JPH118197A - Maintenance time detecting device - Google Patents
Maintenance time detecting deviceInfo
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- JPH118197A JPH118197A JP15976197A JP15976197A JPH118197A JP H118197 A JPH118197 A JP H118197A JP 15976197 A JP15976197 A JP 15976197A JP 15976197 A JP15976197 A JP 15976197A JP H118197 A JPH118197 A JP H118197A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の表面に薄膜
を形成するための薄膜形成装置において、薄膜形成室の
保守時期を検知する保守時期検知装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a maintenance time detecting device for detecting a maintenance time of a thin film forming chamber in a thin film forming apparatus for forming a thin film on a surface of a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体装置を製造する場合は、
ウェーハの表面に薄膜を形成する必要がある。この薄膜
を形成する薄膜形成装置としては、例えば、複数の反応
ガスの化学反応を利用して薄膜を形成するＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装
置がある。2. Description of the Related Art Generally, when manufacturing a semiconductor device,
It is necessary to form a thin film on the surface of the wafer. As a thin film forming apparatus for forming this thin film, for example, CVD (Ch) for forming a thin film using a chemical reaction of a plurality of reaction gases.
There is an electronic vapor deposition device.
【０００３】このＣＶＤ装置においては、薄膜形成処理
によって薄膜形成室、すなわち、反応室の内壁及び排管
内に主または副生成物（以下単に「生成物」という。）
が付着する。この生成物の厚さは、薄膜形成処理を実行
するたびに徐々に大きくなる。生成物の厚さが大きくな
ると、薄膜形成効率等に悪影響を与える。したがって、
ＣＶＤ装置においては、生成物を除去するための保守を
行う必要がある。この保守を行うためには、保守時期を
検知する必要がある。この検知は、自動的に行うことが
望まれる。In this CVD apparatus, main or by-products (hereinafter, simply referred to as "products") are formed in a thin film forming chamber, ie, an inner wall and an exhaust pipe of a reaction chamber by a thin film forming process.
Adheres. The thickness of the product gradually increases each time the thin film forming process is performed. When the thickness of the product is large, it adversely affects the efficiency of forming a thin film. Therefore,
In the CVD apparatus, it is necessary to perform maintenance for removing products. In order to perform this maintenance, it is necessary to detect the maintenance time. It is desired that this detection be performed automatically.
【０００４】この要望に応えるために、従来は、薄膜形
成処理の実行回数または反応ガスの累積流量を検出する
ことにより、生成物の厚さを検出し、検出された厚さと
予め定めたしきい値とを比較することにより、保守時期
を検知するようになっていた。In order to meet this demand, conventionally, the thickness of the product is detected by detecting the number of executions of the thin film forming process or the accumulated flow rate of the reaction gas, and the detected thickness is defined as a predetermined threshold. The maintenance time is detected by comparing the values with the values.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成では、生成物の厚さを正確に検出することがで
きないため、生成物を除去するための時間（以下「クリ
ーニング時間」という。）を設定する場合、かなりの余
裕を持たせなければならないという問題があった。すな
わち、しきい値によって定められるクリーニング時間よ
りかなり大きめのクリーニング時間を設定しなければな
らないという問題があった。これにより、従来は、生成
物のクリーニング時間が長くなり、薄膜形成装置の稼働
率が低下するとともに、クリーニングガスの使用量が多
くなるという問題を招いていた。However, in such a configuration, the thickness of the product cannot be accurately detected, so that the time for removing the product (hereinafter, referred to as "cleaning time"). When setting, there was a problem that a considerable margin had to be given. That is, there is a problem that a cleaning time considerably longer than the cleaning time determined by the threshold value has to be set. As a result, conventionally, there has been a problem that the cleaning time of the product is prolonged, the operation rate of the thin film forming apparatus is reduced, and the amount of the cleaning gas used is increased.
【０００６】そこで、本発明は、薄膜形成室の内壁等に
付着した生成物の厚さを正確に検出することができるよ
うにすることにより、クリーニング時間を短縮すること
ができる保守時期検知装置を提供することを目的とす
る。Therefore, the present invention provides a maintenance time detecting device capable of shortening the cleaning time by accurately detecting the thickness of the product adhered to the inner wall or the like of the thin film forming chamber. The purpose is to provide.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明に係る保守時期検知装置は、基板に薄膜を形成
する薄膜形成処理が実行されるたびにこの薄膜形成処理
によって形成された薄膜の厚さを検出する膜厚検出手段
と、この膜厚検出手段により検出された複数の膜厚を累
積加算する累積加算手段と、この累積加算手段の加算値
と予め定めたしきい値とを比較することにより保守時期
を検知する保守時期検知手段とを備えたことを特徴とす
る。In order to solve the above-mentioned problems, a maintenance time detecting apparatus according to the present invention provides a thin film formed by a thin film forming process each time a thin film forming process for forming a thin film on a substrate is executed. Film thickness detecting means for detecting the thickness of the film, a cumulative adding means for cumulatively adding a plurality of film thicknesses detected by the film thickness detecting means, and an addition value of the cumulative adding means and a predetermined threshold value. And a maintenance time detecting means for detecting the maintenance time by comparing.
【０００８】この保守時期検知装置では、薄膜形成処理
が実行されるたびにこの薄膜形成処理によって形成され
た薄膜の厚さが膜厚検出手段により検出される。この膜
厚検出検出手段により検出された複数の膜厚は、累積加
算手段により累積加算される。この累積加算値は、保守
時期検知手段により予め定めたしきい値と比較される。
これにより、薄膜形成室の保守時期が検知される。In this maintenance time detecting device, the thickness of the thin film formed by the thin film forming process is detected by the film thickness detecting means every time the thin film forming process is executed. The plurality of film thicknesses detected by the film thickness detection and detection means are cumulatively added by the cumulative addition means. This cumulative addition value is compared with a predetermined threshold value by the maintenance time detecting means.
Thus, the maintenance time of the thin film forming chamber is detected.
【０００９】このような構成においては、薄膜形成室の
内壁等に付着した生成物の厚さを正確に検出することが
できる。これは、薄膜形成処理によって基板の表面に形
成される薄膜の厚さと薄膜形成室の内壁等に形成される
生成物の厚さとが基板の表面の温度や薄膜形成室の内壁
等の温度によって決定されるからである。これにより、
例えば、ホットウォール式反応炉を用いる場合のように
基板の表面の温度と薄膜形成室の内壁等の温度とが同じ
場合は、薄膜形成処理によって基板の表面に形成された
薄膜の厚さを検出することにより、薄膜形成室の内壁等
に形成される生成物の厚さを正確に知ることができる。
また、コールドウォール式反応炉を用いる場合のように
基板の表面の温度と薄膜形成室の内壁等の温度とが異な
る場合は、予め両者の温度差を調べておくことにより、
薄膜形成処理によって基板の表面に形成された薄膜の厚
さに基づいて薄膜形成室の内壁等に形成された生成物の
厚さを正確に推測することができる。その結果、上記の
ような構成によれば、クリーニング時間の余裕を減少さ
せることができるので、クリーニング時間を短縮するこ
とができる。これにより、薄膜形成装置の稼働率を高め
ることができるとともに、クリーニングガスの使用量を
低減することができる。In such a configuration, it is possible to accurately detect the thickness of the product adhered to the inner wall or the like of the thin film forming chamber. This is because the thickness of the thin film formed on the surface of the substrate by the thin film forming process and the thickness of the product formed on the inner wall of the thin film forming chamber are determined by the temperature of the surface of the substrate and the temperature of the inner wall of the thin film forming chamber. Because it is done. This allows
For example, when the temperature of the substrate surface and the temperature of the inner wall of the thin film forming chamber are the same as in the case of using a hot wall type reactor, the thickness of the thin film formed on the substrate surface by the thin film forming process is detected. By doing so, it is possible to accurately know the thickness of the product formed on the inner wall or the like of the thin film forming chamber.
When the temperature of the substrate surface and the temperature of the inner wall of the thin film forming chamber are different from each other as in the case of using a cold wall type reaction furnace, by checking the temperature difference between the two in advance,
The thickness of the product formed on the inner wall or the like of the thin film forming chamber can be accurately estimated based on the thickness of the thin film formed on the surface of the substrate by the thin film forming process. As a result, according to the above configuration, the margin of the cleaning time can be reduced, and thus the cleaning time can be reduced. Thus, the operation rate of the thin film forming apparatus can be increased, and the amount of the cleaning gas used can be reduced.
【００１０】[0010]
【実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発明の実
施の形態を詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１１】図１は、本発明の一実施の形態に係る保守
時期検知装置の構成を示すブロック図である。なお、図
には、本発明の保守時期検知装置を備えたＣＶＤ装置全
体のの構成を示す。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a maintenance time detecting device according to one embodiment of the present invention. FIG. 1 shows the configuration of an entire CVD apparatus provided with the maintenance time detecting device of the present invention.
【００１２】図１に示すＣＶＤ装置は、少なくとも１個
のプロセスモジュール１１（１），１１（２），…と、
少なくとも１個のカセットモジュール１２（１），１２
（２），…と、トランスファモジュール１３と、膜厚セ
ンサ１４と、操作部１５と、制御部１６とを有する。The CVD apparatus shown in FIG. 1 includes at least one process module 11 (1), 11 (2),.
At least one cassette module 12 (1), 12
(2), ..., a transfer module 13, a film thickness sensor 14, an operation unit 15, and a control unit 16.
【００１３】プロセスモジュール１１（１），１１
（２），…は、それぞれ反応室を有し、複数の反応ガス
の化学反応によってウェーハの表面に薄膜を形成する機
能を有する。カセットモジュール１２（１），１２
（２），…，１２（Ｎ）は、作業者またはＣＶＤ装置の
外部に設けられたウェーハ搬送装置（ＡＧＶ）との間
で、ウェーハの受渡しをする機能を有する。トランスフ
ァモジュール１３は、プロセスモジュール１１（１），
１１（２），…とカセットモジュール１２（１），１２
（２），…との間で、ウェーハを搬送する機能を有す
る。The process modules 11 (1), 11
(2),... Each have a reaction chamber and have a function of forming a thin film on the surface of the wafer by a chemical reaction of a plurality of reaction gases. Cassette module 12 (1), 12
(2),..., 12 (N) have a function of transferring a wafer to or from an operator or a wafer transfer device (AGV) provided outside the CVD apparatus. The transfer module 13 includes a process module 11 (1),
11 (2),... And cassette modules 12 (1), 12
(2), has a function of transporting the wafer between.
【００１４】膜厚センサ１４は、ウェーハの表面に形成
された薄膜の厚さを検出する機能を有する。操作部１５
は、作業者がＣＶＤ装置に各種情報を入力するための入
力部としての機能とＣＶＤ装置が作業者に各種情報を出
力するための出力部としての機能とを有する。制御部１
６は、プロセスモジュール１１（１），１１（２），…
と、カセットモジュール１２（１），１２（２），…
と、トランスファモジュール１３と、膜厚センサ１４の
動作を制御、監視する機能と、ウェーハの搬送を制御す
る機能と、障害の発生を処理する機能等を有する。The film thickness sensor 14 has a function of detecting the thickness of a thin film formed on the surface of the wafer. Operation unit 15
Has a function as an input unit for an operator to input various information to the CVD apparatus and a function as an output unit for the CVD apparatus to output various information to the operator. Control unit 1
6 are process modules 11 (1), 11 (2),.
, Cassette modules 12 (1), 12 (2),.
And a function of controlling and monitoring the operations of the transfer module 13 and the film thickness sensor 14, a function of controlling the transfer of the wafer, a function of handling the occurrence of a failure, and the like.
【００１５】なお、図１において、実線はウェーハの流
れを示し、破線は制御情報やデータの流れを示す。In FIG. 1, a solid line indicates a flow of a wafer, and a broken line indicates a flow of control information and data.
【００１６】上記構成において、動作を説明する。ま
ず、ウェーハの表面に薄膜を形成する薄膜形成動作を説
明する。The operation of the above configuration will be described. First, a thin film forming operation for forming a thin film on the surface of a wafer will be described.
【００１７】この薄膜形成動作においては、まず、作業
者またはウェーハ搬送装置によりカセットモジュール１
２（１），１２（２），…にウェーハが搬入される。こ
の搬入処理が終了すると、トランスファモジュール１３
によりカセットモジュール１２（１），１２（２），…
からプロセスモジュール１１（１），１１（２），…の
反応室にウェーハが搬入される。In this thin film forming operation, first, a cassette module 1 is operated by an operator or a wafer transfer device.
The wafer is carried into 2 (1), 12 (2),... When the loading process is completed, the transfer module 13
, The cassette modules 12 (1), 12 (2),.
Are loaded into the reaction chambers of the process modules 11 (1), 11 (2),.
【００１８】この搬入処理が終了すると、ウェーハの表
面に薄膜を形成する処理が実行される。この薄膜形成処
理が終了すると、薄膜の形成されたウェーハがトランス
ファモジュール１３によりプロセスモジュール１１
（１），１１（２），…の反応室からカセットモジュー
ル１２（１），１２（２），…に搬出される。この搬出
処理が終了すると、作業者またはウェーハ搬送装置によ
りカセットモジュール１２（１），１２（２），…から
ウェーハが搬出される。When the loading process is completed, a process for forming a thin film on the surface of the wafer is performed. When the thin film forming process is completed, the wafer on which the thin film is formed is transferred to the process module 11 by the transfer module 13.
Are carried out from the reaction chambers (1), 11 (2),... To the cassette modules 12 (1), 12 (2),. When the unloading process is completed, the wafer is unloaded from the cassette modules 12 (1), 12 (2),... By the operator or the wafer transfer device.
【００１９】以上が薄膜形成動作である。なお、この動
作は、操作部１５から入力された情報等に基づいて制御
部１６により制御される。また、この薄膜形成動作の結
果等は、制御部１６によって操作部１５を介して作業者
に報告される。The above is the thin film forming operation. This operation is controlled by the control unit 16 based on information input from the operation unit 15 and the like. The result of the thin film forming operation and the like are reported to the worker by the control unit 16 via the operation unit 15.
【００２０】次に、図２を参照しながら、本発明の特徴
する保守時期検知動作を説明する。図２は、この保守時
期検知動作を制御するための制御部１６の処理を示すフ
ローチャートである。Next, the maintenance time detecting operation, which is a feature of the present invention, will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a flowchart showing a process of the control unit 16 for controlling the maintenance time detecting operation.
【００２１】図２に示す処理においては、制御部１６
は、まず、膜厚の累積加算値（以下「累積膜厚」とい
う。）ΣＤを０に設定する（ステップＳ１１）。次に、
制御部１６は、成膜前の膜厚Ｄ１を測定する（ステップ
Ｓ１２）。すなわち、プロセスモジュール１１（１），
１１（２），…の反応室に搬入されるウェーハの表面に
すでに形成されている薄膜の厚さＤ１を測定する。この
測定は、膜厚センサ１４を使って行われる。このあと、
反応室に搬入されたウェーハの表面に薄膜を形成する処
理が実行される。In the processing shown in FIG.
First, the cumulative addition value of the film thickness (hereinafter, referred to as “cumulative film thickness”) ΣD is set to 0 (step S11). next,
The control unit 16 measures the film thickness D1 before film formation (Step S12). That is, the process module 11 (1),
11 (2),... The thickness D1 of the thin film already formed on the surface of the wafer carried into the reaction chamber is measured. This measurement is performed using the film thickness sensor 14. after this,
A process for forming a thin film on the surface of the wafer carried into the reaction chamber is executed.
【００２２】この処理が終了すると、制御部１６は、成
膜後の膜厚Ｄ２を測定する（ステップＳ１３）。すなわ
ち、プロセスモジュール１１（１），１１（２），…の
反応室から搬出されるウェーハの表面に形成された薄膜
の厚さＤ２を測定する。この測定も、膜厚センサ１４を
使って行われる。次に、制御部１６は、成膜後の膜厚Ｄ
２から成膜前の膜厚Ｄ１を引くことにより、今回の薄膜
形成処理により形成された薄膜の厚さΔＤを検出する
（ステップＳ１４）。When this process is completed, the control unit 16 measures the film thickness D2 after film formation (step S13). That is, the thickness D2 of the thin film formed on the surface of the wafer carried out from the reaction chambers of the process modules 11 (1), 11 (2),... Is measured. This measurement is also performed using the film thickness sensor 14. Next, the control unit 16 determines the film thickness D after the film formation.
The thickness ΔD of the thin film formed by the current thin film forming process is detected by subtracting the film thickness D1 before film formation from 2 (step S14).
【００２３】次に、制御部１６は、前回までの累積膜厚
ΣＤに今回の膜厚ΔＤを加算する（ステップＳ１５）。
次に、制御部１６は、ステップＳ１５で求められた累積
膜厚ΣＤが予め定めたしきい値（以下「保守実行膜厚」
という。）ＴＨ以上になったか否かを判定する（ステッ
プＳ１６）。保守実行膜厚ＴＨは、例えば、操作部１５
を使って作業者により設定される。Next, the controller 16 adds the current film thickness ΔD to the previous cumulative film thickness ΔD (step S15).
Next, the control unit 16 determines that the accumulated film thickness ΔD obtained in step S15 is equal to a predetermined threshold value (hereinafter, “maintenance execution film thickness”).
That. It is determined whether or not TH has been reached (step S16). The maintenance execution film thickness TH is, for example, the operation unit 15
Is set by the operator using.
【００２４】累積膜厚ΣＤが保守実行膜厚ＴＨより小さ
い場合（ΣＤ＜ＴＨ）、制御部１６は、ステップＳ１２
に戻る。これにより、次のウェーハに対して、再び、上
述した処理が実行される。これに対し、累積膜厚ΣＤが
保守実行膜厚ＴＨ以上になると（ΣＤ≧ＴＨ）、制御部
１６は、反応室の保守時期に達した旨を作業者に報告す
る（ステップＳ１７）。この報告は、操作部１５を介し
て行われる。これにより、プロセスモジュール１１
（１），１１（２），…の反応室の保守が行われる。If the cumulative film thickness ΣD is smaller than the maintenance execution film thickness TH (ΣD <TH), the control section 16 proceeds to step S12.
Return to Thus, the above-described processing is performed again on the next wafer. On the other hand, when the accumulated film thickness ΔD is equal to or greater than the maintenance execution film thickness TH (ΔD ≧ TH), the control unit 16 reports to the operator that the maintenance time of the reaction chamber has been reached (step S17). This report is made via the operation unit 15. Thereby, the process module 11
(1), 11 (2), ... maintenance of the reaction chamber is performed.
【００２５】このあと、制御部１６は、反応室の保守が
終了したか否かを判定する（ステップＳ１８）。この保
守が終了しなければ、制御部１６は、ステップＳ１２に
戻り、終了すると、ステップＳ１１に戻る。これによ
り、累積膜厚ΣＤが０に設定され、再び上述した処理が
実行される。以上が本発明の特徴とする保守時期検知動
作である。Thereafter, the control unit 16 determines whether the maintenance of the reaction chamber has been completed (step S18). If the maintenance is not completed, the control unit 16 returns to step S12, and if completed, returns to step S11. Thereby, the accumulated film thickness ΔD is set to 0, and the above-described processing is executed again. The above is the maintenance time detecting operation which is a feature of the present invention.
【００２６】（１）以上詳述した本実施の形態によれ
ば、各薄膜形成処理が実行されるたびに（各薄膜形成サ
イクルごとに）、この薄膜形成処理により形成された薄
膜の厚さΔＤを検出し、この膜厚ΔＤを各薄膜形成処理
が実行されるたびに累積加算することにより、反応室の
内壁等に付着した生成物の厚さを検出するようにしたの
で、この生成物の厚さを正確に検出することができる。
これは、薄膜形成処理によって基板の表面に形成される
薄膜の厚さと薄膜形成室の内壁等に形成される生成物の
厚さとが基板の表面の温度や薄膜形成室の内壁等の温度
によって決定されるからである。これにより、例えば、
ホットウォール式反応炉を用いる場合のように基板の表
面の温度と薄膜形成室の内壁等の温度とが同じ場合は、
薄膜形成処理によって基板の表面に形成された薄膜の厚
さを検出することにより、薄膜形成室の内壁等に形成さ
れる生成物の厚さを正確に知ることができる。また、コ
ールドウォール式反応炉を用いる場合のように基板の表
面の温度と薄膜形成室の内壁等の温度とが異なる場合
は、予め両者の温度差を調べておくことにより、薄膜形
成処理によって基板の表面に形成された薄膜の厚さに基
づいて薄膜形成室の内壁等に形成された生成物の厚さを
正確に推測することができる。その結果、上記のような
構成によれば、クリーニング時間の余裕を減少させるこ
とができるので、クリーニング時間を短縮することがで
きる。これにより、薄膜形成装置の稼働率を高めること
ができるとともに、クリーニングガスの使用量を低減す
ることができる。(1) According to the present embodiment described above, each time each thin film forming process is executed (each thin film forming cycle), the thickness ΔD of the thin film formed by this thin film forming process is The thickness of the product adhered to the inner wall of the reaction chamber or the like is detected by cumulatively adding the film thickness ΔD each time each thin film forming process is performed. The thickness can be accurately detected.
This is because the thickness of the thin film formed on the surface of the substrate by the thin film forming process and the thickness of the product formed on the inner wall of the thin film forming chamber are determined by the temperature of the surface of the substrate and the temperature of the inner wall of the thin film forming chamber. Because it is done. This allows, for example,
When the temperature of the surface of the substrate and the temperature of the inner wall of the thin film forming chamber are the same as in the case of using a hot wall type reactor,
By detecting the thickness of the thin film formed on the surface of the substrate by the thin film forming process, the thickness of the product formed on the inner wall or the like of the thin film forming chamber can be accurately known. When the temperature of the surface of the substrate and the temperature of the inner wall of the thin film forming chamber are different from each other as in the case of using a cold wall type reactor, the temperature difference between the two is checked in advance, and the substrate is formed by the thin film forming process. The thickness of the product formed on the inner wall or the like of the thin film formation chamber can be accurately estimated based on the thickness of the thin film formed on the surface of the thin film. As a result, according to the above configuration, the margin of the cleaning time can be reduced, and thus the cleaning time can be reduced. Thus, the operation rate of the thin film forming apparatus can be increased, and the amount of the cleaning gas used can be reduced.
【００２７】これを図３を参照しながら説明する。図３
は、従来の保守時期検知動作と本実施の形態の保守時期
検知動作とを比較して示す特性図である。This will be described with reference to FIG. FIG.
FIG. 4 is a characteristic diagram showing a comparison between a conventional maintenance time detection operation and the maintenance time detection operation of the present embodiment.
【００２８】図において、横軸は、時間を示し、縦軸
は、反応室の内壁等に付着した生成物の厚さＤとクリー
ニング時間ＣＴとを示す。また、破線は、従来の保守時
期検知装置を用いた場合の生成物の厚さＤの推移を示
し、一点鎖線は、本実施の形態の保守時期検知装置を用
いた場合の生成物の厚さＤの推移を示す。また、Ｔａ
１，Ｔａ２，Ｔａ３，…は、従来の保守時期検知装置に
より検知された保守時期を示し、Ｔｂ１，Ｔｂ２，Ｔｂ
３，…は、本実施の形態の保守時期検知装置により検知
された保守時期を示す。In the figure, the horizontal axis indicates time, and the vertical axis indicates the thickness D of the product adhered to the inner wall of the reaction chamber and the cleaning time CT. The broken line indicates the transition of the thickness D of the product when the conventional maintenance time detecting device is used, and the dashed line indicates the thickness of the product when the maintenance time detecting device of the present embodiment is used. The transition of D is shown. Also, Ta
, Ta2, Ta3,... Indicate maintenance times detected by the conventional maintenance time detecting device, and Tb1, Tb2, Tb
3,... Indicate maintenance times detected by the maintenance time detecting device of the present embodiment.
【００２９】図示のごとく、従来の保守時期検知装置で
は、検知した各保守時期Ｔａｎ（ｎ＝１，２，３，…）
ごとに、生成物の厚さＤが大きく変動する。具体的に
は、生成物の厚さＤは、保守実行膜厚ＴＨの±１０％程
度変動する。このため、従来は、クリーニング時間ＣＴ
として、少なくとも保守実行膜厚ＴＨと同じ厚さの生成
物を除去するのに必要なのクリーニング時間ＣＴ０にそ
の１０％分の余裕を加えた時間を設定しなければならな
かった。As shown in the figure, in the conventional maintenance time detecting device, each detected maintenance time Tan (n = 1, 2, 3,...)
In each case, the thickness D of the product varies greatly. Specifically, the thickness D of the product varies about ± 10% of the maintenance execution thickness TH. For this reason, conventionally, the cleaning time CT
As a result, it is necessary to set a time obtained by adding a margin of 10% to the cleaning time CT0 required for removing at least the product having the same thickness as the maintenance execution film thickness TH.
【００３０】これに対し、本実施の形態の保守時期検知
装置では、検知した各保守時期Ｔｂｎごとに、生成物の
厚さＤがほぼ一定である。具体的には、生成物の厚さＤ
は、｛（ΔＤ×１００）／ＴＨ｝％程度しか変動しな
い。このため、本実施の形態は、クリーニング時間ＣＴ
として、少なくとも上述したＣＴ０に｛（ΔＤ×１０
０）／ＴＨ｝％分の余裕を加えた時間を設定すればよ
い。On the other hand, in the maintenance time detecting device of the present embodiment, the thickness D of the product is substantially constant at each detected maintenance time Tbn. Specifically, the product thickness D
Varies only about {(ΔD × 100) / TH}%. Therefore, in the present embodiment, the cleaning time CT
少 な く と も (ΔD × 10
0) / TH｝% may be set to a time with a margin.
【００３１】これにより、本実施の形態では、クリーニ
ング時間ＣＴの余裕を例えば従来の１０分の１に減少さ
せることができる。その結果、本実施の形態では、クリ
ーニング時間ＣＴを短縮することができる。図３の例で
は、従来のクリーニング時間ＣＴの余裕をＣＴ０の１０
％とし、本実施の形態のクリーニング時間の余裕をＣＴ
０の１％とすると、１回当りのクリーニング時間を割合
にして９％、時間にして４分３０秒短縮することができ
る。As a result, in the present embodiment, the margin of the cleaning time CT can be reduced to, for example, one tenth of the conventional value. As a result, in the present embodiment, the cleaning time CT can be reduced. In the example of FIG. 3, the margin of the conventional cleaning time CT is set to 10
%, And the margin of the cleaning time of this embodiment is CT
Assuming that it is 1% of 0, the cleaning time per cleaning can be reduced by 9% and the time can be reduced by 4 minutes and 30 seconds.
【００３２】（２）また、本実施の形態によれば、膜厚
の累積加算処理（図２のステップＳ１５）と保守時期の
検知処理（図２のステップＳ１６）とを各薄膜形成処理
が実行されるたびに（各薄膜形成サイクルごとに）実行
するようにしたので、各薄膜形成サイクルにおける保守
時期検知動作を同じにすることができる。これにより、
保守時期検知装置の構成（主に、制御部１６の処理プロ
グラムの構成）を簡単化することができるとともに、Ｃ
Ｔ０の変更等に容易に対処することができる。(2) According to this embodiment, each thin film forming process executes the cumulative addition process of the film thickness (step S15 in FIG. 2) and the detection process of the maintenance time (step S16 in FIG. 2). This is performed every time (each thin film forming cycle), so that the maintenance time detecting operation in each thin film forming cycle can be the same. This allows
The configuration of the maintenance time detecting device (mainly the configuration of the processing program of the control unit 16) can be simplified, and
It is possible to easily deal with a change in T0 and the like.
【００３３】以上、本発明の一実施の形態を詳細に説明
したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるも
のではない。As described above, one embodiment of the present invention has been described in detail, but the present invention is not limited to the above-described embodiment.
【００３４】（１）例えば、先の実施の形態では、膜厚
の累積加算処理（図２のステップＳ１５）と保守時期の
検知処理（図２のステップＳ１６）とを各薄膜形成サイ
クルごとに実行する場合を説明した。しかしながら、本
発明では、少なくとも保守時期の検知処理を複数の薄膜
形成サイクルごとに実行するようにしてもよい。(1) For example, in the above embodiment, the cumulative addition processing of the film thickness (step S15 in FIG. 2) and the detection processing of the maintenance time (step S16 in FIG. 2) are executed for each thin film forming cycle. I explained the case. However, in the present invention, at least the maintenance time detection process may be executed for each of a plurality of thin film forming cycles.
【００３５】このような構成によれば、各薄膜形成サイ
クルごとに保守時期の検知処理等を行う必要がないの
で、保守時期検知動作の動作時間を全体として短縮する
ことができる。但し、この場合、保守時期の検知精度の
低下が問題になる。しかし、これは、最初は保守時期の
検知処理等の実行サイクルを長くし、徐々にこれを短く
していくようにすることにより解決することができる。According to such a configuration, it is not necessary to perform maintenance time detection processing or the like for each thin film formation cycle, so that the operation time of the maintenance time detection operation can be shortened as a whole. However, in this case, there is a problem that the detection accuracy of the maintenance time is reduced. However, this can be solved by first increasing the execution cycle of the maintenance time detection process and the like, and gradually shortening it.
【００３６】（２）また、先の実施の形態では、本発明
をＣＶＤ装置の保守時期検知装置に適用する場合を説明
した。しかしながら、本発明は、ＣＶＤ装置以外の薄膜
形成装置の保守時期検知装置にも適用することができ
る。例えば、本発明は、物理的な変化を利用して薄膜を
形成する薄膜形成装置の保守時期検知装置にも適用する
ことができる。(2) In the above embodiment, the case where the present invention is applied to the maintenance time detecting device of the CVD device has been described. However, the present invention can also be applied to a maintenance time detecting device for a thin film forming device other than the CVD device. For example, the present invention can also be applied to a maintenance time detecting device of a thin film forming apparatus that forms a thin film using a physical change.
【００３７】（３）また、先の実施の形態では、本発明
を半導体装置のウェーハの表面に薄膜を形成する薄膜形
成装置の保守時期検知装置に適用する場合を説明した。
しかしながら、本発明は、半導体装置のウェーハ以外の
基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置の保守時期検
知装置にも適用することができる。例えば、液晶表示装
置のガラス基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置の
保守時期検知装置にも適用することができる。(3) In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a maintenance time detecting device of a thin film forming apparatus for forming a thin film on the surface of a semiconductor device wafer has been described.
However, the present invention can also be applied to a maintenance time detecting device of a thin film forming apparatus that forms a thin film on a surface of a substrate other than a wafer of a semiconductor device. For example, the present invention can be applied to a maintenance time detecting device of a thin film forming apparatus for forming a thin film on the surface of a glass substrate of a liquid crystal display device.
【００３８】（４）このほかにも、本発明はその要旨を
逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論で
ある。(4) In addition, it goes without saying that the present invention can be variously modified and implemented without departing from the gist thereof.
【００３９】[0039]
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、各
薄膜形成処理が実行されるたびにこの薄膜形成処理によ
り形成された薄膜の厚さを検出し、この膜厚検出処理に
より検出される複数の膜厚を累積加算することにより、
薄膜形成室の内壁等に付着した生成物の厚さを検出する
ようにしたので、この厚さを正確に検出することができ
る。これにより、生成物のクリーニング時間に含める余
裕を減少させることができるので、生成物のクリーニン
グ時間を短縮することができる。その結果、薄膜形成装
置の稼働率を高めることができるとともに、クリーニン
グガスの使用量を低減することができる。As described above in detail, according to the present invention, each time a thin film forming process is executed, the thickness of the thin film formed by the thin film forming process is detected, and the thickness is detected by the film thickness detecting process. By cumulatively adding a plurality of film thicknesses
Since the thickness of the product adhered to the inner wall or the like of the thin film forming chamber is detected, the thickness can be accurately detected. Thus, the margin for inclusion in the product cleaning time can be reduced, and the product cleaning time can be reduced. As a result, the operating rate of the thin film forming apparatus can be increased, and the amount of the cleaning gas used can be reduced.
【図１】本発明の一実施の形態に係る保守時期検知装置
を備えた薄膜形成装置の構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a thin film forming apparatus provided with a maintenance time detecting device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施の形態に係る保守時期検知装置
の動作を説明するためのもので、特に、制御部の処理を
示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart for explaining an operation of the maintenance time detecting device according to the embodiment of the present invention, and particularly shows a process of a control unit.
【図３】本発明の一実施の形態に係る保守時期検知装置
の効果を説明するための特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram for explaining an effect of the maintenance time detecting device according to the embodiment of the present invention.
１１（１），１１（２），…，１１（Ｍ）…プロセスモ
ジュール、１２（１），１２（２），…，１２（Ｎ）…
カセットモジュール、１３…トランスファモジュール、
１４…膜厚センサ、１５…操作部、１６…制御部。11 (1), 11 (2),..., 11 (M)... Process module, 12 (1), 12 (2),.
Cassette module, 13 ... transfer module,
14: film thickness sensor, 15: operation unit, 16: control unit.
Claims (1)
形成室の保守時期を検知する保守時期検知装置におい
て、 前記基板の表面に前記薄膜を形成する薄膜形成処理が実
行されるたびに、この薄膜形成処理によって形成された
前記薄膜の厚さを検出する膜厚検出手段と、 この膜厚検出手段により検出された複数の膜厚を累積加
算する累積加算手段と、 この累積加算手段の累積加算値と予め定めたしきい値と
を比較することにより、前記薄膜形成室の保守時期を検
知する保守時期検知手段とを備えたことを特徴とする保
守時期検知装置。1. A maintenance time detecting device for detecting a maintenance time of a thin film forming chamber for forming a thin film on a surface of a substrate, wherein each time a thin film forming process for forming the thin film on the surface of the substrate is performed, Film thickness detecting means for detecting the thickness of the thin film formed by the thin film forming process; cumulative adding means for cumulatively adding a plurality of film thicknesses detected by the film thickness detecting means; A maintenance time detecting device, comprising: a maintenance time detecting means for detecting a maintenance time of the thin film forming chamber by comparing the added value with a predetermined threshold value.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15976197A JPH118197A (en) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | Maintenance time detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15976197A JPH118197A (en) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | Maintenance time detecting device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118197A true JPH118197A (en) | 1999-01-12 |
Family
ID=15700698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15976197A Pending JPH118197A (en) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | Maintenance time detecting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118197A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057111A (en) * | 2000-08-14 | 2002-02-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate-treating device |
| JP2003037105A (en) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment apparatus and method |
| JP2003073840A (en) * | 2001-09-06 | 2003-03-12 | Tokyo Electron Ltd | Film forming apparatus, and method for controlling cumulative film thickness therein |
| JP2003158080A (en) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor manufacturing device, deposit removing method therein and manufacturing method for semiconductor device |
| KR101001309B1 (en) | 2008-11-16 | 2010-12-14 | 세메스 주식회사 | Process Chamber Cleaning System and Method for Cleaning Process Chamber |
-
1997
- 1997-06-17 JP JP15976197A patent/JPH118197A/en active Pending
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| KR101001309B1 (en) | 2008-11-16 | 2010-12-14 | 세메스 주식회사 | Process Chamber Cleaning System and Method for Cleaning Process Chamber |
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