JPH118191A - Treatment equipment - Google Patents
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- JPH118191A JPH118191A JP17303197A JP17303197A JPH118191A JP H118191 A JPH118191 A JP H118191A JP 17303197 A JP17303197 A JP 17303197A JP 17303197 A JP17303197 A JP 17303197A JP H118191 A JPH118191 A JP H118191A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、処理容器内で処理
ガスの雰囲気中に被処理体を晒して所定の処理例えば疏
水化処理を行う処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for performing a predetermined processing, for example, a hydrophobic treatment by exposing an object to be processed to an atmosphere of a processing gas in a processing vessel.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイス製造のフォトレジスト工
程では、半導体ウエハに対するレジストの密着性・固着
性を良くするために、レジスト塗布に先立って、ヘキサ
メチルジシラン（以下ＨＭＤＳという）により半導体ウ
エハの表面を疏水化するアドヒ−ジョン（ａｄｈｅｓｉ
ｏｎ）処理が行われている。2. Description of the Related Art In a photoresist process for manufacturing semiconductor devices, the surface of a semiconductor wafer is coated with hexamethyldisilane (hereinafter referred to as HMDS) prior to coating the resist in order to improve the adhesion and fixation of the resist to the semiconductor wafer. Adhesi to become hydrophobic
on) Processing is being performed.
【０００３】このようなアドヒ−ジョン処理は、例えば
図５に示す枚葉型アドヒ−ジョン処理装置において行わ
れる。図中１０はＨＭＤＳ液が貯留されるタンクであ
り、このタンク１０はタンク底部にバブラ−１１を備え
ている。このバブラ−１１にＮ2 ガス供給管１２よりキ
ャリアガスとして窒素ガス（Ｎ2 ガス）を供給するとＮ
2 の泡１３が発生し、この泡にＨＭＤＳが気化して溶け
込み、このようにして気相化したＨＭＤＳガスは、Ｎ2
ガスと共にガス供給管１４、バルブ１５を通って処理容
器１６内へ送られる。Such an adhesion process is performed, for example, in a single-wafer type adhesion processing apparatus shown in FIG. In the figure, reference numeral 10 denotes a tank for storing HMDS liquid, and this tank 10 has a bubbler 11 at the bottom of the tank. When nitrogen gas (N 2 gas) is supplied as a carrier gas from the N 2 gas supply pipe 12 to the bubbler 11, N
2 bubbles 13 are generated, and HMDS is vaporized and dissolved in the bubbles. The HMDS gas thus vaporized is N 2 gas.
The gas is sent into the processing vessel 16 through the gas supply pipe 14 and the valve 15 together with the gas.
【０００４】一方処理容器１６内には、図示しない加熱
機構を内蔵した載置台１７上に半導体ウエハＷ（以下ウ
エハＷという）が載置されており、こうしてウエハＷは
処理容器内に導入されたＨＭＤＳガスの雰囲気中に晒さ
れながら所定温度で加熱されることによってその表面が
疏水化される。処理後のガスは排気管１８より排気され
る。On the other hand, a semiconductor wafer W (hereinafter, referred to as a wafer W) is mounted on a mounting table 17 having a built-in heating mechanism (not shown) in the processing chamber 16, and the wafer W is introduced into the processing chamber. By heating at a predetermined temperature while being exposed to the atmosphere of the HMDS gas, the surface is made hydrophobic. The gas after the processing is exhausted from the exhaust pipe 18.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで上述のアドヒ
−ジョン処理装置ではＨＭＤＳガスがガス供給管１４内
を流れる際に、例えば図６に示すように、一部が結露し
て管の内壁にＨＭＤＳの液滴が付着することがある。こ
の結露現象は、キャリアガス中のＨＭＤＳ濃度が高い場
合や、ＨＭＤＳガスの温度とガス供給管１４内壁の温度
との温度差が大きい場合に発生しやすい。In the above-described adhesion treatment apparatus, when the HMDS gas flows through the gas supply pipe 14, for example, as shown in FIG. Droplets may adhere. This condensation phenomenon is likely to occur when the HMDS concentration in the carrier gas is high, or when the temperature difference between the temperature of the HMDS gas and the temperature of the inner wall of the gas supply pipe 14 is large.
【０００６】そして結露する量が多くなると、ガス供給
管１４内壁に付着したＨＭＤＳの液滴が次第に凝集して
より大きい液滴となり、処理容器１６の入り口（ガス供
給管１４の出口）付近から落下する現象が生じる。この
場合ガス供給管１４の出口はウエハＷと対向しているの
で、液滴はウエハＷ表面に落下する。ところで処理容器
１６の内壁にはわずかながら塵埃が付着している場合が
あるので、処理容器１６の入り口近傍の内壁に付着して
いる塵埃が液滴に吸着され、こうして塵埃を含んだ液滴
がウエハＷ上に落下して、パーティクル汚染の原因とな
る場合がある。When the amount of dew condensation increases, HMDS droplets adhered to the inner wall of the gas supply pipe 14 gradually aggregate to become larger droplets, and fall from near the entrance of the processing vessel 16 (the exit of the gas supply pipe 14). Phenomenon occurs. In this case, since the outlet of the gas supply pipe 14 faces the wafer W, the droplets fall on the surface of the wafer W. By the way, since the dust may slightly adhere to the inner wall of the processing container 16, the dust adhering to the inner wall near the entrance of the processing container 16 is adsorbed by the droplet, and thus the droplet containing the dust is removed. It may drop on the wafer W and cause particle contamination.
【０００７】また例えば疏水化処理が終了したウエハＷ
を処理容器１６から搬出する際にＨＭＤＳの液滴が落下
すると、ウエハ表面に液滴が残ってしまうので再度アド
ヒ−ジョン処理をし直さなくてはならなくなり、スル−
プットが悪化するという問題もある。Further, for example, the wafer W after the hydrophobic treatment is completed
If the HMDS droplets drop when the HMDS is carried out of the processing container 16, the droplets remain on the wafer surface, so that the adhesion process must be performed again.
There is also the problem that the put deteriorates.
【０００８】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、処理容器内にて処理ガスの雰囲
気中に被処理体を晒して処理を行うにあたって、処理ガ
ス供給路内で結露により生じた液滴の被処理体への落下
を防止する処理装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a processing gas supply passage for exposing a workpiece to an atmosphere of a processing gas in a processing vessel. Accordingly, an object of the present invention is to provide a processing apparatus that prevents droplets generated by dew condensation from dropping onto a processing target.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】このため本発明の処理装
置は、処理ガスの雰囲気中に被処理体を晒して所定の処
理を行う処理容器と、前記処理容器に接続され、当該処
理容器内に供給口を介して所定の処理ガスを供給するた
めの処理ガス供給路と、前記処理ガス供給路の少なくと
も処理容器の近傍領域に設けられ、当該処理ガス供給路
の内壁を処理ガスの露点以上の温度に加熱するための加
熱手段と、前記処理容器内の、前記供給口よりも下方側
に設けられ、被処理体をその表面が上を向くように保持
する載置部と、前記供給口と前記載置部との間に設けら
れ、当該供給口近傍から落下する液滴を受け止めるため
の、上端部が前記供給口の内径よりも大きい液滴受け部
と、を備えたことを特徴とする。ここで液滴受け部は、
下端側が上端側より狭まるように、側面がテ−パ面とし
て形成されていることが好ましく、例えば円錐形状に構
成される。For this purpose, a processing apparatus according to the present invention comprises a processing vessel for exposing an object to be processed to an atmosphere of a processing gas to perform a predetermined processing, and a processing vessel connected to the processing vessel and having an inside of the processing vessel. A processing gas supply path for supplying a predetermined processing gas through a supply port, and a processing gas supply path provided at least in a region near the processing container, wherein an inner wall of the processing gas supply path has a dew point of the processing gas or more. A heating unit for heating the workpiece to a temperature of, and a mounting unit provided in the processing container below the supply port and holding the object to be processed so that the surface thereof faces upward; and the supply port. And a droplet receiving portion provided between the mounting portion and the droplet receiving portion, the droplet receiving portion having an upper end portion larger than the inner diameter of the supply port, for receiving a droplet falling from the vicinity of the supply port. I do. Here, the droplet receiver is
The side surface is preferably formed as a tapered surface so that the lower end side is narrower than the upper end side, and is formed, for example, in a conical shape.
【００１０】ここで前記処理ガス供給路に供給口の上流
側において、下方へ折れ曲がる折曲部を形成し、前記供
給口から折曲部の間に加熱手段を設けることが好まし
い。また前記処理容器の天井部の内壁を処理ガスの露点
以上の温度に加熱するための加熱手段を備えるようにし
てもよいし、前記処理容器に、当該処理容器内の処理ガ
スを排気するための、他端側が排気手段に接続された排
気管を設けると共に、前記排気管に、トラップ手段を設
け、このトラップ手段で処理ガスを液化して捕集するよ
うにしてもよい。[0010] Here, it is preferable that a bent portion bent downward is formed in the processing gas supply path on the upstream side of the supply port, and heating means is provided between the supply port and the bent portion. Further, a heating unit for heating the inner wall of the ceiling portion of the processing container to a temperature equal to or higher than the dew point of the processing gas may be provided, or the processing container may be configured to exhaust the processing gas in the processing container. An exhaust pipe may be provided with the other end connected to the exhaust means, and a trap means may be provided in the exhaust pipe, and the trap means may liquefy and collect the processing gas.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の処理装置を枚葉型
のアドヒ−ジョン処理装置に適用した場合について説明
する。図１はアドヒ−ジョン処理装置の一実施の形態を
示す断面図であり、図中２は、処理液例えばＨＭＤＳ液
を貯留するためのタンクである。このタンク２は密閉容
器からなり、図示しないＨＭＤＳ液供給源とＨＭＤＳ液
供給管２１を介して接続されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A case where the processing apparatus of the present invention is applied to a single-wafer type adhesion processing apparatus will be described below. FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of an adhesion processing apparatus. In the figure, reference numeral 2 denotes a tank for storing a processing liquid, for example, an HMDS liquid. The tank 2 is formed of a closed container, and is connected to an HMDS liquid supply source (not shown) via an HMDS liquid supply pipe 21.
【００１２】タンク２内部の底部には、泡を発生させる
ためのバブラ−２２が設けられており、このバブラ−２
２にはキャリアガス供給管２３が接続されていて、当該
キャリアガス供給管２３を介してタンク２内にキャリア
ガス例えばＮ2 ガスを供給すると、ＨＭＤＳ液中に泡状
のＮ2 ガスが供給されるようになっている。A bubbler 22 for generating bubbles is provided at the bottom inside the tank 2.
2 is connected to a carrier gas supply pipe 23, and when a carrier gas, for example, N 2 gas is supplied into the tank 2 via the carrier gas supply pipe 23, a bubble-like N 2 gas is supplied into the HMDS liquid. It has become so.
【００１３】このようなタンク２は処理ガス供給管３を
介して処理容器４と接続されており、例えば処理ガス供
給管３は、一端側が処理容器４の天井部ほぼ中央に接続
されて処理容器４内に供給口３ａとして開口するように
設けられ、他端側がタンク２内の気相領域Ｇに接続され
ている。またこの処理ガス供給管３は処理容器４の上流
側で下方側に傾斜するように折り曲がっており、この部
分が折曲部３ｂを形成している。Such a tank 2 is connected to a processing vessel 4 via a processing gas supply pipe 3. For example, the processing gas supply pipe 3 is connected at one end to substantially the center of the ceiling of the processing vessel 4, and 4 is provided so as to open as a supply port 3 a, and the other end is connected to a gas phase region G in the tank 2. The processing gas supply pipe 3 is bent so as to be inclined downward on the upstream side of the processing container 4, and this portion forms a bent portion 3b.
【００１４】さらにこの処理ガス供給管３には、例えば
処理容器４の天井部付近に開閉バルブＶ１が介装されて
いると共に、後述するようにＨＭＤＳガスを溶解したＮ
2 ガスが所定の流量で流れていることを確認するための
フロ−ト式流量計３１が設けられている。Further, an opening / closing valve V1 is interposed in the processing gas supply pipe 3, for example, in the vicinity of the ceiling of the processing vessel 4, and N gas containing HMDS gas dissolved therein is described later.
A float type flow meter 31 for confirming that two gases are flowing at a predetermined flow rate is provided.
【００１５】また処理ガス供給管３及び開閉バルブＶ１
の処理容器４の近傍領域、例えば処理容器４の上端から
折曲部３ｂに至るまでの領域には、夫々の外周囲に処理
ガス供給管３及び開閉バルブＶ１の内壁をＨＭＤＳガス
の露点Ｔ１（以下露点Ｔ１という）以上の温度に加熱す
るための加熱手段例えば抵抗発熱体３２が巻回されてい
る。The processing gas supply pipe 3 and the open / close valve V1
In the vicinity of the processing container 4, for example, in the region from the upper end of the processing container 4 to the bent portion 3 b, the processing gas supply pipe 3 and the inner wall of the opening / closing valve V 1 are formed around the outer periphery thereof with the HMDS gas dew point T 1 ( A heating means for heating to a temperature equal to or higher than the dew point T1), for example, a resistance heating element 32 is wound.
【００１６】前記処理容器４は密閉可能なチャンバから
なり、ここでは処理ガス例えばＨＭＤＳガスの雰囲気中
に被処理体をなすウエハＷを晒してアドヒ−ジョン処理
が行われる。また処理容器４内の底部には、ウエハＷを
載置するための、抵抗発熱体４２を備えた円盤状の載置
台４１が設置されており、この載置台４１の回りにはわ
ずかな例えば２〜５ｍｍ程度の隙間４４を介して環状の
載置台支持リング４３が設けられている。さらに処理容
器４には前記隙間４４を介して排気管５が容器底面から
接続されており、この排気管５は開閉バルブＶ２を介し
て排気手段をなすエゼクタ（空気圧式真空装置）５１に
接続されている。The processing vessel 4 is a hermetically sealable chamber, in which an exposure process is performed by exposing the wafer W to be processed in an atmosphere of a processing gas, for example, HMDS gas. A disk-shaped mounting table 41 having a resistance heating element 42 for mounting the wafer W thereon is installed at the bottom of the processing container 4. An annular mounting table support ring 43 is provided through a gap 44 of about 5 mm. Further, an exhaust pipe 5 is connected to the processing container 4 through the gap 44 from the bottom of the container, and the exhaust pipe 5 is connected to an ejector (pneumatic vacuum device) 51 serving as an exhaust unit via an opening / closing valve V2. ing.
【００１７】処理容器４の内部には、例えば処理ガス供
給管３の供給口３ａと載置台４１上に載置されたウエハ
Ｗ表面との間に液滴受け部をなす液滴回収部６が設けら
れている。液滴回収部６は、図２に示すように、上方か
ら落下する液滴を受け止められるように上側が凹部とな
る凹状、例えば頂部６１が下を向いた円錐形状に構成さ
れており、上部に形成された円形開口部６２は処理ガス
供給管３の内径よりも大きくなるように設定されてい
る。Inside the processing container 4, for example, a liquid drop collecting section 6 forming a liquid drop receiving section between the supply port 3 a of the processing gas supply pipe 3 and the surface of the wafer W mounted on the mounting table 41 is provided. Is provided. As shown in FIG. 2, the droplet collecting unit 6 is configured to have a concave shape in which the upper side is a concave so as to receive the liquid drop falling from above, for example, a conical shape in which the top 61 is directed downward, and The formed circular opening 62 is set to be larger than the inner diameter of the processing gas supply pipe 3.
【００１８】この液滴回収部６は、処理容器４の天井部
内壁に複数の支持棒６３により吊り下げる状態で取り付
けられており、例えば円形開口部６２が処理ガス供給管
３の供給口３ａの近傍に、供給口３ａと対向するように
位置するように設けられている。また液滴回収部６の頂
部６１には回収管６４が接続されており、この回収管６
４は例えば処理容器４内を下方側に伸び、載置台支持リ
ング４３を貫通して処理容器４の下方側に設けられた回
収容器６５に接続されている。また処理容器４には、ウ
エハＷを搬入・搬出するための開閉手段、例えば図示し
ないシャッタが設けられている。The droplet collecting section 6 is attached to the inner wall of the ceiling of the processing container 4 in a state of being suspended by a plurality of support rods 63. For example, a circular opening 62 is provided at the supply port 3a of the processing gas supply pipe 3. It is provided in the vicinity so as to face the supply port 3a. A collection pipe 64 is connected to the top 61 of the droplet collection section 6.
For example, 4 extends downward in the processing container 4, penetrates the mounting table support ring 43, and is connected to a collection container 65 provided below the processing container 4. The processing container 4 is provided with opening / closing means for loading / unloading the wafer W, for example, a shutter (not shown).
【００１９】次に上述の処理装置の作用について説明す
る。まず処理容器４においてアドヒ−ジョン処理を受け
るべきウエハＷを図示しない搬送ア−ムによりシャッタ
を介して容器４内に搬入し、載置台４１上に載置する。
次いで処理容器４を密閉状態にし、エゼクタ５１を作動
させてから、開閉バルブＶ２を開いて処理容器４内を例
えば３０ｍｍＨｇの減圧状態まで排気する。一方抵抗発
熱体３２、４２に夫々電流を供給し、これらの抵抗発熱
体を発熱させる。こうして載置台４１上のウエハＷを所
定の処理温度例えば約１００℃に加熱すると共に、処理
ガス供給管３及び開閉バルブＶ１の内壁の温度を露点Ｔ
１以上の温度に加熱する。Next, the operation of the above-described processing apparatus will be described. First, the wafer W to be subjected to the adhesion processing in the processing container 4 is carried into the container 4 via a shutter by a transfer arm (not shown), and is mounted on the mounting table 41.
Next, the processing container 4 is closed, the ejector 51 is operated, and then the open / close valve V2 is opened to evacuate the processing container 4 to a reduced pressure of, for example, 30 mmHg. On the other hand, a current is supplied to each of the resistance heating elements 32 and 42 to generate heat. In this way, the wafer W on the mounting table 41 is heated to a predetermined processing temperature, for example, about 100 ° C., and the temperature of the processing gas supply pipe 3 and the inner wall of the opening / closing valve V1 is set to the dew point T.
Heat to one or more temperatures.
【００２０】次いで開閉バルブＶ１を開いてタンク２か
ら処理容器４にＨＭＤＳガスを供給する。つまりタンク
２においては、Ｎ2 ガスをキャリアガス供給管２３より
バブラ−２２を介して導入すると、既述のようにＮ2 ガ
スはＨＭＤＳ液中に泡状に供給される。そしてこのＮ2
ガスの泡にＨＭＤＳが気化して溶け込み、こうして気化
したＨＭＤＳガスは、Ｎ2 ガスと共に処理ガス供給管３
を通って処理容器４に送られる。処理容器４内では、ウ
エハＷは、処理ガス供給管３より供給されたＨＭＤＳガ
スの雰囲気中に晒されながら所定時間加熱され、こうし
てウエハＷの表面をＨＭＤＳによって疏水化する。Next, the HMDS gas is supplied from the tank 2 to the processing container 4 by opening the opening / closing valve V1. That is, in the tank 2, when N 2 gas is introduced from the carrier gas supply pipe 23 through the bubbler 22, the N 2 gas is supplied into the HMDS liquid in a foamed state as described above. And this N 2
The HMDS is vaporized and dissolved in the gas bubbles, and the HMDS gas thus vaporized is supplied to the processing gas supply pipe 3 together with the N 2 gas.
Through the processing container 4. In the processing container 4, the wafer W is heated for a predetermined time while being exposed to the atmosphere of the HMDS gas supplied from the processing gas supply pipe 3, and thus the surface of the wafer W is made hydrophobic by HMDS.
【００２１】このような処理装置では、処理ガス供給管
３及び開閉バルブＶ１の処理容器４の近傍領域では、抵
抗発熱体３２よりこれらの内壁が露点Ｔ１以上の温度に
なるように加熱されているので、この領域においてはＨ
ＭＤＳガスが結露することなく、処理ガス供給管３等の
内壁へのＨＭＤＳ液滴の付着を抑えることができる。In such a processing apparatus, in the area near the processing gas supply pipe 3 and the processing vessel 4 of the opening / closing valve V1, the resistance heating element 32 heats these inner walls to a temperature higher than the dew point T1. Therefore, in this region, H
The HMDS droplets can be prevented from adhering to the inner wall of the processing gas supply pipe 3 or the like without dew condensation of the MDS gas.
【００２２】またこの領域の上流側でＨＭＤＳガスの結
露が起こったとしても、処理ガス供給管３には折曲部３
ｂが形成されていて、処理ガス供給路は上に向かうよう
に傾斜しているので、上流側で生じた液滴が処理ガス供
給管３の内壁に沿って処理容器４側に流れてくること
は、重力に逆らうことになり困難である。仮に流れてき
たとしても、前記近傍領域の内壁は露点Ｔ１以上の温度
になっているので、この領域を通過する間にＨＭＤＳの
液滴は気化してしまう。従ってこの場合であっても、供
給口３ａ付近の内壁へのＨＭＤＳ液滴の付着を抑えるこ
とができる。Even if dew condensation of the HMDS gas occurs on the upstream side of this region, the bent portion 3
b is formed and the processing gas supply path is inclined upward, so that droplets generated on the upstream side flow toward the processing container 4 along the inner wall of the processing gas supply pipe 3. Is difficult because it is against gravity. Even if it flows, the HMDS droplets evaporate while passing through this area because the temperature of the inner wall of the neighboring area is higher than the dew point T1. Therefore, even in this case, the adhesion of the HMDS droplet to the inner wall near the supply port 3a can be suppressed.
【００２３】ここで前記露点Ｔ１はＮ2 ガス中のＨＭＤ
Ｓガスの濃度によって異なるが、Ｎ2 ガスの供給量とＨ
ＭＤＳガスの発生量との間に一定の比例関係があるわけ
ではなく高精度な濃度制御を行うことは難しいので、例
えば平均的なＨＭＤＳガスの濃度を求めておいて、その
濃度の露点以上の温度とすることが好ましい。また抵抗
発熱体３２を巻回する近傍領域は、例えば予め実験によ
り上流側で生じた液滴を気化するために十分な領域を求
めることにより決定される。この際例えば開閉バルブＶ
１には抵抗発熱体３２を巻回しない構成としてもよい。Here, the dew point T1 is HMD in N 2 gas.
Depending on the concentration of S gas, the supply amount of N 2 gas and H
Since there is no fixed proportional relationship with the amount of generated MDS gas and it is difficult to perform high-precision concentration control, for example, an average concentration of HMDS gas is determined, and the concentration is higher than the dew point of the concentration. Preferably, it is a temperature. In addition, the vicinity area around which the resistance heating element 32 is wound is determined, for example, by previously obtaining a sufficient area for vaporizing the droplet generated on the upstream side by an experiment. At this time, for example, the opening / closing valve V
1 may be configured so that the resistance heating element 32 is not wound.
【００２４】さらに例えばＨＭＤＳガスの濃度が前記平
均的な濃度よりも高い場合、供給口３ａ付近の内壁に液
滴が付着することも起こり得るが、当該供給口３ａとウ
エハＷとの間には液滴回収部６が設けられているので、
液滴が落下する場合は液滴回収部６に落下する。このた
めウエハＷ表面への液滴の落下を抑えることができる。
なお液滴回収部６に落下した液滴は回収管６４を介して
回収容器６５に回収される。Further, for example, when the concentration of the HMDS gas is higher than the average concentration, droplets may adhere to the inner wall near the supply port 3a. Since the droplet collection unit 6 is provided,
When the droplet falls, it falls to the droplet collecting unit 6. Therefore, it is possible to suppress the drop of the droplet on the surface of the wafer W.
Note that the droplets that have fallen into the droplet collecting section 6 are collected in the collecting container 65 via the collecting pipe 64.
【００２５】このように上述の実施の形態では、ウエハ
Ｗ表面への液滴の落下を防止できるので、塵埃を含んだ
液滴の落下が原因となるパーティクルの発生を低減でき
ると共に、アドヒ−ジョン処理のし直しによるスル−プ
ットの低下を防止できる。As described above, in the above-described embodiment, it is possible to prevent the droplet from dropping onto the surface of the wafer W, so that it is possible to reduce the generation of particles caused by the drop of the droplet containing dust, and to prevent the adhesion. It is possible to prevent a decrease in throughput due to reprocessing.
【００２６】さらに上述の例では、抵抗発熱体３２を処
理ガス供給管３の全体ではなく処理容器４側の一部に設
けているので、全体に設ける場合に比べて設置コストや
運転コストが低くなる。また液滴回収部６を逆円錐形に
設け、液滴がその内壁に沿って落下しやすいように形成
しているので、ＨＭＤＳ液滴の回収が容易になる。Further, in the above-described example, since the resistance heating element 32 is provided not on the entire processing gas supply pipe 3 but on a part of the processing vessel 4 side, the installation cost and the operating cost are lower than in the case where the resistance heating element 32 is provided on the whole. Become. In addition, since the droplet collecting section 6 is formed in an inverted conical shape and formed so that the droplet can easily fall along the inner wall thereof, the collection of the HMDS droplet is facilitated.
【００２７】続いて本発明の他の例について図３に基づ
いて説明する。この例では加熱手段例えば抵抗発熱体７
１を備えた加熱部材７が、例えば処理容器４の側壁部、
天井部、底面部を覆うように設けられており、これによ
り処理容器４の内壁及び開閉バルブＶ１の内壁が露点Ｔ
１以上の温度まで加熱されるようになっている。なお処
理ガス供給管３には、開閉バルブＶ１の下流側から前記
近傍領域に抵抗発熱体３２が巻回されている。Next, another example of the present invention will be described with reference to FIG. In this example, a heating means such as a resistance heating element 7 is used.
The heating member 7 provided with 1 is, for example, a side wall portion of the processing container 4,
It is provided so as to cover the ceiling portion and the bottom portion, whereby the inner wall of the processing container 4 and the inner wall of the opening / closing valve V1 have a dew point T.
It is designed to be heated to one or more temperatures. In addition, a resistance heating element 32 is wound around the processing gas supply pipe 3 from the downstream side of the opening / closing valve V1 to the vicinity area.
【００２８】また排気管５には開閉バルブＶ２の手前側
にトラップ５２が設けられており、例えばこのトラップ
５２の上流側には液滴回収部６から延びる液滴回収管６
４の他端側が接続されている。この排気管５には、例え
ば処理容器４の底面近傍からトラップ５２に至るまで全
体に亘って、排気管５の内壁の温度を露点Ｔ１以上の温
度まで加熱するための加熱手段例えば抵抗発熱体５３が
巻回されている。A trap 52 is provided in the exhaust pipe 5 in front of the opening / closing valve V2. For example, on the upstream side of the trap 52, a droplet collecting pipe 6 extending from the droplet collecting section 6 is provided.
4 is connected to the other end. The exhaust pipe 5 has heating means for heating the temperature of the inner wall of the exhaust pipe 5 to a temperature equal to or higher than the dew point T1, for example, from the vicinity of the bottom surface of the processing vessel 4 to the trap 52, for example, a resistance heating element 53. Is wound.
【００２９】またトラップ５２の外周囲にはトラップ５
２内部をＨＭＤＳガスの液化点Ｔ２（以下液化点Ｔ２と
いう）以下の温度まで冷却するための冷却手段５４が設
けられている。さらにトラップ５２にはＨＭＤＳ液回収
用のバルブＶ３を備えた配管５５が接続されている。他
の構成は上述の図１に示す処理装置と同様である。本実
施の形態では、トラップ５２と冷却手段５４とによりト
ラップ手段が構成されている。A trap 5 is provided around the outside of the trap 52.
2 is provided with a cooling means 54 for cooling the inside to a temperature lower than the liquefaction point T2 of the HMDS gas (hereinafter referred to as liquefaction point T2). Further, a pipe 55 having a valve V3 for recovering the HMDS liquid is connected to the trap 52. Other configurations are the same as those of the processing apparatus shown in FIG. In the present embodiment, the trap 52 and the cooling unit 54 constitute a trap unit.
【００３０】この例では、アドヒ−ジョン処理の際、抵
抗発熱体５３、７１に夫々電流を供給して、処理容器４
の内壁の温度と排気管５の内壁の温度を露点Ｔ１以上の
温度に加熱する。これによりＨＭＤＳガスの処理容器４
内壁での結露が抑えられ、このため例えば処理容器４か
らウエハＷを搬出入する際に、内壁に付着したＨＭＤＳ
液滴のウエハＷ表面への落下が防止できる。In this example, during the adhesion process, a current is supplied to each of the resistance heating elements 53 and 71 to
Is heated to a temperature equal to or higher than the dew point T1. Thereby, the HMDS gas processing container 4
Condensation on the inner wall is suppressed, and thus, for example, when the wafer W is loaded or unloaded from the processing container 4, the HMDS attached to the inner wall is
Droplets can be prevented from dropping on the surface of the wafer W.
【００３１】またＨＭＤＳガスは気体状態で処理容器４
から排気管５に向かって通流していくが、排気管５の内
壁も露点Ｔ１以上の温度に加熱されているので、当該内
壁への結露が防止され、気体状態のままエゼクタ５１に
向かって通流していく。一方トラップ５２内部は液化点
Ｔ２よりも低い温度になっているので、排気管５内をト
ラップ５２まで通流してきたＨＭＤＳガスは、ここで一
気に冷却されて液化し、ＨＭＤＳ液となり、こうして液
化されたＨＭＤＳ液滴は配管５５を介して回収される。The HMDS gas is in a gaseous state.
Flow from the exhaust pipe 5 to the exhaust pipe 5. Since the inner wall of the exhaust pipe 5 is also heated to a temperature equal to or higher than the dew point T1, dew condensation on the inner wall is prevented, and the exhaust pipe 5 flows toward the ejector 51 in a gaseous state. Let it flow. On the other hand, since the inside of the trap 52 is at a temperature lower than the liquefaction point T2, the HMDS gas flowing through the exhaust pipe 5 to the trap 52 is cooled and liquefied at a stretch to become an HMDS liquid and thus liquefied. The HMDS droplets collected are collected via a pipe 55.
【００３２】このようにこの例では、ＨＭＤＳ液滴のウ
エハＷへの落下を抑えることができると共に、ＨＭＤＳ
液を排気管５内に残存させずに効率的に回収することが
できる。なおこの例においては抵抗発熱体７１を設ける
代わりに、温水などの加熱媒体を加熱部内部に設けられ
た流路に通流させることにより、処理容器４を加熱する
ようにしてもよい。As described above, in this example, the HMDS droplets can be prevented from dropping onto the wafer W, and the HMDS droplets can be suppressed.
The liquid can be efficiently collected without remaining in the exhaust pipe 5. In this example, instead of providing the resistance heating element 71, the processing vessel 4 may be heated by flowing a heating medium such as hot water through a flow path provided inside the heating unit.
【００３３】続いて本発明のさらに他の例について図４
に基づいて説明する。この例では温調部材８が例えば処
理容器４の側壁部、天井部、底面部を覆うように設けら
れている。この温調部材８は加熱手段例えば抵抗発熱体
８１と冷却媒体の流路（図示せず）とを備えており、前
記流路には冷却媒体供給管８２が接続されている。これ
により加熱時には処理容器４の内壁及び開閉バルブＶ１
の内壁が露点Ｔ１以上の温度まで加熱され、冷却時には
処理容器４の内壁及び開閉バルブＶ１の内壁が液化点Ｔ
２以下の温度まで冷却されるようになっている。FIG. 4 shows still another example of the present invention.
It will be described based on. In this example, the temperature control member 8 is provided to cover, for example, the side wall, the ceiling, and the bottom of the processing container 4. The temperature control member 8 includes a heating means such as a resistance heating element 81 and a cooling medium flow path (not shown), and a cooling medium supply pipe 82 is connected to the flow path. Thereby, at the time of heating, the inner wall of the processing container 4 and the opening / closing valve V1
Is heated to a temperature equal to or higher than the dew point T1, and during cooling, the inner wall of the processing container 4 and the inner wall of the on-off valve V1
It is designed to be cooled to a temperature of 2 or less.
【００３４】また排気管９は処理容器４の下方側でトラ
ップ５２に向けて下側に傾斜するように設けられてお
り、開閉バルブＶ２の上流側で、下方側に延びる開閉バ
ルブＶ４を備えた配管５に分岐している。The exhaust pipe 9 is provided below the processing container 4 so as to be inclined downward toward the trap 52, and is provided with an open / close valve V4 extending downward and upstream of the open / close valve V2. It branches to a pipe 5.
【００３５】この例では、アドヒ−ジョン処理の際に
は、先ず開閉バルブＶ４を閉じ、開閉バルブＶ２を開い
て処理容器４内を排気すると共に、温調部材８の抵抗発
熱体８１に電流を供給して処理容器４及び開閉バルブＶ
１を加熱する。一方アドヒ−ジョン処理終了後ウエハＷ
を搬出した後には、開閉バルブＶ４を開くと共に、抵抗
発熱体８１による加熱を停止し、温調部材８の流路に冷
却媒体供給管８２から冷却媒体を供給して通流させるこ
とにより処理容器４及び開閉バルブＶ１を冷却する。In this example, at the time of the adhesion treatment, first, the opening / closing valve V4 is closed, and the opening / closing valve V2 is opened to evacuate the processing vessel 4 and to apply a current to the resistance heating element 81 of the temperature control member 8. Supply processing container 4 and open / close valve V
Heat 1 On the other hand, the wafer W
After carrying out the processing container, the open / close valve V4 is opened, the heating by the resistance heating element 81 is stopped, and the cooling medium is supplied from the cooling medium supply pipe 82 to the flow path of the temperature control member 8 to flow therethrough. 4 and the opening / closing valve V1 are cooled.
【００３６】これによりアドヒ−ジョン処理中はＨＭＤ
Ｓガスの処理容器４内壁での結露が抑えられる一方、ア
ドヒ−ジョン処理終了後は積極的に処理容器４内でＨＭ
ＤＳガスが液化される。そして液化されたＨＭＤＳ液は
配管９を介して流れて行き、配管９１により分岐されて
回収される。ここで配管９は傾斜するように設けられて
いるのでＨＭＤＳ液が流れやすく、また配管９１は配管
９から下方側に向かって設けられているので、ＨＭＤＳ
液は分岐点で確実に配管９１側に分岐される。As a result, during the adhesion process, the HMD
While the dew condensation of the S gas on the inner wall of the processing container 4 is suppressed, the HM is actively
The DS gas is liquefied. Then, the liquefied HMDS liquid flows through the pipe 9 and is branched off by the pipe 91 and collected. Here, since the pipe 9 is provided so as to be inclined, the HMDS liquid flows easily, and since the pipe 91 is provided from the pipe 9 downward, the HMDS
The liquid is certainly branched to the pipe 91 at the branch point.
【００３７】こうしてこの例では、ＨＭＤＳ液滴のウエ
ハＷへの落下を抑えることができると共に、ＨＭＤＳ液
を効率的に回収することができる。なおこの例において
は抵抗発熱体８１を設ける代わりに、温水などの加熱媒
体を流路に通流させることにより、処理容器４を加熱す
るようにしてもよい。Thus, in this example, the HMDS droplets can be prevented from dropping onto the wafer W, and the HMDS liquid can be efficiently recovered. In this example, instead of providing the resistance heating element 81, the processing vessel 4 may be heated by flowing a heating medium such as hot water through the flow path.
【００３８】以上において本発明では、処理ガス供給管
３に折曲部３ｂを形成せず、処理ガス供給管３全体に加
熱手段を設けるようにしてもよい。また折曲部３ｂを形
成した場合であっても、折曲部３ｂの上流側まで加熱手
段を巻回するようにしてもよい。さらに処理ガス供給管
３や排気管５に設けられる加熱手段は、抵抗発熱体３
２、５３の代わりに温水等の加熱媒体の流路を処理ガス
供給管３、排気管５の周囲に設けて加熱する構成であっ
てもよい。In the above, in the present invention, the heating means may be provided on the entire processing gas supply pipe 3 without forming the bent portion 3b in the processing gas supply pipe 3. Further, even when the bent portion 3b is formed, the heating means may be wound up to the upstream side of the bent portion 3b. Further, the heating means provided in the processing gas supply pipe 3 and the exhaust pipe 5 includes a resistance heating element 3
Instead of 2 and 53, a configuration may be adopted in which a flow path of a heating medium such as hot water is provided around the processing gas supply pipe 3 and the exhaust pipe 5 for heating.
【００３９】さらにまた液滴受け部は円錐形状に限ら
ず、下端側が上端側より狭まるように、側面がテ−パ面
として形成されていればよい。また液滴受け部を凹状に
構成して、回収管を設けずに受けた液滴を蒸発させる構
成にしてもよい。例えばこの場合、先ず開閉バルブＶ２
を開いて処理容器４内を減圧してから、開閉バルブＶ１
を開いて処理ガスを供給するようにすると、処理容器４
内は十分に減圧されているので、処理ガス供給管３から
落下した液滴は、瞬時に気化することとなる。Further, the droplet receiving portion is not limited to a conical shape, and it is sufficient if the side surface is formed as a tapered surface so that the lower end is narrower than the upper end. Further, the droplet receiving portion may be formed in a concave shape, and the received droplet may be evaporated without providing the collection tube. For example, in this case, first, the on-off valve V2
Is opened to reduce the pressure inside the processing container 4 and then the opening / closing valve V1 is opened.
Is opened to supply the processing gas, the processing container 4
Since the inside is sufficiently depressurized, the droplets dropped from the processing gas supply pipe 3 are instantaneously vaporized.
【００４０】[0040]
【発明の効果】本発明によれば、処理容器内にて処理ガ
スの雰囲気中に被処理体を晒して処理を行うにあたっ
て、処理ガス供給路内での結露により生じた液滴の被処
理体への落下を防止することができる。According to the present invention, when an object to be processed is exposed to the atmosphere of the processing gas in the processing container, the object to be processed is formed of droplets formed by dew condensation in the processing gas supply path. Can be prevented from falling.
【図１】本発明の処理装置の一実施の形態を示す断面図
である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a processing apparatus according to the present invention.
【図２】本発明の処理装置に設けられた液滴回収部を示
す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a droplet collecting unit provided in the processing apparatus of the present invention.
【図３】本発明の処理装置の他の例を示す断面図であ
る。FIG. 3 is a sectional view showing another example of the processing apparatus of the present invention.
【図４】本発明の処理装置のさらに他の例を示す断面図
である。FIG. 4 is a sectional view showing still another example of the processing apparatus of the present invention.
【図５】従来の処理装置を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a conventional processing apparatus.
【図６】処理装置に設けられたガス供給管内部での結露
の様子を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state of dew condensation inside a gas supply pipe provided in the processing apparatus.
３ 処理ガス供給管 ３ａ 供給口 ３ｂ 折曲部 ３２、５３ 抵抗発熱体 ４ 処理容器 ４１ 載置台 ５、９ 排気管 ６ 液滴回収部 ７ 加熱部材 ８ 温調部材 Ｖ１〜Ｖ４ 開閉バルブ Reference Signs List 3 processing gas supply pipe 3a supply port 3b bending part 32, 53 resistance heating element 4 processing container 41 mounting table 5, 9 exhaust pipe 6 droplet recovery part 7 heating member 8 temperature control member V1-V4 open / close valve
Claims (7)
所定の処理を行う処理容器と、 前記処理容器に接続され、当該処理容器内に供給口を介
して所定の処理ガスを供給するための処理ガス供給路
と、 前記処理ガス供給路の少なくとも処理容器の近傍領域に
設けられ、当該処理ガス供給路の内壁を処理ガスの露点
以上の温度に加熱するための加熱手段と、 前記処理容器内の、前記供給口よりも下方側に設けら
れ、被処理体をその表面が上を向くように保持する載置
部と、 前記供給口と前記載置部との間に設けられ、当該供給口
近傍から落下する液滴を受け止めるための、上端側が前
記供給口の内径よりも大きい液滴受け部と、を備えたこ
とを特徴とする処理装置。1. A processing container for performing a predetermined process by exposing an object to be processed in an atmosphere of a processing gas, and a predetermined processing gas connected to the processing container and supplied to the processing container via a supply port. A processing gas supply path for heating a processing gas supply path for heating an inner wall of the processing gas supply path to a temperature equal to or higher than the dew point of the processing gas; In a container, provided on the lower side than the supply port, a mounting portion that holds the object to be processed such that the surface thereof faces upward, provided between the supply port and the mounting portion, A processing apparatus, comprising: a droplet receiving section having an upper end side larger than an inner diameter of the supply port for receiving a droplet falling from a vicinity of the supply port.
供給口の近傍領域に設けられていることを特徴とする請
求項１記載の処理装置。2. The processing apparatus according to claim 1, wherein said heating means is provided in a region near a supply port of said processing gas supply path.
の露点以上の温度に加熱するための加熱手段を備えたこ
とを特徴とする請求項１記載の処理容器。3. The processing container according to claim 1, further comprising heating means for heating an inner wall of a ceiling portion of the processing container to a temperature equal to or higher than a dew point of the processing gas.
おいて、下方へ折れ曲がる折曲部を備えており、前記供
給口から折曲部の間に、当該処理ガス供給路の内壁を処
理ガスの露点以上の温度に加熱するための加熱手段が設
けられていることを特徴とする請求項１記載の処理装
置。4. The processing gas supply path has a bent portion that is bent downward on an upstream side of a supply port, and between the supply port and the bent section, an inner wall of the processing gas supply path is processed gas. The processing apparatus according to claim 1, further comprising a heating unit for heating to a temperature equal to or higher than the dew point.
狭まるように、側面がテ−パ面として形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載の処理装置。5. The processing apparatus according to claim 1, wherein a side surface of the droplet receiving portion is formed as a tapered surface such that a lower end side is narrower than an upper end side.
内の処理ガスを排気するための、他端側が排気手段に接
続された排気管と、 前記排気管に設けられ、内部が処理ガスの液化点以下の
温度に設定されることにより処理ガスを液化して捕集す
るためのトラップ手段と、 前記トラップ手段の上流側の排気管に設けられ、当該排
気管の内壁を処理ガスの露点以上の温度に加熱するため
の加熱手段と、 を備えたことを特徴とする請求項１記載の処理装置。6. An exhaust pipe provided in the processing vessel, the other end of which is connected to exhaust means for exhausting a processing gas in the processing vessel, and an exhaust pipe provided in the exhaust pipe, and an inside of the processing gas is provided. Trapping means for liquefying and collecting the processing gas by being set to a temperature below the liquefaction point; provided on an exhaust pipe on the upstream side of the trapping means, wherein the inner wall of the exhaust pipe is at or above the dew point of the processing gas. The processing apparatus according to claim 1, further comprising: heating means for heating to a temperature of (1).
手段の上流側に接続されていることを特徴とする請求項
６記載の処理装置。7. The processing apparatus according to claim 6, wherein said droplet receiving portion is connected to an upstream side of trap means of said exhaust pipe.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17303197A JPH118191A (en) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | Treatment equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17303197A JPH118191A (en) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | Treatment equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118191A true JPH118191A (en) | 1999-01-12 |
Family
ID=15952927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17303197A Pending JPH118191A (en) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | Treatment equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118191A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4764804A (en) * | 1986-02-21 | 1988-08-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and process for producing the same |
| JP2004031634A (en) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Tokyo Electron Ltd | Hydrophobization treatment equipment |
| JP2008210980A (en) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Toshiba Corp | Method of forming pattern |
| EA029434B1 (en) * | 2013-09-26 | 2018-03-30 | Отешос Ас | Metallic flange connection gasket |
-
1997
- 1997-06-13 JP JP17303197A patent/JPH118191A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4764804A (en) * | 1986-02-21 | 1988-08-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and process for producing the same |
| JP2004031634A (en) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Tokyo Electron Ltd | Hydrophobization treatment equipment |
| JP2008210980A (en) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Toshiba Corp | Method of forming pattern |
| EA029434B1 (en) * | 2013-09-26 | 2018-03-30 | Отешос Ас | Metallic flange connection gasket |
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