JPH118393A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
半導体装置の作製方法Info
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- JPH118393A JPH118393A JP9176353A JP17635397A JPH118393A JP H118393 A JPH118393 A JP H118393A JP 9176353 A JP9176353 A JP 9176353A JP 17635397 A JP17635397 A JP 17635397A JP H118393 A JPH118393 A JP H118393A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非晶質珪素膜をニッケルの作用により結晶化
させ、ＴＦＴを作製する工程において、得られるＴＦＴ
にニッケル元素の影響が及ぶことを抑制する。 【解決手段】 非晶質珪素膜１０２の上にマスク１０４
を配置し、その状態でニッケルを含んだ溶液を塗布す
る。そしてマスクの開口部１０３においてニッケル元素
が非晶質珪素膜の表面に接して保持された状態とする。
そして加熱処理を施し非晶質珪素膜を結晶化させる。さ
らに燐を含んだ溶液を塗布し、開口１０３が形成された
領域において燐が珪素膜に導入されるようにする。そし
て加熱処理を施し、燐が導入された領域にニッケル元素
をゲッタリングさせる。こして、珪素膜中のニッケル元
素を低減させる。
させ、ＴＦＴを作製する工程において、得られるＴＦＴ
にニッケル元素の影響が及ぶことを抑制する。 【解決手段】 非晶質珪素膜１０２の上にマスク１０４
を配置し、その状態でニッケルを含んだ溶液を塗布す
る。そしてマスクの開口部１０３においてニッケル元素
が非晶質珪素膜の表面に接して保持された状態とする。
そして加熱処理を施し非晶質珪素膜を結晶化させる。さ
らに燐を含んだ溶液を塗布し、開口１０３が形成された
領域において燐が珪素膜に導入されるようにする。そし
て加熱処理を施し、燐が導入された領域にニッケル元素
をゲッタリングさせる。こして、珪素膜中のニッケル元
素を低減させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
ニッケルに代表される珪素の結晶化を助長する金属元素
を利用して作製した薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと称
する）の作製方法に関する。
ニッケルに代表される珪素の結晶化を助長する金属元素
を利用して作製した薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと称
する）の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス基板や石英基板上に形成された珪
素膜を用いたＴＦＴが知られている。現在主に商品化さ
れているのは、非晶質珪素膜を活性層に用いた非晶質珪
素ＴＦＴである。
素膜を用いたＴＦＴが知られている。現在主に商品化さ
れているのは、非晶質珪素膜を活性層に用いた非晶質珪
素ＴＦＴである。
【０００３】またＴＦＴが主に利用されているのは、ア
クティブマトリクス型の液晶表示装置のアクティブマト
リクス回路である。
クティブマトリクス型の液晶表示装置のアクティブマト
リクス回路である。
【０００４】非晶質珪素膜を活性層に利用したＴＦＴ
は、Ｎチャネル型しか実用化されておらず、またその動
作速度が非常に小さいという欠点がる。（これらの欠点
があるが故にアクティブマトリクス回路にしか利用され
ていないとも言える）
は、Ｎチャネル型しか実用化されておらず、またその動
作速度が非常に小さいという欠点がる。（これらの欠点
があるが故にアクティブマトリクス回路にしか利用され
ていないとも言える）
【０００５】この問題を解決するための技術としては、
活性層を構成する珪素膜として結晶性珪素膜を用いる方
法がある。
活性層を構成する珪素膜として結晶性珪素膜を用いる方
法がある。
【０００６】結晶性珪素膜を得る方法としては、レーザ
ー光の照射による方法と、加熱による方法とがある。
ー光の照射による方法と、加熱による方法とがある。
【０００７】レーザー光の照射による方法は、ＣＶＤ法
等で成膜された非晶質珪素膜にレーザー光を照射するこ
とにより結晶化させるものである。
等で成膜された非晶質珪素膜にレーザー光を照射するこ
とにより結晶化させるものである。
【０００８】加熱による方法は、ＣＶＤ法等で成膜され
た非晶質珪素膜を加熱することにより結晶化させるもの
である。
た非晶質珪素膜を加熱することにより結晶化させるもの
である。
【０００９】レーザー光の照射による結晶化方法は、商
業用のレーザー発振装置が実用化の域に達しておらず、
主に発振の安定性に問題がある。そのため、得られる結
晶性珪素膜の膜質の均一性や生産性に問題がある。
業用のレーザー発振装置が実用化の域に達しておらず、
主に発振の安定性に問題がある。そのため、得られる結
晶性珪素膜の膜質の均一性や生産性に問題がある。
【００１０】他方、加熱による方法は、安定した膜質が
得られるが、加熱温度が高いため、ガラス基板を利用す
ることが困難であるという問題がある。また、明確な多
結晶状態となってしまう関係から、結晶粒界の存在が不
安定要素として存在する。
得られるが、加熱温度が高いため、ガラス基板を利用す
ることが困難であるという問題がある。また、明確な多
結晶状態となってしまう関係から、結晶粒界の存在が不
安定要素として存在する。
【００１１】このような状況においては、加熱による結
晶化において、加熱処理温度をいかに下げることができ
るかが課題となる。また、明確な結晶粒界が形成されな
いような作製工程を得ることが課題となる。
晶化において、加熱処理温度をいかに下げることができ
るかが課題となる。また、明確な結晶粒界が形成されな
いような作製工程を得ることが課題となる。
【００１２】この課題を解決する技術として、本出願人
はニッケル元素に代表される金属元素を利用して非晶質
珪素膜を従来よりも低温での加熱により結晶化させる技
術を開発した。
はニッケル元素に代表される金属元素を利用して非晶質
珪素膜を従来よりも低温での加熱により結晶化させる技
術を開発した。
【００１３】この技術は、非晶質珪素膜にニッケルに代
表される所定の金属元素を導入し、さらに加熱処理を施
すことにより結晶性珪素膜を得る技術である。
表される所定の金属元素を導入し、さらに加熱処理を施
すことにより結晶性珪素膜を得る技術である。
【００１４】この技術によれば、ガラス基板が耐える温
度である６００℃前後の加熱処理によって、高い結晶性
を有した結晶性珪素膜を得ることができる。
度である６００℃前後の加熱処理によって、高い結晶性
を有した結晶性珪素膜を得ることができる。
【００１５】また、得られる膜質の明確な結晶粒界が目
立たず、従来の明確な多結晶珪素膜よりも好ましいもの
を得ることができる。
立たず、従来の明確な多結晶珪素膜よりも好ましいもの
を得ることができる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上述した金属元素を用
いる方法は、得られる結晶性珪素膜中に当該金属元素が
残留するという問題がある。
いる方法は、得られる結晶性珪素膜中に当該金属元素が
残留するという問題がある。
【００１７】金属元素は、半導体膜中においてトラップ
センターとなり、得られるＴＦＴの特性に悪影響を与え
る。よって、ＴＦＴの活性層を構成する半導体膜中にお
いてはその残留濃度を極力低減することが望ましい。
センターとなり、得られるＴＦＴの特性に悪影響を与え
る。よって、ＴＦＴの活性層を構成する半導体膜中にお
いてはその残留濃度を極力低減することが望ましい。
【００１８】本明細書で開示する発明は、珪素の結晶化
を助長する金属元素を用いて得られた結晶性珪素膜を活
性層として作製されるＴＦＴにおいて、活性層中に残留
する金属元素の濃度を低減する技術を提供することを課
題とする。
を助長する金属元素を用いて得られた結晶性珪素膜を活
性層として作製されるＴＦＴにおいて、活性層中に残留
する金属元素の濃度を低減する技術を提供することを課
題とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の一つは、珪素の結晶化を助長する金属元素の作用を利
用し結晶性珪素膜を形成する工程と、前記結晶性珪素膜
の表面の一部に燐を含有した溶液を選択的に塗布する工
程と、加熱処理を施し、前記溶液を選択的に塗布した領
域に当該金属元素をゲッタリングさせる工程と、を有す
ることを特徴とする。
の一つは、珪素の結晶化を助長する金属元素の作用を利
用し結晶性珪素膜を形成する工程と、前記結晶性珪素膜
の表面の一部に燐を含有した溶液を選択的に塗布する工
程と、加熱処理を施し、前記溶液を選択的に塗布した領
域に当該金属元素をゲッタリングさせる工程と、を有す
ることを特徴とする。
【００２０】上記構成において、珪素の結晶化を助長す
る金属元素としてニッケルが利用することが最も好まし
い。これは、結晶化及びゲッタリングの効果がニッケル
の場合に最も顕著に得られるからである。特にゲッタリ
ングの効果は、ニッケルと燐との組み合わせにおいて最
も大きく得ることができる。
る金属元素としてニッケルが利用することが最も好まし
い。これは、結晶化及びゲッタリングの効果がニッケル
の場合に最も顕著に得られるからである。特にゲッタリ
ングの効果は、ニッケルと燐との組み合わせにおいて最
も大きく得ることができる。
【００２１】なお、金属元素としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｓｂから選ばれた一種または複
数種類のものを用いることもできる。
ｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｓｂから選ばれた一種または複
数種類のものを用いることもできる。
【００２２】加熱処理の方法としては、ヒーターを用い
た普通の加熱炉において行う方法が一般的である。しか
し、ＲＴＡ法と呼ばれる強光の照射による方法を用いて
もよい。
た普通の加熱炉において行う方法が一般的である。しか
し、ＲＴＡ法と呼ばれる強光の照射による方法を用いて
もよい。
【００２３】燐を含有した溶液としてＰ2 Ｏ5 および／
またはＨx ＰＯ3 を含んだ溶液を用いることができる。
またはＨx ＰＯ3 を含んだ溶液を用いることができる。
【００２４】また、燐を含有した溶液として燐を含有し
た酸化珪素系被膜形成用の塗布液を用いることができ
る。この溶液として代表的なものは、東京応化工業株式
会社のＯＣＤ溶液である。
た酸化珪素系被膜形成用の塗布液を用いることができ
る。この溶液として代表的なものは、東京応化工業株式
会社のＯＣＤ溶液である。
【００２５】この溶液は、塗布後にベークすることによ
り固化し酸化珪素系の被膜となる。この場合、燐を含有
した溶液を固相化する工程が必要とされる。
り固化し酸化珪素系の被膜となる。この場合、燐を含有
した溶液を固相化する工程が必要とされる。
【００２６】また、燐を含有した溶液としては、燐酸化
合物を溶かした溶液を用いることができる。
合物を溶かした溶液を用いることができる。
【００２７】溶液を導入した後は、 （１）スピンドライによって、余分な溶液を吹き飛ば
し、燐が表面に接した状態とする。 （２）加熱乾燥させて、液体成分を飛ばし、燐が表面に
接した状態とする。 （３）ベークし固相化させ、膜（例えば酸化珪素膜）と
する。
し、燐が表面に接した状態とする。 （２）加熱乾燥させて、液体成分を飛ばし、燐が表面に
接した状態とする。 （３）ベークし固相化させ、膜（例えば酸化珪素膜）と
する。
【００２８】といった方法により、燐が非晶質珪素膜の
表面の一部に接して保持された状態とする。そして、加
熱処理を施すことにより、燐を非晶質珪素膜中に僅かに
拡散させ（しみださせ）、ニッケルのゲッタリングを行
わせる。
表面の一部に接して保持された状態とする。そして、加
熱処理を施すことにより、燐を非晶質珪素膜中に僅かに
拡散させ（しみださせ）、ニッケルのゲッタリングを行
わせる。
【００２９】他の発明の構成は、非晶質珪素膜の表面の
一部の領域に珪素の結晶化を助長する金属元素を含む溶
液を選択的に接して保持させる工程と、加熱処理を施し
前記一部の領域から他の領域へと当該金属元素を拡散さ
せ膜面に平行な方向に結晶成長を行わす工程と、前記一
部の領域に燐を含有した溶液を選択的に接して保持させ
る工程と、加熱処理を施し、前記一部の領域に当該金属
元素をゲッタリングさせる工程と、を有することを特徴
とする。
一部の領域に珪素の結晶化を助長する金属元素を含む溶
液を選択的に接して保持させる工程と、加熱処理を施し
前記一部の領域から他の領域へと当該金属元素を拡散さ
せ膜面に平行な方向に結晶成長を行わす工程と、前記一
部の領域に燐を含有した溶液を選択的に接して保持させ
る工程と、加熱処理を施し、前記一部の領域に当該金属
元素をゲッタリングさせる工程と、を有することを特徴
とする。
【００３０】他の発明の構成は、非晶質珪素膜の表面の
一部の領域に珪素の結晶化を助長する金属元素を含む溶
液を選択的に接して保持させる工程と、加熱処理を施し
前記一部の領域から他の領域へと当該金属元素を拡散さ
せ膜面に平行な方向に結晶成長を行わす工程と、前記一
部の領域に燐を含有した溶液を選択的に接して保持させ
る工程と、加熱処理を施し、前記拡散と逆の経路を辿っ
て金属元素を移動させる工程と、を有することを特徴と
する。
一部の領域に珪素の結晶化を助長する金属元素を含む溶
液を選択的に接して保持させる工程と、加熱処理を施し
前記一部の領域から他の領域へと当該金属元素を拡散さ
せ膜面に平行な方向に結晶成長を行わす工程と、前記一
部の領域に燐を含有した溶液を選択的に接して保持させ
る工程と、加熱処理を施し、前記拡散と逆の経路を辿っ
て金属元素を移動させる工程と、を有することを特徴と
する。
【００３１】他の発明の構成は、珪素の結晶化を助長す
る金属元素の作用を利用し結晶性珪素膜を形成する工程
と、前記結晶性珪素膜の一部の領域の表面に燐を含有し
た材料を選択的に接して保持させる工程と、加熱処理を
施し、前記一部の領域に当該金属元素をゲッタリングさ
せる工程と、を有することを特徴とする。
る金属元素の作用を利用し結晶性珪素膜を形成する工程
と、前記結晶性珪素膜の一部の領域の表面に燐を含有し
た材料を選択的に接して保持させる工程と、加熱処理を
施し、前記一部の領域に当該金属元素をゲッタリングさ
せる工程と、を有することを特徴とする。
【００３２】上記構成において、燐を含有した材料は、
燐を含有した酸化珪素系被膜形成用の塗布液を塗布し、
しかる後に加熱処理を施し酸化珪素系被膜を形成するこ
とにより得られることを特徴とする。
燐を含有した酸化珪素系被膜形成用の塗布液を塗布し、
しかる後に加熱処理を施し酸化珪素系被膜を形成するこ
とにより得られることを特徴とする。
【００３３】この構成の例としては、ＰＳＧ膜や東京応
化工業株式会社のＯＣＤ溶液を用いた酸化珪素系被膜を
形成する場合の例を挙げることができる。
化工業株式会社のＯＣＤ溶液を用いた酸化珪素系被膜を
形成する場合の例を挙げることができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】図１に示すように非晶質珪素膜１
０２の上にマスク１０４を配置し、その状態でニッケル
を含んだ溶液を塗布する。
０２の上にマスク１０４を配置し、その状態でニッケル
を含んだ溶液を塗布する。
【００３５】そしてマスクの開口部１０３においてニッ
ケル元素が非晶質珪素膜の表面に接して保持された状態
とする。
ケル元素が非晶質珪素膜の表面に接して保持された状態
とする。
【００３６】次に加熱処理を施し非晶質珪素膜を結晶化
させる。さらに燐を含んだ溶液を塗布し、開口１０３が
形成された領域において燐が珪素膜に接して保持させた
状態とする。
させる。さらに燐を含んだ溶液を塗布し、開口１０３が
形成された領域において燐が珪素膜に接して保持させた
状態とする。
【００３７】次に加熱処理を施し、燐が導入された領域
にニッケル元素をゲッタリングさせる。この際、ニッケ
ル元素は図１（Ｃ）の結晶成長の段階における拡散経路
の逆を辿って燐が接して保持された領域に集まる。こう
して、珪素膜中のニッケル元素を低減させる。
にニッケル元素をゲッタリングさせる。この際、ニッケ
ル元素は図１（Ｃ）の結晶成長の段階における拡散経路
の逆を辿って燐が接して保持された領域に集まる。こう
して、珪素膜中のニッケル元素を低減させる。
【００３８】
〔実施例１〕図１〜図２に本実施例の作製工程を示す。
ここでは、横成長という結晶成長形態を用いてＮチャネ
ル型のＴＦＴを作製する場合の例を示す。
ここでは、横成長という結晶成長形態を用いてＮチャネ
ル型のＴＦＴを作製する場合の例を示す。
【００３９】まず、図１（Ａ）に示すようにガラス基板
１０１上に非晶質珪素膜１０２を減圧熱ＣＶＤ法でもっ
て５０ｎｍの厚さに成膜する。
１０１上に非晶質珪素膜１０２を減圧熱ＣＶＤ法でもっ
て５０ｎｍの厚さに成膜する。
【００４０】非晶質珪素膜の成膜方法はプラズマＣＶＤ
法でもよいが、減圧熱ＣＶＤ法で成膜した非晶質珪素膜
の方が結晶性珪素膜を得る目的のためには適している。
法でもよいが、減圧熱ＣＶＤ法で成膜した非晶質珪素膜
の方が結晶性珪素膜を得る目的のためには適している。
【００４１】ガラス基板は、その表面に下地膜として酸
化珪素膜や酸化窒化珪素膜が成膜されているものを用い
てもよい。
化珪素膜や酸化窒化珪素膜が成膜されているものを用い
てもよい。
【００４２】また、ガラス基板以外に石英基板や絶縁膜
が成膜された半導体基板を利用してもよい。
が成膜された半導体基板を利用してもよい。
【００４３】非晶質珪素膜１０２を成膜したら、１２０
ｎｍ厚の酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法で成膜する。そ
してこの酸化珪素膜をパターニングすることにより、マ
スク１０４を形成する。このマスク１０４は、後に珪素
の結晶化を助長する金属元素であるニッケルを選択的に
導入する際に利用される。（図１（Ａ））
ｎｍ厚の酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法で成膜する。そ
してこの酸化珪素膜をパターニングすることにより、マ
スク１０４を形成する。このマスク１０４は、後に珪素
の結晶化を助長する金属元素であるニッケルを選択的に
導入する際に利用される。（図１（Ａ））
【００４４】このマスク１０４には、１０３で示される
ように開口部が設けられており、この部分で非晶質珪素
膜１０２が露呈している。この開口部１０３は、図面の
手前側から奥行き方向へと細長い長手形状を有してい
る。即ち、図１（Ａ）に示す状態において、非晶質珪素
膜１０２は、開口部１０３の部分で細長くその表面が露
呈している。
ように開口部が設けられており、この部分で非晶質珪素
膜１０２が露呈している。この開口部１０３は、図面の
手前側から奥行き方向へと細長い長手形状を有してい
る。即ち、図１（Ａ）に示す状態において、非晶質珪素
膜１０２は、開口部１０３の部分で細長くその表面が露
呈している。
【００４５】次にニッケル酢酸塩溶液を塗布し、図２
（Ｂ）の１０５で示すようにニッケル元素が表面に接し
て保持された状態を得る。
（Ｂ）の１０５で示すようにニッケル元素が表面に接し
て保持された状態を得る。
【００４６】この状態においては、開口部１０３の部分
でニッケル元素が非晶質珪素膜１０２の表面に接して保
持された状態となる。即ち、ニッケル元素が非晶質珪素
膜に対して選択的に導入された状態となる。
でニッケル元素が非晶質珪素膜１０２の表面に接して保
持された状態となる。即ち、ニッケル元素が非晶質珪素
膜に対して選択的に導入された状態となる。
【００４７】次に５７０℃、１４時間の加熱処理を施
す。この工程においては、図１（Ｃ）の１０６で示され
るような基板に平行な方向への結晶成長、即ち膜面に平
行な方向への結晶成長が進行する。（この結晶成長を横
成長と称する）
す。この工程においては、図１（Ｃ）の１０６で示され
るような基板に平行な方向への結晶成長、即ち膜面に平
行な方向への結晶成長が進行する。（この結晶成長を横
成長と称する）
【００４８】この結晶成長の距離は１００μｍ以上にも
渡って行わすことができる。上記加熱処理の温度が５８
０℃以上となると、自然核発生（ニッケルの作用によら
ない結晶成長）が横成長を阻害するので注意が必要であ
る。
渡って行わすことができる。上記加熱処理の温度が５８
０℃以上となると、自然核発生（ニッケルの作用によら
ない結晶成長）が横成長を阻害するので注意が必要であ
る。
【００４９】即ち、上記加熱処理の工程は、自然核発生
が生じない程度の温度で行わすことが重要となる。
が生じない程度の温度で行わすことが重要となる。
【００５０】次に燐を含有した溶液を塗布し、自然乾燥
させる。こうして図１（Ｄ）の１０７で示されるように
燐が表面に接して保持された状態が得られる。
させる。こうして図１（Ｄ）の１０７で示されるように
燐が表面に接して保持された状態が得られる。
【００５１】ここでは、燐を含有した溶液として燐酸と
燐酸塩とを混合した溶液を用いる。
燐酸塩とを混合した溶液を用いる。
【００５２】この状態においては、マスク１０４に形成
された開口１０３の底部において露呈した非晶質珪素膜
１０２の表面に選択的に燐が接して保持された状態が得
られる。
された開口１０３の底部において露呈した非晶質珪素膜
１０２の表面に選択的に燐が接して保持された状態が得
られる。
【００５３】この図１（Ｅ）に示す工程においては、塗
布後において単位面積あたりに存在する燐の密度が
（Ｂ）の工程におけるニッケルの密度よりも多くなるよ
うに溶液の濃度を調整する。
布後において単位面積あたりに存在する燐の密度が
（Ｂ）の工程におけるニッケルの密度よりも多くなるよ
うに溶液の濃度を調整する。
【００５４】後のニッケルのゲッタリング工程をより高
い効率で行うことを考えると、上記燐の密度はニッケル
の密度の１０倍以上となるようにすることが好ましい。
具体的には、溶液中における燐の濃度が１×１０20原子
／ｃｍ3 以上となる条件とすることが好ましい。
い効率で行うことを考えると、上記燐の密度はニッケル
の密度の１０倍以上となるようにすることが好ましい。
具体的には、溶液中における燐の濃度が１×１０20原子
／ｃｍ3 以上となる条件とすることが好ましい。
【００５５】このような燐の導入量の変更は、燐の導入
に溶液を用いることで容易に行うことができる。
に溶液を用いることで容易に行うことができる。
【００５６】次に再度の加熱処理を加える。ここでは、
窒素雰囲気中における６００℃、２時間の加熱処理を加
熱炉において行う。この工程では、膜中に拡散していた
ニッケル元素が１０８で示される経路で移動し、開口１
０３が設けられた領域にゲッタリングされる。
窒素雰囲気中における６００℃、２時間の加熱処理を加
熱炉において行う。この工程では、膜中に拡散していた
ニッケル元素が１０８で示される経路で移動し、開口１
０３が設けられた領域にゲッタリングされる。
【００５７】このニッケルの経路１０８は、（Ｃ）で示
す結晶化工程におけるニッケル元素の拡散経路と丁度逆
なものとなる。
す結晶化工程におけるニッケル元素の拡散経路と丁度逆
なものとなる。
【００５８】この工程において、燐化ニッケルとして燐
が導入された領域（開口１０３が設けられた領域）にニ
ッケルが固定化される。
が導入された領域（開口１０３が設けられた領域）にニ
ッケルが固定化される。
【００５９】燐とニッケルとの結合状態は、ＮｉＰやＮ
ｉＰ2 というように多用な状態を有し、またその結合は
非常に安定している。
ｉＰ2 というように多用な状態を有し、またその結合は
非常に安定している。
【００６０】一般に６００℃程度の温度では燐はほとん
ど移動しない。他方、６００℃程度の温度では、ニッケ
ルは盛んに移動する。
ど移動しない。他方、６００℃程度の温度では、ニッケ
ルは盛んに移動する。
【００６１】よって、燐化ニッケルは燐が導入された領
域に集中的に存在することになる。この状態は、燐にニ
ッケルがゲッタリングされた状態であるといえる。
域に集中的に存在することになる。この状態は、燐にニ
ッケルがゲッタリングされた状態であるといえる。
【００６２】こうして、膜中のニッケル元素濃度が低減
された横成長領域を得ることができる。
された横成長領域を得ることができる。
【００６３】上記ニッケルのゲッタリングのための加熱
処理温度は、５５０℃〜８００℃、好ましくは６００℃
〜７５０℃の範囲から選択すればよい。
処理温度は、５５０℃〜８００℃、好ましくは６００℃
〜７５０℃の範囲から選択すればよい。
【００６４】この温度範囲以上だと燐の拡散も顕在化す
るのでニッケルを所定の領域に集中させるという目的を
達成できない。
るのでニッケルを所定の領域に集中させるという目的を
達成できない。
【００６５】他方、この温度範囲以下だとニッケルの拡
散距離が短くなるのでやはりニッケルを所定の領域に集
中させるという目的を達成できない。
散距離が短くなるのでやはりニッケルを所定の領域に集
中させるという目的を達成できない。
【００６６】このゲッタリングのための加熱処理はＲＴ
Ａと称される強光の照射による方法により行ってもよ
い。また、この際レーザー光の照射を併用してもよい。
Ａと称される強光の照射による方法により行ってもよ
い。また、この際レーザー光の照射を併用してもよい。
【００６７】図１（Ｅ）に示す工程が終了したら、燐化
ニッケル成分、及び燐シリサイド成分を除去する。この
工程では、開口部１０３の領域で露呈している珪素膜が
選択的に除去される。
ニッケル成分、及び燐シリサイド成分を除去する。この
工程では、開口部１０３の領域で露呈している珪素膜が
選択的に除去される。
【００６８】次に開口部１０３が設けられていた領域で
露呈していた領域と結晶成長の先端部分の領域を避け
て、珪素膜のパターン２０１を形成する。（図２
（Ａ））
露呈していた領域と結晶成長の先端部分の領域を避け
て、珪素膜のパターン２０１を形成する。（図２
（Ａ））
【００６９】このパターンは後にＴＦＴの活性層とな
る。このパターンは、ＴＦＴの動作時においてチャネル
を移動するキャリアの移動方向に延長する軸と先の結晶
成長方向（横成長方向）に延長する軸とを合わせるよう
に設定する。
る。このパターンは、ＴＦＴの動作時においてチャネル
を移動するキャリアの移動方向に延長する軸と先の結晶
成長方向（横成長方向）に延長する軸とを合わせるよう
に設定する。
【００７０】本実施例において得られる珪素膜において
は、結晶粒界の延在方向が結晶成長の方向と概略一致し
ている。即ち、横成長方向において結晶粒界が横切って
存在する割合は非常に小さいものとなっている。
は、結晶粒界の延在方向が結晶成長の方向と概略一致し
ている。即ち、横成長方向において結晶粒界が横切って
存在する割合は非常に小さいものとなっている。
【００７１】よって、キャリアの移動方向軸と横成長方
向軸とをそろえることにより、キャリアの移動が阻害さ
れにくいものとすることができる。そして高い特性を有
するＴＦＴを得ることができる。
向軸とをそろえることにより、キャリアの移動が阻害さ
れにくいものとすることができる。そして高い特性を有
するＴＦＴを得ることができる。
【００７２】活性層のパターン２０１を形成したら、次
にプラズマＣＶＤ法によりゲイト絶縁膜として機能する
酸化珪素膜２０２を１００ｎｍの厚さに成膜する。（図
２（Ａ））
にプラズマＣＶＤ法によりゲイト絶縁膜として機能する
酸化珪素膜２０２を１００ｎｍの厚さに成膜する。（図
２（Ａ））
【００７３】次にスパッタリング法により４００ｎｍの
厚さにアルミニウム膜を成膜する。そしてレジストマス
ク２００を配置する。このレジストマスク２００を用い
て先のアルミニウム膜をパターニングし、アルミニウム
パターン２０３を得る。
厚さにアルミニウム膜を成膜する。そしてレジストマス
ク２００を配置する。このレジストマスク２００を用い
て先のアルミニウム膜をパターニングし、アルミニウム
パターン２０３を得る。
【００７４】こうして図２（Ａ）に示す状態を得る。次
に陽極酸化法を用いて、多孔質状の陽極酸化膜２０４を
４００ｎｍの厚さに成膜する。この工程は、レジストマ
スク２００を配置した状態で行い、アルミニウムパター
ンの側面のみにおいて陽極酸化が進行するようにする。
（図２（Ｂ））
に陽極酸化法を用いて、多孔質状の陽極酸化膜２０４を
４００ｎｍの厚さに成膜する。この工程は、レジストマ
スク２００を配置した状態で行い、アルミニウムパター
ンの側面のみにおいて陽極酸化が進行するようにする。
（図２（Ｂ））
【００７５】次にレジストマスク２００を除去し、再度
の陽極酸化を行う。この工程では、緻密な膜質を有する
陽極酸化膜２０５を７０ｎｍの厚さに成膜する。この工
程では、多孔質状の陽極酸化膜２０４の内部にまで電解
溶液が浸透する関係から、緻密な膜質を有する陽極酸化
膜２０５は多孔質状の陽極酸化膜２０４の内側に成膜さ
れる。（図２（Ｂ））
の陽極酸化を行う。この工程では、緻密な膜質を有する
陽極酸化膜２０５を７０ｎｍの厚さに成膜する。この工
程では、多孔質状の陽極酸化膜２０４の内部にまで電解
溶液が浸透する関係から、緻密な膜質を有する陽極酸化
膜２０５は多孔質状の陽極酸化膜２０４の内側に成膜さ
れる。（図２（Ｂ））
【００７６】こうして図２（Ｂ）に示す状態を得る。次
に燐のドーピングをプラズマドーピング法でもって行
う。
に燐のドーピングをプラズマドーピング法でもって行
う。
【００７７】この工程では、図２（Ｃ）に示すように２
０７と２０９の領域に燐がドーピングされる。また、２
０８の領域には燐がドーピングされない。
０７と２０９の領域に燐がドーピングされる。また、２
０８の領域には燐がドーピングされない。
【００７８】このドーピングは、普通のソース及びドレ
イン領域を形成するためのドーピング条件でよい。
イン領域を形成するためのドーピング条件でよい。
【００７９】この工程における燐のドーピングは、ソー
ス／ドレイン領域を決定するための役割と、２０８の領
域からにニッケル元素の除去の役割とがある。
ス／ドレイン領域を決定するための役割と、２０８の領
域からにニッケル元素の除去の役割とがある。
【００８０】なお、２０７の領域が後にソース領域にな
る。また２０８が後にドレイン領域になる。また、２１
１の領域にチャネル領域とそれに隣接する低濃度不純物
領域が形成される。
る。また２０８が後にドレイン領域になる。また、２１
１の領域にチャネル領域とそれに隣接する低濃度不純物
領域が形成される。
【００８１】次に４５０℃、２時間の加熱処理を施す。
この工程において、２０８の領域から２０７及び２０９
の領域に向かって残留するニッケル元素が移動する。
この工程において、２０８の領域から２０７及び２０９
の領域に向かって残留するニッケル元素が移動する。
【００８２】この工程では、２０７及び２０９の領域に
ドーピングされた燐にニッケルがゲッタリングされる。
即ち、２０７及び２０９の領域にニッケルがゲッタリン
グされる。
ドーピングされた燐にニッケルがゲッタリングされる。
即ち、２０７及び２０９の領域にニッケルがゲッタリン
グされる。
【００８３】次に多孔質状の陽極酸化膜２０４を選択的
に除去する。そして再度燐のドーピングを行う。この工
程は、先の図２（Ｃ）の工程におけるドーピングに比較
してライトドーピング（低ドーズ量）の条件でもって行
う。
に除去する。そして再度燐のドーピングを行う。この工
程は、先の図２（Ｃ）の工程におけるドーピングに比較
してライトドーピング（低ドーズ量）の条件でもって行
う。
【００８４】この工程において、２１０、２１２の領域
に低ドーズ量でもってドーピングが行われる。そして、
これらの領域は低濃度不純物領域となる。（図２
（Ｄ））
に低ドーズ量でもってドーピングが行われる。そして、
これらの領域は低濃度不純物領域となる。（図２
（Ｄ））
【００８５】低濃度不純物領域というのは、２０７や２
０９の領域に比較してより低濃度に不純物が含まれてい
る領域という意味である。この意味で２０７や２０９の
領域は高濃度不純物領域ということができる。
０９の領域に比較してより低濃度に不純物が含まれてい
る領域という意味である。この意味で２０７や２０９の
領域は高濃度不純物領域ということができる。
【００８６】この低濃度不純物領域２１０、２１２の寸
法は、多孔質状の陽極酸化膜２０４の成長距離によって
決定される。
法は、多孔質状の陽極酸化膜２０４の成長距離によって
決定される。
【００８７】ここでドーピングの行われなかった２１１
の領域はＴＦＴのチャネル領域となる。なお、緻密な膜
質を有する陽極酸化膜２０５の膜厚分でもってチャネル
領域に隣接してオフセット領域が形成されるが、ここで
は陽極酸化膜２０５の膜厚が７０ｎｍと薄いのでその存
在は省略する。
の領域はＴＦＴのチャネル領域となる。なお、緻密な膜
質を有する陽極酸化膜２０５の膜厚分でもってチャネル
領域に隣接してオフセット領域が形成されるが、ここで
は陽極酸化膜２０５の膜厚が７０ｎｍと薄いのでその存
在は省略する。
【００８８】ドーピングの終了後、レーザー光を照射し
てドーピング時に生じた結晶構造の損傷のアニールとド
ーパントの活性化とを行う。この工程は、強光の照射に
よって行ってもよい。
てドーピング時に生じた結晶構造の損傷のアニールとド
ーパントの活性化とを行う。この工程は、強光の照射に
よって行ってもよい。
【００８９】こうしてソース領域２０７、ドレイン領域
２０９、低濃度不純物領域２１０及び２１２、チャネル
領域２１１を得る。
２０９、低濃度不純物領域２１０及び２１２、チャネル
領域２１１を得る。
【００９０】図２（Ｄ）に示す状態を得たら、図２
（Ｅ）に示すように層間絶縁膜として窒化珪素膜２１３
を２００ｎｍの厚さに成膜する。さらにアクリル樹脂膜
２１４をスピンコート法でもって成膜する。アクリル樹
脂膜はその最小の膜厚が６００ｎｍとなるようにする。
こうして図２（Ｅ）に示すＮチャネル型のＴＦＴを完成
させる。
（Ｅ）に示すように層間絶縁膜として窒化珪素膜２１３
を２００ｎｍの厚さに成膜する。さらにアクリル樹脂膜
２１４をスピンコート法でもって成膜する。アクリル樹
脂膜はその最小の膜厚が６００ｎｍとなるようにする。
こうして図２（Ｅ）に示すＮチャネル型のＴＦＴを完成
させる。
【００９１】図１（Ｅ）における燐の導入方法として
は、溶液を用いる方法以外にＰＳＧ膜を利用した方法を
用いるこもできる。また、ＰＨ3 のような燐を含んだガ
スを少なくとも含んだ雰囲気に試料を曝す方法を採用し
てもよい。
は、溶液を用いる方法以外にＰＳＧ膜を利用した方法を
用いるこもできる。また、ＰＨ3 のような燐を含んだガ
スを少なくとも含んだ雰囲気に試料を曝す方法を採用し
てもよい。
【００９２】これらの方法を実行するには、図１（Ｅ）
に示す状態において、ＰＳＧ膜を成膜する、あるいはＰ
Ｈ3 を含有した雰囲気に曝すという工程を実行すればよ
い。
に示す状態において、ＰＳＧ膜を成膜する、あるいはＰ
Ｈ3 を含有した雰囲気に曝すという工程を実行すればよ
い。
【００９３】〔実施例２〕本実施例では、実施例１に示
す作製工程において、ゲイト電極として導電型を付与し
た珪素膜を用いた場合の例を示す。
す作製工程において、ゲイト電極として導電型を付与し
た珪素膜を用いた場合の例を示す。
【００９４】ゲイト電極に珪素膜を用いた場合には、図
２（Ｃ）に示す工程における加熱処理をガラス基板の耐
える温度（例えば６５０℃程度）まで高めることができ
る。この場合、ニッケルの２０７及び２０９の領域への
ゲッタリング効果をさらに高いものとすることができ
る。
２（Ｃ）に示す工程における加熱処理をガラス基板の耐
える温度（例えば６５０℃程度）まで高めることができ
る。この場合、ニッケルの２０７及び２０９の領域への
ゲッタリング効果をさらに高いものとすることができ
る。
【００９５】ゲイト電極の材料としては、各種シリサイ
ド材料や各種金属材料を用いることができる。例えば、
タンタルや窒化タンタル等の材料を用いることができ
る。
ド材料や各種金属材料を用いることができる。例えば、
タンタルや窒化タンタル等の材料を用いることができ
る。
【００９６】〔実施例３〕本実施例では、実施例１に示
す作製工程を基礎としてＰチャネル型のＴＦＴを作製す
る場合の例を示す。
す作製工程を基礎としてＰチャネル型のＴＦＴを作製す
る場合の例を示す。
【００９７】Ｐチャネル型のＴＦＴを作製する場合に
は、図２（Ｃ）及び図２（Ｄ）に示すドーピング時にボ
ロンのドーピングを行う。この場合、図２（Ｃ）に示す
ゲッタリング効果は得ることができない。
は、図２（Ｃ）及び図２（Ｄ）に示すドーピング時にボ
ロンのドーピングを行う。この場合、図２（Ｃ）に示す
ゲッタリング効果は得ることができない。
【００９８】これは、ボロンにはニッケルをゲッタリン
グする作用がないからである。即ち、ボロンには燐と同
様な効果が期待できないからである。
グする作用がないからである。即ち、ボロンには燐と同
様な効果が期待できないからである。
【００９９】〔実施例４〕本実施例では、Ｐチャネル型
のＴＦＴを作製する場合において、さらに図２（Ｃ）に
示すようなゲッタリングを行う場合の例を示す。
のＴＦＴを作製する場合において、さらに図２（Ｃ）に
示すようなゲッタリングを行う場合の例を示す。
【０１００】この場合は、図２（Ｃ）に示す工程まで実
施例１に示す作製工程に従う。即ち、図２（Ｃ）に示す
段階までＮチャネル型のＴＦＴを作製する工程に従う。
その後にボロンのドーピングを行い、燐に影響を打ち消
す。
施例１に示す作製工程に従う。即ち、図２（Ｃ）に示す
段階までＮチャネル型のＴＦＴを作製する工程に従う。
その後にボロンのドーピングを行い、燐に影響を打ち消
す。
【０１０１】即ち、まず燐のドーピングを２０７及び２
０９の対して行い、その後に加熱処理を施すことにより
図２（Ｃ）に示すように２０７及び２０９の領域へのニ
ッケルのゲッタリングを行う。（この段階まではＮチャ
ネル型のＴＦＴの作製工程である）
０９の対して行い、その後に加熱処理を施すことにより
図２（Ｃ）に示すように２０７及び２０９の領域へのニ
ッケルのゲッタリングを行う。（この段階まではＮチャ
ネル型のＴＦＴの作製工程である）
【０１０２】その後にボロンのドーピングを燐の影響を
打ち消す条件で行う。次に多孔質状の陽極酸化膜２０４
を除去する。
打ち消す条件で行う。次に多孔質状の陽極酸化膜２０４
を除去する。
【０１０３】そして（Ｄ）に示す工程において２１０、
２１２の領域にボロンのライトドーピングを行う。
２１２の領域にボロンのライトドーピングを行う。
【０１０４】そしてレーザー光の照射によるアニールを
行い、Ｐ型を有する領域２０７、２１０、２１２、２０
９を得る。ここで、２０７がソース領域、２０９がドレ
イン領域、２１０及び２１２が低濃度不純物領域とな
る。
行い、Ｐ型を有する領域２０７、２１０、２１２、２０
９を得る。ここで、２０７がソース領域、２０９がドレ
イン領域、２１０及び２１２が低濃度不純物領域とな
る。
【０１０５】本実施例では、ゲッタリング用の燐のドー
ピングを行った後にソース／ドレイン領域と低濃度不純
物領域を形成するためのボロンのドーピングを行う。本
実施例は、ドーピングの回数が増えるという欠点はある
が、ソース／ドレインとなる領域へのゲッタリングを行
うことができる優位性がある。
ピングを行った後にソース／ドレイン領域と低濃度不純
物領域を形成するためのボロンのドーピングを行う。本
実施例は、ドーピングの回数が増えるという欠点はある
が、ソース／ドレインとなる領域へのゲッタリングを行
うことができる優位性がある。
【０１０６】〔実施例５〕本実施例では、Ｐチャネル型
のＴＦＴとＮチャネル型のＴＦＴとを相補型に組み合わ
せた構造を提供する場合の例を示す。
のＴＦＴとＮチャネル型のＴＦＴとを相補型に組み合わ
せた構造を提供する場合の例を示す。
【０１０７】図３に本実施例の作製工程を示す。まず図
１（Ａ）〜図１（Ｅ）に示す作製工程に従って横成長さ
せた結晶性珪素膜を得る。そして横成長した領域を用い
て図３（Ａ）に示す活性層パターン３０２、３０３を得
る。なお、図３（Ａ）において、３０１はガラス基板で
ある。
１（Ａ）〜図１（Ｅ）に示す作製工程に従って横成長さ
せた結晶性珪素膜を得る。そして横成長した領域を用い
て図３（Ａ）に示す活性層パターン３０２、３０３を得
る。なお、図３（Ａ）において、３０１はガラス基板で
ある。
【０１０８】また、３０２のパターンはＰチャネル型Ｔ
ＦＴの活性層となるパターンであり、３０３はＮチャネ
ル型ＴＦＴの活性層となるパターンである。
ＦＴの活性層となるパターンであり、３０３はＮチャネ
ル型ＴＦＴの活性層となるパターンである。
【０１０９】活性層パターンを形成したら、ゲイト絶縁
膜３０４を成膜する。そして図示しないアルミニウム膜
を成膜し、レジストマスク３００を用いてアルミニウム
パターン３０５、３０６を形成する。アルミニウムに代
わる材料としては、タンタルを利用することができる。
タンタルもまた陽極酸化が可能であり、アルミニウムと
同じように利用することができる。
膜３０４を成膜する。そして図示しないアルミニウム膜
を成膜し、レジストマスク３００を用いてアルミニウム
パターン３０５、３０６を形成する。アルミニウムに代
わる材料としては、タンタルを利用することができる。
タンタルもまた陽極酸化が可能であり、アルミニウムと
同じように利用することができる。
【０１１０】こうして図３（Ａ）に示す状態を得る。図
３（Ａ）に示す状態を得たら、陽極酸化を行うことによ
り、多孔質状の陽極酸化膜３０７、３０８を形成する。
この工程では、図示しないがレジストマスク３００を残
存させた状態で陽極酸化を行い、アルミニウムパターン
の側面に多孔質状の陽極酸化を進行させる。（図３
（Ｂ））
３（Ａ）に示す状態を得たら、陽極酸化を行うことによ
り、多孔質状の陽極酸化膜３０７、３０８を形成する。
この工程では、図示しないがレジストマスク３００を残
存させた状態で陽極酸化を行い、アルミニウムパターン
の側面に多孔質状の陽極酸化を進行させる。（図３
（Ｂ））
【０１１１】次にレジストマスクを除去し、再度の陽極
酸化を行う。この工程では、緻密な膜質を有する陽極酸
化膜３０９、３１０が形成される。（図３（Ｂ））
酸化を行う。この工程では、緻密な膜質を有する陽極酸
化膜３０９、３１０が形成される。（図３（Ｂ））
【０１１２】この状態において、陽極酸化されずに残存
したアルミニウムパターン３１１、３１２がゲイト電極
となる。（図３（Ｂ））
したアルミニウムパターン３１１、３１２がゲイト電極
となる。（図３（Ｂ））
【０１１３】次に露呈した酸化珪素膜を垂直異方性を有
するドライエッチング法を用いてエッチングし、図３
（Ｃ）に示す状態を得る。この状態においては、３１３
及び３１４で示される酸化珪素膜のパターンが得られ
る。
するドライエッチング法を用いてエッチングし、図３
（Ｃ）に示す状態を得る。この状態においては、３１３
及び３１４で示される酸化珪素膜のパターンが得られ
る。
【０１１４】次に多孔質状の陽極酸化膜３０７、３０８
を除去する。そして図示しないが片方のＴＦＴ部分をレ
ジストマスクでマスクし、片方づつ燐及びボロンのドー
ピングを行う。
を除去する。そして図示しないが片方のＴＦＴ部分をレ
ジストマスクでマスクし、片方づつ燐及びボロンのドー
ピングを行う。
【０１１５】この際、残存した酸化珪素膜３０３及び３
１４の一部がマスクとなり、３１６、３１８、３２１、
３２３の領域には、３１５、３１９、３２０、３２４の
領域に比較してより低ドーズ量でもってドーピングが行
われる。（図３（Ｄ））
１４の一部がマスクとなり、３１６、３１８、３２１、
３２３の領域には、３１５、３１９、３２０、３２４の
領域に比較してより低ドーズ量でもってドーピングが行
われる。（図３（Ｄ））
【０１１６】こうして、高濃度にドーピングされた領域
３１５、３１９、３２０、３２４が自己整合的に形成さ
れ、低濃度にドーピングされた領域３１６、３１８、３
２１、３２３が自己整合的に形成される。（図３
（Ｄ））
３１５、３１９、３２０、３２４が自己整合的に形成さ
れ、低濃度にドーピングされた領域３１６、３１８、３
２１、３２３が自己整合的に形成される。（図３
（Ｄ））
【０１１７】ここで、３１５がＰチャネル型ＴＦＴのソ
ース領域、３１９がＰチャネル型ＴＦＴのドレイン領
域、３２４がＮチャネル型ＴＦＴのソース領域、３２０
がＮチャネル型ＴＦＴのドレイン領域となる。（図３
（Ｄ））
ース領域、３１９がＰチャネル型ＴＦＴのドレイン領
域、３２４がＮチャネル型ＴＦＴのソース領域、３２０
がＮチャネル型ＴＦＴのドレイン領域となる。（図３
（Ｄ））
【０１１８】また、３１７及び３２２の領域は、ドーピ
ングが行われず、チャネル領域となる。また、３１６と
３１８はＰチャネル型ＴＦＴの低濃度不純物領域とな
る。さらに３２１と３２３はＮチャネル型ＴＦＴの低濃
度不純物領域となる。
ングが行われず、チャネル領域となる。また、３１６と
３１８はＰチャネル型ＴＦＴの低濃度不純物領域とな
る。さらに３２１と３２３はＮチャネル型ＴＦＴの低濃
度不純物領域となる。
【０１１９】図３（Ｄ）に示す状態が得られたら、層間
絶縁膜として窒化珪素膜３２５を成膜し、さらにアクリ
ル樹脂膜３２６を成膜する。
絶縁膜として窒化珪素膜３２５を成膜し、さらにアクリ
ル樹脂膜３２６を成膜する。
【０１２０】そしてコンタクトホールの形成を行い、Ｐ
チャネル型ＴＦＴのソース電極３２７、Ｎチャネル型Ｔ
ＦＴのソース電極３２９、両ＴＦＴに共通なドレイン電
極３２８を形成する。こうして相補型に構成されたＴＦ
Ｔ回路が完成する。
チャネル型ＴＦＴのソース電極３２７、Ｎチャネル型Ｔ
ＦＴのソース電極３２９、両ＴＦＴに共通なドレイン電
極３２８を形成する。こうして相補型に構成されたＴＦ
Ｔ回路が完成する。
【０１２１】この回路は、シフトレジスタ回路やバッフ
ァー回路、その他集積回路の基礎となる回路となる。
ァー回路、その他集積回路の基礎となる回路となる。
【０１２２】〔実施例６〕本実施例では、ニッケル元素
を非晶質珪素膜の表面の全体に導入して結晶化を行わせ
る場合の例である。
を非晶質珪素膜の表面の全体に導入して結晶化を行わせ
る場合の例である。
【０１２３】図４に本実施例の作製工程を示す。本実施
例では、結晶性珪素膜を得る工程と、その後のニッケル
元素のゲッタリング工程とを示す。
例では、結晶性珪素膜を得る工程と、その後のニッケル
元素のゲッタリング工程とを示す。
【０１２４】まず図４（Ａ）に示すようにガラス基板１
０１上に非晶質珪素膜１０２を成膜する。
０１上に非晶質珪素膜１０２を成膜する。
【０１２５】次にニッケル酢酸塩溶液を非晶質珪素膜１
０２の表面の全体に塗布し、非晶質珪素膜１０２の表面
の全体にニッケル元素の導入を行う。（図４（Ｂ））
０２の表面の全体に塗布し、非晶質珪素膜１０２の表面
の全体にニッケル元素の導入を行う。（図４（Ｂ））
【０１２６】次に加熱処理を行い非晶質珪素膜を結晶化
させ結晶性珪素膜４０２を得る。ここでは、６００℃、
８時間の加熱処理を行う。この工程では、横成長を行わ
せないので、自然核発生が生じる温度での加熱処理を行
ってもよい。（図４（Ｂ））
させ結晶性珪素膜４０２を得る。ここでは、６００℃、
８時間の加熱処理を行う。この工程では、横成長を行わ
せないので、自然核発生が生じる温度での加熱処理を行
ってもよい。（図４（Ｂ））
【０１２７】この工程における結晶化は、全面におい
て、点々と存在する核発生点から放射状に花が咲くよう
に結晶成長が進行する。この結晶成長部分を拡大して見
ると、図１に示す横成長と同じ結晶成長形態が観察され
る。
て、点々と存在する核発生点から放射状に花が咲くよう
に結晶成長が進行する。この結晶成長部分を拡大して見
ると、図１に示す横成長と同じ結晶成長形態が観察され
る。
【０１２８】こうして図４（Ｃ）に示すように結晶性珪
素膜４０２が得られる。次に酸化珪素膜でなるマスク４
０３を形成する。このマスク４０３には、開口４０５が
形成されている。（図４（Ｄ））
素膜４０２が得られる。次に酸化珪素膜でなるマスク４
０３を形成する。このマスク４０３には、開口４０５が
形成されている。（図４（Ｄ））
【０１２９】次に燐含有溶液を塗布することにより、４
０４で示されるように燐が表面に接して保持された状態
が得られる。（図４（Ｄ））
０４で示されるように燐が表面に接して保持された状態
が得られる。（図４（Ｄ））
【０１３０】この状態においては、結晶性珪素膜４０２
の一部の領域（開口４０５が形成されている領域）にお
いてのみ燐が結晶性珪素膜に接している。
の一部の領域（開口４０５が形成されている領域）にお
いてのみ燐が結晶性珪素膜に接している。
【０１３１】次に加熱処理を行うことにより、開口４０
５が設けられた領域（即ち、燐が接して保持された領
域）に向かって、膜全体に分布しているニッケル元素が
移動する。即ち、燐にニッケル元素がゲッタリングされ
る。（図４（Ｅ））
５が設けられた領域（即ち、燐が接して保持された領
域）に向かって、膜全体に分布しているニッケル元素が
移動する。即ち、燐にニッケル元素がゲッタリングされ
る。（図４（Ｅ））
【０１３２】図４（Ｄ）に示す作製工程が終了したら、
４０６で示すゲッタリングが終了した領域を用いてＴＦ
Ｔの活性層を形成する。そして実施例１に示すようにし
てＴＦＴを作製する。
４０６で示すゲッタリングが終了した領域を用いてＴＦ
Ｔの活性層を形成する。そして実施例１に示すようにし
てＴＦＴを作製する。
【０１３３】ここでは、ＴＦＴを作製する例を示すが、
得られた結晶性珪素膜を用いて、抵抗体、ダイオード、
キャパシタ、半導体センサー等を形成してもよい。
得られた結晶性珪素膜を用いて、抵抗体、ダイオード、
キャパシタ、半導体センサー等を形成してもよい。
【０１３４】〔実施例７〕本実施例では、逆スタガー型
のＴＦＴを作製する場合の例を示す。図５に本実施例の
作製工程を示す。まず、図５（Ａ）に示すようにガラス
基板５０１上に下地膜として酸化珪素膜５０２を成膜す
る。
のＴＦＴを作製する場合の例を示す。図５に本実施例の
作製工程を示す。まず、図５（Ａ）に示すようにガラス
基板５０１上に下地膜として酸化珪素膜５０２を成膜す
る。
【０１３５】ガラス基板の表面が平滑であり、またガラ
ス基板中の不純物の拡散が問題とならなければこの下地
膜は特に必要ない。
ス基板中の不純物の拡散が問題とならなければこの下地
膜は特に必要ない。
【０１３６】次にタンタルを用いてゲイト電極５０３を
形成する。ゲイト電極５０３の表面には陽極酸化膜を形
成してもよい。
形成する。ゲイト電極５０３の表面には陽極酸化膜を形
成してもよい。
【０１３７】ゲイト電極としては、タンタルと窒化タン
タルの積層体、さらには一導電型の珪素、各種シリサイ
ド、各種金属等を用いることができる。
タルの積層体、さらには一導電型の珪素、各種シリサイ
ド、各種金属等を用いることができる。
【０１３８】ゲイト電極５０３の側面はテーパー形状と
することが好ましい。これは、後の結晶化やゲッタリン
グの工程に際に重要な事項となる。
することが好ましい。これは、後の結晶化やゲッタリン
グの工程に際に重要な事項となる。
【０１３９】ゲイト電極５０３を形成したら、ゲイト絶
縁膜として酸化珪素膜５０４を成膜する。さらに非晶質
珪素膜５０５を成膜する。
縁膜として酸化珪素膜５０４を成膜する。さらに非晶質
珪素膜５０５を成膜する。
【０１４０】そして酸化珪素膜でなるマスク５０６を形
成する。この酸化珪素膜でなるマスク５０６には、開口
５０７が形成されている。この開口は、図面の手前方向
から奥行き方向へと延在する細長い長手形状を有してい
る。
成する。この酸化珪素膜でなるマスク５０６には、開口
５０７が形成されている。この開口は、図面の手前方向
から奥行き方向へと延在する細長い長手形状を有してい
る。
【０１４１】次にニッケルを含んだ溶液を塗布し、５０
８で示されるようにニッケル元素が表面に接して保持さ
れた状態を得る。（図５（Ａ））
８で示されるようにニッケル元素が表面に接して保持さ
れた状態を得る。（図５（Ａ））
【０１４２】この状態においては、マスク５０６に形成
された開口５０７の部分でニッケル元素が非晶質珪素膜
５０５に接して保持されている状態が得られる。
された開口５０７の部分でニッケル元素が非晶質珪素膜
５０５に接して保持されている状態が得られる。
【０１４３】次に加熱処理を施すことにより、５０９で
示されるようにニッケル元素の拡散に従う結晶成長を行
わせる。（図５（Ａ））
示されるようにニッケル元素の拡散に従う結晶成長を行
わせる。（図５（Ａ））
【０１４４】この際、ゲイト電極５０３の側面がテーパ
ー形状となっていないと、結晶成長の順調に進行しな
い。これは、ゲイト電極５０３の側面がテーパー形状と
なっていないと、非晶質珪素膜が段差を乗り越える部分
で結晶成長が阻害されてしまうからである。
ー形状となっていないと、結晶成長の順調に進行しな
い。これは、ゲイト電極５０３の側面がテーパー形状と
なっていないと、非晶質珪素膜が段差を乗り越える部分
で結晶成長が阻害されてしまうからである。
【０１４５】次に燐を含んだ溶液を塗布し、５００で示
されるように燐が表面に接して保持された状態を得る。
（図５（Ｂ））
されるように燐が表面に接して保持された状態を得る。
（図５（Ｂ））
【０１４６】この状態においては、開口部５０７の部分
で燐が珪素膜の表面に接して保持された状態となる。
で燐が珪素膜の表面に接して保持された状態となる。
【０１４７】次に再度の加熱処理を行う。この工程で
は、珪素膜中に拡散したニッケル元素が５０８で示すよ
うな経路でもって開口部５０７の領域に移動する。即
ち、燐が導入された領域にニッケル元素がゲッタリング
される。（図５（Ｂ））
は、珪素膜中に拡散したニッケル元素が５０８で示すよ
うな経路でもって開口部５０７の領域に移動する。即
ち、燐が導入された領域にニッケル元素がゲッタリング
される。（図５（Ｂ））
【０１４８】次に酸化珪素膜でなるマスク５０６を除去
し、さらに横成長した珪素膜の領域を用いてＴＦＴの活
性層を形成する。この活性層は、図５（Ｃ）の５１０、
５１１、５１２で示される各領域でなる島状のパターン
である。
し、さらに横成長した珪素膜の領域を用いてＴＦＴの活
性層を形成する。この活性層は、図５（Ｃ）の５１０、
５１１、５１２で示される各領域でなる島状のパターン
である。
【０１４９】次に酸化珪素膜でなるマスク５０９を形成
する。そしてプラズマドーピング法（またはイオン注入
法）を用いて燐のドーピングを行う。こうしてソース領
域５１０、ドレイン領域５１２、チャネル領域５１１を
形成する。（図５（Ｃ））
する。そしてプラズマドーピング法（またはイオン注入
法）を用いて燐のドーピングを行う。こうしてソース領
域５１０、ドレイン領域５１２、チャネル領域５１１を
形成する。（図５（Ｃ））
【０１５０】ドーピングの終了後、レーザー光の照射を
行うことにより、被ドーピング領域に生じた結晶構造の
アニールとドーパントの活性化とを行う。（図５
（Ｃ））
行うことにより、被ドーピング領域に生じた結晶構造の
アニールとドーパントの活性化とを行う。（図５
（Ｃ））
【０１５１】次にチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜
とを積層した膜でもって、ソース電極５１４、ドレイン
電極５１５とを形成する。こうして図５（Ｄ）に示す逆
スタガー型のＴＦＴを完成させる。
とを積層した膜でもって、ソース電極５１４、ドレイン
電極５１５とを形成する。こうして図５（Ｄ）に示す逆
スタガー型のＴＦＴを完成させる。
【０１５２】〔実施例８〕本実施例は、実施例７に示す
構成の変形例である。図６に本実施例の作製工程を示
す。
構成の変形例である。図６に本実施例の作製工程を示
す。
【０１５３】まず、実施例７に示す作製工程に従って、
図６（Ｂ）に示す状態を得る。
図６（Ｂ）に示す状態を得る。
【０１５４】次に図６（Ｃ）に示すように活性層６０１
を形成する。そして酸化珪素膜６０２でなるマスク６０
２を配置する。
を形成する。そして酸化珪素膜６０２でなるマスク６０
２を配置する。
【０１５５】次にＮ型微結晶珪素膜を成膜し、それをパ
ターニングすることにより、６０３、６０４で示すパタ
ーンを得る。ここで、６０３がソース領域、６０４がド
レイン領域となる。こうしてＮチャネル型のＴＦＴが完
成する。
ターニングすることにより、６０３、６０４で示すパタ
ーンを得る。ここで、６０３がソース領域、６０４がド
レイン領域となる。こうしてＮチャネル型のＴＦＴが完
成する。
【０１５６】ここでは導電率の高い微結晶膜を利用した
が、非晶質珪素膜であってもよい。なお、Ｎ型微結晶膜
の代わりにＰ型微結晶性膜を用いれば、Ｐチャネル型の
ＴＦＴを得ることができる。
が、非晶質珪素膜であってもよい。なお、Ｎ型微結晶膜
の代わりにＰ型微結晶性膜を用いれば、Ｐチャネル型の
ＴＦＴを得ることができる。
【０１５７】〔実施例９〕本実施例は、本明細書中で示
したＴＦＴを用いた半導体装置の例を示す。図７（Ａ）
に示すのは、携帯型の情報処理端末である。この情報処
理端末は、本体２００１にアクティブマトリクス型の液
晶ディスプレイまたはアクティブマトリクス型のＥＬデ
ィスプレイを備え、さらに外部から情報を取り込むため
のカメラ部２００２を備えている。
したＴＦＴを用いた半導体装置の例を示す。図７（Ａ）
に示すのは、携帯型の情報処理端末である。この情報処
理端末は、本体２００１にアクティブマトリクス型の液
晶ディスプレイまたはアクティブマトリクス型のＥＬデ
ィスプレイを備え、さらに外部から情報を取り込むため
のカメラ部２００２を備えている。
【０１５８】カメラ部２００２には、受像部２００３と
操作スイッチ２００４が配置されている。
操作スイッチ２００４が配置されている。
【０１５９】情報処理端末は、今後益々その携帯性を向
上させるために薄く、また軽くなるもと考えられてい
る。
上させるために薄く、また軽くなるもと考えられてい
る。
【０１６０】このような構成においては、アクティブマ
トリクス型のディスプレイ２００５が形成された基板上
周辺駆動回路や演算回路や記憶回路がＴＦＴでもって集
積化されることが好ましい。
トリクス型のディスプレイ２００５が形成された基板上
周辺駆動回路や演算回路や記憶回路がＴＦＴでもって集
積化されることが好ましい。
【０１６１】図７（Ｂ）に示すのは、ヘッドマウントデ
ィスプレイである。この装置は、アクティブマトリクス
型の液晶ディスプレイやＥＬディスプレイ２１０２を本
体２１０１に備えている。また、本体２１０１は、バン
ド２１０３で頭に装着できるようになっている。
ィスプレイである。この装置は、アクティブマトリクス
型の液晶ディスプレイやＥＬディスプレイ２１０２を本
体２１０１に備えている。また、本体２１０１は、バン
ド２１０３で頭に装着できるようになっている。
【０１６２】図７（Ｃ）に示すのは、カーナビゲーショ
ン装置である。この装置は、本体２２０１に液晶表示装
置２２０２と操作スイッチ２２０３を備え、アンテナ２
２０４で受診した信号によって、地理情報等を表示する
機能を有している。
ン装置である。この装置は、本体２２０１に液晶表示装
置２２０２と操作スイッチ２２０３を備え、アンテナ２
２０４で受診した信号によって、地理情報等を表示する
機能を有している。
【０１６３】図７（Ｄ）に示すのは、携帯電話である。
この装置は、本体２３０１にアクティブマトリクス型の
液晶表示装置２３０４、操作スイッチ２３０５、音声入
力部２３０３、音声出力部２３０２、アンテナ２３０６
を備えている。
この装置は、本体２３０１にアクティブマトリクス型の
液晶表示装置２３０４、操作スイッチ２３０５、音声入
力部２３０３、音声出力部２３０２、アンテナ２３０６
を備えている。
【０１６４】また、最近は、（Ａ）に示す携帯型情報処
理端末と（Ｄ）に示す携帯電話とを組み合わせたような
構成も商品化されている。このような構成においてもア
クティブマトリクス型のディスプレイとその他の回路を
同一基板上にＴＦＴでもって集積化する構成が有用とな
る。
理端末と（Ｄ）に示す携帯電話とを組み合わせたような
構成も商品化されている。このような構成においてもア
クティブマトリクス型のディスプレイとその他の回路を
同一基板上にＴＦＴでもって集積化する構成が有用とな
る。
【０１６５】図７（Ｅ）に示すのは、携帯型のビデオカ
メラである。これは、本体２４０１に受像部２４０６、
音声入力部２４０３、操作スイッチ２４０４、アクティ
ブマトリクス型の液晶ディスプレイ２４０２、バッテリ
ー２４０５を備えている。
メラである。これは、本体２４０１に受像部２４０６、
音声入力部２４０３、操作スイッチ２４０４、アクティ
ブマトリクス型の液晶ディスプレイ２４０２、バッテリ
ー２４０５を備えている。
【０１６６】図７（Ｆ）に示すのは、プロジェクシン型
の液晶表示装置である。この構成は、本体２５０１に光
源２５０２、アクティブマトリクス型の液晶表示装置２
５０３、光学系２５０４を備え、装置の外部に配置され
たスクリーン２５０５に画像を表示する機能を有してい
る。
の液晶表示装置である。この構成は、本体２５０１に光
源２５０２、アクティブマトリクス型の液晶表示装置２
５０３、光学系２５０４を備え、装置の外部に配置され
たスクリーン２５０５に画像を表示する機能を有してい
る。
【０１６７】ここでは、液晶表示装置としては、透過型
ものもでも反射型のものでも利用することができる。
ものもでも反射型のものでも利用することができる。
【０１６８】また、（Ａ）〜（Ｅ）に示す装置では、液
晶表示装置の代わりにＥＬ素子を利用したアクティブマ
トリクス型のディスプレイを用いることもできる。
晶表示装置の代わりにＥＬ素子を利用したアクティブマ
トリクス型のディスプレイを用いることもできる。
【０１６９】
【発明の効果】本明細書で開示する発明を利用すること
で、珪素の結晶化を助長する金属元素を用いて得られた
結晶性珪素膜を活性層として作製されるＴＦＴにおい
て、活性層中に残留する金属元素の濃度を低減できる技
術を提供することができる。そして、高い特性と信頼性
を有した半導体装置を提供することができる。
で、珪素の結晶化を助長する金属元素を用いて得られた
結晶性珪素膜を活性層として作製されるＴＦＴにおい
て、活性層中に残留する金属元素の濃度を低減できる技
術を提供することができる。そして、高い特性と信頼性
を有した半導体装置を提供することができる。
【図１】 結晶性珪素膜を得る工程を示す図。
【図２】 ＴＦＴの作製工程を示す図。
【図３】 ＴＦＴの作製工程を示す図。
【図４】 結晶性珪素膜を得る工程を示す図。
【図５】 ＴＦＴの作製工程を示す図。
【図６】 ＴＦＴの作製工程を示す図。
【図７】 ＴＦＴを利用した半導体装置の概要を示す
図。
図。
１０１ ガラス基板 １０２ 非晶質珪素膜 １０３ 開口 １０４ 酸化珪素膜でなるマスク １０５ 表面に接して保持されたニッケル元素 １０６ 結晶成長方向 １０７ 表面に接して保持された燐元素 １０８ ゲッタリングされるニッケルの移動方向 ２０１ 横成長領域でなる活性層パターン ２０２ ゲイト絶縁膜（酸化珪素膜） ２０３ アルミニウムパターン ２００ レジストマスク ２０４ 多孔質状の陽極酸化膜 ２０５ 緻密な膜質を有する陽極酸化膜 ２０６ アルミニウムでなるゲイト電極 ２０７ ソース領域（高濃度不純物領域） ２０８ 燐のドーピングが行われなかった領域 ２０９ ドレイン領域（高濃度不純物領域） ２１０ 低濃度不純物領域 ２１１ チャネル形成領域 ２１２ 低濃度不純物領域 ２１３ 層間絶縁膜（窒化珪素膜） ２１４ 層間絶縁膜（アクリル樹脂膜） ２１５ ソース電極 ２１６ ドレイン電極
Claims (19)
- 【請求項１】珪素の結晶化を助長する金属元素の作用を
利用し結晶性珪素膜を形成する工程と、 前記結晶性珪素膜の一部に燐を含有した溶液を選択的に
塗布する工程と、 加熱処理を施し、前記溶液を選択的に塗布した領域に当
該金属元素をゲッタリングさせる工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項２】請求項１において、珪素の結晶化を助長す
る金属元素としてニッケルが利用されることを特徴とす
る半導体装置の作製方法。 - 【請求項３】請求項１において、珪素の結晶化を助長す
る金属元素としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｉ
ｎ、Ｓｂから選ばれた一種または複数種類のものが利用
されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項４】請求項１において、加熱処理として強光の
照射による方法を利用することを特徴とする半導体装置
の作製方法。 - 【請求項５】請求項１において、燐を含有した溶液とし
てＰ2 Ｏ5 および／またはＨx ＰＯ3 を含んだ溶液を用
いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項６】請求項１において、燐を含有した溶液とし
て燐を含有した酸化珪素系被膜形成用の塗布液を用いる
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項７】請求項１において、燐を含有した溶液とし
て燐酸化合物を溶かした溶液を用いることを特徴とする
半導体装置の作製方法。 - 【請求項８】請求項１において、燐を含有した溶液を固
相化する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製
方法。 - 【請求項９】非晶質珪素膜の一部の領域に珪素の結晶化
を助長する金属元素を含む溶液を選択的に接して保持さ
せる工程と、 加熱処理を施し前記一部の領域から他の領域へと当該金
属元素を拡散させ膜面に平行な方向に結晶成長を行わす
工程と、 前記一部の領域に燐を含有した溶液を選択的に接して保
持させる工程と、 加熱処理を施し、前記一部の領域に当該金属元素をゲッ
タリングさせる工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項１０】非晶質珪素膜の一部の領域に珪素の結晶
化を助長する金属元素を含む溶液を選択的に接して保持
させる工程と、 加熱処理を施し前記一部の領域から他の領域へと当該金
属元素を拡散させ膜面に平行な方向に結晶成長を行わす
工程と、 前記一部の領域に燐を含有した溶液を選択的に接して保
持させる工程と、 加熱処理を施し、前記拡散と逆の経路を辿って金属元素
を移動させる工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項１１】請求項９または請求項１０において、珪
素の結晶化を助長する金属元素としてニッケルが利用さ
れることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項１２】請求項９または請求項１０において、珪
素の結晶化を助長する金属元素としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ
から選ばれた一種または複数種類のものが利用されるこ
とを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項１３】請求項９または請求項１０において、加
熱処理として強光の照射による方法を利用することを特
徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項１４】請求項９または請求項１０において、燐
を含有した溶液としてＰ2 Ｏ5 および／またはＨx ＰＯ
3 を含んだ溶液を用いることを特徴とする半導体装置の
作製方法。 - 【請求項１５】請求項９または請求項１０において、燐
を含有した溶液として燐を含有した酸化珪素系被膜形成
用の塗布液を用いることを特徴とする半導体装置の作製
方法。 - 【請求項１６】請求項９または請求項１０において、燐
を含有した溶液として燐酸化合物を溶かした溶液を用い
ることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項１７】請求項９または請求項１０において、燐
を含有した溶液を固相化する工程を含むことを特徴とす
る半導体装置の作製方法。 - 【請求項１８】珪素の結晶化を助長する金属元素の作用
を利用し結晶性珪素膜を形成する工程と、 前記結晶性珪素膜の一部の領域の表面に燐を含有した材
料を選択的に接して保持させる工程と、 加熱処理を施し、前記一部の領域に当該金属元素をゲッ
タリングさせる工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項１９】請求項１８において、 燐を含有した材料は、 燐を含有した酸化珪素系被膜形成用の塗布液を塗布し、 しかる後に加熱処理を施し酸化珪素系被膜を形成するこ
とにより得られることを特徴とする半導体装置の作製方
法。
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|---|---|---|---|
| JP17635397A JP3717634B2 (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 半導体装置の作製方法 |
| US09/098,004 US6156590A (en) | 1997-06-17 | 1998-06-16 | Method for producing semiconductor device |
| US09/717,142 US6544826B1 (en) | 1997-06-17 | 2000-11-22 | Method for producing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17635397A JP3717634B2 (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118393A true JPH118393A (ja) | 1999-01-12 |
| JP3717634B2 JP3717634B2 (ja) | 2005-11-16 |
Family
ID=16012129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17635397A Expired - Fee Related JP3717634B2 (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 半導体装置の作製方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6156590A (ja) |
| JP (1) | JP3717634B2 (ja) |
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