の反応で炭素塊表面に生じたフッ化
カーボンは、第２段階の反応で消費され、これらの反応
が平衡状態となって、炭素塊表面にフッ化カーボンが蓄
積されることがない。なお、９００℃を越える温度で
は、装置自体の損傷が激しく、耐久性が悪くなるため、
現実的ではないが、装置材料の制約がなければ９００℃
を越える温度での処理も可能である。また、処理圧力
は、大気圧下だけでなく、減圧下，加圧下いずれでも処
理することができる。At this time, the temperature is higher than that of the conventional method.
Since the reaction is carried out at a temperature exceeding 0 ° C. and not more than 900 ° C., the second stage reaction in which F and C react is promoted, and N
The F generated by the decomposition of F 3 proceeds almost in the same manner as the first-stage reaction in which F is fixed to the surface of the carbon mass.
That is, the carbon fluoride generated on the surface of the carbon mass in the first stage reaction is consumed in the second stage reaction, and these reactions are brought into an equilibrium state, and the carbon fluoride is accumulated on the surface of the carbon mass. There is no. If the temperature exceeds 900 ° C., the device itself is severely damaged and the durability is deteriorated.
Although not realistic, 900 ° C if there is no restriction on equipment materials
It is also possible to process at a temperature exceeding. The processing can be performed not only under atmospheric pressure but also under reduced pressure or increased pressure.
【００２２】ＮＦ3 ガスを含有する排ガスと炭素塊とを
反応させる場合、ＮＦ3 ガスを含有する排ガスを、あら
かじめ６００℃を越える温度に加熱したのち反応させる
のが好ましい。すなわち、冷たい排ガスを炭素塊と接触
させると炭素塊が冷却されてしまい、反応効率が下がっ
たり、反応温度が６００℃を下回ってしまい、フッ化カ
ーボンの蓄積が起こるが、あらかじめ排ガスを６００℃
を越える温度に加熱しておくことにより、これらが防止
される。When reacting the exhaust gas containing NF 3 gas with the carbon lump, it is preferable to react the exhaust gas containing NF 3 gas after heating it to a temperature exceeding 600 ° C. in advance. That is, when a cold exhaust gas is brought into contact with a carbon lump, the carbon lump is cooled, the reaction efficiency decreases, or the reaction temperature falls below 600 ° C., and accumulation of carbon fluoride occurs.
These are prevented by heating to a temperature exceeding.
【００２３】本発明では、排ガス中のＮＦ3 の含有率が
低濃度から高濃度（１００％も可能である）のものまで
処理できるが、上記反応は、発熱反応であることから、
高濃度の排ガスを処理する場合には、反応温度を制御す
ることが困難となり、装置内が高温になり過ぎて装置自
体を損傷，破損させるおそれもある。したがって、反応
温度を適切に制御するとともに、装置の損傷や破損を防
止するため、排ガスをあらかじめＮ2 ，Ａｒ，Ｎｅ等の
不活性ガスで希釈して、排ガス中のＮＦ3 の含有率を５
％以下、好適には２．５％以下、さらに好適には１．６
％以下にしたのち炭素塊と接触させることが好ましい。In the present invention, the NF 3 content in the exhaust gas can be controlled from low to high (possibly 100%). However, since the above reaction is an exothermic reaction,
When treating high-concentration exhaust gas, it is difficult to control the reaction temperature, and the temperature inside the apparatus becomes too high, which may damage or break the apparatus itself. Therefore, the exhaust gas is diluted with an inert gas such as N 2 , Ar, or Ne in advance to appropriately control the reaction temperature and to prevent damage or breakage of the apparatus, so that the content of NF 3 in the exhaust gas is reduced to 5%.
%, Preferably 2.5% or less, more preferably 1.6%
% Or less, and then contact with the carbon lump.
【００２４】上記炭素塊としては、例えば、活性炭や木
炭等が使用されるが、特に限定されるものではなく、各
種のものが用いられる。この炭素塊は、粒度４〜８メッ
シュの粒状物を用いることが好ましい。粒度が小さいほ
ど表面積が大きくなるので反応の面では有利であり、粒
度が４メッシュよりも大きくなると、表面積が小さくな
り過ぎて、所望の効果が得られなくなる。反対に、粒度
が８メッシュよりも小さくなると、圧力損失が大きくな
って実用的ではない。As the carbon mass, for example, activated carbon or charcoal is used, but is not particularly limited, and various types are used. It is preferable to use a granular material having a particle size of 4 to 8 mesh for the carbon lump. The smaller the particle size, the larger the surface area is, which is advantageous in terms of the reaction. If the particle size is larger than 4 mesh, the surface area becomes too small, and the desired effect cannot be obtained. On the other hand, when the particle size is smaller than 8 mesh, the pressure loss increases, which is not practical.
【００２５】このような炭素塊には、通常１５〜２０％
の水分が含有されており、このような水分を含有した炭
素塊とＮＦ3 ガスとを反応させるとＨＦが発生し、装置
材料を腐食させる。したがって、装置内に炭素塊を最初
に充填したときは、不活性ガスを流通させながら４００
℃程度で１８０分程度加熱保持し、あらかじめ炭素塊中
の水分を除去しておくのが好ましい。[0025] Usually, 15 to 20%
When the NF 3 gas reacts with the carbon lump containing such water, HF is generated and the material of the apparatus is corroded. Therefore, when the carbon lump is initially filled in the apparatus, 400 g of the carbon lump is supplied while flowing the inert gas.
It is preferable to heat and hold at about 180 ° C. for about 180 minutes to remove water in the carbon lump in advance.
【００２６】つぎに、上記ＮＦ3 ガスの処理に用いられ
る処理装置について説明する。Next, a processing apparatus used for processing the NF 3 gas will be described.
【００２７】図１は、本発明のＮＦ3 ガスの処理装置の
構成を示す説明図である。この処理装置１は、装置本体
１０内に、炭素塊５が充填される反応筒２と、ＮＦ3 ガ
スを含有する排ガスを上記反応筒２に導く流入配管３
と、排ガスと上記炭素塊５とを反応温度６００℃を越え
９００℃以下の温度で反応させるようにする加熱筒４と
を備えている。また、反応筒２の上部には、反応筒２内
で無害化された処理済ガスを排出する排出路６が連通し
ている。FIG. 1 is an explanatory view showing the configuration of the NF 3 gas processing apparatus of the present invention. The processing apparatus 1 includes a reaction tube 2 in which a carbon lump 5 is filled in an apparatus main body 10 and an inflow pipe 3 for leading an exhaust gas containing NF 3 gas to the reaction tube 2.
And a heating cylinder 4 for causing the exhaust gas and the carbon lump 5 to react at a reaction temperature of 600 ° C. or more and 900 ° C. or less. Further, a discharge path 6 for discharging the treated gas detoxified in the reaction tube 2 communicates with the upper portion of the reaction tube 2.
【００２８】上記流入配管３には、排ガスを濾過するフ
ィルター７が設けられるとともに、上記フィルター７で
濾過された排ガスを予熱する予熱筒８が設けられてい
る。この予熱筒８の後ろには、温度指示調節警報計９が
設けられ、排ガスを３００〜３５０℃程度に予熱するよ
うに予熱筒８を制御するようになっている。そして、流
入配管３には、予熱された排ガスを所定の反応温度に加
熱する加熱筒４が設けられている。The inflow pipe 3 is provided with a filter 7 for filtering the exhaust gas, and a preheating cylinder 8 for preheating the exhaust gas filtered by the filter 7. Behind the preheating cylinder 8, a temperature indication adjusting alarm 9 is provided, which controls the preheating cylinder 8 so as to preheat the exhaust gas to about 300 to 350 ° C. The inlet pipe 3 is provided with a heating cylinder 4 for heating the preheated exhaust gas to a predetermined reaction temperature.
【００２９】上記加熱筒４は、反応筒２の底面を貫通し
てその上側半分程度が反応筒２内に入り込むように挿設
され、排ガスだけでなく、反応筒２内に充填された炭素
塊５も加熱するようになっている。そして、この加熱筒
４の反応筒２内に突出した先端の部分に、排ガスを反応
筒２内に導入する導入口１１が設けられ、加熱された排
ガスが直接反応筒２内に導入されるようになっている。
１２は加熱筒４のカバーである。The heating cylinder 4 is inserted and inserted so that the upper half of the heating cylinder 4 penetrates through the bottom surface of the reaction cylinder 2 and enters the reaction cylinder 2. 5 is also heated. An introduction port 11 for introducing exhaust gas into the reaction tube 2 is provided at a tip portion of the heating tube 4 protruding into the reaction tube 2 so that heated exhaust gas is directly introduced into the reaction tube 2. It has become.
12 is a cover of the heating cylinder 4.
【００３０】上記反応筒２内には、炭素塊５が載置され
るスノコ板１３が設けられ、底部に下部空間１４が設け
られている。そして、加熱筒４の導入口１１から吹き出
した排ガスは、カバー１２によって一旦上記スノコ板１
３の下部空間１４に導かれたのち、上記スノコ板１３を
通過して炭素塊５と接触し、排ガス中のＮＦ3 ガスと炭
素塊が反応する。これにより、ＮＦ3 をＣＦ4 やＣ2 Ｆ
6 とＮ2 に変えて無害化するようになっている。そし
て、上記下部空間１４には、温度指示調節警報計１５が
設けられ、排ガスを６００を越え９００℃以下の反応温
度に加熱するよう加熱筒４を制御するようになってい
る。Inside the reaction tube 2, a sawboard 13 on which the carbon lump 5 is placed is provided, and a lower space 14 is provided at the bottom. The exhaust gas blown out from the inlet 11 of the heating cylinder 4 is once covered by the cover 12 with the cover 12.
After being guided to the lower space 14 of the exhaust gas 3 , it passes through the veneer board 13 and comes into contact with the carbon lump 5, and the NF 3 gas in the exhaust gas reacts with the carbon lump. As a result, NF 3 can be converted to CF 4 or C 2 F
It is made harmless by changing to 6 and N 2 . The lower space 14 is provided with a temperature indicator / alarm 15 for controlling the heating cylinder 4 so as to heat the exhaust gas to a reaction temperature exceeding 600 ° C. and 900 ° C. or lower.
【００３１】また、上記反応筒２の外周壁には、外周加
熱装置１６が設けられ、反応筒２内の炭素塊５を外周か
ら加熱し、周囲への放熱によって周壁近傍の炭素塊の温
度が低下するのを防止し、反応筒２内の温度を均一にす
るようになっている。反応筒２の外周壁には、温度指示
調節警報計１７が設けられ、この部分の温度を６００℃
を越え９００℃以下の反応温度に保持するよう上記外周
加熱装置１６を制御するようになっている。１８は反応
筒２内の炭素塊５の温度変化を検知する温度指示警報計
である。Further, an outer peripheral heating device 16 is provided on the outer peripheral wall of the reaction tube 2 to heat the carbon lump 5 in the reaction tube 2 from the outer periphery. The temperature is prevented from lowering and the temperature in the reaction tube 2 is made uniform. A temperature indication control alarm 17 is provided on the outer peripheral wall of the reaction tube 2, and the temperature of this portion is set to 600 ° C.
The outer peripheral heating device 16 is controlled so as to maintain the reaction temperature at 900 ° C. or less. Reference numeral 18 denotes a temperature indicating alarm which detects a change in the temperature of the carbon block 5 in the reaction tube 2.
【００３２】さらに、上記反応筒２の上側には、炭素塊
補給容器２０が配設され、この炭素塊補給容器２０から
反応筒２内まで延びる補給路２１が設けられている。そ
して、反応筒２内の炭素塊５がＮＦ3 との反応によって
消費されると、上記炭素塊補給容器２０内の炭素塊が、
補給路２１を自重で流下し、減った分だけ補給されるよ
うになっている。２２は、補給路２１内の炭素塊の有無
を検知する容量検知警報器であり、補給路２１内の炭素
塊が無くなると、炭素塊補給容器２０が空になったこと
を警報するようになっている。Further, a carbon lump supply container 20 is disposed above the reaction tube 2, and a supply passage 21 extending from the carbon lump supply container 20 to the inside of the reaction tube 2 is provided. When the carbon lump 5 in the reaction tube 2 is consumed by the reaction with NF 3 , the carbon lump in the carbon lump replenishing container 20 becomes
The replenishment path 21 flows down by its own weight, and replenishment is performed by a reduced amount. Reference numeral 22 denotes a capacity detection alarm that detects the presence or absence of a carbon lump in the supply path 21. When the carbon lump in the supply path 21 runs out, a warning is given that the carbon lump supply container 20 is empty. ing.
【００３３】上記排出路６には、冷却器１９が設けら
れ、反応筒２で無害化された処理済ガスを６０℃以下程
度まで冷却したのち排出するようになっている。２３は
上記冷却器１９に冷却水を導入する給水管、２４は排水
管である。この排水管２４は、反応筒２の上部に延びて
おり、その周辺を冷却してバルブ操作等を行いやすいよ
うになっている。A cooler 19 is provided in the discharge passage 6 so that the treated gas detoxified in the reaction tube 2 is cooled to about 60 ° C. or less and then discharged. 23 is a water supply pipe for introducing cooling water into the cooler 19, and 24 is a drain pipe. The drain pipe 24 extends to the upper part of the reaction tube 2 and cools the periphery thereof to facilitate valve operation and the like.
【００３４】２５は、排ガスを希釈等する不活性ガスを
導入する不活性ガス導入配管である。また、この不活性
ガス導入配管２５から分岐して流入配管３に連通する希
釈ガス路２６が設けられ、排ガスを不活性ガスで希釈す
るようになっている。この希釈ガス路２６からは、常に
一定量の不活性ガスを流入させるようになっている。こ
のようにすることにより、待機状態（流入する排ガスが
ゼロ）から急激に排ガスが流入した場合の反応筒２内の
温度低下を少なく抑えることができる。また、なんらか
の原因でエアが混入した場合に、エアの反応筒２内への
逆拡散を防止し、温度の過熱による事故を防止できる。
そして、上記希釈ガス路２６には、流量計２７および流
量調節弁２８が設けられ、ＮＦ3 ガス含有率が、５％以
下、好適には２．５％以下、さらに好適には１．６％以
下になるように所定の割合で希釈するようになってい
る。Reference numeral 25 denotes an inert gas introduction pipe for introducing an inert gas for diluting exhaust gas or the like. Further, a dilution gas passage 26 branched from the inert gas introduction pipe 25 and communicated with the inflow pipe 3 is provided to dilute the exhaust gas with the inert gas. From this dilution gas passage 26, a constant amount of inert gas is always allowed to flow. By doing so, it is possible to reduce a decrease in the temperature inside the reaction tube 2 when the exhaust gas suddenly flows in from the standby state (inflowing exhaust gas is zero). Further, when air is mixed in for some reason, back diffusion of air into the reaction tube 2 can be prevented, and an accident due to overheating of the temperature can be prevented.
A flow meter 27 and a flow control valve 28 are provided in the dilution gas passage 26, and the NF 3 gas content is 5% or less, preferably 2.5% or less, more preferably 1.6%. The dilution is performed at a predetermined ratio so as to be as follows.
【００３５】また、この処理装置１には、上記流入配管
３から分岐して排出路６に連通するバイパス路２９が設
けられるとともに、上記流入配管３の上記バイパス路２
９の下流側に、上記不活性ガス導入配管２５から分岐し
て、冷却用の不活性ガスを導入する冷却ガス路３０が設
けられている。また、上記バイパス路２９および冷却ガ
ス路３０には、それぞれ、反応筒２内が異常昇温したと
きに開弁する空圧作動弁３１，３２が設けられている。
そして、反応筒２内が異常昇温して設定値以上になった
場合に、上記空圧作動弁３１，３２が開弁し、排ガスを
バイパス路２９に逃がすとともに、流入配管３内に冷却
用の不活性ガスを導入し、同時に予熱筒８および加熱筒
４を切って反応筒２内を冷却するようになっている。図
において、３３は排気ダクトであり、３４はガス漏洩検
知装置である。The processing apparatus 1 is provided with a bypass 29 which branches off from the inflow pipe 3 and communicates with the discharge path 6.
A cooling gas passage 30 branched from the inert gas introduction pipe 25 and introducing an inert gas for cooling is provided downstream of 9. The bypass passage 29 and the cooling gas passage 30 are provided with pneumatic valves 31 and 32, respectively, which open when the temperature inside the reaction tube 2 rises abnormally.
When the temperature inside the reaction tube 2 becomes abnormally high and becomes equal to or higher than a set value, the pneumatic valves 31 and 32 are opened to release the exhaust gas into the bypass passage 29 and to cool the exhaust pipe 3 into the inflow pipe 3. The inert gas is introduced, and at the same time, the preheating cylinder 8 and the heating cylinder 4 are turned off to cool the inside of the reaction cylinder 2. In the figure, 33 is an exhaust duct, and 34 is a gas leak detection device.
【００３６】上記処理装置１を使用し、つぎのようにし
てＮＦ3 ガスを含有する排ガスを無害化処理する。Using the processing apparatus 1 described above, the NF 3 gas-containing exhaust gas is detoxified as follows.
【００３７】すなわち、まず、ＮＦ3 ガスを含有する排
ガスを、あらかじめ所定の割合に希釈した不活性ガス
を、流入配管３に導入する。そして、希釈ガス路２６か
ら不活性ガスを流入させることにより、ＮＦ3 ガス含有
率が５％以下、好適には２．５％以下、さらに好適には
１．６％以下になるように希釈する。That is, first, an inert gas obtained by diluting exhaust gas containing NF 3 gas at a predetermined ratio in advance is introduced into the inflow pipe 3. Then, by flowing an inert gas from the dilution gas passage 26, the NF 3 gas content is diluted so as to be 5% or less, preferably 2.5% or less, more preferably 1.6% or less. .
【００３８】ついで、所定のＮＦ3 ガス含有率に希釈し
た排ガスは、予熱筒８で３３０〜３５０℃程度に予熱さ
れたのち加熱筒４で加熱され、導入口１１から吹き出さ
れて反応筒２内の下部空間１４を通り、炭素塊５と接触
する。この過程において、排ガスは、少なくとも炭素塊
５と接触する直前（上記下部空間１４内）には６００℃
を越える所定の反応温度まで加熱される。炭素塊５と接
触した排ガス中のＮＦ 3 ガスは、炭素塊５と反応し、毒
性のないフッ化炭素ガスと窒素ガスとに変わる。このよ
うに、排ガスをあらかじめ６００℃を越える反応温度ま
で加熱したのち反応させることから、炭素塊５が冷却さ
れず、反応効率が下がらず、フッ化カーボンが蓄積され
ることもない。また、加熱筒４の外周壁に設けられた外
周加熱装置１６により、反応筒２内の炭素塊５の温度を
均一にしているため、温度低下による処理効率の低下が
生じない。Next, a predetermined NFThreeDiluted to gas content
Exhaust gas is preheated to about 330 to 350 ° C in the preheating cylinder 8.
After that, it is heated by the heating cylinder 4 and blown out from the inlet 11.
Through the lower space 14 in the reaction tube 2 and contact with the carbon lump 5
I do. In this process, the exhaust gas is at least
600 ° C. immediately before contacting with No. 5 (in the lower space 14)
Is heated up to a predetermined reaction temperature exceeding. Contact with carbon lump 5
NF in exhaust gas touched ThreeThe gas reacts with the carbon mass 5 and becomes poisonous.
It is changed to carbon fluoride gas and nitrogen gas which have no properties. This
In this way, the exhaust gas must be heated to a reaction temperature exceeding 600 ° C in advance.
The carbon mass 5 is cooled after the
And the reaction efficiency does not decrease and carbon fluoride is accumulated.
Never even. In addition, an outside provided on the outer peripheral wall of the heating cylinder 4 is provided.
The temperature of the carbon lump 5 in the reaction tube 2 is reduced by the peripheral heating device 16.
Because of the uniformity, reduction in processing efficiency due to temperature drop
Does not occur.
【００３９】つぎに、無害化された処理済ガスは、排出
路６から反応筒２外に取り出され、冷却器１９で６０℃
以下程度まで冷却されたのち、処理装置１外に排出され
る。このように、処理済ガスを冷却してから排出してい
ることから、処理装置１外の配管に樹脂配管を用いるこ
ともでき、また、処理済ガスをブロアーで引っ張って圧
力コントロールを行うこともできる。Next, the detoxified treated gas is taken out of the reaction tube 2 from the discharge path 6 and cooled at 60 ° C.
After being cooled to the following degree, it is discharged out of the processing apparatus 1. As described above, since the treated gas is discharged after being cooled, a resin pipe can be used as a pipe outside the treatment apparatus 1, and the pressure can be controlled by pulling the treated gas with a blower. it can.
【００４０】また、反応筒２内が異常昇温して設定値以
上になった場合には、バイパス路２９および冷却ガス路
３０に設けられた空圧作動弁３１，３２が開弁し、排ガ
スをバイパス路２９に逃がすとともに、流入配管３内に
冷却用の不活性ガスを導入し、同時に予熱筒８および加
熱筒４を切って反応筒２内を冷却するようになってい
る。When the temperature inside the reaction tube 2 rises abnormally and exceeds a set value, the pneumatic valves 31 and 32 provided in the bypass passage 29 and the cooling gas passage 30 are opened, and the exhaust gas is exhausted. To the bypass passage 29, an inert gas for cooling is introduced into the inflow pipe 3, and at the same time, the preheating cylinder 8 and the heating cylinder 4 are cut to cool the inside of the reaction cylinder 2.
【００４１】つぎに、実施例について説明する。Next, an embodiment will be described.
【００４２】[0042]
【実施例１】まず、ＮＦ3 を含有する排ガスを、ＮＦ3
含有率が０．４２％になるようにあらかじめＮ2 ガスで
希釈し、流量１８０リットル／分で流入配管３に導入さ
せた。一方、Ｎ2 ガスを流量７０リットル／分で希釈ガ
ス路２６から流入配管３に流し、ＮＦ3 含有率が０．３
％になるように希釈した。ついで、粒度８メッシュの活
性炭を使用し、反応温度６００℃，大気圧（−５０ｍｍ
Ａｑ）で処理した。その結果、処理済ガス中のＮＦ3 含
有率は、５ｐｐｍ以下（ガスクロマトグラフィーの検出
限界以下）まで処理された。Example 1 First, an exhaust gas containing NF 3, NF 3
It was diluted with N 2 gas in advance so that the content became 0.42%, and introduced into the inlet pipe 3 at a flow rate of 180 liter / min. On the other hand, N 2 gas was passed from the dilution gas passage 26 to the inflow pipe 3 at a flow rate of 70 l / min, and the NF 3 content was 0.3%.
%. Then, using activated carbon having a particle size of 8 mesh, a reaction temperature of 600 ° C. and an atmospheric pressure (−50 mm
Aq). As a result, the NF 3 content in the treated gas was reduced to 5 ppm or less (below the detection limit of gas chromatography).
【００４３】[0043]
【実施例２】まず、ＮＦ3 を含有する排ガスを、ＮＦ3
含有率が１２．８％になるようにあらかじめＮ2 ガスで
希釈し、流量１０リットル／分で流入配管３に導入させ
た。一方、Ｎ2 ガスを流量７０リットル／分で希釈ガス
路２６から流入配管３に流し、ＮＦ3 含有率が１．６％
になるように希釈した。ついで、粒度８メッシュの活性
炭を使用し、反応温度６００℃，大気圧（−５０ｍｍＡ
ｑ）で処理した。その結果、処理済ガス中のＮＦ3 含有
率は、５ｐｐｍ以下（ガスクロマトグラフィーの検出限
界以下）まで処理された。Example 2 First, the exhaust gas containing NF 3, NF 3
It was diluted with N 2 gas in advance so that the content became 12.8%, and introduced into the inflow pipe 3 at a flow rate of 10 liter / min. On the other hand, N 2 gas was passed from the dilution gas passage 26 to the inflow pipe 3 at a flow rate of 70 l / min, and the NF 3 content was 1.6%.
It was diluted to become. Then, using activated carbon having a particle size of 8 mesh, a reaction temperature of 600 ° C. and an atmospheric pressure (−50 mmA)
q). As a result, the NF 3 content in the treated gas was reduced to 5 ppm or less (below the detection limit of gas chromatography).
【００４４】[0044]
【実施例３】まず、ＮＦ3 を含有する排ガスを、ＮＦ3
含有率が２．７７％になるようにあらかじめＮ2 ガスで
希釈し、流量１８０リットル／分で流入配管３に導入さ
せた。一方、Ｎ2 ガスを流量７０リットル／分で希釈ガ
ス路２６から流入配管３に流し、ＮＦ3 含有率が２．０
％になるように希釈した。ついで、粒度８メッシュの活
性炭を使用し、反応温度６００℃，大気圧（−５０ｍｍ
Ａｑ）で処理した。その結果、処理済ガス中のＮＦ3 含
有率は、５ｐｐｍ以下（ガスクロマトグラフィーの検出
限界以下）まで処理された。Embodiment 3 First, the exhaust gas containing NF 3 was purified by NF 3
It was diluted with N 2 gas in advance so that the content became 2.77%, and introduced into the inflow pipe 3 at a flow rate of 180 liter / min. On the other hand, N 2 gas was passed from the dilution gas passage 26 to the inflow pipe 3 at a flow rate of 70 l / min, and the NF 3 content was 2.0%.
%. Then, using activated carbon having a particle size of 8 mesh, a reaction temperature of 600 ° C. and an atmospheric pressure (−50 mm
Aq). As a result, the NF 3 content in the treated gas was reduced to 5 ppm or less (below the detection limit of gas chromatography).
【００４５】[0045]
【実施例４】活性炭を粒度６メッシュのものにする以外
は、実施例３と同様にして処理した。その結果、処理済
ガス中のＮＦ3 含有率は、５ｐｐｍ以下（ガスクロマト
グラフィーの検出限界以下）まで処理された。Example 4 The procedure was the same as in Example 3, except that the activated carbon had a particle size of 6 mesh. As a result, the NF 3 content in the treated gas was reduced to 5 ppm or less (below the detection limit of gas chromatography).
【００４６】[0046]
【実施例５】処理温度を８００℃にする以外は、実施例
３と同様にして処理した。その結果、処理済ガス中のＮ
Ｆ3 含有率は、５ｐｐｍ以下（ガスクロマトグラフィー
の検出限界以下）まで処理された。Example 5 A treatment was carried out in the same manner as in Example 3 except that the treatment temperature was set to 800 ° C. As a result, N in the treated gas
The F 3 content was processed to 5 ppm or less (below the detection limit of gas chromatography).
【００４７】[0047]
【実施例６】処理温度を９００℃にする以外は、実施例
３と同様にして処理した。その結果、処理済ガス中のＮ
Ｆ3 含有率は、５ｐｐｍ以下（ガスクロマトグラフィー
の検出限界以下）まで処理された。Example 6 A process was performed in the same manner as in Example 3 except that the processing temperature was set to 900 ° C. As a result, N in the treated gas
The F 3 content was processed to 5 ppm or less (below the detection limit of gas chromatography).
【００４８】[0048]
【実施例７】処理圧力を−１００ｍｍＡｑにする以外
は、実施例３と同様にして処理した。その結果、処理済
ガス中のＮＦ3 含有率は、５ｐｐｍ以下（ガスクロマト
グラフィーの検出限界以下）まで処理された。Example 7 The processing was performed in the same manner as in Example 3 except that the processing pressure was changed to -100 mmAq. As a result, the NF 3 content in the treated gas was reduced to 5 ppm or less (below the detection limit of gas chromatography).
【００４９】[0049]
【実施例８】処理圧力を２００ｍｍＡｑにする以外は、
実施例３と同様にして処理した。その結果、処理済ガス
中のＮＦ3 含有率は、５ｐｐｍ以下（ガスクロマトグラ
フィーの検出限界以下）まで処理された。Example 8 Except that the processing pressure was set to 200 mmAq,
The treatment was performed in the same manner as in Example 3. As a result, the NF 3 content in the treated gas was reduced to 5 ppm or less (below the detection limit of gas chromatography).
【００５０】[0050]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、三フッ
化窒素が分解して生成したラジカルなフッ素が炭素塊の
表面に固定する第１段階と、上記フッ素と炭素とが反応
してフッ化炭素ガスと窒素ガスとが生成する第２段階と
により、無害化反応が行われるにあたって、反応温度を
従来よりも高い６００℃を越える温度としているため、
フッ素と炭素の反応（第２段階）が促進される。そし
て、第１段階により、三フッ化窒素の分解により生成し
たフッ素が炭素塊の表面に固定する量と、第２段階の反
応により、上記固定したフッ素がフッ化炭素ガスと窒素
ガスに変化する量とがほぼ等しくなる。すなわち、第１
段階で炭素塊表面に生じたフッ化カーボンは、第２段階
の反応で消費され、平衡状態となって炭素塊表面にフッ
化カーボンが蓄積されなくなる。このため、炭素塊の除
害性能が低下することがなく、長時間安定した除害性能
を得ることができる。さらに、装置内の圧力上昇が生じ
るおそれがなく、安定的な処理が行える。As described above, according to the present invention, the first stage in which the radical fluorine generated by the decomposition of nitrogen trifluoride is fixed to the surface of the carbon mass, and the fluorine and the carbon react with each other. When the detoxification reaction is carried out by the second stage in which the fluorocarbon gas and the nitrogen gas are generated, the reaction temperature is set to a temperature higher than 600 ° C., which is higher than before,
The reaction between fluorine and carbon (second stage) is promoted. Then, in the first step, the amount of fluorine generated by the decomposition of nitrogen trifluoride is fixed on the surface of the carbon mass, and in the second step, the fixed fluorine is changed to carbon fluoride gas and nitrogen gas. And the amount is almost equal. That is, the first
The carbon fluoride generated on the surface of the carbon lump in the step is consumed in the reaction of the second step, and is brought into an equilibrium state so that no carbon fluoride is accumulated on the surface of the carbon lump. For this reason, the detoxification performance of the carbon lump does not decrease, and stable detoxification performance for a long time can be obtained. Further, there is no possibility that a pressure increase in the apparatus occurs, and stable processing can be performed.
【図１】本発明の処理装置の一実施の形態の構成を示す
説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a configuration of an embodiment of a processing apparatus of the present invention.
フロントページの続き (72)発明者 井上 賢一 大阪府堺市築港新町２丁６番地40 大同ほ くさん株式会社堺工場内Continuing from the front page (72) Inventor Kenichi Inoue 2-6-6 Chikushinmachi, Sakai-shi, Osaka Daido Hokusan Co., Ltd. Sakai Plant
Claims (8)
素塊とを加熱状態で接触させ、排ガス中の三フッ化窒素
ガスと炭素塊とを、６００℃を越え９００℃以下の反応
温度で反応させ、三フッ化窒素ガスを毒性のないフッ化
炭素ガスと窒素ガスに変えることを特徴とする三フッ化
窒素ガスの処理方法。An exhaust gas containing nitrogen trifluoride gas and a carbon lump are brought into contact with each other in a heated state, and the nitrogen trifluoride gas and the carbon lump in the exhaust gas are brought into contact with each other at a reaction temperature of more than 600 ° C and 900 ° C or less. A method for treating nitrogen trifluoride gas, comprising reacting and converting nitrogen trifluoride gas into non-toxic carbon fluoride gas and nitrogen gas.
あらかじめ６００℃を越える温度に加熱したのち炭素塊
と接触させるようにした請求項１記載の三フッ化窒素ガ
スの処理方法。2. An exhaust gas containing a nitrogen trifluoride gas,
2. The method for treating a nitrogen trifluoride gas according to claim 1, wherein the heating is performed beforehand at a temperature exceeding 600 [deg.] C., and then the carbon mass is brought into contact.
らかじめ不活性ガスで希釈し、三フッ化窒素含有率を、
５％以下としたのち炭素塊と接触させるようにした請求
項１または２記載の三フッ化窒素ガスの処理方法。3. An exhaust gas containing a nitrogen trifluoride gas is diluted with an inert gas in advance, and the nitrogen trifluoride content is determined by:
The method for treating nitrogen trifluoride gas according to claim 1 or 2, wherein the nitrogen trifluoride gas is brought into contact with a carbon lump after the content is reduced to 5% or less.
である請求項１〜３のいずれか一項に記載の三フッ化窒
素ガスの処理方法。4. The method for treating nitrogen trifluoride gas according to claim 1, wherein the carbon mass is a granular material having a particle size of 4 to 8 mesh.
窒素ガスを含有する排ガスを上記反応槽に導く流通配管
と、この排ガス中の三フッ化窒素ガスと上記炭素塊とを
６００℃を越え９００℃以下の反応温度で反応させるよ
うにする加熱手段とを備えたことを特徴とする三フッ化
窒素ガスの処理装置。5. A reaction tank filled with a carbon lump, a flow pipe for leading an exhaust gas containing a nitrogen trifluoride gas to the reaction tank, and a nitrogen trifluoride gas contained in the exhaust gas and the carbon lump. A heating means for causing a reaction at a reaction temperature of not less than 900C and not more than 900C.
求項５記載の三フッ化窒素ガスの処理装置。6. The nitrogen trifluoride gas processing apparatus according to claim 5, wherein the heating means is provided in the circulation pipe.
求項６記載の三フッ化窒素ガスの処理装置。7. The apparatus for treating nitrogen trifluoride gas according to claim 6, wherein the heating means is inserted in the reaction tank.
に、排ガスを反応槽内に導入する導入口が設けられてい
る請求項７記載の三フッ化窒素ガスの処理装置。8. The nitrogen trifluoride gas treatment apparatus according to claim 7, wherein an inlet for introducing exhaust gas into the reaction tank is provided in a portion of the heating means inserted into the reaction tank.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25096797A JP3723332B2 (en) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | Nitrogen trifluoride gas treatment method and apparatus used therefor |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25096797A JP3723332B2 (en) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | Nitrogen trifluoride gas treatment method and apparatus used therefor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1190174A true JPH1190174A (en) | 1999-04-06 |
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ID=17215694
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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|---|---|
| JP (1) | JP3723332B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008068917A1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-12 | Kanken Techno Co., Ltd. | Device for detoxicating semiconductor production exhaust gas |
-
1997
- 1997-09-16 JP JP25096797A patent/JP3723332B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008068917A1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-12 | Kanken Techno Co., Ltd. | Device for detoxicating semiconductor production exhaust gas |
| JPWO2008068917A1 (en) * | 2006-12-01 | 2010-03-18 | カンケンテクノ株式会社 | Semiconductor manufacturing exhaust gas abatement system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3723332B2 (en) | 2005-12-07 |
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