JPH118221A - マイクロ素子の製造方法 - Google Patents
マイクロ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH118221A JPH118221A JP19631197A JP19631197A JPH118221A JP H118221 A JPH118221 A JP H118221A JP 19631197 A JP19631197 A JP 19631197A JP 19631197 A JP19631197 A JP 19631197A JP H118221 A JPH118221 A JP H118221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- semiconductor wafer
- bonding
- bonding agent
- etchant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
- B29C66/01—General aspects dealing with the joint area or with the area to be joined
- B29C66/03—After-treatments in the joint area
- B29C66/032—Mechanical after-treatments
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
- B29C37/02—Deburring or deflashing
- B29C37/04—Deburring or deflashing of welded articles, e.g. deburring or deflashing in combination with welding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/756—Microarticles, nanoarticles
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハ同士を接着するに際して、マイ
クロ化された構造体にあって研磨によっては取り除くこ
とのできない箇所における接着剤のはみ出し部分を除去
できるようにする。 【構成】 半導体ウエハの接着工程を必要とする半導体
ウエハを用いたマイクロマシニング加工によってマイク
ロ素子を製造する方法において、半導体ウエハ同士を接
着剤によって接着した後に、その接着剤を溶融するエッ
チング液によって接着面からはみ出した接着剤を除去す
る工程をとるようにする。
クロ化された構造体にあって研磨によっては取り除くこ
とのできない箇所における接着剤のはみ出し部分を除去
できるようにする。 【構成】 半導体ウエハの接着工程を必要とする半導体
ウエハを用いたマイクロマシニング加工によってマイク
ロ素子を製造する方法において、半導体ウエハ同士を接
着剤によって接着した後に、その接着剤を溶融するエッ
チング液によって接着面からはみ出した接着剤を除去す
る工程をとるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハを用いた
マイクロマシニング加工によってマイクロ素子を製造す
る方法に関する。
マイクロマシニング加工によってマイクロ素子を製造す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、センサ本体に角速度運動が加わっ
たときのガス流の偏向状態から角速度を検出するガスレ
ートセンサ、あるいは流速計や流量計などにあっては、
超小形化を図るべく、ガスなどの流体の流路を含むセン
サ本体を、半導体ウエハを用いたＩＣ製造技術を利用し
たマイクロマシニング加工によって製造するようにして
いる。
たときのガス流の偏向状態から角速度を検出するガスレ
ートセンサ、あるいは流速計や流量計などにあっては、
超小形化を図るべく、ガスなどの流体の流路を含むセン
サ本体を、半導体ウエハを用いたＩＣ製造技術を利用し
たマイクロマシニング加工によって製造するようにして
いる。
【０００３】そして、半導体ウエハを用いたマイクロマ
シニング加工によってガスレートセンサ本体などのマイ
クロ素子を製造するに際して、例えば、少なくとも一方
に凹溝が形成された半導体ウエハ同士を接着させてその
間に流路を形成させるなどのために、半導体ウエハの接
着が重要な工程になっている。
シニング加工によってガスレートセンサ本体などのマイ
クロ素子を製造するに際して、例えば、少なくとも一方
に凹溝が形成された半導体ウエハ同士を接着させてその
間に流路を形成させるなどのために、半導体ウエハの接
着が重要な工程になっている。
【０００４】その場合、簡便な接着方法として、半導体
ウエハの接着面にシート状接着剤を置いたり、接着剤を
塗布したりして、半導体ウエハ同士の接着を行わせるよ
うにしている。
ウエハの接着面にシート状接着剤を置いたり、接着剤を
塗布したりして、半導体ウエハ同士の接着を行わせるよ
うにしている。
【０００５】しかして、接着剤を用いて半導体ウエハ同
士の接着を行わせるようにすると、その接着面から接着
剤がはみ出してしまう。その際、例えば、ガスレートセ
ンサにおけるガス流路内に接着剤がはみ出してしまう
と、ガス流の乱れを生じてセンサ精度を低下させてしま
うことになる。
士の接着を行わせるようにすると、その接着面から接着
剤がはみ出してしまう。その際、例えば、ガスレートセ
ンサにおけるガス流路内に接着剤がはみ出してしまう
と、ガス流の乱れを生じてセンサ精度を低下させてしま
うことになる。
【０００６】そのため、従来では、接着剤がはみ出しに
くいような接着面の形状にしたり、また、流路内に接着
剤が流出しにくくなるような姿勢をもって接着するなど
の種々の工夫がとられているが、何れも接着剤のはみ出
しを完全になくすことはできないものになっている。
くいような接着面の形状にしたり、また、流路内に接着
剤が流出しにくくなるような姿勢をもって接着するなど
の種々の工夫がとられているが、何れも接着剤のはみ出
しを完全になくすことはできないものになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、半導体ウエハを用いたマイクロマシニング加工に
よってガスレートセンサ本体などのマイクロ素子を製造
するに際して、半導体ウエハ同士の接着を行わせる場
合、その接着面からの接着剤のはみ出しが否めず、マイ
クロ化されているがために、ガス流路内へのはみ出しに
よってガス流の乱れを生じてガスレートセンサの精度を
低下させてしまうなどの不都合が顕著になることであ
る。
点は、半導体ウエハを用いたマイクロマシニング加工に
よってガスレートセンサ本体などのマイクロ素子を製造
するに際して、半導体ウエハ同士の接着を行わせる場
合、その接着面からの接着剤のはみ出しが否めず、マイ
クロ化されているがために、ガス流路内へのはみ出しに
よってガス流の乱れを生じてガスレートセンサの精度を
低下させてしまうなどの不都合が顕著になることであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウエハ
の接着工程を必要とする半導体ウエハを用いたマイクロ
マシニング加工によってマイクロ素子を製造する方法に
おいて、半導体ウエハ同士を接着剤によって接着した後
に、その接着剤を溶融するエッチング液によって接着面
からはみ出した接着剤を除去するというマイクロ素子に
最適な工程をとるようにしている。
の接着工程を必要とする半導体ウエハを用いたマイクロ
マシニング加工によってマイクロ素子を製造する方法に
おいて、半導体ウエハ同士を接着剤によって接着した後
に、その接着剤を溶融するエッチング液によって接着面
からはみ出した接着剤を除去するというマイクロ素子に
最適な工程をとるようにしている。
【０００９】
【実施例】図１は、マイクロマシニング加工によって製
造されるマイクロ素子の一例として、ガスレートセンサ
におけるガス流路を示している。
造されるマイクロ素子の一例として、ガスレートセンサ
におけるガス流路を示している。
【００１０】ここでは、それぞれエッチングによって溝
が形成された上側半導体ウエハ１と下側半導体ウエハ２
とを各溝をつき合せることによって、その間にガス流路
３が形成されるように接着剤によって接着されている。
図中、４はその接着部分を示している。なお、ガス流路
となる溝は少なくとも一方の半導体ウエハに形成されて
いればよい。
が形成された上側半導体ウエハ１と下側半導体ウエハ２
とを各溝をつき合せることによって、その間にガス流路
３が形成されるように接着剤によって接着されている。
図中、４はその接着部分を示している。なお、ガス流路
となる溝は少なくとも一方の半導体ウエハに形成されて
いればよい。
【００１１】しかして、上側半導体ウエハ１と下側半導
体ウエハ２とを接着剤によって接着するに際して、接着
剤が接着部分４からはみ出してしまい、その接着剤のガ
ス流路３内へのはみ出し部分５がガス流を乱す要因にな
っている。
体ウエハ２とを接着剤によって接着するに際して、接着
剤が接着部分４からはみ出してしまい、その接着剤のガ
ス流路３内へのはみ出し部分５がガス流を乱す要因にな
っている。
【００１２】そのガス流路３内への接着剤のはみ出し部
分５は、ガス流路３がマイクロ化されているために、研
磨によって除去することが不可能になっている。
分５は、ガス流路３がマイクロ化されているために、研
磨によって除去することが不可能になっている。
【００１３】そのため、本発明では、上側半導体ウエハ
１と下側半導体ウエハ２とを接着剤によって接着した後
に、その接着剤を溶融するエッチング液に浸して、接着
剤のはみ出し部分５を化学的に除去するようにしてい
る。
１と下側半導体ウエハ２とを接着剤によって接着した後
に、その接着剤を溶融するエッチング液に浸して、接着
剤のはみ出し部分５を化学的に除去するようにしてい
る。
【００１４】その際、例えば、接着剤がエポキシ系のも
のである場合、流酸と過酸化水素水との混合液がエッチ
ング液として用いられる。
のである場合、流酸と過酸化水素水との混合液がエッチ
ング液として用いられる。
【００１５】そして、上側半導体ウエハ１と下側半導体
ウエハ２との接着部分４におけるギャップは通常１０〜
２０μｍ程度であり、そこからの接着剤のはみ出し量は
１００μｍ程度以下である。
ウエハ２との接着部分４におけるギャップは通常１０〜
２０μｍ程度であり、そこからの接着剤のはみ出し量は
１００μｍ程度以下である。
【００１６】その場合には、流酸と過酸化水素水との混
合比が１対１のエッチング液を６０℃（４０〜８０℃）
に可熱して、３０秒（２０〜５０秒）の間、上側半導体
ウエハ１と下側半導体ウエハ２とを接着したものをその
エッチング液に浸す。
合比が１対１のエッチング液を６０℃（４０〜８０℃）
に可熱して、３０秒（２０〜５０秒）の間、上側半導体
ウエハ１と下側半導体ウエハ２とを接着したものをその
エッチング液に浸す。
【００１７】通常の半導体ウエハの接着工程では接着後
における半導体ウエハ間のギャップが１０〜２０μｍ程
度であるので、このような微小なギャップにおける接着
部分４にエッチング液が浸透するには長時間がかかる。
における半導体ウエハ間のギャップが１０〜２０μｍ程
度であるので、このような微小なギャップにおける接着
部分４にエッチング液が浸透するには長時間がかかる。
【００１８】したがって、上側半導体ウエハ１と下側半
導体ウエハ２とを接着したものをエッチング液に短時間
のあいだ浸しても、その接着部分４は何ら除去されるこ
となく、はみ出し部分５だけが除去される。
導体ウエハ２とを接着したものをエッチング液に短時間
のあいだ浸しても、その接着部分４は何ら除去されるこ
となく、はみ出し部分５だけが除去される。
【００１９】なお、接着剤としては、エポキシ系以外
に、シリコン系のものなどが広く用いられる。また、エ
ッチング液としては、流酸と過酸化水素水との混合液以
外に、酸、アルカリおよびそれらの混合液が用いられ
る。またはアセトン等の有機溶剤をエッチング液として
用いることも可能である。
に、シリコン系のものなどが広く用いられる。また、エ
ッチング液としては、流酸と過酸化水素水との混合液以
外に、酸、アルカリおよびそれらの混合液が用いられ
る。またはアセトン等の有機溶剤をエッチング液として
用いることも可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上、本発明は、半導体ウエハの接着工
程を必要とする半導体ウエハを用いたマイクロマシニン
グ加工によってマイクロ素子を製造する方法において、
半導体ウエハ同士を接着剤によって接着した後に、その
接着剤を溶融するエッチング液によって接着面からはみ
出した接着剤を除去する工程をとるようにしたもので、
マイクロ化された構造体にあって研磨によっては取り除
くことのできない箇所における接着剤のはみ出し部分
を、接着部分を損うことなく除去できるというマイクロ
素子に最適なものとなっている。
程を必要とする半導体ウエハを用いたマイクロマシニン
グ加工によってマイクロ素子を製造する方法において、
半導体ウエハ同士を接着剤によって接着した後に、その
接着剤を溶融するエッチング液によって接着面からはみ
出した接着剤を除去する工程をとるようにしたもので、
マイクロ化された構造体にあって研磨によっては取り除
くことのできない箇所における接着剤のはみ出し部分
を、接着部分を損うことなく除去できるというマイクロ
素子に最適なものとなっている。
【図１】マイクロマシニング加工によって製造されるマ
イクロ素子の一例を示す正断面図である。
イクロ素子の一例を示す正断面図である。
１ 上側半導体ウエハ ２ 下側半導体ウエハ ３ ガス流路 ４ 接着部分 ５ 接着剤のはみ出し部分
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハの接着工程を必要とする半
導体ウエハを用いたマイクロマシニング加工によってマ
イクロ素子を製造する方法において、半導体ウエハ同士
を接着剤によって接着した後に、その接着剤を溶融する
エッチング液によって接着面からはみ出した接着剤を除
去する工程をとるようにしたことを特徴とするマイクロ
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19631197A JPH118221A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | マイクロ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19631197A JPH118221A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | マイクロ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118221A true JPH118221A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=16355706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19631197A Pending JPH118221A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | マイクロ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118221A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4888378A (en) * | 1978-12-20 | 1989-12-19 | J. M. Huber Corporation | Plastic compositions containing small particle size zeolites and mixtures |
| JP2011258841A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板の加工方法 |
| CN102556944A (zh) * | 2010-12-31 | 2012-07-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Mems装置的制作方法 |
| JP2013058569A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Tokyo Electron Ltd | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム |
| JP2015098565A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 東京応化工業株式会社 | 処理方法 |
-
1997
- 1997-06-17 JP JP19631197A patent/JPH118221A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4888378A (en) * | 1978-12-20 | 1989-12-19 | J. M. Huber Corporation | Plastic compositions containing small particle size zeolites and mixtures |
| JP2011258841A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板の加工方法 |
| CN102556944A (zh) * | 2010-12-31 | 2012-07-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Mems装置的制作方法 |
| JP2013058569A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Tokyo Electron Ltd | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム |
| JP2015098565A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 東京応化工業株式会社 | 処理方法 |
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